2019-005382

特願２０１５－５５４１４８「モノリシックな白色ダイオードを製造するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月３１日国際公開、ＷＯ２０１４／１１４７３１、平成２８年　３月２２日国内公表、特表２０１６－５０８６６８〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は、２０１４年１月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年１月２４日、フランス）を国際出願日とする出願であって、以降の手続は次のとおりである。 平成２９年１０月３１日　拒絶理由通知（同年１１月６日発送） 平成３０年　５月　２日　手続補正・意見書提出 同年　５月３１日　拒絶理由通知＜最後＞（同年６月４日発送） 同年１０月　３日　意見書提出 同年１２月２６日　拒絶査定（平成３１年１月４日謄本送達） 平成３１年　４月２３日　審判請求 ２　本願発明 本願の請求項１に係る発明は、平成３０年５月２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。） 「【請求項１】 発光ダイオードを製造する方法であって、前記方法は、支持体（５０、１０）の前面上に発光層（２０）を準備するステップ（２２０）を含み、前記発光層は、異なる波長を放射する少なくとも三つの隣接する量子井戸（２１、２２、２３、２４）を含み、前記量子井戸（２１、２２、２３、２４）は、前記支持体の前記前面と接触しており、 前記発光層を堆積させる前記ステップは、前記支持体の前記前面が異なる温度の少なくとも三つの領域を含むように、前記前面の反対側の前記支持体の背面の温度を局所的に変化させることにあり、 前記支持体の局所的な温度変化は、前記支持体の異なる厚みの領域上で達成される、ことを特徴とする方法。」 ３　刊行物等に記載された発明 （１）引用例１：　特開２０１０－９２９５２号公報 ア　原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１０－９２９５２号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに、以下の記載がある（下線は当審で付加。以下同様。）。 ａ 「【０００１】 本発明は、同一の発光層で白色発光が可能な白色ＬＥＤの製造装置と方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 白色発光が可能な白色ＬＥＤは、ワン・チップ型とマルチ・チップ型に大別することができる。 【０００３】 ・・・（中略）・・・ 【０００４】 一方、マルチ・チップ型白色ＬＥＤは、２色以上のＬＥＤを１つのチップに組み込んで同時に発光させ、それらの光を混合して白色光を得るものである。マルチ・チップ型白色ＬＥＤは、２色以上から白色光が得られるため、色純度の高い白色光を得ることができる特徴がある。 マルチ・チップ型白色ＬＥＤは、例えば、特許文献４～６に開示されている。 【０００５】 特許文献４は、３色ＬＥＤの原価低減と小型化を図ることを目的としている。 そのためこの文献では、図１０に示すように、３色ＬＥＤ５０は、絶縁基板５１上に一組の赤色ＬＥＤ素子５８ａ，緑色ＬＥＤ素子５８ｂ，青色ＬＥＤ素子５８ｃが近接して形成される。各色のＬＥＤ素子は基板５１上に形成されたＩＩＩ族元素の窒化物半導体より成るバッファ層５５と、その上のｐｎ接合されたＩＩＩ族元素の窒化物半導体層５６，５７を有する。ｐｎ接合半導体層は各色によってＩＩＩ族元素の組織化が異なる。例えば赤色素子のｐｎ接合層はＩｎｘ・Ｇａ（１－ｘ）・Ｎ（ｘ＝１．０）とされ、緑色素子ではＩｎｘ・Ｇａ（１－ｘ）・Ｎ（ｘ≒０．４）とされ、青色素子ではＩｎｘ・Ｇａ（１－ｘ）・Ｎ（ｘ≒０．１）とされるものである。 【０００６】 特許文献５は、単一層領域から異なる発光スペクトルピークを発光可能な発光素子を目的とする。 そのため、この文献では、図１１に示すように、ｐ型窒化物半導体６７とｎ型窒化物半導体６６との間に少なくともＩｎとＧａを含有する窒化物半導体の発光層６１を有する発光素子である。特に、発光層６１は単一層内でＩｎの組成比が異なる複数の混晶領域を有する発光素子である。 【０００７】 特許文献６は、液晶用バックライトや表示関連機器用として性能的に十分な色再現性が良い白色光を発光することができる窒化物半導体発光素子を目的とする。 そのため、この文献では、図１２に示すように、基板７１上に、窒化物半導体からなるｎ型層、活性層、及びｐ型層が積層されてなる窒化物半導体発光素子において、互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層７５、７７、７９の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層７６、７８を形成する。複数の活性層７５、７７、７９は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を発光する３つの活性層であり、そのバンドギャップエネルギーは基板７１に近いものほど小さくなっている。 【０００８】 【特許文献１】特開２００４－１２７９８８号公報、「白色発光装置」 【特許文献２】特開２００３－３０６６７４号公報、「白色ＬＥＤ用蛍光体とそれを用いた白色ＬＥＤ」 【特許文献３】特開２００５－８８４４号公報、「蛍光体及びそれを用いた発光装置」 【特許文献４】特開平１１－１２１８１１号公報、「３色ＬＥＤとそれを用いた表示パネル及び表示装置と製法」 【特許文献５】特許第３５１１９２３号公報、「発光素子」 【特許文献６】特開２００６－３０３２５９号公報、「窒化物半導体発光素子と窒化物半導体の成長方法」 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００９】 特許文献４の３色ＬＥＤは、各色のｐｎ接合される半導体材料を共通のＩＩＩ族元素（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ等）の窒化物を用い、その組成比を変えることによってＲ，Ｇ，Ｂの各色を発光させると共に、絶縁基板にサファイア等を用いて共用化を図っている。 しかし、特許文献４の３色ＬＥＤの製造方法は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色のＬＥＤをエッチング除去して形成したホールに順次形成するので、エッチング工程と成膜工程を繰り返す必要があり、製造工程が複雑である。また、各色のＬＥＤをエッチングで区分する必要があるため緻密化が困難である問題点があった。 【００１０】 特許文献５の発光素子の製造方法は、発光層の成長時に、発光層が、単一層内から混色により白色となる複数の発光スペクトルピークを発光し、且つ、短波長側の発光スペクトルの半値幅が、より長波長側の発光スペクトルの半値幅よりも狭く、且つ、短波長側の発光スペクトルピーク強度が、より長波長側の発光スペクトルピーク強度よりも低いピーク強度比を有するものとなるように、原料ガス中のＨ２分圧を高くものである。 