2022-003526

２ 本件出願の請求項１に係る発明について

本件出願の請求項１に係る発明（以下，「本件発明」という。）は，令和５年４月２４日に提出された手続補正書による補正後の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ，当該請求項１の記載は，次のとおりである。

「ベース基板と，

前記ベース基板に設置される駆動トランジスタ，第一電極，第二電極，有機材料機能層，前記第二電極に接続される複数の補助電極，及び前記第二電極と前記補助電極との間に設置される絶縁構造とを備え，

前記有機材料機能層は前記第一電極と前記第二電極との間に位置し，

前記駆動トランジスタは，ゲート電極，ソース電極及びドレイン電極を備え，前記第一電極は前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続され，

前記補助電極は前記第一電極と同層に設置され，

前記絶縁構造に複数のビア構造が設置され，前記第二電極は，それぞれ前記複数の補助電極に接続され，

前記ベース基板における前記補助電極の少なくとも１つの正射影が，前記ベース基板における電源線及びデータ線の正射影と交差する，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板であって，

前記ＯＬＥＤアレイ基板が，前記データ線と交差するゲート線をさらに含み，前記補助電極の少なくとも１つの延伸方向が，前記ゲート線の延伸方向と同じであり，前記補助電極の少なくとも１つの平面形状がストリップ形状であり，

前記第一電極が，金属導電材料の層が透明導電酸化物の２つの層の間に挟まれた構造である，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板。」

３ 当審において通知された拒絶理由の概要

当審において，令和５年１月１７日付けで通知された拒絶理由は，概略，次のような理由（以下，「当審拒絶理由」という。）を含んでいる。

（令和４年３月８日に提出された手続補正書による補正後の）請求項１に係る発明は，本件出願の優先権主張に係る出願の出願日（以下，「本件優先日」という。）前に日本国内又は外国において，頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて，本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

当審拒絶理由で引用された引用例及び周知例は，次のとおりである。

４ 引用例及び周知例

（１）引用文献１に記載された発明

ア 引用文献１の記載

引用文献１は，本件優先日前である平成２７年４月２３日に，電気通信回線を通じて公衆に利用可能となったものであって，当該引用文献１には，次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定及び判断に特に関係する箇所を示す。）

（ア） 「【技術分野】

【０００１】

本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に係り，より詳しくは補助電極及び吸収電極を含む有機発光表示装置に関する。

【背景技術】

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【０００２】

表示装置はイメージを表示する装置であって，最近，有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。

【０００３】

従来の有機発光表示装置は第１電極，第１電極上に位置する有機発光層及び有機発光層上に位置する第２電極を有する有機発光素子を含んでいる。

【０００４】

一方，有機発光表示装置は前面，後面または両面に光を発光するタイプに分けられ，このうちの前面に光を発光するタイプの有機発光表示装置は，有機発光層から発生する光の輝度低下を最少化するために，有機発光素子の第２電極が，有機発光素子が形成された基板全体にわたって薄膜の形態で形成される。

【０００５】

しかし，このような前面発光タイプの有機発光表示装置は，有機発光層を駆動するための第２電極が薄膜であり基板全体にわたって形成されるため，第２電極の電気的抵抗によって第２電極を通る電源に電圧降下などの発生する問題点がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【０００６】

本発明が達成しようとする技術的課題は，有機発光表示装置の有機発光層の駆動のために薄膜であり面積が大きい電極を通る電源の電圧降下を最小化することができ，補助電極の上部に吸収電極を追加することにより補助電極上の有機層の除去工程が簡便である有機発光表示装置及びその製造方法を提供しようとすることである。

【課題を解決するための手段】

【０００７】

このような課題を解決するために本発明の実施形態によれば，基板，前記基板上に位置し互いに分離されている第１電極及び補助電極，前記補助電極上に位置する吸収電極，前記第１電極上に位置し前記補助電極及び前記吸収電極を露出する接触孔を有する有機発光層，及び前記有機発光層上に位置し前記接触孔を通じて前記補助電極及び前記吸収電極と連結されている第２電極を含む有機発光表示装置を提供する。

