2022-008342

第２ 本願発明

本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和５年４月２８日に提出された手続補正書（以下、当該手続補正書による補正を「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。

「【請求項１】

表示基板であって、

ベース基板と、

前記ベース基板上の絶縁層と、

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前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを含む電極層と

を含み、

前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有し、

前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有し、

前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有し、

前記絶縁層は、前記ベース基板から離れる方向に延長されると狭くなり、両側にそれぞれ２つの平滑な面が形成される突起部を有し、前記突起部は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有し、

前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有し、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の前記第１の側面は、中間構造で前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の前記第４の側面に接続され、

前記表示基板は、複数の発光ダイオードを含む発光ダイオード表示基板であり、

前記複数の電極ブロックは、前記複数の発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードであり、

前記絶縁層は、平坦化層であり、

前記表示基板は、前記平坦化層の前記ベース基板から遠い側におけるピクセル限定層と、前記ピクセル限定層の前記平坦化層から遠い側におけるスペーサー層とを更に含み、

前記ピクセル限定層と、前記スペーサー層とが、前記電極ブロック間領域内にあり、前記突起部に重なって設けられ、

前記第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、又は、約２．０μｍ乃至約２．５μｍだけ大きく、

前記第１の高さＬ１は、第３の高さＬ３より約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、又は、約２．０μｍ乃至約２．５μｍだけ大きく、

前記第１の高さＬ１と前記第２の高さＬ２との差が、前記第１の高さＬ１と前記第３の高さＬ３との差よりも小さい、

ことを特徴とする表示基板。」

第３ 当審拒絶理由の概要

当審拒絶理由のうち、本件補正前の請求項１の記載に対する理由１（明確性）の(３)と、本件補正前の請求項１に係る発明に対する理由３（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。

１ 理由１（明確性）

（明確性）この出願は、本件補正前の請求項１の記載が下記の点で、特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。

請求項１には、「前記絶縁層は、平坦化層であり」と記載されている。

ここで、「平坦」という語句は、通常は「平らなこと」を意味するものであるところ、請求項１において「絶縁層」は「第１の高さ」や「突起部」を有するとも記載されており、これら不整合な記載により、請求項１に係る発明の構成が特定されていると認められない。

２ 理由３（進歩性の欠如）

（進歩性の欠如）本件補正前の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に日本国内又は外国において発行された、下記の引用文献に記載された発明に基づいて、本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

＜引用文献等一覧＞

引用文献１．米国特許出願公開第２０１７／０１４１１６９号明細書（周知技術を示す文献）

引用文献６．特開２００５－３２６７９９号公報（主たる引用例）

引用文献７．特開２００８－７８０３８号公報（周知技術を示す文献）

第４ 当審の判断１（３６条６項２号）

１ 本件補正後の請求項１の記載について

(１) 本件補正後の請求項１には、「ベース基板上の絶縁層」について、「前記絶縁層は、平坦化層であり、」という記載がある。

ここで、「平坦」という語句について、広辞苑第七版（岩波書店、２０１８年）を参照すると、「土地の平らかなこと。また、そのようなさま。「－な道」「－地」「人生は－ではない」」と記載されており、「平坦化」とは、平らでないものを平らにするという意味であると認められる。

よって、「平坦化」という語句の意味を踏まえると、前記請求項１の「ベース基板上の絶縁層」が「平坦化層であり、」との記載は、「絶縁層」が、平らでないベース基板上に設けられて、「絶縁層」上に平らな面を形成するものであることを意味すると解釈される。（例えば、下記引用文献７の【００１７】には、そのような意味で「平坦化層」が用いられている。）

(２) 一方、前記請求項１には、「前記絶縁層は、前記ベース基板から離れる方向に延長されると狭くなり、両側にそれぞれ２つの平滑な面が形成される突起部を有し」と記載されており、突起部を有する絶縁層が平らでないことは明らかであるから、当該記載は、前記(１)における「前記絶縁層は、平坦化層であり」との記載と整合していない。

(３) したがって、本願発明における「絶縁層」の構成を特定することができない。

２ 請求人の主張について

３ 小括

したがって、令和５年４月２８日付け意見書及び手続補正書の内容を考慮しても、依然として、本願発明は明確でない。

第５ 当審の判断２（２９条２項）

１ 引用文献に記載された発明の認定等

(１) 引用文献６に記載された事項、引用発明の認定

ア 引用文献６に記載された事項

当審拒絶理由で引用された前記引用文献６には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したもので、以下同様である。

(ア) 段落【０００１】

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、薄膜を用いて構成される電気光学装置とこの電気光学装置に使用される電気光学装置用基板、および半導体装置に関するものである。また、これらの製造方法及び電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。」

(イ) 段落【０１１３】～【０１２５】、【図１６】～【図１９】

「【０１１３】

〔実施例３－１〕

＜電気光学装置＞

図１７は、本実施形態の有機ＥＬ装置１に備えられた各画素領域Ａの平面構造を示す図である。図の（ａ）は図１６の画素領域Ａのうち、主にＴＦＴ等の画素駆動部分を示す図であり、図の（ｂ）は画素間を区画する隔壁（仕切部材）等を示す図である。また図１８は、図１７（ａ）のＸ－Ｘ線に沿う断面構成を示しており、図１９は、同Ｙ－Ｙ線に沿う断面構成を示している。

