2019-012946

特願２０１５－１０７４８５「アフターコロージョン抑制処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１２月２８日出願公開、特開２０１６－２２５３５０、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は平成２７年５月２７日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成３０年１２月１４日付け　：拒絶理由通知書 平成３１年　２月１２日　　　：意見書，手続補正書の提出 令和　元年　７月１１日付け　：拒絶査定 令和　元年　９月３０日　　　：審判請求書の提出 令和　２年　６月　３日付け　：拒絶理由通知書（当審） 令和　２年　８月　６日　　　：意見書の提出 第２　原査定の概要 原査定（令和元年７月１１日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１～５に係る発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２～４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。 引用文献１.特開平０６－１５１３８９号公報 引用文献２.特開２００５－３５３９７２号公報 引用文献３.特開２００７－２５０９４２号公報 引用文献４.特表２００３－５１８７６８号公報 第３　当審拒絶理由通知の概要 当審拒絶理由通知（令和２年６月３日付け拒絶理由通知）の概要は，本願の請求項１～５に係る発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２～４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。 引用例１.特開平６－１５１３８９号公報 引用例２.特開２００５－３５３９７２号公報 引用例３.特開２００７－２５０９４２号公報 引用例４.特表２００３－５１８７６８号公報 なお，上記引用例１～４は，原査定における引用文献１～４と同一である。 第４　本願発明 本願の請求項１～５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」～「本願発明５」という。）は，平成３１年２月１２日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は次のとおりである。 「【請求項１】 アルミ配線半導体基板のH2Oプラズマによるアフターコロージョン抑制処理方法であって， a) エッチング処理後のアルミ配線半導体基板を収容した処理室内にアルゴンガスを導入してアルゴンプラズマを生成する工程と， b) 前記アルゴンプラズマが安定した以後に，該アルゴンプラズマ中にH2Oを導入することによりAr-H2Oプラズマとする工程と， を含み，前記アルゴンプラズマ中にH2Oを導入した後でありかつH2Oの導入を停止する前に，前記処理室内へのアルゴンガスの導入を停止する，アフターコロージョン抑制処理方法。」 本願発明２～５は，本願発明１を減縮した発明である。 第５　引用例の記載と引用発明 １．引用例１について （１）引用例１の記載事項 当審拒絶理由通知で引用された引用例１には，図５とともに次の記載がある。（下線は当審による。以下同じ。） 「【０００２】 【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の配線材料として，例えばシリコン（Ｓｉ）や銅（Ｃｕ）等を含むアルミニウム系合金膜が多く用いられている。このようなアルミニウム系合金膜で微細パターンを形成するには，塩素系のエッチングガスを用いたドライエッチングが行われる。塩素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングを行った場合には，塩素がアルミニウム系合金膜の表面等に残留して，アルミニウム系合金膜を腐食する（いわゆる，コロージョンまたは虫食い）。