2017-006734

特願２０１５－１５６９４９「窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１２月１０日出願公開、特開２０１５－２２２８３４〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２５年９月４日に出願した特願２０１３－１８３２８２号（パリ条約による優先権主張２０１２年１１月１９日、台湾）の一部を平成２７年８月７日に新たな特許出願としたものであって、その後の手続の経緯は、以下のとおりである。 平成２７年　８月１９日：出願審査請求書の提出 平成２８年　５月２５日：拒絶理由通知（５月３１日発送） 同年　８月３１日：手続補正書・意見書の提出 同年１２月２１日：拒絶査定（平成２９年１月１０日送達） 平成２９年　５月１０日：審判請求書の提出 平成３０年　５月３１日：拒絶理由通知（６月５日発送） 同年１１月　５日：手続補正書・意見書の提出 同年１１月２１日：拒絶理由通知（１１月２７日発送） 平成３１年　３月２７日：意見書の提出 第２　本願発明 平成３０年１１月５日の手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。 「【請求項１】 窒化物半導体構造であって、 ｎ型半導体層と、 多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する発光層と、 アルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層と、 前記発光層と前記アルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層との間に配置され、ｐ型ドーパントおよび炭素が比較的高い濃度でドーピングされている、インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層であって、該インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層にドーピングされている炭素の濃度は１０１７ｃｍ－３～１０２０ｃｍ－３の範囲（但し、「１０１７ｃｍ－３」を除く）にある、インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層と、 を備え、前記発光層は、前記インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層と前記ｎ型半導体層との間に配置されており、前記インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層はＩｎＧａＮ系ｐ型半導体層であることを特徴とする窒化物半導体構造。」（なお、下線は、当審で付した。以下同じ。） 第３　拒絶の理由 平成３０年１１月２１日付けで当審が通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）は、次のとおりのものである。 本願発明１ないし本願発明９は、その優先日（２０１２年１１月１９日）前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献：特開２０００－１９６１４３号公報 （２０００年７月１４日公開） 第４　引用文献の記載及び引用発明 １　引用文献の記載 引用文献には、図面とともに、以下の記載がある。 （１）「【請求項１】　ｎ型ＧａＮ系クラッド層と、ＩｎａＧａ１－ａＮ量子井戸層（０．１５≦ａ≦１）からなる活性層と、ｐ型ＧａＮ系コンタクト層と含む窒化ガリウム系半導体発光素子において、活性層はＩｎｘＧａ１－ｘＮ－ｎ側緩衝層（０．０３≦ｘ≦ａ－０．１）とＩｎｙＧａ１－ｙＮ－ｐ側緩衝層（０．０３≦ｙ≦ａ－０．１５）の両方に接するように挟まれて形成されており、ＩｎｘＧａ１－ｘＮ－ｎ側緩衝層とＩｎｙＧａ１－ｙＮ－ｐ側緩衝層の層厚はそれぞれ３ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体発光素子。 【請求項２】 …… 【請求項６】　上記ｎ側緩衝層にはｎ型不純物が濃度５×１０１６ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下の範囲綯内にドーピングされ、かつ上記ｐ側緩衝層にはｐ型不純物が濃度１×１０１７ｃｍ－３以上５×１０２１ｃｍ－３以下の範囲内にドーピングされていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。」（当審注：「範囲綯内」は、「範囲内」の誤記と認定した。） （２）「【００１７】 【発明の実施の形態】本発明を実施した素子について説明する。 