2023-008397

特願２０２０－ １６１３４「無停電電源装置」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年 ８月３０日出願公開、特開２０２１－１２５９１６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和２年２月３日の出願であって、令和３年１月１２日に手続補正がなされ、令和４年１１月９日付けの拒絶理由の通知に対し、令和４年１２月１５日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、令和５年３月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して令和５年５月２３日に審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。 第２ 令和５年５月２３日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和５年５月２３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。） 「第１のＩＧＢＴ素子を含み、第１の交流電圧を直流電圧に変換する複数の第１の半導体モジュールと、 第２のＩＧＢＴ素子を含み、前記直流電圧を第２の交流電圧に変換する複数の第２の半導体モジュールと、 前記複数の第１および第２の半導体モジュールを冷却するためのヒートシンクとを備え、 前記ヒートシンク上に前記複数の第１および第２の半導体モジュールの第１のＩＧＢＴ素子および第２のＩＧＢＴ素子をそれぞれ交互に配置し、 前記第１および第２のＩＧＢＴ素子は所定方向に沿って一列に配置される、無停電電源装置。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、令和４年１２月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「第１のＩＧＢＴ素子を含み、第１の交流電圧を直流電圧に変換する複数の第１の半導体モジュールと、 第２のＩＧＢＴ素子を含み、前記直流電圧を第２の交流電圧に変換する複数の第２の半導体モジュールと、 前記複数の第１および第２の半導体モジュールを冷却するためのヒートシンクとを備え、 前記ヒートシンク上に前記複数の第１および第２の半導体モジュールのそれぞれを交互に配置し、 前記第１および第２のＩＧＢＴ素子は所定方向に沿って一列に配置される、無停電電源装置。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「第１および第２の半導体モジュール」の「配置」について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 引用文献１ （ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第２０１９／１８０７８４号（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で付した。） ａ 「[0011] [実施の形態１] 図１は、この発明の実施の形態１による無停電電源装置の構成を示すブロック図である。図１において、この無停電電源装置は、入力端子Ｔ１、バッテリ端子Ｔ２、出力端子Ｔ３、電流検出器ＣＤ１～ＣＤ３、コンバータ１、直流ライン２、コンデンサ３、双方向チョッパ４、インバータ５、冷却器６，７、および制御装置８を備える。」 ｂ 「[0018] コンバータ１（第１の電力変換器）は、制御装置８によって制御され、商用交流電源１１からの交流電力を直流電力に変換して直流ライン２に出力する。コンバータ１は、複数組のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）およびダイオードを含む周知のものである。コンバータ１の交流入力電流Ｉｉは、制御可能になっている。」 ｃ 「[0026] インバータ５（第３の電力変換器）は、制御装置８によって制御され、コンバータ１および双方向チョッパ４から直流ライン２を介して供給される直流電力を商用周波数の交流電力に変換して負荷１３に供給する。インバータ５は、複数組のＩＧＢＴおよびダイオードを含む周知のものである。インバータ５の交流出力電流Ｉｏは、制御可能になっている。インバータ５は、交流出力電圧Ｖｏが参照交流電圧Ｖｏｒになるように、負荷１３に交流電流Ｉｏを供給する。」 ｄ 「[0028] 冷却器６は、コンバータ１およびインバータ５に共通に設けられ、コンバータ１およびインバータ５で発生する熱を空気中に放散させ、コンバータ１およびインバータ５の温度が過度に上昇して破損されることを防止する。冷却器７は、双方向チョッパ４で発生する熱を空気中に放散させ、双方向チョッパ４の温度が過度に上昇して破損されることを防止する。」 ｅ 「[0029] 図２（Ａ），（Ｂ）は、冷却器６の構成を示す図である。特に、図２（Ａ）は冷却器６の平面図であり、図２（Ｂ）は冷却器６の正面図である。図２（Ａ），（Ｂ）において、冷却器６は、平板部６ａと、多数の放熱フィン６ｂとを含む。冷却器６は、熱伝導率の高い金属（たとえばアルミニウム）で形成されている。」 ｆ 「[0030] 平板部６ａの表面には、コンバータ１およびインバータ５が形成された基板１５が搭載されている。多数の放熱フィン６ｂは、平板部６ａの裏面に形成されている。冷却器６および基板１５は、一体のユニットを構成している。多数の放熱フィン６ｂには、ファン（図示せず）から風が送られる。」 ｇ 「[0055] 次に、図１～図６に示した無停電電源装置の動作について説明する。商用交流電源１１の健全時においてインバータ５の出力電力Ｐｏが上限値ＰｏＨよりも小さい通常時には、商用交流電源１１からの交流電力がコンバータ１によって直流電力に変換され、双方向チョッパ４を介してバッテリ１２に蓄えられるとともに、インバータ５によって交流電力に変換されて負荷１３に供給される。」 