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特願２０１３－２５７０４１「パッシベーション層付半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月２９日出願公開、特開２０１４－　９９６２２、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１３年７月１２日（優先権主張２０１２年７月１２日、日本国）を国際出願日として出願した特願２０１３－５５４７３３号（以下「原出願」という。）の一部を平成２５年１２月１２日に新たな特許出願としたものであって、平成２９年２月１６日付けで拒絶理由通知が通知され、同年４月２４日に意見書が提出され、同年９月２８日付け（同年１０月３日送達）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判が請求された。 その後、当審において、平成３０年９月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月３日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。 第２　原査定の概要 原査定（平成２９年９月２８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 Ａ．（進歩性）この出願の請求項１～９に係る発明は、その原出願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された、以下の引用文献Ａ～Ｅに記載された発明に基いて、その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ Ａ．特開２０１１－２１６８４５号公報 Ｂ．国際公開第２００７／０４６４３２号 Ｃ．特開昭５５－０６８６３７号公報 Ｄ．特開昭５１－０３３５６７号公報 Ｅ．国際公開第２００８／１４９７４８号 第３　当審拒絶理由の概要 当審において平成３０年９月２５日付けで通知した拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。 ●理由１（新規性） 本件出願の請求項５に係る発明は、その原出願の優先日前に日本国内または外国において頒布された以下の引用文献１、２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ●理由２（進歩性） 本件出願の請求項１～９に係る発明は、その原出願の優先日前に日本国内または外国において頒布された以下の引用文献１～４に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ●理由３（明確性） 本件出願は、請求項５、７及び請求項７を引用する請求項９に係る発明は明確でない点で、特許請求の範囲の記載が不備のため特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 ●理由４（先願） 本件出願の請求項４～９に係る発明は、同日出願された以下の同日出願１に係る発明と同一と認められ、かつ、以下の同日出願１に係る発明は特許されており協議を行うことができないから、特許法第３９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．引用文献１：特開昭５５－６８６３７号公報（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献Ｃ） ２．引用文献２：特開昭５１－３３５６７号公報（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献Ｄ） ３．引用文献３：特許第４７６７１１０号公報 ４．引用文献４：国際公開第２００８／１４９７４８号（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献Ｅ） ５．同日出願１：特願２０１３－５５４７３３号（特許第５５２２３２８号公報） 第４　本願発明 本願の請求項１～８に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」～「本願発明８」という。）は、平成３０年１２月３日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１～８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１及び５に係る発明は、その請求項１及び５に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 半導体基板上の一部に、下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と、下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物と、を含むパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法。 【化１】 ［一般式（Ｉ）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基を表す。ｎは０～３の整数を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１～８のアルキル基を表す。］ 【化２】 」 「【請求項５】 ｐ型層及びｎ型層が接合されてなるｐｎ接合を有し、前記ｐ型層及び前記ｎ型層からなる群より選択される１以上の層上に電極を有する半導体基板の、前記電極を有する面の一部に、下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と、下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物と、を含むパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、 を有する太陽電池素子の製造方法。 【化３】 ［一般式（Ｉ）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基を表す。ｎは０～３の整数を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１～８のアルキル基を表す。］ 【化４】 」 なお、本願発明２～４は、本願発明１を減縮した発明であり、本願発明６～８は、本願発明５を減縮した発明である。 第５　引用文献、引用発明等 １　引用文献１について （１）引用文献１の記載 当審拒絶理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。 ア　「特許請求の範囲 １．半導体基板表面に直接又は酸化硅素を主体とする保護膜を介して有機アルミニウム化合物の溶液を付着し、それを熱酸化又は熱分解することによってアルミニウム酸化物膜を半導体表面に形成することを特徴とする半導体装置の製法。 ２．上記半導体基板はその表面に終端するＰＮ接合を有し、該ＰＮ接合端部を覆うように上記有機アルミニウム化合物の溶液を付着することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製法。」（第１ページ左下欄第３～１３行） イ「本発明による表面安定化技術の特徴とするところは、半導体表面に有機アルミニウム化合物溶液を塗布し、その后熱酸化又は熱分解することにより、マイナスの電荷をもつ単分子層のＡｌ２Ｏ３層をウエハ表面に形成するところにある。ここで、上記有機アルミニウム化合物としては、種々のアルミニウムキレート、例えばアルミニウム－モノエチルアセトアセテートやアルミニウムアルコキシド、例えばアルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムイソブトキシド等を用いることができる。またこれら化合物の塗布に当ってはそれらを揮発性の溶剤で適宜の濃度および粘度とし、回転塗布機を用いてＳｉ基板表面に薄く、均一に塗布してやることが好適である。」（第２ページ左上欄第１４行～右上欄第７行） ウ　「第１図(a)乃至(e)は本発明の一実施例を示す工程図である。 第１図(a)は通常の工程により形成されたＮＰＮトランジスタの要部断面図を示したもので、比抵抗約２０Ω－cmのＮ型Ｓｉ基板ｌ上に選択拡散法によりＰ型ベース領域２およびＮ＋　型エミッタ領域３が形成されている。…（略）…マスクに使用されたＳｉＯ２　膜５にはホトエッチングによりベース２およびエミッタ３の一部を露出せしめるようにコンタクト用開孔が形成されている。 次に、第１図(a)の基板上に電子ビーム蒸着法等でＡｌ膜を８～４μｍの厚さで形成し、ホトエッチングを施して第１図(b)に示すようにベース２およびエミッタ３上にそれぞれ電極６Ｂ及び６Ｅを取付ける。 次に第１図(c)に示すようにコレクタ－ベース間接合上のＳｉＯ２　膜５をホトエッチングにより選択的に除去し、接合表面を露呈せしめる。 次いで第１図(d)に示す工程では、前述の有機アルミニウム化合物のワニス状溶液（例えばアルミニウムモノエチルアセトアセテートの１％トルエン溶液）を上記露呈された接合部に回転塗布機等を用いて均一に薄く塗布し、乾燥する。そして、上記塗膜形成後基板を空気中で８００℃、１時間程度ベークすると、有機アルミニウム化合物は酸化され、上記接合部上に実質的に単分子膜程度の極めて薄いＡｌ２Ｏ３膜７を形成せしめることができる。 さらに必要に応じて第１図(e)の工程では、例えばポリイミド・イソインドロ・キナゾリンディオン溶液を上記基板上に回転塗布…（略）…膜８を形成せしめ、２２０℃程度でベークして溶媒をとばし、硬化後ホトエッチングによりコレクタ－ベース接合部上の膜８を残して他を除去し、最終パッシベーションを完了する。」（第２ページ右上欄第１０行～右下欄第１３行） エ　「ここで、本発明の実施にあたって、予めＳｉＯ２　膜その他によるパッシベーション膜を形成した上に上述のＡｌ２Ｏ３膜を形成したり、前記実施例のポリイミド・イソインドロ・キナゾリンディオン膜形成の代りにＣＶＤによるＳｉＯ２　膜あるいはプラズマ気相反応法によるシリコンナイトライド膜を上述のＡｌ２Ｏ３膜上に設けてパッシベーションを行なうことなどによっても前記実施例と同様の効果を得ることができる。さらに、前記実施例におけるＡｌ２Ｏ３膜形成工程とＡｌ電極形成工程との前後を逆にすることなど、工程上のさまざまな変更も可能である。 以上述べた如く、本発明によれば、基板表面に対して負電荷を作用させることが工程的に極めて容易であり、かつＳｉＯ２　パッシベーション膜を用いた時においても、ＳｉＯ２　膜の正電荷チャージを中和せしめることができ、表面特性の安定化に極めて大きな効果を得ることができる。」（第３ページ左上欄第２～１９行） （２）引用発明１に記載された発明 したがって、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「半導体基板表面に直接又は酸化硅素を主体とする保護膜を介して有機アルミニウム化合物の溶液を付着し、それを熱酸化又は熱分解することによってアルミニウム酸化物膜（Ａｌ２Ｏ３膜）を半導体表面に形成する半導体装置の製法であって、 半導体表面に有機アルミニウム化合物溶液を塗布し、その后熱酸化又は熱分解することにより、マイナスの電荷をもつ単分子層のＡｌ２Ｏ３層をウエハ表面に形成するものであり、 上記有機アルミニウム化合物としては、例えばアルミニウムイソプロポキシドを用いることができ、 選択拡散法によりＰ型ベース領域２およびＮ＋　型エミッタ領域３が形成されているＮ型Ｓｉ基板ｌのベース２およびエミッタ３上にそれぞれ電極６Ｂ及び６Ｅを取付け、 コレクタ－ベース間接合表面を露呈せしめ、 前述の有機アルミニウム化合物のワニス状溶液（例えばアルミニウムモノエチルアセトアセテートの１％トルエン溶液）を上記露呈された接合部に回転塗布機等を用いて均一に薄く塗布し、乾燥し、上記塗膜形成後基板をベークして、Ａｌ２Ｏ３膜７を形成する工程を有する、半導体装置の製法。」 ２　引用文献２について （１）引用文献２の記載 ア　「特許請求の範囲 半導体基体もしくは半導体装置表面の上部に酸化アルミニウム膜を有する半導体素子もしくは半導体装置を製造する製造方法において、有機アルミニウムキレート化合物をふくむ溶液を塗布する工程と、加熱する工程とにより酸化アルミニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第１ページ左下欄第４～１１行） イ　「発明の詳細な説明 本発明は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、アルミナ）膜の製造方法に関する。特に半導体もしくは半導体装置表面上に酸化アルミニウム膜を形成する方法に関する。 …（略）… 上記の目的を達成するために、本発明では、比較的低温で熱分解するアルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解し、これを半導体表面に塗布し、しかるのち熱処理を加えてアルミニウムキレート化合物を熱分解することにより酸化アルミニウム膜を得た。熱分解温度は少なくとも３００℃以上であればよいため、化学気相成長法ならびに直接酸化法にくらべてきわめて簡便であり、作業性にも優れている。また、本発明によって形成した酸化アルミニウムは、ピンホールがほとんどない、均一な膜が形成できるため、陽極酸化法で得られる酸化アルミニウムにくらべて絶縁性に優れている。さらに、塗布して低温加熱するだけの工程であるため、グロー放電あるいは反応性スパッタなどの方法でみられる半導体素子特性の劣化という問題は全く発生しないという長所を有している。 酸化アルミニウムの被膜を形成し得るアルミニウムキレート化合物は、次の化学構造 …（化学構造Ａ略）… もしくは、 …（化学構造Ｂ略）… もしくは、 …（化学構造Ｃ略）… を有するものが供される。ここに、…（略）… 上記のアルミニウムキレート化合物は、空気中の湿度に対して比較的安定であって、下記の溶媒 ｎ－ヘキサン シクロヘキサン ベンゼン トルエン キシレン イソプロピルアルコール ｎ－ブチルアルコール トリクロルエチレン 四塩化炭素 に溶解する。 …（略）… これに対してアルミニウムキレート化合物は、溶媒に対する溶解性にすぐれ、また塗布した場合の成膜性にもすぐれている。本発明の目的に供し得るアルミニウムキレート化合物の具体例を示すと、例えば、 アルミニウムモノメチルアセトアセテートジイソプロピラート アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピラート …（略）… アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート） …（略）… などがあげられる。なお上記の化合物は、キレート配位子が２配位及び１配位の場合、他の結合基をイソプロピラートを例に上げて示したが、次の結合基に置きかえた化合物でも勿論有効である。 …（略）… これらのアルミニウムキレート化合物の加熱減量特性を調べたところ、３００℃３０分の加熱によって減量はほぼ飽和に達することがわかった。したがって、３００℃、３０分の熱処理によって、アルミニウムキレート化合物は、Ａｌ２Ｏ３に変化したと考えられる。」（第１ページ左下欄第１２行～第３ページ右下欄第１５行） ウ　「実施例１ 第１図によって説明する。第１図はシリコン半導体基板１１の表面に形成された二酸化シリコン膜１２の上に、半導体基板１１の表面内に形成されている半導体素子（第１図には示していない）と電気的に接続しかつ二酸化シリコン膜１２上に延在するアルミニウム導体層１３が形成されている半導体装置の一部の断面を示す図である。この半導体装置表面上にアルミニウムキレート化合物を含む溶液を塗布し、加熱処理してＡｌ２Ｏ３膜１４を形成した。本実施例で用いたアルミキレート化合物と、Ａｌ２Ｏ３膜１４の膜厚は次のとうりである。 本実施例では先に例示したアルミニウム・キレート化合物のうち、有用な化合物を選んだ。 アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピラート、　膜厚１８００Å アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）膜厚１５００Å アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）膜厚１５５０Å アルミニウムトリス（マロン酸エチラート）膜厚１４３０Å 本実施例では、アルミニウムキレート化合物の塗布膜に対する加熱処理を３５０℃３０分で行なった。アルミニウム導体層１３は、５５０℃以上の温度に対しては不安定であるので、本実施例での加熱処理のために好適な温度範囲は３００℃～５５０℃が推奨される。 …（略）… 実施例５ 第５図によって説明する。第５図は、半導体基板５１の中に、基板５１とは反対の導電性を有する半導性領域５２があり、その表面をＡｌ２Ｏ３膜５３によって被覆した構造の半導体素子の断面図を示している。Ａｌ２Ｏ３膜５３は、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレートを用い、熱処理を３５０℃３０分行なって厚さ２４００Åに形成した（８００Åづつ３回形成した）。これによって得られる表面安定化の効果は、化学気相成長法で形成したＡｌ２Ｏ３膜によって得られる効果と全く同様であった。 したがって、本発明は、化学気相成長法で必要な高価な装置や原料を全く用いず、安価に、容易に表面安定化膜としてのＡｌ２Ｏ３が形成できるという利点がある。 実施例６ 第６図によって説明する。第６図は、半導体基板６１の上に、基板６１とは反対の導電性を有する半導性領域６２と、半導性領域６２の中にあって、半導性領域６２とは反対の導電性を有する半導性領域６３とからなる半導体素子であって、半導体基板６１と半導性領域６２との間に存在するｐ－ｎジャンクションが、半導体基板の側面にいわゆるメサエッチによって露出されており、かつこの半導体素子表面をＡｌ２Ｏ３膜６４で被覆保護したような半導体素子の一断面図である。したがって本実施例はＡｌ２Ｏ３膜６４をジャンクション保護被覆として用いた場合の例である。このようにメサエッチによって露出したジャンクションを、化学気相成長去によるＡｌ２Ｏ３で保護しようとすると、ジャンクション面はほゞ垂直に近い面であるために、Ａｌ２Ｏ３膜の堆積は困難であって、完全な保護効果を期待することはできない。これに対して、本実施例では、溶液の塗布によって被膜を形成するため、垂直に近い面に対しても十分に被膜を形成させることができる。 Ａｌ２Ｏ３膜はアルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレートを用い、熱処理を３００℃、３０分行なって、厚さ２４００Åを形成した。これによって得られる表面安定効果は、十分満足できるものであった。」（第４ページ右上欄第９行～第７ページ右上欄第１０行） （２）引用文献２に記載された発明 したがって、引用文献２には、第５図、第６図に示された実施例５及び実施例６の半導体装置についての説明も参酌すると、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「半導体基体もしくは半導体装置表面の上部に酸化アルミニウム膜を有する半導体素子もしくは半導体装置を製造する製造方法において、有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液を半導体表面に塗布する工程と、加熱する工程とにより酸化アルミニウム膜を形成する半導体装置の製造方法であって、 前記半導体素子は、半導体基板５１の中に、基板５１とは反対の導電性を有する半導性領域５２があり、その表面をＡｌ２Ｏ３膜５３によって被覆した構造の半導体素子、または、半導体基板６１の上に、基板６１とは反対の導電性を有する半導性領域６２と、半導性領域６２の中にあって、半導性領域６２とは反対の導電性を有する半導性領域６３とからなる半導体素子であって、かつこの半導体素子表面をＡｌ２Ｏ３膜６４で被覆保護したような半導体素子であり、 Ａｌ２Ｏ３膜５３、６４は、アルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレートを用いる、半導体装置の製造方法。」 ３　引用文献３について （１）引用文献３の記載 ア　「【技術分野】 【０００１】 本発明は、パッシベーション膜を不純物拡散層の種類によって選択的に成膜することにより、高い太陽電池特性が得られる太陽電池およびその製造方法に関する。」 イ　「【００２３】 ≪パッシベーション膜≫ 本発明の太陽電池は、第１パッシベーション膜と第２パッシベーション膜の化学組成が異なる。第１パッシベーション膜は、シリコン基板の外部表面の第１導電型不純物拡散層に接する面の形状に合わせて形成する。第１パッシベーション膜は、酸化珪素や酸化アルミニウムを含む膜であることが好ましい。そして、第１パッシベーション膜は、１つの化学組成物からなる単層膜でもよいし、酸化珪素や酸化アルミニウムなどの膜を含む多数の化学組成物の膜からなる積層膜であってもよい。積層膜であるときは、酸化珪素あるいは酸化アルミニウムが、第１導電型不純物拡散層上に接していることが好ましい。第１パッシベーション膜の厚さは膜質にもよるが、後工程での作業性を考慮し、１０～２００ｎｍが好ましい。また、ＣＶＤ法によって成膜されたものでも良いし、塗布剤やペースト印刷などによって形成されたものでも良い。」 ウ　「【００２８】 ＜太陽電池の製造方法＞ ≪製造方法１≫ 以下、図４に基づいて本発明の太陽電池の製造方法について説明する。…（略）… 【００４２】 次に、図４（ｇ）に示すように、シリコン基板４０１についてドライ酸化（熱酸化）を行ない、シリコン基板４０１の裏面の全面に酸化珪素膜からなる第１パッシベーション膜４０３を形成する。なお、このとき同時に受光面の全面にも酸化珪素膜４０３ａを形成することとなる。ここで、酸化珪素膜からなる第１パッシベーション膜４０３はドライ酸化の他、たとえばスチーム酸化、常圧ＣＶＤ法などによって形成することができる。また、酸化珪素膜の他、第１パッシベーション膜４０３として負の固定電荷を有する酸化アルミニウム膜を蒸着法などにより成膜することも可能である。なお、第１パッシベーション膜４０３は、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜などからなる積層膜であってもよい。 …（略）… 【００５０】 ≪製造方法２≫ 以下、図５に基づいて本発明の太陽電池の他の製造方法について説明する。…（略）… 【００６４】 次に、図５（ｇ）において、ドライ酸化（熱酸化）を行なうことによって、第１パッシベーション膜５０３を、ｐ＋層５０６上に形成する。そして、受光面上には、窒化珪素膜からなる反射防止膜５０９を形成する。また、第１拡散マスク５１１として使用する窒化珪素膜は、裏面側に用いる場合にはよりパッシベーション性の高い屈折率２．