【００１８】（実施例１）図１に本発明を実施したＩｎＧａＡｌＮ系半導体発光素子（ＬＥＤ）の断面構造図を示す。１０１はｎ型ＳｉＣ基板、１０２は５０ｎｍ厚のＳｉドープのｎ型ＡｌＧａＮ低温バッファ層、１０３は３μｍ厚のＳｉドープのｎ型ＧａＮクラッド層、１０４は２５ｎｍ厚のＳｉドープのｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ－ｎ側緩衝層、１０５は活性層で、この実施例ではは２ｎｍ厚のアンドープのＩｎ０．３５Ｇａ０．６５Ｎ単一量子井戸活性層としている。１０６は７ｎｍ厚のＭｇドープのｐ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ－ｐ側緩衝層、１０７は３０ｎｍ厚のＭｇドープのｐ型ＧａＡｌＮ保護層、１０８は０．３μｍ厚のＭｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層、１０９はｐ型半透明電極、１１０はｐ型パッド電極、１１１はｎ型電極である。 【００１９】次に本実施形態素子の作製方法について説明する。まず通常の有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、（０００１）面ｎ型ＳｉＣ基板１０１上に、基板温度５５０℃で５０ｎｍ厚のＳｉドープのｎ型ＡｌＧａＮ低温バッファ層１０２を成長させた後、基板温度を１１００℃に昇温し、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮクラッド層１０３を成長させる。次に、基板温度を７６０℃まで降温させた後、Ｓｉドープのｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ－ｎ側緩衝層１０４、Ｉｎ０．３５Ｇａ０．６５Ｎ単一量子井戸の活性層１０５、Ｍｇドープのｐ型のｐ側緩衝層１０６、を成長させる。続いて、基板温度を１０５０℃に上昇させ、Ｍｇドープのｐ型ＧａＡｌＮ保護層１０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８を形成した。最後に、ｎ型ＳｉＣ基板１０１の裏面を研削し基板厚さを１２０μｍにまで薄くした後、通常の蒸着法によりウェハーの成長表面側にＮｉからなるｐ型半透明電極１０９と、その上のチップ中央部に１００μｍ直径のＡｕからなるｐ型パッド電極１１０、ｎ型ＳｉＣ基板１０１の裏面にｎ型電極１１１を形成し、２５０μｍ角の大きさにスクライブによりチップを切り出し、ＬＥＤを作製した。」 （３）「【００４２】（実施例３）本実施例では多重量子井戸構造活性層をＬＥＤに適用した例を説明する。本構造はｎ側緩衝層１０４を１×１０１８ｃｍ－３の濃度のＳｉをドーピングした厚さ１０ｎｍのＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層としたこと、活性層１０５を厚さ２．０ｎｍのＩｎ０．５５Ｇａ０．４５Ｎ量子井戸層３層と該量子井戸層間に挿入されたＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層２層から構成される多重量子井戸活性層としたこと、ｐ側緩衝層１０６をＭｇが７×１０１９ｃｍ－３の濃度でドーピングされた厚さ５ｎｍのＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層としたこと以外は実施例１と同じ構造である。本実施例ＬＥＤの光出力と発光スペクトルの半値全幅は、ｎ側緩衝層、ｐ側緩衝層を使用しないＬＥＤに比べて、それぞれ、３倍および８０％と発光強度・単色性とも改善が確認できた。」 （４）図１（ＬＥＤ）は、以下のものである。 ２　引用文献に記載された発明 （１）上記１（１）の記載からして、引用文献には、 「ｎ型ＧａＮ系クラッド層と、 ＩｎａＧａ１－ａＮ量子井戸層（０．１５≦ａ≦１）からなる活性層と、 ｐ型ＧａＮ系コンタクト層と含む窒化ガリウム系半導体発光素子において、 活性層はＩｎｘＧａ１－ｘＮ－ｎ側緩衝層（０．０３≦ｘ≦ａ－０．１）とＩｎｙＧａ１－ｙＮ－ｐ側緩衝層（０．０３≦ｙ≦ａ－０．１５）の両方に接するように挟まれて形成されており、 上記ｎ側緩衝層と上記ｐ側緩衝層の層厚はそれぞれ３ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、 上記ｎ側緩衝層にはｎ型不純物が濃度５×１０１６ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下の範囲内にドーピングされ、かつ上記ｐ側緩衝層にはｐ型不純物が濃度１×１０１７ｃｍ－３以上５×１０２１ｃｍ－３以下の範囲内にドーピングされている、半導体発光素子。」が記載されているものと認められる。 （２）上記１（２）の記載を踏まえて、実施例１に関する図１を見ると、 上記「窒化ガリウム系半導体発光素子」は、具体的には、 下から順に、 ｎ型電極（１１１）と、 ｎ型ＳｉＣ基板（１０１）と、 Ｓｉドープのｎ型ＡｌＧａＮ低温バッファ層（１０２）と、 Ｓｉドープのｎ型ＧａＮクラッド層（１０３）と、 Ｓｉドープのｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ－ｎ側緩衝層（１０４）と、 アンドープのＩｎ０．３５Ｇａ０．６５Ｎ単一量子井戸活性層（１０５）と、 Ｍｇドープのｐ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ－ｐ側緩衝層（１０６）と、 Ｍｇドープのｐ型ＧａＡｌＮ保護層（１０７）と、 Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層（１０８）と、 ｐ型半透明電極（１０９）と、 ｐ型パッド電極（１１０）と、 を含むものであってもよいものと認められる。 （３）次に、実施例３に関する上記１（３）の記載によれば、 実施例３は、実施例１に関する図１に示された 「Ｓｉドープのｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ－ｎ側緩衝層（１０４）、 アンドープのＩｎ０．３５Ｇａ０．６５Ｎ単一量子井戸活性層（１０５）、 Ｍｇドープのｐ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ－ｐ側緩衝層（１０６）」を 「Ｓｉドープのｎ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｎ側緩衝層（１０４）、 Ｉｎ０．５５Ｇａ０．４５Ｎ量子井戸層３層と該量子井戸層間に挿入されたＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層２層から構成される多重量子井戸活性層（１０５）、 Ｍｇが７×１０１９ｃｍ－３の濃度でドーピングされたｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」に変更したものであることが理解できる。 （４）以上のことから、引用文献には、実施例３に関する次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 「ｎ型電極（１１１）と、 ｎ型ＳｉＣ基板（１０１）と、 Ｓｉドープのｎ型ＡｌＧａＮ低温バッファ層（１０２）と、 Ｓｉドープのｎ型ＧａＮクラッド層（１０３）と、 Ｓｉドープのｎ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｎ側緩衝層（１０４）、 Ｉｎ０．５５Ｇａ０．４５Ｎ量子井戸層３層と該量子井戸層間に挿入されたＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層２層から構成される多重量子井戸活性層（１０５）、 Ｍｇが７×１０１９ｃｍ－３の濃度でドーピングされたｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）と、 Ｍｇドープのｐ型ＧａＡｌＮ保護層（１０７）と、 Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層（１０８）と、 ｐ型半透明電極（１０９）と、 ｐ型パッド電極（１１０）と、 を含む窒化ガリウム系半導体発光素子において、 上記ｎ側緩衝層と上記ｐ側緩衝層の層厚はそれぞれ３ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、窒化ガリウム系半導体発光素子。」 第５　対比 １　本願発明と引用発明を対比すると、以下のとおりとなる。 （１）引用発明の「Ｓｉドープのｎ型ＧａＮクラッド層（１０３）」は、本願発明の「ｎ型半導体層」に相当する。 以下、同様に、 「Ｉｎ０．５５Ｇａ０．４５Ｎ量子井戸層３層と該量子井戸層間に挿入されたＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎバリア層２層から構成される多重量子井戸活性層（１０５）」は、「多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する発光層」に、 「Ｍｇドープのｐ型ＧａＡｌＮ保護層（１０７）」は、「アルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層」に、それぞれ、相当する。 （２）ア　本願明細書の【０００８】に「前記電荷ホール供給層には、濃度が１０１８ｃｍ－３より大きなｐ型ドーパントがドーピングされることが好ましい。」