2017-011329

特願２０１５－　９３１８０「半導体ウェーハをプラズマ・ダイシングする方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　８日出願公開，特開２０１５－１７９８５１〕について，次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は，成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，２０１２年３月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年３月１４日，アメリカ合衆国，２０１２年３月５日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願（以下「原出願」という。）である特願２０１３－５５８０８９号の一部を平成２７年４月３０日に新たな特許出願とした特願２０１５－９３１８０号であり，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 平成２７年　４月３０日　　：上申書 平成２８年　７月　７日付け：拒絶理由通知 平成２８年１０月１２日　　：意見書 平成２８年１０月１２日　　：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。） 平成２９年　３月２８日付け：拒絶査定 平成２９年　７月３１日　　：審判請求 平成２９年　９月２１日　　：手続補正書（方式） 平成３０年　９月　６日付け：最後の拒絶理由通知 なお，当審において通知した拒絶理由に対して，請求人からは何らの応答もなかったものである。 第２　本願発明 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。 「【請求項１】 基板をプラズマ・ダイシングする方法であって， 壁を有する処理チャンバを供給するステップと， 前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を供給するステップであって，前記プラズマ源は前記処理チャンバ内でプラズマを生成するステップと， 前記処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップと， 上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって，前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有しているステップと， 加工物を形成するために前記基板の前記底面をフレーム上の支持フィルム上に配置するステップと， 前記プラズマ源と前記加工物の間にスクリーンを供給するステップであって，前記スクリーンは前記基板上へのイオン衝撃を低減させ，前記スクリーンは前記基板の加熱を低減させるステップと， 前記プラズマ源によってプラズマを生成するステップと， 前記プラズマ源の下方に配置され，かつ前記加工物の上方に配置された前記スクリーンを用いて，前記プラズマ源で生成されたプラズマによって，前記処理チャンバ内にある前記加工物の前記基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングするステップとを含む方法。」 第３　拒絶の理由 平成３０年９月６日付けで当審が通知した最後の拒絶理由は，次のとおりのものである。 本願の請求項１－５に係る発明は，本願の原出願の優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１－４に記載された発明に基づいて，その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。 １．国際公開０３／０７１５９１号 ２．特開２００３－１０９９４２号公報 ３．特開２００５－２６０１９５号公報 ４．特開平９－２８９１９３号公報 第４　引用文献の記載及び引用発明 １　引用文献１の記載 （１）引用文献１には，図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。） 「請求の範囲 １．ストリートによって区画された多数の領域に回路が形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって， 少なくとも該半導体ウェーハの回路面をマスキング部材でマスキングするマスキング工程と， 該ストリートの上部を被覆しているマスキング部材をレーザ一光線の照射により除去するマスキング部材除去工程と， 該ストリートの上部を被覆しているマスキング部材が除去された半導体ウェーハに化学的エッチングを施し該ス卜リートを浸食して個々の半導体チップに分割する化学的エッチング処理工程と から少なくとも構成される半導体ウェーハの分割方法。」（請求の範囲） 「マスキング工程においては，例えば第２図に示すスピンコータ１０を用いて半導体ウェーハＷの表面にマスキング部材を形成する。スピンコータ１０においては，半導体ウェーハＷが保持される保持テーブル１１は駆動部１２に駆動されて回転可能となっており，リング状のフレームＦの開口部を塞ぐように裏側から貼着されたテープＴの粘着面に半導体ウェーハＷの裏面が貼着されることによりテープＴを介してフレームＦと一体となった半導体ウェーハＷが，回路面を上にして保持テーブル１１に保持される。 そして，保持テーブル１１を高速回転させながら滴下部１３からレジストポリマー１４を半導体ウェーハＷの回路面に滴下することにより，第１図Ａに示したように，回路面の一面にマスキング部材１５がマスキングされる（マスキング工程）。・・・ 次にマスキング部材除去工程において，マスキング工程で被覆したマスキング部材１５のうち，半導体ウェーハＷの回路面に形成されたストリートの上部を被覆している部分のみを除去する。 ・・・ すべての半導体ウェーハについてマスキング部材除去工程が終了すると，カセット２１ごと次の化学的エッチング工程に搬送される。化学的エッチング工程においては，例えば第４図に示すドライエッチング装置３０を使用する。 第４図に示すドライエッチング装置３０は，レーザー加工装置２０から搬送されてきたカセット２１からの半導体ウェーハＷの搬出及び化学的エッチング工程終了後の半導体ウェーハＷのカセット２１への搬入を行う搬出入手段３１と，搬出入手段３１によって搬出入される半導体ウェーハＷが収容される搬出入チャンバー３２と，ドライエッチングを行う処理チャンバー３３と，エッチングガスを処理チャンバー３３内に供給するガス供給部３４とから概ね構成される。 マスキング部材除去工程が終了した半導体ウェーハＷは，搬出入手段３１によってカセット２１から搬出される。そして，搬出入チャンバー３２に備えた第一のゲート３５が開き，図５に示す搬出入チャンバー３２内に位置付けられた保持部３６に半導体ウェーハＷが載置される。 第５図に示すように，搬出入チャンバー３２と処理チャンバー３３とは第二のゲート３７によって遮断されているが，第二のゲート３７を開いたときは，保持部３６が搬出入チャンバー３２の内部と処理チャンバー３３の内部との間を移動可能となっている。 