６から３．６の間に調整した膜を用いることができる。この第１拡散マスク５１１は、第２パッシベーション膜として機能する。 【００６５】 なお、第１パッシベーション膜５０３はドライ酸化の他、たとえばスチーム酸化、常圧ＣＶＤ法などによって形成することができる。さらに、酸化珪素膜の他、第１パッシベーション膜として負の固定電荷を有する酸化アルミニウムを蒸着法などにより成膜することも可能である。」 ４　引用文献４について （１）引用文献４の記載 ア　「背景技術 [0002]　平板ディスプレイの１つとして、プラズマ放電により発光する蛍光体の層を設けることによって多色表示を可能にしたプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと記す）が知られている。ＰＤＰは、ガラスからなる平板状の前面板と背面板とが互いに平行かつ対向して配設され、両者はその間に設けられたバリアリブにより一定の間隔に保持されており、前面板、背面板及びバリアリブに囲まれた空間で放電する構造になっている。このような空間には、表示のための電極、誘電体層、蛍光体層等が付設され、放電によって封入ガスから発生する紫外線によって蛍光体が発光させられ、この光を観察者が視認できるようになっている。 [0003]　ところで、上述の電極、誘電体層、蛍光体層の作製は従来、以下のように行われている。まず、電極、誘電体又は蛍光体の材料として、金属若しくは金属酸化物の粒子、誘電体用ガラスフリット等のガラス粒子又は蛍光体粒子を有機高分子バインダと溶剤との混合物に分散させたスラリー液又はペーストをそれぞれ用意し、これをスクリーン印刷、ダイコーティング等の塗布方法によってガラス基板上に塗布し、その後塗膜を焼成することにより樹脂成分などの有機物を除去して電極、誘電体層又は蛍光体層が形成される（例えば、特許文献１を参照）。 特許文献１：特開平１１－３４９３４９号公報 発明の開示 発明が解決しようとする課題 [0004]　上記方法で用いられる有機高分子バインダは、良好な塗膜形成のためには有効であるが、以下の問題点を有している。すなわち、有機高分子バインダを分解させるためには、高温が必要であり、多大なエネルギーを要する。また、有機高分子バインダを使用すると、分解生成物が電気炉内の壁に堆積する問題がある。更に、有機高分子バインダが分解中に炭化するなどして残存すると、気泡や膨れが発生したり、放電中に徐々に気化して放電特性に悪影響を及ぼしたりするなどの問題が生じることがある。 [0005]　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、所望の無機体或いは無機物層を従来よりも低エネルギーで形成できるとともに有機化合物に起因する悪影響を低減することが可能な無機粒子含有組成物を提供することを目的とする。本発明はまた、かかる無機粒子含有組成物を用いる無機物層の形成方法、及び、かかる無機物層の形成方法によって形成された無機物層を備えるプラズマディスプレイを提供することも目的とする。 課題を解決するための手段 [0006]　上記課題を解決する本発明の第１の無機粒子含有組成物は、テルペン骨格を有し、且つ、２５℃における粘度が１０，０００～１，０００，０００ｍＰａ・ｓである有機化合物（Ａ１）と、無機粒子とを含む無機粒子含有組成物であって、有機化合物（Ａ１）の含有量が、上記無機粒子含有組成物中に含まれる有機化合物全量に対して５０質量％～９５質量％であることを特徴とする。 [0007]　なお、本発明において、テルペン骨格を有するとは、イソプレン単位の倍数である構造を有することを意味する。 [0008]　本発明における有機化合物の粘度は、例えば、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３、ＪＩＳ　Ｋ７１１７に準拠した方法により２５℃で測定することができる。 [0009]　本発明の無機粒子含有組成物によれば、上記構成を有することにより、良好な塗膜を形成できるとともに、テルペン骨格を有する上記有機化合物（Ａ１）が比較的低温で除去可能であることから、塗膜を焼成するに際して有機化合物の含有量を従来よりも小さくすることができる。よって、本発明の無機粒子含有組成物によれば、従来よりも低エネルギーで所望の無機体或いは無機物層を形成でき、且つ、有機化合物に起因する悪影響を低減することが可能となる。また、電気炉内の壁に堆積する分解生成物の量を低減することも可能となる。なお、有機化合物（Ａ１）の含有量が、上記無機粒子含有組成物中に含まれる有機化合物全量に対して５０質量％未満であると、良好な塗膜を形成することが困難となり、９５質量％を超えると、塗工が困難となる。 [0010]　本発明の第１の無機粒子含有組成物においては、組成物の粘度を好適な範囲に設定しやすい点で、上記有機化合物が、下記構造式（１）で表わされるイソボルニルシクロヘキサノールであることが好ましい。 [化１] 」 イ　「[0027]　＜無機粒子含有組成物＞ 本発明の第１の実施形態に係る無機粒子含有組成物は、テルペン骨格を有し、且つ、２５℃における粘度が１０，０００～１，０００，０００ｍＰａ・ｓである有機化合物（Ａ１）（以下、有機化合物（Ａ１）と略称する場合もある）と、無機粒子とを含む。また、本実施形態の無機粒子含有組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記有機化合物（Ａ１）以外の有機化合物からなる溶剤を含有してもよい。 [0028]　本実施形態においては、有機化合物（Ａ１）として、下記構造式（１）で表わされるイソボルニルシクロヘキサノールを用いることが好ましい。 [化３] [0029]　上記式（１）で表わされるイソボルニルシクロヘキサノールとしては、「テルソルブＭＴＰＨ」（日本テルペン化学社製、商品名）が商業的に入手可能である。 [0030]　また、有機化合物（Ａ１）は、３００℃で１０分間加熱したときの加熱残分が１質量％以下であるものが好ましい。なお、加熱環境は、大気中である。このような有機化合物（Ａ１）を用いた場合、焼成して得られる無機体において、有機化合物に起因する悪影響を更に低減することができる。上記条件を満足する有機化合物（Ａ１）としては、上記式（１）で表わされるイソボルニルシクロヘキサノールが挙げられる。」 ウ　「実施例 [0099]　以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 [0100]　＜無機粒子含有組成物の作製＞ （実施例１） 先ず、撹拌機、還流冷却機、不活性ガス導入口及び温度計を備えたフラスコに、イソボルニルシクロヘキサノール「テルソルブＭＴＰＨ」（日本テルペン化学社製、商品名）を７７質量部、及び、「ターピネオールＣ」（日本テルペン化学社製、商品名、沸点２１７℃）を２３質量部仕込み、撹拌しながら、これを窒素ガス雰囲気下で８０℃に昇温し、８０℃±２℃に保ちながら３時間撹拌を続け、均一な溶液とした。その後、室温まで冷却し溶液を取り出した。得られた溶液の２５℃における粘度は５７００ｍＰａ・ｓであった。 [0101]　なお、テルソルブＭＴＰＨの２５℃における粘度は、６７８，０００ｍＰａであり、３００℃における１０分間の加熱残分は０．０２８質量％であった。また、ターピネオールＣの２５℃における粘度は、３５ｍＰａであり、３００℃における１０分間の加熱残分は０．０２０質量％であった。 [0101]　次に、上記で得られた溶液５７．７質量部に、ＺｎＯ－Ｂ２ Ｏ３ －ＳｉＯ２ －Ａｌ２ Ｏ３ 系ガラスフリット４２．３質量部を加え、ビーズミルを用いて１５分間混合、分散した。続いて、この分散液を、３０μｍ角の開口部を有する濾布に通過させて濾過し、実施例１の無機粒子含有組成物の溶液を調製した。得られた無機粒子含有組成物溶液の２５℃における粘度は、１７０００ｍＰａ・ｓであった。 …（略）… [0116]　上記で得られた実施例１～５及び比較例１～２の無機粒子含有組成物溶液について、以下に示す方法に基づいて塗膜状態及び熱重量分析による重量変化を評価した。得られた結果を表２に示す。」 （２）引用文献４に記載の技術 「誘電体層の作製において、金属酸化物粒子、誘電体用ガラスフリット等のガラス粒子又は蛍光体粒子を有機高分子バインダと溶剤との混合物に混合させたスラリー液又はペーストをスクリーン印刷、ダイコーティング等の塗布方法によってガラス基板上に塗布し、その後塗膜を焼成することにより樹脂成分などの有機物を除去して誘電体層などを形成すると、有機高分子バインダが分解中に炭化して残存すると悪影響を及ぼしたりするなどの問題が生じることに鑑みて、有機化合物に起因する悪影響を低減することが可能な無機粒子含有組成物を提供することを目的とし、該組成物は、テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）と、無機粒子とを含む無機粒子含有組成物であって、テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）が比較的低温で除去可能である。」 ５　引用文献Ａについて （１）引用文献Ａの記載 ア　「【技術分野】 【０００１】 本発明は、絶縁膜形成用インク、絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。」 イ　「【００４５】 本発明を実施するための形態について、以下に説明する。 【００４６】 一般に、Ｈｉｇｈ－ｋ絶縁膜として検討されている材料としては、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３等の単純酸化物とその混合物、或いはＨｆＳｉＯｘ等のシリケートが挙げられる。 …（略）… 【００４８】 本発明は、発明者らの鋭意検討により、アルカリ土類金属（Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイド（Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）の中から選ばれた１または２種類以上の元素を主成分とする複合金属酸化物膜は、安定的にアモルファス相を示すものであること、また、アルカリ土類金属（Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ）の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイド（Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａの中から選ばれた１または２種類以上の元素を主成分とする複合金属酸化物膜は、安定的にアモルファス相を示すものであること、を見出したことに基づくものである。」 ウ　「【００５１】 〔第１の実施の形態〕 本実施の形態は、溶液プロセスにより酸化物絶縁膜を形成するために用いられる溶液となる絶縁膜形成用インクである。本実施の形態における絶縁膜形成用インクは、第一に、１または２以上のアルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１または２以上の金属元素と、が溶液に含まれることを特徴とする絶縁膜形成用インクである。 【００５２】 また、第二には、前記絶縁膜形成用インクが、更に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａのうち１または２以上の金属元素を含むことを特徴とする絶縁膜形成用インクである。 【００５３】 前記絶縁膜形成用インクは、前記金属の金属有機酸塩および有機金属錯体の少なくとも一つを、含むことを特徴とする。