と記載されていることから、本願発明の「ｐ型ドーパントおよび炭素が比較的高い濃度でドーピングされている」における「（ｐ型ドーパントが）比較的高い濃度」とは、１０１８ｃｍ－３より大きな濃度であると解される。 イ　一方、引用発明の「Ｍｇが７×１０１９ｃｍ－３の濃度でドーピングされたｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」は、「発光層とアルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層」との間に配置され、ｐ型ドーパントであるＭｇが「１０１８ｃｍ－３より大きな濃度」でドーピングされているから、「ｐ型ドーパントが比較的高い濃度でドーピングされている」といえる。 ウ　してみると、本願発明と引用発明とは、「発光層とアルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層との間に配置され、ｐ型ドーパントが比較的高い濃度でドーピングされている、インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層を備える」点で一致する。 （３）ア　本願発明の「窒化物半導体構造」について、本願明細書には、以下の記載がある。 「【００１３】 図１を参照する。図１は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体構造を示す断面図である。図１に示すように、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体構造は、ｎ型半導体層２及びｐ型半導体層３を含む。 ｎ型半導体層２とｐ型半導体層３との間には、発光層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）４が形成される。発光層４とｐ型半導体層３との間には、電荷ホール供給層５が形成される。…本実施形態においてｎ型半導体層２はｎ型ＧａＮ系半導体層であり、ｐ型半導体層３はｐ型ＧａＮ半導体層である。」 イ　上記記載からして、「窒化物半導体構造」とは、 ｎ型ＧａＮ系半導体層、発光層、電荷ホール供給層及びｐ型ＧａＮ半導体層を含む構造であると解される。 ウ　そうすると、引用発明の「窒化ガリウム系半導体発光素子」は、 「Ｓｉドープのｎ型ＧａＮクラッド層（１０３）」、「多重量子井戸活性層（１０５）」及び「ｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」を含むことから、「窒化物半導体構造」を備えたものであるといえる。 （４）上記（１）ないし（３）を整理すると、 本願発明と引用発明とは、 「窒化物半導体構造であって、 ｎ型半導体層と、 多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する発光層と、 アルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層と、 前記発光層と前記アルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層との間に配置され、ｐ型ドーパントが比較的高い濃度でドーピングされている、インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層と、を備える」点で一致する。 （５）また、引用発明の「多重量子井戸活性層（１０５）」は、「ｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」と「Ｓｉドープのｎ型ＧａＮクラッド層（１０３）」との間に配置されているから、 本願発明と引用発明とは、 「発光層は、インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層とｎ型半導体層との間に配置されており、前記インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層はＩｎＧａＮ系ｐ型半導体層である」点で一致する。 ２　以上のことから、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致する。 ＜一致点＞ 「窒化物半導体構造であって、 ｎ型半導体層と、 多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する発光層と、 アルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層と、 前記発光層と前記アルミニウムを含むＧａＮ系ｐ型キャリア阻止層との間に配置され、ｐ型ドーパントが比較的高い濃度でドーピングされている、インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層と、 を備え、 前記発光層は、前記インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層と前記ｎ型半導体層との間に配置されており、前記インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層はＩｎＧａＮ系ｐ型半導体層である、窒化物半導体構造。」 ３　一方、両者は、以下の点で相違する。 ＜相違点＞ ＧａＮ系電荷ホール供給層に関して、 本願発明は、「ｐ型ドーパントおよび炭素が比較的高い濃度でドーピングされ」ており、「ドーピングされている炭素の濃度は１０１７ｃｍ－３～１０２０ｃｍ－３の範囲（但し、「１０１７ｃｍ－３」を除く）」であるのに対して、 引用発明は、Ｍｇ（ｐ型ドーパント）は比較的高い濃度でドーピンクされているものの、炭素が比較的高い濃度でドーピングされているのか否か不明であり、ドーピングされているとしても、その具体的数値は不明である。 第６　判断 １　上記＜相違点＞について検討する。 （１）まず、上記＜相違点＞に係る本願発明の発明特定事項の技術的意義について、本願明細書の記載を参酌して検討する。 ア　本願明細書には、以下の記載がある。 「【００１７】 上述した本実施形態の窒化物半導体構造を実際に使用する際、電荷ホール供給層５は、濃度１０１７～１０２０ｃｍ－３のＩＶ族元素をドーピングし、ＩＶ族元素により５価窒素元素を代替し、これにより正に帯電した電荷ホールを１つ増やして電荷ホール供給層の電荷ホール密度を高める。 上述のＩＶ族元素は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂなどでもよいが、Ｃであることが好ましい。上述のＩＶ族元素がＣであることが好ましい理由とは、エピタキシャル工程においてＣは、アンモニアガスから分解されて放出された水素と反応して安定した化合物ＣＨ４が形成されて窒化物半導体から分離される。このため、Ｈの含有量が減り、Ｍｇ－Ｈボンドが発生する状況が減り、Ｍｇをイオン形態で活性化させるため、電荷ホール供給層５の電荷密度が高くなり、これにより多くの電荷ホールが発光層４へ入って電子・正孔の結合率が向上する。」 イ　上記記載からして、 ＩＶ族元素である「炭素」を採用する技術的意義は、 窒化物半導を構成する「５価窒素元素」を代替して電荷ホールを一つ増やすとともに、アンモニアが分解することで放出された水素をメタンとして分離することにあるものと認められる。 （２）ところで、引用文献の【００１９】における「次に本実施形態素子の作製方法について説明する。まず通常の有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、（０００１）面ｎ型ＳｉＣ基板１０１上に、…Ｍｇドープのｐ型のｐ側緩衝層１０６、を成長させる。続いて、…ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８を形成した。」との記載によれば、引用発明の「（Ｍｇがドープされた）ｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により形成されたものである。 （３）そして、当審拒絶理由において指摘したように、「Ｍｇドープｐ型のｐ側緩衝層（１０６）」を、このような有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法による形成において、窒素源（Ｎ）としてアンモニアガス（ＮＨ３）を利用すると、マグネシウムが水素原子と結合して活性化率が低下するという現象が生じるという問題があること、当該問題に対処するために（つまり、活性化率を上げるために）、アニールにより水素原子を脱離させる方法以外にも、例えば、水素原子をメタンガス（ＣＨ４）等として排出させるなど様々な処理があることは、当業者によく知られていることである（以下「周知技術」という。）。 必要ならば、下記の文献を参照。 特開２０１０－２６３１４０号公報（【０００５】、【００１３】、 【００３２】から 【００３５】 及び図５を参照。） 特開２００９－１６４５２号公報（【０００５】、【００２０】から 【００２６】を参照。） 特開２００９－１５２４４８号公報（【０００４】、【００２８】ないし 【００４１】及び図３を参照。） 特開２００１－１５４３７号公報（【００２１】及び図１を参照。） 特開平１０－１３５５７５号公報（【００２７】から【００３０】を 参照。） 特開平９－３２６５０８号公報（【０００６】から【０００７】を 参照。） 国際公開第２００７／０１３２５７号（請求の範囲及び［００９９］を 参照。） ちなみに、 ア　上記特開２０１０－２６３１４０号公報の【００１３】には「（Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いて形成された）ｐ型ＧａＮ層１４の炭素濃度は５×１０１６ｃｍ－３以上１×１０１８ｃｍ－３以下である。」