第６図に示すように，処理チャンバー３３には，高周波電源及び同調機３８に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極３９が上下方向に対峙して配設されており，本実施の形態においては片方の高周波電極３９が保持部３６を兼ねた構成となっている。また保持部３６には，保持された半導体ウェーハを冷却する冷却部４０を設けている。 ・・・ マスキング部材除去工程が終了した半導体ウェーハＷをドライエッチングする際は，搬出入チャンバー３２に設けた第一のゲート３５を開け，搬出入手段３１が半導体ウェーハＷを保持して第５図における矢印の方向に移動することにより，搬出入チャンバー３２内に位置付けられた保持部３６に半導体ウェーハＷが，表面を上にして載置される。そして，第一のゲート３５を閉じ，搬出入チャンバー３２内を真空にする。 次に，第二のゲート３７を開いて保持部３６が処理チャンバー３３内に移動することにより，半導体ウェーハＷが処理チャンバー３３内に収容される。処理チャンバー３３内には，ポンプ４２によってエッチングガス，例えば希薄なフッ素系ガスを供給すると共に，高周波電源及び同調器３８から高周波電極３９に高周波電圧を供給することにより，半導体ウェーハＷの表面をプラズマによりドライエッチングする。このとき，冷却部４０には冷却水循環器４３によって冷却水が供給される。 このようにしてドライエッチングが行われると，半導体ウェーハＷの表面のうち，ストリートの上部に被覆されていたマスキング部材は，マスキング部材除去工程において除去されているが，その他の部分はマスキング部材で覆われているため，ストリートのみがエッチング処理により浸食され，第１図Ｃに示すように，個々の半導体チップＣに分割される（化学的エッチング処理工程）。 ・・・ このようにして形成された個々の半導体チップＣは，回転ブレードを用いて切削により分割されたものではないため，欠けやストレスがない高品質なものとなる。特に，厚さが５０μｍ以下のような薄い半導体ウェーハの場合は，切削して分割する方法によると欠けやストレスが生じやすいので，本発明を利用すると特に効果的である。 また，半導体ウェーハＷが，半導体基板の上に極薄の層間絶縁膜が複数積層された多層構造の半導体ウェーハである場合には，レーザー光線を用いることにより，切削時のような衝撃力が層間絶縁膜に加わることがないため，層間絶縁膜が雲母のように剥がれ落ちるおそれもない。 また，ドライエッチング処理は，半導体ウェーハの厚さが厚くなるほど時間がかかることになるが，厚さが５０μｍ以下のような薄い半導体ウェーハであれば，ドライエッチング処理にそれほどの時間を要さないため，生産性を確保することができ，この点においても本発明は有用である。 なお，エッチング処理では除去できないパターン等の被覆層がストリートに形成されている場合には，レジスト膜除去工程においてレーザー光線をその被覆層に照射すれば，その被覆層を除去することができるため，そのようなパターンが形成された半導体ウェーハもエッチングによって分割することができる。」（明細書第５ページ第１８行－第１０ページ第８行） （２）　したがって，上記記載から，引用文献１には，引用文献１の請求の範囲の「１．」に記載された発明の実施例である以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「少なくとも半導体ウェーハの回路面をマスキング部材でマスキングするマスキング工程と， ストリートの上部を被覆しているマスキング部材をレーザー光線の照射により除去するマスキング部材除去工程と， 該ストリートの上部を被覆しているマスキング部材が除去された半導体ウェーハに化学的エッチングを施し該ストリートを浸食して個々の半導体チップに分割する化学的エッチング処理工程と から少なくとも構成される，ストリートによって区画された多数の領域に回路が形成された半導体ウェーハを個々の回路ごとの半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって， 前記半導体ウェーハは，リング状のフレームの開口部を塞ぐように裏側から貼着されたテープの粘着面に半導体ウェーハの裏面が貼着されることによりテープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハであり， 前記マスキング部材は，回路面の一面にマスキングされ，その後，マスキング部材除去工程において，マスキング工程で被覆したマスキング部材のうち，半導体ウェーハの回路面に形成されたストリートの上部を被覆している部分のみを除去したものであり， 前記化学的エッチング処理工程は，搬出入チャンバーと，ドライエッチングを行う処理チャンバーと，エッチングガスを処理チャンバー内に供給するガス供給部とを含むドライエッチング装置を使用するものであって，前記処理チャンバーには，高周波電源及び同調機に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極が上下方向に対峙して配設されており，片方の高周波電極が，保持された半導体ウェーハを保持する保持部を兼ねた構成となっており， 前記搬出入チャンバー内に位置付けられた保持部に半導体ウェーハが，表面を上にして載置され，第一のゲートを閉じ，搬出入チャンバー内が真空にされ，次に，第二のゲートを開いて保持部が処理チャンバー内に移動することにより，半導体ウェーハが処理チャンバー内に収容されるものであり， このようにしてドライエッチングが行われると，半導体ウェーハの表面のうち，ストリートの上部に被覆されていたマスキング部材は，マスキング部材除去工程において除去されているが，その他の部分はマスキング部材で覆われているため，ストリートのみがエッチング処理により浸食され，個々の半導体チップに分割される半導体ウェーハの分割方法。」 ２　引用文献２の記載 （１）引用文献２には，図面とともに以下の事項が記載されている。 「【請求項１】　所定のガスからコリメートされた１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下の中性粒子ビームを生成し， 前記中性粒子ビームを被処理物に照射して該被処理物の表面をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 ・・・ 【請求項５】　オリフィスが形成されたオリフィス板を介して前記コリメートされた中性粒子ビームを生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のエッチング方法。 ・・・ 【請求項９】　被処理物を保持する保持部と， 真空チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と， 前記被処理物と前記プラズマ生成部との間に配置されたオリフィス電極と， 前記真空チャンバ内に前記オリフィス電極に対して上流側に配置された電極と， 前記オリフィス電極と前記電極との間に電圧を印加することで，前記プラズマ生成部により生成されたプラズマからイオンを加速して前記オリフィス電極に形成されたオリフィスを通過させる電圧印加部とを備え， 前記オリフィスを通過して生成されたコリメートされた中性粒子ビームのエネルギーを１０ｅＶ以上５０ｅＶ以下にしたことを特徴とするエッチング装置。