2012-800204

上記当事者間の特許第３４６８３５８号「炭化珪素質複合体及びその製造方法とそれを用いた放熱部品」の特許無効審判事件についてされた平成２５年１２月２４日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において請求項１、７ないし１１に係る発明に対する部分の審決取消しの判決（平成２６年（行ケ）第１００４７号、平成２７年７月１６日）があったので、審決が取り消された部分の請求項に係る発明についてさらに審理のうえ、次のとおり審決する。

【結　論】 特許第３４６８３５８号の明細書、特許請求の範囲及び図面を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲及び図面のとおり、訂正後の請求項〔１－１１〕について訂正することを認める。 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担とする。

【理　由】 第１　手続の経緯 １．平成１１年１０月６日に、名称を「炭化珪素質複合体及びその製造方法とそれを用いた放熱部品」とする発明について本件特許出願（特願平１１－２８５４２９号）がされ、平成１５年９月５日に、特許第３４６８３５８号として設定登録を受けた（請求項の数１１。以下、その特許を「本件特許」といい、その明細書および図面を「本件明細書」といい、特許権者である電気化学工業株式会社を「被請求人」という。）。 本件特許について、シーピーエス・テクノロジーズ・コーポレーション（以下、「請求人」という。）から、本件無効審判の請求がされた。 一次審決までの手続の経緯は、以下のとおりである。 平成２４年１２月１２日　　　審判請求書・甲第１～９号証提出 平成２５年　３月２２日　　　答弁書・乙第１号証提出、訂正請求 平成２５年　４月　１日　 　上申書（被請求人） 平成２５年　４月１２日　 　手続補正書（被請求人） 平成２５年　５月２２日付け 審理事項通知書 平成２５年　７月１１日　　　口頭審理陳述要領書（請求人） 平成２５年　７月１８日　　　口頭審理陳述要領書（被請求人） 平成２５年　８月　１日　　　第１回口頭審理、無効理由通知 平成２５年　９月　２日　　　意見書・乙第２～８号証の２提出、訂正請求 平成２５年　９月　６日　　　上申書（請求人） 上申書（被請求人） 平成２５年１１月　５日　　　弁駁書 平成２５年１２月２４日付け　一次審決 ２．平成２６年２月１８日に、請求人から、平成２５年１２月２４日にした審決の取り消しを求め、知的財産高等裁判所に訴えが提起され、知的財産高等裁判所において、特許法第１８１条の規定により、 「１　特許庁が無効２０１２－８００２０４号事件について平成２５年１２月２４日にした審決のうち，特許第３４６８３５８号の請求項１，７ないし１１に係る部分を取り消す。 ２　原告のその余の請求を棄却する。」 との判決（平成２６年（行ケ）第１００４７号、平成２７年７月１６日判決言渡）がされ、その後確定した。 ３．その後の手続の経緯は、以下のとおりである。 平成２８年　２月２５日　　　訂正申立 平成２８年　３月１４日付け　訂正請求のための期間指定通知 平成２８年　３月２８日　　 訂正請求 平成２８年　６月１０日　　 弁駁書（請求人）・甲第１０～１２号証提出 第２　平成２５年１２月２４日付け審決の請求項２ないし６に係る部分の取り消しについて 平成２６年（行ケ）第１００４７号（平成２７年７月１６日判決言渡）によって、 「１．特許庁が無効２０１２－８００２０４号事件について平成２５年１２月２４日にした審決のうち、特許第３４６８３５８号の請求項１，７ないし１１に係る部分を取り消す。 ２．原告のその余の請求を棄却する。」 との判決がされ、その後確定した。 ここで、請求項２ないし６と、請求項１、７ないし１１とは、一群の請求項を構成する。 そして、訂正の請求がされたそれらの一群の請求項のうち、請求項２ないし６に係る部分は当該判決によって取り消されなかったが、請求項１、７ないし１１に係る部分をついては審決の取り消しの判決がされ確定した。 よって、今般、審理を行うに際し、特許法第１８１条第２項の規定により、上記審決のうち請求項２ないし６に係る部分を取り消す。 第３　平成２８年３月２８日付けの訂正請求の適否について １．訂正の請求の要旨 平成２５年９月２日付けの訂正（以下、「先の訂正」という。）請求は、平成２８年３月２８日付けで訂正請求がされたことにより、特許法第１３４条の２第６項の規定により、取り下げられたものとみなされた。 平成２８年３月２８日付けの訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求の要旨は、「特許第３４６８３５８号の明細書および図面を本件訂正請求書に添付した訂正明細書および図面のとおり、訂正後の請求項１乃至１１について訂正することを求める。」というものである。 ２．訂正の内容 本件訂正の請求は、本件明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明について、以下に示す訂正を求めるものである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、」とあるのを「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体であって、」と訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に「板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、」とあるのを「該矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、」と訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１に「前記穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、」との事項を付加する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１に「前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、」との事項を付加する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項１に「前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置されており、」との事項を付加する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項１に「前記２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向を穴間方向（Ｘ方向）としたとき、前記」との事項を付加する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項１に「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μm）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μm）の関係が、５０≦Ｃx≦２５０、且つ－５０≦Ｃy≦２００である（Ｃy＝０を除く）」とあるのを「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μm）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μm）の関係が、｜Ｃx｜≧｜Ｃy｜、５０≦Ｃx≦２５０、且つ－５０≦Ｃy≦２００である（Ｃy＝０を除く）」と訂正する。 （８）訂正事項８ 本件明細書の段落【００１２】に「本発明は、多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μm）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μm）の関係が、５０≦Ｃx≦２５０且つ－５０≦Ｃy≦２００（Ｃy＝０を除く）」とあるのを「本発明は、多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体であって、該矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、前記穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置されており、前記２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向を穴間方向（Ｘ方向）としたとき、前記穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μm）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μm）の関係が、｜Ｃx｜≧｜Ｃy｜、５０≦Ｃx≦２５０、且つ－５０≦Ｃy≦２００（Ｃy＝０を除く）」と訂正する。 （９）訂正事項９ 本件明細書の段落【００３１】において、「一般にここで、前記穴間方向（Ｘ方向）とは、図９（ａ）～（ｄ）に例示した、放熱板表面の一方向を示し、Ｙ方向は、前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している。」とあるのを「一般にここで、前記穴間方向（Ｘ方向）とは、図９（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に例示した、放熱板表面の一方向を示し、Ｙ方向は、前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している。」と訂正する。 （１０）訂正事項１０ 本件明細書の段落【００５７】における表２に関し、「金属層の平均厚み（ｍｍ）」を「金属層の平均厚み（μｍ）」と訂正する。 （１１）訂正事項１１ 本件明細書の段落【００６２】において、「表１」を「表４」と訂正する。 （１２）訂正事項１２ 本件明細書の段落【００７２】において、「〔実施例２４～３１、比較例３～６〕」を「〔実施例２４～２６、２８、３０、３１、参考例２７、２９、比較例３～６〕」と訂正する。 （１３）訂正事項１３ 本件明細書の段落【００７３】において、「得られら炭化珪素質複合体は、１００×１５０ｍｍ（コーナー部：Ｒ３）の形状に外周加工、並びに６箇所に７ｍｍφの穴加工を施した（図９（ｂ）参照）のち、更に、３次元ミルで面加工して、所定の形状、厚さ、反り量を有するいろいろな複合体を作製した。」とあるのを「得られた炭化珪素質複合体は、１００×１５０ｍｍ（コーナー部：Ｒ３）の形状に外周加工、並びに６箇所に７ｍｍφの穴加工を施した（図９（ｃ）参照）のち、更に、３次元ミルで面加工して、所定の形状、厚さ、反り量を有するいろいろな複合体を作製した。」と訂正する。 （１４）訂正事項１４ 本件明細書の段落【００７５】における表９に関し、「実施例２７」及び「実施例２９」をそれぞれ「参考例２７」及び「参考例２９」と訂正する。 （１５）訂正事項１５ 本件明細書の段落【００７７】において、「比較例２９」を「参考例２９」と訂正する。 （１６）訂正事項１６ 本件明細書の【図面の簡単な説明】において、「【図９】本発明に係る複合体を例示する平面図。」とあるのを「【図９】本発明に係る複合体を例示する平面図。但し、（ｂ）図は参考例である。」と訂正する。 （１７）訂正事項１７ 図面の図９が とあるのを と訂正する。 ３．本件訂正の請求についての当審の判断 当審は、上記訂正事項１ないし１７は、以下のとおり訂正の目的要件を満たすものであり、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないと判断する。 ３－１．各訂正事項についての訂正の目的の適否、新規事項追加の有無、実質変更の有無について （１）訂正事項１、２ 訂正事項１、２は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「板状複合体」を、「矩形板状複合体」と訂正するものであり、「板状」の形状を「矩形」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書に添付された図面の【図２】～【図８】に板状複合体に用いる多孔質炭化珪素成形体が、【図９】にそれらの多孔質炭化珪素成形体を用いて製造された板状複合体の例が開示されており、それらが長方形状（すなわち、矩形状）のものであることに基づくものであるから、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項３ 訂正事項３は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「板状複合体」の有する「４個以上の穴部」の配置を、「矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され」る配置に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書に添付された図面の【図９】（以下に再掲する。）に例示された板状複合体において、Ｙ方向に伸びる対辺のそれぞれに沿って２～４個の穴部が配置され、Ｘ方向に伸びる対辺のそれぞれに沿って２個の穴部が配置されているものがあることに基づくものであるから、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項４ 訂正事項４は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「板状複合体」の有する「４個以上の穴部」の配置を、「２個ずつ配置された４個の穴部」が「２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねて」いる配置に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書に添付された図面の【図９】に例示された板状複合体において、Ｘ方向に伸びる対辺のそれぞれに沿って配置された２個の穴部（両対辺の合計で４個の穴部）が、Ｙ方向に伸びる対辺のそれぞれに沿って配置された２～４個の穴部の両端部の２個の穴部（両対辺の合計で４個の穴部）でもあるものがあることに基づくものであるから、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項５ 訂正事項５は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「板状複合体」の有する「４個以上の穴部」の配置を、「２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離」が「２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置されて」いる配置に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書に添付された図面の【図９】に例示された板状複合体において、いずれもＸ方向に伸びる対辺のそれぞれに沿って配置された２個の穴部同士の距離が、Ｙ方向に伸びる対辺のそれぞれに沿って配置された２～４個の穴部の隣接する穴同士の距離よりも長いことが見て取れるものがあることに基づくものであるから、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項６について 訂正事項６は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「穴間方向（Ｘ方向）」が、「２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向」であることを付加するものである。 ここで、本件明細書をみると、「穴間方向（Ｘ方向）」について、「一般にここで、前記穴間方向（Ｘ方向）とは、図９（ａ）～（ｄ）に例示した、放熱板表面の一方向を示し、Ｙ方向は、前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している。」（段落【００３１】）と記載され、本件明細書に添付された図面の【図９】をみると、互いに直交する矢印を付してＸ方向と、Ｙ方向とが図示された４つの放熱板の例が開示されている。これらの記載事項からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された「穴間方向（Ｘ方向）」とは、【図９】に図示されたＸ方向を一例とするものの、それに限定されるものでなく、他の方向である態様をも含むものと理解される。 そうすると、訂正前の「穴間方向（Ｘ方向）」は【図９】に図示されたＸ方向を含む複数の方向を包含し、いずれの方向であるかが不明であったところ、訂正事項６は、「２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向を穴間方向（Ｘ方向）としたとき、前記」との事項を付加することによって、２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向を穴間方向（Ｘ方向）として明確にしたうえで、その場合における穴間方向（Ｘ方向）およびそれに垂直な方向（Ｙ方向）の反り量が規定されるようにするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 また、【図９】に開示された４つの例の板状複合体のうち、左から１、３、４番目の例において、「穴間方向（Ｘ方向）」の矢印が、「２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向」に表示されていることが見て取れるから、「穴間方向（Ｘ方向）」が「２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向」である例は本件明細書および添付図面に記載されていた事項といえる。 そして、本件訂正発明は、訂正事項６のように「穴間方向（Ｘ方向）」を限定することによって、その技術分野（炭化珪素複合体を用いた放熱部品）や、解決すべき課題（高熱伝導性を有すると共に、比重が小さく、且つ熱膨張係数がセラミックス基板に近い、反りを有していて放熱部品等に密着性良く接合される複合体及びこれを用いた放熱部品を安価に提供すること（段落【０００９】））を変更するともいえない。 そうすると、訂正事項６は、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであって新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものともいえない。 ［平成２８年６月１０日付け弁駁書における請求人の主張について］ 請求人は、平成２８年６月１０日付け弁駁書において、訂正事項６は、「穴間方向（Ｘ方向）」について、ネジ穴（穴部）との関係性において定められるという新たな定義を導入するものであることを主張している。 ここで、上記知的財産高等裁判所判決（平成２６年（行ケ）第１００４７号）において、特許請求の範囲の記載の明確性に関して、 「（ウ）ところで，本件訂正発明１は，「穴間方向」であるＸ方向の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ）と，Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向における長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ）の数値範囲をそれぞれ定め，・・・反り量を規定する上記条件は，本件訂正発明１に係る板状複合体を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定するための条件であると認められる。 ここで，本件訂正明細書の複合体は，特定量の反りを有していて，例えば，放熱板として用いた場合に，セラミック基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができ，放熱性が安定した，高信頼性のモジュールを形成することができるという効果を奏するものであるところ（段落【００８１】），板状複合体（放熱板）を放熱部品に密着性よくネジ止め固定できる長さ１０ｃｍに対する反り量であるＣｘ及びＣｙについて異なる数値範囲が規定されている本件訂正発明１において，本件明細書の段落【００３５】の記載から，本件訂正発明における好ましい長さ１０ｃｍに対する反り量は穴間距離の影響を受けるものと解され，Ｘ方向（ひいては，Ｙ方向）が，放熱板表面の一方向であればどの方向であっても他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定できるとは考えられないことからすると，本件訂正発明１が上記作用効果を奏するためには，「穴間方向（Ｘ方向）」は，板状複合体のネジ穴または外形との関係でどの方向を示すものであるかが定義されていることを要するものというべきである。」 （第１２４～１２５頁．なお、判決文中において、「本件訂正発明」とは先の訂正後の特許請求の範囲に記載された発明を意味する。）、 と判示されるように、本件訂正発明が、他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定され、放熱性が安定した，高信頼性のモジュールが形成される等の効果を奏するためには、本件明細書の記載からみて、「穴間方向（Ｘ方向）」が，板状複合体のネジ穴または外形との関係でどの方向を示すものであるか定義されていることを要する。 そして、上記判示事項を踏まえると、訂正事項６は、本件訂正発明がその作用効果を奏するために必要であることが当業者にとって明らかな事項を、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内において特定して明示するものであって、新たな技術的事項を導入して別の発明を創出するものではない。 また、請求人は、同弁駁書において、「穴間方向（Ｘ方向）」をネジ穴（穴部）との関係性において定めることは、平成２５年７月１８日付け口頭審理陳述要領書、本件特許権に関する特許権侵害差止仮処分命令申立事件（平成２４年（ヨ）第２２０６５号）において、被請求人が「反り量が大きい方がＸ方向で、反り量が小さい方がＹ方向であり、Ｘ方向（Ｙ方向）は一義的に定義できる」と主張していることと整合しないこと等も主張している。 しかしながら、板状複合体がネジ止め固定される場合、反り量は、ネジ止めされる間隔（穴間距離）等の影響を受ける（穴間距離が大きい方が反り量が大きくなる傾向がある）と解され、「反り量」とネジ止めされる間隔（「穴間距離」）との間には関係があるといえる。 また、【図９】においても、実際に、Ｘ方向は穴間距離が大きく、Ｙ方向は穴間距離が小さくなっていることが認められる。 したがって、Ｘ方向（Ｙ方向）が「反り量」との関係で定義できるとすることと、ネジ止めされる間隔（「穴間距離」）との関係で特定することとが明らかに整合しないとまではいえない。 よって、平成２８年６月１０日付け弁駁書における請求人の主張は、妥当なものとはいえない。 （６）訂正事項７ 訂正事項７は、特許請求の範囲の請求項１に記載された板状複合体の「穴間方向（Ｘ方向）」の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μm）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μm）とを｜Ｃx｜≧｜Ｃy｜の条件を満たすものに訂正するものである。 ここで、上記知的財産高等裁判所判決において、当該訂正事項７と同様の訂正事項である平成２５年３月２２日付け訂正請求における訂正事項１について、 「ア　・・・そうすると，訂正事項１は，特許請求の範囲の請求項１に記載された「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係」について，Ｃｘの絶対値がＣｙの絶対値以上であるとの限定を加えるものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められる。 イ　本件明細書の段落【００３２】（・・・）には，「本発明の複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定する場合，一般には，放熱板と放熱部品との間に放熱グリス等を介して固定される。このため，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）に関しては，その絶対値が放熱グリス厚より小さいことが好ましい。また，締め付け時の放熱板の変形を考慮した場合，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。」との記載がある。 ところで，「締め付け時の放熱板の変形を考慮した場合，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。」との記載を，両反り量を絶対値で比較するものと理解しないとすると，Ｃｙが負の場合には，Ｃｙが小さい方，すなわち，凹状に反っている量が大きい方が好ましいことを意味することになる。しかしながら，このような理解は技術常識に反することから，上記記載は，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）は，その絶対値が放熱グリス厚より小さいことが好ましいと記載されているのと同様に，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）の絶対値が，Ｘ方向の反り量（Ｃｘ）の絶対値より小さい方向が好ましいことを記載したものと理解される。 したがって，本件明細書には，「 穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係」について，｜Ｃx｜＞｜Ｃy｜の関係が記載されているといえる。 そして，本件明細書の段落【００７５】の表９（・・・）には，本件訂正発明の実施例（実施例２８）として，・・・，Ｃx＝Ｃyの関係が記載されているといえる。 そうすると，本件明細書には，「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係」について，｜Ｃx｜≧｜Ｃy｜の関係が記載されているものと認められる。 したがって，訂正事項１は，願書に添付された明細書に記載した事項の範囲内でされたものであると認められ，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。」 （第８６～８８頁．なお、判決文中において、「本件訂正発明」とは先の訂正後の特許請求の範囲に記載された発明を意味する。） と判示され、上記判示事項を踏まえると、訂正事項７は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件明細書に記載した事項の範囲内でされたものであると認められ，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。 （７）訂正事項８ 訂正事項８は、特許請求の範囲の訂正と整合させるために、明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、特許請求の範囲の訂正に係る訂正事項１～７について、上記（１）～（６）に記載した理由と同様の理由により、いずれも、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （８）訂正事項１０～１２、１４、１５ 訂正事項１０は、明細書の段落【００５７】における表２に関し、「金属層の平均厚み（ｍｍ）」を「金属層の平均厚み（μｍ）」と訂正するものである。 ここで、段落【００６１】に 表２に掲載された実施例２の型枠の材質を変更した実施例１１について、形成される金属層の平均厚みがμｍ単位（３０μｍ）であることが開示されており、表２の「金属層の平均厚み（ｍｍ）」と矛盾し、いずれかの単位系の記載が誤記と推認されること、表１の実施例２の成形体厚みが２．