2018-002185

特願２０１６－５４１７０２「静電チャック、チャンバ及び静電チャックの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月　９日国際公開、ＷＯ２０１５／１０１２５９、平成２９年　２月　２日国内公表、特表２０１７－５０４１９５、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２６年（２０１４年）１２月２９日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１３年１２月３１日（以下，「本願優先日」という。），中国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２９年　５月２６日付け　拒絶理由通知 平成２９年　８月２８日　　　意見書・手続補正 平成２９年１０月１８日付け　拒絶査定（以下，「原査定」という。） 平成３０年　２月１６日　　　審判請求・手続補正 平成３０年１１月　９日付け　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。） 平成３１年　２月　７日　　　意見書・手続補正（以下，「当審補正」という。） 第２　原査定の概要 原査定の概要は次のとおりである。 本願の請求項１ないし１５に係る発明は，以下の引用文献１ないし４に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ １．特開２０１３－１２０８３５号公報 ２．特開２０００－２８１０００号公報 ３．国際公開第２０１２／０５００７２号 ４．特開２０１３－４５９８９号公報 第３　当審拒絶理由の概要 当審拒絶理由の概要は次のとおりである。 本願の請求項１，５ないし１１及び１５に係る発明は，以下の引用文献１，Ａに記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ １．特開２０１３－１２０８３５号公報 Ａ．特開２０１０－０１６３６３号公報 第４　本願発明 本願の請求項１ないし１３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１３」という。）は，当審補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。 「【請求項１】 チャックベースと， チャックベースの上方に配置されたヒータと， 前記ヒータの上方に設置され，内部に静電引力を発生するための電極が設置されている絶縁層と，を備える静電チャックであって， 前記チャックベースと前記ヒータとの間に積層されて断熱層を構成する断熱層シート材をさらに含み， 前記断熱層シート材は，個別に予め製造された断熱層シート材であり， 前記断熱層シート材が複数層の断熱フィルムを含むことを特徴とする静電チャック。 【請求項２】 前記断熱フィルムの材料はポリイミドであり，前記複数層の断熱フィルムは真空ホットプレスを経て前記断熱層シート材を形成することを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。 【請求項３】 前記断熱フィルムの厚さが０．０４ｍｍ～０．０６ｍｍであり，前記断熱層シート材の厚さが０．３ｍｍ～０．６ｍｍであることを特徴とする請求項２に記載の静電チャック。 【請求項４】 前記断熱層シート材の上部表面が前記ヒータに接着され，前記断熱層シート材の下部表面が前記チャックベースに接着されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の静電チャック。 【請求項５】 前記絶縁層の材質がアルミナセラミックス又は窒化アルミニウムセラミックスであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の静電チャック。 【請求項６】 前記絶縁層内に，前記絶縁層温度を均一になるように，温調ガスを導入するために用いられるガス導入通路がさらに設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の静電チャック。 【請求項７】 前記絶縁層と前記ヒータとの間に積層される金属層をさらに含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の静電チャック。 【請求項８】 前記チャックベース内に，前記静電チャックを冷却するための冷却液体を導入するために用いられる冷却チャネルが設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の静電チャック。 【請求項９】 ベースを含むチャンバであって， 請求項１から８のいずれか１項に記載の前記ベースに設置された静電チャックを含むことを特徴とするチャンバ。 