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は，半導体素子の製造等の微細加工に好適なエッチング方法及びエッチング装置に係り，特にプラズマ中に生成した正イオン又は負イオンを中性化した中性粒子ビームを用いて被処理物を加工するエッチング方法及びエッチング装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年，半導体集積回路やマイクロマシーンなどの分野において，その加工パターンが著しく微細化され，高精度の加工が要求される。また，高アスペクト比の加工が要求される。かかる分野の加工においては，プラズマを用いたエッチング装置が広く採用されている。 【０００３】このようなプラズマを用いたエッチング装置としては，正イオン，ラジカル粒子等を生成するＲＩＥ装置（リアクティブイオンエッチング装置）が知られている。このような正イオン，ラジカル粒子等を被処理物に照射することで，被処理物をエッチングすることができる。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ＲＩＥ装置を用いたエッチング加工における最大の問題は，高精度と高選択比を両立できないこととチャージアップによるエッチング形状異常である。ここで，選択比とは，エッチングにおいて，マスクや下地材料に対する被加工物のエッチング深さの比率をいう。即ち，被加工物がｘ（μｍ）削られるとき，被加工物を保護しているマスクがｙ（μｍ）削られる場合には，選択比ｓは， ｓ＝ｘ／ｙ で表される。この選択比が大きい程，マスクの損傷が少ないので，高アスペクト比のエッチングが可能となる。しかし，一般に選択比を高めるために，マスクや下地材料には堆積するが，被加工物をエッチングするようなガスの組合せが選択され，また，ラジカルが堆積して側壁保護膜も形成される。過剰に側壁保護膜が形成されると加工形状がテーパ状になり，寸法精度が劣化してしまう。ガスとしてＣｌ２にＯ２を添加したときのＳｉ／ＳｉＯ２の選択比は，せいぜい１００程度となっており，他の材料に比べると高い組合せであるが，０．１μｍ以下のデバイスでは３００以上の選択の高選択比，高精度化が要望されている。特に，下地ゲート酸化膜に対する高選択比と素子分離段差部での無残渣を同時に達成することが今後の課題とされている。 【０００５】また，エッチング形状異常は，電子と正イオンの挙動の違いにより生じる。つまり，ノッチングは，微細なラインとスペースパターンのストライプの外面に面したラインの内側に発生する。低エネルギーのイオンでエッチングする際，微細パターン内部では，電子は基板の負のセルフバイアス電位で減速され，レジスト付近に捕捉されるが，イオンは加速されて下地の酸化膜まで達し，正にチャージアップする。一方，外周囲は電子もイオンも等量が入ってくるので中和されている。このため，微細パターンの内部と外部との間に電位差が発生し，イオンの軌道が曲がるためにノッチングが生じる。 【０００６】本発明は，このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので，被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく，微細パターンに対して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供することを目的とする。」 「【００２２】 【発明の実施の形態】以下，本発明に係るエッチング装置の一実施形態について図１及び図２を参照して詳細に説明する。図１は，本発明の一実施形態におけるエッチング装置の全体構成を示す図である。 【００２３】図１に示すように，エッチング装置は，中性粒子ビームを生成するビーム生成室１と，半導体基板，ガラス，有機物，セラミックなどの被処理物Ｘが配置される処理室２とを有する円筒状の真空チャンバ３を備えている。この真空チャンバ３は，ビーム生成室１側が石英ガラス又はセラミックなどにより構成され，処理室２側が金属製のメタルチャンバなどにより構成されている。 【００２４】ビーム生成室１の外周には誘導結合型のコイル１０が配置されている。このコイル１０は，例えば水冷パイプのコイルであり，８ｍｍφ程度の外径を有するコイルが２ターン程度ビーム生成室１に巻回されている。このコイル１０は高周波電源２０に接続されており，例えば，１３．５６ＭＨｚの高周波電圧がコイル１０に印加される。これらのコイル１０と高周波電源２０とによってプラズマ生成部が構成されている。コイル１０に高周波電流を流すことで誘導磁場を生じさせ，磁界の時間変化が電界を誘導し，その電界で電子が加速されてプラズマ３０が生成される。 【００２５】ビーム生成室１の上部には，ガスを導入するガス導入ポート１１が設けられており，このガス導入ポート１１はガス供給配管１２を介してガス供給源１３に接続されている。このガス供給源１３からはＳＦ６，ＣＨＦ３，ＣＦ４，Ｃｌ２，Ａｒ，Ｏ２，Ｎ２，Ｃ４Ｆ８等などのガスが真空チャンバ３内に供給される。 【００２６】処理室２には，被処理物Ｘを保持する保持部２１が配置されており，この保持部２１の上面に被処理物Ｘが載置されている。処理室２にはガスを排出するためのガス排出ポート２２が設けられており，このガス排出ポート２２はガス排出配管２３を介して真空ポンプ２４に接続されている。この真空ポンプ２４によって処理室２は所定の圧力に維持される。 【００２７】ビーム生成室１の下端には，グラファイトなどの導電体で形成されたオリフィス板（オリフィス電極）４が配置されており，このオリフィス電極４は直流電源２５に接続されている。図２（ａ）は，オリフィス電極４の斜視図，図２（ｂ）は部分縦断面図である。図２（ａ）に示すように，オリフィス電極４には多数のオリフィス４ａが形成されている。典型的なオリフィス電極４は，オリフィス径１ｍｍ，オリフィス長１０ｍｍ，ピッチ１．４ｍｍ間隔で多数のオリフィス４ａを配列している。このように，オリフィス電極４によってビーム生成室１と処理室２とを仕切ることができるので，真空ポンプ２４によって処理室２の圧力をビーム生成室１の圧力よりも低くすることが可能となる。 【００２８】また，ビーム生成室１の上端には，同様に導電体で形成された薄板グリッド状のグリッド電極５が配置されている。このグリッド電極５は直流電源２６に接続されている。なお，グリッド電極５はメッシュ網やパンチングメタルなどであってもよく，あるいは穴のない金属板であってもよい。上述した直流電源２５と直流電源２６とによって，オリフィス電極４とグリッド電極５との間に電圧を印加する電圧印加部が構成されている。」 （２）したがって，上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されていると認められる。 ・近年，半導体集積回路やマイクロマシーンなどの分野において，その加工パターンが著しく微細化され，高精度の加工が要求され，また，高アスペクト比の加工が要求されており，かかる分野の加工においては，正イオン，ラジカル粒子等を生成するＲＩＥ装置（リアクティブイオンエッチング装置）が広く採用されていること。 ・このようなＲＩＥ装置を用いたエッチング加工には，高精度と高選択比を両立できないこととチャージアップによるエッチング形状異常という問題があること。 ・中性粒子ビームを生成するビーム生成室と，半導体基板，ガラス，有機物，セラミックなどの被処理物Ｘが配置される処理室とを有する円筒状の真空チャンバを備えているエッチング装置であって， 前記ビーム生成室は，その外周には誘導結合型のコイルが配置されており，これらのコイルと高周波電源とによってプラズマ生成部が構成され，前記コイルに高周波電流を流すことで誘導磁場を生じさせ，磁界の時間変化が電界を誘導し，その電界で電子が加速されてプラズマを生成するものであり， 前記ビーム生成室の下端には，グラファイトなどの導電体で形成されたオリフィス板（オリフィス電極）が配置されており，このオリフィス電極は直流電源に接続されているエッチング装置を用いることによって，前記問題が解決されること。 ３　引用文献３の記載 （１）引用文献３には，図面とともに，以下の記載がある。 「【請求項１】 Ｃｌ原子もしくはＦ原子を含むプラズマを生成するプラズマ生成室と， 前記プラズマ生成室の上流側に設けられた上流側電極と， 前記上流側電極に直流電圧を印加する直流電源と， 前記上流側電極と対向して前記プラズマ生成室の下流側に設けられ，前記プラズマからイオンを引き出す下流側電極であって，該イオンを中性化して高速中性粒子ビームを生成するアパーチャーが複数形成された下流側電極と， 前記下流側電極に高周波電力を印加する高周波電源と， 前記下流側電極の下流に設けられた処理室であって，被加工基板を保持するステージを有する処理室とを備えたことを特徴とするエッチング装置。」 「【背景技術】 【０００２】 従来より，半導体集積回路の微細加工にプラズマエッチングが広く用いられている。すなわち，反応性の高い元素を含むエッチングガスを用いて減圧下で低温プラズマを生成し，プラズマ中のラジカルやイオンによって半導体基板を加工する。プラズマ状態では，ラジカルやイオンといった活性種は非常に高いエネルギー状態であるため，液相や気相中での熱化学的反応では生じない反応が生じ，また減圧下での処理であるため，エッチング生成物は容易に揮発・脱離するために非常に効率的に基板のエッチングを行うことが可能となる。 一般に，ラジカルはプラズマ中を自由に拡散するため，ラジカルによるエッチングは等方的に進行する。一方，イオンは基板表面に生じるイオンシースの電界によって基板表面に対して垂直に入射するため，イオンによるエッチングは異方的に進行する。エッチング材料，エッチング特性及び目的により放電条件を変化させ，ラジカルとイオンの密度比を制御する必要があるが，比較的イオンによる効果が顕著になる条件でエッチングを行うことにより微細パターンの形成が可能となる。 【０００３】 しかしながら，プラズマエッチングには原理的に回避できない問題がある。 一般的に，低温プラズマ中では正電荷を有するイオンと負電荷を有する電子が多数存在し，また電子衝突による原子分子の励起・脱励起により短波長の紫外線が放射される。この紫外線の照射を受けた基板表面では，チャージアップによるゲート絶縁膜の絶縁破壊や，ゲート電極の形状異常が生じてしまう。さらに，高エネルギーのイオンや紫外線の照射により，ゲート絶縁膜中に欠陥が生じたり，ゲート絶縁膜／シリコン界面に固定電荷や界面準位が生じてしまう。さらに，紫外線の照射により基板の極表面の温度が上昇するため，レジスト材料の変質及び変形が生じてしまう。これらの現象により，半導体集積回路の製造歩留まりや信頼性が低下してしまうという問題があった。 【０００４】 これらの問題を解決するため，中性粒子ビームを用いたエッチング装置及びエッチング方法が提案されている（例えば，特許文献１参照。）。」 「【００１３】 実施の形態１． 図１は，本発明の実施の形態１によるエッチング装置を説明するための断面図である。 図１に示すエッチング装置は，Ｃｌ原子若しくはＦ原子１６を含むプラズマ１５を生成する誘導結合型（ＩＣＰ）のプラズマ生成室１と，基板６をエッチングする処理室４とを有する。 【００１４】 プラズマ生成室１の外周には，３ターンのコイル型アンテナ７が巻かれている。アンテナ７は，パルス変調放電（後述）が可能なＲＦ電源１１に接続されている。プラズマ生成室１上流側にガス導入口１７が設けられ，該導入口１７から所望の混合比率でＣｌ２とＳＦ６の混合ガス（以下「Ｃｌ２／ＳＦ６混合ガス」という。）が導入される。導入されたＣｌ２／ＳＦ６混合ガスは，上流側電極８において分岐され，シャワー状にプラズマ生成室１内に導かれる。プラズマ生成室１の上下には２つのグラファイト製の電極２，８が対向配置されている。下流側電極２によってプラズマ生成室１と処理室４とが分離されている。上流側電極８はＤＣ電源９に接続され，下流側電極２はＲＦ電源（高周波電源）１０に接続されている。ＲＦ電源１０は，周波数が数１００ｋＨｚ～数ＭＨｚの高周波電力を出力するものである。上流側電極８と下流側電極２との間に生じる電位差により，プラズマ１５中の正及び負イオン１２をドリフト及び加速可能である。下流側電極２には，プラズマ１５から引き出されたイオン１２を中性化するために，基板６に対して垂直方向に貫通する微細孔（以下「アパーチャー」という。）１３が複数形成されている。イオン１２がアパーチャー１３を通過する際，イオン１２がアパーチャー１３の内壁と浅い角度で接触して電荷交換を行うことにより中性化され，高速中性粒子ビーム５が生成する。 【００１５】 処理室４内にはステージ３が設けられ，このステージ３上に加工対象である基板６が保持される。基板６には，シリコン膜（Poly-Si膜）が形成され，その上にマスクとしてのレジストパターンが形成されている（後述）。下流側電極２のアパーチャー１３を通過することにより生成された高速中性粒子ビームが被加工基板６表面に入射する。 基板６裏面とステージ３表面との間には，１０Ｔｏｒｒ前後の圧力でヘリウムガスが供給され，温度制御されたステージ３と基板６との間で該ヘリウムガスを介して熱交換を行う。 処理室４の底部（下流側）には排気口１８が設けられ，該排気口１８はコンダクタンスバルブ１９を介して排気ポンプ（図示せず）に接続されている。プラズマ生成室１の圧力は０．５～１Ｐａ程度が好適であり，処理室４の圧力は０．０５～０．１Ｐａ程度が好適である。 【００１６】 次に，上記エッチング装置の動作について説明する。 ステージ３上に基板６を保持した後，ガス導入口１７からプラズマ生成室１内にＣｌ２／ＳＦ６混合ガスを供給する。そして，ＲＦ電源１１からコイル型アンテナ７に周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する。該高周波は，ＲＦオン時の電子密度が１×１０１１ｃｍ－３程度以上となる電力とする。これにより，上記混合ガスを解離及びイオン化してプラズマ１５を生成する。この際，ＲＦ電源１１により，ＲＦオン時間とＲＦオフ時間をそれぞれ５０μｓｅｃ前後としたパルス変調放電を行うことが好適である。パルス変調放電によりプラズマ中の電子の数を減少させて，イオンの中性化率を向上させることができる。また，パルス変調放電では，ＲＦオフ時間（パルスオフ時間）にプラズマ１５中の電子のエネルギーが数十μｓｅｃの時定数で減衰し，低エネルギーの電子がプラズマ１５中で解離したハロゲン原子１６に付着して負イオンを効率的に生成する。 