ｈ 「[0058] このとき、上限値ＰｏＨとインバータ５の出力電力Ｐｏとの差の電力ΔＰｏ＝ＰｏＨ－Ｐｏだけコンバータ１の入力電力Ｐｉが減少されるとともに、その差の電力ΔＰｏだけ双方向チョッパ４の入力電力Ｐｂが増大される。したがって、過負荷時には、コンバータ１の入力電力Ｐｉとインバータ５の出力電力Ｐｏとの和の電力（Ｐｉ＋Ｐｏ）は上限値ＰｏＨの２倍の電力２×ＰｏＨに維持される。このため冷却器６（図１、図２）の冷却能力（すなわちサイズ）を小さく抑制することができる。」 ｉ 「[0067]」 以上のように、この実施の形態１では、インバータ５の出力電力Ｐｏが上限値ＰｏＨを超えた場合には、インバータ５の出力電力Ｐｏの上限値ＰｏＨとインバータ５の出力電力Ｐｏとの差の電力ΔＰｏ＝ＰｏＨ－Ｐｏだけコンバータ１の入力電力Ｐｉを減少させるとともに、その差の電力ΔＰｏの２倍の電力２×ΔＰｏだけ双方向チョッパ４の入力電力Ｐｂを増大させる。したがって、コンバータ１の入力電力Ｐｂを上限値ＰｏＨ以下に制限することができる。また、過負荷時であっても、コンバータ１の入力電力Ｐｉとインバータ５の出力電力Ｐｏとの和の電力（Ｐｉ＋Ｐｏ）を２×ＰｏＨ以下に維持できるので、冷却器６の小型化を図ることができる。」 （イ）引用文献１の記載について検討する。 ａ 上記（ア）ａの「無停電電源装置は、・・・コンバータ１、・・・インバータ５、冷却器６・・・を備える」との記載から、引用文献１には、「コンバータ１とインバータ５と冷却器６とを備える無停電電源装置」が記載されていると認められる。 ｂ 上記（ア）ｂの「コンバータ１・・・は、商用交流電源１１からの交流電力を直流電力に変換し・・・コンバータ１は、複数組のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）およびダイオードを含む周知のものである」との記載から、引用文献１には、「複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のものである、商用交流電源１１からの交流電力を直流電力に変換するコンバータ１」が記載されていると認められる。 ｃ 上記（ア）ｃの「インバータ５・・・は、・・・コンバータ１・・・から・・・供給される直流電力を商用周波数の交流電力に変換し・・・インバータ５は、複数組のＩＧＢＴおよびダイオードを含む周知のものである」との記載及び上記（ア）ｇの「商用交流電源１１からの交流電力がコンバータ１によって直流電力に変換され、・・・インバータ５によって交流電力に変換され」との記載から、引用文献１には、「複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のものである、コンバータ１から供給される直流電力を商用周波数の交流電力に変換するインバータ５」が記載されていると認められる。 ｄ 上記（ア）ｄの「冷却器６・・・コンバータ１およびインバータ５で発生する熱を空気中に放散させ」との記載から、引用文献１には、「コンバータ１及びインバータ５で発生する熱を空気中に放散させる冷却器６」が記載されていると認められる。 ｅ 上記（ア）ｅの「冷却器６は、平板部６ａ・・・を含む」との記載、及び同ｆの「平板部６ａの表面には、コンバータ１およびインバータ５が形成された基板１５が搭載され」との記載から、引用文献１には、「冷却器６の平板部６ａの表面には、コンバータ１及びインバータ５が形成された基板１５が搭載される」ことが記載されていると認められる。 （ウ）上記（イ）の検討から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のものである、商用交流電源１１からの交流電力を直流電力に変換するコンバータ１と、 複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のものである、前記コンバータ１から供給される直流電力を商用周波数の交流電力に変換するインバータ５と、 前記コンバータ１及び前記インバータ５で発生する熱を空気中に放散させる冷却器６とを備え、 前記冷却器６の平板部６ａの表面には、前記コンバータ１及び前記インバータ５が形成された基板１５が搭載される、無停電電源装置。」 イ 引用文献２ （ア）同じく原査定に引用され、本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１８－１９５９９号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で付した。） ａ 「【０００６】 コンバータ２は、図１０に示すように、コンバータ回路のＵ相およびＶ相回路を構成する半導体素子群２１Ｕおよび２１Ｖを、それぞれ冷却フィン付冷却体２２Ｕおよび２２Ｖ上に電気的に絶縁して、熱伝導的に搭載し、コンバータのＵ相ユニット２ＵおよびＶ相ユニット２Ｖを構成する。そして、このコンバータの各相ユニットの冷却体２２Ｕと２２Ｖを互いに接合して熱的に一体に構成し、コンバータ２を構成する変換器ユニットが構成される。 ・・・ 【００２０】 その一方で、コンバータ２およびインバータ３のそれぞれにおいては、各ユニットの冷却体が互いに接合して熱的に一体化されているため、ユニット２Ｕの半導体素子２１Ｕの発熱により冷却体２２Ｕの温度が上昇している時には、他のユニット２Ｖの半導体素子も同じ発熱量であるため、隣接する冷却体２２Ｖの温度も上昇しているため、冷却体２２Ｕと２２Ｖの接合部付近の温度上昇が高くなるという問題がある。 【００２１】 インバータ３においても同様に、各ユニットの半導体素子３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗの発熱量は同じであるので、中間の冷却体３２Ｖの温度が上昇しているときは、両隣の冷却体３２Ｕ、３２Ｗの温度も上昇しており、中間の冷却体３２Ｖに対して、両隣の冷却体３２Ｕ、３２Ｗからの熱伝導されるため、この中間の冷却体３２Ｖの温度が他の冷却体より温度が高くなるという問題がある。」 