【請求項１０】 請求項１に記載の静電チャックの製造方法であって， 少なくとも， 断熱層シート材を製造して獲得する断熱層シート材の製造ステップと， 断熱層シート材を前記チャックベースと前記ヒータとの間に積層して断熱層を形成する断熱層シート材の装着ステップと， を含み， 前記断熱層シート材は，個別に予め製造された断熱層シート材であり， 前記断熱層シート材の製造ステップにおいて，まず複数層の断熱フィルムを獲得し，その後複数層の断熱フィルム全体を加工して断熱層シート材を形成することを特徴とする製造方法。 【請求項１１】 前記断熱層シート材の製造ステップにおいて，まず複数層の材料がポリイミドである断熱フィルムを製造し，その後真空ホットプレスプロセスを利用して複数層の断熱フィルムの全体を断熱層シート材に製造することを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。 【請求項１２】 前記断熱層シート材の製造ステップにおいて，まず厚さが０．０４ｍｍ～０．０６ｍｍである複数の断熱フィルムを製造し，その後真空ホットプレスプロセスを利用して複数層の断熱フィルムの全体を厚さが０．３ｍｍ～０．６ｍｍである断熱層シート材に製造することを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。 【請求項１３】 前記断熱層シート材の装着ステップにおいて，前記断熱層シート材の上部表面を前記ヒータに接着し，前記断熱層シート材の下部表面を前記チャックベースに接着して断熱層を形成することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の製造方法。」 第５　引用文献及び引用発明 １　引用文献１について （１）引用文献１ 当審拒絶理由及び原査定に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。） 「【技術分野】 【０００１】 本発明は，基体上に載置された吸着対象物を吸着する静電チャックを有する基板温調固定装置及びその製造方法に関する。」 「【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 しかしながら，フィルムヒータの場合，接着層の耐熱性の問題から，約１５０℃以上の高温で使用することが困難である。 【０００７】 本発明は，上記の点に鑑みてなされたものであり，ヒータを静電チャックの基体の裏面に直接形成し，ヒータを覆うように耐熱層を形成することにより，従来よりも高温で使用可能な基板温調固定装置及びその製造方法を提供することを課題とする。」 「【００１３】 〈第１の実施の形態〉 ［基板温調固定装置の構造］ まず，第１の実施の形態に係る基板温調固定装置の構造について説明する。図１は，第１の実施の形態に係る基板温調固定装置を簡略化して例示する断面図である。図１を参照するに，基板温調固定装置１０は，静電チャック２０と，接着層３１と，断熱層３２と，ベースプレート４０とを有する。 【００１４】 静電チャック２０は，基体２１と，電極２２と，発熱体２３と，耐熱層２４とを有するクーロン力型静電チャックであり，吸着対象物を吸着保持する機能を有する。静電チャック２０は，接着層３１及び断熱層３２を介して，ベースプレート４０上に固定されている。 【００１５】 基体２１は，基板温調固定装置１０の吸着対象物である半導体ウェハ（シリコンウエハ等）等の基板（図示せず）が載置される載置面を有する部材である。基体２１は誘電体であり，例えば，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ等のセラミックスを用いることができる。基体２１の厚さは，例えば，１～２０ｍｍ程度とすることができる。基体２１の外径は，例えば，６インチ，８インチ，１２インチ，１８インチ等とすることができる。 【００１６】 基体２１の比誘電率（１ＫＨｚ）は，例えば，９～１０程度，基体２１の体積抵抗率は，例えば，１０１２～１０１８Ωｍ程度とすることができる。基体２１の載置面は，エンボスタイプの表面形状を有してもよい。基体２１の載置面をエンボスタイプの表面形状とすることにより，吸着対象物である基板（図示せず）の裏面側に付着するパーティクルを低減できる。 【００１７】 電極２２は，薄膜電極であり，基体２１に内蔵されている。電極２２は，給電部（図示せず）を介して，基板温調固定装置１０の外部に設けられた直流電源（図示せず）に接続される。電極２２に給電部（図示せず）を介して直流電源（図示せず）から所定の電圧が印加されると，吸着対象物である基板（図示せず）との間にクーロン力が発生し，吸着対象物である基板（図示せず）を基体２１の載置面に吸着保持する。吸着保持力は，電極２２に印加される電圧が高いほど強くなる。電極２２は，単極形状でも，双極形状でも構わない。