９３ｍｍであるところ、それにアルミニウム金属を含浸させる（段落【００５５】～【００５６】）ことによって、各成形体の表裏面に１０倍以上の厚みの層（表面６０ｍｍ、裏面３０ｍｍ）を形成できるものとは、技術常識に照らして考えられないことを考慮すると、「金属層の平均厚み（ｍｍ）」の単位系の「（ｍｍ）」が誤記であることは明らかであるから、訂正事項１０は、誤記の訂正を目的とするものに該当する。 訂正事項１１は、明細書の段落【００６２】の実施例１２～１７、比較例２についての「炭化珪素粉末Ａ（…）、炭化珪素粉末Ｂ（…）及びシリカゾル（…）を表１の組成で配合し」との記載における「表１」を「表４」と訂正するものであるが、【表１】に実施例１２～１７、比較例２のデータはなく、炭化珪素粉末Ａ、炭化珪素粉末Ｂおよびシリカゾルの配合比も何ら開示されていない一方、【表４】には実施例１２～１７、比較例２のそれらの配合比のデータが開示されており、段落【００６２】の「表１」が「表４」の誤記であることは明らかであるから、訂正事項１１は、誤記の訂正を目的とするものに該当する。 訂正事項１２、１４、１５は、明細書の段落【００７２】、【００７５】、【００７７】に記載された「実施例」ないし「比較例」の一部を「参考例」に訂正することによって、明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正後の特許請求の範囲の記載と整合させるものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 そして、訂正事項１０、１１は、当初明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、訂正事項１２、１４、１５は、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであって、それらいずれの訂正事項も、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （なお、訂正事項１０～１２、１４、１５は、平成２５年３月２２日付け訂正請求における訂正事項３～７と同様の訂正事項であり、それらの訂正事項については、一次審決で上記と同様の判断を示しており、上記知的財産高等裁判所判決からみて、その判断について両当事者間に争いはないものと認められる。） （９）訂正事項９、１３、１６、１７ これらの訂正事項はいずれも、本件明細書に添付された図面である【図９】に係る箇所についてのものであるところ、これらの訂正事項は【図９】に必要な記号（（ａ）～（ｄ））が付されていない不備を訂正し、その訂正に沿って、発明の詳細な説明の対応する記載を訂正するものとも解されることに鑑み、以下、訂正事項１７、９、１６、１３の順で、併せて検討する。 まず、訂正事項１７について検討する。 訂正事項１７は、本件明細書に添付された図面の【図９】に掲載された４つの炭化珪素複合体の図に「（ａ）～（ｄ）」の記号を付すものであるが、明細書の段落【００３１】に「図９（ａ）～（ｄ）」との記載があるのに対して、【図９】には４つの炭化珪素複合体の図が掲載されているのみであった不整合を正すものであり、掲載された４つの図の左端から右端へ向かって、順に、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）とすることは、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 次に、訂正事項９について検討する。 訂正事項９は、「穴間方向（Ｘ方向）」の例として、訂正前に「図９（ａ）～（ｄ）」が例示されていたところ、訂正事項６によって 「穴間方向（Ｘ方向）」が「２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向」とされたことによって、「穴間方向（Ｘ方向）」の例に該当しないものとなった（ｂ）を除外して、「穴間方向（Ｘ方向）」の例として、「図９（ａ）、（ｃ）、（ｄ）」を例示するように訂正するものであって、特許請求の範囲の訂正と整合させるために明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 次に、訂正事項１６について検討する。 訂正事項１６は、本件明細書の【図面の簡単な説明】の【図９】についての説明に「但し、（ｂ）図は参考例である。」との記載を加入するものである。 当該訂正事項１６は、訂正事項６の訂正によって実施例でなくなった【図９】の左から２番目の例が実施例でなく参考例であることを、訂正事項１７によって付された（ａ）～（ｄ）の記号の標記に従って記載するものであるから、特許請求の範囲の訂正と整合させるために明細書の発明の詳細な説明の記載を訂正するものであって明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 さらに、訂正事項１３について検討する。 訂正事項１３は、明細書の段落【００７３】における「６箇所に７ｍｍφの穴加工を施した（図９（ｂ）参照）」とあるのを「６箇所に７ｍｍφの穴加工を施した（図９（ｃ）参照）」と訂正するものである。 明細書の段落【００７３】の記載は、その対象とする例が、図９の左から３番目の例（「６箇所」に「穴」のある例）であるのか、同左から２番目の例（「４箇所」に「穴」のある訂正後の（ｂ）の例）であるのか、のいずれであるのかが明瞭でなかったところ、訂正事項１７によって図９に左から（ａ）～（ｄ）の記号が付されるとともに、訂正事項６の訂正によって同左から２番目の例が実施例でなくなったことに伴い、そのまま（（ｂ）のまま）では実施例でない例が実施例である意味となってしまう不合理が起こらないようにし、また、明細書の段落【００７３】において、対象とする例が実施例である図９の左から３番目の例であることを明確にするように、記号の変更を行うものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 そして、当該訂正事項は、本件明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 そして、訂正事項９、１３、１６、１７に係る訂正により、図９に関する不備は解消し、関連する記載は全体として整合し、明瞭なものとなったといえる。 ［平成２８年６月１０日付け弁駁書における請求人の主張について］ 請求人は、平成２８年６月１０日付け弁駁書において、訂正事項１３は、図９の左から２番目の例の実施例であったところを右から２番目の例の実施例とするものであって、実施例を変更するものである等と主張する。 しかしながら、上記のとおり、訂正事項１３は、訂正前の段落【００７３】において対象とする例が明瞭でなかったものを明確にするものであり、請求人の主張するような「実施例を変更するもの」とはいえない。 そして、当該実施例が右から２番目の、６箇所に穴加工を施したことが見て取れる例のものであり、実施例に示されるとおりの良好な効果（密着性）が奏されたとして、技術的に理解できないなどの不合理な点は何ら認められない。 よって、平成２８年６月１０日付け弁駁書における請求人の主張は、認められない。 ３－２．一群の請求項について 訂正前の請求項７～９は請求項１～６を引用して記載した関係にあり、請求項１０は請求項９を、請求項１１は請求項９、１０を引用して記載した関係にあるから、訂正前の請求項１～１１は、一群の請求項であり、訂正事項１ないし７は、それら一群の請求項に係る請求項についての訂正である。 また、訂正事項８～１７は、全ての請求項である請求項１～１１に係る明細書の記載についての訂正である。 ３－３．訂正請求のまとめ よって、訂正事項１～１７は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号～第３号に掲げるいずれかの事項を目的とするものであり、同法同条第３項、第９項により準用する同法第１２６条第４ないし第６項で規定する要件を満たすものである。 ４．むすび 以上のとおりであるから、平成２８年３月２８日付けの訂正請求に係る訂正は認められるべきものである。 第４　本件訂正による訂正後の発明 本件審理の対象となる本件特許発明１～１１は、本件訂正による訂正後の請求項１～１１に記載された事項で特定される以下のとおりのものである（以下、「本件訂正特許発明１～１１」という。）。 【請求項１】 多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体であって、該矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、前記穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴同士の距離より大きくなるように配置されており、前記２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向を穴間方向（Ｘ方向）としたとき、前記穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μm）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μm）の関係が、｜Ｃx｜≧｜Ｃy｜、５０≦Ｃx≦２５０、且つ－５０≦Ｃy≦２００（Ｃy＝０を除く）ことを特徴とする炭化珪素質複合体。 【請求項２】 多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、複合体の表裏両面が平均厚さ１０～１５０μｍのアルミニウムを主成分とする金属層で覆われており、しかも表裏の金属層の平均厚みの差が１４０μｍ以下であり、複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有することを特徴とする炭化珪素質複合体。 【請求項３】 多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、板状複合体が複合体部分（Ａ）と複合体の少なくとも片面に設けられたアルミニウムを主成分とする金属層（Ｂ）とからなり、複合体部分（Ａ）の厚さの平均値（ＴＡ；μｍ）と金属層（Ｂ）の両面の厚さの平均値との合計（ＴＢ；μｍ）の比（ＴＡ／ＴＢ）が５～３０であり、複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有することを特徴とする炭化珪素質複合体。 【請求項４】 複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０～２５０μｍであり、しかも前記金属層（Ｂ）の表面側の厚さの平均値（ＴＢ１；μｍ）と裏面側の厚さの平均値（ＴＢ２；μｍ）との差の絶対値（｜ＴＢ１－ＴＢ２｜）と、複合体の最大長（Ｌ；ｃｍ）との積が５００以上２５００以下であることを特徴とする請求項３記載の炭化珪素質複合体。 【請求項５】 多孔質炭化珪素成形体の少なくとも一主面に段差を設けることを特徴とする請求項３又は請求項４記載の炭化珪素質複合体。 【請求項６】 枠内に２つの多孔質炭化珪素成形体を積層して配置した後、前記枠に鉄板を配置しボルト、ナットで固定してブロックとし、前記ブロックにアルミニウムを主成分とする金属を含浸することで得られる板状複合体であって、板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し、当該炭化珪素質複合体が、多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる、２つの板状複合体（Ｃ、Ｄ）と、アルミニウムを主成分とする金属層（Ｅ）とがＥＣＥＤＥの構造で積層してなる複合体であって、板状複合体（Ｃ）、（Ｄ）の炭素含有量の差が０．５～２．５重量％であり、複合体の主面の長さ１０ｃｍに対する反り量が５０～２５０μｍであることを特徴とする炭化珪素質複合体。 【請求項７】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５又は請求項６記載の炭化珪素質複合体の製造方法であって、炭化珪素質複合体を温度３５０℃以上で応力を加えて塑性変形させることにより、反り付けを行うことを特徴とする炭化珪素質複合体の製造方法。 【請求項８】 室温（２５℃）から１５０℃に加熱した際の平均熱膨張係数が９×１０－６／Ｋ以下であり、室温（２５℃）の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５又は請求項６記載の炭化珪素質複合体。 【請求項９】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５又は請求項６記載の板状の炭化珪素質複合体に半導体搭載用セラミックス基板を接合してなることを特徴とする放熱部品。 【請求項１０】 セラミックス基板が窒化アルミニウム及び／又は窒化珪素であることを特徴とする請求項９記載の放熱部品。 【請求項１１】 セラミックス基板を接合していない面を、放熱グリースを介して、平面板装着する際に、締め付けトルクが２Ｎ以上の条件において、前記面の９０％以上が密着することを特徴とする請求項９又は請求項１０記載の放熱部品。 第５　本件審判請求の趣旨およびその理由 １．本件審判請求の趣旨およびその理由の概要 請求人は、「特許第３４６８３５８号の特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求め」、概ね次のとおりの無効理由を主張している。 （１）無効理由１ 請求項１～３に係る本件特許発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、請求項１～１１に係る本件特許発明は、甲第１号証に記載された発明に甲第２号証～甲第８号証に記載された発明を適用することによって、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。 （２）無効理由２ 請求項１～１１に係る本件特許発明は、甲第４号証に記載された発明に甲第１号証～甲第３号証、及び甲第５号証～甲第８号証に記載された発明を適用することによって、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。 （３）無効理由３ 請求項１～１１に係る本件特許発明は、甲第８号証に記載された発明に甲第１号証～甲第７号証に記載された発明を適用することによって、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。 （４）無効理由４ 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～１１に記載の発明特定事項のうち「反り量」について、発明の詳細な説明の記載からは、炭化珪素質複合体の製造条件や製造方法等をどのように制御すれば、斯かる反り量の数値範囲内となる炭化珪素質複合体を得ることができるのか不明確であり、発明の詳細な説明は、これら請求項に係る発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項第１号（当審注：「特許法第３６条第４項」の誤記と認める。）又は同条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、上記請求項における「反り量」の定義は不明確であり、特許法第３６条第６項第１号又は第２号に規定する要件を満たしておらず、本件特許は、特許法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものである。 なお、本件特許については、その出願時に国内優先権主張がされているが、優先権主張の効果が生じず、特許法第２９条の適用については、本件特許の現実の出願日である平成１１年１０月６日が基準日となることについて、両当事者間に争いはない（上記知的財産高等裁判所判決第８頁）。 ２．請求人の提出した証拠方法およびそれらに記載された事項 ２－１．証拠方法 請求人の提出した証拠方法は、以下のとおりである。 （１）審判請求書に添付して提出 甲第１号証：特開平１１－１３０５６８号公報 甲第２号証：特開平６－３１５９２５号公報 甲第３号証：特開平７－１８３４３６号公報 甲第４号証：特開平１１－１５７９６４号公報 甲第５号証：特開平１０－６５０７５号公報 甲第６号証：特開平８－２０４０７１号公報 甲第７号証：Mark Occhionero, Richard Adams, and Kevin Fennessy, "A NEW SUBSTATE FOR ELECTRONICS PACKAGING: ALUMINUM-SILICON CARBIDE (AlSiC) COMPOSITES," Proceedings of the Fourth Annual Portable by Design Conference,Electronic Design, March 24-27, 1997 pp 398-403 甲第８号証：Thomas Schutze, Hermann Berg, Martin Hierholzer, "Further Improvements in the Reliability of IGBT Modules," Industry Applications Conference, 1988, Thirty-Third IAS Annual Meeting, 12-15 Oct 1998（当審注：Schutzeの「u」はウムラウトを伴うものである。） 甲第９号証：Mark A. Occhionero 博士の宣誓書 （２）平成２８年６月１０日付け弁駁書に添付して提出 甲第１０号証：特開平４－９６３５５号公報 甲第１１号証：特開平１１－１７７００２号公報 甲第１２号証：特開平７－１６１８６３号公報 参考資料１：平成２４年（ヨ）第２２０６５号の債権者準備書面（４） 参考資料２：平成２６年（行ケ）第１００４７号の被告準備書面（１） ２－２．甲号証の記載事項 請求人が証拠方法として提出した甲号証には、それぞれ次のとおりの事項が記載されている。 （１）甲第１号証：特開平１１－１３０５６８号公報 (ア) 発明の属する技術分野 「本発明は，金属或いは合金とセラミックスとからなる複合体（以下，「金属－セラミックス複合体」又は単に「複合体」という）と，それを用いたＩＣパッケージや多層配線基板等の半導体装置のヒートシンクに関する。」（段落【０００１】） (イ) 従来技術 「半導体分野において，ＬＳＩの高集積化，高速化のために発熱が増加する傾向にあり，ヒートシンクとして銅等を裏面（回路，半導体搭載面と反対側の面）に設けた，アルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素等のセラミックス基板が用いられている。一般に，半導体素子は熱に弱く，発熱による温度上昇は，半導体回路の誤動作を発生させたり半導体回路の破壊の原因となる。そのため，発生した熱を逃がすためのヒ－トシンクが備えられたパッケージが使用されるのが一般的である。近年，パワートランジスタ等の分野では大電流化に伴い発熱量がいっそう大きくなり，その熱を逃がすヒートシンクに対する要求特性も厳しいものとなってきている。」（段落【０００２】） 「ヒートシンクに使用される材料には，先ず高熱伝導性であることが要求される。又，セラミックス基板とヒートシンクの熱膨張差に起因して，加熱接合時や使用時のヒートサイクルによりはんだ部分でのクラック（以下，「はんだクラック」という）やセラミック基板の割れ等が発生することがあるため，熱膨張係数が金属と比べて低く，セラミック基板として使用されるアルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素等に近いことが要求される。更に，軽量化の要求も強い。これらの要求を満たすヒートシンク用材料として，近年，金属－セラミックス複合体が注目されている（特開昭６４－８３６３４号公報，特開平９－２０９０５８号公報）。」（段落【０００３】） 「金属－セラミックス複合体は，セラミック粉，セラミック繊維を成形し，必要な場合にはさらにこれを焼成して作製した多孔質セラミックス構造体を用い，これを所望の型内の空間に配置し，この空間に溶融金属を流し込むことによって，前記多孔質セラミックス構造体に前記金属を含浸し，これを冷却することにより作製する。溶融金属を含浸する方法としては，粉末冶金法に基づく方法，例えば，ダイキャスト法（特表平５－５０８３５０号公報）や溶湯鍛造法（まてりあ，第３６巻，第１号，１９９７，４０－４６ページ）等の圧力鋳造による方法，自発浸透による方法（特開平２－１９７３６８号公報）等の各種の方法が知られている。」（段落【０００４】） (ウ) 発明が解決しようとする課題 「また，金属－セラミックス複合体をヒートシンクとして使用する場合，その片面はセラミック基板とはんだ付けされ，他の片面は金属性の放熱フィンとネジ止めがされるのが一般的である。この場合，金属－セラミックス複合体は金属と比較してヤング率が大きいため，ＩＣ等に実使用下で発熱により温度が上がると，はんだとの間でひずみが生じ，はんだクラックが発生することがある。また熱膨張差により放熱フィンとの間の密着性が悪くなり，放熱特性が低下するという問題もある。」（段落【０００６】） 「更に，金属－セラミックス複合体は金属と比較して固く，加工が難しいため，形状対応性が悪いという問題がある。」（段落【０００７】） 「本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行なった結果，金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより，メッキ性が良く，塑性ひずみによるはんだクラックの発生や放熱フィンとの密着性の低下が無い，かつ加工性にも優れた金属－セラミックス複合体が得られることを見いだし，本発明を完成するにいたった。」（段落【０００８】） (エ) 問題を解決するための手段 「即ち，本発明は，多孔質セラミックス構造体に金属を含浸してなる複合体であって，該複合体表面全体に前記金属の層を設けてなることを特徴とする複合体であり，好ましくは，前記多孔質セラミックス構造体が炭化珪素，窒化アルミニウム，窒化珪素，アルミナ又はシリカからなる群より選ばれる１種以上からなることを特徴とする複合体である。」（段落【０００９】） 「本発明は，金属がアルミニウム又はマグネシウムのいずれかを主成分とすることを特徴とする前記の複合体であり，更に好ましくは，前記多孔質セラミックスが空隙率２０～５０％の炭化珪素からなり，前記金属がアルミニウムを主成分とすることを特徴とする前記の複合体である。」（段落【００１０】） (オ) 発明の実施の形態 「本発明は，多孔質セラミックス構造体に金属を含浸してなる複合体であって，該複合体表面全体に前記金属の層を設けてなることを特徴とする複合体である。この構造を採用するとき，金属－セラミックス複合体中の金属と表面の金属の層が同一であり，連続的につながっているので，金属－セラミックス複合体と金属層とが形成する界面での金属層の剥離等が起こるのを防止できる効果がある。」（段落【００１２】） 「また，表面が低ヤング率の金属層で覆われているため，該金属－セラミックス複合体が，例えばセラミックス基板や放熱フィンとはんだで接合され，ヒートシンクとして用いられた場合に，はんだとの間のひずみが小さくなることから，はんだクラックが発生しにくくなるという効果が得られる。また，放熱フィンとの密着性の低下も少なく，放熱特性が長期に渡り安定して得ることができる。」（段落【００１３】） 「更に，本発明の金属－セラミックス複合体は，上記構造を採用することにより，表面に金属層を有しない従来公知の金属－セラミックス複合体と比較して，加工性に富んでいる。例えば，平面研削によりヒートシンクの面加工をする場合には，本発明の金属－セラミックス複合体では，所定寸法より小さめの多孔質セラミックス構造体を用い，金属の層を厚めに設けることで，金属層のみを平面研削するだけで所望寸法の金属－セラミックス複合体を得ることができる。従来のダイヤモンド工具等を必要とするセラミック部分の研削が不必要となる。」（段落【００１４】） 「同様に，金属－セラミックス複合体に穴明け加工をする場合には，予め所望寸法よりも大きな穴を有する多孔質セラミックス構造体を用いて，金属の層を厚めに設けることで，従来公知の金属加工法を適用するのみで所望寸法の金属－セラミックス複合体を得ることができる。」（段落【００１５】） 「その材質については，得られる金属－セラミックス複合体の熱伝導率の低下を少なく，かつ熱膨張係数をアルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素等のセラミック基板に近づけるということから，高熱伝導でありかつ低熱膨張の炭化珪素，窒化アルミニウム，窒化珪素及びアルミナ等が好適である。又，シリカは，熱伝導率は前記セラミックスよりも小さいが，熱膨張係数が小さいため少ない添加量で金属－シリカ複合体の熱膨張係数をセラミック基板の熱膨張係数に近づけることができるため，複合体としたときの熱伝導率の低下が少なく，前記セラミックスを使用したときと同様の効果を得ることができ，やはり，好ましい。このうち，炭化珪素は粉体自体の熱伝導率がアルミニウムよりも高く，炭化珪素を使用して得られる金属－セラミックス複合体の熱伝導率は金属単味の熱伝導率よりも高くなることから特に好ましい。」（段落【００１９】） 「本発明に用いる金属については，本発明の目的を達成し得れば，どのようなものであっても構わないが，高熱伝導性，軽量性を達成する目的から，アルミニウム，マグネシウム等の軽合金又はそれらの合金が好ましい。前記合金についても格別の制限はなく，汎用のアルミニウム合金やマグネシウム合金を用いることができる。アルミニウム合金の場合には，鋳造のしやすさ，高熱伝導性の発現の点から，Ｓｉ含有量が４～１０％のＡＣ２Ａ，ＡＣ２Ｂ，ＡＣ４Ａ，ＡＣ４Ｂ，ＡＣ４Ｃ，ＡＣ８Ｂ，ＡＣ４Ｄ，ＡＣ８Ｃ，ＡＤＣ１０，ＡＤＣ１２等のアルミニウム合金が特に好ましい。」（段落【００２０】） 「上記のセラミックスと金属の組み合わせに関して，金属としてアルミニウムあるいはアルミニウム系合金，セラミックスとして炭化珪素を用いたアルミニウム－炭化珪素複合体は，軽量，高熱伝導，セラミック基板との熱膨張の適合性の点で特に優れた組合せである。本発明者らは，このアルミニウム－炭化珪素複合体について，いろいろ検討した結果，炭化珪素含有量には本発明の目的を達するのに好適な範囲が存在することを見出し，本発明に至ったものである。即ち，アルミニウム－炭化珪素複合体中の炭化珪素含有量が５０体積％以下では熱膨張係数が高くなり，セラミック基板との熱膨張差に起因する前記問題が生じ易くなる。また，セラミックスは高温での熱伝導率が下がるため，８０体積％以上では，使用時の温度上昇による熱伝導率の低下が著しくなるという問題が顕著になってくる。従って，アルミニウム－炭化珪素複合体中の炭化珪素含有量は５０～８０体積％，すなわち，複合体化前の多孔質炭化珪素構造体の気孔率は５０～２０体積％が好適である。」（段落【００２１】） 「本発明の金属－セラミックス複合体を得る方法については，従来公知のいろいろな含浸方法を適用することができるが，複合体表面に金属層を形成させる必要から，圧力鋳造による方法が望ましい。すなわち，ダイキャスト法による場合には，金型のキャビティをプリフォームよりも表面層の分だけ大きめに作ることにより，表面に金属層を持った複合体を容易に作製することができる。又，溶湯鍛造による場合には，鍛造後に金属－セラミックス複合体を，表面に金属層が残るように切り出すことで容易に作製することができる。」（段落【００２２】） 「この場合，下地となる複合体表面に存在する金属層の厚さについて，０.５μｍから５００μｍであることが望ましい。０.５μｍ以下であると部分的にメッキの不均一が生じることがあるし，５００μｍを超えるとヒートサイクルによりはんだクラックが生じ易くなるからである。」（段落【００２４】） (カ) 実施例 「〔実施例１～５〕表１に示す厚さ３ｍｍの金属－セラミックス複合体を作製し，その熱伝導率，熱膨張係数を測定した。その結果，表１に示すとおりに，表面金属層の有無にかかわらず，高熱伝導で，熱膨張係数がセラミック基板に近い金属－セラミックス複合体が得られることを確認した。」