ｂ 「【００２３】 この発明は、コンバータおよびインバータの冷却体の全体の温度分布が均一になるようにして、全半導体素子の温度上昇がほぼ均等となる電力変換装置を提供することを課題とする。」 ｃ 「【００２９】 図１は、この発明の鉄道車両用電力変換装置の主回路を示す回路構成図であり、図９～図１２に示す従来例と同一要素は、同一符号で示し、説明を省略する。」 ｄ 「【００３０】 図１のこの発明の実施例１においては、コンバータ２の相回路を構成するスイッチング半導体素子、ダイオード等の半導体素子群２１Ｕ、２１Ｖ、およびインバータ３の相回路を構成するスイッチング半導体素子、ダイオード等の半導体素子群３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗのすべてを共通に設けた1つの冷却体５上に、電気的に絶縁して、熱伝導可能に搭載している。これにより、コンバータ２およびインバータ３を構成する半導体素子をこの冷却体５により共通に冷却することができる。」 ｅ 「【００３６】 しかし、この発明においては、冷却体５がコンバータ２とインバータ３に共通に設けられ熱的に一体的に構成されているので、冷却体５の温度上昇の高い半部の熱は、温度上昇の低い半部へ伝達されて冷却されるようになるため、冷却体５の全体の温度分布をほぼ均等にすることができる。したがって、コンバータ２およびインバータ３を構成する半導体素子群の全体を平均的に均等に冷却することができるようになるので、冷却体５の冷却効果が高まり、これを小形にすることができる。」 ｆ 「【００４０】 この変形例は、インバータ３の各相回路の半導体素子群３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗおよびコンバータ２の各相回路の半導体素子群２１Ｕ、２１Ｖが、図３（ａ）、（ｂ）に示すように交互に並ぶようにコンバータと、インバータの各相回路を混合配置して、共通の冷却体５上に搭載したものである。」 ｇ 「【００４１】 このように、コンバータとインバータの各相の半導体素子群を混合配置することにより、コンバータ２の各相回路の半導体素子群とインバータ３の半導体素子群が冷却体５の全体に比較的均等に分布するようになるので、コンバータ２とインバータ３の発熱特性が相違していても冷却体５の全体における温度分布がより均等化されることにより、冷却体５の冷却効果をさらに高めることができる。」 ｈ 「【図１】 「 ［図：0001406603000001.jpg］ 」 ｉ 「【図３】 ［図：0001406603000002.jpg］ 」 （イ）引用文献２の記載について検討する。 ａ 上記（ア）ａの段落０００６の「半導体素子群２１Ｕおよび２１Ｖ」との記載及び段落００２０の「半導体素子２１Ｕ」との記載並びに段落００２１の「半導体素子３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗの発熱量は同じ」との記載から、上記（ア）ｄ及び上記（ア）ｆの「半導体素子群２１Ｕ、２１Ｖ」及び「半導体素子群３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗ」との記載における「２１Ｕ」、「２１Ｖ」、「３１Ｕ」、「３１Ｖ」、「３１Ｗ」は、それぞれ「半導体素子」であると認められる。 ｂ 上記（ア）ｈの図１のＩＧＢＴを表す回路記号及び上記（ア）ｄの「図１のこの発明の実施例１においては、コンバータ２の相回路を構成するスイッチング半導体素子、ダイオード等の半導体素子群２１Ｕ、２１Ｖ、およびインバータ３の相回路を構成するスイッチング半導体素子、ダイオード等の半導体素子群３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗ・・・」との記載並びに上記ａの検討から、半導体素子２１Ｕ及び半導体素子２１Ｖが、それぞれ、８組のＩＧＢＴ及びダイオードを含み、半導体素子３１Ｕ、半導体素子３１Ｖ、半導体素子３１Ｗが、それぞれ、４組のＩＧＢＴ及びダイオードを含むことが読み取れる。そうすると、引用文献２には、複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子が記載されていると認められる。 ｃ 上記ａの検討を踏まえると、上記（ア）ｉの図３（ａ）の記載から、“コンバータ２の各相回路の半導体素子及びインバータ３の各相回路の半導体素子は、所定方向に沿って一列に配置される”ことが読み取れる。 ｄ 上記ａ、ｂの検討を踏まえると、上記（ア）ｄの「コンバータ２の相回路を構成するスイッチング半導体素子、ダイオード等の半導体素子群２１Ｕ、２１Ｖ」、「インバータ３の相回路を構成するスイッチング半導体素子、ダイオード等の半導体素子群３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗ」、「コンバータ２およびインバータ３を構成する半導体素子をこの冷却体５により共通に冷却する」との記載から、引用文献２には、「それぞれ複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子により構成される、複数のコンバータ２の相回路」、「それぞれ複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子により構成される、複数のインバータ３の相回路」、及び「コンバータ２の各相回路を構成する半導体素子及びインバータ３の各相回路を構成する半導体素子を冷却するための冷却体５」が記載されていると認められる。 ｅ 上記（ア）ｃの段落００２９の「図１は、・・・鉄道車両用電力変換装置の主回路を示す回路構成図であり」との記載と同ｄの段落００３０の「図１のこの発明の実施例１においては、コンバータ２の相回路を構成する・・・半導体素子群２１Ｕ、２１Ｖ、およびインバータ３の相回路を構成する・・・半導体素子群３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗのすべてを共通に設けた1つの冷却体５上に、電気的に絶縁して、熱伝導可能に搭載している」との記載から、引用文献２には、「コンバータ２の各相回路」と、「インバータ３の各相回路」と、「冷却体５とを備え」た「電力変換装置」が記載されていると認められる。 