しかし、この特許文献５の製造方法は、発光層が単一量子井戸構造の場合、組成不安定領域の形成を利用するため、原理的に２色の発光しかできない。また、発光層が多層量子井戸構造の場合には、原理的には３色の発光が可能であるが、各層毎に原料ガス中のＨ２分圧を変化させてそれぞれ独立した条件で成膜するため、製造工程が複雑になる問題点があった。 【００１１】 特許文献６の窒化物半導体の成長方法は、互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層を形成するため、各層毎にそれぞれ独立した条件で成膜するため、製造工程が複雑になる問題点があった。 【００１２】 本発明は、上述した問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、少ない製造工程で、混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる白色ＬＥＤの製造装置と方法を提供することにある。」 ｂ 「【００１３】 本発明によれば、基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置と、基板表面に加熱用レーザ光を照射する加熱レーザ照射装置とを備え、 前記加熱用レーザ光は、成長基板のバンドギャップより大きいエネルギー範囲の波長を有し、 加熱レーザ照射装置は、前記加熱用レーザ光を基板上で１次元もしくは２次元的に照射するレーザ照射光学装置を備え、 発光層成膜時に、基板上の一部に前記加熱用レーザ光を局所的に照射して、同一発光層に混色により白色となる複数の発光部を形成する、ことを特徴とする白色ＬＥＤの製造装置が提供される。 【００１４】 ・・・（中略）・・・ 【００１６】 また本発明によれば、窒化アルミニウムインジウムガリウムを発光層とする白色ＬＥＤの製造方法であって、 単一の発光層を２以上の発光部に区分し、各発光部の組成を、混色により白色となるように設定し、 同一の成膜条件において、前記２以上の発光部を成膜できる複数の処理温度を設定し、 有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により前記発光層を形成する際に、基板の加熱温度を前記処理温度の最低温度又はそれ以下に設定し、 前記発光部の一部又は全部に、加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させる、ことを特徴とする白色ＬＥＤの製造方法が提供される。 【００１７】 ・・・（中略）・・・ 【００１９】 すなわち、上記本発明の装置および方法によれば、 結晶成膜装置により、有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により前記発光層を形成する際に、基板の加熱温度を前記処理温度の最低温度又はそれ以下に設定し、 加熱レーザ照射装置を用いて、前記発光部の一部又は全部に、加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させるので、 従ってこの装置および方法により、少ない製造工程で、混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる。」 ｃ 「【００２１】 図１は、本発明により製造される白色ＬＥＤの模式的断面図である。 この図において、発光層１は、発光層１は、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌｘＩｎｙＧａ１－x-ｙＮ：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の単一量子井戸構造からなる。 以下、ＡｌｘＩｎｙＧａ１－x-ｙＮを単にＡｌＩｎＧａＮと記載する。 また、以下、発光層１が窒化インジウムガリウムＩｎＧａＮである場合について主に説明するが、ＡｌＩｎＧａＮにも同様に本発明を適用することができる。 【００２２】 図１において、単一の発光層１は、２以上の発光部１ａ，１ｂ，１ｃに区分され、各部分１ａ，１ｂ，１ｃのＩｎモル比率は、混色により白色となるように設定されている。 【００２３】 またこの図において、２は基板、３はＧａＮからなるバッファ層、４はｎ－ＧａＮからなるｎ型層、５はｐ－ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層、６はｐ－ＧａＮからなるｐ型コンタクト層、７はｎ型電極、８はｐ型電極である。 これらの各層は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）又は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により成長形成される。 【００２４】 基板２は、好ましくはサファイア基板であるが、他にシリコン、ＳｉＣ等を用いることができる。また、バッファ層３は、この例ではＧａＮであるが、他にＧａＡｌＮ、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＮ等で構成することができる。 【００２５】 ｐ型電極８にはニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）等の金属を用いることができ、ｎ型電極７にはアルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の金属を用いることができる。 【００２６】 上述した構成により、ｐ型電極８を＋、ｎ型電極７を－に印加することにより、単一の発光層１の２以上の発光部１ａ，１ｂ，１ｃを異なる波長で発光させ、その混色により白色光を発光させることができる。 【００２７】 ・・・（中略）・・・ 【００３１】 図５は、ある成膜条件における成膜温度と発光層中のＩｎモル比率との関係図である。 この図から、同一の成膜条件において成膜温度を変化させることにより、発光層中のＩｎモル比率を変えることができることがわかる。 【００３２】 図６は、本発明による白色ＬＥＤ製造装置の模式図である。 この図において、本発明の白色ＬＥＤ製造装置は、基板２上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）又は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０と、基板表面に表面反応を促進する反応促進用レーザ光３１を照射する反応促進レーザ照射装置３０とを備える。 【００３３】 ・・・（中略）・・・ 【００４１】 上述した加熱レーザ照射装置２０の構成により、発光層１の成膜時に、成長基板２（具体的にはｎ型層４）が吸収する波長を有する加熱用レーザ光２１を基板２に照射し、局所的に基板２の温度を上昇させることができる。 