電極２２の材料としては，例えば，タングステン，モリブデン等を用いることができる。 【００１８】 発熱体２３は，基体２１の裏面（載置面の反対面）に所定のパターンで直接形成されている。発熱体２３は，基板温調固定装置１０の外部から電圧を印加されることで発熱し，基体２１の載置面が所定の温度となるように加熱する。発熱体２３は，例えば，基体２１の載置面の温度を２５０℃～３００℃程度まで加熱することができる。 【００１９】 発熱体２３の材料としては，例えば，銅（Ｃｕ）やタングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。発熱体２３の厚さは，例えば，５～３０μｍ程度とすることができる。なお，発熱体２３を基体２１の裏面に直接形成することの効果については，後述する。 【００２０】 耐熱層２４は，発熱体２３を覆うように，基体２１の裏面に形成されている絶縁層である。耐熱層２４の材料としては，耐熱性（例えば，３００℃以上）及び絶縁性に優れた材料を選定することが好ましく，例えば，ポリイミド等の絶縁性樹脂，低融点ガラス，アルミナ，シリカ等の無機系材料をベースにした無機接着材等を用いることができる。耐熱層２４の熱膨張率は，基体２１の熱膨張率と同程度であることが好ましい。耐熱層２４の厚 さは，例えば，３０～２００μｍ程度とすることができる。 【００２１】 このように，耐熱層２４に耐熱温度の高い材料（発熱体２３の最高温度に耐える材料）を選定することにより，耐熱層２４が発熱体２３の最高温度に耐えることが可能になると共に，発熱体２３の温度が接着層３１及び断熱層３２に伝わり難くなる。そのため，接着層３１及び断熱層３２の材料選定の自由度を向上することが可能となり，例えば，接着層３１及び断熱層３２には耐熱温度の低い材料（例えば，１５０℃程度）を選定することができる。 【００２２】 接着層３１は，静電チャック２０をベースプレート４０上に固定するために設けられている。接着層３１は，静電チャック２０の基体２１とベースプレート４０との熱膨張率差に起因して生じる応力を緩和することができる。接着層３１の材料としては，柔軟性に優れた材料を選定することが好ましく，例えば，シリコーン等の絶縁性樹脂を用いることができる。接着層３１はフィラーを含有してもよいが，フィラーの含有量が少ない方が柔軟性を向上しやすい。接着層３１の厚さは，例えば，５０～５００μｍ程度とすることができる。 【００２３】 断熱層３２は，発熱体２３の発した熱がベースプレート４０側に逃げることを防止するために設けられている。断熱層３２の材料としては，例えば，フィラーを含有したシリコーン等の絶縁性樹脂を用いることができる。断熱層３２において，フィラーの含有量を増やすことにより，断熱性を向上することができる。断熱層３２の厚さは，所定の断熱性を有する程度に厚くすることが好ましく，例えば，５００～２０００μｍ程度とすることができる。なお，接着層３１と断熱層３２とに，同一の絶縁性樹脂を用いる必要はない。 【００２４】 ベースプレート４０は，静電チャック２０を支持するための部材である。ベースプレート４０の材料としては，例えば，アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。ベースプレート４０がＡｌである場合には，その表面にアルマイト層（硬質の絶縁層）を形成しても構わない。ベースプレート４０には，水路（図示せず）が設けられており，基体２１の温度制御を行う。 【００２５】 水路（図示せず）は，基板温調固定装置１０の外部に設けられた冷却水制御装置（図示せず）に接続されている。冷却水制御装置（図示せず）は，冷却水を水路（図示せず）に循環させる。冷却水を循環させベースプレート４０を冷却することで，接着層３１及び断熱層３２を介して基体２１を冷却できる。 【００２６】 基体２１やベースプレート４０の内部に，ガス流路（図示せず）を設けてもよい。基板温調固定装置１０の外部に設けられたガス圧力制御装置（図示せず）からガス流路（図示せず）に不活性ガス（例えば，ＨｅやＡｒ等）を注入して，基体２１の載置面と基板（図示せず）との間に形成された空間に充填する。充填された不活性ガスは，基体２１と基板（図示せず）との間の熱伝導性を向上させ，基板（図示せず）の温度の均一化を図ることができる。 【００２７】 ［基板温調固定装置の製造方法］ 次に，第１の実施の形態に係る基板温調固定装置の製造方法について説明する。図２～図５は，第１の実施の形態に係る基板温調固定装置の製造工程を例示する図である。なお，図３及び図４は，便宜上，図１とは上下が反転した状態で描かれている。 （中略） 【００３５】 次に，図５に示す工程では，図２に示す構造体の断熱層３２上に接着層３１を形成し，接着層３１を硬化させる前に，接着層３１上に静電チャック２０を搭載する。その後，必要に応じて静電チャック２０をベースプレート４０側に押圧しつつ，接着層３１を硬化温度以上に加熱して硬化させる。