尚、本願において、「有機金属錯体」とは、金属－炭素結合を有する有機金属化合物と、配位結合を有する金属錯体との、両者を含んでいる。 【００５４】 また、前記金属有機酸塩は、置換若しくは無置換のカルボン酸塩であることを特徴とする。一例として、酢酸マグネシウム、プロピオン酸カルシウム、ナフテン酸ジルコニウム、オクチル酸バリウム、２-エチルヘキサン酸ランタン、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。 【００５５】 また、前記有機金属錯体は、アセチルアセトナート誘導体、置換若しくは無置換のフェニル基、或いは置換若しくは無置換のアルコキシ基を含むことを特徴とする。一例として、ストロンチウムアセチルアセトナート水和物、トリス（２，２，６，６―テトラメチルー３，５―ヘプタネディオネート）ネオジウム、テトラエトキシアセチルアセトナトタンタル、チタニウムブトキシド、アルミニウムジ(s-ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。 …（略）… 【００５８】 本実施の形態における絶縁膜形成用インクに使用される溶媒は、前記金属原料化合物を安定に溶解若しくは分散することが可能な溶媒を適切に選択して使用することが出来る。一例として、トルエン、イソプロパノール、安息香酸エチル、N,N-ジメチルホルムアミド、炭酸プロピレン、２-エチルヘキサン酸、ミネラルスピリッツ、ジメチルプロピレンウレア、４－ブチロラクトン、２－メトキシエタノール、水、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。 【００５９】 また、塗布する方法や下地に合わせて、粘度調整用の増粘剤や界面活性剤などを添加しても良い。 【００６０】 〔第２の実施の形態〕 次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における絶縁膜形成用インクを用いた絶縁膜の製造方法である。図１に基づき本実施の形態について説明する。 【００６１】 最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する。絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する方法としては、スピンコート、インクジェットプリンティング、スリットコート、ノズルプリンティング、グラビア印刷、マイクロコンタクトプリントなどの既存の方法を利用することが出来る。この時、前記絶縁膜形成用インクの溶液の粘度などの物性値を塗布手段に適合するように調整することが望ましい。例えば、粘度を調整する手段として、エチレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどを増粘剤として添加することが出来る。 【００６２】 次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、基板上に塗布された絶縁膜形成用インクを熱処理することにより、酸化物絶縁膜に転換する。加熱方法としては、抵抗加熱、赤外線加熱、レーザー光照射、などの既存の方法を利用することが出来る。前記金属原料化合物が酸化物に転化する為には、少なくとも前記金属原料化合物中の金属-炭素結合、または金属-酸素-炭素結合における酸素-炭素結合を切断し、酸化物に転換しなければならない。これを実現するためには、分解反応が必要とするエネルギーを熱や光等の形態で付与することが適当である。この際、酸化物絶縁膜への転換を促進するために、紫外光（ＵＶ光）を照射して、有機金属錯体の化学結合を切断する方法や、オゾン雰囲気とすることにより酸化を促進する等の方法をあわせて行うことが可能である。また、緻密な膜を得るためには、反応中間体と炭素、水素、酸素、窒素等から成る余剰の反応生成物との流動性が確保されるように、前記金属原料化合物の反応条件と溶媒の沸点等を適切に選択することが望ましい。 【００６３】 以上の工程により、本実施の形態における絶縁膜を作製することができる。本実施の形態における絶縁膜の構造はアモルファスであり、電界を印加した場合におけるリーク電流は極めて低い。 【００６４】 本実施の形態において作製される絶縁膜の用途としては、電界効果型トランジスタ（Field Effect Transistor；ＦＥＴ）、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のメモリ素子、ＣＭＯＳ(Complementary Metal Oxide Semiconductor、相補型金属酸化物半導体素子)、光電変換素子（Photovoltaic devices）、ＯＬＥＤ（Organic light-emitting diode）等の有機発光素子、絶縁膜を有する各種センサまたはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路等が挙げられ、具体的には、これらの素子におけるゲート絶縁膜、キャパシタ絶縁膜、パッシベーション膜等として用いることができる。」 エ　「【００６５】 〔第３の実施の形態〕 次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第２の実施の形態における絶縁膜の製造方法を用いた半導体装置の製造方法である。図２は、本実施の形態において製造される半導体装置の構成図であり、図３は、本実施の形態における半導体装置の製造方法のフローチャートである。ここでは典型的なトップコンタクトボトムゲート型電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）の製造方法について述べるが、この構造に限定されるものではない。その他の構造の例として図４に示すトップゲート型ＦＥＴ等の別構造であっても良い。以下、図２、図３に基づき本実施の形態について説明する。 【００６６】 最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）において、前記絶縁膜形成用インクを基板１１上に塗布する。尚、基板１１は、導電性の基板であり、一例として、電気伝導度０．０２Ωｃｍ以下程度のリンドープシリコン基板である。絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する方法としては、スピンコート、インクジェットプリンティング、スリットコート、ノズルプリンティング、グラビア印刷、マイクロコンタクトプリントなどの既存の方法を利用することが出来る。この時、前記絶縁膜形成用インクの溶液の粘度などの物性値を塗布手段に適合するように調整することが望ましい。例えば、粘度を調整する手段として、エチレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどを増粘剤として添加することが出来る。 【００６７】 次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）において、基板上に塗布された絶縁膜形成用インクを熱処理することにより、酸化物絶縁膜に転換し、ゲート絶縁膜１２とする。加熱方法としては、抵抗加熱、赤外線加熱、レーザー光照射、などの既存の方法を利用することが出来る。…（略）…また、緻密な膜を得るためには、反応中間体と炭素、水素、酸素、窒素等から成る余剰の反応生成物との流動性が確保されるように、前記金属原料化合物の反応条件と溶媒の沸点等を適切に選択することが望ましい。 【００６８】 次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）において、ゲート絶縁膜１２上の所定の領域に半導体層１３を形成する。形成される半導体層１３は、シリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）等の化合物半導体、ペンタセン等の有機半導体、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）等の酸化物半導体のいずれでもよい。…（略）…尚、本実施の形態では、ゲート絶縁膜１２は酸化物により構成されていることから、半導体層１３についても酸化物半導体材料により形成することにより、隣接するゲート絶縁膜１２と半導体層１３とは同じ酸化物同士であるため密着性が高くなり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。 【００６９】 次に、ステップ２０８（Ｓ２０８）において、ソース電極１４及びドレイン電極１５を形成する。具体的には、半導体層１３にチャネルが形成されるように、ソース電極１４及びドレイン電極１５を形成する。パターン形成方法は、半導体層の場合と同様に行うことができる。 【００７０】 次に、ステップ２１０（Ｓ２１０）において、必要に応じて半導体層１３の熱処理を行う。尚、本ステップは半導体層１３において熱処理が必要な場合にのみ行われる。以上の工程により、本実施の形態における半導体装置として、基板１１をゲート電極とした電界効果型トランジスタが形成される。 【００７１】 本実施の形態における電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁膜１２がアモルファスであることから、リーク電流が低く、高い比誘電率を示すものである。よって、低電圧による駆動が可能な信頼性の高い電界効果型トランジスタを製造することができる。」 オ　「【００７３】 〔第４の実施の形態〕 次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第３の実施の形態とは異なる構成の半導体装置の製造方法である。図５は、本実施の形態において製造される半導体装置の構成図であり、図６は、本実施の形態における半導体装置の製造方法のフローチャートである。ここでは典型的なボトムコンタクトボトムゲート型電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）の製造方法について述べるが、この構造に限定されるものではない。その他の構造例として図７に示すトップコンタクトトップゲート型ＦＥＴなどの別構造であっても良い。以下、図５、図６に基づき本実施の形態について説明する。 【００７４】 最初に、ステップ３０２（Ｓ３０２）において、基板２１上の所定の領域にゲート電極２２を形成する。ここで基板２１は絶縁性基板であり、例としてディスプレイ用の無アルカリガラス基板やポリイミド基板などが利用できる。 【００７５】 次に、ステップ３０４（Ｓ３０４）において、ゲート電極２２を覆うようにゲート絶縁膜２３を形成する。ゲート絶縁膜２３の製造方法は、第２及び第３の実施の形態における絶縁膜の製造方法により形成する。 【００７６】 次に、ステップ３０６（Ｓ３０６）において、ゲート絶縁膜２３を介したゲート電極２２上に、後述する半導体層が形成された場合にチャネルが形成されるように、所定の領域にソース電極２４及びドレイン電極２５を形成する。 【００７７】 次に、ステップ３０８（Ｓ３０８）において、半導体層２６を形成する。具体的には、ソース電極２４とドレイン電極２５との間の領域であって、ゲート絶縁膜２３を介したゲート電極２２上に半導体層２６を形成する。尚、半導体層２６は、ソース電極２４とドレイン電極２５との間にチャネルが形成されるように所定の領域に形成される。