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特許拒絶査定不服審判

2016-014193

スイッチング磁界の改善された分散を伴う磁気ランダムアクセスメモリセル

審判番号
2016-014193
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2012-155186外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2016年09月23日
審決日
2017年11月28日
公報発行日
2018年06月29日
結論
請求不成立
当事者
審判長/審判官
分類
P18 .121-WZ (H01L)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2012-155186「スイッチング磁界の改善された分散を伴う磁気ランダムアクセスメモリセル」拒絶査定不服審判事件〔平成25年 2月 7日出願公開、特開2013- 30769〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 本件審判の請求は、成り立たない。

理由

【理 由】 本願は、平成24年 7月11日の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 これに対して、平成29年 7月18日付けで拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。 そして、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

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2016-014193

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