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【０１１４】

図１７（ａ）において、画素領域Ａは、平面視略矩形状の画素電極１４１と、その四辺を取り囲んで配置された信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１、及び、図示しない他の画素電極用の走査線から構成される。図１８に示す画素領域Ａの断面構造をみると、基板（基体）１０上に駆動用ＴＦＴ１４３が設けられており、さらに、駆動用ＴＦＴ１４３等を覆って形成された絶縁膜２４０上には、有機ＥＬ素子２００が形成されている。有機ＥＬ素子２００は、基板１０上に立設された隔壁（第２隔壁層；仕切部材）１５０に囲まれる領域内に設けられた有機機能層１４０を主体としてなり、この有機機能層１４０を画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟持した構成を備えている。

【０１１５】

図１７（ｂ）に示す平面構造では、隔壁１５０は、画素電極１４１の形成領域に対応した平面視略矩形状の区画領域１５１を有しており、この区画領域１５１の内側に先の有機機能層１４０が形成されるようになっている。また、区画領域１５１の内周に沿って無機隔壁１４９（後述する第１隔壁層）の一部が延出されており、無機隔壁１４９の開口部内では有機機能層１４０と画素電極１４１とが接触するようになっている。

【０１１６】

図１８において、駆動用ＴＦＴ１４３は、半導体膜２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体膜表面に形成されたゲート絶縁膜２２０、およびゲート電極１４３Ａとから構成されている。また、この上には、半導体膜２１０及びゲート絶縁膜２２０を覆う第１層間絶縁膜２３０が形成されており、この第１層間絶縁膜２３０及びゲート絶縁膜２２０には、これらを貫通して半導体膜２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４がある。ドレイン電極２３６、ソース電極２３８の両者はこのコンタクトホールを介し、各々上記ドレイン領域１４３ｂ、ソース領域１４３ａに接続されている。

【０１１７】

上記第１層間絶縁膜２３０上には、さらに第２層間絶縁膜２４０が形成されており、この第２層間絶縁膜２４０のうち、信号線１３２やドレイン電極２３６等を覆う部分が、図１８、１９のように上方へ突出し、凸状部２４０ａを形成する。この凸状部２４０ａは、画素電極１４１を平面的に取り囲む走査線１３１や信号線１３２等に対応して有機機能層１４０を取り囲む平面視略矩形枠状を成している。

なお、基板１０と有機ＥＬ素子２００との間に形成された下地絶縁膜２１０から第２層間絶縁膜２４０までが、本発明に係る有機ＥＬ装置の回路層を構成している。

【０１１８】

画素電極１４１は、周囲を取り囲む凸状部２４０ａに乗り上げるようにして形成される。また、第２層間絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホール２４０ｂに画素電極１１の一部が埋設され、コンタクトホール２４０ｂを介して画素電極１４１とドレイン電極２３６とが接続され、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１とが電気的に接続されている。

【０１１９】

本発明に係る隔壁（第１隔壁層）１４９は、凸状部２４０ａに一部乗り上げて形成された画素電極１４１の一部を覆い、かつ凸状部２４０ａに被さるように形成されている。このようにすることによって、隔壁１４９は、凸状部２４０ａ側方の斜面形状に倣う斜面部１４９ａを画素電極１４１上に有するようになる。さらに、無機材料からなる隔壁１４９上には、有機材料からなる隔壁（第２隔壁層）１５０が積層され、無機隔壁１４９とともに有機ＥＬ装置における仕切部材を形成する。この隔壁１５０の画素電極１４１側の側壁面に囲まれる領域が区画領域１５１となる。また、隔壁１５０の内壁面は、図１８に示すように無機隔壁の斜面部１４９ａより外側へ後退した位置に形成されている。

【０１２０】

ここで、隔壁１４９及び隔壁１５０は、画素電極１４１を隔離する機能のみならず液相法を用いて有機機能層１４０を形成するに際して、それぞれ親液領域、撥液領域を形成する機能を有し、下層側に配された無機隔壁１４９は親液性であり、隔壁１５０は撥液性であることが好ましい。これにより、隣接画素への液の混合等に起因する不具合の発生を低減できる。

このような液体材料に対する親和性の差異を発現させるには、上記の如く無機隔壁１４９と隔壁１５０の材質を互いに異ならせ、これらの隔壁１４９，１５０に対してプラズマ処理等の表面改質処理を施す方法を例示できる。またプラズマ処理によらず、隔壁１５０を形成する有機材料にフッ化物を混入して隔壁１５０自体に撥液性を付与した構成も適用できる。

【０１２１】

上記有機ＥＬ素子２００は、隔壁１５０に囲まれる区画領域１５１内の画素電極１４１上に、液相法を用いて形成された正孔注入層（電荷輸送層）１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを積層し、さらに発光層１４０Ｂと隔壁１５０とを覆う共通電極１５４を形成することにより構成されている。本実施形態の場合、正孔注入層１４０Ａは、無機隔壁１４９に囲まれた領域内の画素電極１４１上と無機隔壁１４９の縁端部上に跨って形成されており、その側面部は無機隔壁１４９の斜面部１４９ａと当接している。発光層１４０Ｂは、正孔注入層１４０Ａ上に形成されるとともに、無機隔壁１４９の斜面部１４９ａとその側面部にて当接している。

【０１２２】

基板１０としては、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、基板側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板が用いられる。トップエミッション型の場合には不透明基板を用いることもできる。

画素電極１４１は、基板１０を介して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料により形成される。トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。本実施形態に係る正孔注入層１４０Ａは液相法により形成されるため、画素電極１４１の表面は親液性であることが好ましく、正孔注入層１４０Ａの形成材料としては水系のインクを用いることが多いため、親水性であることがより好ましい。