尚、本実施の形態では、ゲート絶縁膜２３は酸化物により構成されていることから、半導体層２６についても酸化物半導体材料により形成することにより、隣接するゲート絶縁膜２３と半導体層２６とは同じ酸化物同士であるため密着性が高くなり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。 【００７８】 次に、ステップ３１０（Ｓ３１０）において、半導体層２６の全面を覆うように保護膜２７を形成する。保護膜２７は絶縁膜により構成されるものであり、パッシベーション膜としての機能を有するものである。 【００７９】 以上の工程により、本実施の形態における半導体装置として、電界効果型トランジスタが形成される。」 カ　「【００９４】 （実施例１１） 酸化物絶縁膜形成用インクの製造（１１） トルエン２０ｍＬにアルミニウムジ(s-ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート（Ａｌ含量８．４ｗｔ％、Ａｌｆａ８９３４９）０．９４ｍＬと、２－エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液（Ｍｇ含量３ｗｔ％、ＳＴＲＥＭ１２－１２６０）５ｍＬと２－エチルヘキサン酸イットリウムトルエン溶液（Ｙ含量８ｗｔ％、和光純薬工業２５８－００３０１）１１ｍＬとを混合し、淡黄色透明なマグネシウムアルミニウムイットリウム酸化物絶縁膜形成用インクを得た。」 （２）引用文献Ａに記載された発明 引用文献Ａには、第３の実施の形態においては、基板１１は、導電性基板であり、リンドープシリコン基板が開示されているものの、絶縁膜形成用インクを熱処理することにより、ゲート絶縁膜１２としており、第４の実施の形態においては、基板２１は絶縁性基板であり、第２及び第３の実施の形態における絶縁膜の製造方法により形成するのはゲート絶縁膜２３である。 したがって、引用文献Ａには、第２の実施の形態について説明を参酌すると、以下の発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。 「絶縁膜形成用インクを用いた絶縁膜の製造方法であって、 前記絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する工程と、 基板上に塗布された絶縁膜形成用インクを熱処理することにより、酸化物絶縁膜に転換する工程と、を有し、 前記絶縁膜形成用インクは、１または２以上のアルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１または２以上の金属元素と、が溶液に含まれ、更に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｔａのうち１または２以上の金属元素を含むものであり、 前記絶縁膜形成用インクは、前記金属の金属有機酸塩および有機金属錯体の少なくとも一つを、含み、前記有機金属錯体は、一例として、アルミニウムジ(ｓ－ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート、等を用いることが出来、 前記絶縁膜形成用インクに使用される溶媒は、前記金属原料化合物を安定に溶解若しくは分散することが可能な溶媒の一例として、トルエン、等を用いることが出来、 絶縁膜の用途としては、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜等として用いることができる、絶縁膜の製造方法。」 ６　引用文献Ｂについて （１）引用文献Ｂの記載 ア　「技術分野 [0001]　この発明は、金属酸化膜とその形成方法及び金属酸化膜を用いた光学電子デバイスに関するものである。」 イ　「[0086]　以下、このような金属酸化膜 2, 2Aの一例としてのガラス膜、中でもSiO２膜の形成方法について説明する。 まず、常温（15～35℃）で液体である有機金属化合物の一例として TEOSを用い、 有機溶剤の一例としてのイソボルニルシクロへキサノールとエタノールを体積比で約1：1の割合で混合したものを用い、前記 TEOSと前記有機溶剤を体積比で約4：1の割合で混合してペースト化したものを用意する。なお、混合したペーストは、真空脱泡により、極力、気泡の含まれていないペーストとすることができる。 次に、前記ペーストを基材に塗布する工程を行なう。…（略）… [0087]　…（略）…必要な厚みにコント ロールしてペースト 48を塗布してペースト膜 48Aを基材 1上に形成する。 [0088]　次いで、前記ペースト膜 48A中の有機物を気化させつつ金属元素を酸化させる工程を行なう。ペースト膜 48A中の有機物を気化させつつ金属元素を酸化させる工法の一例として、大気圧プラズマを用いることができる。…（略）… [0093]　次いで、ペーストを基材に塗布する工程と、ペースト中の有機物を気化させつつ金属元素を酸化させる工程を複数回交互に繰り返すことで、金属酸化膜 2, 2Aの厚さを任意の厚さに調整できる。…（略）…、合計厚さ約15μｍのSiO２膜の金属酸化膜2を形成することができる。」 ウ　「[0111]　なお、本発明における実施形態では、 SiO２膜に関してのみ記述したが、本発明を他の金属酸化膜に適用することが可能である。他の金属酸化膜としては、例えば、…（略）…、 A1OＸ、…（略）…などである 。特に絶縁膜としての用途が望ましくその中でもガラス膜もしくは透明度の高い膜において格別の効果を奏する。 [0112]　なお、本発明における実施形態では、有機金属化合物が有機シリコン化合物を用いた場合、特にTEOSを用いた場合に関してのみ記述したが常温で液体のもの、例えばHMDSO(へキサメチルジシロキサン）、…（略）…、アルミニウムイソプロポキシド、…（略）…などを用いてもよく所望の金属酸化膜を形成することができる。」 第６　当審の判断 １　本願発明１について （１）引用発明１との対比・判断 ア　本願発明１と引用発明１との対比 本願発明１と引用発明１とを対比すると次のことがいえる。 （ア）上記「第５」「１（１）イ」の摘記箇所には、「本発明による表面安定化技術…」と記載されていることから、引用発明１の「アルミニウム酸化物膜（Ａｌ２Ｏ３膜）」及び「有機アルミニウム化合物の溶液」の組成物は、それぞれ本願発明１の「パッシベーション層」及び「パッシベーション層形成用組成物」に相当する。 したがって、引用発明１の「半導体装置」は、本願発明１の「パッシベーション層付半導体基板」に相当する。 また、引用発明１は、「有機アルミニウム化合物の溶液を付着し」、「それを熱酸化又は熱分解することによってアルミニウム酸化物膜（Ａｌ２Ｏ３膜）を半導体表面に形成する」から、当該工程は、それぞれ本願発明１の「組成物層を形成する工程」、「前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程」に相当する。 （イ）引用発明１の「アルミニウムイソプロポキシド」は、別名「トリイソプロポキシアルミニウム」であるから、本願発明１の一般式（Ｉ）のｎが０の場合の有機アルミニウム化合物に相当する（本願明細書の段落【００４５】、【００５５】参照。）。 （ウ）以上をまとめると、本願発明１と引用発明１との、一致点、相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 半導体基板上に、下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物を含むパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法。 【化１】 ［一般式（Ｉ）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基を表す。ｎは０を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１～８のアルキル基を表す。］ ＜相違点１－１＞ 半導体基板上に組成物層を形成する工程について、本願発明１は、「半導体基板上」の「一部」に付与して形成するのに対し、引用発明１では、「半導体基板表面」に「有機アルミニウム化合物の溶液を付着し」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点１－２＞ パッシベーション層形成用組成物について、本願発明１は、「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含むのに対し、引用発明１の「有機アルミニウム化合物の溶液」はそのような有機化合物を含むものではない点。 【化２】 イ　本願発明１と引用発明１との相違点についての判断 （ア）事案に鑑み、まず、本願発明１と引用発明１との相違点１－２について検討する。 ａ　引用発明１において、「有機アルミニウム化合物の溶液」は、「ワニス状溶液（例えばアルミニウムモノエチルアセトアセテートの１％トルエン溶液）」であり、有機アルミニウム化合物と溶媒（トルエン）からなり、他の有機化合物を含むことは特定されていない。 また、前記「有機アルミニウム化合物の溶液」は、「回転塗布機等を用いて均一に薄く塗布」されるものである。 ｂ　一方、上記「第５」「４（２）」のとおり、「引用文献４に記載の技術」は、「誘電体層の作製において、金属酸化物の粒子、誘電体用ガラスフリット等のガラス粒子又は蛍光体粒子を有機高分子バインダと溶剤との混合物に混合させたスラリー液又はペーストをスクリーン印刷、ダイコーティング等の塗布方法によってガラス基板上に塗布し、その後塗膜を焼成することにより樹脂成分などの有機物を除去して誘電体層などを形成すると、有機高分子バインダが分解中に炭化して残存すると悪影響を及ぼしたりするなどの問題が生じることに鑑みて、有機化合物に起因する悪影響を低減することが可能な無機粒子含有組成物を提供することを目的とし、該組成物は、テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）と、無機粒子とを含む無機粒子含有組成物であって、テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）が比較的低温で除去可能である。」ことである。 また、上記「第５」「４（１）」のとおり、引用文献４の段落［００１０］、［００２８］、［００２９］、［０１００］には、ガラス基板上に塗布される無機粒子含有組成物が含む、テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）として、「構造式（１）で表されるイソボルニルシクロヘキサノール」（本願の請求項１に記載の一般式（ＩＩ）で表される有機化合物に相当。）やその市販品「テルソルブＭＴＰＨ」が記載されている。 また、上記「第５」「４（１）ウ」のとおり、引用文献４には、＜無機粒子含有組成物溶液の作成＞について、実施例１～３において、イソボルニルシクロヘキサノール「テルソルブＭＴＰＨ」及び「ターピネオールＣ」（上記「第５」「４（１）ウ」の記載から「溶剤」であることは明らか。）を仕込み、均一な溶液とし、この溶液に、ＺｎＯ－Ｂ２ Ｏ３ －ＳｉＯ２ －Ａｌ２ Ｏ３ 系ガラスフリット４を加え、混合、分散し、この分散液を、濾過し、無機粒子含有組成物の溶液を調製すること、並びに、その組成物溶液を塗布し、乾燥し、塗膜状態を評価する旨が記載されている。 したがって、引用文献４に開示された無機粒子含有組成物溶液は、「構造式（１）で表されるイソボルニルシクロヘキサノール」や「テルソルブＭＴＰＨ」と、溶剤と、誘電体用ガラスフリット（ＺｎＯ－Ｂ２ Ｏ３ －ＳｉＯ２ －Ａｌ２ Ｏ３ 系ガラスフリット）とを含む溶液であり、有機アルミニウム化合物を含まない。 