このため，通常，塩素系のエッチングガスによるドライエッチング後には，フッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行って，残留している塩素をフッ素で置換することにより，アルミニウム系合金膜の腐食を防いでいる。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来のフッ素系ガスによる後処理だけでは，コロージョンを十分に防止することができない。またレジスト剥離とフッ素系ガスによる後処理とを併用してもまだ不十分である。さらに上記方法に熱処理を併用した場合には，下地の絶縁膜とのエッチング選択比が取れなくなる。 【０００４】そこでドライエッチング終了後に，Ｈ2Ｏを添加したガス系で後処理を行う方法が提案されている。この方法では，塩素系のエッチングガスを用いてドライエッチングした後，酸素（Ｏ2 ）とＨ2Ｏとの混合ガスを用いてダウンフローを行うことにより，残留塩素を低減してアフターコロージョンを抑制しようとしている。ところが，アフターコロージョンは残留塩素とＨ2Ｏとにより生成される塩酸によってアルミニウムが溶け出す反応であるため，残留塩素が多く存在しているウエハをＨ2 Ｏを含む雰囲気にさらすことは，アフターコロージョンを抑制する観点から好ましくない。このように残留塩素が存在するウエハをＨ2Ｏを含む雰囲気にさらすとアフターコロージョンは発生し，アルミニウム系金属で形成されている配線の信頼性は著しく低下する。また後処理を行った後にも，Ｈ2Ｏがウエハ上に残留するので，アフターコロージョンを誘発する可能性が大きい。」 「【０００８】本発明は，コロージョンの発生を抑えるのに優れたドライエッチングの後処理方法を提供することを目的とする。」 「【００４５】次に第２の実施例の別の具体例として，酸素と水素とより組成されるガスを含まないガスに希ガスのアルゴン（Ａｒ）ガスを用いた事例を説明する。前記図２で説明したと同様にして，塩素を含むエッチングガスを用いて，Ａｌ－Ｓｉ合金膜等をエッチングして，配線パターン（１８）を形成する。 【００４６】次いで，上記処理を行ったウエハ（１１）をアッシング装置のチェンバー（図示せず）に移す。そしてチェンバー内に，アンモニアを含まないガスとして，例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し，放電を開始する。上記アルゴンガスは，例えば２００ｓｃｃｍの流量で供給する。また放電条件としては，例えば，チェンバー内圧力を１３３Ｐａに設定し，マイクロ波電力を４００ｍＡに設定する。アルゴンガスの放電ではレジストパターン（１７）はエッチングされない。 【００４７】その後，放電が安定してから，アルゴンガスによる放電を継続した状態で，チェンバー内にＨ2Ｏガスと酸素（Ｏ2 ）ガスとを供給する。このときの条件としては，例えば，酸素の流量を５００ｓｃｃｍ，アルゴンの流量を２００ｓｃｃｍ，Ｈ2 Ｏの流量を３０ｓｃｃｍに設定し，チェンバー内圧力を１３３Ｐａ，マイクロ波電力を４００ｍＡに設定する。この状態では，図７の（１）に示すように，酸素プラズマによって，レジストパターン１７の２点鎖線で示す部分が徐々にアッシングされるとともに，Ｈ2Ｏの放電分解によって，水素ラジカル３１とＯＨラジカル（図示せず）とが発生する。そしてこの水素ラジカル３１（またはＯＨラジカル）と残留塩素１９とが反応して塩化水素（ＨＣｌ）３２を生成する。塩化水素３２は蒸気圧が高いので蒸発する。したがって，ウエハ１１上より残留塩素１９は除去される。 【００４８】さらに放電は継続される。この状態でＨ2Ｏガスの供給を停止する。その後のガス供給条件としては，例えば流量が５００ｓｃｃｍの酸素（Ｏ2 ）ガスと流量が２００ｓｃｃｍのアルゴンガスとを供給し，放電条件としては，例えば，チェンバー内圧力を１３３Ｐａに設定し，マイクロ波電力を４００ｍＡに設定する。この状態では，図７の（２）に示すように，酸素プラズマによって，レジストパターン１７（２点鎖線で示す部分）は除去される。