【００１７】 次に，ＤＣ電源９から上流側電極８に－１００Ｖ程度の直流電圧を印加すると共に，ＲＦ電源１０から下流側電極２に数１０Ｗ～数１００Ｗ程度の高周波電力（周波数：６００ｋＨｚ）を印加する。これにより，正及び負のイオン（例えば，Ｃｌ－，Ｆ－，ＳＦ３＋，Ｃｌ２＋）イオン１２がドリフトし，上流側電極８から下流側電極２に向かってイオン１２が加速され，１００～２００ｅＶ程度の運動エネルギーでプラズマ生成室１から引き出される。引き出されたイオン１２は下流側電極２のアパーチャー１３を通過する際に中性化され，高速中性粒子ビーム１４が基板６表面に入射することにより，中性粒子ビーム１４によるエッチングが行われる。」 「【００２３】 以上説明したように，本実施の形態１では，ハロゲン元素を含むエッチングガスをプラズマ生成室１においてパルス変調放電により解離・イオン化し，上流側電極８に直流電圧を印加すると共に下流側電極２にＲＦバイアス（高周波電力）を印加することにより，高い中性化率を保ったままエネルギーと電流密度が高い高速中性粒子ビームが得られる。これにより，エッチングレート及び垂直加工性が高いエッチング装置及びエッチング方法を提供することが可能である。」 （２）したがって，上記記載から，引用文献３には，次の技術的事項が記載されていると認められる。 ・従来より，半導体集積回路の微細加工にプラズマエッチングが広く用いられているが，一般的に，低温プラズマ中では正電荷を有するイオンと負電荷を有する電子が多数存在し，また電子衝突による原子分子の励起・脱励起により短波長の紫外線が放射され，この紫外線の照射を受けた基板表面では，チャージアップによるゲート絶縁膜の絶縁破壊や，ゲート電極の形状異常が生じてしまい，さらに，高エネルギーのイオンや紫外線の照射により，ゲート絶縁膜中に欠陥が生じたり，ゲート絶縁膜／シリコン界面に固定電荷や界面準位が生じてしまうこと，さらに，紫外線の照射により基板の極表面の温度が上昇するため，レジスト材料の変質及び変形が生じてしまうことという現象により，半導体集積回路の製造歩留まりや信頼性が低下してしまうという問題があったこと。 ・前記の問題を解決するため，中性粒子ビームを用いたエッチング方法が提案されていること。 ・プラズマを生成するプラズマ生成室と， 前記プラズマ生成室の上流側に設けられた上流側電極と， 前記上流側電極に直流電圧を印加する直流電源と， 前記上流側電極と対向して前記プラズマ生成室の下流側に設けられ，前記プラズマからイオンを引き出す下流側電極であって，該イオンを中性化して高速中性粒子ビームを生成するアパーチャーが複数形成された下流側電極と， 前記下流側電極に高周波電力を印加する高周波電源と， 前記下流側電極の下流に設けられた処理室であって，被加工基板を保持するステージを有する処理室とを備えたことを特徴とするエッチング装置であって， 前記プラズマ生成室の外周には，３ターンのコイル型アンテナが巻かれており， 前記下流側電極によってプラズマ生成室と処理室とが分離されており， 前記下流側電極には，プラズマから引き出されたイオンを中性化するために，基板に対して垂直方向に貫通する微細孔（以下「アパーチャー」という。）が複数形成されている， エッチング装置を用いて， 引き出されたイオンを，下流側電極のアパーチャーを通過する際に中性化し，高速中性粒子ビームを，基板表面に入射することにより，中性粒子ビームによるエッチングを行うことによって， エッチングレート及び垂直加工性が高いエッチング方法が提供されること。 ４　引用文献４の記載 （１）引用文献４には，図面とともに，以下の記載がある。 「【請求項１２】　導入された気体からプラズマを生成するプラズマ生成工程と， 生成されたプラズマをプラズマの解離度を低下させつつ輸送するプラズマ輸送工程と 輸送されてきたプラズマにより被処理物に対して所定の処理を行なうプラズマ処理工程とを備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。」 「【従来の技術】近年，プラズマ応用技術は半導体をはじめとする基幹産業において広く使用されている。特に，プラズマを利用して行なう，ドライエッチングによる微細加工，薄膜形成又は表面改質処理等のプロセス技術は，半導体デバイス製造上のキーテクノロジーとなっている。 【０００３】従来，プラズマを用いるプロセス技術を実現する装置としては，平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching) 装置に代表される容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively coupled Plasma ）装置，平行平板型ＲＩＥ装置に磁場を加えＥ×Ｂドリフトによる電子加速を利用するＭＥＲＩＥ（Magnetron Enhanced RIE）装置，及び平行平板型ＲＩＥ装置の２つの平行平板電極間に第３の電極を設けたトライオードＲＩＥ装置等が知られている。 【０００４】これらの装置は数Ｐａ以上の圧力領域で使用されている。また，数１０Ｐａ以下の低圧力領域においてはＥＣＲ（Electron Cycrotron Resonanc)を利用したＥＣＲプラズマ装置が使用されている。また，実際の半導体のプロセス技術には適用されてはいないが，荷電粒子ビーム励起又はレーザ等の光励起を利用したプラズマ装置や，ホロー電極を用いたプラズマ装置等も知られている。さらに，近年では，数Ｐａ以下の定圧領域において容易に高密度且つ高解離なプラズマが生成可能な誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma) 装置，誘導結合プラズマ生成手段に磁場印加を組み合わせた有磁場誘導結合プラズマ装置，１／４波長アンテナ又は１／２波長アンテナ等のアンテナによる高周波輻射を用いる輻射アンテナプラズマ装置，高周波回転磁界による電子加速を利用するプラズマ装置，ランダウ減衰による電子加速機構を利用したヘリコン波プラズマ（ＨＥＷ：Helicon Wave Plasma)装置，表面波プラズマやスロットアンテナを利用したＥＣＲプラズマ装置等が開発されている。」 「【００１３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記従来のプラズマ処理装置及び処理方法においては，プラズマ処理に用いられるプラズマの解離度は，プラズマ生成手段におけるプラズマ源（結合方式：ＩＣＰ，ＥＣＲ，ＨＷＰ等）により略決まってしまい自由に変えることは困難である。特に最近の高密度プラズマを発生するプラズマ源により生成されるプラズマは解離度が高く，プラズマ処理に適しない場合があるという問題がある。 【００１４】そこで，プラズマの解離度を低下させるために，プラズマ源に印加する高周波電力を小さくすることが考えられるが，高密度プラズマを発生するプラズマ源においては，印加電力を小さくするとプラズマ密度が急激に低下してしまい，所望密度のプラズマを得ることは困難である。従って，プラズマ源に印加する高周波電力を小さくする方法は，生成されるプラズマの解離度を制御性良く安定に低下させる目的には適しない。 