・・・（中略）・・・

【発明の効果】

【００２０】

本発明の実施形態によれば，有機発光表示装置の有機発光層の駆動のために薄膜であり面積が大きい電極を通る電源の電圧降下を最小化することができ，補助電極上部に吸収電極を追加することにより補助電極上の有機層の除去工程が簡便であるという長所がある。」

（イ） 「【発明を実施するための形態】

【００２２】

・・・（中略）・・・

【００２５】

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図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置が有する画素回路を示す回路図である。

【００２６】

図１に示したように，本実施形態の一実施形態による有機発光表示装置は複数の信号線１２１，１７１，１７２とこれらに連結されておりほぼ行列（ｍａｔｒｉｘ）の形態に配列された複数の画素ＰＸを含む。

【００２７】

信号線はゲート信号（または走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１，データ信号を伝達する複数のデータ線１７１及び駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。ゲート線１２１はほぼ行方向に伸びており互いにほとんど平行であり，データ線１７１と駆動電圧線１７２の垂直方向部分はほぼ列方向に伸びており互いにほとんど平行である。

【００２８】

各画素ＰＸはスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑｓ，駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑｄ，ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔ及び有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）７０を含む。

【００２９】

スイッチング薄膜トランジスタＱｓは制御端子，入力端子及び出力端子を有し，制御端子はゲート線１２１に連結されており，入力端子はデータ線１７１に連結されており，出力端子は駆動薄膜トランジスタＱｄに連結されている。スイッチング薄膜トランジスタＱｓはゲート線１２１に印加される走査信号に応答してデータ線１７１に印加されるデータ信号を駆動薄膜トランジスタＱｄに伝達する。

【００３０】

駆動薄膜トランジスタＱｄも制御端子，入力端子及び出力端子を有し，制御端子はスイッチング薄膜トランジスタＱｓに連結されており，入力端子は駆動電圧線１７２に連結されており，出力端子は有機発光素子７０に連結されている。駆動薄膜トランジスタＱｄは制御端子と出力端子の間にかかる電圧によってその大きさが変わる出力電流ＩＬＤを流す。

【００３１】

キャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子と入力端子の間に連結されている。このキャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子に印加されるデータ信号を充電し，スイッチング薄膜トランジスタＱｓがターンオフ（ｔｕｒｎ－ｏｆｆ）された後にもこれを維持する。

【００３２】

有機発光素子７０は駆動薄膜トランジスタＱｄの出力端子に連結されているアノード（ａｎｏｄｅ），共通電圧Ｖｓｓに連結されているカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を有する。有機発光素子７０は駆動薄膜トランジスタＱｄの出力電流ＩＬＤによって強さを異にして発光することによって映像を表示する。

・・・（中略）・・・

【００３４】

しかし，第２電極が薄膜の形態に有機発光素子が形成された基板全体にわたって形成された有機発光表示装置は第２電極の電気的抵抗によって有機発光層を駆動するために第２電極を通る電源に電圧降下などの発生を防止するために第２電極上に補助電極を形成する方法を用いている。

【００３５】

しかし，補助電極と第１電極を接触させるために有機層を除去する工程が必要であり，有機層のエネルギー吸収度が低いためエネルギー伝達効率が大きく落ち，環境が自由でない真空条件で遂行しなければならない。

【００３６】

以下，図２及び図３を参照して本発明の一実施形態による有機発光表示装置を具体的に説明する。

【００３７】

図２は図１の有機発光表示装置の一画素に対する配置図であり，図３は図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線による断面図である。

【００３８】

図２及び図３に示したように，基板１００上にはバッファー層１２０が形成されている。

・・・（中略）・・・

【００４０】

基板１００の上にはバッファー層１２０が形成されている。

【００４１】

バッファー層１２０は酸化ケイ素または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の単層または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が積層された複数層構造で形成することができる。バッファー層は不純物または水分のように不必要な成分の浸透を防止しながら同時に表面を平坦化する役割を果たす。

【００４２】

バッファー層１２０の上には多結晶シリコンからなる第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂと第１キャパシタ電極１３８が形成されている。