またチェンバー内に吸着しているＨ2 Ｏガスは酸素プラズマによって離脱させられ，チェンバー内より完全に除去される。その後放電を停止する。 【００４９】放電を停止した状態では，チェンバー内にＨ2Ｏは残留していないので，次にウエハを処理する場合に，たとえ残留塩素を多く付着したウエハが搬送されてきても，チェンバー内で残留塩素が反応して塩酸を生成することはない。したがって，アフターコロージョンは発生しない。またアルゴンガスを導入したことにより，安定した放電が行える。さらに，Ｈ2Ｏガスを供給する前の放電では，アルゴンガスしか供給していないので，レジスト層は除去されない。したがって，レジスト層が薄い場合でも，アンモニアガスを供給するまでレジスト層は残っている。このため，レジスト層が除去されて残留塩素が拡散することなく，レジスト層に付着している残留塩素をＨ2 Ｏガスによって完全に除去することが可能になる。 【００５０】上記説明では，Ｈ2Ｏガスを含まないガスにアルゴンガスを用いたが，例えば，他の希ガスとして，例えばヘリウム（Ｈｅ）やネオン（Ｎｅ）等を用いることも可能である。また２種以上の希ガスを混合して用いることも可能である。 【００５１】また上記各実施例では，予めアンモニアを含まないガスまたは酸素と水素とより組成されるガスを含まないガスで放電を発生させるため，ウエハは放電によって加熱される。このため，残留塩素の除去反応は促進される。また残留塩素の除去反応で生成された反応生成物がウエハ上より蒸発されやすくなる。」 引用例１の図５として，以下の図面が示されている。 （２）摘記事項の整理 以上によれば，引用例１には以下の事項が記載されているものと理解できる。 ア　引用例１には，「第２の実施例の別の具体例」として，以下の（ａ）～（ｅ）の工程を順に行うことが記載されている。 （ａ）塩素を含むエッチングガスを用いて，Ａｌ－Ｓｉ合金膜等をエッチングして，配線パターン（１８）を形成すること。その後，当該配線パターン（１８）を形成したウエハ（１１）をアッシング装置のチェンバーに移すこと。（段落［００４５］～［００４６］） （ｂ）チェンバー内にアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し，放電を開始すること。その際，アルゴンガスの流量は２００ｓｃｃｍ，チェンバー内圧力を１３３Ｐａ，マイクロ波電力を４００ｍＡとすること。（段落[００４６]） （ｃ）放電が安定してから，アルゴンガスによる放電を継続した状態で，チェンバー内にＨ２Ｏガスと酸素（Ｏ２）ガスとを供給すること。その際，酸素の流量を５００ｓｃｃｍ，アルゴンの流量を２００ｓｃｃｍ，Ｈ２Ｏの流量を３０ｓｃｃｍ，チェンバー内圧力を１３３Ｐａ，マイクロ波電力を４００ｍＡとすること。これにより，酸素プラズマと，Ｈ２Ｏの放電分解による水素ラジカル３１とＯＨラジカルを発生させること。（段落［００４７］） （ｄ）放電を継続した状態でＨ２Ｏガスの供給を停止し，酸素（Ｏ２）ガス５００ｓｃｃｍとアルゴンガス２００ｓｃｃｍとを供給すること。その際，チャンバー内圧力１３３Ｐａ，マイクロ波電力４００ｍＡとすること。これにより，レジストパターン及びチェンバー内に吸着しているＨ２Ｏガスが除去されること。（段落［００４８］） （ｅ）放電を停止すること。（段落［００４８］） イ　引用例１の段落［０００４］，［０００８］，［００４７］～［００４８］の記載から，引用例１には，ウエハ上に残留する塩素やＨ２Ｏによるアフターコロージョンの発生を抑える処理方法が開示されていると理解できる。 ウ　引用例１の段落［００４７］には，上記Ｈ２Ｏの放電分解による水素ラジカル３１（またはＯＨラジカル）と，残留塩素が反応して塩化水素３２を生成することで，ウエハ上より残留塩素が除去されることが記載されている。当該記載と上記ア（ａ）及びイから，引用例１には，Ａｌ－Ｓｉ合金膜等をエッチングした配線パターンが形成されたウエハのＨ２Ｏの放電分解による水素ラジカルまたはＯＨラジカルによるアフターコロージョンの発生を抑える処理方法が開示されていると理解できる。 