【００１５】プラズマの解離度が適切でないと，プラズマの組成，例えば，プラズマ中に生成されるラジカル（活性種）及びイオンの種類と量，各種ラジカルの生成比，各種イオンの生成比，ラジカルとイオンとの生成比，並びにラジカル，イオン及び電子の生成密度又は生成密度比等を適切にすることができない。 【００１６】もっとも，導入するガスの種類又は導入流量比を制御することにより，プラズマの組成を変える方法は従来より行なわれてきたが，これらの方法は，あくまでもプラズマの解離度が決定された上でプラズマ組成を制御することを目的とするものであって，プラズマの解離度が制御できないときに，導入するガスの種類又は導入流量比を制御しても，プラズマ組成を制御できる範囲は狭いものになってしまう。 【００１７】以上説明したように，プラズマの解離度が制御できない場合，被処理物に供給される，ラジカル及びイオンの種類，並びにラジカル，イオン，電子の量及び比率を制御することは極めて困難である。このため，プラズマエッチング，プラズマＣＶＤ，プラズマ表面処理等のプラズマ処理の制御は非常に難しいという第１の問題がある。 【００１８】従来のプラズマ処理装置によるプラズマ処理において，プロセス条件の安定領域又は適用可能範囲は極めて狭い。特に，ドライエッチングの場合，イオンアシストエッチングという反応機構を主に利用して異方性形状の微細パターンの形成を行なっている。イオンアシストエッチングとは，被処理物の被エッチング表面にプラズマ等により生成されたラジカルを吸着させた後，ラジカルが吸着した被エッチング表面に，プラズマシース領域で加速され運動エネルギー（以下，イオンエネルギーと略す。）を得たイオンを飛来させて非弾性衝突を行なわせ，この非弾性衝突により失われた熱エネルギーにより，被エッチング表面に吸着していたラジカル，飛来したイオン又はこれらが分解した原子若しくは分子が被エッチング表面の原子と反応し，反応生成物が脱離して除去されることにより進行する反応を利用したエッチング技術である。このイオンアシストエッチングを制御するためには，被エッチング表面にプラズマから供給されるラジカルやイオンの種類若しくは量，ラジカルとイオンとのバランス及びイオンエネルギーを制御する必要がある。 【００１９】被エッチング表面にプラズマから供給されるラジカルやイオンの種類，量及びバランスは，プラズマ密度，プラズマの解離度及び導入ガスの種類若しくは量等により概ね決定され，イオンエネルギーは，被処理物が保持される試料台（下部電極）に印加されるＲＦバイアスとしての高周波電力の供給電力により決定される。 【００２０】しかしながら，従来のプラズマ処理装置においては，プラズマ源に供給される高周波電力とＲＦバイアスとして供給される高周波電力とが相互作用するので，プラズマの解離度とイオンエネルギーとを互いに独立して制御できないという第２の問題がある。 【００２１】例えば，図１４に示す従来のプラズマ処理装置の場合，プラズマから供給されるラジカルやイオンの種類，量，及びラジカルとイオンとのバランスを制御するべく，第２の高周波電源１１０から供給される電力によりプラズマの生成条件を制御すると，他のプラズマパラメータが大きく影響を受け，イオンの運動エネルギーも変化してしまう。逆に，イオンの運動エネルギーを制御するべく，第１の高周波電源１０６からＲＦバイアスとして供給される高周波電力によりプラズマの生成条件を制御すると，やはり他のプラズマパラメータが大きく影響を受け，プラズマから供給されるラジカルやイオンの種類，量及びラジカルとイオンとのバランスが変化してしまう。 【００２２】前記に鑑み，本発明は，プラズマ処理に用いられるプラズマの解離度を制御することを第１の目的とし，プラズマの解離度とイオンエネルギーとを独立して制御できるようにすることを第２の目的とする。」 「【００５４】 【発明の実施の形態】以下，本発明の各実施形態に係るプラズマ発生装置及びその方法，並びにプラズマ処理装置及びその方法について，図面を参照しながら説明する。 【００５５】（第１の実施形態）図１は，本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示しており，図１において，１１はプラズマを生成するプラズマ生成室，１２はプラズマによって試料に所定の処理を行なうプラズマ処理室であって，プラズマ生成室１１及びプラズマ処理室は安全のためにアース電位に固定されている。プラズマ生成室１１及びプラズマ処理室１２は，通常，ステンレススチール，アルミニウム等により形成されている。アルミニウムにより形成される場合には，表面が鏡面処理されているときや，アルマイト処理等が施されて表面が絶縁されているときがある。 【００５６】プラズマ生成室１１とプラズマ処理室１２とは，互いに独立していると共に，図２（ａ），（ｂ）に示すような複数の開口部よりなるプラズマ輸送路１３を有する板状の連結部材１４によって互いに連結されており，プラズマ生成室１１で生成された解離度の高いプラズマは，プラズマ輸送路１３により解離度を低下されつつプラズマ処理室１２に輸送される。連結部材１４を構成する材料としては，ステンレススチール，アルミニウム等の金属板，これらの金属板に絶縁性薄膜をコーテイング若しくは溶射したもの，又はこれらの金属板の表面に陽極酸化によりアルマイト処理を施したもの等が用いられる。また，連結部材１４を構成する材料として，半導体シリコンに不純物がドープされてなるシリコン等の半導体材料，パイロリックカーボン又は導電性のセラミックを用いてもよい。このように連結部材１４が導電性材料により形成される場合には，プラズマ生成室１１とプラズマ処理室１２とは電気的に接続されて同電位に保たれる。また，連結部材１４を構成する材料として，アルマイト等のセラミック材料，石英等の無機系材料，又はフッ素炭化水素化合物等の有機系材料を用いてもよい。このように連結部材１４が絶縁性材料よりなる場合には，連結部材１４は電気的に浮遊状態で使用される。 【００５７】プラズマ生成室１１には，気体を導入するための気体導入手段１５が設けられており，該気体導入手段１５には，図示しないコンピュータ制御されたマスフローコントローラによるガス供給手段を備えている。また，プラズマ処理室１２には，気体等を排出するための排気手段１６が設けられており，該排気手段１６は，図示しないターボ分子ポンプ，該ターボ分子ポンプの後段に設けられたドライポンプ又はロータリーポンプ，及びコンピュータと連動可能な排気制御装置から構成されているが，排気手段１６としては，これらに限らない。 【００５８】プラズマ処理室１２の下部には，下部電極となる試料台１７が設けられている。試料台１７とプラズマ処理室１２とは絶縁体１８により互いに絶縁されていると共に，試料台１７の表面は薄い絶縁膜によって覆われている。また，試料台１７には第１の高周波電源１９が接続されており，該第１の高周波電源１９の基準電位は，プラズマ処理室１２と同じく接地電位である。第１の高周波電源１９の周波数は，約１００ＫＨｚ～数１０ＭＨｚ程度であるが，実用的な周波数であれば必ずしもこの限りではない。試料台１７の上には，被処理物としての半導体ウェハ（基板）２０が載置されており，該半導体ウェハ２０は，図示しない機械的又は静電的な保持機構により試料台１７に保持されている。」 