と記載されている。 イ　上記特開２００９－１６４５２号公報の【００２０】には「ｐ－ＧａＮ層を形成する時にＶ族原料としてアンモニア（ＮＨ３）ガスのみを使用すると、ＮＨ３から生成されるＨラジカルがｐ－ＧａＮの結晶中に取り込まれ、Ｈラジカルとｐ型不純物とが反応し、Ｈパッシベーション（ｐ型不純物の活性化率低下）が発生する。」と記載されている。 ウ　上記特開２００９－１５２４４８号公報の【００３６】には「炭素添加による活性化率の向上を効果的にあげるには、６×１０１８～１×１０２０ｃｍ－３であるのがより好ましい。」と記載されている。 エ　上記特開２００１－１５４３７号公報の【００２１】には「本発明の第三の目的は、ＮＨ３の分解により生じる活性な水素を有効に除去することにある。分子中に炭素と炭素の二重結合もしくは三重結合を含むアルケンを成長時に添加すると、ＮＨ３の分解により生じる活性な水素と反応し結晶中への水素の混入を抑制すること効果がある。」と記載されている。 オ　上記特開平１０－１３５５７５号公報の【００２９】には「炭素や酸素による表面の高抵抗化は、成長層最表面の酸素、炭素が多い場合に限らず、成長層最表面の酸素、炭素が少なすぎる（１×１０１６ｃｍ－３以下）場合でも生じる。これは、成長層最表面の酸素、炭素が１×１０１６ｃｍ－３以下の場合、酸素や炭素による窒素空格子点（窒素空孔）を埋める効果が減少されるため、窒素空孔がアクセプタを補償し、素子が高抵抗化するからである。」と記載されている。 カ　上記特開平９－３２６５０８号公報の【０００８】には「このような問題は、電流供給領域をＧａＮ層で構成する場合のみならず、ＧａＩｎＮ層で構成する場合でも同様に生じる。」と記載されている。 キ　上記国際公開第２００７／０１３２５７号の［００９９］には「ｐ型クラッド層を活性化するために、熱処理や電子線照射処理、プラズマ照射などが必要であるが、炭素ドーピングを行わない場合に比べ、炭素ドーピングを施したｐ型クラッド層では、Ｍｇと水素の結合エネルギーが小さく、通常よりも低いパワーで活性化させることが可能である。」と記載されている。 （４）そして、引用発明の「（Ｍｇがドープされた）ｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」と上記周知技術とは、「（Ｍｇがドープされた）ｐ型窒化物半導体層」という点で共通し、引用発明の「（Ｍｇがドープされた）ｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」においても、上記（３）において指摘したのと同様の現象（問題）が生じるものと解されることから、引用発明において、上記周知技術に基いて活性化率を上げるための処理を行う必要のあることは、当業者が当然に想起し得ることである。 （５）そうすると、引用発明の「（Ｍｇがドープされた）ｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」を成長させる際に、活性化率を上げるために、例えば、水素原子をメタンガス等として排出させるなどの処理を行い、その結果として、ｐ型窒化物半導体層にドーピングされている炭素の濃度（つまり、ｐ型窒化物半導体層に不純物として取り込まれている炭素の濃度）を、１０１８ｃｍ－３程度とすることは、当業者が上記周知技術に基いて容易になし得ることである。 （６）また、本願明細書の記載を見ても、【課題を解決するための手段】の欄には、「上記課題を解決するために、…記電荷ホール供給層はＩｎｘＧａ１－ｘＮであり、ここでｘの範囲は０＜ｘ＜１であり、前記電荷ホール供給層には、濃度１０１７～１０２０ｃｍ－３のＩＶ族元素がドーピングされることを特徴とする窒化物半導体構造が提供される。」と記載されているだけで、「濃度１０１７～１０２０ｃｍ－３」に臨界的な技術的意義があることは読みとれない。 （７）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術に基いて容易になし得たことである。 （８）また、本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明の奏する効果及び上記周知技術から予測し得る範囲内のものである。 ２　平成３１年３月２７日提出の意見書における主張について （１）請求人は、意見書において、以下のように主張することから、この点について検討する。 ア　「（ｉ）機能について 引用文献１においては、ｐ型電荷ホール供給層は、発光層とｐ型キャリア阻止層との間に配置されている。これに対して、引用文献２においては、キャリア阻止層は、発光層と電荷ホール供給層との間に配置されている。