【００４３】

第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂはチャンネル領域１３５５ａ，１３５５ｂとチャンネル領域１３５５ａ，１３５５ｂの両側にそれぞれ形成されたソース領域１３５６ａ，１３５６ｂ及びドレイン領域１３５７ａ，１３５７ｂに区分される。第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂのチャンネル領域１３５５ａ，１３５５ｂは不純物がドーピングされていない多結晶シリコン，即ち，真性半導体（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）である。第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂのソース領域１３５６ａ，１３５６ｂ及びドレイン領域１３５７ａ，１３５７ｂは導電性不純物がドーピングされた多結晶シリコン，即ち，不純物半導体（ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）である。

・・・（中略）・・・

【００４５】

第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂと第１キャパシタ電極１３８の上にはゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０はテトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ ｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ，ＴＥＯＳ），窒化ケイ素及び酸化ケイ素のうちの少なくとも一つを含む単層または複数層であり得る。

【００４６】

ゲート絶縁膜１４０の上にはゲート線１２１，第２ゲート電極１５５ｂ及び第２キャパシタ電極１５８が形成されている。

【００４７】

ゲート線１２１は横方向に長く伸びてゲート信号を伝達し，ゲート線１２１から第１半導体１３５ａに突出した第１ゲート電極１５５ａを含む。

【００４８】

第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂはそれぞれチャンネル領域１３５５ａ，１３５５ｂと重畳し，第２キャパシタ電極１５８は第１キャパシタ電極１３８と重畳する。

・・・（中略）・・・

【００５０】

第１キャパシタ電極１３８と第２キャパシタ電極１５８はゲート絶縁膜１４０を誘電体にしてキャパシタＣｓｔをなす。

【００５１】

第１ゲート電極１５５ａ，第２ゲート電極１５５ｂ及び第２キャパシタ電極１５８の上には第１層間絶縁膜１６０が形成される。第１層間絶縁膜１６０はゲート絶縁膜１４０と同様にテトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ ｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ，ＴＥＯＳ），窒化ケイ素または酸化ケイ素などで形成することができる。

【００５２】

第１層間絶縁膜１６０とゲート絶縁膜１４０にはソース領域１３５６ａ，１３５６ｂとドレイン領域１３５７ａ，１３５７ｂをそれぞれ露出するソース接触孔１６６とドレイン接触孔１６７を有する。

【００５３】

第１層間絶縁膜１６０の上には第１ソース電極１７６ａを有するデータ線１７１，第２ソース電極１７６ｂを有する駆動電圧線１７２，第１ドレイン電極１７７ａ，及び第２ドレイン電極１７７ｂが形成されている。

【００５４】

データ線１７１はデータ信号を伝達しゲート線１２１と交差する方向に伸びている。

【００５５】

駆動電圧線１７２は一定の電圧を伝達しデータ線１７１と分離されてデータ線１７１と同じ方向に伸びている。

【００５６】

第１ソース電極１７６ａはデータ線１７１から第１半導体１３５ａに向かって突出しており，第２ソース電極１７６ｂは駆動電圧線１７２から第２半導体１３５ｂに向かって突出している。第１ソース電極１７６ａと第２ソース電極１７６ｂはそれぞれソース接触孔１６６を通じてソース領域１３５６ａ，１３５６ｂと連結されている。

【００５７】

第１ドレイン電極１７７ａは第１ソース電極１７６ａと対向し接触孔１６７を通じてドレイン領域１３５７ａと連結される。

【００５８】

第１ドレイン電極１７７ａはゲート線に沿って延長されており，接触孔８１を通じて第２ゲート電極１５５ｂと電気的に連結される。

【００５９】

第２ドレイン電極１７７ｂは接触孔を通じてドレイン領域１３５７ｂと連結される。

・・・（中略）・・・

【００６２】

データ線１７１，駆動電圧線１７２，第１ドレイン電極１７７ａ及び第１電極７１０（審決注：【００５３】の記載や，図３からみて，「第１電極７１０」は誤記であり，正しくは「第２ドレイン電極１７７ｂ」と認める。）の上には第２層間絶縁膜１８０が形成されている。

【００６３】

第２層間絶縁膜１８０の上には第１電極７１０及び補助電極７４０が形成されている。

【００６４】

第１電極７１０は図１の有機発光素子のアノード電極であり得る。第１電極７１０は接触孔８２を通じて第２ドレイン電極１７７ｂと連結されている。

【００６５】

本発明の一実施形態では第２層間絶縁膜１８０を挟んで第２ドレイン電極１７７ｂと第１電極７１０が接触孔を通じて連結されているが，第２ドレイン電極１７７ｂと第１電極７１０は一体形に形成することもできる。

