2016-013336

特願２０１２－５４４２６３「太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月２４日国際公開、ＷＯ２０１２／０６７１１８、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１１年（平成２３年）１１月２５日（優先権主張　平成２２年１１月１７日）を国際出願日とする出願であって、平成２７年１０月７日付け（発送日　同年同月２０日）で拒絶理由が通知され、同年１２月１８日付けで意見書が提出されたが、平成２８年５月３０日付け（送達　同年６月７日）で拒絶査定（以下「原査定」という。）がなされ、同年９月６日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。 第２　原査定の概要 原査定の概要は次のとおりである。 本願請求項１ないし３に係る発明は、以下の引用文献１及び２に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．特開２００４－２２１１４９号公報 ２．特開昭５８－１１７号公報 第３　本願発明 本願請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は、平成２３年１１月２５日付けの願書に添付した特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１ないし本願発明３は以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 半導体基板の一方の面上の部分領域に、ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有する第１のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程と、 前記半導体基板の前記第１のｐ型拡散層形成組成物が付与される面上であって、少なくとも前記部分領域以外の領域に、ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有し、前記第１のｐ型拡散層形成組成物よりもｐ型不純物濃度が低い第２のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程と、 前記第１のｐ型拡散層形成組成物及び第２のｐ型拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理してｐ型拡散層を形成する工程と、 前記部分領域上に電極を形成する工程と、 を有する太陽電池の製造方法。 【請求項２】 前記ｐ型不純物は、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）及びＧａ（ガリウム）から選択される少なくとも１種の元素を含む請求項１に記載の太陽電池の製造方法。 【請求項３】 前記ｐ型不純物を含むガラス粉末は、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＧａ２Ｏ３から選択される少なくとも１種のｐ型不純物含有物質と、 ＳｉＯ２、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＣｄＯ、Ｖ２Ｏ５、ＳｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、及びＭｏＯ３から選択される少なくとも１種のガラス成分物質と、 を含有する請求項１または請求項２に記載の太陽電池の製造方法。」 なお、本願発明２及び３は、本願発明１を減縮した発明である。 第４　引用文献、引用発明等 １　引用文献１について （１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。 ア　「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、単結晶シリコン基板および多結晶シリコン基板を用いて太陽電池セルを製造する方法に関する。」 イ　「【０００８】 【発明の実施の形態】 図１に、本発明を実施した、裏面電極型太陽電池の製造方法の第１の実施例を示す。まず（ａ）に示すようにｐ型の導電性を有する単結晶シリコン基板１１を用意し、（ｂ）に示すようにインクジェット法により、拡散防止用塗布剤２６，高濃度ｎ＋　用塗布剤２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤２４を一度に塗布することができる。ヘッドアッセンブリ２０には塗布剤の種類に対応してヘッド２２，ヘッド２３，ヘッド２４が取り付けられており、ヘッドアッセンブリ２０が移動しながら各ヘッドが適切に設定されたタイミングで塗布剤を噴射することで所望の塗布パターンを描くことができる。拡散防止用塗布剤２６，高濃度ｎ＋　用塗布剤２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤２４は、いずれもケイ素の有機化合物を有機溶媒と混合したもので、拡散防止用塗布剤２６はドーパントとしての不純物を含んでおらず、高濃度ｎ＋　用塗布剤２５は五酸化二リンを５重量パーセント、低濃度ｎ＋　用塗布剤２４は五酸化二リンを０．