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特許拒絶査定不服審判

2016-019673

シリコンまたは類似の基板上に窒化ガリウムの厚いエピタキシャル層を形成するための方法、およびこの方法を使用して得られる層

審判番号
2016-019673
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2014-517706外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2016年12月28日
審決日
2018年01月29日
公報発行日
2018年08月31日
結論
請求不成立
審判長/審判官
分類
P18 .537-WZF(H01L) / P18 .113-WZF(H01L) / P18 .121-WZF(H01L)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2014-517706「シリコンまたは類似の基板上に窒化ガリウムの厚いエピタキシャル層を形成するための方法、およびこの方法を使用して得られる層」拒絶査定不服審判事件〔平成25年 1月 3日国際公開、WO2013/001014、平成26年10月16日国内公表、特表2014-527707〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 本件審判の請求は、成り立たない。

理由

【理 由】 本願は、平成24年 6月28日の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 これに対して、平成29年 8月21日付けで拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。 そして、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

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2016-019673

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