ｃ　上記ａで検討したように、引用発明１において、「回転塗布機等を用いて均一に薄く塗布」する「有機アルミニウム化合物の溶液」が他の有機化合物を含むことは特定されていないから、上記ｂで検討したような、「引用文献４に記載の技術」における、スクリーン印刷、ダイコーティング等の塗布方法によってガラス基板上に塗布した有機高分子バインダが分解中に炭化して残存するなどの問題を生じさせるものではなく、当該「有機アルミニウム化合物の溶液」を、引用文献４に記載の技術的事項に基づき、「テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）」を含むものとする動機付けはない。 したがって、引用発明１において、引用文献４に記載の技術的事項に基づき、当該「有機アルミニウム化合物の溶液」を、「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含むものとすることが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 ｄ　また、上記「第５」「３（１）」のとおり、引用文献３には、太陽電池およびその製造方法に関し、第１パッシベーション膜として酸化アルミニウム膜を成膜することが可能である旨が記載されているが、本願発明１の「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含む組成物は記載も示唆もされていない。 したがって、引用文献３、４を参照したとしても、引用発明１において、相違点１－２に係る本願発明１の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 （イ）よって、相違点１－１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１及び引用文献３、４に記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）引用発明２との対比・判断 ア　本願発明１と引用発明２との対比 本願発明１と引用発明２とを対比すると次のことがいえる。 （ア）本願発明１の「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と、下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物と、を含むパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法」と、引用発明２の「半導体基体もしくは半導体装置表面の上部に酸化アルミニウム膜を有する半導体素子もしくは半導体装置を製造する製造方法において、有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液を半導体表面に塗布する工程と、加熱する工程とにより酸化アルミニウム膜を形成する半導体装置の製造方法」とを対比する。 本願明細書の段落【００３５】には、「有機アルミニウム化合物は熱処理（焼成）により酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）となる。」と記載されており、段落【００８７】には、「パッシベーション層形成用組成物によって形成された組成物層を熱処理（焼成）して、組成物層に由来する熱処理物層（焼成物層）を形成することで、半導体基板上にパッシベーション層を形成することができる。 組成物層の熱処理（焼成）条件は、組成物層に含まれる特定の有機アルミニウム化合物をその熱処理物（焼成物）である酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）に変換可能であれば特に制限されない。」と記載されている。 一方、引用発明２は、「半導体基体もしくは半導体装置表面の上部に酸化アルミニウム膜を有する半導体素子もしくは半導体装置を製造する製造方法において、『有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液を半導体表面に塗布する工程』と、『加熱する工程』とにより『酸化アルミニウム膜』を形成する半導体装置の製造方法」であるから、当該「塗布する工程」は、本願発明１の「半導体基板上に組成物層を形成する工程」に相当し、本願発明１の「パッシベーション層」と引用発明２の「酸化アルミニウム膜」は、「酸化アルミニウム層」である点で共通し、また、本願発明１の「前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程」と引用発明２の「加熱する工程」は、「前記組成物層を熱処理して、酸化アルミニウム層を形成する工程」である点で共通する。 したがって、本願発明１と引用発明２は、「酸化アルミニウム層付半導体基板の製造方法」である点でも共通する。 （イ）引用発明２のアルミニウムモノエチルアセトアセテートジイソプロピレートは、本願発明１の一般式（Ｉ）のｎが１～３の場合の有機アルミニウム化合物に相当する（本願明細書の段落【００４６】参照。）。 （ウ）以上をまとめると、本願発明１と引用発明２との、一致点、相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体基板上に、下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物を含む酸化物膜形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、酸化アルミニウム層を形成する工程と、を有する酸化アルミニウム層付半導体基板の製造方法。 【化１】 ［一般式（Ｉ）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基を表す。ｎは１～３の整数を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１～８のアルキル基を表す。］」 ＜相違点２－１＞ 半導体基板上に組成物層を形成する工程について、本願発明１は、「半導体基板上」の「一部」に付与して形成するのに対し、引用発明２では、「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液を半導体表面に塗布する工程」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２－２＞ パッシベーション層形成用組成物について、本願発明１は、「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含むのに対し、引用発明２の「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液」はそのような有機化合物を含むものではない点。 【化２】 イ　本願発明１と引用発明２との相違点についての判断 （ア）事案に鑑み、まず、本願発明１と引用発明２との相違点２－２について検討する。 ａ　引用発明２において、「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液」について、他の有機化合物を含むことは特定されていない。 ｂ　一方、「引用文献４に記載の技術」は、上記「第５」「４（２）」に記載したとおりであり、また、上記「（１）イ（ア）ｂ」で検討したように、引用文献４に開示の無機粒子含有組成物溶液は、「構造式（１）で表されるイソボルニルシクロヘキサノール」や「テルソルブＭＴＰＨ」と、溶剤と、誘電体用ガラスフリット（ＺｎＯ－Ｂ２ Ｏ３ －ＳｉＯ２ －Ａｌ２ Ｏ３ 系ガラスフリット）とを含む溶液であり、有機アルミニウム化合物を含まない。 ｃ　上記ａで検討したように、引用発明２において、「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液」が他の有機化合物を含むことは特定されていないから、上記「（１）イ（ア）ｂ」で検討したような、「引用文献４に記載の技術」における、スクリーン印刷、ダイコーティング等の塗布方法によってガラス基板上に塗布した有機高分子バインダが分解中に炭化して残存するなどの問題を生じさせるものではなく、当該「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液」を、引用文献４に記載の技術的事項に基づき、「テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）」を含むものとする動機付けはない。 したがって、引用発明１において、引用文献４に記載の技術的事項に基づき、当該「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液」を、「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含むものとすることが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 ｄ　また、上記「第５」「３（１）」のとおり、引用文献３には、太陽電池およびその製造方法に関し、第１パッシベーション膜として酸化アルミニウム膜を成膜することが可能である旨が記載されているが、本願発明１の「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含む組成物は記載も示唆もされていない。 したがって、引用文献３、４を参照したとしても、引用発明２において、相違点２－２に係る本願発明１の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 （イ）よって、相違点２－１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明２及び引用文献３、４に記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２　本願発明２～４について 本願発明２～４は、本願発明１を減縮した発明であるから、本願発明１について検討したのと同じ理由により、引用発明１または引用発明２及び引用文献３、４に記載の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３　本願発明５について （１）引用発明１との対比・判断 ア　本願発明５と引用発明１との対比 （ア）本願発明５と引用発明１とを対比すると、上記「１（１）ア（ア）、（イ）」と同じことがいえる。 （イ）また、引用発明１は、「選択拡散法によりＰ型ベース領域２およびＮ＋　型エミッタ領域３が形成されているＮ型Ｓｉ基板ｌのベース２およびエミッタ３上にそれぞれ電極６Ｂ及び６Ｅを取付け」たものであるから、引用発明１において、「溶液を付着」する際の「半導体基板」は、「ｐ型層及びｎ型層が接合されてなるｐｎ接合を有し、前記ｐ型層及び前記ｎ型層からなる群より選択される１以上の層上に電極を有する半導体基板」であるといえる。 （ウ）本願発明５の「太陽電池素子」と引用発明１の「半導体装置」とは、「半導体装置」である点で共通する。 （エ）したがって、本願発明５と引用発明１との、一致点、相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「ｐ型層及びｎ型層が接合されてなるｐｎ接合を有し、前記ｐ型層及び前記ｎ型層からなる群より選択される１以上の層上に電極を有する半導体基板の、前記電極を有する面に、下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物を含むパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。 