なおこの温度上昇は、発光する波長に対応する組成のＩｎＧａＮが成長するようにレーザの出力、照射時間等を調整する。 【００４２】 図６において、反応促進レーザ照射装置３０は、レーザ発生装置３２及びレーザ走査ミラー３４を備え、基板表面に表面反応を促進する反応促進用レーザ光３１を照射する。 反応促進用レーザ光３１は、エキシマレーザやＹＡＧレーザ等の高出力パルスレーザが好適であるが、成長表面の反応を促進させるため、成長層が吸収する波長を有し、前駆体を励起・分解して結晶膜を成長させることができるエネルギーに相当する波長のレーザ光を出射できるものであればこれに限定されない。 なお、基板全面に均一に反応促進用レーザ光３１を照射するため、均一化する光学系などにより均一化されたビームで照射することが望ましい。 【００４３】 図８は、ガス組成中のＩｎ／Ｇａモル比率と発光層中のＩｎモル比率との関係図である。この図において、横軸は発光層成膜時のガス組成中のＩｎ／Ｇａのモル比率であり、縦軸は発光層中のＩｎモル分率である。また図中の各線は各成膜温度における理論値であり、○●□は実験値である。 この図から、成膜時のガス組成中が一定の場合（例えば図でＩｎ／Ｇａのモル比率が０．５の場合）でも、成膜温度を変えることにより、発光層中のＩｎモル分率を変化させることができることがわかる。」 ｄ 「【００４４】 次に、本発明による白色ＬＥＤの製造方法を説明する。 本発明の製造方法では、図１に示したように、単一の発光層１を、２以上の発光部１ａ，１ｂ，１ｃに区分し、各部分１ａ，１ｂ，１ｃのＩｎモル比率を、混色により白色となるように設定する。 例えば、発光部１ａ，１ｂ，１ｃがそれぞれ赤色、緑色、青色を発光する場合、図４からＩｎモル比率をそれぞれ０．４前後、０．３前後、０．２前後に設定すればよいことがわかる。 各部分１ａ，１ｂ，１ｃの大きさは、レーザ光の走査により実現できる限りで任意であり、直径１μｍ以下であるのが好ましいが、直径１ｍｍ以上であってもよい。 また、各部分１ａ，１ｂ，１ｃの面積比率は、各部分の発光強度に応じて、混色により白色となる限りで、任意に設定するのがよい。 【００４５】 次に、上記各Ｉｎモル比率を成膜できる処理温度を図５又は図８から設定する。 例えば、Ｉｎモル比率が０．４前後、０．３前後、０．２前後に対し、図５から発光部１ａ，１ｂ，１ｃの処理温度をそれぞれ約６５０℃、約６７５℃、約７２０℃に設定する。 【００４６】 ・・・（中略）・・・ 【００５２】 上述したように、窒化物半導体の発光層（ＡｌＩｎＧａＮの組成で形成される）を成長させる場合、成長温度を変化させるとＩｎＧａＮ層のＩｎモル分率が減少する。 この特性を利用して、本発明では、組成の最も高いＩｎＧａＮを成長させるための成長条件（原料ガス濃度、基板温度）で成長させながら、基板面にＣＷレーザを局所的（必要な場所）に照射して、照射部分のみを温度上昇させて、Ｉｎ組成を減少させることで、レーザ照射された部分とされない部分において異なる発光波長を有する発光層を形成する。 例えば、青色発光の発光層と黄色発光の発光を形成することにより、白色発光の発光層を同一面内に形成することができる。 【００５３】 なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更の加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では、窒化インジウムガリウムについて詳述したが、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌｘＩｎｙＧａ１－x-ｙＮ：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）にも同様に適用することができる。」 ｅ　ここで、図１および図６は以下のものである。 図１ 図６ イ　図１とともに前記アｃに摘記した段落【００２２】～【００２３】の記載を参照すると、白色ＬＥＤは、基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４、単一の発光層１、ｐ－ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層５、およびｐ－ＧａＮからなるｐ型コンタクト層６、がこの順に積層され、さらにｎ型電極７およびｐ型電極８を備え、ここで、単一の発光層１は、３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃに区分されていることがわかる。 ウ　前記アｃの段落【００３１】の記載から、前記アｂの段落【００１６】における、「前記発光部の一部又は全部に、加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させる」ことは、当該発光部を形成させるときになされることであることは明らかである。 エ　引用発明 以上を総合すると、引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。 「窒化アルミニウムインジウムガリウムを発光層とする白色ＬＥＤの製造方法であって、 前記白色ＬＥＤは、基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４、単一の発光層１、ｐ－ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層５、およびｐ－ＧａＮからなるｐ型コンタクト層６、がこの順に積層され、さらにｎ型電極７およびｐ型電極８を備え、ここで、単一の発光層１は、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌｘＩｎｙＧａ１－x-ｙＮ：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の単一量子井戸構造からなり、３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃに区分され、各発光部１ａ，１ｂ，１ｃのＩｎモル比率は、発光部１ａ，１ｂ，１ｃを異なる波長で発光させ、その混色により白色となるように設定されるものであり、 同一の成膜条件において、前記３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃを成膜できる複数の処理温度を設定し、 有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により前記発光層１を形成する際に、基板の加熱温度を前記処理温度の最低温度又はそれ以下に設定し、前記発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する一部又は全部に、加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させることにより、同一の成膜条件において、同一の発光層１内に３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃを複数の処理温度で区分して成膜でき、各発光部の組成が処理温度に依存した組成となる、 白色ＬＥＤの製造方法。」 （２）引用例２：特開２００３－３０３９９３号公報 ア　原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００３－３０３９９３号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに、以下の記載がある。 ａ 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置に関し、特に発光スペクトルの調整に関する。」 ｂ 「【０００５】本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光スペクトルが広く、あるいは、発光スペクトルを所望の値に適宜設定することができる発光装置及び製造方法を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体装置を製造する方法であって、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する際に、面内で温度分布を生じさせつつ前記窒化ガリウム系化合物半導体層を形成するステップを有することを特徴とする。 【０００７】ここで、前記温度分布は、前記基板の裏面に不連続的に膜を形成し、前記基板の裏面側から加熱することで生成される。 【０００８】前記膜は、例えばストライプ状に形成することができ、この場合、ストライプ状の膜の幅及び間隔は前記基板の厚さ以上に設定することが好適である。 【０００９】前記膜は、例えばモリブデンあるいはチタンを用いることができる。 【００１０】また、前記温度分布は、前記基板の裏面に不連続的に溝を形成し、前記基板の裏面側から加熱することで生成される。 【００１１】また、前記温度分布は、前記窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する際に、局所的に熱エネルギを印加することにより生成される。 【００１２】前記熱エネルギは、光源からの光を照射することで印加され得る。 【００１３】 ・・・（中略）・・・ 【００２２】このように、本発明では、窒化ガリウム系化合物半導体を形成する際に、面内温度分布を生じさせることで組成変化を生じさせる。ＩｎＧａＮやＡｌＧａＮ、あるいは一般的にＡｌyＩｎxＧａ1-x-yＮを形成する際、その組成は温度変化に対して高感度に変化し、組成変化は発光波長の変化を生じさせる。したがって、同一デバイス内で意図的に面内温度分布を生じさせることで、同一デバイス内で発光波長を広範囲に変化させることが可能となり、組成の異なる領域を同時に駆動することで多数の発光ピーク波長が互いに重畳された広帯域スペクトル特性を得ることができる。あるいは、同一デバイス内で組成の異なる領域を同時に駆動するのではなく、択一的に駆動することで、発光ピーク波長を切替制御することも可能となる。例えば、３６０ｎｍの発光ピーク波長と６００ｎｍの発光ピーク波長を同一デバイスで切替制御することができるようになり、デバイスの汎用性あるいはフレキシビリティを著しく高めることになる。 【００２３】ＧａＮ系化合物半導体層に面内温度分布を生じさせるには、基板面内で温度分布を形成することでＧａＮ系化合物半導体の成長温度に分布を形成する他、基板面内は均一温度とし、ＧａＮ系化合物半導体成長時に外部から熱エネルギを局所的に印加する方法がある。前者の場合、基板裏面を加工して熱伝導特性に分布を形成すればよく、基板裏面に不連続的に膜（例えば金属膜）を形成して局所的に熱伝導率を増減させる、あるいは基板裏面に溝を形成して熱伝導率を局所的に低下させればよい。ＩｎＧａＮの場合、温度が高いとＩｎの組成が低下して発光ピーク波長が短波長側にシフトし、温度が低いとＩｎの組成が増大して発光ピーク波長が長波長側にシフトする。シフト量は、温度分布量で制御される。後者の場合、熱エネルギは光を照射することで印加できる。面内温度分布を形成するには、光を十分絞り込んで局所的に照射することが必要であり、光源とレンズの組み合わせが好適である。レーザ光を絞り込んで照射することも可能である。ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にＧａＮ系化合物半導体を成長させる際、ＭＯＣＶＤ装置の内部あるいは外部に光源を設け、光源からの光で局所的に加熱する。温度分布は照射エネルギで制御される。」 ｃ 「【００２５】＜第１実施形態＞図１には、本実施形態に係るＧａＮ系化合物半導体を用いたＬＥＤの基本構成が示されている。基板１０上に順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＳｉドープＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６，ＡｌＧａＮ層１８、ｐ型ＧａＮ層２０が積層され、ｐ型ＧａＮ層２０に接してｐ電極２２、ｎ型ＧａＮ層１２に接してｎ電極が形成される構成である。 【００２６】図１に示されたＬＥＤは以下のプロセスにより作製される。すなわち、まず、ＭＯＣＶＤ装置にてサファイアｃ面基板を水素雰囲気中で１１００℃、１０分間熱処理する。そして、温度を５００℃まで降温させ、シランガスとアンモニアガスを１００秒間供給して不連続なＳｉＮ膜を基板１０上に形成する。なお、このプロセスはデバイス中の転位密度を低減させるためのものであり、図ではＳｉＮ膜は省略している。次に、同一温度でトリメチルガリウム及びアンモニアガスを供給してｎ型ＧａＮ層１２を２０ｎｍ厚成長させる。温度を１０５０℃に昇温し、再びトリメチルガリウム及びアンモニアガスを供給してＳｉドープＧａＮ層１４を４μｍ厚成長させる。その後、温度を７００℃程度まで降温してＩｎＧａＮ発光層１６を２ｎｍ厚成長させる。目標組成はｘ＝０．１５、すなわちＩｎ0.15Ｇａ0.85Ｎである。発光層１６成長後、温度を１０００℃まで昇温してＡｌＧａＮ正孔注入層１８を成長させ、さらにｐ型ＧａＮ層２０を成長させる。 【００２７】 ・・・（中略）・・・ 【００２９】Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ発光層１６の発光ピーク波長は４５０ｎｍ、発光スペクトルの半値幅は約１５～２０ｎｍである。発光ピーク波長は、ＩｎＧａＮの成長温度に敏感で、例えば成長温度が１０℃異なると発光ピーク波長は２０ｎｍ以上変化する。これは、ＩｎＧａＮの成長温度がＩｎＮの蒸発温度（約５００℃）より高いので、ＩｎXＧａ1-xＮの組成ｘが、ＩｎＮの蒸発率とＩｎＧａＮの供給率とのバランスで決定されるからである。具体的には、温度が高いと、ＩｎＮが蒸発してＩｎ組成ｘは低下し、組成ｘの低下に伴い発光波長が短波長側にシフトする。 【００３０】また、温度が低いと、ＩｎＮの蒸発が抑制され、Ｉｎ組成ｘが増大して発光波長が長波長側にシフトする。 