エ　上記ア（ｂ）～（ｄ）において，チェンバー内圧力及びマイクロ波電力が一定であること，及び，引用例１の第２の実施例のタイミング図（図５）から，上記第２の実施例の別の具体例において，放電は上記ア（ｂ）で開始され，上記ア（ｅ）で停止するものと理解できる。 （３）引用発明１ 上記ア～エによれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 「Ａｌ－Ｓｉ合金膜等をエッチングした配線パターンが形成されたウエハのＨ２Ｏの放電分解による水素ラジカルまたはＯＨラジカルによるアフターコロージョンの発生を抑える処理方法であって， １）前記Ａｌ－Ｓｉ合金膜等のエッチング処理後の前記ウエハをアッシング装置のチェンバーに移すこと， ２）前記チェンバー内にアルゴンガスを供給し，放電を開始すること， ３）前記放電が安定してから，アルゴンガスによる放電を継続した状態で，前記チェンバー内にＨ２Ｏガスと酸素ガスとを供給し，酸素プラズマと，Ｈ２Ｏの放電分解による水素ラジカルとＯＨラジカルを発生させること ４）前記３）の後，前記放電を継続した状態でＨ２Ｏガスの供給を停止し，さらに，酸素ガスとアルゴンガスとを供給すること ５）前記４）の後，前記放電を停止すること を含む，アフターコロージョンの発生を抑える処理方法。」 ２．引用例２の記載 ア　当審拒絶理由通知で引用された引用例２には，次の記載がある。 「【００３６】 （第３の実施例） 本発明の第３実施例に係る発明の効果を示す測定の結果を図９に示す。図９は本発明に係る希ガスを含む気体のプラズマを図４に示すプラズマ処理装置を用いて発生させ，その後にプラズマの発生用に用いた希ガスを含む気体をプラズマ処理に適した気体に置換してプラズマ処理を行った場合の一例であって，アルゴン（Ａｒ）に対してマイクロ波導入することによりプラズマを発生させた後にアルゴンを酸素に置換して処理を行った場合に，被処理物３０へ照射されるマイクロ波の強度を示している。図９に示されるように，Ａｒを用いて被処理物へのマイクロ波の照射を抑制しながらプラズマを発生して表面波プラズマを生成した後に供給するガスを酸素に切替えることで，被処理物へのマイクロ波の照射は発生しないままに酸素によるプラズマ処理を行うことが可能である。 【００３７】 上記のような，希ガスを用いてプラズマを発生させた後に，処理の目的に応じたそれ以外のガスに置換してプラズマ処理を行う場合の処理手順を図１に示す。図１に示すように，所定流量の処理の目的に応じたガスと希ガスとの混合気体を真空容器２１に処理用ガスの供給手段２８により導入し，真空容器２１内を処理の目的に適した所定圧力に保持した状態でマイクロ波をマイクロ波発生源２６からマイクロ波導波経路２３を通じて導入し，プラズマを発生させる。その後，マイクロ波発生源２６の出力が安定し，生成した表面波プラズマが安定した時点で，導入するガスを希ガスから処理の目的に応じたガスに変更して，所定の時間だけ，又はプラズマの発光状態等により検知された処理の終点に応じた時間だけ，プラズマを保持することにより被処理物３０のプラズマ処理を行った後，マイクロ波の導入を停止することでプラズマ処理を完了する。 【００３８】 この際，自動動作のインピーダンス調整器２４を用いている場合には，希ガスと処理の目的に応じた処理用ガスとで整合点が一般には異なるため，処理用ガスの種類によってはその整合点に至る以前に表面波プラズマの状態が崩れて被処理物にマイクロ波が照射される場合がある。そのような場合には，予めインピーダンス整合器を処理用ガスに適した整合点に固定して置き，ガスの切替え後に自動動作に切替えることで，着火時とガスの切替え時のいずれにも被処理物へのマイクロ波の照射が生じることなく切替えることが可能である。 【００３９】 希ガスを用いて被処理物へのマイクロ波の照射を抑制しながらプラズマを着火した後，処理の目的の応じた処理用のガスに切替えることで，希ガスを混合したままで処理を行う場合と比較して，処理ガスの分圧が増加するためにプラズマ処理の効率を向上することが可能となる。 