【００６６】

補助電極７４０は第１電極７１０と分離されており，データ線１７１及び駆動電圧線１７２のうちの少なくとも一つと重畳しこれらに沿って長く形成されている。補助電極７４０は第２電極７３０の電圧降下を減らすためのものであって，第２電極７３０と同一な電圧を印加することができる。

【００６７】

補助電極７４０の上には吸収電極７７０が形成されている。

【００６８】

補助電極７４０は一般に第２電極７３０と連結され，補助電極７４０と第２電極７３０を相互連結するためには補助電極７４０及び第２電極７３０の間に配置された有機発光層７２０が除去されなければならない。この時，有機発光層７２０はエネルギー吸収度が低くエネルギー伝達効率が大きく落ちるため有機発光層７２０と補助電極７４０の間に吸収電極７７０を配置することによって吸収電極７７０がエネルギーを容易に吸収するようになり有機発光層７２０を昇温して気化させる方法で有機発光層７２０をより簡単に除去することができる。

【００６９】

吸収電極７７０は有機発光層７２０除去時にエネルギーを吸収する役割を果たすため，エネルギー吸収率が高い材料でなければならず，補助電極７４０と第２電極７３０の間に配置されるため補助電極７４０と第２電極７３０間の電気的連結のために導電性がなければならない。

・・・（中略）・・・

【００７６】

第１電極７１０を含む基板全体には第１電極７１０及び補助電極７４０の少なくとも一部が露出され，吸収電極７７０の全部が露出されるように絶縁性物質でパターニングされた画素定義膜１１６が形成されており，その次に第１電極７１０を含む基板全体に形成された画素定義膜１１６の上，そして第１電極７１０の露出された部分に発光層を含む有機発光層７２０が形成されている。有機発光層７２０は補助電極７４０及び吸収電極７７０を露出する接触孔７４を含む。

・・・（中略）・・・

【００８２】

有機発光層７２０及び接触孔７４を露出する開口部９９の上には第２電極７３０が形成されている。

【００８３】

第２電極７３０は有機発光素子のカソード電極になる。したがって第１電極７１０及び吸収電極７７０，有機発光層７２０及び第２電極７３０は有機発光素子７０をなす。

【００８４】

一方，第２電極７３０は接触孔７４内で補助電極７４０の上面，吸収電極７７０の上面及び側面，開口部９９のエッチング面と接触するように形成されている。

【００８５】

有機発光素子７０が光を放出する方向によって有機発光表示装置は前面表示型，背面表示型及び両面表示型のうちのいずれか一つの構造を有し得る。

【００８６】

本発明の一実施形態では前面表示型であって，第１電極７１０は反射膜で形成し，第２電極７３０は透明膜または半透過膜で形成する。

・・・（中略）・・・

【００８８】

このように本発明の実施形態のように第２電極７３０と連結される補助電極７４０及び吸収電極７７０を形成すれば，基板１００全体に形成される第２電極７３０を通る駆動電圧の電圧降下を最小化することができ，接触孔７４を簡単に形成することができる。」

（ウ） 「【０１０７】

図７乃至１３は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法の工程順に示した断面図である。

【０１０８】

まず，図７に示したように，基板１００の上にバッファー層１２０を形成する。バッファー層１２０は窒化ケイ素または酸化ケイ素から形成することができる。

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【０１０９】

バッファー層１２０の上に多結晶シリコン膜を形成した後にパターニングして第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂと第１キャパシタ電極１３８を形成する。

【０１１０】

その次に，図８に示したように，第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂの上にゲート絶縁膜１４０を形成する。ゲート絶縁膜１４０は窒化ケイ素または酸化ケイ素からなり得る。

【０１１１】

そしてゲート絶縁膜１４０の上に金属膜を積層した後にパターニングして第１ゲート電極１５５ａ，１５５ｂと第２キャパシタ電極１５８を形成する。

【０１１２】

第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂをマスクにして第１半導体１３５ａ及び第２半導体１３５ｂに導電型不純物をドーピングしてソース領域，ドレイン領域及びチャンネル領域を形成する。または第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂを形成する前に感光膜を用いて第１キャパシタ電極１３８にも共にドーピングすることができる。また，第１ゲート電極１５５ａ及び第２ゲート電極１５５ｂを二重膜で形成し，第２キャパシタ電極１５８は単一膜で形成すればソース領域及びドレイン領域と共に第１キャパシタ電極１３８にもドーピングすることができる。