これにより，図１に示す基板温調固定装置１０が完成する。 【００３６】 接着層３１を形成するには，図２に示す工程と同様に，フィルム状の材料をラミネートしてもよいし，液状又はペースト状の材料を塗布してもよい。接着層３１の材料としては，例えば，シリコーン等の絶縁性樹脂を用いることができる。接着層３１の厚さは，例えば，５０～５００μｍ程度とすることができる。なお，接着層３１は，硬化後にも柔軟性を有している。」 「【００４９】 〈第３の実施の形態〉 第３の実施の形態では，第１の実施の形態とは接着層の構造が異なる基板温調固定装置の他の例を示す。なお，第３の実施の形態において，既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。 【００５０】 図８は，第３の実施の形態に係る基板温調固定装置を簡略化して例示する断面図である。図８を参照するに，基板温調固定装置１０Ｂは，接着層３１と断熱層３２が接着層３３に置換された点が基板温調固定装置１０（図１参照）と相違する。 【００５１】 接着層３３は，１つの層のみから構成されている。前述のように，接着層３１と断熱層３２とに同一の絶縁性樹脂を用いる必要はないが，接着層３１と断熱層３２とにフィラーの含有量の異なる同一の絶縁性樹脂を用いることもできる。 【００５２】 そこで，基板温調固定装置の接着層に要求される柔軟性及び断熱性の仕様によっては，フィラーの含有量を調整した１つの層のみから構成された接着層を用いることができる。例えば，接着層３３としては，所定量のフィラーを含有するシリコーン樹脂等を用いることができる。 【００５３】 このように，要求仕様によっては，第１の実施の形態の接着層と断熱層の両方の機能を適度に備えた１層のみから構成された接着層を用いてもよく，この場合にも第１の実施の形態と同様の効果を奏する。」 （２）引用発明 前記（１）より，引用文献１には「第３の実施の形態」として，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「ベースプレートと， ベースプレートの上方に配置された発熱体を覆う耐熱層と， 耐熱層の上方に配置され，電極を内蔵する基体と， 基体と耐熱層との間に積層された接着層をさらに含み， 接着層は，１つの層のみから構成され， 接着層を形成するには，フィルム状の材料をラミネートする， 基板温調固定装置。」 ２　引用文献Ａの記載 当審拒絶理由に引用された引用文献Ａには，図面とともに次の事項が記載されている。 「【００３６】 ［実施例１］ 第１実施形態のウエハ載置装置２０に相当する一具体例を以下の手順により作製した。まず，静電チャック２２を次のようにして作製した。すなわち，窒化アルミニウム粉末を径３８０ｍｍ，厚さ５ｍｍに一軸成形し，その上にモリブデン製メッシュ（径２９２ｍｍ）からなる内部電極２８を設置し，さらにその上から窒化アルミニウム粉末を載せて成形し，全厚２５ｍｍの成形体を得た。これを一軸ホットプレス焼成炉内に黒鉛冶具とともに設置し，窒素雰囲気中，１８５０℃で１トンの圧力をかけて２時間焼成し，内部電極２８を埋設した焼結体を得た。この焼結体を研削加工することにより静電チャック２２を得た。なお，研削加工時に，内部電極２８からウエハ載置面２４までの厚みが１ｍｍ，ウエハ載置面２４の直径が２９８ｍｍ，段差部２６からウエハ載置面２４までの高さが４ｍｍ，段差部２６を含む焼結体の直径が３７６ｍｍ，底面から段差部２６までの高さが４ｍｍ，焼結体の全厚が８ｍｍとなるようにした。この静電チャック２２のウエハ載置面２４とは反対側の面から内部電極２８に達する孔を穿孔し，その孔に内部電極２８と接続する導電部材をロウ付けにより接合した。なお，図１～図７にはこうした導電部材の図示を省略した。 【００３７】 冷却板４０は，アルミニウム合金製で全厚が２０ｍｍ，フランジ部４４の厚みが１２ｍｍ，冷却板本体４２の直径（静電チャック２２との接合面の直径）が３７６ｍｍ，フランジ部４４を含めた直径が４１６ｍｍで，ＰＣＤ（ピッチ・サークル・ダイアミタ）が３７０ｍｍの位置に等間隔で１２個の直径２ｍｍの貫通孔（冷却用ガス通路５０の第１通路５１）を有し，冷媒通路４６が内蔵されたものを用いた。また，保護リング３０は，シリコン金属製で外径が３８５ｍｍ，リング本体３２の内径及び厚みがそれぞれ２９９ｍｍ及び５ｍｍ，スカート部３４の内径及び高さが３７７ｍｍ及び１２ｍｍのものを用いた。なお，図１及び図２の保護リング３０には切欠溝３２ａが形成されているが，実施例１では切欠溝３２ａの外径は３０１ｍｍで深さ１．２ｍｍとした。接着シート４７は，シリコーン樹脂製で，外径が３６４ｍｍ，厚みが０．７８ｍｍのものを用いた。 【００３８】 そして，冷却板４０と静電チャック２２とを接着シート４７を用いて接合した。接合時，３者が同軸上に並ぶようにした。これにより，静電チャック２２の外周縁（径３７６ｍｍの円）から内側へ６ｍｍの幅でリング状の外周領域４８（＝第２通路５２）が形成された。