【化１】 ［一般式（Ｉ）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基を表す。ｎは０を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１～８のアルキル基を表す。］」 ＜相違点１－Ａ＞ 半導体基板の、前記電極を有する面に組成物層を形成する工程について、本願発明５は、「半導体基板の、前記電極を有する面」の「一部」に付与して形成するのに対し、引用発明１では、「半導体基板表面」に「有機アルミニウム化合物の溶液を付着し」について、「半導体基板表面」の「一部」に付与するとの特定はなされていない点。 ＜相違点１－Ｂ＞ パッシベーション層形成用組成物について、本願発明５は、「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含むのに対し、引用発明１の「有機アルミニウム化合物の溶液」はそのような有機化合物を含むものではない点。 【化２】 ＜相違点１－Ｃ＞ 本願発明５は、「太陽電池素子の製造方法」であるのに対し、引用発明１は、「半導体装置の製造方法」である点。 イ　本願発明５と引用発明１との相違点についての判断 （ア）事案に鑑み、まず、本願発明５と引用発明１との相違点１－Ｂについて検討する。 相違点１－Ｂは上記「１（１）ア（ウ）」の相違点１－２と同じであるから、上記「１（１）イ（ア）」で相違点１－２について検討したのと同じ理由により、引用文献３、４を参照したとしても、引用発明１において、相違点１－Ｂに係る本願発明５の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 （イ）よって、相違点１－Ａ、１－Ｃについて検討するまでもなく、本願発明５は、引用発明１及び引用文献３、４に記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）引用発明２との対比・判断 ア　本願発明５と引用発明２との対比 （ア）本願発明５と引用発明２とを対比すると、上記「１（２）ア（ア）、（イ）」と同じことがいえる。 （イ）また、引用発明２は、「前記半導体素子は、半導体基板５１の中に、基板５１とは反対の導電性を有する半導性領域５２があり、その表面をＡｌ２Ｏ３膜５３によって被覆した構造の半導体素子、または、半導体基板６１の上に、基板６１とは反対の導電性を有する半導性領域６２と、半導性領域６２の中にあって、半導性領域６２とは反対の導電性を有する半導性領域６３とからなる半導体素子であって、かつこの半導体素子表面をＡｌ２Ｏ３膜６４で被覆保護したような半導体素子」であるから、引用発明２において、「溶液」を「塗布する」際の「半導体基板５１、６１」は、「ｐ型層及びｎ型層が接合されてなるｐｎ接合を有し、前記ｐ型層及び前記ｎ型層からなる群より選択される１以上の層上に電極を有する半導体基板」であるといえる。 （ウ）本願発明５の「太陽電池素子」と引用発明１の「半導体装置」とは、「半導体装置」である点で共通する。 （エ）したがって、本願発明５と引用発明２との、一致点、相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「ｐ型層及びｎ型層が接合されてなるｐｎ接合を有し、前記ｐ型層及び前記ｎ型層からなる群より選択される１以上の層上に電極を有する半導体基板の、前記電極を有する面に、下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物を含むパッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。 【化１】 ［一般式（Ｉ）中、Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１～８のアルキル基を表す。ｎは１～３の整数を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１～８のアルキル基を表す。］」 ＜相違点２－Ａ＞ 半導体基板の、前記電極を有する面に組成物層を形成する工程について、本願発明５は、「半導体基板の、前記電極を有する面」の「一部」に付与して形成するのに対し、引用発明２では、「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液を半導体表面に塗布する工程」について、「半導体基板表面」の「一部」に付与するとの特定はなされていない点。 ＜相違点２－Ｂ＞ パッシベーション層形成用組成物について、本願発明５は、「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含むのに対し、引用発明２の「有機アルミニウムキレート化合物を溶媒に溶解した溶液」はそのような有機化合物を含むものではない点。 【化２】 ＜相違点２－Ｃ＞ 本願発明５は、「太陽電池素子の製造方法」であるのに対し、引用発明２は、「半導体装置の製造方法」である点。 イ　本願発明５と引用発明２との相違点についての判断 （ア）事案に鑑み、まず、本願発明５と引用発明２との相違点２－Ｂについて検討する。 相違点２－Ｂは上記「１（２）ア（ウ）」の相違点２－２と同じであるから、上記「１（２）イ（ア）」で相違点２－２について検討したのと同じ理由により、引用文献３、４を参照したとしても、引用発明２において、相違点２－Ｂに係る本願発明５の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 （イ）よって、相違点２－Ａ、２－Ｃについて検討するまでもなく、本願発明５は、引用発明２及び引用文献３、４に記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４　本願発明６～８について 本願発明６～８は、本願発明５を減縮した発明であるから、本願発明５について検討したのと同じ理由により、引用発明１または引用発明２及び引用文献３、４に記載の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第７　原査定についての判断 １　原査定の概要は、上記「第２」のとおりのものである。 ２　本願発明１について （１）引用発明Ａとの対比・判断 ア　本願発明１と引用発明Ａとの対比 （ア）本願発明１の「『半導体基板上の一部に』、『パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法』」と、引用発明Ａの「『絶縁膜形成用インクを用いた絶縁膜の製造方法であって、前記絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する工程と、基板上に塗布された絶縁膜形成用インクを熱処理することにより、酸化物絶縁膜に転換する工程と、を有し』、『絶縁膜の用途としては、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜等として用いることができる、絶縁膜の製造方法』」とを対比する。 （イ）引用発明Ａにおいて、「絶縁膜の用途としては、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜等として用いることができる」から、引用発明Ａの「絶縁膜形成用インク」の組成物は、本願発明１の「パッシベーション層形成用組成物」に相当する。 したがって、本願発明１の「『半導体基板上の一部に』、『パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程』」と、引用発明Ａの「前記絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する工程」とは、「基板上に、パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程」である点で共通する。 （ウ）上記「第５」「５（１）ウ」のとおり、引用文献Ａの段落【００６３】には、「以上の工程により、本実施の形態における絶縁膜を作製する」と記載されているところ、引用発明Ａの「酸化物絶縁膜」は、当該作製された「絶縁膜」であり、引用発明Ａにおいて、当該「絶縁膜」の用途としては、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜等として用いることができるものである。 したがって、本願発明１の「前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付半導体基板の製造方法」と、引用発明Ａの「『基板上に塗布された絶縁膜形成用インクを熱処理することにより、酸化物絶縁膜に転換する工程』と、を有し、『絶縁膜の用途としては、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜等として用いることができる、絶縁膜の製造方法』は、「前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付基板の製造方法」である点で共通する。 （エ）以上をまとめると、本願発明１と引用発明Ａとの、一致点、相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基板上に、パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、を有するパッシベーション層付基板の製造方法。」 ＜相違点Ａ－１＞ 組成物層を形成する工程について、本願発明１は、「半導体基板上の一部」に付与して形成する「パッシベーション層付半導体基板の製造方法」であるのに対し、引用発明Ａでは、絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する工程について、基板が「半導体基板」であること及びその上の「一部」に付与して形成することは特定されていない点。 ＜相違点Ａ－２＞ パッシベーション層形成用組成物について、本願発明１は、「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と、下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」（審決注：一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）は略）と、を含むのに対し、引用発明Ａでは、絶縁膜形成用インクについて、「前記金属の金属有機酸塩および有機金属錯体の少なくとも一つを、含み、前記有機金属錯体は、一例として、アルミニウムジ(ｓ－ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート、等を用いることが出来」るものの、そのような特定はなされていない点。 イ　本願発明１と引用発明Ａとの相違点についての判断 （ア）事案に鑑み、まず、本願発明１と引用発明Ａとの相違点Ａ－２について検討する。 ａ　引用発明Ａにおいて、「前記絶縁膜形成用インクに使用される溶媒は、前記金属原料化合物を安定に溶解若しくは分散することが可能な溶媒の一例として、トルエン、等を用いることが出来」るものであり、「絶縁膜形成用インク」について、「前記金属の金属有機酸塩および有機金属錯体」以外の他の有機化合物を含むことは特定されていない。 