【００３１】このことは、同一ウエハ面内において温度分布が存在すると、その温度分布に起因して発光ピーク波長が変化することを意味し、逆に、ウエハ面内で意図的に温度分布を生ぜしめることで異なる発光ピーク波長を有する領域を形成できることを意味する。すなわち、温度分布を形成することで複数の発光波長ピークを任意に形成できるのである。本実施形態においては、このような原理に基づき、ウエハ内において意図的に温度分布を形成し、これにより発光層１６の組成に分布を生ぜしめて発光ピーク波長を変化させる。」 ｄ 「【００４６】＜第２実施形態＞上述した第１実施形態においては、基板１０の裏面に不連続的に金属膜１１を形成して温度分布を形成しているが、基板１０の裏面に凹凸を形成して温度分布を形成することも可能である。具体的には、図８に示されるように、基板１０の裏面に溝１０ａを形成する。溝１０ａは、例えばダイヤモンド粒を埋め込んだ切削回転円盤（ブレード）によりウエハを切断する装置を用いて形成することができる。溝１０ａの幅はブレードの厚さで決定され、例えば２００μｍとすることができる。溝１０ａの深さは、３３０μｍのサファイア基板に対し、２７０μｍ等とすることができる。 【００４７】 【実施例５】図９には、裏面に溝１０ａが形成された基板１０を基板ホルダ１０２上に載置し、ヒータ１００で加熱する状態が示されている。各部の寸法は、サファイア基板１０は３３０μｍ厚、溝１０ａの幅は２００μｍ、溝１０ａの深さは２７０μｍである。基板１０を基板ホルダに載置してヒータで加熱し、順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層２０を形成した。ＩｎＧａＮ発光層１６からの発光をフォトルミネセンス法により測定した。測定に際しては、励起光源のスポット系を１０μｍ程度にレンズで絞り、狭い領域からの発光を観測するように注意した。基板ホルダ温度を７００℃として成長させた場合、溝１０ａ上部での発光ピーク波長は４４５ｎｍであった。一方、溝１０ａを形成していない領域での発光ピーク波長は４４０ｎｍであり、約５ｎｍの波長シフトが観測された。これは、溝１０ａが存在する領域では、基板ホルダ１０２からの熱伝導が低下し、ＩｎＧａＮ発光層１６の成長温度が溝１０ａの存在していない領域に比べて低下したことに起因するものである。このように、基板１０の裏面に溝１０ａを形成して凹凸を形成することで基板１０面内において温度分布を形成し、これによりＩｎＧａＮ発光層１６の成長温度に面内分布が生じ、組成分布を生じて発光ピーク波長をシフトさせることができる。」 ｅ 「【００５１】＜第３実施形態＞第１実施形態及び第２実施形態では、基板の裏面を加工することで基板面内に温度分布を形成し、これによりＩｎＧａＮ発光層の成長温度に面内分布を生じさせているが、基板は従来技術と平坦なものを用いてヒータで均一に加熱し、ＩｎＧａＮ発光層を成長させるときに直接的に成長温度に面内温度分布を生じさせることも可能である。すなわち、ＩｎＧａＮ発光層を成長させるときに局所的に熱エネルギを印加して温度分布を形成するのであり、例えばＭＯＣＶＤ装置に設けられた観察用の光学窓を通して外部から光を照射し、発光層の成長温度を制御する。 【００５２】 【実施例７】図１０には、本実施例の構成図が示されている。ＭＯＣＶＤ装置１０４内に基板１０、基板ホルダ１０２及びヒータ１００を配置し、基板１０の裏面をヒータ１００で加熱する。さらに、ＭＯＣＶＤ装置１０４の光学窓１０６を介して光源１１０からの光をレンズ１０８で集光して基板１０の表面に照射した。光源１１０あるいはレンズ１０８をスキャン可能なように支持した。光源１１０として１ｋＷの水銀ランプを用い、直径３０ｃｍの石英レンズで光源１１０からの光を基板１０の表面に集光させた。また、図示していないが光路上にシャッタを設け、照射時間を調節した。レンズの焦点距離は４０ｃｍ、焦点でのスポット径は０．５ｍｍである。ヒータ１００で基板１０の温度を上昇させ、ｎ型ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＧａＮ層を順次成長させた。ＩｎＧａＮ発光層の成長時のみシャッタを開け、基板１０上のある一点の温度を上昇させた。基板ホルダ温度を６７０℃としてＩｎＧａＮ発光層１６を成長させた場合、光スポットから離れた部分での発光ピーク波長は約５０５ｎｍであった。一方、光スポットの中心付近での発光ピーク波長は３９０ｎｍであった。このように、光を照射することでＩｎＧａＮ発光層の成長温度に分布を生じさせ、発光ピーク波長をシフトさせることができた。なお、光路の一部にガラスなどを入れて光強度を弱くしたり、あるいは焦点を故意にずらすことで光スポット部分の温度を下げることが可能であるので、本実施例において３９０ｎｍ～５０５ｎｍの範囲で波長を任意にシフトさせることが可能である。」 イ　ここで、図９および図１０は以下のものである。 図９ 図１０ ウ　以上を総合すると、引用例２には、以下の事項が記載されているといえる。 ａ 「窒化ガリウム系化合物半導体装置を製造する方法であって、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する際に、面内で温度分布を生じさせつつ前記窒化ガリウム系化合物半導体層を形成するステップを有し、 面内温度分布を生じさせることで組成変化を生じさせ、ＩｎＧａＮやＡｌＧａＮ、あるいは一般的にＡｌyＩｎxＧａ1-x-yＮを形成する際、その組成が温度変化に対して高感度に変化し、組成変化は発光波長の変化を生じさせ、したがって、同一デバイス内で意図的に面内温度分布を生じさせることで、同一デバイス内で発光波長を広範囲に変化させることが可能となり、組成の異なる領域を同時に駆動することで多数の発光ピーク波長が互いに重畳された広帯域スペクトル特性を得ることができる。」 ｂ 「ＧａＮ系化合物半導体層に面内温度分布を生じさせるには、基板面内で温度分布を形成することでＧａＮ系化合物半導体の成長温度に分布を形成する他、基板面内は均一温度とし、ＧａＮ系化合物半導体成長時に外部から熱エネルギを局所的に印加する方法がある。 前者の場合、基板裏面を加工して熱伝導特性に分布を形成すればよく、基板裏面に不連続的に膜（例えば金属膜）を形成して局所的に熱伝導率を増減させる、あるいは基板裏面に溝を形成して熱伝導率を局所的に低下させればよい。ＩｎＧａＮの場合、温度が高いとＩｎの組成が低下して発光ピーク波長が短波長側にシフトし、温度が低いとＩｎの組成が増大して発光ピーク波長が長波長側にシフトする。シフト量は、温度分布量で制御される。 後者の場合、熱エネルギは光を照射することで印加できる。面内温度分布を形成するには、光を十分絞り込んで局所的に照射することが必要であり、光源とレンズの組み合わせが好適である。レーザ光を絞り込んで照射することも可能である。ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にＧａＮ系化合物半導体を成長させる際、ＭＯＣＶＤ装置の内部あるいは外部に光源を設け、光源からの光で局所的に加熱する。温度分布は照射エネルギで制御される。」 （３）引用例３：特開２００３－８６８９０号公報 ア　原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００３－８６８９０号公報（以下「引用例３」という。）には、図とともに、以下の記載がある。 ａ 「【０００１】 【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザに適用して好適な、半導体発光素子とその製造方法に関するものである。」 ｂ 「【０００７】 【課題を解決するための手段】そこで、この発明は下記のような構成上の特徴を有する。 【０００８】すなわち、この発明の半導体レーザアレイの製造方法では、半導体基板上に、回折格子を複数区分領域に形成し、回折格子を備える半導体基板上に結晶成長させる際に、半導体基板と半導体基板を加熱する発熱体との間に、半導体基板と発熱体との間の熱伝導度を、半導体基板の区分領域毎に異なる熱伝導度変異部を介在させて半導体基板を加熱する。 【０００９】このように熱伝導度を変えると、半導体基板の区分領域毎に温度が異なる。 【００１０】従って、半導体基板の温度分布と結晶構造との関係を予め調べておけば、所望の結晶構造に応じた熱伝導度を設定すれば良い。このように熱伝導度を設定することにより、半導体基板上に、複数の結晶構造（組成）の異なる成長結晶層、例えば、多重量子井戸構造となる井戸層及び障壁層を設計値通りに形成でき、製品歩留まりが向上する。また、選択成長用マスクが不要となり製造工程が減るため、従来よりも安価に各半導体発光素子を製造することができる。」 ｃ 「【００１２】＜第１の実施の形態＞図１～図４を参照して、この発明の半導体発光素子の製造方法につき、半導体レーザを例に挙げて、説明する。ここでは、一例として、先ず、ＢＨ構造を有する分布帰還型半導体レーザアレイの製造方法につき説明する。 【００１３】 ・・・（中略）・・・ 【００１９】この気相結晶成長装置１４によって、回折格子を備える半導体基板の第１主面（表面）に対して結晶成長を行う際に、半導体基板を加熱する。この発明では、この加熱処理を、半導体基板とこの半導体基板を加熱する発熱体との間に、熱伝導度変異部５０を介在させて、行なう。この熱伝導度変異部５０は、半導体基板と発熱体との間の熱伝導度を、半導体基板の区分領域毎に異ならせる作用を有している。このように、この熱伝導度変異部５０は、区分領域毎の温度、従って、半導体基板での温度分布を決める作用を有している。 【００２０】 ・・・（中略）・・・ 【００３０】このように、ヒータ２２から基板１０の第２主面（裏面）への熱伝導度が、基板の裏面の部分領域毎に変わると、基板の裏面から表面に至る区分領域毎に温度差が生じる。すなわち、基板の表面での温度が区分領域毎に異なってくる。 【００３１】従って、基板１０表面の温度分布と基板表面に成膜される各層の層厚及び組成との相関関係の実測データを予め求めれば、成膜すべき結晶層の種類に応じた熱伝導度変異部５０が形成されたウェハキャリア１６を用意することが出来る。 【００３２】よって、形成しようとする多重量子井戸構造に適した構造のウェハキャリア１６を用いて、ウェハに結晶構造（組成）の異なる多重量子井戸層を設計値通りに複数形成できるため、各素子ごとに利得ピーク波長を異ならせることができる。その上、各多重量子井戸層の膜厚を実質的に同一に形成できることから、得られる半導体発光素子の閾値電流、スロープ効率及び温度特性等の各種特性を所望の設計値通りに形成でき、製品歩留まりが向上する。 【００３３】従って、回折格子ピッチで決まる発振波長と結晶構造で決まる利得ピーク波長との差（ディチューニング量）を、従来よりも精度良く制御することができるので、高信頼性でかつ広範囲の発振波長をもつ半導体発光素子アレイを得ることができる。 【００３４】また、選択成長用マスクが不要なため製造工程が減り、従来よりも安価に各半導体発光素子を製造することができる。」 ｄ 「【００３８】＜第２の実施の形態＞第２の実施の形態によれば、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝導度を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の区分領域毎に異ならせる熱伝導度変異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうちヒータ２２と対向する側の面、すなわち第２主面（裏面）自体に形成する。 【００３９】すなわち、この実施の形態では、ウェハキャリア１６は、第１の実施の形態とは異なり、上述したような熱伝導度変異部を備えておらず、ウェハキャリア１６の裏面は、例えば、平坦構造（図示せず）である。しかし、この実施の形態での構成例では、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうち、ヒータ２２と対向する側の第２主面自体に加工を施すことによって熱伝導度変異部５０を形成して、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝導度を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の区分領域毎に異ならせている。 【００４０】図６（Ａ）は、第２の実施の形態における熱伝導度変異部５０を説明するための、ｎ型ＩｎＰ基板１０の第２主面（裏面）側からみた概略平面図である。この実施の形態では、熱伝導度変異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうち、ヒータ２２と対向する第２主面すなわち裏面自体に、複数の厚みの異なる区分領域として同心円状に形成してある。 【００４１】各区分領域間に段差４６ａ，４６ｂを設けてある。尚、段差４６ａ，４６ｂは、任意好適なエッチング等の切削加工によって、基板１０裏面側に底面までの距離の異なる貫通しない凹部４７ａ，４７ｂを形成することによって、得ることが出来る。 【００４２】また、ｎ型ＩｎＰ基板１０の裏面形状を同心円状とすることにより、ウェハポケット１８内でのｎ型ＩｎＰ基板１０を、安定な状態で支持させることができる。 【００４３】そして、この実施の形態では、この熱伝導度変異部５０が形成されたウェハ上に、第１の実施の形態と同様の工程を経て、半導体発光素子アレイを形成する。尚、切削加工によって形成された段差４６ａ，４６ｂは、後工程において任意好適な研磨処理によって平坦化することが出来る。尚、この場合も、熱伝導度変異部５０の形態は、半導体基板に成長させる結晶層に所望の結晶構造を与えることが出来るように、半導体基板に温度分布を形成させる形態ならば良い。 【００４４】上述した説明から明らかなように、この実施の形態では、これまでの結晶成長装置をそのまま適用させることができるとともに、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。」 ｅ　ここで、図６は以下のものである。 イ　ここで、上記アの段落【００４０】～【００４１】の記載とともに図６（Ａ）を参照すると、「区分領域」、すなわち、熱伝導度が異なる部分が３か所あることがわかる。 