【０１１３】

その次に，図９に示したように，第１ゲート電極１５５ａ，１５５ｂと第２キャパシタ電極１５８の上にソース領域及びドレイン領域を露出する接触孔１６６，１６７を有する層間絶縁膜１６０を形成する。層間絶縁膜１６０はテトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ ｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ，ＴＥＯＳ），窒化ケイ素または酸化ケイ素などで形成することができる。また，層間絶縁膜１６０は低誘電率物質で形成して基板を平坦化することができる。

【０１１４】

その次に，図１０に示したように，層間絶縁膜１６０の上にＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして第１電極７１０及び補助電極７４０を形成する。

・・・（中略）・・・

【０１２３】

その次に，図１１に示したように，補助電極７４０の上に吸収電極７７０を形成する。

【０１２４】

吸収電極７７０は補助電極７４０と並んだライン形態に形成することができ，図４に示したように補助電極７４０の上にドット形態に形成することができる。

【０１２５】

吸収電極７７０は有機発光層７２０の除去時にエネルギーを吸収する役割を果たすため，エネルギー吸収率が高い材料でなければならず，補助電極７４０と第２電極７３０の間に配置されるため補助電極７４０と第２電極７３０間の電気的連結のために導電性がなければならない。

・・・（中略）・・・

【０１３２】

その次に，図１２に示したように，第１電極７１０，補助電極７４０及び吸収電極７７０の上に第１電極７１０及び補助電極７４０の少なくとも一部が露出され，吸収電極７７０の全部が露出されるように絶縁性物質でパターニングされた画素定義膜１１６を形成し，画素定義膜１１６，露出された第１電極７１０，補助電極７４０及び吸収電極７７０の上に有機発光層７２０を積層する。

【０１３３】

有機発光層７２０は別途のマスクなしで基板全体に形成し，正孔付帯層，赤色有機発光層，緑色有機発光層，青色有機発光層及び電子付帯層を順に積層することができる。

【０１３４】

その後，吸収電極７７０がエネルギーを吸収できる波長領域帯のエネルギーを有する光源を照射して有機発光層７２０をエッチングして下部の補助電極７４０及び吸収電極７７０を露出する開口部９９を有する第２電極７３０及び接触孔７４を形成する。

【０１３５】

この時，従来は有機発光層７２０をエッチングすることにおいて一般にレーザーを使用したが，本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造においては吸収電極７７０のエネルギー吸収度が高いため有機発光層７２０をエッチングすることに使用可能なエネルギー光源としてレーザー，フラッシュランプ（ｆｌａｓｈ ｌａｍｐ），タングステンハロゲンランプ（ｔｕｎｇｓｔｅｎ ｈａｌｏｇｅｎ ｌａｍｐ）などを多様に使用することができる。

【０１３６】

このようなエネルギー光源によって照射された光源のエネルギーは吸収電極７７０に容易に吸収され吸収電極７７０が昇温し，この時，吸収電極７７０の上部に形成されている有機発光層７２０が昇温して気化する方式でエッチングされ得る。

【０１３７】

したがって，本発明の実施形態による有機発光表示装置の製造においては有機発光層７２０に開口部９９を形成するエッチング過程を吸収電極７７０を用いて有機発光層７２０を昇温，気化させる方式で遂行することによって，有機発光層７２０のエッチングにパターニングマスクを使用しなくてもよい。

【０１３８】

その次に，図１３のように，基板全体に金属膜を積層して有機発光層７２０の上に形成されており，有機発光層７２０の開口部９９を通じて露出された補助電極７４０及び吸収電極７７０と連結された第２電極７３０を形成する。