【０１２３】

共通電極１５４は、発光層１４０Ｂと隔壁１５０の上面、さらには隔壁１５０の側面部を形成する壁面を覆った状態で基板１０上に形成される。この共通電極１５４を形成するための材料としては、ボトムエミッション型の場合、ＡｌやＡｇ等の光反射性の金属材料が好適に用いられ、トップエミッション型の場合には透明導電材料が用いられる。透明導電材料としてはＩＴＯが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。

【０１２４】

共通電極１５４の上層側には、陰極保護層を形成してもよい。係る陰極保護層を設けることで、製造プロセス時に共通電極１５４が腐食されるのを防止する効果が得られ、無機化合物、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物等のシリコン化合物により形成できる。共通電極５０を無機化合物からなる陰極保護層で覆うことにより、無機酸化物からなる共通電極１５４への酸素等の侵入を良好に防止することができる。なお、陰極保護層は、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成される。

【０１２５】

上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置では、有機機能層１４０を取り囲む無機バンク１４９が区画領域１５１内に延出され、かつその延出部分が区画領域内にて斜面部１４９ａを構成していることで、液相法を用いた有機機能層１４０の形成時に正孔注入層１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを平坦化することができ、均一な膜厚及び膜質を備えた有機機能層を形成できるものとなっている。また本実施形態の有機ＥＬ装置では、無機隔壁１４９の延出部分が斜面形状を成しているので、画素領域の開口率を低下させることなく無機隔壁１４９の区画領域１５１内への露出面積を増大させることができる利点がある。」

「【図１６】

［図：0001404155000001.jpg］

」

「【図１７】

［図：0001404155000002.jpg］

」

「【図１８】

［図：0001404155000003.jpg］

」

「【図１９】

［図：0001404155000004.jpg］

」

(ウ) 段落【０１２６】～【０１２９】、【図２３】

「【０１２６】

＜電気光学装置の製造方法＞

次に、液滴吐出装置（ＩＪ）を用いた有機ＥＬ装置（電気光学装置）１の製造方法について、図２３及び図２４を参照しながら説明する。なお、図２３、図２４には、説明を簡略化するために単一の画素領域Ａ（図１９に示した断面構成に相当する図）のみが示されている。本発明に係る有機ＥＬ装置では、有機ＥＬ素子の光を基板側から取り出す構成（ボトムエミッション）、及び基板と反対側から取り出す構成（トップエミッション）のいずれも採用できるが、本実施形態ではボトムエミッション型の有機ＥＬ装置として説明する。

【０１２７】

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まず、図２３（ａ）に示すように、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１４３（図示略）を形成するとともに、第１層間絶縁膜２３０上に、走査線１３１、信号線１３２を形成する。基板１０は、ボトムエミッション型の本実施形態の有機ＥＬ装置では、ガラスや石英等の透光性基板である。

次に、図２３（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜２３０、及び各配線の上面を覆うように第２層間絶縁膜２４０を形成する。このとき、走査線１３１及び信号線１３２上の領域の第２層間絶縁膜２４０は部分的に基板１０の図示上方へ突出されて凸状部２４０ａを形成する。すなわち、第２層間絶縁膜２４０は、第１層間絶縁膜２３０上の走査線１３１等による凹凸を平坦化しない程度の膜厚にて形成する。

【０１２８】

次に、図２３（ｃ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１をパターン形成する。このとき、画素電極１４１は、その周端部を凸状部２４０ａに乗り上げるように配置される。また図示は省略しているが、画素電極１４１は基板１０上に既設のＴＦＴ１４３と電気的に接続される（図１８参照）。これにより、先の図１７（ａ）に示したような信号線、共通給電線、及び走査線に囲まれた位置に、ドレイン電極２３６を介して駆動用ＴＦＴ１４３のドレイン領域１４３ｂと導電接続された画素電極１４１が形成される。本実施形態の場合、有機ＥＬ装置はボトムエミッション型であるため、画素電極１４１はＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成する。

【０１２９】

次に、図２３（ｄ）に示すように、画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように、酸化シリコン等の無機絶縁材料からなる無機バンク（第１隔壁層）１４９を形成する。

このとき無機バンク１４９は凸状部２４０ａに被さるように形成する。これにより、凸状部２４０ａの断面形状に倣う斜面部１４９ａを有する無機バンク１４９を形成することができる。具体的には、画素電極１４１及び第２層間絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１上の所定領域（図に符号１４１ａで示す領域）の酸化シリコン膜を選択除去し、画素電極１４１の表面を部分的に露出させる。」

「【図２３】

［図：0001404155000005.jpg］

」

イ 引用発明の認定

(ア) 引用文献６の段落【０１１９】、【図１８】及び【図１９】から、半導体膜２１０、駆動用ＴＦＴ１４３、ゲート絶縁膜２２０、第１層間絶縁膜２３０、凸状部２４０ａを形成する第２層間絶縁膜２４０、有機機能層１４０、隔壁（第１隔壁層）１４９及び隔壁（第２隔壁層；仕切部材）１５０が設けられた基板１０が読み取れる。

(イ) 引用文献６の【図１８】及び【図１９】から、画素電極１４１は、絶縁膜２４０に対して基板１０とは反対側に形成された電極層であることが読み取れる。

(ウ)ａ 引用文献６の【図１７】(ｂ)、【図１８】及び【図１９】から、画素電極１４１の形成領域と、隣接する画素電極１４１の形成領域の間の画素電極１４１が形成されない領域があることが読み取れる。