ｆ 上記（ア）ｆの「インバータ３の各相回路の半導体素子群３１Ｕ、３１Ｖ、３１Ｗおよびコンバータ２の各相回路の半導体素子群２１Ｕ、２１Ｖが、図３（ａ）、（ｂ）に示すように交互に並ぶようにコンバータと、インバータの各相回路を混合配置して、共通の冷却体５上に搭載した」との記載、及び同ｉの図３の記載から、引用文献２には、「冷却体５上にコンバータ２の各相回路の半導体素子及びインバータ３の各相回路の半導体素子を交互に並ぶように混合配置」することが記載されていると認められる。 ｇ 上記（ア）ｅの「コンバータ２およびインバータ３を構成する半導体素子群の全体を平均的に均等に冷却することができるようになるので、冷却体５の冷却効果が高まり、これを小形にすることができる」との記載、上記（ア）ｇの「コンバータとインバータの各相の半導体素子群を混合配置することにより、コンバータ２の各相回路の半導体素子群とインバータ３の半導体素子群が冷却体５の全体に比較的均等に分布するようになるので・・・冷却体５の全体における温度分布がより均等化されることにより、冷却体５の冷却効果をさらに高めることができる」との記載、及び上記ｃ、ｆの検討からすると、引用文献２には、「冷却体５上にコンバータ２の各相回路の半導体素子及びインバータ３の各相回路の半導体素子を交互に並ぶように混合配置し、前記コンバータ２の各相回路の半導体素子及び前記インバータ３の各相回路の半導体素子を、所定方向に沿って一列に配置することで、冷却体５の温度分布を均等化し、冷却体５の冷却効果を高めて、冷却体５を小型化することができる」ことが記載されていると認められる。 （ウ）上記（イ）の検討から、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「それぞれ複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子により構成される、複数のコンバータ２の相回路と、それぞれ複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子により構成される、複数のインバータ３の相回路と、前記コンバータ２の各相回路を構成する半導体素子及び前記インバータ３の各相回路を構成する半導体素子を冷却するための冷却体５とを備え、前記冷却体５上に前記コンバータ２の各相回路の前記半導体素子及び前記インバータ３の各相回路の前記半導体素子を交互に並ぶように混合配置し、前記コンバータ２の各相回路の半導体素子及び前記インバータ３の各相回路の半導体素子を、所定方向に沿って一列に配置することで、冷却体５の温度分布を均等化し、冷却体５の冷却効果を高めて、冷却体５を小型化することができる、電力変換装置。」 ウ 周知文献Ａ （ア）同じく原査定に引用され、本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３－８５４７７号公報（以下「周知文献Ａ」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で付した。） ａ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体チップで構成する電力用半導体素子及びこれを利用したインバータ装置に関する。」 ｂ 「【０００９】 そこで、本発明の実施形態による目的は、電力用半導体素子の冷却効率を向上させ、通電容量の向上及び小型化に対応し、製造性に優れた電力用半導体素子及びインバータ装置を提供することにある。」 ｃ 「【００１４】 図１５を参照して、各実施形態に係るインバータ装置の回路について説明する。 【００１５】 各実施形態の電力用半導体素子は、図１５に示すように、回路１０と等価の回路の一部及び全部を基本に構成している。 【００１６】 回路１０は、ＩＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor)１９１，１９２と、ダイオード２０１，２０２とからなる。 【００１７】 回路１０は、直流電源１から供給される直流電力の正極及び負極をそれぞれ正極端子３９及び負極端子４０に印加し、コンデンサ４を利用して、ＩＧＢＴ１９１，１９２のそれぞれのゲートを制御することにより、交流電力に変換して、出力部２に出力する。 【００１８】 コンデンサ４は、例えば電源平滑用コンデンサであるアルミ電解コンデンサなどである。 【００１９】 直流電力を三相交流電力に変換する場合は、３つの本電力用半導体素子を使用し、図１５に示す構成とすることにより実現できる。 【００２０】 直流電力を単相交流電力に変換する場合は、２つの本電力用半導体素子を使用し、図１５に示す構成のうち１つの回路１０を削除した構成とすることにより実現できる。 【００２１】 （第１の実施形態） 図１～３を参照して、本実施形態に係る電力用半導体素子及びインバータ装置について説明する。図１５と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、ここでは異なる部分について主に述べる。なお、以下の実施形態も同様にして重複した説明を省略する。 【００２２】 本インバータ装置は、直流電力をＷ相、Ｖ相、Ｕ相からなる三相交流に変換するインバータ装置（以下、「三相インバータ装置」という）である。 【００２３】 本インバータ装置は、図１に示すように、放熱板２２と、放熱板２２の上に実装される３つの各相に対応する電力用半導体素子と、放熱板２２と３つの電力用半導体素子をそれぞれ接着するＷ相絶縁樹脂シート３６、Ｖ相絶縁樹脂シート４２及びＵ相絶縁樹脂シート４３とからなる。 【００２４】 各相の電力用半導体素子は、それぞれに対応した各相の絶縁樹脂シート３６，４２，４３を用いて、放熱板２２に接着している。各相の絶縁樹脂シート３６，４２，４３は、一定の距離を離して、放熱板２２に接着されている。」 