【００４０】 また，着火に用いるガスとして，希ガスと処理用ガスの混合気体を使用しても同様の効果を得ることが可能である。 【００４１】 半導体装置の製造工程においてＲＩＥエッチングのマスクに用いたフォトレジストのアッシングを表面波プラズマ装置により行うにあたり，図１に示した手順に従い，図９に示したものと同様に，アルゴンを用いてプラズマを発生させ，約１秒後に酸素に切替えて処理を行ったところ，通常の酸素でのプラズマ・アッシングと比較して同等のアッシングレートが得られると共に，一連の製造工程後の製品歩留まりと製品寿命において一定の向上がみられ，希ガスであるアルゴンを使用したプラズマの発生によるマイクロ波の抑制の効果が確認された。」 イ　上記によれば，引用例２には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。 ・アルゴンに対してマイクロ波を導入してプラズマを発生させ，プラズマが安定した時点で導入するガスをアルゴンから酸素に切り替えて，フォトレジストのアッシング処理を行うこと。それにより，希ガスを混合したまま処理を行う場合と比較してプラズマ処理の効率を向上することが可能となること。 ３．引用例３の記載 ア　当審拒絶理由通知で引用された引用例３には，次の記載がある。 「【００１６】 第２の実施の形態として，Ａｒガスにてプラズマを安定させ，しかる後に，ＡｒガスとＣＨ４ガスとの混合ガス，および，Ｃｌ２とＢＣｌ３との混合ガスをチャンバー内に導入する場合について説明する。具体的な工程は，以下の（２－１）から（２－７）の順とした。 （２－１）試料をマイクロ波プラズマエッチング装置のチャンバー内に入れた後，先ず通常条件で，ＡｒガスとＣＨ４ガスとの混合ガス，および，Ｃｌ２とＢＣｌ３との混合ガスによるプラズマを発生させる。 （２－２）上記（２－１）のプラズマが安定した後，30秒間プラズマエッチングを行う。 （２－３）次に，一旦プラズマを停止させ，プラズマエッチング工程を中断させる。 （２－４）中断後，直ちに，Ｃｌ２およびＢＣｌ３の混合ガスを停止すると共に，Ａｒガスをチャンバー内に導入し，その流量が安定するまで待つ。 （２－５）Ａｒガスの流量が安定したら，プラズマを発生させる。 （２－６）プラズマが発生したら，ＡｒガスとＣＨ４ガスとの混合ガス，および，Ｃｌ２とＢＣｌ３との混合ガスを再びチャンバー内に流して，プラズマエッチング工程を再開すると共に，プラズマ着火に用いたＡｒガスを停止する。 （２－７）上記（２－２）と（２－６）におけるエッチング時間の合計が所定時間に達したら，当該プラズマエッチング工程を終了させる。 【００１７】 上記プラズマエッチング工程においては，１２０sccmのＣｌ２，３０sccmのＢＣｌ３，および，１５０sccmのＡｒとＣＨ４との混合ガスを流し，処理室ガス圧力は１．０Paで試料をエッチングした。さらに，工程再開の際のプラズマ発生においては，１５０sccmのＡｒを流し，処理室ガス圧力は１．０Paでプラズマを着火した。また，試料としては，層間絶縁膜上に形成したＴｉＮ（２５nm）／Ａｌ－Ｃｕ（５００nm）の積層構造上にレジストマスクを形成させたものを用いた。」 イ　上記によれば，引用例３には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。 ・Ａｒガスをチャンバー内に導入して流量が安定するまで待ち，Ａｒガスの流量が安定したところでプラズマを発生させ，その後，プラズマエッチングに用いる混合ガスをチャンバー内に流してプラズマエッチングを再開するとともに，プラズマ着火に用いたＡｒガスを停止すること。 ４．引用例４の記載 当審拒絶理由通知で引用された引用例４には，次の記載がある。 「【００３０】 剥離ガスによって生成されたプラズマは，この例においてはフォトレジストマスクであるエッチングマスク（ステップ４２６）と，ほとんど又はすべての残留側壁パッシベーション（ステップ４２８）とを剥離させ取り去る。エッチングチャンバのプラズマソースにより生成された励起酸素ラジカルは，有機フォトレジスト層の剥離において主要なコンポーネントとなる。