ｂ また、引用文献６の【図１８】及び【図１９】から、第２層間絶縁膜２４０において、凸状部２４０ａの形成領域と、隣接する凸状部２４０ａの形成領域の間の凸状部２４０ａが形成されない領域があることが読み取れる。

ｃ そして、引用文献６の段落【０１１８】の「画素電極１４１は、周囲を取り囲む凸状部２４０ａに乗り上げるようにして形成される。」との記載と、【図１８】及び【図１９】から、画素電極１４１は、凸状部２４０ａの形成領域と凸状部２４０ａが形成されない領域の両方において形成されていることが読み取れる。

ｄ 引用文献６の【図１８】及び【図１９】から、凸状部２４０ａの基板１０側とは反対側の面の高さが、凸状部２４０ａが形成されない領域に形成された画素電極１４１の基板１０側の面の高さより大きいことが読み取れる。

(エ) 引用文献６の段落【０１１３】には、「図１７は、本実施形態の有機ＥＬ装置１に備えられた各画素領域Ａの平面構造を示す図である。」という記載と、「図１８は、図１７（ａ）のＸ－Ｘ線に沿う断面構成を示しており、図１９は、同Ｙ－Ｙ線に沿う断面構成を示している。」という記載がある。

そして、図１７に示された各画素領域Ａはマトリックス状に配置されているところ、図１８及び図１９の断面構成は、一つの画素におけるものであるが、隣接する画素においても同様の構成であることは明らかであるから、隣接する二つの画素でみた場合、第２層間絶縁膜２４０の凸状部２４０ａは、（前記断面において）台形状に形成されていることが読み取れる。

また、【図１８】及び【図１９】から、その台形状の凸状部２４０ａの両側の斜面が平滑な面であることが読み取れる。

(オ) 前記アの記載事項及び前記(ア)～(エ)の認定事項を総合すると、引用文献６には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。

＜引用発明＞

「半導体膜２１０、駆動用ＴＦＴ１４３、ゲート絶縁膜２２０、第１層間絶縁膜２３０、凸状部２４０ａを形成する第２層間絶縁膜２４０、有機機能層１４０、隔壁（第１隔壁層）１４９及び隔壁（第２隔壁層；仕切部材）１５０が設けられた基板１０であって、（前記(ア)の認定事項）

基板１０上に駆動用ＴＦＴ１４３が設けられており、さらに、駆動用ＴＦＴ１４３等を覆って形成された絶縁膜２４０上には、有機ＥＬ素子２００が形成され、有機ＥＬ素子２００は、基板１０上に立設された第２隔壁層１５０に囲まれる領域内に設けられた有機機能層１４０を主体としてなり、この有機機能層１４０を画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟持した構成を備え、（【０１１４】）

前記有機ＥＬ素子２００は、前記画素電極１４１上に、正孔注入層（電荷輸送層）１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを積層し、さらに発光層１４０Ｂと隔壁１５０とを覆う共通電極１５４を形成することにより構成され、（【０１２１】）

画素電極１４１は、絶縁膜２４０に対して基板１０とは反対側に形成された電極層であり、（前記(イ)の認定事項）

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画素電極１４１の形成領域と、隣接する画素電極１４１の形成領域の間に画素電極１４１が形成されない領域があり、（前記(ウ)ａの認定事項）

隔壁１５０は、画素電極１４１の形成領域に対応した平面視略矩形状の区画領域１５１を有しており、この区画領域１５１の内側に先の有機機能層１４０が形成されるようになっており、区画領域１５１の内周に沿って無機隔壁１４９（第１隔壁層）の一部が延出されており、無機隔壁１４９の開口部内では有機機能層１４０と画素電極１４１とが接触するようになっており、（【０１１５】）

駆動用ＴＦＴ１４３は、半導体膜２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体膜表面に形成されたゲート絶縁膜２２０、およびゲート電極１４３Ａとから構成され、この上には、半導体膜２１０及びゲート絶縁膜２２０を覆う第１層間絶縁膜２３０が形成されており、この第１層間絶縁膜２３０及びゲート絶縁膜２２０には、これらを貫通して半導体膜２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４があり、（【０１１６】）

第１層間絶縁膜２３０上には、さらに第２層間絶縁膜２４０が形成されており、この第２層間絶縁膜２４０のうち、信号線１３２やドレイン電極２３６等を覆う部分が上方へ突出し、凸状部２４０ａを形成し、この凸状部２４０ａは、画素電極１４１を平面的に取り囲む走査線１３１や信号線１３２等に対応して有機機能層１４０を取り囲む平面視略矩形枠状を成しており、（【０１１７】）

前記第２層間絶縁膜２４０の凸状部２４０ａは、その両側の斜面が平滑な面である台形状に形成されており、（前記(エ)の認定事項）

前記第２層間絶縁膜２４０において、凸状部２４０ａの形成領域と、隣接する凸状部２４０ａの形成領域の間の凸状部２４０ａが形成されない領域があり、（前記(ウ)ｂの認定事項）

画素電極１４１は、周囲を取り囲む凸状部２４０ａに乗り上げるようにして形成され、凸状部２４０ａの形成領域と凸状部２４０ａが形成されない領域の両方において形成されており、凸状部２４０ａの基板１０側とは反対側の面の高さが、凸状部２４０ａが形成されない領域に形成された画素電極１４１の基板１０側の面の高さより大きいものとされており（【０１１８】、前記(ウ)ｃ及びｄの認定事項）

前記第２層間絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホール２４０ｂに画素電極１１の一部が埋設され、コンタクトホール２４０ｂを介して画素電極１４１とドレイン電極２３６とが接続され、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１とが電気的に接続され、（【０１１８】）