ウ　以上を総合すると、引用例３には、以下の事項が記載されているといえる。 「半導体基板と半導体基板を加熱する発熱体との間に、半導体基板と発熱体との間の熱伝導度を、半導体基板の区分領域毎に異なる熱伝導度変異部を介在させて半導体基板を加熱して、半導体基板の区分領域毎に温度が異なるようにし、半導体基板の温度分布と結晶構造との関係を予め調べておいて、所望の結晶構造に応じた熱伝導度を設定することにより、半導体基板上に、複数の結晶構造（組成）の異なる成長結晶層、例えば、多重量子井戸構造となる井戸層及び障壁層を設計値通りに形成でき、製品歩留まりが向上でき、また、選択成長用マスクが不要となり製造工程が減るため、従来よりも安価に各半導体発光素子を製造することができる。 第２の実施の形態は、ｎ型ＩｎＰ基板１０とヒータ２２との間の熱伝導度を、ｎ型ＩｎＰ基板１０の区分領域毎に異ならせる熱伝導度変異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうちヒータ２２と対向する側の面、すなわち第２主面（裏面）自体に形成するものであり、熱伝導度変異部５０として、ｎ型ＩｎＰ基板１０のうち、ヒータ２２と対向する第２主面すなわち裏面自体に、複数の厚みの異なる区分領域として同心円状に形成してあり、３か所ある各区分領域間に段差４６ａ，４６ｂを設けてあり、段差４６ａ，４６ｂは、任意好適なエッチング等の切削加工によって、基板１０裏面側に底面までの距離の異なる貫通しない凹部４７ａ，４７ｂを形成することによって、得ることが出来る。」 ４　対比 本願発明と引用発明１とを比較する。 ア　引用発明の「単一の発光層１」は、本願発明の「発光層」に相当する。 イ　引用発明にかかる「白色ＬＥＤは、基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４、単一の発光層１、ｐ－ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層５、およびｐ－ＧａＮからなるｐ型コンタクト層６、がこの順に積層され」たものであり、「単一の発光層１」は「基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」を積層した上に形成されるから、前記「基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」を積層したものは、本願発明の「支持体（５０、１０）」に相当する。また、引用発明においては「有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により前記発光層１を形成する」から、引用発明の「基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」を積層したものの「ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」側上に、「有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により前記発光層１を形成する」ことは、本願発明の「支持体の前面上に発光層を準備するステップ」に相当する。 ウ　引用発明にかかる「白色ＬＥＤ」は、「単一の発光層１は、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌｘＩｎｙＧａ１－x-ｙＮ：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の単一量子井戸構造からなり、３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃに区分され、各発光部１ａ，１ｂ，１ｃのＩｎモル比率は、発光部１ａ，１ｂ，１ｃを異なる波長で発光させ」るものであるところ、当該「単一の発光層１」は、「局所的に基板の温度を上昇させることにより、同一の成膜条件において、同一の発光層１内に３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃを複数の処理温度で区分して成膜」されるものであるから、「単一の発光層１」の「３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃに区分され」た「単一量子井戸構造」は、隣接していることは明らかである。よって、引用発明の「単一の発光層１」が「窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌｘＩｎｙＧａ１－x-ｙＮ：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の単一量子井戸構造からなり、３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃに区分され、各発光部１ａ，１ｂ，１ｃのＩｎモル比率は、発光部１ａ，１ｂ，１ｃを異なる波長で発光させ」るものであることは、本願発明の「前記発光層は、異なる波長を放射する少なくとも三つの隣接する量子井戸を含」むことに相当する。 エ　前記イのとおり、引用発明においては「基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」を積層したものの「ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」側上に、「有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により前記発光層１を形成する」から、「発光層１」が「基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」を積層したものに接触していることは明らかである。よって、引用発明の当該構成は、本願発明の「前記量子井戸は、前記支持体の前記前面と接触して」いることに相当する。 オ　引用発明においては、「同一の成膜条件において、前記３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃを成膜できる複数の処理温度を設定し、」「前記発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する一部又は全部に、加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させることにより、同一の成膜条件において、同一の発光層１内に３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃを複数の処理温度で区分して成膜でき、各発光部の組成が処理温度に依存した組成となる」ものであるから、「基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」を積層したものの「ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」側上に、「有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により前記発光層１を形成する」際に、「基板２上に、ＧａＮからなるバッファ層３、ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」を積層したものの「ｎ－ＧａＮからなるｎ型層４」側が複数の処理温度となることは明らかである。