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特許拒絶査定不服審判

2018-000385

シリコン含有薄膜の製造方法

審判番号
2018-000385
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2015-540617外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2018年01月12日
審決日
2019年03月27日
公報発行日
2019年05月31日
結論
原査定取消(特許/登録すべき)
審判長/審判官
分類
P18 .537-WYF(C23C) / P18 .121-WYF(C23C) / P18 .536-WYF(C23C)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2015-540617「シリコン含有薄膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成26年 5月15日国際公開、WO2014/073892、平成28年 1月14日国内公表、特表2016-500762、請求項の数(6)〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理由

【理 由】 本願は、2013年(平成25年)11月 7日(パリ条約による優先権主張外国庁受理 2012年11月 7日 (KR)大韓民国 2013年 3月28日 (KR)大韓民国 2013年 6月27日 (KR)大韓民国 2013年11月 7日 (KR)大韓民国)を国際出願日とする出願であって、その請求項1~6に係る発明は、平成31年 2月 5日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1~6に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審から通知された拒絶理由のいずれを検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

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2018-000385

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