「【００９９】（第３の実施形態）図５は，本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示している。第３の実施形態においては，プラズマ処理室１２の試料台１８と接地との間に，第１の高周波電源１９及び定電圧源２５が接続されている点を除いて第１の実施形態と同様であるので，同一の部材については同一の符号を付すことにより説明を省略する。」 「【０１１０】図７は，本発明の第４の実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示している。第４の実施形態においては，第３の実施形態における渦巻状の誘導結合コイル２２に代えて，プラズマ生成室１１の周壁の外側に巻かれたスパイラル状の誘導結合コイル２７が設けられている点，及び気体導入手段１５がプラズマ生成室１１の頂部に設けられている点を除いては，第３の実施形態と同様であるので，同一の部材については同一の符号を付すことにより，説明を省略する。」 （２）したがって，上記記載から，引用文献４には，次の技術的事項が記載されていると認められる。 ・近年，プラズマ応用技術は半導体をはじめとする基幹産業において広く使用されており，特に，プラズマを利用して行なう，ドライエッチングによる微細加工，薄膜形成又は表面改質処理等のプロセス技術は，半導体デバイス製造上のキーテクノロジーとなっていること。 ・従来，プラズマを用いるプロセス技術を実現する装置としては，平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching) 装置に代表される容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively coupled Plasma ）装置，平行平板型ＲＩＥ装置に磁場を加えＥ×Ｂドリフトによる電子加速を利用するＭＥＲＩＥ（Magnetron Enhanced RIE）装置，及び平行平板型ＲＩＥ装置の２つの平行平板電極間に第３の電極を設けたトライオードＲＩＥ装置等が知られていること。 ・さらに，近年では，数Ｐａ以下の定圧領域において容易に高密度且つ高解離なプラズマが生成可能な誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma) 装置，誘導結合プラズマ生成手段に磁場印加を組み合わせた有磁場誘導結合プラズマ装置，１／４波長アンテナ又は１／２波長アンテナ等のアンテナによる高周波輻射を用いる輻射アンテナプラズマ装置，高周波回転磁界による電子加速を利用するプラズマ装置，ランダウ減衰による電子加速機構を利用したヘリコン波プラズマ（ＨＥＷ：Helicon Wave Plasma)装置，表面波プラズマやスロットアンテナを利用したＥＣＲプラズマ装置等が開発されていること。 ・しかしながら，前記従来のプラズマ処理装置及び処理方法においては，プラズマ処理に用いられるプラズマの解離度は，プラズマ生成手段におけるプラズマ源（結合方式：ＩＣＰ，ＥＣＲ，ＨＷＰ等）により略決まってしまい自由に変えることは困難である。特に最近の高密度プラズマを発生するプラズマ源により生成されるプラズマは解離度が高く，プラズマ処理に適しない場合があるという問題があること。 ・プラズマの解離度が制御できない場合，被処理物に供給される，ラジカル及びイオンの種類，並びにラジカル，イオン，電子の量及び比率を制御することは極めて困難であり，プラズマエッチング等のプラズマ処理の制御は非常に難しいという第１の問題があること。 ・従来のプラズマ処理装置においては，プラズマ源に供給される高周波電力とＲＦバイアスとして供給される高周波電力とが相互作用するので，プラズマの解離度とイオンエネルギーとを互いに独立して制御できないという第２の問題があること。 ・複数の開口部よりなるプラズマ輸送路を有する板状の連結部材によって互いに連結されると共に，互いに独立したプラズマ生成室とプラズマ処理室とを含むプラズマ処理装置であって， 前記プラズマ生成室で生成された解離度の高いプラズマは，プラズマ輸送路により解離度を低下されつつプラズマ処理室に輸送され， 前記連結部材を構成する材料としては，ステンレススチール，アルミニウム等の金属板，これらの金属板に絶縁性薄膜をコーテイング若しくは溶射したもの，又はこれらの金属板の表面に陽極酸化によりアルマイト処理を施したもの等が用いられ，さらに，連結部材を構成する材料としては，半導体シリコンに不純物がドープされてなるシリコン等の半導体材料，パイロリックカーボン又は導電性のセラミックを用いてもよく， 前記連結部材が導電性材料により形成される場合には，プラズマ生成室とプラズマ処理室とは電気的に接続されて同電位に保たれ，連結部材が絶縁性材料よりなる場合には，連結部材は電気的に浮遊状態で使用され， 前記プラズマ処理室の下部に設けられた試料台の上には，被処理物としての半導体ウェハ（基板）が載置されており， 前記プラズマ生成室の周壁の外側には，巻かれたスパイラル状の誘導結合コイルが設けられたプラズマ処理装置を用いることで，前記の問題が解決されること。 第５　対比 本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。 １　引用発明の「搬出入チャンバーと，ドライエッチングを行う処理チャンバーと，エッチングガスを処理チャンバー内に供給するガス供給部とを含むドライエッチング装置」であって，「前記処理チャンバーには，高周波電源及び同調機に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極が上下方向に対峙して配設されており，片方の高周波電極が，保持された半導体ウェーハを保持する保持部を兼ねた構成となって」いる「ドライエッチング装置を使用」した「ストリートのみがエッチング処理により浸食され，個々の半導体チップに分割される半導体ウェーハの分割方法」は，本願発明の「基板をプラズマ・ダイシングする方法」に相当する。 ２　引用発明の「ドライエッチングを行う処理チャンバー」が，「壁」を有することは自明である。 ３　引用発明の「前記マスキング部材は，回路面の一面にマスキングされ，その後，マスキング部材除去工程において，マスキング工程で被覆したマスキング部材のうち，半導体ウェーハの回路面に形成されたストリートの上部を被覆している部分のみを除去したものであり」「ストリートのみがエッチング処理により浸食され，個々の半導体チップに分割」される工程は，本願発明の「上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって，前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有して」おり，「基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングする」に相当する。 ４　引用発明の「半導体ウェーハ」，「テープ」及び「リング状のフレーム」は，それぞれ本願発明の「基板」，「支持フィルム」及び「フレーム」に相当する。したがって，引用発明の「リング状のフレームの開口部を塞ぐように裏側から貼着されたテープの粘着面に半導体ウェーハの裏面が貼着されることによりテープを介してフレームと一体となった半導体ウェーハ」は，本願発明の「加工物」に相当する。 