隔壁（第１隔壁層）１４９は、凸状部２４０ａに一部乗り上げて形成された画素電極１４１の一部を覆い、かつ凸状部２４０ａに被さるように形成され、このようにすることによって、隔壁１４９は、凸状部２４０ａ側方の斜面形状に倣う斜面部１４９ａを画素電極１４１上に有するようになり、無機材料からなる隔壁１４９上には、有機材料からなる隔壁（第２隔壁層）１５０が積層され、無機隔壁１４９とともに有機ＥＬ装置における仕切部材を形成し、この隔壁１５０の画素電極１４１側の側壁面に囲まれる領域が区画領域１５１となる、（【０１１９】）

基板１０。」

(２) 引用文献１に記載された事項、周知技術Ａの認定

ア 引用文献１に記載された事項

当審拒絶理由で引用された前記引用文献１には、以下の事項が記載されている。括弧書きで続けて記載した翻訳文は当合議体によるものである。

「[0031] Referring to FIGS. 2 and 3, the organic light-emitting display apparatus 1 includes a thin film transistor TFT disposed on a display area of a substrate 10, a via insulating layer 17 covering the thin film transistor TFT, a pixel electrode 210 disposed on the via insulating layer 17 and electrically connected to the thin film transistor TFT, and a pixel defining layer 19 partially covering the pixel electrode 210. The via insulating layer 17 may be referred to as a first insulating layer 17.

… （中略） …。

[0036] The via insulating layer 17 covering the thin film transistor TFT may be disposed over the thin film transistor TFT. The via insulating layer 17 may provide a planarized upper surface to a subsequent process. The via insulating layer 17 may have a single-layered structure or a multi-layered structure including an organic material. However, the present invention is not limited thereto. For example, the via insulating layer 17 may have a composite stack structure including an inorganic insulating layer and an organic insulating layer.

[0037] The via insulating layer 17 includes a via hole VIA, a flat portion 17a having a first thickness t1, and a barrier wall 17b protruding from the flat portion 17a to a second thickness t2. The shape of the barrier wall 17b of the via insulating layer 17 may be similar to that of the pixel electrode 210, in a plan view. A thickness of the barrier wall 17b of the via insulating layer 17 is greater than that of the pixel defining layer 19. In an exemplary embodiment, the thickness of the barrier wall 17b may be sufficient to prevent damage to the pixel electrode 210 due to a mask during a deposition process using a fine metal mask (FMM) for forming an organic emission layer in each of the pixels emitting light of different colors, and thus, the reliability of the deposition process may be increased. For example, the second thickness t2 of the barrier wall 17b may be about 3μm to about 4μm.」

（[0031] 図２及び図３を参照すると、有機発光表示装置１は、基板１０の表示領域上に配置された薄膜トランジスタＴＦＴと、薄膜トランジスタＴＦＴを覆うビア絶縁層１７と、ビア絶縁層１７上に配置され、薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続された画素電極２１０と、画素電極２１０を部分的に覆う画素定義層１９を含む。ビア絶縁層１７は、第１絶縁層１７と称してもよい。

… （中略） …。

[0036] 薄膜トランジスタＴＦＴ上には、薄膜トランジスタＴＦＴを覆うビア絶縁層１７が配置される。ビア絶縁層１７は、平坦化された上面を後続工程に提供することができる。ビア絶縁層１７は、有機物を含む単層構造又は多層構造を有することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ビア絶縁層１７は、無機絶縁層及び有機絶縁層を含む複合積層構造を有することができる。

[0037] ビア絶縁層１７は、ビアホールＶＩＡと、第１の厚さｔ１を有する平坦部１７ａと、平坦部１７ａから第２の厚さｔ２まで突出する隔壁１７ｂを含む。平面視において、ビア絶縁層１７の隔壁１７ｂの形状は、画素電極２１０の形状と相似であってもよい。ビア絶縁膜１７の隔壁１７ｂの厚さは画素定義膜１９の厚さより厚い。隔壁１７ｂの厚さは、互いに異なる色を発光する画素ごとに有機発光層を形成するためのファインメタルマスク(FMM:Fine Metal Mask)を用いた蒸着工程時に、マスクによる画素電極２１０の損傷を防止するのに十分な厚さであり、蒸着工程の信頼性を向上させることができる。例えば、隔壁１７ｂの第２の厚さｔ２は約３μm～約４μmであり得る。）

「FIG.3

［図：0001404155000006.jpg］

」

イ 周知技術Ａの認定

引用文献１の前記アの摘記箇所の記載に例示されるように、次の事項は周知技術であると認める（以下「周知技術Ａ」という。）。

＜周知技術Ａ＞

「有機発光表示装置において、薄膜トランジスタＴＦＴと画素電極を接続する絶縁層のビアホールを、絶縁層の隔壁部でなく平坦部に設けること。」

(３) 引用文献７に記載された事項、周知技術Ｂの認定

ア 引用文献７に記載された事項

当審拒絶理由で引用された前記引用文献７には、以下の事項が記載されている。

「【００１６】

まず本発明の有機ＥＬディスプレイパネルに付き説明する。

図３は、本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの第１の形態である。図３（ａ）は画素部の平面図であり、図３（ｂ）はＡＢ断面図である。図３に示す構造は、補助電極を各サブピクセルの間に配置し、サブピクセル長辺方向に配線したものであり、配線抵抗低減を重視したものである。