５重量パーセントを含んだものである。・・・ 【０００９】 図２に、本発明を実施した太陽電池の製造方法の第２の実施例を示す。まず（ａ）に示すようにｐ型の導電性を有する単結晶シリコン基板１１１を用意し、（ｂ）に示すようにインクジェット法により、高濃度用ｎ＋　塗布剤１２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４とを塗布する。高濃度ｎ＋　用塗布剤１２５は第１の実施例における高濃度ｎ＋　用塗布剤２５と同じものを、低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４は第１の実施例における低濃度ｎ＋　用塗布剤２４と同じものを用いた。本実施例でも高濃度ｎ＋　用塗布剤１２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４とを塗り分け、高濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３２および低濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３１を形成した。基板１１１を２００℃で乾燥した後、１０００℃で３０分、窒素と酸素との混合ガス中で熱処理を行い、ドーパントであるリンを拡散した。その結果、（ｄ）に示すように基板１１１には高濃度ｎ＋　領域１４２および低濃度ｎ＋　領域１４１が形成される。次に（ｅ）に示すように高濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３２および低濃度ｎ＋　塗布皮膜１３１をフッ酸により除去し、（ｆ）に示すように銀から成る負電極１５１および正電極１５２をスクリーン印刷により形成して太陽電池セルとした。なお、正電極１５２と隣接しているアルミニウム電極１５３は、ｐ＋　層１５４を形成するためのものである。なお、本実施例の太陽電池における受光面は負電極１５１側のみである。」 ウ　「本実施例では基板２１１にｐ型の導電性を有するものを用いたが、ｎ型の導電性を有するものを用いても良い。その場合、高濃度ｎ＋　領域と高濃度ｐ＋　領域との位置関係を入れ替えれば良い。」 エ　図２は次のものである。 （２）引用発明 上記（１）によれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 「ｐ型の導電性を有する単結晶シリコン基板１１１を用意し、インクジェット法により、高濃度用ｎ＋　塗布剤１２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４とを塗布して、高濃度ｎ＋　用塗布剤１２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４とを塗り分け、高濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３２および低濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３１を形成し、 基板１１１を２００℃で乾燥した後、１０００℃で３０分、窒素と酸素との混合ガス中で熱処理を行い、ドーパントであるリンを拡散した結果、基板１１１には高濃度ｎ＋　領域１４２および低濃度ｎ＋　領域１４１が形成され、 次に高濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３２および低濃度ｎ＋　塗布皮膜１３１をフッ酸により除去し、銀から成る負電極１５１および正電極１５２をスクリーン印刷により形成して太陽電池セルとした太陽電池の製造方法であって、基板にｐ型の導電性を有するものを用いたが、ｎ型の導電性を有するものを用いても良くその場合は、高（低）濃度ｎ＋　領域と高（低）濃度ｐ＋　領域との位置関係を入れ替えれば良い、太陽電池の製造方法。」 ２　引用文献２について （１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。 ア　「本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に例えばスピンコート（回転塗布）法で半導体基板上に形成した不純物含有ガラス層を不純物拡散源とする固相－固相拡散方法に関する。 例えばバイポーラ型半導体集積回路（ＩＣ）の製造においては、従来半導体基板に埋没層を形成するには、エタノールまたはアセトンのような有機溶媒に、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａｓ）、ほう素（Ｂ）、燐（Ｐ）のような不純物を含有した硅酸ガラス成分を溶融した液状体を基板上にスピンコートし、２００〔℃〕程度の酸素雰囲気中で加熱して有機溶媒を飛散させ、不純物含有の硅酸ガラス膜を形成し、それを不純物拡散源として１０００～１２５０〔℃〕の高温熱処理で不純物を拡散して埋没層を形成する。」（１頁左欄１５行～右欄９行） イ　「以下、本発明の方法の実施例を、添付図面を参照して説明する。 