そうすると，引用文献１には，以下の範囲で，本願発明と，一致及び相違する発明が記載されている。 ＜一致点＞ 「基板をプラズマ・ダイシングする方法であって， 壁を有する処理チャンバを供給するステップと， 前記処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップと， 上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって，前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有しているステップと， 加工物を形成するために前記基板の前記底面をフレーム上の支持フィルム上に配置するステップと， プラズマ源によってプラズマを生成するステップと， 前記プラズマ源で生成されたプラズマによって，前記処理チャンバ内にある前記加工物の前記基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングするステップと を含む方法。」 ＜相違点＞ 本願発明の処理チャンバが，「前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を供給するステップであって，前記プラズマ源は前記処理チャンバ内でプラズマを生成するステップ」，「前記プラズマ源と前記加工物の間にスクリーンを供給するステップであって，前記スクリーンは前記基板上へのイオン衝撃を低減させ，前記スクリーンは前記基板の加熱を低減させるステップ」及び「前記プラズマ源の下方に配置され，かつ前記加工物の上方に配置された前記スクリーンを用い」たエッチングするステップとを含む方法によって基板を処理するのに対して，引用発明の「ドライエッチングを行う処理チャンバー」が，「処理チャンバーには，高周波電源及び同調機に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極が上下方向に対峙して配設されており，片方の高周波電極が，保持された半導体ウェーハを保持する保持部を兼ねた構成」による処理である点。 第６　判断 上記相違点について，判断する。 引用文献２に記載された技術的事項（上記第４の２（２））における「『ビーム生成室』の『外周』に配置された『誘導結合型のコイル』」，及び，「『ビーム生成室の下端』に配置された『オリフィス板（オリフィス電極）』」は，それぞれ，本願発明の「『処理チャンバ内でプラズマを生成する』『処理チャンバの前記壁に隣接』した『プラズマ源』」，及び，「『前記プラズマ源と前記加工物の間』に供給された『基板上へのイオン衝撃を低減させ』『基板の加熱を低減させる』『スクリーン』」に相当する。 また，引用文献３に記載された技術的事項（上記第４の３（２））における「『プラズマ生成室の外周』に巻かれた『３ターンのコイル型アンテナ』」，及び，「『プラズマ生成室と処理室とが分離』する『プラズマから引き出されたイオンを中性化するために，基板に対して垂直方向に貫通する微細孔（以下「アパーチャー」という。）が複数形成されている』『下流側電極』」は，それぞれ，本願発明の「『処理チャンバ内でプラズマを生成する』『処理チャンバの前記壁に隣接』した『プラズマ源』」，及び，「『前記プラズマ源と前記加工物の間』に供給された『基板上へのイオン衝撃を低減させ』『基板の加熱を低減させる』『スクリーン』」に相当する。 さらに，引用文献４に記載された技術的事項（上記第４の４（２））における「『プラズマ生成室の周壁の外側に』『巻かれたスパイラル状の誘導結合コイル』」，及び，「『互いに独立したプラズマ生成室とプラズマ処理室とを』連結する『複数の開口部よりなるプラズマ輸送路を有する板状の連結部材』」は，それぞれ，本願発明の「『処理チャンバ内でプラズマを生成する』『処理チャンバの前記壁に隣接』した『プラズマ源』」，及び，「『前記プラズマ源と前記加工物の間』に供給された『基板上へのイオン衝撃を低減させ』『基板の加熱を低減させる』『スクリーン』」に相当する。 すなわち，「『処理チャンバ内でプラズマを生成する』『処理チャンバの前記壁に隣接』した『プラズマ源』」，及び，「『前記プラズマ源と前記加工物の間』に供給された『基板上へのイオン衝撃を低減させ』『基板の加熱を低減させる』『スクリーン』」を含む装置を用いたエッチング方法は周知である。 一方，引用発明の「処理チャンバーには，高周波電源及び同調機に接続されプラズマを発生する一対の高周波電極が上下方向に対峙して配設されており，片方の高周波電極が，保持された半導体ウェーハを保持する保持部を兼ねた構成」を備えた装置は，技術常識から，「平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching) 装置に代表される容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively coupled Plasma ）装置」であると理解される。 してみれば，引用文献２－４に接した当業者であれば，引用発明の半導体ウェーハの分割方法に，「高精度と高選択比を両立できないこととチャージアップによるエッチング形状異常という問題があること」（上記第４の２（２）），「低温プラズマ中では正電荷を有するイオンと負電荷を有する電子が多数存在し，また電子衝突による原子分子の励起・脱励起により短波長の紫外線が放射され，この紫外線の照射を受けた基板表面では，チャージアップによるゲート絶縁膜の絶縁破壊や，ゲート電極の形状異常が生じてしまい，さらに，高エネルギーのイオンや紫外線の照射により，ゲート絶縁膜中に欠陥が生じたり，ゲート絶縁膜／シリコン界面に固定電荷や界面準位が生じてしまうこと，さらに，紫外線の照射により基板の極表面の温度が上昇するため，レジスト材料の変質及び変形が生じてしまうことという現象により，半導体集積回路の製造歩留まりや信頼性が低下してしまうという問題」（上記第４の３（２）），及び「プラズマエッチング等のプラズマ処理の制御は非常に難しい」，「プラズマの解離度とイオンエネルギーとを互いに独立して制御できない」（上記第４の４（２））という問題を見い出すといえる。 また，「エッチングレート及び垂直加工性が高いエッチング方法」（上記第４の３（２））は，引用発明においても，自明の課題である。 してみれば，これらの問題及び課題を解決するために，引用発明において，上記周知のエッチング方法を採用する動機があるから，引用発明において，相違点について本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。 第７　むすび 以上のとおり，本願発明は，その原出願の優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１－４に記載された発明に基づいて，その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 したがって，他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。 よって，結論のとおり審決する。