酸素プラズマは，炭素ベースの残留物をエッチングチャンバ３４の壁から取り除くことが分かっている（ステップ４３０）。その結果，エッチングチャンバ３４内のウエハからフォトレジストを剥離させる間に，エッチングチャンバ３４はエッチングチャンバ自体をクリーニングする。このクリーニングにより，追加のクリーニングを行う必要性が減少する。剥離ガスの流入は，その後，中断される（ステップ４３２）。」 第６　対比・判断 １．本願発明１について （１）本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点 本願発明１と引用発明１を比較する。 ア　引用発明１における「Ａｌ－Ｓｉ合金膜等をエッチングした配線パターンが形成されたウエハ」及び「アッシング装置のチェンバー」が，本願発明１の「アルミ配線半導体基板」及び「処理室」に相当する。また，引用発明１における「Ｈ２Ｏの放電分解による水素ラジカルまたはＯＨラジカル」が，本願発明１における「H2Oプラズマ」に相当する。 イ　上記アから，引用発明１における「Ａｌ－Ｓｉ合金膜等をエッチングした配線パターンが形成されたウエハのＨ２Ｏの放電分解による水素ラジカルまたはＯＨラジカルによるアフターコロージョンの発生を抑える処理方法」が，本願発明１における「アルミ配線半導体基板のH2Oプラズマによるアフターコロージョン抑制処理方法」に相当する。 ウ　引用発明１における「１）前記Ａｌ－Ｓｉ合金膜等のエッチング処理後の前記ウエハをアッシング装置のチェンバーに移すこと」及び「２）前記チェンバー内にアルゴンガスを供給し，放電を開始すること」が，本願発明１における「a) エッチング処理後のアルミ配線半導体基板を収容した処理室内にアルゴンガスを導入してアルゴンプラズマを生成する工程」に相当する。 エ　引用発明１における「３）前記放電が安定してから，前記チェンバー内にＨ２Ｏガスと酸素ガスとを供給し，酸素プラズマと，Ｈ２Ｏの放電分解による水素ラジカルとＯＨラジカルを発生させること」は，本願発明１における「b) 前記アルゴンプラズマが安定した以後に，該アルゴンプラズマ中にH2Oを導入することによりAr-H2Oプラズマとする工程」に相当する。 上記ア～エから，本願発明１と引用発明１の一致点，相違点は以下のとおりである。 （一致点） 「アルミ配線半導体基板のH2Oプラズマによるアフターコロージョン抑制処理方法であって， a) エッチング処理後のアルミ配線半導体基板を収容した処理室内にアルゴンガスを導入してアルゴンプラズマを生成する工程と， b) 前記アルゴンプラズマが安定した以後に，該アルゴンプラズマ中にH2Oを導入することによりAr-H2Oプラズマとする工程と， を含む，アフターコロージョン抑制処理方法。」である点。 （相違点） 本願発明１では，「前記アルゴンプラズマ中にH2Oを導入した後でありかつH2Oの導入を停止する前に，前記処理室内へのアルゴンガスの導入を停止する」のに対し，引用発明１では，Ｈ２Ｏガスの供給停止後もアルゴンガスを供給している点。 （２）相違点に対する判断 引用例２及び引用例３に記載された技術的事項（第５の２．イ及び３．イ参照）や下記の周知例１の記載によれば，プラズマ処理において，アルゴンガスをチャンバー内に供給してプラズマを着火させ，当該プラズマ中に処理ガスを供給した後，処理ガスの供給を停止するより前にプラズマ着火に用いたアルゴンガスの供給を停止する技術は，当業者の周知技術であったと認められる。 周知例１：国際公開第２０１１／０３０７２１号 上記周知例１には次の記載がある。 「［0014］次いでプラズマ着火工程として，ガス供給部８１から真空槽８９内に希ガスを供給する。 希ガスは，ここではＡｒガスを使用する。本発明の希ガスは，価格や入手しやすさ等の理由からＡｒガスが望ましいが，これに限定されずＨｅ，Ｎｅ，Ｋｒ，Ｘｅ等のガスを使用してもよい。 調圧バルブ８２ａの排気コンダクタンスは制御装置９８により制御され，真空層８９内は所定の圧力に調圧されている。