（段落【００２６】） 【表１】（段落【００２７】） 「〔実施例１２，比較例６〕表５に示す，縦１００ｍｍ，横４０ｍｍ，厚さ３ｍｍの金属－セラミックス複合体を作製し，それに縦横が同じ大きさで，厚さ２０ｍｍのＡｌ板を４隅でネジ止めし，１２５℃の温度に加熱した。その結果，表面に金属層を設けた金属－セラミックス複合体とＡｌ板の間には隙間は認められなかったが，表面に金属層の無い通常の金属－セラミックス複合体には隙間が生じていた。」（段落【００３４】） 【表５】（段落【００３５】） (キ) 発明の効果 「金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより，メッキ性が良く，塑性ひずみによるはんだクラックの発生や放熱フィンとの密着性の低下が無く，かつ加工性にも優れた金属－セラミックス複合体が得られ，特に電子部品の放熱部品として，セラミックス回路基板のヒートシンク材料として好適である。」（段落【００３６】） （２）甲第２号証：特開平６－３１５９２５号公報 ａ 産業上の利用分野 「本発明は，ろう層を介して互いに結合された，熱膨張係数の異なる少なくとも２枚の板からなる基板を変形する方法に関する。」（段落【０００１】） ｂ 従来の技術 「半導体モジュールを，特にパワーエレクトロニクス分野で使用した際に生じる熱による破壊から保護するには，モジュールを冷却体と良好に熱伝導可能に接触させることが必要である。このためにはモジュールの銅支持板は平坦な冷却体に対して凸状に湾曲した面を，有利には球面として有していなければならず，これによりモジュールを当該冷却体上に側方でねじ締めした際，モジュールは機械的応力下に冷却体に押し付けられる。支持板の相応する形を得るには大きな問題が存在する。」（段落【０００３】） 「銅とＡｌ2 Ｏ3 の熱膨張係数は著しく異なることから，各板をろう付けする際に必然的に生じる熱が，Ａｌ2 Ｏ3 セラミック及び銅支持板を異なって著しく膨張させる（バイメタル効果）。その結果この構造体が冷却した後もはや意図した平行な銅支持板ではなく，セラミック板の状態に対して凸状に湾曲した銅支持板が存在することになる。この事実は，冷却体への支持板の良好な接触がこの構造体の側面でのみはなお確保されるが，中央部ではまったく接触しないか又は不良な状態で接触するにすぎず，従って熱の放出にはほとんど役に立たないことを意味する。」（段落【０００４】） 「凸状に湾曲した，できる限り球面に等しい板構造体を得るには，十分に小さいセラミック板を，凸状に予め変形処理した銅支持板上に軟ろう結合により設け，その結果構造体の冷却後に所望の板構造体を少なくとも近似して生ぜしめることができる。」（段落【０００５】） ｃ 発明が解決しようとする課題 「本発明は，簡単かつ経済的にろう処理によって変形した基板を規定の予め与えられた形にすることのできる方法，及びこの方法を実施するための装置を提供することを課題とする。」（段落【０００７】） ｄ 課題を解決するための手段 「この課題は本発明によれば，基板をプレス皿内で，基板の少なくともプレス皿の表面に隣接する板がプレス皿の予め与えられた形に合わされまたこれにより永久変形が得られるような温度及び圧力にさらすことによって解決される。」（段落【０００８】） 「この方法及び方法を実施する装置を用いて，ろう層によって結合された，熱膨張係数の異なる板を，これらが予め与えられた構造体の形に最適に適合され得るように変形することができる。特にＡｌ2 Ｏ3からなるセラミック板と軟ろう層により結合された銅からなる支持板を，例えば冷却体に対して凸状の予め与えられた形にすることができる。」（段落【０００９】） 「特に，その製造に関しても特に，銅支持板の形を凸状に湾曲した球面として構成することが好ましい。Ａｌ2 Ｏ3 セラミック，ろう層及び支持板からなる構造体を後に，すなわちろう付け終了後に本発明により所望の形に変形し得ることは特に有利である。Ａｌ2 Ｏ3 と銅の膨張係数が異なることから最初の冷却工程後に生じる機械的応力が，本発明による新たな加熱によって著しく減少し，その結果これに伴う材料のひずみが低下する限り，本方法は有利に作用する。」（段落【００１０】） ｅ 実施例 「図５には，構造体が常法で大表面の軟ろう結合材３を冷却した後にどのような状態で存在するかが示されている。大表面の軟ろう結合材３，セラミック板４及び銅板２がその製造前に平行して配列されている場合には，銅（αＣｕ＝１７５×１０-6）及びＡｌ2 Ｏ3 （αＡｌ2Ｏ3 ＝６６×１０-6 ）がその熱膨張係数α を著しく異にすることによって必然的に，銅支持板２は構造体の冷却後，セラミック板４に対して凹状に変形する。銅板２のこの凹状又はくぼみの発生は，平坦な冷却体８に対する銅板２の良好な熱結合がもはや確保され得ないことを意味する。これに対しろう結合材３の冷却後僅かに凸状に構成された支持板形状は理想的である。それというのも次に支持板２の外面を冷却体８と結合した場合，例えばねじ締め９した場合，特に密の機械的結合，従って相応して良好な熱結合が得られるからである。」（段落【００１４】） 「冷却状態でこの僅かに凸状化した支持板形状を得るには，ろう付け前にあっては比較的強く凸状に変形されている支持板２を使用することが提案され，その結果ろう層３を冷却した後銅板２の所望の残留凸面状が存在することになる。この方法は十分に小さいセラミック板４に対してのみ適しており，それは，一層大きなセラミック板４をろう付けする場合，支持板２の凸状の予備変形が大表面のろう層３の冷却後における支持板２の凹状変形を阻止するには不十分であることを実験結果が示しているからである。この場合にも図５に示した不所望の構造体が生じる。更に，小型にしたセラミック板４をろう付けするこの方法は，付加的に相互配線をする必要があることから費用が嵩む。」（段落【００１５】） 「図１～図３により本発明の詳しい実施例を説明する。図１は本発明による装置を示すものである。加熱可能の皿１４は凸状に前変形された塊状の板からなり，その下面全体にわたって大きい面積で加熱ら線１６が施されている。ケーシングの取り付け及び充填まですでに完全に仕上げられ，基板２，３，４を有する使用可能状態の半導体モジュール１は皿１４内に配置されている。この場合明確に示すために皿１４及び加圧装置１０のプレート１１の湾曲は著しく誇張して示されている。」（段落【００１６】） 「市販のモジュール１の基板２，３，４の銅板２は，銅板２の４つのすべての側面がろう付けされたセラミック板４を越えて突出しており，従って銅板２を冷却体８とねじ締め９するためのモジュール１の横側面でも，また長手側面１５でも突出しているように大きい点に注意すべきである。」（段落【００１７】） 「銅板２のこの狭い突出長手縁１５は変形加圧装置１０に対する作用面を構成する。固有の加圧装置１０は，皿１４に合わせて凸状に構成された下縁１２を有する２つの平行に配置されたプレート１１からなり，プレートの厚さは銅板２の突出する長手縁１５の幅に等しく，またその間隔は，これが半導体モジュール１のセラミック板４に接して滑走し，銅板２の前記長手縁１５上に載るように選定されている。」（段落【００１８】） 「結合されたプレート１１は垂直方向に移動可能に配置されていることから，上方から結合プレート１１に作用する力１３はプレート１１を介して銅支持板２の突出長手縁１５に伝達される。」（段落【００１９】） 「図３は本発明による方法を使用した後，半導体モジュール１を室温に冷却した後の半導体モジュール１の基板２，３，４を示すものである。基板２，３，４の変形は部分的に戻され，従って全体的には所望の残留凸面状が残り，永続的に固定される。」（段落【００２１】） 「具体的な実施例では，寸法９４mm×３４mm×３mm（長さ×幅×厚さ）の変形すべき銅支持板２及びろう箔３によりろう付けされた寸法６１mm×２９mm×０６３５mm のＡｌ2 Ｏ3 セラミック板４を有する市販のパワー半導体モジュール１を使用した。銅板２とＡｌ2 Ｏ3 セラミック板４との間の厚さ約０２mm の軟ろう層３は，融点１８３℃の組成ＰｂＳｎＡｇ４０／５９／１の合金に相当する。この場合ろう３を可塑性にするため１３０℃～１５０℃の加熱温度が使用される。実験では特に１５０℃で加工した。同時に銅板２の長手側面１５にかけられた圧力を５秒間維持し，その際銅板２は９００μm （加圧方向に対して垂直に測定した）押し曲げられた。加圧装置１０，１４から取り出し，モジュール１を室温に冷却した際，変形は１００μm に戻り，その結果銅支持板２の所望の残留凸面状は永続的に固定される。銅板２を大きい面積の平坦な冷却体８と側方でねじ締め９した際，僅かな機械的応力下に，半導体モジュール１は冷却体８に理想的に熱結合を生じ，従って総体的に最良の熱供給の可能性が保証される。」（段落【００２２】） （３）甲第３号証：特開平７－１８３４３６号公報 ａ 特許請求の範囲 「【請求項１】金属の底板（１）の上面に配設された電気的に絶縁性で熱伝導性の基板（６）と，この基板（６）の上面に配設された半導体チップ（８，９）とを備え，前記底板（１）の下面（２）が凸面状に形成されている半導体モジュールにおいて，底板（１）の上面（５）が平坦状であることを特徴とする半導体モジュール。」 「【請求項２】 底板（１）の下面（２）が縦及び横方向に凸面状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。」 「【請求項３】 底板（１）の下面（２）が球面の形状を持っていることを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。」 ｂ 産業上の利用分野 「この発明は，金属の底板の上面に配設された電気的に絶縁性で熱伝導性の基板と，この基板の上面に配設された半導体チップとを備え，前記底板の下面が凸面状に形成されている半導体モジュールに関する。」（段落【０００１】） ｃ 従来の技術 「この種の半導体モジュールは，例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第３９４０９３３号公報において公知である。底板を凸面状に形成するのは，半導体モジュールの使用中においても底板と冷却体との間の熱接触を良好にするためである。冷却体に対して凸面状に形成された底板はその両端で冷却体にねじ止めされる。これにより底板はその全面にわたって冷却体に接触する。凸面状形成の大きさは，使用中に底板がその中央部に脹らみを生じない程度に選ばれている。」（段落【０００２】） 「上記の公報に記載された半導体モジュールにおいては底板はその全面にわたって同一の厚さである。従って冷却体に対して底板の下面を凸面状に変形すると上面においては凹面形状となる。基板と底板との結合もまた半導体チップと基板との結合も多くの場合軟ろう付けにより行われるから，ろうが流動状態にあると流れ出す傾向がある。従って，簡単なろう型では基板並びに半導体チップの簡単な取りつけが不可能である。簡単な取りつけは，底板の凸面度が大きければ大きい程そして底板に取りつけられる部品が多ければ多い程それだけ困難になる。」（段落【０００３】） ｄ 発明が解決しようとする課題 「この発明の課題は，上述の種類の半導体モジュールを，簡単なろう型にて簡単に取りつけが可能で，しかしながら底板と冷却体との間の良好な熱接触が保障されるように構成することにある。」（段落【０００４】） ｅ 課題を解決するための手段 「この課題は，底板の上面が平坦状であることによって解決される。」（段落【０００５】） ｆ 実施例 「この発明を図面に示した実施例を参照して以下に詳細に説明する。なお，図面においては底板の下面における凸面状の湾曲もまた取りつけられる部品の厚さもわかりよくするため誇張して示されている。」（段落【０００７】） 「図１において底板は１で示されている。この底板１は一般に熱良伝導性物質，例えば銅からなる。底板１は，冷却体１２に対して凸面状の下面２と，平坦状の上面５とを有している。上面５には熱良伝導性で電気絶縁性の基板６が設けられている。この基板６は，通常，酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）或いは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなり，ろう付け可能な導電路を備えている。基板６は底板１の上面５に軟ろう層７により接合されている。基板６の上面には軟ろう層１０，１１を介して半導体チップ８，９が固定されている。これらの半導体チップは導電路を介して互いにまた容器端子に接続される。半導体チップ８，９の上面は，通常，ボンディングにより互いにおよび上記の導電路に接続されている。」（段落【０００８】） 「モジュールは接続リード，容器及び容器内充填物を備えてから，底板１の両端３，４でねじにより冷却体１２にねじ止めされる。その際底板１は変形して，その下面２が平坦状に冷却体１２に接する。一方底板１の上面５は凸面状に変形する。ろう付けされた部材間に生ずる機械的応力はろう層７，１０及び１１により吸収される。」（段落【００１０】） 「底板１の長さがその幅よりかなり大きい場合には，底板１の下面２の凸面形成は縦方向だけで充分である。底板１の横方向寸法がかなり大きく，例えば縦方向寸法と同程度の大きさである場合には，底板１の下面２の凸面形成は両方向に行うことが推奨される。この場合下面２は例えば球面の形とされる。」（段落【００１１】） 「実際の実施例においては底板１の長さは１３７ｍｍ，横幅は１２７ｍｍである。その厚さは外周で５ｍｍ，中央部の最大厚みは５．４乃至５．５ｍｍである。このようなモジュールは例えば６本のねじにより冷却体１２に固定される。」（段落【００１２】） （４）甲第４号証：特開平１１－１５７９６４号公報 ａ 特許請求の範囲 「【請求項１】 炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下であることを特徴とする板状複合体。」 「【請求項２】室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の板状複合体。」 ｂ 発明の属する技術分野 「本発明は，熱伝導特性に優れ，かつ軽量であり，セラミックス基板やＩＣパッケージなどの半導体部品のヒートシンクなどの放熱部品として好適な高熱伝導性複合材料に関する。」（段落【０００１】） ｃ 発明が解決しようとする課題 「更に，上記の課題を解決するため，金属－セラミックス複合体が検討されているが，セラミックス基板に近い熱膨張率を得ようとすると，熱膨張率の低い強化材であるセラミックスの比率を上げる必要がある。しかし，セラミックス成分の比率を上げるには，高い成形圧でプリフォームを成形する必要があり，コストアップに繋がると共に，その後の金属或いは合金の十分な含浸が難しくなるという問題がある。このため，熱膨張率がセラミックス基板に近く，高い熱伝導率を有する金属－セラミックス複合体を安価に提供できる技術の開発が課題となっている。」（段落【０００９】） 「一方，上述した複合体をヒートシンク等の放熱部品として用いる場合，回路基板や放熱フィン等と接合して用いるため，その接合部分の平滑度，言い換えると複合体の反りが非常に重要である。例えば，ヒートシンクに適用させる場合，セラミックス基板等の回路基板と半田等により接合するため，ヒートシンクに反りがあると接合界面の厚さが不均一になり，使用時に接合部（半田部分）より剥離等が起こるといった問題や，回路基板に不均一な応力が発生し，回路基板におけるセラミックス等の絶縁層の破壊といった問題が発生する。また，室温で反りが小さく，回路基板との接合が可能な材料であっても，使用下で加熱されて反りを発生する材料の場合には，やはり，接合部からの剥離や回路基板の破壊等の問題がある。」（段落【００１０】） 「更に，セラミックス回路基板等は，ヒートシンク等の放熱部品を介して，通常放熱フィン等に接合して用いるが，その場合，ヒートシンクに反りがあると放熱フィン等との接合が不十分となり，半導体素子等から発生した熱を十分に放熱することができず，部品の故障原因となる。」（段落【００１１】） 「本発明は，上記の事情に鑑みなされたものであって，高熱伝導性を有すると共に，比重が小さく，且つ熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，加えて加熱された際にも反りがない，寸法安定性に優れた高熱伝導性複合体とそれを用いて放熱部品を安価に提供することを目的とするものである。」（段落【００１２】） ｄ 課題を解決するための手段 「本発明者らは，上記目的を達成するため鋭意研究した結果，複合体中の炭化珪素量を厳密に制御することにより，複合体の反りを防止できることを見出し，本発明を完成するに至ったのである。」（段落【００１３】） 「即ち，本発明は，炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下であることを特徴とする板状複合体である。」（段落【００１４】） 「また，本発明は，室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍ以下であることを特徴とする前記の板状複合体である。」（段落【００１５】） ｅ 発明の実施の形態 「本発明者らは，基材である金属について種々検討した結果，アルミニウムを主成分とする合金を用いることにより，良好な複合体を製造できることを見いだした。すなわち，本発明の複合体は，炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなるものである。」（段落【００２１】） 「本発明の複合体は，板状であり，しかも相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下，好ましくは，１重量％以下である。複合体の熱膨張率は，炭化珪素と金属或いは合金の熱膨張率とその含有量により強く支配されているが，このため，前記炭化珪素量の差が３重量％を越えると，複合体の相対する主面の熱膨張率の差が大きくなり，複合体に反りが発生し，ヒートシンク等の放熱部品として用いる場合に，回路基板や放熱フィン等と十分に接合することができなくなってしまうという問題がある。また，板の厚さとしては，例えばヒートシンクに用いる場合に２～１０ｍｍである。」（段落【００２４】） 「本発明の炭化珪素質複合体は，室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍ以下，好ましくは２μｍ以下である。一般に，ヒートシンク等の放熱部品は，回路基板や放熱フィン等と接合して用いられるため，室温においては，顕著な反りがないものを用いる。しかし，加熱時に反りが発生すると前述したような回路基板の剥離や絶縁層の破壊といった問題が発生する。」（段落【００２５】） 「室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍを越えると，回路基板や放熱フィン等と接合する際には，室温では接合状態が均一であっても，実使用下においては，熱サイクル等が付加された場合，回路基板の破壊や放熱特性の低下による半導体素子の故障を引き起こす。」（段落【００２６】） 「本発明の複合体は，熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり，室温の熱膨張率が１×１０-5Ｋ-1 以下であることが好ましい。」（段落【００２８】） 「本発明の複合体は，熱伝導特性に優れ，十分な機械的特性を有し，しかもセラミックス基板と同程度に小さな熱膨張率を有しており，セラミックス回路基板用などのヒートシンクを初めとする放熱部品に用いて好適である。また，本発明の複合体は，密度が３ｇ／ｃｍ3 程度と軽量であり，移動用機器に用いる放熱部品として好適である。」（段落【００３０】） 「本発明の複合体は，熱伝導特性に優れ，熱膨張率が１×１０-5Ｋ-1以下と低いので，ヒートシンク等の放熱部品として用いるとき，従来の銅等を用いた場合に比べてセラミックス基板との熱膨張率差が小さくなり，セラミックス基板がその上に搭載される半導体素子の作動時に発生する熱サイクル等によりクラックや割れ等を発生する現象を防止できるので，高い信頼性が要求される電気，自動車等の移動用機器に用いる放熱部品として好適である。そして，本発明の複合体を用いてなる放熱部品は，温度変化があっても反りが非常に少ないので，回路基板や放熱フィンと十分に接合することができ，高い放熱特性を安定して有することができるという効果を有する。」（段落【００３１】） ｆ 実施例 「［実施例１～６］炭化珪素粉末ａ（太平洋ランダム社製：ＮＧ－２２０，平均粒径：６０μｍ），炭化珪素粉末ｂ（屋久島電工社製：ＧＣ－５００Ｆ，平均粒径：３０μｍ）及びシリカゾル（日産化学社製：スノーテックス）を表１の組成で配合し，攪拌混合機で３０分間混合した後，１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×５ｍｍの形状に１０ＭＰａの圧力でプレスし成形体とした。得られた成形体は，大気雰囲気中，温度１０００℃で２時間加熱して，炭化珪素質多孔体を作製した。得られた炭化珪素質多孔体は，その寸法と質量より相対密度を算出した。得られた結果を表１に示す。」（段落【００３６】） 「次に，炭化珪素質多孔体を電気炉で，温度８００℃に予備加熱し，予め加熱しておいた内径２００ｍｍのプレス型内に載置した後，温度８５０℃に加熱した表１に示す金属の溶湯を鋳込み，１００ＭＰａの圧力で２分間プレスして，炭化珪素質多孔体に合金を含浸させた。得られた複合体を含む合金塊は，室温まで冷却したのち，ダイヤモンド加工治具で複合体を削り出した。得られた複合体は，ダイヤモンド加工治具を用いて，熱膨張率測定用試験体Ａ（３ｍｍφ×１０ｍｍ），試験体Ｂ（１．５ｍｍφ×１０ｍｍ），室温の熱伝導率測定用試験体（１０ｍｍφ×３ｍｍ），３点曲げ強さ評価用試験体（３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ），反り測定用試験体（１００ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍ）に研削加工した。また，得られた複合体の相対する主面の上面より試験体Ｃ（２０ｍｍφ×０．４ｍｍ），下面より試験体Ｄ（２０ｍｍφ×０．４ｍｍ）をそれぞれ研削加工して作製した。」（段落【００３８】） 「次に，それぞれの試験体を用いて，押し棒式熱膨張計（セイコー電子社製；ＴＭＡ３００）により室温（２５℃）から２５０℃の熱膨張率，レーザーフラッシュ法による室温の熱伝導率（真空理工社製；ＴＣ－７０００）及び曲げ試験機（島津製作所社製；オートグラフ）による三点曲げ強さを測定した。得られた結果を表２に示す。更に，試験体Ｃ，Ｄを乳鉢で粉砕し，炭素分析計で炭素量を測定し，この炭素量から炭化珪素量を算出した。尚，反り量に関しては，試験体を電気炉中に設置し，温度２５℃から３００℃に加熱し，マクロメーターでその際の寸法変化を測定し，反り量を算出した。得られた結果を表２に示す。」（段落【００３９】） 【表２】（段落【００４０】） 「［実施例７、比較例２］炭化珪素粉末ａ７５ｇ、炭化珪素粉末ｂ７５ｇ、シリカゾルを固形分量で６ｇ及び純水５０ｇを配合し、攪拌混合機で３０分間混合した後、１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×５ｍｍの形状の石膏型に流し込み、温度４０℃で２４時間乾燥して成形体を作製した。尚、比較例２では混合時間を３０秒とした。得られた成形体は、大気雰囲気中、温度１０００℃で２時間加熱して、炭化珪素質多孔体とした。得られた炭化珪素質多孔体は、２０ｍｍφ×５ｍｍの形状に加工して、その寸法と質量より相対密度を算出した。実施例７の相対密度は６８％であり、比較例２の相対密度は６３％であった。 次に、この炭化珪素質多孔体を、実施例１と同じ方法によりアルミニウム合金を含浸させて炭化珪素質複合体を作製した。得られた複合体は、実施例１と同じ評価を行った。得られた結果を表３に示す。 【表３】 」（段落【００４２】～【００４４】） ｇ 発明の効果 「本発明の複合体は，強化材である炭化珪素質多孔体の含有量及びその分布状態を調整され，その結果，熱伝導率が高く，熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，しかも，温度変化を受けても反りが非常に小さいという特徴を有するので，半導体搭載用セラミックス基板と接合して用いるヒートシンクを初めとする放熱部品に好適である。更に，本発明の放熱部品は，前記特徴に加え，高強度で，しかも軽量であることから，電気，自動車等の移動機器等に好適な放熱部品として好適である。」（段落【００４９】） （５）甲第５号証：特開平１０－６５０７５号公報 ａ 特許請求の範囲 「【請求項１】セラミック基板(13)と，前記セラミック基板(13)の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板(11,12,31,32,51,52)と，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され前記第１又は第２アルミニウム板(11,12,31,32,51,52)の表面に積層接着されたヒートシンク(14)とを備えたヒートシンク付セラミック回路基板。」 「【請求項２】セラミック基板(13)がＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4 又はＡｌ2Ｏ3により形成された請求項１記載のヒートシンク付セラミック回路基板。」 ｂ 発明の属する技術分野 「本発明は，パワーモジュール用基板等の半導体装置のセラミック回路基板に関する。更に詳しくは半導体チップ等の発熱体から発生する熱を放散させるヒートシンクを有するセラミック回路基板に関するものである。」（段落【０００１】） ｃ 発明が解決しようとする課題 「しかし，上記従来のセラミック回路基板は，半導体チップ等の発熱及び非発熱により基板温度が高温と低温との間で繰返し変化すると，セラミック基板と第１及び第２銅板との熱膨張係数が異なり，かつ第１及び第２銅板の変形抵抗が比較的大きいため，セラミック基板にクラックが生じる恐れがあった。本発明の目的は，熱サイクル寿命が長いヒートシンク付セラミック回路基板を提供することにある。」（段落【０００３】） ｄ 課題を解決するための手段 「請求項１に係る発明は，図１に示すように，セラミック基板１３と，セラミック基板１３の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され第１又は第２アルミニウム板１１，１２の表面に積層接着されたヒートシンク１４とを備えたヒートシンク付セラミック回路基板である。この請求項１に係る回路基板では，第１及び第２アルミニウム板１１，１２が従来の銅板と比べて変形抵抗が小さいので，回路基板１０に熱サイクルを付加してもセラミック基板１３にクラックが発生することがない。またヒートシンク１４として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので，放熱特性が向上する。」（段落【０００４】） 「請求項２に係る発明は，請求項１に係る発明であって，更に図１に示すように，セラミック基板１３がＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4 又はＡｌ2Ｏ3 により形成されたことを特徴等する。この請求項２に係る回路基板では，セラミック基板１３としてＡｌＮを用いると熱伝導率及び耐熱性が向上し，Ｓｉ3Ｎ4 を用いると強度及び耐熱性が向上し，Ａｌ2Ｏ3 を用いると耐熱性が向上する。」（段落【０００５】） ｅ 実施例 「次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。＜実施例１＞図１に示すように，縦，横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ，４０ｍｍ及び０．６３５ｍｍのＡｌＮにより形成されたセラミック基板１３と，縦，横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ，４０ｍｍ及び０．４ｍｍのＡｌ合金により形成された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と，縦，横及び厚さがそれぞれ８０ｍｍ，６０ｍｍ及び２．０ｍｍのＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンク１４と，縦，横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ，４０ｍｍ及び０．０３ｍｍのＡｌ－Ｓｉ系ろう材（図示せず）とを用意した。第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌ純度はともに９９．９９重量％であり，ヒートシンク１４中のＡｌ合金は８８重量％Ａｌ－１２重量％Ｓｉ合金であり， Ａｌ－Ｓｉ系ろう材はＡｌ－７．５重量％Ｓｉ合金であった。またヒートシンク１４中のＡｌ合金の溶解温度範囲は５６０～６００℃であった。」（段落【００１６】） 「先ず第１アルミニウム板１１の上にＡｌ－Ｓｉ系ろう材，セラミック基板１３，Ａｌ－Ｓｉ系ろう材及び第２アルミニウム板１２を重ねた状態で，これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2 を加え，真空中で６３０℃に加熱することにより，セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した。積層接着後，第２アルミニウム板１２をエッチング法により所定のパターンの回路とした。次にヒートシンク１４の上に第１アルミニウム板１１を下側にしたセラミック板１３とを重ね，これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2 を加え，真空中で５８０℃に加熱してヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着し，ヒートシンク付セラミック回路基板１０を得た。」（段落【００１７】） 「＜比較例１＞図４に示すように，実施例１のセラミック基板と同形同大にかつ同一材料により形成されたセラミック基板３と，実施例１の第１及び第２アルミニウム板と同形同大の第１及び第２銅板１，２と，実施例１のヒートシンクと同形同大にかつＣｕにより形成されたヒートシンク４と，縦，横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ，３０ｍｍ及び０．１ｍｍのはんだ６とを用意した。先ず第１銅板１の上にセラミック基板３及び第２銅板２を重ねた状態で，これらに荷重０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 を加え，Ｎ2 雰囲気中で１０６３℃に加熱するＤＢＣ法により，第１及び第２銅板１，２をセラミック基板３に積層接着した。第２銅板２をエッチンクにより所定のパターンの回路とした。次にヒートシンク４の上にはんだ６と第１銅板１を下側にしたセラミック基板３とを重ねた状態で，Ｎ2 ガス及びＨ2 ガスの混合ガス雰囲気中で２５０℃に加熱してヒートシンク４を第１銅板１に積層接着し，このヒートシンク付セラミック回路基板５を比較例１とした。」（段落【００１８】） 「＜比較例２＞図５に示すように，ヒートシンク７をＡｌＳｉＣ系複合材料により形成し，ヒートシンク７をはんだ６を介して第１銅板１に積層接着する前にヒートシンク７の接着面にＮｉめっきを施したことを除いて，比較例１と同様に構成し，このヒートシンク付セラミック回路基板９を比較例２とした。」（段落【００１９】） 「＜比較試験及び評価＞実施例１，比較例１及び比較例２の回路基板の反り，熱抵抗及びセラミックスクラックをそれぞれ測定した。 (1)反りの測定 実施例１，比較例１及び比較例２のヒートシンクの下面の反りを３次元測定器でそれぞれ測定した。このときの測定長さは５０ｍｍであった。・・・」（段落【００２０】） 「・・・実施例１及び比較例２ではヒートシンクの反りが３０μｍと同一であったのに対し，比較例１ではヒートシンクの反りが実施例１及び比較例２の１．５倍と大きくなっていた。・・・」（段落【００２３】） ｆ 発明の効果 「以上述べたように，本発明によれば，セラミック基板の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介して第１及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板の表面に積層接着したので，この回路基板に熱サイクルを付加しても，従来の銅板と比べて変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板がセラミック基板及びアルミニウム板の熱膨張係数の差による歪みを弾性変形して吸収する。この結果，セラミック基板にクラックが発生することはない。またヒートシンクとして熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので，放熱特性が向上する。・・・」（段落【００２４】） （６）甲第６号証：特開平８－２０４０７１号公報 ａ 特許請求の範囲 「【請求項１】放熱板と，この放熱板の外周部に設けられた取着部と，半導体素子を搭載して前記放熱板の中間部に固着された基板と，この基板を包囲するよう前記放熱板の外周に沿うと共に前記取着部と前記中間部との間に立設されたケースと，このケース内に前記基板を封止するよう設けられた合成樹脂製の封止部材とを備える半導体装置において，前記放熱板が，前記基板を固着した中間部と前記ケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有することを特徴とする半導体装置。」 ｂ 従来の技術 「このように放熱板６が反ったままの半導体装置を組込み機器の取付け板の平坦面にねじ止めし固定すると，反った放熱板６には強制的に平坦化する方向に力が加わる。また，同時にケース９内の放熱板６上面に固着され同様に反った絶縁基板１，さらに絶縁基板１上面に搭載された半導体素子４にも平坦化する方向に力が加わり，これにより絶縁基板１や半導体素子４がひび割れしたり，破断したり等してしまう虞がある。」（段落【０００９】） ｃ 作用 「上記のように構成された半導体装置は，固着された基板をケースを立設して包囲し封止部材で封止しするようにした放熱板が，基板を固着した中間部とケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有しているので，封止を行った際に封止部材の固化にともなう熱収縮で放熱板に反りが生じるが，反りは変形緩衝部によって放熱板の外周部のみが変形して発生し，基板を固着した中間部は変形しない。このため中間部に固着した基板及びこれに搭載した半導体素子は変形せず，製品の歩留が向上し，また機器に組み込みを行う際に反っている外周部には強制的な力が作用するものの中間部には力が作用せず，基板及び半導体素子にひび割れ等の発生がなく，確実に所定の性能が得られ，経時的な性能も良好なものとなる。」（段落【００１３】） ｄ 実施例 「そして絶縁基板２１は，Ｎｉめっきが施された銅製の方形状の放熱板２６の片面に半田付けによって固着されている。なお，２７は固着の際の半田層である。」（段落【００１７】） 「図５及び図６において，４１は窒化アルミニウム等で形成された比較的薄いセラミック製の絶縁基板で，その両面に薄い銅膜４２，４３が形成されている。この絶縁基板４１には，その片面側の銅膜４２の表面に複数の半導体素子２４が搭載されており，さらに片面側の銅膜４２の表面には中央部にターミナル２５の片端が固着されている。また絶縁基板４１は，Ｎｉめっきが施された銅製の長方形状の放熱板４４の片面に半田付けによって固着されている。」（段落【００２８】） 「次に，第３の実施例であるモジュール化した半導体装置を図７及び図８により説明する。図７は断面図であり，図８は放熱板の斜視図である。」（段落【００３７】） 「図７及び図８において，５１は窒化アルミニウム等で形成された比較的薄いセラミック製の絶縁基板で，その両面に薄い銅膜５２，５３が形成されている。この絶縁基板５１には，その片面側の銅膜５２の表面に複数の半導体素子２４が搭載されており，さらに片面側の銅膜５２の表面には中央部にターミナル２５の片端が固着されている。また絶縁基板５１は，Ｎｉめっきが施された銅製の矩形状の放熱板５４の片面に半田付けによって固着されている。」（段落【００３８】） 「この絶縁基板５１が固着された放熱板５４は，その片面の各辺に沿った外周部に段差５５を形成することで変形緩衝部を構成する薄肉部５６が設けられており，薄肉部５６はその厚さが中間部に比べて薄いものとなっている。さらに放熱板５４の薄肉部５６の４隅部には，取着部を構成するねじ止め用の取付け孔２９が形成されている。」（段落【００３９】） 「この固化処理によって封止部材６０は熱収縮し，封止部材６０が固着したケース５７の開口端部には内方に向かう力が作用する。この力により放熱板５４は，その外周部に設けられた段差５５より外方の変形緩衝部を構成している薄肉部５６が変形して反りが生じる。」（段落【００４３】） 「この放熱板５４の反りは，段差５５より外方側の取付け孔２９が形成された外周部が反ることによって生じたもので，絶縁基板５１が固着された段差５５よりも内方側の放熱板５４の中間部が反るまでに至っていない。すなわち，放熱板５４の中間部は平坦なままであり，このため中間部に固着された絶縁基板５１やこれに搭載されている半導体素子２４は反ることなく平坦なままとなっている。」（段落【００４４】） 「そして，このような半導体装置を図示しない組込み機器の取付け板の平坦面に固定する場合，放熱板５４の外周部に形成された取付け孔２９を使いねじ止めにより行われる。この放熱板５４の取り付けの際に，取付け板へねじを螺着していくことにより取付け孔２９が形成された外周部は反りを修正し取付け板に密着するよう強制的に平坦化される。」（段落【００４５】） 「これに対し放熱板５４の中間部は，その他面側が平坦であるためそのまま取付け板の平坦面に密着し，強制的な形状修正が行われない。それ故，中間部に固着された絶縁基板５１や半導体素子２４にも形状修正を行うための強制的な力が加わることがない。従って，本実施例においても第１の実施例と同様の作用，効果が得られる。」（段落【００４６】） ｅ 発明の効果 「以上の説明から明らかなように本発明は，固着された基板をケースを立設して包囲し封止部材で封止しするようにした放熱板が，基板を固着した中間部とケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有する構成としたことにより，製品の歩留が向上し，機器に組み込みを行った際においても所定の性能が得られ，経時的な性能も良好なものとなる等の効果を奏する。」（段落【００４７】） （７）甲第７号証：Mark Occhionero, Richard Adams, and Kevin Fennessy, "A NEW SUBSTATE FOR ELECTRONICS PACKAGING: ALUMINUM-SILICON CARBIDE (AlSiC) COMPOSITES," Proceedings of the Fourth Annual Portable by Design Conference,Electronic Design, March 24-27, 1997 pp 398-403 （訳文は甲７添付の抄訳による。） 「ＡｌＳｉＣ材料の固有の特性は，それを構成する材料成分の特性の組み合わせに由来するものであり，ＡｌＳｉＣの特性は，当該構成成分の比率を変えることによって調整される。IＣ ＣＴＥに適するＡｌＳｉＣ複合体は，５０－６８体積％のＳｉＣ粒子を有する。表１は，ＳｉやＧａＡｓ及び従来のパッケージング材料に対するＡｌＳｉＣの物性を比較したものである。」（２頁右欄５～１３行。） （３頁の表１） 表１：既存のパッケージング，基板及びＩＣ材料と比較したＡｌＳｉＣ材料の特性 （８）甲第８号証：Thomas Schutze, Hermann Berg, Martin Hierholzer, "Further Improvements in the Reliability of IGBT Modules," Industry Applications Conference, 1988, Thirty-Third IAS Annual Meeting, 12-15 Oct 1998（当審注：Schutzeの「u」はウムラウトを伴うものである。） （訳文は甲８添付の訳文による。） 「ベースプレート 銅は，高熱伝導性，運搬管理の容易性，電気めっき性及び価格の妥当性に関する優位性においてよく知られており，そのため，ベースプレート材として使用されることが多い。欠点としては，300℃を超えると生じる機械的性質の不可逆変化と，セラミック基板との熱膨張率（CTE）の不一致が挙げられる。 したがって，基板とベースプレートとの間のはんだ付けは故障原因となる。これらの材料はCTE が異なるため，熱歪みが起こり，はんだに機械的な歪みが生じる。重負荷サイクルを繰り返すと，はんだ割れが生じ，その結果，チップとベースプレート間の熱インピーダンスが増加する。ある適切な形状によりはんだ付けされたシステム金属とセラミックのバイメタル効果を軽減しようとする努力がなされてきた。図2 の右側に示す機械加工による凸状（bow）形状は，明らかにベースプレートとヒートシンクとの間の熱伝導性を向上させる。 セラミックとのＣＴＥのずれが小さい比較的硬い材料であれば，上記の問題をいずれも解消できる。・・・金属マトリックス複合体（ＭＭＣ）の材料であるＡｌ／ＳｉＣは，高度な剛性と，ＡｌＮセラミックに近いＣＴＥ（７．３ｐｐｍ／Ｋ）を持ち合わせている。」（２頁左欄。訳文は甲８添付の訳文による。） （９）甲第９号証：Mark A. Occhionero 博士の宣誓書 「Materials and Methods Preform : Electronics grade Green SiC particulate (Panadyne) was used as a raw material. Powder of the raw material was colloidially mixed and injection molded using a process as described in CPS's patents,・・・. The preforms were not calcined according to the CPS patented process. Mold and Infiltration of Molten Aluminum: A mold (30 cm × 30 cm × 7 cm) which consisted of two halves with a single cavity (100 mm × 100 mm × H), was used. H was adjustable to make the required thickness. A preform was placed in the cavity of the mold. After closing the mold with the upper part, the molten aluminum (700℃) was infiltrated into the mold cavity under pressure as shown below. - Experiment 1 - Total of 10 AlSiC plates with 100 × 100 mm (L × W) were prepared and analyzed. The camber on the diagonal front and back surfaces (117.8 mm measurement span) was measured to calculate the deflection over 10cm span. 1 sample was cross sectioned to show the effect of the skin thickness difference. 5 samples were cross sectioned for overall thickness and aluminum skin thickness measurements. The other 4 samples were not cross sectioned and retained intact for future measurements if necessary. - Experiment 2 - Total of 10 AlSiC plates with 100 x 100 mm (L × W) were prepared and analyzed. The camber on the diagonal front and back surfaces (117.8mm measurement span) was measured to calculate the deflection over 10cm span. 5 samples were cross sectioned for overall thickness and aluminum skin thickness measurements. The other 5 samples were not cross sectioned and retained intact for future measurements if necessary.」 （当審訳：　試料および方法 プリフォーム： エレクトロニクスグレードの緑色ＳｉＣ粒子（パナダイン製）を原料として用いた。ＣＰＳ社の保有特許・・・に記載されている方法を用いて、原料粉末をコロイド状に混合し、射出成形を行った。当該ＣＰＳ社の特許方法に従い、得られたプリフォームの焼成は行っていない。 モールドおよび溶融アルミニウムの含浸： ２つの空洞（１００ｍｍ×１００ｍｍ×Ｈ）から構成される金型（３０ｃｍ×３０ｃｍ×７ｃｍ）を用いた。「Ｈ」は、所望の厚さを得るために調節可能である。プリフォームを金型の空洞内に配置し、金型の上部を閉じた後、以下の図に示すように、溶融アルミニウム（７００℃）を金型空洞内に侵入させた。 －実験１－ 縦横１００ｍｍ×１００ｍｍのＡｌＳｉＣ板を計１０個作製し、分析を行った。傾いた前表面および後表面における反りを測定し（１１７．８ｍｍの測定間隔）、１０ｃｍあたりの反りを算出した。表面厚の相違を示すために、１つの試料の断面を切断した。また、全体厚さおよびアルミニウム表面厚さの測定のために、５つの試料の断面を切断した。その他の４つの試料は、断面を切断せずに、今後の追加測定が必要な場合に備えてそのままの状態で保存した。 －実験２－ 縦横１００ｍｍ×１００ｍｍのＡｌＳｉＣ板を計１０個作製し、分析を行った。傾いた前表面および後表面における反りを測定し（１１７．８ｍｍの測定幅）、１０ｃｍあたりの反りを算出した。全体厚さおよびアルミニウム表面層の厚さの測定のために、５つの試料の断面を切断した。その他の５つの試料は、断面を切断せずに、今後の追加測定が必要な場合に備えてそのままの状態で保存した。） 「 」（４頁の表） （当審訳： ） 「 」（５頁の表） （当審訳： ） （１０）甲第１０号証：特開平４－９６３５５号公報 ａ 特許請求の範囲 「セラミック基板の一方の面に半導体素子を含む電子部品を取り付け，且つ他方の面に放熱板を接着するものにおいて，前記セラミック基板と放熱板の接着に際し，予め放熱板の反接着面が凸状となるよう反りをもたせたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」（１頁左欄５行ないし１０行） ｂ 発明の概要 「本発明はセラミック基板の一方側に半導体素子を取り付け，他方側の放熱板を半田付けする半導体デバイスにおいて，放熱板の反接着面側が凸状となるよう予め反りをつけることによって，半田付後の冷却に伴う反りを相殺して熱抵抗を低減したものである。」（１頁右欄３行ないし８行） 発明が解決しようとする課題 「第３図で示すように，セラミック基板１と放熱板３とを加熱装置を用いて半田付けし，その後冷却すると，セラミック基板１と放熱板３との材料の差による熱膨張係数の違いにより，歪みが発生して凹状のδの反りが生じる。この反った状態で放熱フィン６にボルト締して取り付けたとしても，δが大きければ大きい程，両者の接触面積が減少して放熱性が悪くなり，半導体素子の熱抵抗の増大となる問題を有している。」（２頁左上欄９行ないし右上欄２行） ｃ 課題を解決するための手段と作用 「本発明は，セラミック基板上に電子部品を取り付け，その反対側に放熱板を接着するものにおいて，第１図（a）で示すように予め放熱板の反セラミック基板側にδ１の凸状の反りを形成したものである。このような反りを形成することにより，セラミック基板と放熱板とを加熱装置を用いて半田付けし，その後冷却すると，両材料の熱膨張係数の差により放熱板に反りが発生する。この反りは凹状の反りとなってδ１がδ２に縮小される。」（２頁右上欄４行ないし１２行） ｄ 実施例 「実施例１・・・ （２）放熱板は銅放熱板を用い，・・・第１図（ａ）で示す凸状の反りδ１＝１００～１１０μｍを設けた。」（３頁左上欄１行ないし７行） 「実施例２・・・ （２）放熱板は銅放熱板を用い，・・・８０～９０μｍの傾斜をつけて加工した。」（３頁左上欄１５行ないし右上欄６行） 「また，この実験によって銅放熱板に与える凸状の反り寸法は，半田付後に生ずる反りに対して１０～１００μｍ加算すると好適であることがわかった。すなわち，１０μｍ未満となると，両端を放熱フィンにボルト締めした際に反りが生じて接触面積が減少する。また１００μｍを超えた場合には，放熱フィンへのボルト締めの際にセラミック基板および実装した半導体素子に歪みを与え，場合によってはそれらに破損するおそれが生ずる。」（３頁左下欄１行ないし９行） ｅ 発明の効果 「以上のように本発明は，セラミック基板と銅放熱板との半田付けの際に生ずる反りの値に対し，３０～４０μｍ余計に凸状となるような反りを銅放熱板にもたせるようにしたものであるから，半田付け時に生じる凹状の反りを吸収し，且つ余分の３０～４０μｍの凸状の反りは，放熱フィンへの取り付け時に吸収されてフラットの状態となり接触面積が増大する。このため樹脂封止後の半導体素子の熱抵抗が大巾に減少する利点を有するものである。」（３頁右下欄２行ないし１１行） （１１）甲第１１号証：特開平１１－１７７００２号公報 ａ 発明の属する技術分野 「本発明は，筐体に納められた半導体チップを有する半導体装置に関し，特にその放熱性を確保するための製造方法に関する。」（段落【０００１】） ｂ 発明が解決しようとする課題 「前述のように，半導体チップ１０で発生した熱は，放熱板１６から冷却器２６によって吸収されるので，放熱板１６と冷却器２６の間の熱抵抗は小さいことが望ましい。したがって，グリス層２４内に気泡が混入しないようにする必要があり，さらにグリス層２４の厚さそのものも，できるだけ薄いことが好ましい。しかし，一般的に放熱板１６の熱膨張係数は，絶縁基板１２のそれより大きく，ハンダ接合した後冷えると，収縮量の差によって放熱板１６は，絶縁基板１２が配置された側に凸となるように反る。これによって，放熱板１６と冷却器２６の間隔が増加し，この部分の熱抵抗が高くなる。従来，この反りを考慮して，放熱板１６をあらかじめ逆に反らせて作製し，最終的に冷却器２６側に凸となるようにしていた。しかし，放熱板１６をあらかじめ反らせて作製するには，そのための工程が必要となるという問題があった。さらに，放熱板１６に加工性の良くない材料を用いる場合は，あらかじめ反らせておくこと自体，困難な場合があった。」（段落【０００４】） 「本発明は，前述の問題点を解決するためになされたものであり，あらかじめ放熱板を反らした形状に加工せずに，冷却器側，すなわち筐体の外側に向けて凸となる形状を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」（段落【０００５】） ｃ 発明の実施の形態 「以下，本発明の実施の形態（以下実施形態という）を，図面に従って説明する。図２は，本実施形態の半導体装置の製造方法の説明図である。なお，本実施形態の説明において，図１の装置と同等の構成については，同じ符号を付して説明する。図２（ａ）は，半導体チップ１０を実装した絶縁基板１２と放熱板１６をハンダにより接合する工程である。放熱板１６および絶縁基板１２は，ハンダが融解するほどの高温にさらされる。この熱によって放熱板１６および絶縁基板１２は膨張する。絶縁基板１２は，通常半導体チップ１０とほぼ同等の熱膨張係数を有する材質であり，これは熱膨張の違いから生じる応力が繰り返しかかることによるハンダ層１４の破壊を防止するためである。半導体チップ１０を構成する材料は，良く知られているように熱膨張係数が極めて小さい部類に属し，絶縁基板１２を構成する材質もこれに合わせて熱膨張係数が小さいものが採用されている。一方，放熱板１６は，その機能から熱伝導係数の高い材質が採用されており，このような材料は，一般的には熱膨張係数が比較的高い。したがって，ハンダ付け時の熱により膨張する場合，放熱板１６の膨張が絶縁基板１２のものより大きい。」（段落【００１２】） 「図２（ｂ）は，放熱板１６と絶縁基板１２をハンダにより接合した後，常温まで冷却した状態を示している。前述のように接合時において，放熱板１６がより膨張しているために，常温まで冷却すると，放熱板１６の収縮量がより大きくなる。この収縮量の差により，放熱板１６は，絶縁基板１２が配置される側に凸の状態に反る。」（段落【００１３】） 「図２（ｃ）は，絶縁基板１２が接合された放熱板１６を筐体２０の開放面に固定する工程を示している。固定は，常温より高く，ハンダ層１４や，ハンダまたは接着剤の層１８がハンダの場合の融解温度より低い温度，たとえば１２０℃程度で行われる。放熱板１６は，再び熱膨張するが，筐体２０はそれ以上に熱膨張する材質が採用されている。また，筐体２０に対する放熱板１６の固定は，熱硬化性の接着剤２２により行われ，前記の高温環境によって硬化が進む。」（段落【００１４】） 「図２（ｄ）は，熱硬化性接着剤２２が硬化した後，常温まで冷却された状態を示している。前述のように，筐体２０の熱膨張量が放熱板１６に比して大きいため，収縮量も大きく，この収縮量の差により放熱板１６には，圧縮および筐体２０の外側に凸となるような曲げ荷重が作用する。これにより，放熱板１６は，図２（ｄ）に示すように，筐体２０の外側に凸の状態に反らされる。」（段落【００１５】） 「図３は，放熱板１６に冷却器２６を接合した状態を示している。前述のように放熱板１６は，筐体２０の外側に凸になるように反った状態であり，絶縁基板１２が配置された位置に対応する筐体外側の部分において，冷却器２６との間隙が狭くなっている。したがって，この部分のグリス層２４は薄く，熱抵抗が小さくなっている。また，放熱板１６を冷却器２６に押し付ける際，放熱板１６の外側の方を冷却器２６に押し付けるようにするだけで，放熱板１６と冷却器２６の間のグリス層２４全体を薄くすることができ，さらに空気を容易に押し出すことができるので，気泡の残存が防止され，グリスや気泡による熱抵抗の増加を防止することができる。」（段落【００１６】） 「なお，本実施形態においては，放熱板１６と筐体２０を結合固定する手段として熱硬化性接着剤を用いたが，他の種の接着剤やボルトなどを用いることも可能である。」（段落【００１７】） ｄ 実施例 「次に，本発明の好適な実施例を示す。本実施例においては，前述の実施形態における放熱板１６の材料としてＡl－ＳiＣ（アルミ－シリコンカーバイド）複合材を，筐体２０の材料としてＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）を採用する。Ａl－ＳiＣは，ＳiＣ（シリコンカーバイド）の特性を改善した複合材料であり，ＳiＣの空隙にＡｌ（アルミ）を含浸することによって，脆性および熱伝導率を改善したものである。さらに，ＳiＣの熱膨張係数は，絶縁基板１２のそれより小さく，Ａｌの熱膨張係数は，絶縁基板のそれより大きい。Ａl－ＳiＣの熱膨張係数は，ＡｌとＳiＣの中間的な特性を持ち絶縁基板１２のそれに比較的近い。放熱板１６の熱膨張係数が絶縁基板１２の熱膨張係数に比較的近いことによって，放熱板１６と絶縁基板１２の間のハンダまたは接着剤の層１８にかかる熱膨張の違いから生じる応力を低減することができる。また，熱伝導係数が比較的高いことは，放熱板に要求される基本的な性質であり，Ａl－ＳiＣはこの要求を満たすことができる。