この外周領域４８には，冷却板４０のＰＣＤ３７０ｍｍ上に等間隔に設けられた１２個の貫通孔（＝第１通路５１）から冷却用ガスが導入される。最後に，静電チャック２２の段差部２６に保護リング３０のリング本体３２の裏面を載置し，実施例１のウエハ載置装置を得た。」 ３　引用文献２の記載 原査定に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【０００３】 【従来の技術】人工衛星または宇宙探査機などのスペースクラフトは，飛行中に，アルベド，地球からの赤外線束，太陽線束などの外部熱線束にさらされる。 【０００４】これらの外部熱線束からスペースクラフトに搭載された装備を保護するために，スペースクラフト構造の外面の大部分を断熱材で被覆するのが普通である。通常「超断熱材（ｓｕｐｅｒ　ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）」と称されているこの材料は，一般に，カプトン（Ｋａｐｔｏｎ）（商標）等の断熱プラスチック材シートの積層として構成される。」「【００２７】 【発明の実施の形態】図１は，衛星などのスペースクラフト１１の外部構造をなすパネル１０の一部を示している。パネル１０は通常，その各面が外皮１０ｂ，１０ｃで被覆されたハニカム構造のコア１０ａ（図２）を含むサンドイッチパネル形をしている。変形実施形態では，ハニカム構造のコア１０ａをセルラーフォームコアに代えることができる。パネル１０の外皮１０ｂ，１０ｃとコア１０ａは，たとえばアルミニウム製である。 【００２８】操作時に熱を発散可能な設備１２は，パネル１０の内面１４に固定される。パネル１０に設備１２を固定するために使用される手段は，当業者にとって周知であり，本発明の一部をなさない。簡略化するため，この手段は図示しない。 【００２９】図１および図２で概略的に示したように，パネル１０は，その外面１８の大部分が，「超断熱材」と一般に称される断熱材１６で被覆されている。既に述べたように，超断熱材１６は，カプトン（商標）等の断熱プラスチック材からなる多数のシートまたはフィルムを積み重ねて構成される。パネル１０の外面１８に超断熱材１６を固定するために用いられる手段は，当業者にとって周知であり，本発明の一部をなさない。従って，理解を容易にするために，この手段は図示しない。」 ４　引用文献３の記載 原査定に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。 「技術分野 [0001]　本願の第一の発明は，無機物からなる基板とポリイミドフィルムから構成されてなる積層体の製造などに使用されるポリイミドフィルムとその製造方法であり，更に詳しくは，半導体素子，ＭＥＭＳ素子，ディスプレイ素子など薄膜からなり，微細な加工が必要となるデバイスを，ポリイミドフィルム表面に形成するにあたり，一時的ないし半永久的に，ポリイミドフィルムを支持体となる無機物からなる基板に貼り合わせた積層体などを得るためのポリイミドフィルムとその製造方法である。 好ましくは，線膨張係数が低めの特定範囲にある，耐熱性と絶縁性に優れた薄いポリイミドなどのフィルムと，それとほぼ同程度の線膨張係数を有するガラス板，セラミック板，シリコンウエハ，金属から選ばれた一種の無機物からなる基板とが積層された寸法安定性と耐熱性と絶縁性に優れた積層体およびこれを利用した，半導体素子が形成された半導体付加積層体などを得るためのポリイミドフィルムとその製造方法に関するものである。 より好ましくは，無機化合物又は有機化合物からなる微粒子などの滑材の含有量を表裏で異なるように規制した，滑り性のある易滑性でかつ一方の面が極めて平滑な多層ポリイミドフィルムを使用して製造された特殊ポリイミドフィルムに関し，銅張積層基板，回路基板などに有効に使用できる多層ポリイミドフィルムに関するものである。」 「[0033]　本発明におけるポリイミドフィルムを無機層に重ね合わせて，接合して積層する際に好ましく使用される加圧加熱処理とはプレス，ラミネート，ロールラミネートを指し，それぞれ温度を加えながら行なうもので，望ましくは真空中でこれらの操作を行なうものである。真空中でのプレス例えば井元製作所製11ＦＤでのプレス，真空にしてロール式のフィルムラミネーターあるいは真空にした後に薄いゴム膜によりガラス全面に一度に圧力を加えることに出来るフィルムラミネーター例えば名機製作所ＭＶＬＰによる真空ラミネートといった方式が使える。」 ５　引用文献４の記載 原査定に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【００６４】 （第４の実施の形態） 前述した第１～第３実施形態では，ウェハを冷却するタイプの静電チャックについて説明しており，その場合は伝熱用ガスが冷却用ガスとして機能する。