ｄ 「【図１】 ［図：0001406603000003.jpg］ 」 ｅ 「【図１５】 ［図：0001406603000004.jpg］ 」 （イ）上記（ア）の記載から、周知文献Ａには、次の事項（以下、「周知文献Ａ記載事項」という。）が記載されていると認められる。 「直流電力をＷ相、Ｖ相、Ｕ相からなる三相交流に変換するインバータ装置において、各相に対応し、それぞれが、ＩＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor)１９１，１９２と、ダイオード２０１，２０２とから構成される３つの電力用半導体素子を放熱板２２の上に一定の距離を離して配置すること。」 エ 周知文献Ｂ （ア）当審で新たに引用する、本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３－４８１５１号公報（以下「周知文献Ｂ」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で付した。） ａ 「【技術分野】 【０００１】 本発明の実施形態は、車両用半導体冷却装置に関する。」 ｂ 「【００１０】 以下、図面を参照して実施形態を詳細に説明する。 一般に、受熱面にインバータとコンバータを実装した車両用半導体冷却装置では、図１１に示すように、車両速度に対するコンバータ損失１４は、低速領域では損失が低く、高速領域では損失が高い。 【００１１】 一方、車両速度に対するインバータ損失１５は、低速領域では損失が高く、高速領域では損失が低い。またコンバータ損失１４とインバータ損失１５とを比較すると、全体として、コンバータ損失１４の方が高い。すなわち、車両速度に対してはコンバータ損失１４とインバータ損失１５とは特性が全く異なるものである。損失はほぼ発熱量と考えることができる。 【００１２】 そこで、このような車速と損失との関係を考慮し、以下、第１～第３実施形態を説明する。 （第１実施形態） （構成の説明） 図１は第１実施形態の車両用半導体冷却装置の構成を示す図、図２はそのＡ－Ａ断面図である。 【００１３】 図１、図２に示すように、第１実施形態の車両用半導体冷却装置８は、半導体素子６、６ａ群、受熱ブロック９、放熱器または放熱部材としてのヒートシンク１１などを有している。 【００１４】 半導体素子６、６ａは、機能毎に１つのアーム５を構成している。機能とはインバータまたはコンバータの機能である。コンバータの機能は、交流電圧を直流電圧へ変換する機能である。インバータの機能は、直流電圧を交流電圧へ変換する機能である。 この例では、半導体素子６は、インバータ素子またはコンバータ素子であり、半導体素子６ａは、半導体素子６に比べて少し小型なクランプダイオードである（図７参照）。 【００１５】 受熱ブロック９の半導体素子取付面１０には、１つのアーム５を構成する半導体素子６、６ａの列２２，２３が交互にほぼ平行に５列配置され、実装されている。 【００１６】 半導体素子６、６ａの列２２は、インバータの機能を構成する列である。半導体素子６、６ａの列２３は、コンバータの機能を構成する列である。 【００１７】 すなわち、半導体素子取付面１０には、複数の半導体素子６，６ａで列を構成し、発熱量が互いに異なる半導体素子の列２２，２３どうしを交互に配置した列２２，２３が設けられている。 【００１８】 単相交流を一旦直流に変換しそれから３相交流に変換する電力変換では、コンバータの機能を構成する列２３は１相分で２列必要であり、インバータの機能を構成する列２２は、３相交流のＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各相の分だけ３列必要であり、列は最低５列必要になる。 【００１９】 受熱ブロック９の半導体素子取付面１０の半導体素子６、６ａは、ケース８ａで覆われている。 【００２０】 受熱ブロック９の半導体素子取付面１０の反対側の面には、ヒートシンク１１が配設されている。ヒートシンク１１には、放熱部材である複数の板状のフィン（放熱板）が列設されている。それぞれのフィンの長手方向端部は、送風方向１８に対して風が抜ける方向にそれぞれ平行している。送風方向１８は車両が進行する方向と同じであり、車両進行方向といえる。言い換えると、放熱部材は、その長手方向が車両進行方向一致し、放熱部材間の間隙が車両進行方向に沿って、設けられていることになる。 【００２１】 すなわち、ヒートシンク１１は、空冷用の間隙が設けられ、この間隙に風（気流）が通過する方向と車両進行方向とを一致させるように導体素子取付面１０の反対側の面に配設されている。なお、半導体素子取付面１０を第１の面、半導体素子取付面１０の反対側の面を第２の面という。送風方向１８は、この装置が車両に取り付けられた場合でいうと、車両進行方向と矢印の向きが逆の方向である。 【００２２】 この車両用半導体冷却装置８は、ヒートシンク１１の部分を外部に露出するように車両の床下１７に取り付けられており、受熱ブロック９に列をなすように配置された半導体素子６、６ａで生じた発熱をその裏側のヒートシンク１１から外部へ放熱するものである。 【００２３】 換言すると、この車両用半導体冷却装置８は、複数の半導体素子６、６ａで１つのアーム５を構成し、複数のアーム５を半導体素子取付面１０に配置する上で、発熱量が互いに異なる複数個の半導体素子６、６ａの列２２，２３を交互（一列おき）に配置して半導体素子取付面１０に設けている。 【００２４】 （作用の説明） この第１実施形態の作用を説明する。 この第１実施形態では、発熱源でありかつ発熱量が互いに異なる複数個の１アームを構成している半導体素子６，６ａの列、つまりインバータの１相を構成する半導体素子６，６ａの列２２と、コンバータの１相を構成する半導体素子６，６ａの列２３とを一つの受熱ブロック９の半導体素子取付面１０に交互に配置したことにより、半導体素子取付面１０への入熱が分散される。 【００２５】 このことから、図３に示すように、インバータの機能を構成する半導体素子の列２２とコンバータの機能を構成する半導体素子の列２３とを機能毎にまとめて配置した場合の比較例の温度上昇曲線２０とこの第１実施形態の温度上昇曲線２４とを比較すると、この第１実施形態の温度上昇曲線２４の方が冷却装置としての温度上昇の最大値と最小値間の温度差が小さくなり、受熱面全体の温度の均熱化が図られていることが分かる。 