ｂ　一方、「引用文献４（当審注：原査定の引用文献Ｅ）に記載の技術」は、上記「第５」「４（２）」に記載したとおりであり、また、上記「第６」「１（１）イ（ア）ｂ」で検討したように、引用文献４に開示の無機粒子含有組成物溶液は、「構造式（１）で表されるイソボルニルシクロヘキサノール」や「テルソルブＭＴＰＨ」と、溶剤と、誘電体用ガラスフリット（ＺｎＯ－Ｂ２ Ｏ３ －ＳｉＯ２ －Ａｌ２ Ｏ３ 系ガラスフリット）とを含む溶液であり、有機アルミニウム化合物を含まない。 ｃ　上記ａで検討したように、引用発明Ａにおいて、「絶縁膜形成用インク」が他の有機化合物を含むことは特定されていないから、上記「第６」「１（１）イ（ア）ｂ」で検討したような、「引用文献４に記載の技術」における、スクリーン印刷、ダイコーティング等の塗布方法によってガラス基板上に塗布した有機高分子バインダが分解中に炭化して残存するなどの問題を生じさせるものではなく、当該「絶縁膜形成用インク」を、引用文献Ｅに記載の技術的事項に基づき、「テルペン骨格を有する有機化合物（Ａ１）」を含むものとする動機付けはない。 したがって、引用発明Ａにおいて、引用文献Ｅに記載の技術的事項に基づき、当該「絶縁膜形成用インク」を、「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含むものとすることが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 ｄ　また、上記「第５」「６（１）」のとおり、引用文献Ｂには、金属酸化膜とその形成方法及び金属酸化膜を用いた光学電子デバイスに関し、金属酸化膜 2, 2Aの一例としてのガラス膜、中でもSiO２膜の形成方法についての説明で、有機金属化合物の一例として TEOSを用い、有機溶剤の一例としてのイソボルニルシクロへキサノール（本願発明１の一般式（ＩＩ）で表される有機化合物に相当。）とエタノールを混合したものを用いる旨（段落[0086]）、及びSiO２膜に関してのみ記述したが、他の金属酸化膜、例えば、A1OＸ、などの金属酸化膜に適用することが可能である旨（段落[0111]）、並びにには、有機金属化合物は、例えば、アルミニウムイソプロポキシド（本願発明１の一般式（Ｉ）のｎが０の場合の有機アルミニウム化合物に相当。）などを用いてもよい旨（段落[0112]）が記載されている。 しかしながら、引用文献Ｂには、アルミニウムイソプロポキシドを用いた場合に、有機溶剤として、イソボルニルシクロヘキサノールを用いることは記載も示唆もされていない。 ｅ　したがって、引用発明Ａにおいて、「絶縁膜の用途としては、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜等として用いることができる、絶縁膜」として、用途を「パッシベーション膜」とし、さらに、「前記絶縁膜形成用インクは、前記金属の金属有機酸塩および有機金属錯体の少なくとも一つを、含み、前記有機金属錯体は、一例として、アルミニウムジ(ｓ－ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート、等を用いることが出来、前記絶縁膜形成用インクに使用される溶媒は、前記金属原料化合物を安定に溶解若しくは分散することが可能な溶媒の一例として、トルエン、等を用いることが出来」る「絶縁膜形成用インク」を、引用文献Ｂに記載の技術的事項に基づき、アルミニウムイソプロポキシドと、イソボルニルシクロヘキサノールと、を含むものとする動機付けはない。 よって、引用発明Ａにおいて、引用文献Ｂに記載の技術的事項に基づき、当該「絶縁膜形成用インク」を、「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と、下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」と、を含むものとすることが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 ｆ　また、上記「第５」「１」及び「第６」「１（１）ア（ウ）」の＜相違点１－２＞から明らかなように、引用文献１（当審注：原査定の引用文献Ｃ）には、本願発明１の「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含む組成物は記載も示唆もされていない。 そして、上記「第５」「２」及び「第６」「１（２）ア（ウ）」の＜相違点２－２＞から明らかなように、引用文献２（当審注：原査定の引用文献Ｄ）には、本願発明１の「下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」を含む組成物は記載も示唆もされていない。 したがって、引用文献Ｃ、Ｄを参照したとしても、引用発明Ａにおいて、「絶縁膜形成用インク」を、「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と、下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」と、を含むものとすることが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 ｇ　以上のとおりであるから、引用文献Ｂ～Ｅを参照したとしても、引用発明Ａにおいて、相違点Ａ－２に係る本願発明１の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 （イ）よって、相違点Ａ－１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明Ａ及び引用文献Ｂ～Ｅに記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３　本願発明２～４について 本願発明２～４は、本願発明１を減縮した発明であるから、本願発明１について検討したのと同じ理由により、引用発明Ａ及び引用文献Ｂ～Ｅに記載の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４　本願発明５について （１）引用発明Ａとの対比・判断 ア　本願発明５と引用発明Ａとの対比 （ア）本願発明５と引用発明Ａとを対比すると、上記「２（１）ア（ア）～（ウ）」と同じことがいえる。 （イ）本願発明５の「太陽電池素子の製造方法」と引用発明Ａの「絶縁膜の製造方法」とは、「基板上に層を形成する製造方法」である点で共通する。 （ウ）したがって、本願発明５と引用発明Ａとの、一致点、相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基板に、パッシベーション層形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と、 前記組成物層を熱処理して、パッシベーション層を形成する工程と、 を有する基板上に層を形成する製造方法。」 ＜相違点Ａ－Ａ＞ 基板に組成物層を形成する工程について、本願発明５は、「半導体基板の、前記電極を有する面」の「一部」に、付与して形成するのに対し、引用発明Ａでは、「絶縁膜形成用インクを基板上に塗布する工程」について、基板が「半導体基板」であること及びその「一部」に付与して形成することは特定されていない点。 ＜相違点Ａ－Ｂ＞ パッシベーション層形成用組成物について、本願発明５は、「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と、下記一般式（ＩＩ）で表される有機化合物」審決注：一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）は略）と、を含むのに対し、引用発明Ａでは、絶縁膜形成用インクについて、「前記金属の金属有機酸塩および有機金属錯体の少なくとも一つを、含み、前記有機金属錯体は、一例として、アルミニウムジ(ｓ－ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート、等を用いることが出来」るものの、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点Ａ－Ｃ＞ 本願発明５は、「太陽電池素子の製造方法」であるのに対し、引用発明Ａは、「絶縁膜の製造方法」である点。 ＜相違点Ａ－Ｄ＞ 基板について、本願発明５は、「ｐ型層及びｎ型層が接合されてなるｐｎ接合を有し、前記ｐ型層及び前記ｎ型層からなる群より選択される１以上の層上に電極を有する半導体基板」であるのに対し、引用発明Ａは、基板についてそのような特定はなされていない点。 イ　本願発明５と引用発明Ａとの相違点についての判断 （ア）事案に鑑み、まず、本願発明５と引用発明Ａとの相違点Ａ－Ｂについて検討する。 相違点Ａ－Ｂは上記「２（１）ア（エ）」の相違点Ａ－２と同じであるから、上記「２（１）イ（ア）」で相違点Ａ－２について検討したのと同じ理由により、引用文献Ｂ～Ｅを参照したとしても、引用発明Ａにおいて、相違点Ａ－Ｂに係る本願発明５の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たということはできない。 （イ）よって、相違点Ａ－Ａ、Ａ－Ｃ、Ａ－Ｄについて検討するまでもなく、本願発明５は、引用発明Ａ及び引用文献Ｂ～Ｅに記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４　本願発明６～８について 本願発明６～８は、本願発明５を減縮した発明であるから、本願発明５について検討したのと同じ理由により、引用発明Ａ及び引用文献Ｂ～Ｅに記載の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５　原査定についてのまとめ したがって、本願発明１～８は、原査定における引用文献Ａ～Ｅに記載された発明に基いて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 よって、原査定を維持することはできない。 第８　当審拒絶理由について １　理由１（新規性）について 理由１は、平成３０年１２月３日付け手続補正書による補正の前の請求項５についてのみ通知されているところ、当該補正により、請求項５は削除された。 したがって、当審拒絶理由の理由１は解消した。 ２　理由２（進歩性）について 本願発明１～８は、上記「第６」で検討したとおり、引用発明１または引用発明２及び引用文献３、４に記載の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって、当審拒絶理由の理由２は解消した。 ３　理由３（明確性）について 理由３は、平成３０年１２月３日付け手続補正書による補正の前の請求項５、７、９についてのみ通知されているところ、当該補正により、請求項５、７、９は削除された。 したがって、当審拒絶理由の理由３は解消した。 ４　理由４（先願）について 理由４は、平成３０年１２月３日付け手続補正書による補正の前の請求項４～９についてのみ通知されているところ、当該補正により、請求項４、５、７、９は削除された。 当該補正の前の請求項６及び請求項８は、当該補正により、それぞれ上記「第４」の本願発明１及び本願発明５とされた。 そして、本願発明１及び本願発明５は、いずれも、上記「同日出願１」に係る発明と同一とは認められない。 したがって、当審拒絶理由の理由４は解消した。 第９　むすび 以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。