図８に示すように，ベースプレート２０の内部に，冷却水路２２の代わりに加熱機構としてヒータ電極２４を設けることにより，ウェハを加熱するタイプの静電チャック１ｃとしてもよい。」 第６　対比及び判断 １　本願発明１について （１）本願発明１と引用発明との対比 ア　引用発明の「ベースプレート」は，本願発明の「チャックベース」に相当する。 イ　引用発明の「発熱体を覆う耐熱層」は，「発熱体」と相まって「静電チャック」を構成するもの（前記第５の１（１）【００１４】）であり「発熱体」を覆って「層」とするものであるから，本願発明の「ヒータ」に相当する。 ウ　引用発明の「電極を内蔵する基体」は，「誘電体であり」（同【００１５】），その「電極」は「クーロン力が発生」するもの（同【００１７】）であるから，本願発明の「内部に静電引力を発生するための電極が設置されている絶縁層」に相当する。 エ　引用発明の「基体と耐熱層との間に積層された接着層」は「フィルム状の材料をラミネート」して形成され，「断熱層」の機能を備える（同【００５３】）から，本願発明の「前記チャックベースと前記ヒータとの間に積層されて断熱層を構成する断熱層シート材」に相当する。 オ　引用発明の「基板温調固定装置」は，本願発明の「静電チャック」に相当する。 カ　すると，本願発明と引用発明とは，下記キの点で一致し，下記クの点で相違する。 キ　一致点 「チャックベースと， チャックベースの上方に配置されたヒータと， 前記ヒータの上方に設置され，内部に静電引力を発生するための電極が設置されている絶縁層と，を備える静電チャックであって， 前記チャックベースと前記ヒータとの間に積層されて断熱層を構成する断熱層シート材をさらに含む， ことを特徴とする静電チャック。」 ク　相違点 （ア）相違点１ 本願発明では「前記断熱層シート材は，個別に予め製造された断熱層シート材であ」るのに対し，引用発明ではこの旨の明示がない点。 （イ）相違点２ 本願発明では「前記断熱層シート材が複数層の断熱フィルムを含む」のに対し，引用発明では「接着層は，１つの層のみから構成され」る点。 （２）判断 相違点２について検討すると，引用発明では「接着層は，１つの層のみから構成される」ところ，これを「複数層の断熱フィルムを含む」ものとすることは，以下の理由で，動機づけを欠く。 引用発明の「接着層」は「接着層と断熱層の両方の機能を適度に備え」（前記第５の１（１）【００５３】），「断熱層の厚さは，所定の断熱性を有する程度に厚くする」（同【００２３】）ものであり，「冷却水を循環させベースプレートを冷却することで，断熱層を介して基体を冷却」する（同【００２５】）ものであって，断熱性が高すぎると断熱層を介して基体を冷却することができなくなるから，適度の断熱性を有するものである。 引用発明の「接着層」を「複数層の断熱フィルムを含む」ものとすると，前記の点に鑑みて，断熱性が高くなりすぎるから，そのようにすることは，動機づけられないというべきである。 なお，引用文献２（前記第５の３）には「多数のシート又はフィルムを積み重ねて構成される」「超断熱材」が開示されているが，これは「スペースクラフト構造の外面を被覆する」ものであり，過酷な宇宙空間で用いられ超断熱性が要求されるものであるから，前記の点に鑑みて，引用発明に採用する動機づけに欠けるというべきである。 また，引用文献３（前記第５の４）には「線膨張係数が低めの特定範囲にある，耐熱性と絶縁性に優れた薄いポリイミドなどのフィルム」である「多層ポリイミドフィルム」が開示されているが，この「多層ポリイミドフィルム」が適度の断熱性を有するかどうかは不明であり，やはり，引用発明に採用する動機づけに欠ける。 その他，引用文献１，Ａ，４には，「接着層は，１つの層のみから構成される」ところ，これを「複数層の断熱フィルムを含む」ものとすることに関して，記載も示唆もない。 （３）まとめ よって，相違点１について検討するまでもなく，本願発明１は，引用文献１，Ａ，２ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 ２　本願発明２ないし１３について 本願発明２ないし１３は，本願発明１を直接又は間接に引用するものであり，本願発明１の発明特定事項をすべて備え，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記１と同様の理由により，引用文献１，Ａ，２ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。 第７　原査定についての判断 前記第６のとおり，本願発明１ないし１３は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。したがって，原査定を維持することはできない。 第８　むすび 以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。