このように、引用文献１と引用文献２とでは、電荷ホール供給層の配置関係が異なっている。 従って、引用文献１と引用文献２とでは、半導体構造の点で組み合わせる阻害要因が存在し、引用文献１と引用文献２とを組み合わせて、本願発明１の構造とすることはできない。」（第２頁後段） 当審注：上記引用文献２は、特開２０１０－２６３１４０号公報である。 請求人は、両者の「キャリア阻止層」の位置が異なることを理由に、その組合わせに阻害要因のある旨主張するが、そもそも、周知技術として指摘しているのは、「（Ｍｇがドープされた）ｐ型窒化物半導体層」を成長させる際に、マグネシウムが水素原子と結合して、その活性化率が低下するということ、及び当該問題に対処するために（つまり、活性化率を上げるために）、アニール以外にも様々な方法があるということであって、その現象は、キャリア阻止層の位置とは無関係である。 イ　「また、引用文献２は、ｐ型半導体における炭素濃度は、可能な限り低減できることを主張している。また、引用文献２は、ｐ型半導体において、１０１８ｃｍ－３を超えるべきではないことを主張している。よって、引用文献２と引用文献１とを組み合わせて本願発明１とする阻害要因が存在する。」（第３頁上段） （ア）引用文献２には、以下の記載がある。 「【０００５】 窒化物系半導体層を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）する際に、ｐ型ドーパントとして例えばＭｇをドーピングした場合、窒素原料のアンモニアが分解して生じる水素が結晶中に取り込まれてＭｇの隣のサイトに入ることで、Ｍｇの活性化が妨げられる。」 「【００３２】 また、本実施の形態では、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いてｐ型ＧａＮ層１４を形成する。ヒドラジン誘導体からＨラジカルと同時にＣＨ３ラジカルが生成される。このＣＨ３ラジカルがＨラジカルと反応してＣＨ４として排出されるため、Ｈラジカルが結晶中に取り込まれるのを防ぐことができる。」 「【００３５】 図５は、ｐ型ＧａＮ層の抵抗率の炭素濃度依存性を示す図である。１×１０１６ｃｍ－３が炭素の検出限界である。この結果から分かるように、ｐ型ＧａＮ層１４は、炭素濃度が１×１０１８ｃｍ－３以下であるため、抵抗率がデバイスとして使用できる程度に十分に低い。」 上記記載からして、 Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いてＭｇの活性化を妨げる水素原子をメタンガスとして排出した際に、炭素濃度を１×１０１８ｃｍ－３以下にできることが理解される。 （イ）そうすると、引用発明において、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いてＭｇの活性化を妨げる水素原子をメタンガスとして排出するとともに、炭素濃度を１×１０１８ｃｍ－３以下にすることは、当業者が容易になし得たことである。 （ウ）そして、本願発明は、炭素濃度として「１０１７～１０１８ｃｍ－３（但し、「１０１７ｃｍ－３」を除く）」の範囲を含むものである。 （２）よって、請求人の主張は、上記「１」の判断を左右するものではない。 ３　平成３０年１１月５日提出の意見書における主張について 請求人は、意見書において、以下のように主張することから、この点について検討する。 「また、引用文献７には、インジウムを含むＧａＮ系電荷ホール供給層に炭素をドープした場合にもｐ型ドーパントの活性化率が向上することは記載も示唆もされていない。」（第７頁中段） 当審注：上記引用文献７は、審決において周知技術であることを示すために引用した「国際公開第２００７／０１３２５７号」である。 しかしながら、引用文献７の［００９９］には「ｐ型クラッド層を活性化するために、熱処理や電子線照射処理、プラズマ照射などが必要であるが、炭素ドーピングを行わない場合に比べ、炭素ドーピングを施したｐ型クラッド層では、Ｍｇと水素の結合エネルギーが小さく、通常よりも低いパワーで活性化させることが可能である。」と記載されており、従来から、水素原子を脱離させるために熱処理（アニール）がなされていることを考えれば、引用発明の「（Ｍｇがドープされた）ｐ型Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層－ｐ側緩衝層（１０６）」を成長させる際に炭素ドーピングを施せば、より低いパワーで活性化できることは、容易に予想し得ることである。 よって、上記主張は、上記「１」の判断を左右するものではない。 ４　判断のまとめ 本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第７　むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。