さらに，Ａl－ＳiＣは降伏応力が高いために，図３などに示されるように放熱板１６の中央が最も突出する形状を得ることができる。もし，降伏応力の低い材料であれば，放熱板の端部のみ筐体外側に向けて反り，中央部はハンダ付けの際の筐体内側に向けて凸の形状が残ってしまい，放熱板 が波打ったような形状となる場合もある。このような形状となると，放熱板中央部にへこみができ，冷却器との間隙を小さくすることができない。Ａl－ＳiＣは，降伏応力が高いので，中央部が最も突出した形状を得ることができる。また，Ａl－ＳiＣは，高い硬度のためにあらかじめ凸形状に機械加工することなどが困難であるが，本実施例によれば，機械加工によらず筐体外側に凸の形状を得ることができる。言い換えれば，前述の実施形態に示された方法により，放熱板の材料としてＡl－ＳiＣを採用することができる。」（段落【００１８】） （１２）甲第１２号証：特開平７－１６１８６３号公報 ａ 産業上の利用分野 「本発明は，一般に半導体パッケージおよびモジュールに関し，さらに詳しくは，単体ベース構造によって構成される半導体パッケージおよびモジュールに関する。」（段落【０００１】） ｂ 従来の技術 「これまで，高電力スイッチング・モジュールなどの半導体デバイス・モジュールは，モジュールの底部が大きく平坦な打抜き金属のヒートシンクによって構成されてきた。打抜きヒートシンクは，モジュールの残りの構成部品に対する支持を提供し，かつ動作環境ではモジュールとコールド・プレートとの間に熱界面（thermal interface ）を提供する。従来の半導体モジュールの平坦な打抜きヒートシンクは，特定の実質的な不利益をもたらす。」（段落【０００２】） ｃ 発明が解決しようとする課題 「さらに，平坦な打抜きヒートシンクは，モジュールの他の部分の熱膨脹率の相違のため，およびモジュールを動作環境のコールド・プレートに取り付けたときに誘発される応力のためにも，反りを生じやすい。モジュールが反っていると，動作環境のコールド・プレートとよく合わない。」（段落【０００４】） ｄ 課題を解決するための手段 「そこで，組立中に複雑な固定治具に依存せず，かつモジュールの底部表面の反りに抵抗する半導体パッケージおよびモジュール構造が必要になる。」（段落【０００５】） ｅ 実施例 「一般に，本発明は，半導体パッケージおよびモジュールを製造する方法および装置を提供する。好適な実施例では，本発明は，電力モジュール用の金属単体閉囲構造つまり箱を提供する。この箱はヒートシンクとして機能し，電力モジュールを構成する構成部品の位置合わせのための一体化スロット，ピン等を設けることができる。したがって，組立中に構成部品を定位置に保持するための複雑な固定治具を必要としない。さらに，ヒートシンクは閉囲構造つまり箱であるので，他の構成部品の熱膨脹率の相違や取付中に誘導される応力による反りに対する抵抗性が非常に高い。したがって，本発明によるモジュールは動作環境のコールド・プレートとよく合い，それによって熱伝導性が改善される。さらに，反りが無いことにより，電力モジュールの故障モードが実質的に低下する。」（段落【０００６】） 「さらに詳しく説明すると，本発明の好適な実施例は，成形(molding) および結合(bonding) 工程で金属マトリックス複合材（ＭＭＣ）とセラミックを結合して，底面と側壁とを有する単体構造の箱を形成することによって達成される。一実施例では，セラミック層が成形多孔質シリコン・カーバイド（ＳｉＣ）プレフォーム(preform) の底面に形成される。このプレフォームに溶融アルミニウム（Ａｌ）を浸透させ，それによってプレフォームを強化し，同時に，新しく形成されたＳｉＣ／Ａｌ ＭＭＣをセラミック層に接合させる。さらに，この構造は，様々なパッケージング工程中に反りに抵抗する非常に高い剛性を持ち，マウント中にコールド・プレートとの緊密な熱接触を達成するためにわずかに凸形に湾曲した底面を有するように設計する。」（段落【０００７】） 「単体ベース構造物１０１の底面は，成形された球状凸形底面１０６を有する。好適な実施例では，凸性はベース・プレートの対角長における０．２４５mm の反り未満であり，したがって図面では認識できない。底面１０６の形状は，平坦な表面上に置かれたときに，構造物がわずかに揺動するように形成される。底面をわずかに凸形に湾曲させる目的は，半導体パッケージと動作環境のコールド・プレートとの間の緊密な熱接触を促進することである。取付中に，パッケージの四隅に掛かる力は，構造物に均等な曲げモーメントを生じる。底面が平坦であると，このモーメントのためにパッケージは中心部が上に湾曲し，底面の中心部とコールド・プレートの取付表面との間に通常エア・ギャップが形成される。空気は熱伝導率が非常に低いので，結果的に得られる実装パッケージは，非常に低い熱伝達を示すことになる。しかし，本発明の好適な実施例に従ってわずかに凸形に湾曲した底面を設けることによって，四隅に掛かる力はパッケージを平坦化するように作用し，取付表面全体の緊密な熱接触が維持される。」（段落【００１１】） 第６．被請求人の主張の概要と証拠方法 １．請求人の主張の概要 被請求人は、請求人の主張する理由および証拠によっては本件特許発明を無効とすることはできないと主張している。 ２．被請求人の提出した証拠方法 （１）答弁書に添付して提出 乙第１号証：日本工業標準調査会審議、ＪＩＳ　Ａ　５４２３：２００４「住宅屋根用化粧スレート」、財団法人日本規格協会発行、平成１６年１０月１日 （２）平成２５年９月２日付け意見書に添付して提出 乙第２号証：CPS Technologies社のホームページ （URL:http://www.alsic.com/igbt-baseplates.html）２０１３年８月１６日印刷 乙第３号証：「AlSiC Baseplates for Power IGBT Modules:Design, Performance and Reliability」と題する論文 乙第４号証：電気化学工業（株）製炭化珪素質複合体（アルシンク）写真 乙第５号証の１：特開平１０－１０５９１５号公報 乙第５号証の２：特開２０００－１２６２５号公報 乙第５号証の３：特開平１０－２５０１４９号公報 乙第５号証の４：特開平１１－３３０３０８号公報 乙第５号証の５：特開平１０－１９４７６３号公報 乙第５号証の６：特開平８－９１９５０号公報 乙第５号証の７：特開平６－２６７５３５号公報 乙第５号証の８：特開平１０－２３６８３１号公報 乙第５号証の９：特開平１１－９７５８７号公報 乙第５号証の１０：特開平９－２８３４７２号公報 乙第５号証の１１：特開平１１－２８４７９６号公報 乙第５号証の１２：特開２０００－３１１８１号公報 乙第５号証の１３：特開平１１－７７３６５号公報 乙第５号証の１４：特開平１０－９５８３５号公報 乙第５号証の１５：特開平８－５９３７４号公報 乙第５号証の１６：特開平１０－２７０５０４号公報 乙第５号証の１７：特開２０００－９０７３４号公報 乙第５号証の１８：特開２０００－１５４１４号公報 乙第５号証の１９：特開２００９－１６１４３３号公報 乙第５号証の２０：特開２００４－１９３６２５号公報 乙第５号証の２１：特開平１１－１８６４２９号公報 乙第５号証の２２：特開平４－３２２８１９号公報 乙第５号証の２３：特開平１０－４４１４１号公報 乙第５号証の２４：特開平１０－１６７８３８号公報 乙第５号証の２５：特開平９－２６０５４５号公報 乙第５号証の２６：特開２０００－１７６６１６号公報 乙第６号証の１：日本工業標準調査会審議、ＪＩＳ　Ｒ３２０６：２００３「強化ガラス」、財団法人日本規格協会発行、平成１５年５月２０日 乙第６号証の２：日本工業標準調査会審議、ＪＩＳ　Ｋ６９１１－１９９５「熱硬化性プラスチック一般試験方法」、財団法人日本規格協会発行、平成１４年３月１５日 乙第７号証の１：特開平９－２７５１６６号公報 乙第７号証の２：国際公開９８／５４７６１号再公表公報 乙第８号証の１：特開２０００－３１３２８号公報 乙第８号証の２：特開平１０－２８００８２号公報 また、上記乙号証のうち、乙第１号証には、次の事項が記載されている。 「６．５　吸水による反り試験　吸水による反り試験は、試験片の裏面に、図３に示すように、その中心点（Ｏ）から二つの対角線の方向に１６０ｍｍ離れた位置に基点（Ａ、Ａ’、Ｂ、Ｂ’）を設ける。次に図４に示す反りの測定器の支点を対角線上の基点に当て、両基点を結ぶ面と中心点との距離を、目量０．０１ｍｍのダイヤルゲージを用いて測定し、これを１回目の測定とする。」（６頁２１～２４行） 「 」（図３） 「 」（図４をみると、住宅屋根用化粧スレートの凹面の中心点（最大凹部）と両基点を結ぶ面との距離が測定されていることが見て取れる。） 第７　当審の判断 当審は、以下のとおり、無効理由１～４のいずれによっても、本件訂正特許発明１～１１を無効にすることはできないと判断する。 なお、請求人が一次審決までに提出した証拠は、甲第１号証～甲第９号証であるが、平成２８年６月１０日付け弁駁書において、請求人は、平成２８年３月２８日付け訂正請求に対する反論の主張等をするとともに、本件訂正特許発明１、７～１１について、新たに甲第１０号証～甲第１２号証を提出して、以下の新たな無効理由（以下、「無効理由Ａ」という。）の主張を行っている。 無効理由Ａ：本件訂正特許発明１、７～１１は、甲第１１号証に記載された発明と甲第１～８、１０、１２号証に記載された発明および周知技術に基づいて、出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。 無効理由Ａの主張は、本件審判請求理由の要旨を変更するものであり、特許法第１３１条の２第２項各号のいずれに該当するものでもないから、許可できないが、念のため、併せて検討する。 以下、事案に鑑み、まず本件訂正特許発明全体に係る炭化珪素質複合体の「反り量」について検討した後、本件訂正特許発明１およびその発明を引用する本件訂正特許発明７～１１について、無効理由４、１～３を検討し、次に、本件訂正特許発明２～６およびそれらの発明を引用する本件訂正特許発明７～１１について、無効理由４、１～３を検討し、さらに、当審で通知した無効理由、平成２８年６月１０日付け弁駁書での無効理由Ａの順で検討する。 １．本件訂正特許発明における炭化珪素質複合体の「反り量」について 「反り量」とはどのような量をいうのかについて、上記知的財産高等裁判所判決には、以下のとおり判示されている。 「(1) 「反り量」の定義（いずれの面についての物理量か）について ア 原告は，本件訂正発明は，凸面側を測定しても凹面側を測定しても「反り量」が同一になる場合を除いて，「反り量」がいずれの面における物理量であるか不明確であり，かつ，本件明細書は，当業者が本件訂正発明を実施することができる程度に記載されたものではなく，仮に，本件訂正発明の請求項に記載された「反り量」が凸面側の反りの程度のみを示しているとすれば，そのような発明は本件明細書の発明の詳細な説明には記載されていないから，サポート要件違反である旨主張するので，以下において検討する。 イ(ア) 本件訂正発明に係る請求項（請求項１ないし１１）の記載は，・・・板状複合体のいずれの面についての「反り量」を規定するものか明示する記載はない。 しかしながら，本件訂正発明の特許請求の範囲には，「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，」との記載（請求項１ないし５，７ないし１１）又は「枠内に２つの多孔質炭化珪素成形体を積層して配置した後，前記枠に鉄板を配置しボルト，ナットで固定してブロックとし，前記ブロックにアルミニウムを主成分とする金属を含浸することで得られる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，」との記載（請求項６）があり，これらの記載によれば本件訂正発明に係る請求項には，本件訂正発明の板状複合体が凸面を有するものであることが規定されていることが明らかである。 これに対し，特許請求の範囲の記載（請求項１ないし１１）には，本件訂正発明の板状複合体が「凹面」を有するものであること（「凸面」の反対側の面が「凹面」であること）を規定する記載は存しない。 (イ) そこで，本件明細書の記載を参酌すると，本件明細書には，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が２５０μｍを超えると，本発明の複合体を放熱部品として用いる場合，回路基板等との接合不良が発生してしまうという問題や，放熱フィン等にネジ止めする際に，過大な曲げ応力が加わり，複合体が破損してしまうという問題が発生する。 一方，この様な複合体からなる放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，放熱フィン等にネジ止めされて用いられる。その場合，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面に応力が働くべく，接合面が凸型になっていることが，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面より好ましい。このため，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ未満では，放熱部品等として用いる場合の反り量が不足し，放熱特性に問題が生じることがある。」などの記載（段落【００２９】，【００３７】，【００４１】等）がある。 上記記載からは，本件訂正特許発明の板状複合体を放熱板として用いた場合に，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面が，応力が働くべく凸型になっていると，ネジ止め後の締め付け力が大きく，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができるので，放熱の面で好ましいとされていることが理解され，凸面の反り量が問題とされていることが分かる。 (ウ) 本件明細書の段落【０００８】には，「この様な複合体は，放熱部品として用いる場合，回路基板と半田付けして用いられるため，複合体の反り量が大きすぎると半田付けが難しくなる。このため，この様な複合体を放熱部品として用いる場合，所定量以下の反り量に制御する必要がある。」との記載が存するが，このような問題は，板状複合体を放熱部品として用いる場合に，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの凸型の接合面の反対側，すなわち，板状複合体が回路基板と接合する面が凹面となる場合に生じる問題であると理解される。ところで，本件明細書の段落【００７３】に記載のように，本件訂正特許発明の板状複合体は「三次元ミルで面加工」すること，すなわち，凸面のみを加工することも可能であるところ，前記(ア)記載のとおり，特許請求の範囲の記載（請求項１ないし１１）には，本件訂正特許発明の板状複合体が「凹面」を有するものであることを規定する記載は存しないから，本件訂正特許発明は，凸型の接合面の反対側の面が凹面ではない板状複合体を含むものであると認められる。 そうすると，本件訂正明に係る請求項（請求項１ないし１１）に記載された「反り量」は，回路基板と半田付けする際に懸念される凹面の「反り量」を規定したものではなく，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面で好ましい凸面の反り量を規定したものであると自然に理解されるといえる。」 （第１２０～１２２頁．なお、判決文中において、「本件訂正発明」とは先の訂正後の特許請求の範囲に記載された発明を意味する。） 以上によれば、本件訂正特許発明における「反り量」とは、 「回路基板と半田付けする際に懸念される凹面の「反り量」を規定したものではなく，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面で好ましい凸面の反り量を規定したもの」と理解される。 ２．本件訂正特許発明１およびその発明を引用する本件訂正特許発明７～１１について ２－１．無効理由４について （１）請求人の主張する無効理由４ 請求人は、本件訂正特許発明１およびその発明を引用する本件訂正特許発明７～１１に係る無効理由４として、概略、次の点を主張している。 ア．反り量の制御手段について （ア）本件明細書の実施例には、請求項１に規定されている反り量の範囲のものと範囲外のものが混在しており、かかる差異が、どのような要因によってもたらされるものか、本件明細書では何ら説明されていない。 また、請求項１に係る発明において、Ｃｘが正、Ｃｙが負となる板状の炭化珪素質複合体をどのように製造するのかが不明である。 したがって、請求項１及びそれに従属する請求項における発明特定事項のうち「反り量」について、本件明細書からは、どのように制御すればよいのかが不明である。 また、特定の製造方法或いは製造条件を用いることが必須である場合には、請求項１およびそれに従属する請求項は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものである。 イ．反り量の定義について （ア）請求項１では、「長さ１０ｃｍ」に対する反り量を規定しているが、この規定は板状炭化珪素複合体のどの部分を測定したものか不明であり、「他の放熱部材に密着よくネジ止め固定される」という課題を解決できない。 （イ）請求項１に特定される「穴間方向」はどのような事項か不明である。 （ウ）本件訂正特許明細書の段落【００３５】の記載をみると、請求項１に特定される反り量の範囲でも好ましくない場合があるととれる。 （２）判断 請求人の主張する無効理由４のうち、「ア．（ア）」は、特許法第３６条第４項（実施可能要件）に係る理由であり、「イ．（ア）、（ウ）」は、特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）に係る理由であり、「イ．（イ）」は、特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）に係る理由と認められる。 まず、特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）に係る理由について検討し、その次に、特許法第３６条第４項（実施可能要件）に係る理由と特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）に係る理由について検討する。 ア．特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）に係る理由について 「穴間方向」とはどのような事項かについて、上記知的財産高等裁判所判決には、以下のとおり判示されている。 「(2) 「反り量」の定義（穴間方向の意義）について ア 原告は，本件訂正特許発明１の請求項に記載された「穴間方向」の意義は不明確である旨主張するので，以下において検討する。 イ(ア) ・・・ (イ) そこで，本件明細書の記載を参酌すると，本件明細書には，「穴間方向（Ｘ方向）」又は「穴間」につき，「一般にここで，前記穴間方向（Ｘ方向）とは，図９（ａ）～（ｄ）に例示した，放熱板表面の一方向を示し，Ｙ方向は，前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している。」（段落【００３１】）との記載がある。 上記記載から，「穴間方向（Ｘ方向）」には，図９に例示されたＸ方向が含まれることは理解できるが，「穴間方向（Ｘ方向）」は「放熱板表面の一方向を示」すとしか記載されていないから，図９に例示されたＸ方向以外にどのような方向が含まれるのか判然としない。 また，図９に例示されたＸ方向については，穴と穴とを結ぶ直線とＸ方向を示す直線が明らかにずれているもの（図９の左から２番目の図）があるが，このような場合に穴間方向とＸ方向がどのような関係にあるのかについては，これを明らかにする記載も見当たらない。 (ウ) ところで，本件訂正発明１は，「穴間方向」であるＸ方向の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ）と，Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向における長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ）の数値範囲をそれぞれ定め，さらに，Ｃｘの絶対値とＣｙの絶対値の関係を，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜と定めたものである。 そして，本件明細書の段落【００３２】に，「本発明者らは，従来技術における前記課題の解決を図り，いろいろ実験的に検討した結果，反り量（Ｃx；μｍ，並びにＣy；μｍ）が前記特定の範囲にあるときに，複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができるという知見を得て，本発明に至ったものである。本発明の複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定する場合，一般には，放熱板と放熱部品との間に放熱グリス等を介して固定される。 このため，Ｙ方向の反り量（Ｃy）に関しては，その絶対値が放熱グリス厚より小さいことが好ましい。また，締め付け時の放熱板の変形を考慮した場合，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。前記の反り量が前記特定範囲を満足できないときには，必ずしも密着性良く放熱板を他の放熱部品にネジ止め固定することができないことがある。」と記載され，段落【００３５】に「また，板状複合体の主面内に他の放熱部品にネジ止め固定できように，穴部を有している場合，その穴間距離が１０ｃｍ以下の小型形状では，密着性良く放熱板を他の放熱部品にネジ止め固定するためには，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が１００μｍ以下であることが好ましい。」と記載されているように，反り量を規定する上記条件は，本件訂正発明１に係る板状複合体を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定するための条件であると認められる。 ここで，本件訂正発明の複合体は，特定量の反りを有していて，例えば，放熱板として用いた場合に，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができ，放熱性が安定した，高信頼性のモジュールを形成することができるという効果を奏するものであるところ（段落【００８１】），板状複合体（放熱板）を放熱部品に密着性よくネジ止め固定できる長さ１０ｃｍに対する反り量であるＣｘ及びＣｙについて異なる数値範囲が規定されている本件訂正発明１において，本件明細書の段落【００３５】の記載から，本件訂正発明における好ましい長さ１０ｃｍに対する反り量は穴間距離の影響を受けるものと解され，Ｘ方向（ひいては，Ｙ方向）が，放熱板表面の一方向であればどの方向であっても他の放熱部品と密着性良くネジ止め固定できるとは考えられないことからすると，本件訂正発明１が上記作用効果を奏するためには，「穴間方向（Ｘ方向）」は，板状複合体のネジ穴または外形との関係でどの方向を示すものであるかが定義されていることを要するものというべきである。 (エ) しかるに，・・・特許請求の範囲（請求項１）にも，また，本件明細書にも，「穴間方向（Ｘ方向）」について，板状複合体のネジ穴または外形との関係でどのような方向をいうものかが明確に記載されていないことから，「穴間方向」であるＸ方向の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ）と，Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向における長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ）の数値範囲をそれぞれ定め，さらに，Ｃｘの絶対値とＣｙの絶対値の関係を定めた本件訂正発明１の技術的意義を理解できないものにしているといわざるを得ない。 ウ 小括 以上によれば，本件訂正発明１に係る特許請求の範囲（請求項１）の記載は，明確性を欠き，特許法３６条６項２号の規定する要件に違反するものであるといわざるを得ない。・・・」 （第１２３～１２６頁．なお、判決文中において、「本件訂正発明」とは先の訂正後の特許請求の範囲に記載された発明を意味する。） そして、上記判示事項は、行政事件訴訟法第３３条第１項の規定により、本件無効審判事件において当審を拘束する。 そこで、本件訂正後の請求項１をみると、 上記判示事項において「「穴間方向（Ｘ方向）」には，図９に例示されたＸ方向が含まれることは理解できるが，・・・，図９に例示されたＸ方向以外にどのような方向が含まれるのか判然としない。」とされた点に関して、「穴間方向（Ｘ方向）を、図９（ａ）、（ｃ）、（ｄ）に例示した、放熱板表面の一方向を示」すものに限定する訂正がされ（訂正事項９）、 上記判示事項において「「穴間方向（Ｘ方向）」は，板状複合体のネジ穴または外形との関係でどの方向を示すものであるかが定義されていることを要するものというべき」とされた点に関して、まず、板状複合体の外形を「矩形」に限定する訂正（訂正事項１）をしたうえで、 「前記穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置されており、前記２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向を穴間方向（Ｘ方向）としたとき」として（訂正事項２～６）、 Ｘ方向を「対辺に沿ってそれぞれ２個のネジ穴が配置されている、穴間距離の長い方向」、Ｙ方向を「対辺に沿って２個以上のネジ穴が配置された複合体表面においてＸ方向と垂直な方向」に限定する訂正がされた。 以上のとおりの訂正によって、「穴間方向（Ｘ方向）」は、矩形板状複合体のネジ穴との関係でどの方向を示すものであるかが明らかにされたものといえる。 よって、本件訂正特許発明１で特定されるＸ方向およびＹ方向は、外形が矩形に特定された板状体のネジ穴の配置との関係で特定されたことによって明らかとなったといえるから、「穴間方向（Ｘ方向）」は明確であり、特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）に係る「イ．（イ）」は、理由のないものというほかはない。 ［平成２８年６月１０日付け弁駁書における主張について］ 請求人は、穴間方向が板状部材の外形との関係で特定されていないため不明確であること等を主張する（弁駁書第８頁参照）。 しかしながら、上記したとおり、訂正請求によって請求項１において、Ｘ方向は「対辺に沿って２個のネジ穴が配置されている、穴間距離の長い方向」であり、Ｙ方向は「対辺に沿ってそれぞれ２個以上のネジ穴が配置されている複合体表面においてＸ方向と垂直な方向」であって、ネジ穴の配置との関係で特定されたところ、それらのネジ穴は矩形板状体の「辺に沿って設けられ」るのであるから、ネジ穴の配置との関係で反り量を特定することは、結局のところ、矩形板状体の外形を構成する辺に沿って反り量を特定することであって、実質的に、反り量が矩形板状体の外形との関係においても特定されたことになるといえる。 よって、穴間方向が板状部材の外形との関係で特定されていないことを理由にして「穴間方向」が不明確であるという請求人の主張は採用できない。 イ．特許法第３６条第４項（実施可能要件）及び同条第６項第１号（サポート要件）に係る理由について 請求人は、上記（１）に記載した特許法第３６条第４項（実施可能要件）に係る理由（「ア．（ア）」）及び同条第６項第１号（サポート要件）に係る理由（「イ．（ア）、（ウ）」）の主張をしている。 そこで、請求人の主張するこれらの理由について検討する。 ａ．「ア．（ア）」について（反り量の制御手段） 本件明細書には、反り量を付与する方法について、 （ア）表面と裏面の金属層の平均厚みに差を付けて、熱膨張差を発生させる方法（段落【００３５】、【００３８】）、 （イ）５層構造において、複合体の炭素珪素含有量を変化させて、熱膨張差を発生させる方法（段落【００４０】、【００７１】）、 （ウ）炭化珪素複合体を加熱しながら応力を加えて塑性変形させる方法（段落【００４２】、【００７７】～【００７８】）、 が記載されており、これらの方法（手段）を適宜採用して、例えば、金属層を形成［（ア）］した後に塑性加工［（ウ）］する等の手段によって、所定量の反りを付与することができることは、当業者ならば、当然に認識することであって、かかる複数の手段を適宜採用すれば所定量の反り量を得られることは、当業者には明らかである。 