このときの圧力は，ＲＦアンテナ８３の構造や真空槽８９の容積，希ガスの供給流量等により変わるが，生成直後のプラズマが最も安定する３Ｐａ～１０Ｐａの範囲であることが望ましい（Ａ～ＢはＡ以上Ｂ以下を示す）。 真空槽８９内の圧力が安定したのち，プラズマ用交流電源８４を起動し，ＲＦアンテナ８３に交流電流を流し，ＲＦアンテナ８３からＲＦ導入窓９３を透過して真空槽８９内に電波を放射させ，希ガスのプラズマを生成させる。」 「［0017］真空槽８９内の圧力が安定したのち，プラズマ処理工程として，ここでは真空槽８９内への希ガスの供給流量を減少させ，反応ガスの供給を開始し，反応ガスを希ガスのプラズマと接触させて，反応ガスをプラズマ化し，反応ガスのイオンやラジカル等の活性種を生成して，基板のＩｒ薄膜に接触させる。 反応ガスは，ここではＣｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを使用する。 本発明の反応ガスはこれに限定されず，フッ素と，塩素と，臭素と，ヨウ素とからなる群より選択されるいずれか１種類のハロゲン元素を化学構造中に含むハロゲン系ガス等の，基板をエッチングできるガスを含有してもよい。 ここでは希ガスの供給流量を減少させたのち，反応ガスの供給を開始したが，反応ガスの供給を開始したのち，希ガスの供給流量を減少させてもよい。 エッチングに希ガスが不要の場合には，希ガスの供給流量をゼロにしてもよい。 また，希ガスの供給流量は減少させずに，調圧バルブ８２ａの排気コンダクタンスを増加させることにより，反応ガスの供給開始後も真空槽８９内が所定の圧力になるように制御してもよい。」 一方，引用例１の段落［００４８］の記載に照らすと，引用発明１は，Ｈ２Ｏガスの供給を停止した後も酸素ガスとアルゴンガスを供給することで，レジストパターン及び残留するＨ２Ｏの除去を行うものであると認められる。そして，Ｈ２Ｏ供給停止後に酸素ガスとアルゴンガスを供給して処理を行うことが一連の過程として特定された引用発明１において，当該過程から離れて，Ｈ２Ｏの供給停止よりも前においてアルゴンガスの供給を停止する動機を，引用例１の記載全体から読み取ることはできない。また，引用例２～３及び周知例１からも，引用発明１で特定される一連の過程のうち，Ｈ２Ｏの供給停止よりも前にアルゴンガスの供給を停止することの示唆を見いだすことはできない。 そうすると，上述のとおりアルゴンガスと処理ガスを用いたプラズマ処理において，プラズマ処理ガスの供給停止より前にアルゴンガスの供給を停止する技術が周知であったとしても，引用発明１においてＨ２Ｏ供給停止よりも前にアルゴンガスの供給を停止すること，すなわち上記相違点に係る構成を想到することが，上記周知技術に照らし当業者にとって容易であったとはいえない。また，上記引用例４にも，上記相違点に係る構成とすることについての記載や示唆は見当たらない。 したがって，本願発明１は，引用発明１及び引用例２～４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。 ２．本願発明２～５について 本願発明２～５も，上記相違点に係る構成，すなわち，本願発明１の「前記アルゴンプラズマ中にH2Oを導入した後でありかつH2Oの導入を停止する前に，前記処理室内へのアルゴンガスの導入を停止する」との構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，引用発明１及び引用例２～４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。 第７　原査定についての判断 原査定における引用文献１～４は当審拒絶理由通知における引用例１～４と同一であるから，上記第６の２．及び３．で検討のとおり，本願発明１～５は引用文献１に記載された発明及び引用文献２～４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。したがって，原査定を維持することはできない。 第８　結言 以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。