2016-005411

特願２０１１－　４５４３０「デュアル・デプレションを示す高電子移動度トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月１５日出願公開、特開２０１１－１８１９３４〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は，平成２３年（２０１１年）３月２日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理平成２０１０年３月２日，大韓民国）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２６年　２月　５日　審査請求 平成２６年１１月２７日　拒絶理由通知 平成２７年　４月　２日　意見書・手続補正 平成２７年１２日１４日　拒絶査定 平成２８年　４月１２日　審判請求・手続補正 ２　審判請求と同時にした手続補正の却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 平成２８年４月１２日に審判請求と同時にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ （１）本件補正の内容 本件補正により，下記のとおり特許請求の範囲の請求項１３について補正がされた。（下線は補正個所を示し，当審で付加した。） ・補正前 「下部物質層上に形成された中間物質層と、 前記中間物質層上に存在する上部物質層及びドレイン電極と、 前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか１層の上に形成されたゲート電極と、 前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか１層の上に形成されたソース電極と、を含み、 前記中間物質層の極性は、前記上部物質層及び下部物質層の極性と異なり、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、デュアル・デプレション領域が存在する高電子移動度トランジスタ。」 ・補正後 「下部物質層上に形成された中間物質層と、 前記中間物質層上に存在する上部物質層及びドレイン電極と、 前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか１層の上に形成されたゲート電極と、 前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか１層の上に形成されたソース電極と、を含み、 前記中間物質層の極性は、前記上部物質層及び下部物質層の極性と異なり、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、デュアル・デプレション領域が存在し、 前記ソース電極及び前記ゲート電極に連結された第１電源と、 前記ドレイン電極に連結され、前記ソース電極及び前記ゲート電極に連結されない第２電源とを含む高電子移動度トランジスタ。」 （２）判断 本件補正により請求項１３に「前記ソース電極及び前記ゲート電極に連結された第１電源と、前記ドレイン電極に連結され、前記ソース電極及び前記ゲート電極に連結されない第２電源とを含む」（以下，「本件補正事項」という。）が付加されたが，本件補正事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載されておらず，それらの記載から自明のものとも認められないので，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。 なお，請求人は，本件補正事項は，出願当初の図１０に基づくと主張するが，図１０には，電源Ｓ１及び電源Ｓ２を，いずれも下向きの矢印に接続することが記載されており，これはいずれも接地レベルに接続することを意味するから，電源Ｓ１とＳ２は接地レベルを介して電気的な接続を有するものと解される。 とすれば、図１０には、電源Ｓ２は、ドレイン電極３２及び接地レベルであるソース電極２８と連結されていることが記載されているから、本件補正事項の根拠とはならない。 （３）むすび したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するから，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 ３　本願発明について （１）本願発明 本願の請求項１３に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２７年４月２日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１３に記載された，次のとおりのものと認める。 「下部物質層上に形成された中間物質層と、 前記中間物質層上に存在する上部物質層及びドレイン電極と、 前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか１層の上に形成されたゲート電極と、 前記中間物質層と前記上部物質層とのうち少なくともいずれか１層の上に形成されたソース電極と、を含み、 前記中間物質層の極性は、前記上部物質層及び下部物質層の極性と異なり、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、デュアル・デプレション領域が存在する高電子移動度トランジスタ。」 （２）引用文献１の記載 ア　引用文献１ 原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７－１３４６０８号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。 （ア）【発明が解決しようとする課題】 【００２５】 本発明が解決しようとする課題は、リサーフの効果を用いて、窒化物系ヘテロ接合トランジスタの高耐圧化を行うことであり、具体的には、窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタにおいて、ドレインのオフ耐圧やオン耐圧が向上した窒化物半導体のトランジスタ構造を提供することにある。 （イ）【００５９】 ドレイン電流が飽和している場合、あるいは、ゲート電圧がしきい値電圧以下の場合において、つまり、ドレイン電流の飽和領域および遮断領域となっている場合において、ｎ型の２次元電子ガスチャンネルは空乏化する。このｎ型の２次元電子ガスチャンネルが空乏化すると、２次元状のホールからなるｐ型の電界制御チャンネルも空乏化することが可能なように、ｎ型チャンネルに平行にかつ近接させて、電界制御チャンネルを位置させる必要がある。 （ウ）【０１２４】 （実施例３） 図１０は、本発明の実施例３の窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの構造を示す図である。図１０において、４１は基板、４２はＡ１ｘＧａ１－ｘＮバリアー層、４３はＧａＮ層、４４はＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層、４５はＧａＮ層である。４６はソース電極、４７はゲート電極、４８はドレイン電極、４９は絶縁膜である。この層構造は、チャンネルを上下から電界制御チャンネルで挟んだ構造である。