また、Ｃｘが正、Ｃｙが負となる板状の炭化珪素質複合体については、本件訂正明細書の実施例２６が該当し、当該実施例の製造方法は、本件訂正明細書の段落【００７３】に記載されているから、当業者であれば、それを踏まえて追試することが可能である。 よって、反り量の制御手段や、Ｃｘが正、Ｃｙが負となる板状の炭化珪素質複合体をどのように製造するのかが不明とはいえず、本件明細書および特許請求の範囲の記載に、請求人が主張する不備はない。 ｂ．「イ．（ア）」について（反り量の定義） 「長さ１０ｃｍに対する反り量」が板状炭化珪素複合体のどの部分を測定したものかは、今般の訂正によって、矩形板状複合体の辺に沿ったネジ穴の方向に沿った部分を測定したものであることが明らかである。 そして、「長さ１０ｃｍに対する」反り量とは、その文言から明らかなように、「１０ｃｍの長さを基準にして換算した反り量」であって、矩形板状の炭化珪素質複合体が、１０ｃｍよりも大きいか又は小さいときは、測定した反り量を１０ｃｍ分の反り量に換算するものといえ、当該反り量は被測定物の中央部と端部の高さの差を測定して求めた最大の反り量によって規定すべきことは当業者にとって自明なことである（例えば、乙第１号証参照。なお、そのような測定は甲第９号証の反りの測定において請求人も行っているものと認められる。）。 そうすると、請求人の主張するような課題を解決できないようなことは起こらず、本件明細書および特許請求の範囲の記載に、請求人が主張する不備はない。 ｃ．「イ．（ウ）」について（請求項１に特定される反り量の範囲で好ましくない場合があるととれること） 請求人は、本件明細書の段落【００３５】の記載等から、ネジ止めによる密着性の適する反り量は、炭化珪素複合体の大きさに依存して変化するから、請求項１に特定される反りの範囲の全てに渡って本件特許発明の課題であるネジ止めによる密着性の向上という効果が得られると当業者が認識できないことを主張している。 しかしながら、本件明細書の段落【００３５】の記載は、小型形状の板状複合体について、好ましい反り量の態様を記載したに過ぎないから、そのことをもって、本件訂正特許発明１において、特定された反り量の範囲でも、本件特許発明の課題であるネジ止めによる密着性の向上という効果が得られない好ましくないものがあることが明らかとはいえない。 ［平成２８年６月１０日付け弁駁書における主張について］ 請求人は、本件訂正特許発明１において、反り量が、ネジ穴の数と、隣接する穴の距離による特定のみで、矩形板状体の外形などの条件は捨象されているため、サポート要件、実施可能要件を満たしていない態様を含むことを主張している（弁駁書９頁参照。）。 しかしながら、上記ア．の［平成２８年６月１０日付け弁駁書における主張について］にも記載したように、ネジ穴が矩形板状体の「辺に沿って設けられ」ることからみて、ネジ穴の配置との関係で反り量を特定することは、結局のところ、矩形板状体の外形を構成する辺に沿って反り量を特定することにも実質的になるといえる。 よって、反り量が矩形板状体の外形などの条件で特定されていないことを前提にして、サポート要件、実施可能要件を満たしていないという請求人の主張は採用できない。 以上のとおりであって、請求人の主張する特許法第３６条第４項（実施可能要件）に係る理由及び同条第６項第１号（サポート要件）に係る理由は、いずれも妥当なものと認められないから、本件訂正特許発明１およびその発明を引用する本件訂正特許発明７～１１について、本件訂正後の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の記載は，特許法３６条６項１号に規定する要件（サポート要件）及び同条４項に規定する要件（実施可能要件）を満たすものと認められる。 （３）無効理由４についての総括 以上のとおりであって、本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件訂正特許発明１、７～１１を実施できるように明確かつ十分にされており、訂正後の特許請求の範囲の請求項１、７～１１に記載された発明は明確であって、しかも、本件訂正明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであって、これらの発明の範囲にまで拡張ないし一般化して、当業者が当該発明の課題の解決を図ることができると認識できるものである。 よって、本件訂正特許発明１、７～１１に係る特許について、無効理由４は理由がない。 ２－２．無効理由１について （１）甲第１号証に記載された発明 上記「第５　２－２（１）」に記載した甲第１号証の記載をみると、段落【０００９】～【００１０】の事項等からみて、「炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ又はシリカからなる群より選ばれる１種以上からなる多孔質セラミックス構造体に、アルミニウム又はマグネシウムのいずれかを主成分とする金属を含浸してなる複合体であって、該複合体表面全体に前記金属の層を設けてなる・・・複合体」が記載されているといえる。 また、段落【００２７】の実施例１および２をみると、セラミックが「炭化珪素」で、金属がアルミニウムを主成分とする金属である「ＡＣ４Ｃ」ものが記載されている。 そうすると、甲第１号証には、 「炭化珪素からなる多孔質セラミックス構造体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる複合体であって、該複合体表面全体に前記金属の層を設けてなる複合体」の発明（以下、「甲第１号証発明」という。）が記載されていると認められる。 （２）本件訂正特許発明１との対比 本件訂正特許発明１と甲第１号証発明とを対比する。 甲第１号証発明の「炭化珪素からなる多孔質セラミックス構造体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる複合体」は、本件訂正特許発明１の「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる複合体」に相当する。 また、甲第１号証発明の「複合体」は、甲第１号証の段落【００３５】の「縦１００ｍｍ、横４０ｍｍ、厚さ３ｍｍの金属－セラミックス複合体」との記載等からみて「矩形板状」であるものを包含するから、本件訂正特許発明１の複合体が「矩形板状」である点は、両者の相違点とならない。 また、本件訂正特許発明１は、アルミニウム合金の表面層の形成の有無を何ら特定するものでないから、甲第１号証発明の「該複合体表面全体に前記金属の層を設けてなる」点は、両者の相違点とならない。 よって、両者は、 「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体」である点で一致し、次の点で相違する。 相違点１：本件訂正特許発明１は、「矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し」ているのに対し、甲第１号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点２：本件訂正特許発明１は、「穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置され」ているのに対して、甲第１号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点３：本件訂正特許発明１は、「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が、｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜、５０≦Ｃｘ≦２５０、且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）」ものであるのに対し、甲第１号証発明は、かかる事項を有していない点 （３）本件訂正特許発明１についての判断 ア．特許法第２９条第１項第３号について 本件訂正特許発明１は、その発明を特定する事項からみて、「他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けてネジ止めする」ものであり、ネジ止めする穴部のうち、「２個ずつの穴部が配置された対辺に平行な方向」（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μm）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μm）との関係を特定するものであるのに対して、甲第１号証発明は、「金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより、メッキ性が良く、塑性ひずみによるはんだクラックの発生や放熱フィンとの密着性の低下が無い、かつ加工性にも優れた金属－セラミックス複合体」（段落【０００８】）を得るものであって、凸面を設けるものではないから、上記相違点１、３の点で、両者は実質的に相違する。 よって、本件訂正特許発明１は、甲第１号証に記載された発明でない。 イ．特許法第２９条第２項について 上記ア．に記載した相違点に関し、その他の甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得たものであるか否かについて検討する。 甲第２～８号証には、「第５　２－２（２）～（８）」に記載した事項からみて、上記知的財産高等裁判所判決（判決第１４２～１７０頁の各刊行物についての記載における（イ）ないし（ウ）等参照。）に記載されるように、それぞれ、次の事項が記載されている。 甲第２号証には、(i)半導体モジュールを冷却体と良好に熱伝導可能に接触させるためには、モジュールの「銅支持板」は平坦な冷却体に対して凸状に湾曲した面を、有利には、球面として有していなければならず、これにより、モジュールを冷却体上に側方でネジ締めした際、モジュールが機械的応力下に冷却体に押し付けられ、良好な結合が得られること、(ii)「銅支持板」とセラミックス基板をろう付けすると、銅とセラミックス基板との熱膨張係数が著しく異なることから、この構造体が冷却された後は、銅支持板は、平行ではなく、セラミックス基板に対して凹状に変形すること、(iii)銅支持板及びろう箔によりろう付けされたセラミックス板を有するパワー半導体モジュールを使用した実施例において、これを１５０℃で加工し、同時に銅支持板にかけられた圧力を５秒間維持した後、加圧装置から取り出して、モジュールを室温に冷却した際、銅支持板の凸状の変形が１００μm であったことが開示されていると認められる。 甲第２号証に開示されたヒートシンクは、「銅支持板」であって、ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクではなく、また、モジュールの支持板が「凸状に湾曲した面」、「有利には、球面」であることやモジュールを加圧装置から取り出して冷却した際の「銅支持板」の凸状の変形が１００μｍであったという実施例が１例記載されているのみであって、反り量を所定の数値範囲に規定することについては開示がなく、まして、ヒートシンクにＡｌＳｉＣ複合体を用いた場合の反り量の程度について開示するものではない。 甲第３号証には、(i)半導体モジュールの使用中においても「金属の底板」と冷却体との間の熱接触を良好にするため、底板を凸面状に形成すること、(ii)「金属の底板」は「例えば銅」からなること、(iii)底板の長さがその幅よりかなり大きい場合には、底板の下面の凸面形成は縦方向だけで充分であるが、底板の横方向寸法がかなり大きく、例えば縦方向寸法と同程度の大きさである場合には、底板の下面の凸面形成は両方向に行うことが推奨され、この場合、下面は例えば球面の形とされること、(iv)実際の実施例においては、底板の長さは１３７ｍｍ、横幅は１２７ｍｍ、厚さは外周で５ｍｍ、中央部の最大厚みは５．４ないし５．５ｍｍであったことが開示されていると認められる。 また、甲第３号証に開示されたヒートシンクは、「金属の底板」で「例えば銅」からなるものであって、ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクではなく、また、凸面形成の方向についての開示があるのみで、反り量を所定の数値範囲に規定することについては開示がなく、ヒートシンクにＡｌＳｉＣ複合体を用いた場合の反り量の程度について開示するものではない。 甲第４号証には、(i)炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体のヒートシンク、(ii)ヒートシンク等の放熱部品は、回路基板や放熱フィン等と接合して用いられるため、室温においては、顕著な反りがないものを用いるが、加熱時に反りが発生すると、回路基板の剥離や絶縁層の破壊といった問題が発生すること、(iii)室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が、当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍ対して、５μｍを超えると、回路基板や放熱フィン等と接合する際には、室温では接合状態が均一であっても、実使用下においては、熱サイクル等が付加された場合、回路基板の破壊や放熱特性の低下による故障などの問題が生じること、が開示されているものと認められる。 また、甲第４号証の記載、すなわち、特許請求の範囲の請求項２、段落【００２５】、【００２６】及び【００３９】等の記載からは、甲第４号証に開示された反り量は、室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の、すなわち３００℃における反り量であると理解でき、他にこれが室温におけるものであることを認めるに足りる証拠はない。したがって、甲第４号証は、室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量の数値範囲を規定するものではなく、むしろ「室温においては顕著な反りがないものを用いる」と記載されているように、室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量を規定することについて開示するものでもない。 ［平成２８年６月１０日付け弁駁書における主張について］ 請求人は、平成２８年６月１０日付け弁駁書において、甲第４号証は、マイクロメーターによって測定を行っていることからみて、複合体の室温における反りを測定するものであることを主張している（弁駁書第２２頁参照）。 しかしながら、甲第４号証は、室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量を測定しているところ、仮に、３００℃から室温まで十分に降温して測定したのでは、３００℃での反り量が正確には測定できないため、３００℃での加熱後速やかな測定を行っているものと推認される。そうすると、甲第４号証での測定が、室温まで降温した後のものであることが明らかなものとはいえない（そもそも、あらかじめ、複合体に所定量の反りを与えるものでもない。）。 よって、請求人の主張は採用できない。 甲第５号証には、(i)ヒートシンクとしてＡｌＳｉＣ系複合材料を用いた、ヒートシンク付セラミック回路基板、(ii)ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成したヒートシンクを積層した実施例１及び比較例２のヒートシンク付セラミック回路基板では、ヒートシンクの下面の反りが、３０μmm（測定長５０mm）であったことが開示されているものと認められる。 また、甲第５号証は、「・・・回路基板では、第１及び第２アルミニウム板１１、１２が従来の銅板と比べて変形抵抗が小さいので、回路基板１０に熱サイクルを付加してもセラミック基板１３にクラックが発生することはない。またヒートシンク１４として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので、放熱特性が向上する。」（段落【０００４】）、「セラミック基板の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介して第１及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し、ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板の表面に積層接着したので、この回路基板に熱サイクルを付加しても、従来の銅板と比べて変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板がセラミック基板及びアルミニウム板の熱膨張係数の差による歪みを弾性変形して吸収する。この結果、セラミック基板にクラックが発生することはない。またヒートシンクとして熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので、放熱特性が向上する。」（段落【００２４】）とあるように、第１及び第２アルミニウム板を設けたので、セラミックス基板にクラックが発生することがなく、また、ヒートシンクに熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので、放熱特性が向上するとの開示にとどまり、ＡｌＳｉＣ系複合材料からなるヒートシンクに積極的に凸状の反りを与えることが開示されているものではない。 甲第６号証には、(i)放熱板が、基板が固着されたその中間部と、外周部と中間部との間にケースを立設した部分との間に「変形緩衝部」を有する半導体装置、(ii)放熱板が銅製である実施例が開示されているものと認められる。しかしながら、甲第６号証は、ＡｌＳｉＣ複合体からなる放熱板について記載したものではない上、「半導体装置は、固着された基板をケースを立設して包囲し封止部材で封止しするようにした放熱板が、基板を固着した中間部とケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有しているので、封止を行った際に封止部材の固化にともなう熱収縮で放熱板に反りが生じるが、反りは変形緩衝部によって放熱板の外周部のみが変形して発生し、基板を固着した中間部は変形しない。」（段落【００１３】）、「この放熱板５４の取り付けの際に、取付け板へねじを螺着していくことにより取付け孔２９が形成された外周部は反りを修正し取付け板に密着するよう強制的に平坦化される。」（段落【００４５】）などと記載されているように、封止部材の固化に伴う熱収縮で生じた放熱板の反りは、変形緩衝部があることにより、外周部のみの変形で止まり、基板を固着した中間部の変形は生じないという作用効果を奏することを開示するものであって、放熱板に積極的に反りを与えることが開示されているとは認められない。 甲第７号証には、「既存のパッケージング、基板及びＩＣ材料と比較したＡｌＳｉＣ材料の特性」が記載されているのみであり、放熱板とそれに反りを与えることに関する記載は存しない。 甲第８号証には、(i)ベースプレート材として使用されることが多い銅は、セラミックス基板との熱膨張率の不一致という欠点を有し、銅製のベースプレートとセラミックス基板とを半田付けすると、両材料の熱膨張率が異なるため熱歪みが起こるなどの問題が生じること、(ii)このようなシステム金属とセラミックスのバイメタル効果を軽減するためには、ベースプレートに機械加工による凸状を付与することが有効であること、(iii)上記(i)の問題は、セラミックスの熱膨張率のずれが小さい比較的硬い材料をベースプレート材として用いれば解消できるところ、Ａｌ／ＳｉＣは、高度な剛性とセラミックスに近い熱膨張率を持ち合わせていることが開示されているものと認められる。 また 、甲第８号証には、ＡｌＳｉＣ複合体からなるベースプレートを凸状に加工することについての記載は存しない。 また、甲第１０～１２号証についても検討すると、これらの甲各号証には、「第５　２－２（１０）～（１２）」に記載した事項からみて、上記知的財産高等裁判所判決（判決第１７０～１８１頁の甲２１、２２、２３についての記載におけるｂないしｃ等参照。なお、甲２１、２２、２３は、順に、甲第１０、１１、１２号証と同じ刊行物である。）に記載されるように、それぞれ、次の事項が記載されている。 甲第１０号証には、(i)セラミックス基板の一方側に半導体素子を取り付け、他方側の放熱板を半田付けする半導体デバイスにおいて、放熱板の反接着面側が凸状となるよう予め反りをつけることによって、半田付後の冷却に伴う反りを相殺して熱抵抗を低減した発明、(ii)その実施例として、放熱板は銅放熱板を用い、１００～１１０μｍの凸状の反りを設けた例（実施例１）、放熱板は銅放熱板を用い、８０～９０μｍの傾斜をつけて加工した例（実施例２）、(iii)実験により、銅放熱板に与える凸状の反り寸法は、半田付後に生ずる反りに対して１０～１００μｍ加算すると好適であることがわかったこと、(iv)セラミックス基板と銅放熱板との半田付けの際に生ずる反りの値に対し、３０～４０μｍ余計に凸状となるような反りを銅放熱板にもたせるようにすると、半田付け時に生じる凹状の反りを吸収し、かつ、余分の３０～４０μｍの凸状の反りは、放熱フィンへの取り付け時に吸収されてフラットの状態となり接触面積が増大することが開示されているものと認められる。 また、甲第１０号証に開示された放熱板は、銅放熱板であって、ＡｌＳｉＣ複合体からなるものではない。 甲第１１号証には、(i)一般的に、放熱板の熱膨張係数は、絶縁基板の熱膨張係数より大きく、半田接合した後冷えると、収縮量の差によって放熱板が反ること、(ii)従来、この反りを考慮して、放熱板をあらかじめ逆に反らせて作製し、最終的に冷却器側に凸となるようにしていたこと、(iii)甲第１１号証に記載された発明は、放熱板をあらかじめ反らせて作製するにはそのための工程が必要であり、材料の加工性によってはあらかじめ反らせておくことが困難な場合もあることから、あらかじめ放熱板を反らした形状にせずに、冷却器側に向けて凸となる形状を得ることができる半導体装置の製造方法であること、(iv)実施例として、放熱板の材料として、ＡｌＳｉＣ複合材を採用した例が開示されている。 また、甲第１１号証は、ＡｌＳｉＣ複合材からなる放熱板をあらかじめ反らせておくことを開示するものではなく、とるべき反り量の数値範囲についても何ら開示するものではない。 甲第１２号証には、(i)平坦な打抜きヒートシンクは、モジュールの他の部分の熱膨張率の相違及びコールド・プレートに取り付けたときに誘発される応力のため、反りを生じやすいこと、(ii)箱型ヒートシンクは、他の構成部品の熱膨張率の相違や取付中に誘導される応力による反りに対する抵抗性が非常に高いので、コールド・プレートとよく合い、反りが無いことにより、電力モジュールの故障モードが低下すること、(iii)実施例として、コールド・プレートとの緊密な熱接触を達成するためにわずかに凸形に湾曲した底面を有するように設計したＡｌＳｉＣ複合体を用いた箱型ヒートシンク、(iv)成形された球状凸形底面を有する単体ベースプレートの構造物の好適な実施例として、凸性はベース・プレートの対角長における０．２４５mmの反り未満であることが開示されている。 また、甲第１２号証には、ベースプレートの対角長に関する記載はないから、上記凸状が、ベースプレートの底面において、主面の長さ１０ｃｍに対してどれほどの反り量を形成したものであるのかは不明であり、他に反り量の具体的な数値に関する記載はないから、甲第１２号証は、ＡｌＳｉＣ複合体をヒートシンクに用いた場合の反り量の程度について具体的に開示するものではない。 そうすると、甲第１～８号証は、上記知的財産高等裁判所判決（第１８２頁参照。）に記載されるように、いずれも、室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御することを開示するものではない。 したがって、甲第１号証発明に甲第２～８号証をどのように組み合わせても、甲第１号証発明において、上記相違点１、３に係る本件訂正特許発明１の発明特定事項を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことであるとは認められない。 また、甲第１～８号証は、いずれも、「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」を開示するものではなく、新たに提出された甲第１０～１２号証を併せ考慮しても、その点を当業者が容易に想到し得たことであるとは認められない。 よって、少なくとも、上記相違点１、３に係る本件訂正特許発明１の構成の点は、甲第２～８号証、甲第１０～１２号証に記載された技術的事項を考慮しても、当業者が容易に想到し得たことといえない。 以上によれば、本件訂正特許発明１は、甲第１～８号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ［平成２８年６月１０日付け弁駁書における主張について］ 請求人は、本件訂正明細書の実施例、比較例をグラフにプロットして、本件訂正特許発明の効果が劇的なものでなく、反り量の数値範囲に意義（臨界的意義）がないことを主張している（弁駁書２７頁参照。）。 そこで、当該グラフ（下図参照。）のデータを確認する。 すると、実施例２６～３０においては、参考例となったものを含め、密着率のデータが９３～９９％であるのに対して、比較例３～６については４５～７５％であり、実施例の方が密着率が高く、放冷部材における部品相互の接合が良好に行われることが自然に読み取れるものである（なお、参考例と実施例とは同程度の密着性であるが、参考例は穴間方向（Ｘ方向）の意味を明確にするための訂正によって実施例から除外されたものであって、そのような例と本件特許発明が効果において同程度であるとしても、本件訂正特許発明の効果が否定されるものとはいえない。）。 また、実施例のうち、反り量が満たすべき条件の境界線上に位置する例（実施例２８）における密着率のデータが最小（９３％）であることからも、本件訂正特許発明１において特定される反り量の条件を満たすことによって、放冷部材における部品相互の接合の十分な効果が奏される傾向が合理的に推認できるといえる。 そうすると、本件訂正明細書の実施例、比較例のデータから、本件訂正特許発明の効果は示されているものと理解できる。 よって、本件訂正特許発明の効果、反り量の数値範囲の意義についての請求人の主張は妥当なものとはいえず、採用できない。 ウ．小括 よって、本件訂正特許発明１は、甲第１号証に記載された発明でない。 また、本件訂正特許発明１は、甲第１～８号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件訂正特許発明１を引用する本件訂正特許発明７～１１について 本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１と甲１発明とをそれぞれ対比すると、少なくとも、これらの発明と甲１発明とは、上記（２）ア．に記載した相違点で相違している。 そうすると、上記（２）イ．で、本件訂正特許発明１の検討において述べた理由と同様の理由により、本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１は、甲第１～８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件訂正特許発明１、７～１１についての無効理由１の総括 本件訂正特許発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとも、本件特許発明１、７～１１は、甲１発明及び甲第２～８号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいうことはできない。 