【００１７】

透明基板上には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とそれを包み込んで全体を平坦化する平坦化樹脂２０が設けられている。平坦化樹脂２０は、必要に応じて、無機のパッシベーション膜で覆われていてもよい。平坦化樹脂２０又はパッシベーション膜の上に反射電極２２の密着性を良くする反射電極下地層２１を介して、反射電極２２が形成されている。透明基板、ＴＦＴ、平坦化樹脂、としては通常、有機ディスプレイパネルの透明基板、ＴＦＴ、平坦化樹脂に用いられるものはいずれも用いることができる。各画素へのＴＦＴからの配線は、平坦化樹脂に設けられたコンタクトホールを介して設置される。無機パッシベーション膜も有機ディスプレイパネルに用いられるものはいずれも用いることができ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮなどの単層もしくは積層体を例示できる。」

「【図３】

［図：0001404155000007.jpg］

」

イ 周知技術Ｂの認定

引用文献７の前記アの摘記箇所の記載に例示されるように、次の事項は周知技術であると認める（以下「周知技術Ｂ」という。）。

＜周知技術Ｂ＞

「有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、平坦化樹脂の上に画素電極の密着性を良くする下地層を介して、画素電極を形成すること。」

２ 対比

(１) 対比分析

本願発明と引用発明を対比する。

ア(ア) 引用発明の「基板１０」は、本願発明の「ベース基板」に相当する。

(イ) 引用発明において、「基板１０上に駆動用ＴＦＴ１４３が設けられており」、「駆動用ＴＦＴ１４３は、半導体膜２１０に形成され」、「半導体膜２１０」「を覆う第１層間絶縁膜２３０が形成されており」、「第１層間絶縁膜２３０上には、さらに第２層間絶縁膜２４０が形成されて［いる］」から、引用発明の「第１層間絶縁膜２３０」及び「第２層間絶縁膜２４０」は、基板１０の上面側に形成されており、本願発明の「前記ベース基板上の絶縁層」に相当する。

(ウ) 引用発明の「画素電極１４１」は、絶縁膜２４０に対して基板１０とは反対側に形成された電極層であり、また表示基板において画素が複数あることは明らかであるから、本願発明の「前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを含む電極層」に相当する。

(エ) よって、(ア)～(ウ)をまとめると、本願発明と引用発明は、「ベース基板と、前記ベース基板上の絶縁層と、前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを含む電極層とを含［む］」点において一致する。

イ(ア) 前記ア(ウ)で示したとおり、引用発明の「画素電極１４１」は、複数の画素毎に形成されているから、本願発明の「複数の電極ブロック」に相当する。

(イ) 引用発明の「画素電極１４１の形成領域」、「隣接する画素電極１４１の形成領域の間の画素電極１４１が形成されない領域」は、前記(ア)を踏まえると、それぞれ本願発明の「複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域」、「電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域」に相当する。

(ウ) よって、本願発明と引用発明は、「表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有［する］」点において一致する。

ウ(ア) 引用発明の「第１層間絶縁膜２３０」及び「凸状部２４０ａを形成する第２層間絶縁膜２４０」は、前記ア(イ)において説示したとおり、基板１０上に設けられているところ、これらの絶縁膜を一体としてみた場合、所定の厚さを有しているから、基板１０側とは反対側の面と、基板１０側の面の両面を有していることは明らかである。

(イ) そして、引用発明の「絶縁膜２３０」及び「絶縁膜２４０」の基板１０側とは反対側の面、及び、「絶縁膜２３０」及び「絶縁膜２４０」の基板１０側の面は、それぞれ本願発明の「ベース基板から遠い第１の側面」及び「第１の側面に対向し且つベース基板から近い第２の側面」に相当する。

(ウ) よって、本願発明と引用発明は、「前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有［する］」点において一致する。

エ(ア) 引用発明の「画素電極１４１」は、絶縁膜２４０に対して基板１０とは反対側に形成された電極層であり、所定の厚さを有しているから、基板１０側とは反対側の面と、基板１０側の面の両面を有していることは明らかである。

(イ) そして、引用発明の「画素電極１４１」の基板１０側とは反対側の面、及び、「画素電極１４１」の基板１０側の面は、それぞれ本願発明の「ベース基板から遠い第３の側面」及び「第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面」に相当する。

(ウ) また、前記ア(ウ)で示したとおり、引用発明の「画素電極１４１」は、複数の画素毎に形成されているから、「複数の電極ブロック」に相当する。

(エ) よって、本願発明と引用発明は、「前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有［する］」点において一致する。

オ(ア) 引用発明の「第２層間絶縁膜２４０」の「凸状部２４０ａ」は、本願発明の「突起部」に相当する。

(イ) また、引用発明の「凸状部２４０ａ」は、その両側の斜面が平滑な面である台形状に形成されており、第１層間絶縁膜２３０及び第２層間絶縁膜２４０は基板１０上に設けられているから、凸状部２４０ａは、基板１０から離れる方向に延長されると狭くなり、両側にそれぞれ二つの平滑な面が形成されているものといえる。

(ウ) よって、本願発明と引用発明は、「前記絶縁層は、前記ベース基板から離れる方向に延長されると狭くなり、両側にそれぞれ２つの平滑な面が形成される突起部を有［する］」点において一致する。

カ(ア) 引用発明の「半導体膜２１０、駆動用ＴＦＴ１４３、ゲート絶縁膜２２０、第１層間絶縁膜２３０、凸状部２４０ａを形成する第２層間絶縁膜２４０、有機機能層１４０、隔壁（第１隔壁層）１４９及び隔壁（第２隔壁層；仕切部材）１５０が設けられた基板１０」は、表示機能を有する基板であるといえるから、本願発明の「表示基板」に相当する。