素子の層構造は、基板４１、ＡｌｘＧａ１－ｘＮ層４２、ＧａＮ層４３、ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４、ＧａＮ層４５からなっている。チャンネルは、ＧａＮ層４３とＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４のヘテロ界面に形成される。基板４１の側の電界制御チャンネルはＡｌｘＧａ１－ｘＮ層４２とＧａＮ層４３のヘテロ界面に形成される。素子表面側の電界制御チャンネルはＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４とＧａＮ層４５のヘテロ界面に形成される。 （エ）図１０には、ＧａＮ層４３上に形成されＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４と、ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４上に存在するＧａＮ層４５及びドレイン電極４８と、ＧａＮ層４５上に形成されたゲート電極４７と、ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４上に形成されたソース電極４６が記載されていると認められる。 イ引用発明１ 前記（ウ）の記載において、「チャンネル」とは、「２次元電子ガスチャンネル」の意味であるから、「ＧａＮ層４３」と「ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４」のヘテロ界面に「２次元電子ガスチャンネル」が形成される。また、「電界制御チャンネル」とは、「２次元状のホールからなるｐ型の電界制御チャンネル」の意味であり、「層構造は、チャンネルを上下から電界制御チャンネルで挟んだ構造である」という記載から、２つの２次元状のホールから成るｐ型の電界制御チャンネル領域（一つは、基板４１の側であり、ＡｌｘＧａ１－ｘＮ層４２とＧａＮ層４３のヘテロ界面、他の一つは素子表面側のＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４とＧａＮ層４５のヘテロ界面）が当該２次元電子ガスチャンネルを挟み込む形で平行にかつ近接して形成されているものといえる。 また、前記（イ）の記載から、当該ｎ型２次元電子ガスチャンネルに平行にかつ近接させた位置にｐ型の電界制御チャンネルを形成すると、ドレイン電流が飽和している場合、あるいは、ゲート電圧がしきい値電圧以下の場合において、つまり、ドレイン電流の飽和領域および遮断領域となっている場合において、ｎ型の２次元電子ガスチャンネルは空乏化し、当該ｎ型の２次元電子ガスチャンネルが空乏化により、２次元状のホールからなるｐ型の電界制御チャンネルも空乏化することが可能となる。ここで、「空乏化している領域」は「デプレション領域」と技術的に同義であり、「デュアル」というのは、ｐ型とｎ型のチャンネル領域の両方の領域を意味するものと解される。 さらに、前記（エ）の記載から、図１０には、これらの各チャンネルを形成する層構造の上部に互いに離間したゲート電極４７とドレイン電極４８を備えている窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの構造が記載されている。 したがって、前記（イ）、（ウ），（エ）の記載より、ゲート電極４７とドレイン電極４８の間に、当該２次元電子ガスチャンネル、ｐ型の電界制御チャンネルが各々空乏化している領域、換言すれば「デュアル・ディプレッション領域」として存在するものといえる。 よって、前記（ア）乃至（エ）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「ＧａＮ層４３上に形成されたＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４と、 前記ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４上に存在するＧａＮ層４５及びドレイン電極４８と、 前記ＧａＮ層４５の上に形成されたゲート電極４７と、 前記ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４上に形成されたソース電極４６と、を含み、 前記ゲート電極４７と前記ドレイン電極４８との間に、デュアル・デプレション領域が存在する窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタ。」 （３）本願発明と引用発明１との対比 ア　引用発明１の「ＧａＮ層４３」、「ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４」、「ＧａＮ層４５ 」は、その順に積層されているから、本願発明の「下部物質層」、「中間物質層」、「上部物質層」に相当する。 イ　引用発明１の「ドレイン電極４８」は、「ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４」上に存在するので、本願発明の「中間物質層上に存在するドレイン電極」に相当する。 ウ　引用発明１の「ゲート電極４７」は、「ＧａＮ層４５」上に形成されているので、本願発明の「上部物質層の上に形成されたゲート電極」に相当する。 エ　引用発明１の「ソース電極４６」は、「ＡｌｙＧａ１－ｙＮバリアー層４４」上に形成されているので、本願発明の「中間物質層の上に形成されたソース電極」に相当する。 オ　引用発明１の「窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタ」はＡｌｙＧａ１－ｙＮ層４４を電子供給層、ＧａＮを２次元電子ガスチャンネル層として動作するＨＥＭＴであることから、本願発明の「高電子移動度トランジスタ」に対応する。 カ　してみると，本願発明と引用発明１とは，下記キの点で一致するが，下記クの点で相違すると認められる。 キ　一致点 「下部物質層上に形成された中間物質層と、 前記中間物質層上に存在する上部物質層及びドレイン電極と、 前記上部物質層の上に形成されたゲート電極と、 前記中間物質層の上に形成されたソース電極と、を含み、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に、デュアル・デプレション領域が存在する高電子移動度トランジスタ。」 ク　相違点 本願発明においては，「前記中間物質層の極性は、前記上部物質層及び下部物質層の極性と異な」るのに対し，引用発明１においては，このことが明示されていない点。 （４）相違点についての検討 引用発明１において、下部物質層、上部物質層は、ＧａＮ、中間物質層はＡｌＧａＮを材料として用いており、本願発明の積層構造と同一の材料である。そして、本願発明においてこれらの材料は極性が異なる物質層となることが記載されている（本願明細書【００４１】参照）ことから、引用発明１でも、中間物質層の極性は、必然的に前記上部物質層及び下部物質層の極性と異なるものと認められる。 してみると，相違点は実質的には相違点ではない。 （５）まとめ 本願発明は，引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げられた発明に該当し，特許を受けることができない。 ４　結言 したがって，本願の請求項１３に係る発明は，特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 よって，結論のとおり審決する。