よって、引用発明の当該構成は、本願発明の「前記発光層を堆積させる前記ステップは、前記支持体の前記前面が異なる温度の少なくとも三つの領域を含むように、前記前面の反対側の前記支持体の背面の温度を局所的に変化させ」ることに相当する。 カ　引用発明の「白色ＬＥＤの製造方法」は、本願発明の「発光ダイオードを製造する方法」に相当する。 キ　一致点 したがって、引用発明と本願発明とは、次の点で一致する。 「発光ダイオードを製造する方法であって、前記方法は、支持体の前面上に発光層を準備するステップを含み、前記発光層は、異なる波長を放射する少なくとも三つの隣接する量子井戸を含み、前記量子井戸は、前記支持体の前記前面と接触しており、 前記発光層を堆積させる前記ステップは、前記支持体の前記前面が異なる温度の少なくとも三つの領域を含むようにする、 方法。」 ク　相違点 一方両者は、次の点で相違する。 《相違点》 本願発明は、「前記発光層を堆積させる前記ステップは、前記支持体の前記前面が異なる温度の少なくとも三つの領域を含むように、前記前面の反対側の前記支持体の背面の温度を局所的に変化させることにあり、前記支持体の局所的な温度変化は、前記支持体の異なる厚みの領域上で達成される」構成を備えるのに対して、引用発明は、「前記発光層を堆積させる前記ステップは、前記支持体の前記前面が異なる温度の少なくとも三つの領域を含むように」するものの、その際に「前記発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する一部又は全部に、加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させる」ものであって、本願発明の「前記支持体の前記前面が異なる温度の少なくとも三つの領域を含むように、前記前面の反対側の前記支持体の背面の温度を局所的に変化させることにあり、前記支持体の局所的な温度変化は、前記支持体の異なる厚みの領域上で達成される」とは特定されない点。 ５　判断 上記相違点について検討する。 ア　前記３（２）ウおよび同（３）ウのとおり、引用例２および引用例３には、同一デバイス内に発光波長が異なる発光層を単一成長工程で形成する際に、成長面内に温度分布を生じさせる製造方法であって、当該成長面内に温度分布を生じさせる手法として、加熱される基板裏面に厚さが異なるような溝ないし凹部を設け、熱伝導度を変えることが記載されている。 ここで、引用例２には、成長面内に温度分布を生じさせる手法の他の方法として、レーザ光を絞り込んで照射することも併記されていることから見て、成長面内に温度分布を生じさせる手法として、加熱される基板裏面に厚さが異なるような溝ないし凹部を設けることと、レーザ光を絞り込んで照射することは、置換可能な手段ということができる。 また、引用例３には、前記厚さが異なる部分を３段階以上設けることも記載されている。 イ　よって、引用発明において、「同一の成膜条件において、前記３つの発光部１ａ，１ｂ，１ｃを成膜できる複数の処理温度」実現するために、引用発明にかかる「加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させる」手法に代えて、前記引用例２及び引用例３に記載された、基板裏面に、厚さが異なるような溝ないし凹部を設ける手法を採用して、相違点にかかる「前記支持体の前記前面が異なる温度の少なくとも三つの領域を含むように、前記前面の反対側の前記支持体の背面の温度を局所的に変化させることにあり、前記支持体の局所的な温度変化は、前記支持体の異なる厚みの領域上で達成される」構成を備えるようにすることは、当業者が適宜になしえたことである。 ウ　ところで、引用例１には、前記３（１）アａ（特に段落【０００９】～【００１２】）に摘記したとおり、「特許文献４」ないし「特許文献６」に記載された技術における「製造工程が複雑になる問題点」を解決することを課題とする旨が記載されている。 エ　そして、当該「特許文献４」ないし「特許文献６」に記載された技術における「製造工程が複雑になる問題点」として、具体的には、以下のとおりの記載がある。 「特許文献４」に記載された技術については、「Ｒ，Ｇ，Ｂの各色のＬＥＤをエッチング除去して形成したホールに順次形成するので、エッチング工程と成膜工程を繰り返す必要があり、製造工程が複雑である」こと。 「特許文献５」に記載された技術については、「発光層が多層量子井戸構造の場合には、原理的には３色の発光が可能であるが、各層毎に原料ガス中のＨ２分圧を変化させてそれぞれ独立した条件で成膜するため、製造工程が複雑になる」こと。 「特許文献６」に記載された技術については、「互いにバンドギャップエネルギーの異なる複数の活性層の間に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共にドープされたキャリア発生層を形成するため、各層毎にそれぞれ独立した条件で成膜するため、製造工程が複雑になる」こと。 オ　上記エの、「特許文献４」ないし「特許文献６」に記載された各技術にかかる「製造工程が複雑になる問題点」を見ると、発光色（バンドギャップエネルギー）の異なる各発光層を異なる時点で個別に成膜するか、あるいは異なる条件で成膜するために異なる時点で成膜する必要のあることが、「製造工程が複雑になる」共通した要因とされていることがわかる。 カ　一方、引用例２および引用例３に記載された技術は、前記３（２）ウおよび同（３）ウのとおり、同一デバイス内に発光波長が異なる発光層を単一成長工程で形成する際に、成長面内に温度分布を生じさせる方法であるから、当該成長面内に温度分布を生じさせるために、加熱される基板裏面に厚さが異なるような溝ないし凹部を設ける工程が付随するものの、上記オの、発光色（バンドギャップエネルギー）の異なる各発光層を異なる時点で形成するという工程上の複雑さは解消されることは明らかである。 キ　したがって、前記イのとおり、引用発明において、「加熱用レーザ光を照射し、局所的に基板の温度を上昇させる」手法に代えて、前記引用例２及び引用例３に記載された、基板裏面に、厚さが異なるような溝ないし凹部を設ける手法を採用することによっても、前記ウの「製造工程が複雑になる問題点」を解決することが阻害されるとまではいえない。 ６　小括 よって、本願発明は、引用発明、並びに引用例２及び引用例３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 ７　むすび 以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。