【００２６】 この結果、受熱ブロック９の反対側の面に列設したヒートシンクのフィンによる冷却効率が上がり、比較例よりも冷却装置の最大温度上昇値が低下した状態２５を常に継続（維持）できるようになり、冷却性能を向上することができる。 【００２７】 （効果の説明） このようにこの第１実施形態によれば、一つの受熱ブロック９の半導体素子取付面１０に、発熱量が互いに異なる複数個の半導体素子６，６ａの相毎の列２２，２３を交互に配置することにより、ヒートスポットを生じることなく本来のヒートシンク１１のフィンの冷却効率を維持しながら、受熱ブロック９の半導体素子取付面１０における均熱化を図り、冷却性能を向上することができる。」 ｃ 「【図１】 ［図：0001406603000005.jpg］ 」 ｄ 「【図２】 ［図：0001406603000006.jpg］ 」 ｅ 「【図７】 ［図：0001406603000007.jpg］ 」 （イ） 上記ｂの段落００１４の「この例では、半導体素子６は、インバータ素子またはコンバータ素子であり、半導体素子６ａは、半導体素子６に比べて少し小型なクランプダイオードである（図７参照）」との記載及び上記ｅの図７のＩＧＢＴを表す回路記号から、半導体素子６は、１組のＩＧＢＴ及びダイオードを含むことが読み取れる。 （ウ）上記（イ）の検討を踏まえると、上記（ア）の記載から、周知文献Ｂには、次の事項（以下、「周知文献Ｂ記載事項」という。）が記載されていると認められる。 「ヒートシンク１１上の受熱ブロック９の受熱面にインバータとコンバータを実装した車両用半導体冷却装置において、インバータまたはコンバータの機能毎に、１組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子６と半導体素子６ａ（クランプダイオード）とからインバータの１相を構成する半導体素子６，６ａの列２２と、コンバータの１相を構成する半導体素子６，６ａの列２３とを構成し、受熱ブロック９の半導体素子取付面１０に、半導体素子６、６ａの列２２（インバータの機能を構成する列）と、半導体素子６、６ａの列２３（コンバータの機能を構成する列）を交互に配置すること。」 （３）引用発明１との対比 ア 本件補正発明と引用発明１とを対比する。 （ア）ａ 引用発明１の「交流電力」の電圧は交流電圧であり、引用発明１の「直流電力」の電圧は直流電圧であるところ、引用発明１の「商用交流電源１１からの交流電力を直流電力に変換する」ことは、交流電力の交流電圧を直流電力の直流電圧に変換することにほかならない。 そして、引用発明１の「商用交流電源１１からの交流電力」の“交流電圧”は、本件補正発明の「第１の交流電圧」に相当するから、引用発明１の「商用交流電源１１からの交流電力を直流電力に変換する」ことは、本件補正発明の「第１の交流電圧を直流電圧に変換する」ことに相当する。 ｂ 上記ａの検討を踏まえると、引用発明１の「複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のものである、商用交流電源１１からの交流電力を直流電力に変換するコンバータ１」と本件補正発明の「第１のＩＧＢＴ素子を含み、第１の交流電圧を直流電圧に変換する複数の第１の半導体モジュール」とは、“第１の交流電圧を直流電圧に変換する交直変換手段”である点で共通する。 （イ）ａ 引用発明１の「前記コンバータ１から供給される直流電力」は、本件補正発明の「複数の第１の半導体モジュール」（コンバータＣＮＶ）によって変換された「前記直流電圧」に対応するものであるから、上記（ア）ａの検討を踏まえると、引用発明１の「前記コンバータ１から供給される直流電力を商用周波数の交流電力に変換する」ことは、本件補正発明の「前記直流電圧を第２の交流電圧に変換する」ことに相当する。 ｂ 上記ａの検討を踏まえると、引用発明１の「複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のものである、前記コンバータ１から供給される直流電力を商用周波数の交流電力に変換するインバータ５」と本件補正発明の「第２のＩＧＢＴ素子を含み、前記直流電圧を第２の交流電圧に変換する複数の第２の半導体モジュール」とは、“前記直流電圧を第２の交流電圧に変換する直交変換手段”である点で共通する。 （ウ）コンバータ１及びインバータ５で発生する熱を空気中に放散させることはすなわちコンバータ１及びインバータ５を“冷却する”ことであるから、引用発明１の「前記コンバータ１及び前記インバータ５で発生する熱を空気中に放散させる冷却器６」と本件発明の「前記複数の第１および第２の半導体モジュールを冷却するためのヒートシンク」とは、上記（ア）、（イ）の検討も踏まえると、“前記交直変換手段及び前記直交変換手段を冷却するためのヒートシンク”である点で共通する。 （エ）引用発明１の「前記冷却器６の平板部６ａの表面」は、「冷却器６」上であるといえ、上記（ウ）の検討から、引用発明１の「冷却器６」は本件補正発明の「ヒートシンク」に相当するから、引用発明１は、“前記ヒートシンク上に前記交直変換手段及び前記直交変換手段を配置”する点で、本件補正発明と共通する。 （オ）上記（ア）～（エ）の検討を踏まえれば、引用発明１の「無停電電源装置」は、本件補正発明の「無停電電源装置」に対応する。 イ 以上のことから、本件補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ［一致点］ 第１の交流電圧を直流電圧に変換する交直変換手段と、 前記直流電圧を第２の交流電圧に変換する直交変換手段と、 前記交直変換手段及び前記直交変換手段を冷却するためのヒートシンクとを備え、 前記ヒートシンク上に前記交直変換手段及び前記直交変換手段を配置する、無停電電源装置。 ［相違点１］ 交直変換手段に関し、本件補正発明は、「第１のＩＧＢＴ素子」を含む「複数の第１の半導体モジュール」であるのに対して、引用発明１は、そのようなものであるとは特定されていない点。 ［相違点２］ 直交変換手段に関し、本件補正発明は、「第２のＩＧＢＴ素子」を含む「複数の第２の半導体モジュール」であるのに対して、引用発明１は、そのようなものであるとは特定されていない点。 ［相違点３］ ヒートシンクに関し、本件補正発明は、「前記複数の第１および第２の半導体モジュールを冷却するためのヒートシンク」であるのに対して、引用発明１は、そのようなものであるとは特定されていない点。 ［相違点４］ 前記交直変換手段及び前記直交変換手段のヒートシンク上の配置に関し、本件補正発明は、「前記ヒートシンク上に前記複数の第１および第２の半導体モジュールの第１のＩＧＢＴ素子および第２のＩＧＢＴ素子をそれぞれ交互に配置し、前記第１および第２のＩＧＢＴ素子は所定方向に沿って一列に配置される」のに対して、引用発明１は、そのようなものではない点。 （４）判断 事案に鑑み、上記相違点１～４についてまとめて検討する。 ア 周知文献Ａ記載事項における「電力用半導体素子」は、Ｗ相、Ｖ相、Ｕ相の各相に対応して「放熱板２２」の上に配置されるものであり、周知文献Ｂ記載事項における「半導体素子６」は組合せによりインバータの１相又はコンバータの１相を構成するものであって「ヒートシンク１１」上に配置されるものであり、引用発明２の「半導体素子」は相回路を構成するものであって「冷却体５」上に配置されるものである。このように、ヒートシンク（周知文献Ａに記載された「放熱板２２」、周知文献Ｂに記載された「ヒートシンク１１」、引用発明２の「冷却体５」）上に配置され、それ単独あるいは複数の組合せにより１相に対応する回路が構成される、１組以上のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子（周知文献Ａに記載された「電力用半導体素子」、周知文献Ｂに記載された「半導体素子６」、引用発明２の「半導体素子」）は周知技術である。 イ ここで、本件補正発明の「ＩＧＢＴ素子」は、「交互に配置」するものであり、また、「一列に配置される」ものであるから、本願明細書の段落００３３の「電力変換ユニット２００は、複数の半導体素子（ＩＧＢＴ）ＱＣ１～ＱＣ３，ＱＩＵ１，ＱＩＵ２，ＱＩＶ１，ＱＩＶ２・・・を含む。各半導体素子（ＩＧＢＴ）の構成は同様である」との記載、同じく段落００４３の「複数の半導体素子（ＩＧＢＴ）が所定方向に沿って一列に配列されている」との記載、同じく段落００４７の「コンバータＣＮＶとインバータＩＮＶを構成する半導体素子（ＩＧＢＴ）を交互に配置する」との記載、同じく段落００８１の「コンバータＣＮＶとインバータＩＮＶを構成する半導体素子（ＩＧＢＴ）を交互に配置する」との記載、及び図２の記載を参酌すると、例えば、図２に記載されている“２組のＩＧＢＴ及びダイオードを含むＱＣ１、ＱＣ２、・・・ＱＩＶ２等の半導体素子（ＩＧＢＴ）”のことであると認められる。ただし、本願明細書には「ＩＧＢＴ素子」の定義は記載されていない。そして、上記アのとおり、１組以上のＩＧＢＴ及びダイオードを含む半導体素子が周知技術であることを勘案すれば、本件補正発明の「ＩＧＢＴ素子」をＩＧＢＴ及びダイオードを２組含むものに限定して解釈すべき理由はない。 更に、本願明細書の段落００１０の「好ましくは、各第２の半導体モジュールは、複数のＩＧＢＴ素子を含む」との記載、同じく段落００４４の「図４（Ａ）に示されるようにヒートシンク１００上には、コンバータＣＮＶおよびインバータＩＮＶを構成する複数の半導体素子（ＩＧＢＴ）が配置される」との記載、同じく段落００４８の「具体的には、３相のＲ，Ｓ，Ｔ入力端子とそれぞれ接続されるコンバータＣＮＶを構成する半導体素子（ＩＧＢＴ）の間にＵ、Ｖの出力端子とそれぞれ接続されるインバータＩＮＶを構成する半導体素子（ＩＧＢＴ）を配置する」との記載及び図４（Ａ）に示されるＩＮＶ（Ｕ）とＩＮＶ（Ｖ）がそれぞれ二つの半導体素子（ＩＧＢＴ）を含むこと並びに同じく段落００１０の「好ましくは、複数の第１および第２の半導体モジュールのそれぞれは、１つずつＩＧＢＴ素子を含む」との記載、同じく段落００８０の「図９（Ａ）に示されるようにヒートシンク１００Ａ上には、コンバータＣＮＶおよびインバータＩＮＶを構成する複数の半導体素子（ＩＧＢＴ）が配置される」との記載、同じく段落００８２の「具体的には、３相のＲ，Ｓ，Ｔ入力端子とそれぞれ接続されるコンバータＣＮＶを構成する半導体素子（ＩＧＢＴ）の間にＵ、Ｖ、Ｗの出力端子とそれぞれ接続されるインバータＩＮＶを構成する半導体素子（ＩＧＢＴ）を配置する」との記載及び図９（Ａ）に示されるＣＮＶ（Ｒ）、ＩＮＶ（Ｕ）、ＣＯＮＶ（Ｓ）、ＩＮＶ（Ｖ）、ＣＮＶ（Ｔ）、ＩＮＶ（Ｗ）のそれぞれが一つずつ半導体素子（ＩＧＢＴ）を含むことから、本件補正発明の「ＩＧＢＴ素子」は、それ単独あるいは複数の組合せによりＲ，Ｓ，Ｔ入力端子又はＵ、Ｖ（、Ｗ）の出力端子に対応する回路（以下「相回路」という。）を構成するものであって、ヒートシンク上に配置されるものを含意する用語である。 そして、複数の半導体素子等を組み合わせて一つのパッケージにパッケージングしたものを「モジュール」と呼称することが一般的ではあるものの、図４（Ａ）のＩＮＶ（Ｕ）（ＩＮＶ（Ｖ））は一つのパッケージにパッケージングされたものではないことから、本件補正発明の「半導体モジュール」は、相回路を含意する用語であるものの、パッケージングまでは含意しない。 ウ 上記ア、イの検討を踏まえると、周知文献Ａに記載された「電力用半導体素子」、周知文献Ｂに記載された「半導体素子６」、引用発明２の「半導体素子」などの、１組以上のＩＧＢＴ及びダイオードを含み、それ単独あるいは複数の組合せにより相回路を構成する半導体素子は、本件補正発明の「ＩＧＢＴ素子」に相当する。また、上記相回路は、本件補正発明の「半導体モジュール」に相当する。 エ コンバータやインバータ等の電源回路を、前記周知技術の半導体素子（上記ウのとおり本件補正発明の「ＩＧＢＴ素子」に相当する。）