第１図には、シリコン半導体基板１上に約４０００〔Å〕の膜厚に成長せしめられた二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜２が通常の技術で不純物拡散層形成のための窓開きをなして示される。半導体基板１上にはまたスピンコート法によつて、例えばアンチモンの塩化物（ＳｂＣｌ２）を含む硅酸ガラス膜３が約２０００〔Å〕の厚さに塗布されている。なお、珪酸ガラス膜３は、例えばＳｂＣｌ２とエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）またはアセトン（ＣＨ３ＣＯＣＨ３）の如き有機溶媒を含むものである。４は後の工程で形成される拡散層を示す。」（２頁左上欄８行～最下行） ウ　図１は次のものである。 （２）引用文献２に記載の事項 上記（１）によれば、引用文献２には、次の事項（以下「引用文献２に記載の事項」という。）が記載されているものと認められる。 「スピンコート（回転塗布）法で半導体基板上に形成した不純物含有ガラス層を不純物拡散源とする固相－固相拡散方法において、 エタノールまたはアセトンのような有機溶媒に、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａｓ）、ほう素（Ｂ）、燐（Ｐ）のような不純物を含有した硅酸ガラス成分を溶融した液状体を基板上にスピンコートし、２００〔℃〕程度の酸素雰囲気中で加熱して有機溶媒を飛散させ、不純物含有の硅酸ガラス膜を形成し、それを不純物拡散源とする半導体装置の製造方法。」 第５　対比・判断 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。 ア　引用発明の、「ｐ型の導電性を有する単結晶シリコン基板１１１を用意し、インクジェット法により、高濃度用ｎ＋　塗布剤１２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４とを塗布して、高濃度ｎ＋　用塗布剤１２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４とを塗り分け、高濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３２および低濃度ｎ＋　用塗布皮膜１３１を形成」する工程（以下「工程Ａ」という。）は、「基板にｐ型の導電性を有するものを用いたが、ｎ型の導電性を有するものを用いても良くその場合は、高（低）濃度ｎ＋　領域と高（低）濃度ｐ＋　領域との位置関係を入れ替えれば良い」とされるから、「ｎ型の導電性を有する単結晶シリコン基板を用意し、インクジェット法により、高濃度用ｐ＋　塗布剤および低濃度ｐ＋　用塗布剤とを塗布して、高濃度ｐ＋　用塗布剤および低濃度ｐ＋　用塗布剤とを塗り分け、高濃度ｐ＋　用塗布皮膜および低濃度ｐ＋　用塗布皮膜を形成」する工程（以下「工程Ａ′」という。）であってよい。 そして、引用発明の上記工程Ａ′の「単結晶シリコン基板」、「高濃度用ｐ＋　塗布剤」、「低濃度ｐ＋　用塗布剤」、「高濃度ｐ＋　用塗布皮膜」及び「低濃度ｐ＋　用塗布皮膜」は、本願発明１の「半導体基板」、「第１のｐ型拡散層形成組成物」、「（第１のｐ型拡散層形成組成物よりもｐ型不純物濃度が低い）第２のｐ型拡散層形成組成物」、「（半導体基板の一方の面上の）部分領域（に付与された第１のｐ型拡散層形成組成物）」及び「（前記半導体基板の前記第１のｐ型拡散層形成組成物が付与される面上であって、少なくとも）前記部分領域以外の領域（に付与された第２のｐ型拡散層形成組成物）」にそれぞれ相当するから、引用発明の上記工程Ａと本願発明１の「半導体基板の一方の面上の部分領域に、ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有する第１のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程と、前記半導体基板の前記第１のｐ型拡散層形成組成物が付与される面上であって、少なくとも前記部分領域以外の領域に、ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有し、前記第１のｐ型拡散層形成組成物よりもｐ型不純物濃度が低い第２のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程」とは、「半導体基板の一方の面上の部分領域に、第１のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程と、前記半導体基板の前記第１のｐ型拡散層形成組成物が付与される面上であって、少なくとも前記部分領域以外の領域に、前記第１のｐ型拡散層形成組成物よりもｐ型不純物濃度が低い第２のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程」の点で一致する。 イ　上記「ア」より、引用発明の「基板１１１を２００℃で乾燥した後、１０００℃で３０分、窒素と酸素との混合ガス中で熱処理を行い、ドーパントであるリンを拡散した結果、基板１１１には高濃度ｎ＋　領域１４２および低濃度ｎ＋　領域１４１が形成され」る工程は、「高（低）濃度ｎ＋　領域と高（低）濃度ｐ＋　領域との位置関係を入れ替え」ることが想定されるから、本願発明１の「前記第１のｐ型拡散層形成組成物及び第２のｐ型拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理してｐ型拡散層を形成する工程」に相当する。 