また、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 よって、本件訂正特許発明１、７～１１に係る特許について、無効理由１は理由がない。 ２－３．無効理由２について （１）甲第４号証に記載された発明 上記「第５　２－２（４）」に記載した甲第４号証の記載をみると、「ａ 特許請求の範囲」の【請求項２】の記載からみて「炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下であり、室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が、当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して、５μｍ以下である・・・板状複合体。」が記載されている。 また、段落【００２８】の記載からみて、当該板状複合体は、「熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、室温の熱膨張率が１×１０-5Ｋ-1以下である」ものといえる。 そうすると、甲第４号証には、 「炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって、室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が、当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して、５μｍ以下であり、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、室温の熱膨張率が１×１０-5Ｋ-1以下である板状複合体」の発明（以下、「甲第４号証発明」という。）が記載されていると認められる。 （２）本件訂正特許発明１との対比 本件訂正特許発明１と甲第４号証発明とを対比する。 甲第４号証発明の「炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体」は、本件特許発明１の「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体であ・・・る炭化珪素質複合体」に相当する。 また、本件訂正特許発明１は、矩形板状複合体の「室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量」、「熱伝導率」ないし「室温の熱膨張率」何ら特定するものでないから、甲第４号証発明の「室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が、当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して、５μｍ以下であり、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、室温の熱膨張率が１×１０-5Ｋ-1以下である」点は、両者の相違点とならない。 よって、両者は、 「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体である炭化珪素質複合体」である点で一致し、次の点で相違する。 相違点４：本件訂正特許発明１は、「矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し」ているのに対し、甲第４号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点５：本件訂正特許発明１は、「穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置され」ているのに対して、甲第４号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点６：本件訂正特許発明１は、「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が、｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜、５０≦Ｃｘ≦２５０、且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）」ものであるのに対し、甲第４号証発明は、かかる事項を有していない点 （３）本件訂正特許発明１についての判断 上記の相違点のうち、まず、相違点４、６について検討する。 無効理由１における相違点の検討（上記「２－２（３）」）において述べたように、甲第１～３号証、甲第５～８号証、甲第１０～１２号証はいずれも、「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」を開示するものではない。 さらに、これらの甲各号証は、凸面の反りを所定の方向（Ｘ方向、Ｙ方向）の反り量（Ｃx、Ｃy）の関係で特定することを開示するものではない。 そうすると、少なくとも、上記相違点４、６に係る本件訂正特許発明１の構成の点は、上記無効理由１における相違点１、３と同様に、甲第１～３号証、甲第５～８号証、甲第１０～１２号証に記載された技術的事項を考慮しても当業者が容易に想到し得たことといえない。 よって、相違点５についての検討の如何に関わらず、本件訂正特許発明１は、甲第４号証発明および甲第１～３号証、甲第５～８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１との対比・判断 本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１と甲第４号証発明とをそれぞれ対比すると、少なくともこれらの発明と甲第４号証発明は上記相違点４～６で相違する。 そうすると、上記（３）で、本件訂正特許発明１について述べた理由と同様の理由により、本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１は、甲第４号証発明および甲第１～３号証、甲第５～８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件訂正発明１、７～１１についての無効理由２の総括 本件訂正特許発明１、７～１１は、甲第４号証発明及び甲第１～３号証、甲第５～８号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 また、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 よって、本件訂正特許発明１、７～１１に係る特許について、無効理由２は理由がない ２－４．無効理由３について （１）甲第８号証に記載された発明 上記「第５　２－２（８）」に記載した甲第８号証の記載をみると、２頁左欄の図２に係る記載等からみて、上面が平坦で下面が凸面のベースプレートは、ベースプレートとヒートシンクとの間の熱伝導性を向上させることが記載されているといえるから、甲第８号証には、 「上面が平坦で下面が凸面の銅製ベースプレート」の発明（以下、「甲８発明」という。）が記載されていると認められる （２）本件訂正特許発明１との対比 本件訂正特許発明１と甲第８号証発明とを対比する。 甲第８号証発明の「ベースプレート」、「上面が平坦で下面が凸面」は、それぞれ、本件訂正特許発明１の「板状複合体」、「当該板状複合体の凸面」に相当するから、両者は、 「板状複合体であって、該板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けて固定されるもの」である点で一致し、次の点で相違する。 相違点７：本件訂正特許発明１は、「矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し」ているのに対し、甲第８号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点８：本件訂正特許発明１は、「穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置され」ているのに対して、甲第８号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点９：本件訂正特許発明１は、「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が、｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜、５０≦Ｃｘ≦２５０、且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）」ものであるのに対し、甲第８号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点１０：本件訂正特許発明１は、「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる」ものであるのに対して、甲第８号証発明は、銅製のものである点 （３）本件訂正特許発明１についての判断 上記の相違点のうち、まず、相違点７、９について検討する。 無効理由１における相違点の検討（上記「２－２（３）」）において述べたように、甲第１～７号証、甲第１０～１２号証はいずれも、「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」を開示するものではない。 そうすると、少なくとも、上記相違点７、９に係る本件訂正特許発明１の構成の点は、上記無効理由１における相違点１、３と同様に、甲第１～８号証、甲第１０～１２号証に記載された技術的事項を考慮しても当業者が容易に想到し得たことといえない。 よって、相違点８、１０についての検討の如何に関わらず、本件訂正特許発明１は、甲第８号証発明および甲第１～７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１との対比・判断 本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１と甲第８号証発明とをそれぞれ対比すると、少なくともこれらの発明と甲第８号証発明は上記相違点７～１０で相違する。 そうすると、上記（３）で、本件訂正特許発明１について述べた理由と同様の理由により、本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１は、甲第８号証発明および甲第１～７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件訂正発明１、７～１１についての無効理由３の総括 本件訂正特許発明１、７～１１は、甲第８号証発明及び甲第１～７号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 また、甲第１０～１２号証に記載された発明をさらに考慮しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 よって、本件訂正特許発明１、７～１１に係る特許について、無効理由３は理由がない。 ３．本件訂正特許発明２～６およびそれらの発明を引用する本件訂正特許発明７～１１について （なお、本件訂正特許発明２～６およびそれらの発明を引用する本件訂正特許発明７～１１は、先の訂正後のそれらの発明と同一である。） ３－１．無効理由４について 無効理由４は、特許法第３６条第４項（実施可能要件）、特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）及び 特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）に係る無効理由であるが、このうち、特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）に係る無効理由は「穴間方向（Ｘ方向）」の不明確性についてのものであるところ、本件訂正特許発明２～６およびそれらの発明を引用する本件訂正特許発明７～１１は、「穴間方向（Ｘ方向）」を発明特定事項としないものであるから、これらの本件訂正特許発明については、そのような特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）に係る無効理由は該当しない。 そこで、特許法第３６条第４項（実施可能要件）、特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）に係る無効理由について検討する。 （１）特許法第３６条第４項（実施可能要件）及び同条第６項第１号（サポート要件）に係る理由について 請求人は、本件訂正特許発明２～６およびそれらの発明を引用する本件訂正特許発明７～１１に係る無効理由４として、概略、次の点を主張している。 ア．反り量の制御手段について （ア）請求項２～４、６およびそれらに従属する請求項における発明特定事項のうち「反り量」について、本件明細書からは、どのように制御すればよいのかが不明である。 また、特定の製造方法或いは製造条件を用いることが必須である場合には、請求項２～４、６およびそれらに従属する請求項は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものである。 イ．反り量の定義について （ア）請求項２～４、６およびそれらに従属する請求項では、「長さ１０ｃｍ」に対する反り量を規定しているが、この規定は板状炭化珪素複合体のどの部分を測定したものか不明であり、「他の放熱部材に密着よくネジ止め固定される」という課題を解決できない。 ａ．「ア．（ア）」について（反り量の制御手段） 上記「２．２－１．（２）イ．ａ．」に記載したとおり、本件明細書には、反り量を付与する方法について、 （ア）表面と裏面の金属層の平均厚みに差を付けて、熱膨張差を発生させる方法（段落【００３５】、【００３８】）、 （イ）５層構造において、複合体の炭素珪素含有量を変化させて、熱膨張差を発生させる方法（段落【００４０】、【００７１】）、 （ウ）炭化珪素複合体を加熱しながら応力を加えて塑性変形させる方法（段落【００４２】、【００７７】～【００７８】）、 が記載されており、これら記載された方法（手段）を適宜採用して、所定量の反りを付与することができることは、当業者ならば、当然に認識することであって、かかる複数の手段を適宜採用すれば所定量の反り量を得られることは、当業者には明らかである。 よって、反り量の制御手段が不明とはいえない。 ｂ．「イ．（ア）」について（反り量の定義） 本件請求項２～４、６のようにＸ方向およびＹ方向が特定されていない場合については、反り量を測定する方向は「中心点を通過する対角線の方向」であり、２本の対角線方向で測定した反り量のうち大きい数値が反り量として採用されることは当業者にとって自明なことである（例えば、答弁書の第３１頁第１３～１８行、平成２５年９月２日付け意見書の第２２頁第５～１１行、それらにおいて引用される乙第１号証等参照。）。 そして、上記「２．２－１．（２）イ．ｂ．」に記載したとおり、「長さ１０ｃｍに対する」反り量とは、その文言から明らかなように、「１０ｃｍの長さを基準にして換算した反り量」であって、矩形板状の炭化珪素質複合体が、１０ｃｍよりも大きいか又は小さいときは、測定した反り量を１０ｃｍ分の反り量に換算するものといえ、当該反り量は被測定物の中央部と端部の高さの差を測定して求めた最大の反り量によって規定すべきことは当業者にとって自明なことである（例えば、乙第１号証参照。なお、そのような測定は甲第９号証の反りの測定において請求人も行っているものと認められる。）。 そうすると、請求人の主張するような課題を解決できないようなことは起こらず、本件明細書および特許請求の範囲の記載に、請求人が主張する不備はない。 よって、特許法第３６条第４項（実施可能要件）及び同条第６項第１号（サポート要件）に係る無効理由４は、理由がない。 （２）無効理由４についての総括 以上のとおりであって、本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件訂正特許発明２～６、７～１１を実施できるように明確かつ十分にされており、訂正後の特許請求の範囲の請求項２～６、７～１１に記載された発明は、本件訂正明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであって、これらの発明の範囲にまで拡張ないし一般化して、当業者が当該発明の課題の解決を図ることができると認識できるものである。 よって、本件訂正特許発明２～６、７～１１に係る特許について、無効理由４は理由がない。 ３－２．無効理由１について 甲各号証には、「第５　２．　２－２．」に記載したとおりの事項が記載されており、甲第１号証発明は、「２．　２－２．（１）」に記載したとおりのものである。 そこで、甲第１号証発明を主引用発明とする進歩性欠如を理由とする無効理由１について検討する。 （１）本件訂正特許発明２～６について 判断 上記知的財産高等裁判所判決は、本件訂正特許発明２～６についての無効理由１に関して、 「(4) 本件訂正発明２の進歩性について ア 本件訂正発明２と甲１発明とは，少なくとも，・・・，相違点５（本件訂正発明２は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲１発明は，かかる事項を有していない点）において相違する。 イ ・・・甲１発明は，金属－セラミックス複合体のヒートシンクには，熱膨張差により放熱フィンとの間の密着性が悪くなり，放熱特性が低下するという問題があるが，かかる問題を金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより解決するものであり，金属－セラミックス複合体を放熱フィンと接合する面において凸型とすること，すなわち，凸状の反りを設けることについては，甲１には何らの記載も示唆もない。 ウ そして，・・・甲１ないし甲８は，いずれも，室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し，かつ，その反り量を所定の数値範囲内に制御することを開示するものではないから，甲１発明に甲２ないし甲８をどのように組み合わせても，甲１発明において，相違点５に係る本件訂正発明２の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 エ また，上記のとおり，甲１ないし甲８は，いずれも，「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し，かつ，その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」を開示するものではなく，本訴において新たに提出された甲２１ないし甲２３を併せ考慮しても，上記の点が，本件特許の出願当時，当業者に周知の技術常識であったとは認められない。 すなわち，甲２，甲３，甲８及び甲２１には，銅製の放熱部品について，放熱フィンとの良好な密着性を得るために，これと接合する面に反りを付与することや付与する反り量についての開示があり，これらの文献の記載に照らせば，本件特許の出願当時，銅製の放熱部品について，放熱フィンとの良好な密着性を得るために，これと接合する面にあらかじめ反りを付与すること及び付与する反り量を所定の範囲内に制御することは，当業者に周知の技術であったと認められる。 これに対し，ＡｌＳｉＣ複合体については，・・・本件特許の出願当時，(i)熱膨張係数をセラミックス基板に近づけ，かつ，高熱伝導性，軽量性を達成するという点で優れた組み合わせの材料であること，(ii)高熱伝導性を有するとともに，比重が小さく，かつ，熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，加熱された際にも反りがない，寸法安定性の優れた複合体を得るため，ＡｌＳｉＣ複合体の炭化珪素含有量を制御し得ること，(iii)放熱部品（ベースプレート）材として用いる場合，ＡｌＳｉＣ複合体は高度な剛性と，ＡｌＮセラミックに近い熱膨張率を持ち合わせ，基板と半田付けされた際に，基板との熱膨張率が異なるため，熱歪みが起こるなどの問題を解消できることが，当業者に周知の技術であったと認められるから，ＡｌＳｉＣとは異なり熱膨張係数が大きい，銅製の放熱部品に係る上記周知技術，すなわち，放熱フィンとの良好な密着性を得るために，これと接合する面にあらかじめ反りを付与すること及び付与する反り量を所定の範囲内に制御することが，当然にＡｌＳｉＣ複合体製の放熱部品にも妥当するということはできない。 したがって，甲２，甲３，甲８及び甲２１の記載を根拠に，ＡｌＳｉＣ複合体製の放熱部品について，放熱フィンとの良好な密着性を得るために，これと接合する面にあらかじめ反りを付与すること及び付与する反り量を所定の範囲内に制御することが本件特許の出願当時の当業者に周知の技術であったと認めることはできない。 そして，原告が本訴において追加提出した甲２２には，放熱板の材料としてＡｌＳｉＣ複合材を採用した例が開示されているが，甲２２に記載された発明は，放熱板をあらかじめ反らせて作製するにはそのための工程が必要であり，材料の加工性によってはあらかじめ反らせておくことが困難な場合もあることから，あらかじめ放熱板を反らした形状にせずに，冷却器側に向けて凸となる形状を得ることができる半導体装置の製造方法であって，その段落【００１８】に，「Ａｌ－ＳｉＣは，高い硬度のためにあらかじめ凸形状に機械加工することなどが困難であるが，本実施例によれば，機械加工によらず筺体外側に凸の形状を得ることができる。言い換えれば，前述の実施形態に示された方法により，放熱板の材料としてＡｌ－ＳｉＣを採用することができる。」と記載されているように，Ａｌ－ＳｉＣ複合材からなる放熱板にあらかじめ反りを付与することを開示するものではない。これに対し，原告が本訴において追加提出した甲２３には，実施例として，コールド・プレートとの緊密な熱接触を達成するためにわずかに凸形に湾曲した底面を有するように設計したＡｌＳｉＣ複合体を用いた箱型ヒートシンクが開示されているが，甲２３があるからといって，ＡｌＳｉＣ複合体製の放熱部品について，放熱フィンとの良好な密着性を得るために，これと接合する面にあらかじめ反りを付与すること及び付与する反り量を所定の範囲内に制御することが本件特許の出願当時の当業者に周知の技術であったとまで認めることはできず，他にこれを認めるに足りる証拠はない。 オ 原告は，本件特許の出願時，本件訂正発明と同様の目的で，材質を問わず，放熱部品を放熱フィン側に凸状とすること及びその凸形状を制御することは周知技術であったから，その凸形状を具体的にどの程度にするかということは単なる設計事項にすぎない旨主張する。 しかしながら，前記エのとおり，ＡｌＳｉＣ複合体製の放熱部品について，銅製の放熱部品と同様に，放熱フィンとの良好な密着性を得るためにこれと接合する面にあらかじめ反りを付与すること及び付与する反り量を所定の範囲内に制御することが，周知技術であったとは認められないから，本件訂正発明の規定する凸形状，すなわち反り量の数値範囲が当業者において適宜定める設計事項にすぎないとはいえない。 カ 以上によれば，本件訂正発明２は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲１発明及び甲２ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (5) 本件訂正発明３の進歩性について 本件訂正発明３と甲１発明とは，少なくとも，・・・相違点５（本件訂正発明３は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲１発明は，かかる事項を有していない点）において相違する。 そして，前記(4)で述べたのと同様の理由により，甲１発明に甲２ないし甲８をどのように組み合わせても，甲１発明において，相違点５に係る本件訂正発明３の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明３は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲１発明及び甲２ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (6) 本件訂正発明４の進歩性について 本件訂正発明４と甲１発明とは，少なくとも，・・・本件訂正発明４は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲１発明は，かかる事項を有していない点において相違する。 そして，前記(4)で述べたのと同様の理由により，甲１発明に甲２ないし甲８をどのように組み合わせても，甲１発明において，上記相違点に係る本件訂正発明４の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明４は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲１発明及び甲２ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (7) 本件訂正発明５の進歩性について ・・・本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲１発明とは，少なくとも相違点５において相違し，本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲１発明とは，少なくとも，前記(6)記載の相違点において相違する。 そして，前記(4)で述べたのと同様の理由により，甲１発明に甲２ないし甲８をどのように組み合わせても，甲１発明において，上記各相違点に係る本件訂正発明５の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明５は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲１発明及び甲２ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (8) 本件訂正発明６の進歩性について 本件訂正発明６と甲１発明とは，少なくとも，・・・前記(6)記載の相違点において相違する。 そして，前記(4)で述べたのと同様の理由により，甲１発明に甲２ないし甲８をどのように組み合わせても，甲１発明において，上記相違点に係る本件訂正発明６の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明６は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲１発明及び甲２ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (9) 小括 以上によれば，本件訂正発明２ないし６に関し，取消事由３に係る原告の主張は理由がない。」 （第１８２～１８７頁．なお、判決文中において、「取消事由３」は、無効理由１についての取消事由であり、「本件訂正発明」とは先の訂正後の特許請求の範囲に記載された発明を意味する。） と、本件訂正特許発明２～６について、無効理由１は理由がないという一次審決の判断を維持する旨を判示する。 そして、上記判示事項は、行政事件訴訟法第３３条第１項の規定により、本件無効審判事件において当審を拘束する。 よって、本件訂正特許発明２～６について、無効理由１は理由のないものというほかはない。 （２）本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１について 本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１は、本件訂正特許発明２～６の発明特定事項を有するから、甲第１号証発明との相違点及び相違点の検討については、上記（１）に本件訂正特許発明２～６について記載したのと同様であって、本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１についても無効理由１は理由がない。 （３）無効理由１についての総括 以上のとおりであって、本件訂正特許発明２～６、７～１１に係る特許について、無効理由１は理由がない。 ３－３．無効理由２について 甲第４号証発明は、「２．　２－３．（１）」に記載したとおりのものである。 そこで、甲第４号証発明を主引用発明とする進歩性欠如を理由とする無効理由２について検討する。 （１）本件訂正特許発明２～６について 上記知的財産高等裁判所判決は、本件訂正特許発明２～６についての無効理由２に関して、 「(3) 本件訂正発明２の進歩性について ア 本件訂正発明２と甲４発明とは，少なくとも，・・・相違点１０（本件訂正発明２は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲４発明は，かかる事項を有していない点）において相違する。 イ ・・・甲４発明の反り量は，室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の，すなわち３００℃における反り量であり，室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量の数値範囲を規定するものではなく，刊行物４には，室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量を規定することについては何ら記載がない。 ウ そして，・・・甲１ないし甲８は，いずれも，室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ反りを付与し，かつ，その反り量を所定の数値範囲内に制御することを開示するものではないから，甲４発明に甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８をどのように組み合わせても，甲４発明において，相違点１０に係る本件訂正発明２の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 エ 以上によれば，本件訂正発明２は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲４発明と甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (4) 本件訂正発明３の進歩性について 本件訂正発明３と甲４発明とは，少なくとも，・・・相違点１０（本件訂正発明３は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲４発明は，かかる事項を有していない点）において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，甲４発明に甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８をどのように組み合わせても，甲４発明において，相違点１０に係る本件訂正発明３の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明３は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲４発明と甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (5) 本件訂正発明４の進歩性について 本件訂正発明４と甲４発明とは，少なくとも，・・・本件訂正発明４は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲４発明は，かかる事項を有していない点において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，甲４発明に甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８をどのように組み合わせても，甲４発明において，上記相違点に係る本件訂正発明４の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明４は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲４発明と甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (6) 本件訂正発明５の進歩性について ・・・本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲４発明とは，少なくとも相違点１０において相違し，本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲４発明とは，少なくとも，前記(5)記載の相違点において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，甲４発明に甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８をどのように組み合わせても，甲４発明において，上記各相違点に係る本件訂正発明５の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明５は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲４発明と甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (7) 本件訂正発明６の進歩性について 本件訂正発明６と甲４発明とは，少なくとも，・・・前記(5)記載の相違点において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，甲４発明に甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８をどのように組み合わせても，甲４発明において，上記相違点に係る本件訂正発明６の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明６は，その余の相違点について検討するまでもなく，甲４発明と甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断に誤りはない。 (8) 小括 以上によれば，本件訂正発明２ないし６に関し，取消事由４に係る原告の主張は理由がない。」 （第１８７～１９０頁．なお、判決文中において、「取消事由４」は、無効理由２についての取消事由であり、「本件訂正発明」とは先の訂正後の特許請求の範囲に記載された発明を意味する。） と、本件訂正特許発明２～６について、無効理由２は理由がないという一次審決の判断を維持する旨を判示する。 そして、上記判示事項は、行政事件訴訟法第３３条第１項の規定により、本件無効審判事件において当審を拘束する。 よって、本件訂正特許発明２～６について、無効理由２は理由のないものというほかはない。 （２）本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１について 本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１は、本件訂正特許発明２～６の発明特定事項を有するから、甲第４号証発明との相違点及び相違点の検討については、上記（１）に本件訂正特許発明２～６について記載したのと同様であって、本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１についても無効理由２は理由がない。 （３）無効理由２についての総括 以上のとおりであって、本件訂正特許発明２～６、７～１１に係る特許について、無効理由２は理由がない。 ３－４．無効理由３について 甲第８号証発明は、「２．　２－４．（１）」に記載したとおりのものである。 そこで、甲第８号証発明を主引用発明とする進歩性欠如を理由とする無効理由３について検討する。 （１）本件訂正特許発明２～６について 上記知的財産高等裁判所判決は、本件訂正特許発明２～６についての無効理由３に関して、 「(3) 本件訂正発明２の進歩性について ア 本件訂正発明２と甲８発明とは，少なくとも，・・・相違点１５（本件訂正発明２は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，刊行物８に記載された発明は，かかる事項を有していない点）において相違する。 イ ・・・刊行物８は，ＡｌＳｉＣ複合体からなるベースプレートについて，これを凸状に加工することを開示するものではない。 ウ そして，・・・甲１ないし甲８は，いずれも，室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ反りを付与し，かつ，その反り量を所定の数値範囲内に制御することを開示するものではないから，刊行物８に記載された発明に甲１ないし甲７をどのように組み合わせても，刊行物８に記載された発明において，相違点１５に係る本件訂正発明２の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 エ 以上によれば，本件訂正発明２は，その余の相違点について検討するまでもなく，刊行物８に記載された発明及び甲１ないし甲７に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断は，結論において誤りはない。 (4) 本件訂正発明３の進歩性について 本件訂正発明３と刊行物８に記載された発明とは，少なくとも，・・・相違点１５（本件訂正発明３は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が３０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，刊行物８に記載された発明は，かかる事項を有していない点）において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，刊行物８に記載された発明に甲１ないし甲７をどのように組み合わせても，刊行物８に記載された発明において，相違点１５に係る本件訂正発明３の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明３は，その余の相違点について検討するまでもなく，刊行物８に記載された発明及び甲１ないし甲７に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断は，結論において誤りはない。 (5) 本件訂正発明４の進歩性について 本件訂正発明４と刊行物８に記載された発明とは，少なくとも，・・・本件訂正発明４は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，刊行物８に記載された発明は，かかる事項を有していない点において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，刊行物８に記載された発明に甲１ないし甲７をどのように組み合わせても，刊行物８に記載された発明において，上記相違点に係る本件訂正発明４の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明４は，その余の相違点について検討するまでもなく，刊行物８に記載された発明及び甲１ないし甲７に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断は，結論において誤りはない。 (6) 本件訂正発明５の進歩性について ・・・本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と刊行物８に記載された発明とは，少なくとも相違点１５において相違し，本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と刊行物８に記載された発明とは，少なくとも，前記(5)記載の相違点において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，刊行物８に記載された発明に甲１ないし甲７をどのように組み合わせても，刊行物８に記載された発明において，上記各相違点に係る本件訂正発明５の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明５は，その余の相違点について検討するまでもなく，刊行物８に記載された発明及び甲１ないし甲７に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断は，結論において誤りはない。 (7) 本件訂正発明６の進歩性について 本件訂正発明６と刊行物８に記載された発明とは，少なくとも，・・・前記(5)記載の相違点において相違する。 そして，前記(3)で述べたのと同様の理由により，刊行物８に記載された発明に甲１ないし甲７をどのように組み合わせても，刊行物８に記載された発明において，上記相違点に係る本件訂正発明６の発明特定事項を備えるようにすることが容易に想到し得たことであるとは認められない。 したがって，本件訂正発明６は，その余の相違点について検討するまでもなく，刊行物８に記載された発明及び甲１ないし甲７に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとは認められないから，この点に係る本件審決の判断は，結論において誤りはない。 (8) 小括 以上によれば，本件訂正発明２ないし６に関し，取消事由５に係る原告の主張は理由がない。」 （第１９１～１９４頁．なお、判決文中において、「取消事由５」は、無効理由３についての取消事由であり、「本件訂正発明」とは先の訂正後の特許請求の範囲に記載された発明を意味する。） と、本件訂正特許発明２～６について、無効理由３は理由がないという一次審決の判断を維持する旨を判示する。 そして、上記判示事項は、行政事件訴訟法第３３条第１項の規定により、本件無効審判事件において当審を拘束する。 よって、本件訂正特許発明２～６について、無効理由３は理由のないものというほかはない。 （２）本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１について 本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１は、本件訂正特許発明２～６の発明特定事項を有するから、甲第８号証発明との相違点及び相違点の検討については、上記（１）に本件訂正特許発明２～６について記載したのと同様であって、本件訂正特許発明２～６を引用する本件訂正特許発明７～１１についても無効理由３は理由がない。 （３）無効理由３についての総括 以上のとおりであって、本件訂正特許発明２～６、７～１１に係る特許について、無効理由３は理由がない。 ４．当審からの無効理由について 当審からの無効理由は、一次審決時の請求項１の発明特定事項を有する請求項９～１１についてのものであるが、平成２８年３月２８日付けの訂正請求がされた本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明９～１１が斯かる無効理由を有するか否かについて一応検討する。 ４－１．本件訂正特許発明１を引用する本件訂正特許発明９～１１が甲第４号証に記載された発明および周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるかについて （１）甲第４号証に記載された発明 甲第４号証には、上記「第５　２－２（４）」に記載した甲第４号証の実施例７をみると、当該実施例７のものが正方形（１２０ｍｍ×１２０ｍｍ）であるところ、反りが対角線上に生じるとすると、Ｘ方向，Ｙ方向の反り量はいずれもＣｘ＝Ｃｙ＝１００／√２＝７２μｍとなるので、 「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体であって、長さ１０ｃｍ当たりの３００℃における反り量がＣｘ＝Ｃｙ＝７２μｍである板状の炭化珪素質複合体にセラミックス基板を接合してなる接合体」の発明（以下、「甲第４号証発明の２」という。）が記載されていると認められる。 （２）本件訂正特許発明９との対比 本件訂正特許発明９と甲第４号証発明の２とを対比する。 甲第４号証発明の２と本件訂正特許発明９とは、「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体」の点で一致する。 また、甲第４号証発明の２の「板状の炭化珪素質複合体にセラミックス基板を接合してなる接合体」は、本件訂正特許発明９の「板状の炭化珪素質複合体に半導体搭載用セラミックス基板を接合してなる放熱部品」に実質的に相当する。 よって、両者は、 「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体に半導体搭載用セラミックス基板を接合してなる放熱部品」である点で一致し、次の点で相違する。 相違点１１：本件訂正特許発明９は、「矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し」ているのに対し、甲第４号証発明の２は、かかる事項を有していない点 相違点１２：本件訂正特許発明９は、「穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴部同士の距離より大きくなるように配置され」ているのに対して、甲第４号証発明の２は、かかる事項を有していない点 相違点１３：本件訂正特許発明９は、「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が、｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜、５０≦Ｃｘ≦２５０、且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）」ものであるのに対し、甲第４号証発明の２は、長さ１０ｃｍ当たりの３００℃における反り量がＣｘ＝Ｃｙ＝７２μｍであるものである点 （３）本件訂正特許発明９についての判断 上記の相違点のうち、まず、相違点１３について検討する。 甲第４号証発明の２は、Ｃｘ＝Ｃｙ＝７２μｍの反りを有することを特定事項とするものであるが、この反り量は、室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量であり、室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量の数値範囲を規定するものではなく、むしろ、甲第４号証に、一般に室温において顕著な反りがないものを用いることが記載されているように（段落【００２５】等参照。）、室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量を規定することについて開示するものではない。 そうすると、甲第４号証には、甲第４号証発明の２において「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」の動機付けはないし、また、周知技術を考慮しても、甲第４号証に「室温においては顕著な反りがないものを用いる」ことが記載されていることからみて、甲第４号証発明の２において「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」は、当業者が容易になし得たこととは認められない。 よって、相違点１１、１２についての検討の如何に関わらず、本件訂正特許発明９は、甲第４号証発明の２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件訂正特許発明１０、１１の対比・判断 本件訂正特許発明１０、１１は、本件訂正特許発明９を引用するものであって、本件訂正特許発明９の発明特定事項を有するから、これらの発明と甲第４号証発明の２とをそれぞれ対比すると、少なくとも、上記相違点１１～１３で相違する。 そうすると、上記（３）で、本件訂正特許発明９について述べた理由と同様の理由により、本件訂正特許発明９の発明特定事項を有する本件訂正特許発明１０、１１は、甲第４号証発明の２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）小括 よって、本件訂正特許発明９～１１は、甲第４号証発明の２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。 ４－２．記載不備について 当審は、第１回口頭審理において、 「反り量」について、その定義は不明であり、また、発明の詳細な説明は、この「反り量」について、当業者が当該請求項１～１１に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、また、明細書の記載は同法同条第４項に規定する要件を満たしていないから、当該発明は、特許法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものであるとの無効理由を通知した。 この無効理由に対して、被請求人は意見書を提出して、反り量の説明を行った。この説明についての判断は、上記１．に記載したとおりであり、当該無効理由は解消した。 ４－３．当審からの無効理由についての判断の総括 以上のとおり、本件訂正特許発明１を引用する本件訂正特許発明９～１１についての特許は、当審から通知した無効理由によって無効とすることはできない。 ５．平成２８年６月１０日付け弁駁書での無効理由Ａについて （１）甲第１１号証に記載された発明 上記「第５　２－２（１１）」に記載した甲第１１号証の記載をみると、段落【００１６】～【００１８】の記載等からみて、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）にアルミニウムを含浸してなるＡｌ－ＳｉＣ（アルミ－シリコンカーバイド）複合体からなる放熱板を他の放熱部品に固定するための特定の反りを有する凸面とすることが記載され、段落【０００５】の記載等からみて、あらかじめ放熱板を反らした形状にせずに、冷却器側に向けて凸となる形状を得ることができる半導体装置の製造方法が記載されている。 そうすると、甲第１１号証には、 「ＳｉＣ（シリコンカーバイド）にアルミニウムを含浸してなるＡｌ－ＳｉＣ（アルミ－シリコンカーバイド）複合体であって、当該複合体は他の放熱部品に固定するための特定の反りの凸面を有し、当該反りは、あらかじめ反らした形状にせずに得られるものである複合体」の発明（以下、「甲第１１号証発明」という。）が記載されていると認められる。 （２）本件訂正特許発明１と甲第１１号証発明との対比 本件訂正特許発明１と甲第１１号証発明とを対比する。 甲第１１号証発明の「ＳｉＣ（シリコンカーバイド）にアルミニウムを含浸してなるＡｌ－ＳｉＣ（アルミ－シリコンカーバイド）複合体」は、本件訂正特許発明１の「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体」に相当する。 甲第１１号証発明の「当該複合体は他の放熱部品に固定するための特定の反りの凸面を有」する点は、本件訂正特許発明１の「該矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けてネジ止めする」点と、「該矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けて固定する」点で一致する。 そうすると、両者は、 「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる矩形板状複合体であって、該矩形板状複合体の面内に他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けて固定する・・・炭化珪素質複合体」である点で一致し、次の点で相違する。 相違点Ａ１：他の放熱部品に当該矩形板状複合体の凸面を向けて固定することに関し、本件訂正特許発明１は、「ネジ止めするための４個以上の穴部を有し」ているのに対し、甲第１１号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点Ａ２：本件訂正特許発明１は、「穴部は、前記矩形板状複合体を構成する２組の対辺のうち、１組の対辺のそれぞれに沿って一列にそれぞれ２個以上が配置され、他方の１組の対辺のそれぞれに沿って２個ずつ配置され、前記２個ずつ配置された４個の穴部は、前記２個以上配置された穴部の両端部の４個の穴部を兼ねており、前記２個ずつ配置された穴部のそれぞれの辺に沿った穴部同士の距離が、前記２個以上の穴部が配置された穴部の隣接する穴同士の距離より大きくなるように配置され」ているのに対して、甲第１１号証発明は、かかる事項を有していない点 相違点Ａ３：本件訂正特許発明１は、「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と、それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が、｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜、５０≦Ｃｘ≦２５０、且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）」ものであるのに対し、甲第１１号証発明は、あらかじめ反らした形状にせずに得られる反りを有するものである点 （３）本件訂正特許発明１についての判断 上記の相違点のうち、まず、相違点Ａ３について検討する。 すると、上記「２－２．（３）」に記載したとおり、甲第１～８号証、甲第１０、１２号証は、いずれも、「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」を開示するものではない。 さらに、これらの甲各号証は、凸面の反りを所定の方向（Ｘ方向、Ｙ方向）の反り量（Ｃx、Ｃy）の関係で特定することを開示するものではない。 よって、少なくとも、上記相違点Ａ３に係る本件訂正特許発明１の構成の点は、甲第１～８号証、甲第１０～１２号証に記載された技術的事項を考慮しても、当業者が容易に想到し得たことといえないし、また、周知技術を考慮しても、甲第１１号証に「あらかじめ反らした形状にせず」に行うことが記載されていることからみて、甲第１１号証発明において「室温下のＡｌＳｉＣ複合体にあらかじめ凸状の反りを付与し、かつ、その反り量を所定の数値範囲内に制御すること」は、当業者が容易になし得たこととは認められない。 よって、相違点Ａ１、Ａ２についての検討の如何に関わらず、本件訂正特許発明１は、甲第１１号証発明及び甲第１～８号証、甲第１０、１２号証に記載された発明、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件訂正特許発明１を引用する本件訂正特許発明７～１１について 本件訂正特許発明１の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１と甲第１１号証発明とをそれぞれ対比すると、少なくとも、これらの発明と甲第１１号証発明とは、上記（２）に記載した相違点Ａ１～Ａ３で相違する。 そうすると、上記（３）で、本件訂正特許発明１について述べた理由と同様の理由により、本件訂正特許発明９の発明特定事項を有する本件訂正特許発明７～１１は、甲第１１号証発明及び甲第１～８号証、甲第１０、１２号証に記載された発明、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）無効理由Ａの総括 本件訂正特許発明１、７～１１は、甲第１１号証発明及び甲第１～８号証、甲第１０、１２号証に記載された発明、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。 第８　まとめ 以上のとおりであって、本件訂正特許発明１～１１についての特許は、請求人の主張する理由および当審から通知した無効理由によっては、無効とすることができない。 その他に、本件訂正特許発明１～１１についての特許を無効にすべき理由を発見しない。 また、審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人の負担すべきものとする。 よって、結論のとおり審決する。