(イ) 引用発明の「有機ＥＬ素子２００」は、有機機能層１４０を画素電極１４１と共通電極１５４との間に挟持した構成を備えるものであるから、本願発明の「発光ダイオード」に相当する。

(ウ) また、前記ア(ウ)で示したとおり、引用発明の「画素電極１４１」は、複数の画素毎に形成されているのであるから、複数の有機ＥＬ素子２００が形成されていることも明らかである。

(エ) よって、本願発明と引用発明は、「表示基板は、複数の発光ダイオードを含む発光ダイオード表示基板であ［る］」点において一致する。

キ(ア) 引用発明においては、有機ＥＬ素子２００は、画素電極１４１上に、正孔注入層（電荷輸送層）１４０Ａ及び発光層１４０Ｂを積層し、さらに発光層１４０Ｂと隔壁１５０とを覆う共通電極１５４を形成することにより構成されており、画素電極１４１と発光層１４０Ｂの間に正孔注入層（電荷輸送層）１４０Ａが形成されているから、引用発明の「画素電極１４１」は本願発明の「アノード」に相当する。

(イ) また、前記イ(ア)で示したとおり、引用発明の「画素電極１４１」は本願発明の「電極ブロック」に相当する。

(ウ) よって、本願発明と引用発明は、「前記複数の電極ブロックは、前記複数の発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードであ［る］」点において一致する。

ク(ア) 前記第４において判断したとおり、本願発明の「平坦化層」の意味は明らかでないが、当該「平坦化層」の意味を、仮に請求人が意見書において主張する、「電極及び画素限定層を担持する」機能を奏するものであるとして以下検討する。

(イ) 前記イ(ア)で示したとおり、引用発明の「画素電極１４１」は本願発明の「複数の電極ブロック」に相当する。

(ウ) 引用発明の「隔壁（第１隔壁層）１４９」は、その開口部内で有機機能層１４０と画素電極１４１とが接触しており、その開口部内でのみ発光して、その発光箇所が画素すなわちピクセルとなると認められるから、本願発明の「ピクセル限定層」に相当する。

(エ) 引用発明の「第２層間絶縁膜２４０」は、その上に「画素電極１４１」や「隔壁（第１隔壁層）１４９」が形成され、前記(イ)及び(ウ)を踏まえると、「電極及び画素限定層を担持する」ものといえるから、本願発明の「平坦化層」に相当する。

(オ) よって、本願発明と引用発明は、「前記絶縁層は、平坦化層であ［る］」点において一致する。

ケ(ア) 引用発明においては、隔壁（第１隔壁層）１４９は、凸状部２４０ａに被さるように形成され、隔壁１４９上には、隔壁（第２隔壁層）１５０が積層され、隔壁１４９とともに有機ＥＬ装置における仕切部材を形成するものである。

(イ) 前記ク(ウ)で検討したとおり、引用発明の「隔壁（第１隔壁層）１４９」は、本願発明の「ピクセル限定層」に相当する。

(ウ) 引用発明の「隔壁（第２隔壁層）１５０」は、隔壁１４９とともに有機ＥＬ装置における仕切部材を形成するものであるから、本願発明の「スペーサー層」に相当する。

(エ) また、引用発明の「凸状部２４０ａ」は、本願発明の「電極ブロック間領域」に相当する画素電極１４１が形成されない領域を含むものであり、当該領域においても、隔壁（第１隔壁層）１４９」及び「隔壁（第２隔壁層）１５０」は積層されている。

(オ) よって、前記(ア)～(エ)を踏まえると、本願発明と引用発明は、「前記表示基板は、前記平坦化層の前記ベース基板から遠い側におけるピクセル限定層と、前記ピクセル限定層の前記平坦化層から遠い側におけるスペーサー層とを更に含み」、「前記ピクセル限定層と、前記スペーサー層とが、前記電極ブロック間領域内にあり、前記突起部に重なって設けられ［る］」点において一致する。

(２) 一致点及び相違点

前記(１)の対比分析の検討結果を総合すると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、それぞれ次に示すとおりである。

ア 一致点

表示基板であって、

ベース基板と、

前記ベース基板上の絶縁層と、

前記絶縁層の前記ベース基板から遠い側にあり且つ複数の電極ブロックを含む電極層と

を含み、

前記表示基板は、前記複数の電極ブロックに対応する電極ブロック領域と、前記電極ブロック領域の外部の電極ブロック間領域とを有し、

前記絶縁層は、前記ベース基板から遠い第１の側面と、前記第１の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第２の側面とを有し、

前記複数の電極ブロックの各々は、前記ベース基板から遠い第３の側面と、前記第３の側面に対向し且つ前記ベース基板から近い第４の側面とを有し、

前記絶縁層は、前記ベース基板から離れる方向に延長されると狭くなり、両側にそれぞれ２つの平滑な面が形成される突起部を有し、

前記表示基板は、複数の発光ダイオードを含む発光ダイオード表示基板であり、

前記複数の電極ブロックは、前記複数の発光ダイオードにおいて光放出を駆動するための複数のアノードであり、

前記絶縁層は、平坦化層であり、

前記表示基板は、前記平坦化層の前記ベース基板から遠い側におけるピクセル限定層と、前記ピクセル限定層の前記平坦化層から遠い側におけるスペーサー層とを更に含み、

前記ピクセル限定層と、前記スペーサー層とが、前記電極ブロック間領域内にあり、前記突起部に重なって設けられる、

表示基板、である点。

イ 相違点

本願発明においては、

「突起部は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも大きい前記ベース基板の表面に対する第１の高さを有し」、