ウ　引用発明の「銀から成る負電極１５１および正電極１５２をスクリーン印刷により形成」する工程は、本願発明１の「前記部分領域上に電極を形成する工程」に相当する。 したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 （一致点） 「半導体基板の一方の面上の部分領域に、第１のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程と、 前記半導体基板の前記第１のｐ型拡散層形成組成物が付与される面上であって、少なくとも前記部分領域以外の領域に、前記第１のｐ型拡散層形成組成物よりもｐ型不純物濃度が低い第２のｐ型拡散層形成組成物を付与する工程と、 前記第１のｐ型拡散層形成組成物及び第２のｐ型拡散層形成組成物が付与された半導体基板を熱処理してｐ型拡散層を形成する工程と、 前記部分領域上に電極を形成する工程と、 を有する太陽電池の製造方法。」 （相違点）本願発明１の「第１のｐ型拡散層形成組成物」及び「第２のｐ型拡散層形成組成物」は「ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有する」のに対し、引用発明の「高濃度用ｐ＋　塗布剤」及び「低濃度ｐ＋　用塗布剤」は、「ガラス粉末」を含有するするものと特定されない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると、引用発明の「高濃度用ｎ＋　塗布剤１２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤１２４」に関して、引用文献１には「高濃度ｎ＋　用塗布剤２５および低濃度ｎ＋　用塗布剤２４は、いずれもケイ素の有機化合物を有機溶媒と混合したもので、・・・高濃度ｎ＋　用塗布剤２５は五酸化二リンを５重量パーセント、低濃度ｎ＋　用塗布剤２４は五酸化二リンを０．５重量パーセントを含んだものである」（上記「第４」「１」「（１）」「イ」）と記載されており、ガラス粉末を含有することの記載及び示唆はない。 また、引用文献２には、「スピンコート（回転塗布）法で半導体基板上に形成した不純物含有ガラス層を不純物拡散源とする固相－固相拡散方法において、エタノールまたはアセトンのような有機溶媒に、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａｓ）、ほう素（Ｂ）、燐（Ｐ）のような不純物を含有した硅酸ガラス成分を溶融した液状体を基板上にスピンコートし、２００〔℃〕程度の酸素雰囲気中で加熱して有機溶媒を飛散させ、不純物含有の硅酸ガラス膜を形成し、それを不純物拡散源とする半導体装置の製造方法」（引用文献２に記載の事項）が記載されているところ、当該「エタノールまたはアセトンのような有機溶媒に、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａｓ）、ほう素（Ｂ）、燐（Ｐ）のような不純物を含有した硅酸ガラス成分を溶融した液状体」となす「硅酸ガラス成分」は、エタノールまたはアセトンのような有機溶媒に溶融した液状体となるべく有機基を有するものであって、この場合は、「硅酸ガラス成分」は「溶融」しているから、「ガラス粉末」とはいえない。 これに対して、相違点に係る本願発明１の「ガラス粉末」は、引用文献２に記載された事項の「溶融」している「硅酸ガラス成分」とは異なり、引用文献２に記載されたものではないから、当業者といえども、引用発明及び引用文献２に記載された事項から、相違点に係る本願発明１の「第１のｐ型拡散層形成組成物」及び「第２のｐ型拡散層形成組成物」は「ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有する」という構成を容易に想到することはできない。 そして、本願発明１は、「第１のｐ型拡散層形成組成物」及び「第２のｐ型拡散層形成組成物」は「ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有する」ことで、「ガラス粉末中のｐ型不純物は焼成中でも揮散しにくいため、揮散ガスの発生によってｐ型拡散層形成組成物を付与した部分のみでなく裏面や側面にまでｐ型拡散層が形成されるということが抑制される。」（本願明細書段落【００１３】）という顕著な効果を奏する。 したがって、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 ２　本願発明２及び３について 本願発明２及び３も、本願発明１の「第１のｐ型拡散層形成組成物」及び「第２のｐ型拡散層形成組成物」は「ｐ型不純物を含むガラス粉末及び分散媒を含有する」との構成を備えるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 第６　むすび 以上のとおり、本願発明１ないし３は、当業者が引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。