を用いて構成することは、一般的に行われていることであるから、引用発明１の複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のものであるコンバータ１及びインバータ５の構成として、そのような半導体素子（ＩＧＢＴ素子）を用いた一般的な構成を採用してよいことは当業者にとって明らかである。 オ そして、引用発明２は、コンバータの相回路（半導体モジュール）を構成する半導体素子（ＩＧＢＴ素子）とインバータの相回路（半導体モジュール）を構成する半導体素子（ＩＧＢＴ素子）を冷却体５上に並べて配置する際に、それらを交互に、かつ所定方向に沿って一列に配置することで、冷却体５の温度分布を均等化し、冷却体５の冷却効果を高めて、冷却体５を小型化することができるというものである一方、引用発明１も、コンバータとインバータを冷却器６上に並べて配置するものであって、冷却器６の小型化を図る（[0067]）という、引用発明２と同様の課題を有するものである。 また、引用発明１は、コンバータ１とインバータ５の発熱特性が過負荷時とそれ以外とで相違するものである（[0058]）。また、引用発明１は、コンバータ１及びインバータ５の温度が過度に上昇して破損されることを防止するものである（[0028]）が、コンバータやインバータは、その動作環境が高温であるほど寿命が短くなることは技術常識である。更に、熱源の偏りにより局部的に温度が上昇すると、冷却効率が悪化することは技術常識である。このような、破損や寿命、冷却効率に影響する局部的な温度上昇は広く知られている一般的な課題であるが、引用発明１のコンバータ１及びインバータ５の発熱特性の相違が、そのような局部的な温度上昇をもたらし得ることは当業者にとって明らかである。よって、引用発明１が、コンバータとインバータの発熱特性の相違という課題を有することは当業者にとって明らかである。一方、引用発明２は、コンバータ２とインバータ３の発熱特性が相違していても冷却体５の全体における温度分布がより均等化されることにより、冷却体５の冷却効果を高めるものである（段落００４１）から、引用発明１及び引用発明２は、コンバータとインバータで発熱特性が相違するという共通の課題を有する。 そうすると、上記エの検討を踏まえれば、引用発明１においてコンバータ１及びインバータ５を前記周知技術の半導体素子（ＩＧＢＴ素子）により構成することとし、その際に、発熱特性が相違するコンバータとインバータの冷却効果を高め、コンバータとインバータを冷却するための冷却器６を小型化するために、引用発明２を適用し、引用発明１の「複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のコンバータ」を「複数の第１の相回路（複数の第１の半導体モジュール）」で構成するとともに、「複数組のＩＧＢＴ及びダイオードを含む周知のインバータ」を「複数の第２の相回路（複数の第２の半導体モジュール）」で構成し、冷却器６を、前記複数の第１および第２の相回路（半導体モジュール）を冷却するためのヒートシンクとし、前記ヒートシンク上に前記複数の第１および第２の相回路（半導体モジュール）の第１の半導体素子（ＩＧＢＴ素子）および第２の半導体素子（ＩＧＢＴ素子）をそれぞれ交互に、かつ所定方向に沿って一列に配置するように構成することは、当業者が容易に想到し得たことである。 カ そして、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明１、引用発明２及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 キ したがって、本件補正発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 審判請求人の主張について 審判請求人は、審判請求書で、 「また、引用文献２には、図３にそれぞれの交流相を単位とするモジュールを交互に混合配置する構成が示されておりますが、請求項１に係る発明が求める複数の第１および第２の半導体モジュールの第１のＩＧＢＴ素子および第２のＩＧＢＴ素子をそれぞれ交互に所定方向に沿って一列に配置する構成については開示も示唆もされておりません。」 と主張している。 しかしながら、上記２（４）ウの検討を踏まえれば、上記２（２）イ（ウ）のとおり、引用文献２には、コンバータ２の各相回路（「第１」「の半導体モジュール」）の半導体素子（「第１のＩＧＢＴ素子」）及びインバータ３の各相回路（「第２の半導体モジュール」）の半導体素子（「第２のＩＧＢＴ素子」）を交互に並ぶように所定方向に沿って一列に配置する構成が記載されている。 したがって、審判請求人の上記主張を採用することはできない。 ４ 本件補正についてのむすび よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和５年５月２３日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和４年１２月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１－２に係る発明は、本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１、２に記載された発明及び引用文献３、４に記載された周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１：国際公開第２０１９／１８０７８４号 引用文献２：特開２０１８－１９５９９号公報 引用文献３：特開平０９－２４７９６０号公報 引用文献４：特開２０１３－８５４７７号公報 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１、２、４及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「第１のＩＧＢＴ素子および第２のＩＧＢＴ素子をそれぞれ」交互に配置するという「配置」に係る限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。