「前記電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面は、前記ベース基板の表面に対する前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の第４の側面の第２の高さよりも小さい前記ベース基板の表面に対する第３の高さを有し、前記電極ブロック領域における前記絶縁層の前記第１の側面は、中間構造で前記複数の電極ブロックのうち隣接する電極の前記第４の側面に接続され」、

「前記第１の高さＬ１は、第２の高さＬ２より約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、又は、約２．０μｍ乃至約２．５μｍだけ大きく、

前記第１の高さＬ１は、第３の高さＬ３より約１．０μｍ乃至約１．５μｍ、約１．５μｍ乃至約２．０μｍ、又は、約２．０μｍ乃至約２．５μｍだけ大きく」、

「前記第１の高さＬ１と前記第２の高さＬ２との差が、前記第１の高さＬ１と前記第３の高さＬ３との差よりも小さい」のに対して、

引用発明においては、

画素電極１４１は、周囲を取り囲む凸状部２４０ａに乗り上げるようにして形成され、凸状部２４０ａの形成領域と凸状部２４０ａが形成されない領域の両方において形成されており、凸状部２４０ａの基板１０側とは反対側の面の高さが、凸状部２４０ａの形成領域に形成された画素電極１４１の基板１０側の面の高さより大きいものでなく、

画素電極１４１と第２層間絶縁膜２４０が中間構造で接続されておらず、

凸状部２４０ａの基板１０側とは反対側の面の高さと、画素電極１４１の基板１０側の面の高さの差、及び、凸状部２４０ａの基板１０側とは反対側の面の高さと、凸状部２４０ａが形成されない第２層間絶縁膜２４０の基板１０側とは反対側の面の高さの差が、具体的にどの程度であるか不明な点。

３ 判断

(１) 相違点について

前記相違点について検討する。

ア 引用文献６の【０１２９】における、「画素電極１４１及び第２層間絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜（当審注：無機隔壁１４９のこと。）を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１上の所定領域（図に符号１４１ａで示す領域）の酸化シリコン膜を選択除去し、画素電極１４１の表面を部分的に露出させる。」という記載、及び、【図２３(ｄ)】に示された構成を参酌するに、引用発明において、画素電極１４１の表面を部分的に露出させた後の無機隔壁１４９と重なる画素電極１４１の部分（例えば、凸状部２４０ａの上）は、無機隔壁１４９によって覆われてしまうため、画素電極１４１として機能しない部分といえる。

そうすると、引用発明において、「画素電極１４１」を、「凸状部２４０ａ」の上に形成するかしないかは、当業者が適宜に定める設計事項であり、後者のようにすることは当業者が容易に想到し得たことである。

イ また、引用発明において、「画素電極１４１」を「凸状部２４０ａ」の上に形成しないようにするには、駆動用ＴＦＴ１４３のドレイン電極２３６と画素電極１４１を接続するコンタクトホール２４０ｂを、「凸状部２４０ａ」が形成されていない領域に配置する必要があるところ、前記１(２)イにおいて周知技術Ａとして示したように、有機発光表示装置において、薄膜トランジスタＴＦＴと画素電極を接続する絶縁層のビアホールを、絶縁層の隔壁部でなく平坦部に設けることは周知であるから、引用発明において、コンタクトホール２４０ｂの位置を「凸状部２４０ａ」が形成されていない領域に配置して、「画素電極１４１」を「凸状部２４０ａ」の上に形成しないようにすることは当業者にとって適宜なし得ることである。

ウ そして、本願発明の「電極ブロック」に相当する引用発明の「画素電極１４１」を、「凸状部２４０ａ」が形成されていない領域のみに形成した場合、本願発明の「突起部」に相当する引用発明の「凸状部２４０ａ」の高さは、本願発明の「画素ブロック」の「第４の側面」に相当する、「画素電極１４１」の基板１０側の面よりも高い位置になることは明らかである。

エ そうすると、前記１(３)イにおいて周知技術Ｂとして示したように、有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、平坦化樹脂の上に画素電極の密着性を良くする下地層を介して、画素電極を形成することは周知であるから、引用発明の「絶縁膜２４０」と「画素電極１４１」の間に、密着性を良くする下地層、すなわち、中間構造を設け、本願発明の「電極ブロック領域における前記絶縁層の第１の側面」に相当する、引用発明の「凸状部２４０ａ」が形成されない「絶縁膜２４０」の基板１０側とは反対側の面の高さを、「画素電極１４１」の基板１０側の面の高さより小さくすることに、格別困難性があるものでない。

オ また、引用発明において、凸状部２４０ａの基板１０側とは反対側の面の高さと、画素電極１４１の基板１０側の面の高さの差、及び、凸状部２４０ａの基板１０側とは反対側の面の高さと、凸状部２４０ａが形成されない第２層間絶縁膜２４０の基板１０側とは反対側の面の高さの差をどの程度とするかは、各層において所望の機能が奏されるように、当業者が適宜に定める設計事項にすぎない。

カ よって、引用発明において、前記相違点に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。

キ そして、本願発明の奏する作用効果は、引用発明、周知技術Ａ及びＢから予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

ク したがって、本願発明は、引用発明、周知技術Ａ及びＢに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

(２) 請求人の主張について

４ 小括

したがって、本願発明は、引用発明、周知技術Ａ及びＢに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

第６ むすび

以上のとおり、本願の請求項１の記載は、特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。

また、本願発明は、引用発明、周知技術Ａ及びＢに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。

よって、結論のとおり審決する。