【０１３９】

金属膜は半透明膜であってＭｇ－Ａｇ合金を積層して形成することができる。第２電極７３０は５００Åの厚さで形成する。」

（エ） 「【図１】

［図：0001407059000001.jpg］

【図２】

［図：0001407059000002.jpg］

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【図３】

［図：0001407059000003.jpg］

・・・（中略）・・・

【図７】

［図：0001407059000004.jpg］

【図８】

［図：0001407059000005.jpg］

【図９】

［図：0001407059000006.jpg］

【図１０】

［図：0001407059000007.jpg］

【図１１】

［図：0001407059000008.jpg］

【図１２】

［図：0001407059000009.jpg］

【図１３】

［図：0001407059000010.jpg］

」

イ 引用文献１の記載から把握される発明

前記ア（ア）ないし（エ）で摘記した引用文献１の記載から，図１ないし３に示された有機発光表示装置における，複数のゲート線１２１，複数のデータ線１７１及び複数の駆動電圧線１７２と，これらに連結されておりほぼ行列の形態に配列された複数の画素ＰＸが形成された基板１００（以下，当該複数のゲート線１２１，複数のデータ線１７１及び複数の駆動電圧線１７２と，複数の画素が形成された基板１００を「有機発光素子アレイ基板」という。）であって，第１電極７１０及び補助電極７４０として，【０１１４】に記載された構造のものを採用した「有機発光素子アレイ基板」に係る発明を把握することができるところ，【００２９】，【００３０】，【００４３】，【００５９】，【００６４】等の記載からみて，スイッチング薄膜トランジスタＱｓが第１半導体１３５ａを有し，駆動薄膜トランジスタＱｄが第２半導体１３５ｂを有することは明らかである。

また，引用文献１の【００５８】に記載された，第１ドレイン電極１７７ａと第２ゲート電極１５５ｂを電気的に連結する「接触孔８１」が，第１層間絶縁膜１６０に形成されたものであることは，【００５１】に，第２ゲート電極１５５ｂの上に第１層間絶縁膜１６０が形成されることが記載され，【００５３】に，第１層間絶縁膜１６０の上に，第１ドレイン電極１７７ａが形成されることが記載されていることから，明らかであり，【００５９】に記載された，第２ドレイン電極１７７ｂとドレイン領域１３５７ｂを連結する「接触孔」が，第１層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０に形成されたドレイン接触孔１６７のことであることは，図３に示されており，【００６４】に記載された，第１電極７１０と第２ドレイン電極１７７ｂを連結する「接触孔８２」が，第２層間絶縁膜１８０に形成されたものであることは，【００６２】に，第２ドレイン電極１７７ｂの上に第２層間絶縁膜１８０が記載されることが記載され，【００６３】に，第２層間絶縁膜１８０の上に第１電極７１０が形成されることが記載されていることから，明らかである。

そして，【０１１４】の「その次に，図１０に示したように，層間絶縁膜１６０の上にＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして第１電極７１０及び補助電極７４０を形成する。」なる記載には，図１０からみて，誤記があることは明らかであり，その真意は，第１層間絶縁膜１６０の上に，駆動電圧線１７２第１ドレイン電極１７７ａ，及び第２ドレイン電極１７７ｂ等を形成した後，その上に，第２層間絶縁膜１８０を形成し，当該第２層間絶縁膜１８０の上にＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして第１電極７１０及び補助電極７４０を形成する，というものであると認められる。

以上によれば，前記有機発光素子アレイ基板に係る発明は，次のとおりのものと認められる。

「ゲート信号または走査信号を伝達する信号線であって，ほぼ行方向に伸びており互いにほとんど平行な複数のゲート線１２１と，データ信号及び駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する信号線であって，その垂直方向部分がほぼ列方向に伸びており互いにほとんど平行な複数のデータ線１７１及び複数の駆動電圧線１７２と，前記複数のゲート線１２１，前記複数のデータ線１７１及び前記複数の駆動電圧線１７２に連結されておりほぼ行列の形態に配列された複数の画素ＰＸとを含み，

前記各画素ＰＸは，それぞれ，スイッチング薄膜トランジスタＱｓ，駆動薄膜トランジスタＱｄ，ストレージキャパシタＣｓｔ及び有機発光素子７０を含み，

前記有機発光素子７０は，前記駆動薄膜トランジスタＱｄの出力端子に連結されているアノード電極である第１電極７１０と，共通電圧Ｖｓｓに連結されているカソード電極である第２電極７３０と，有機発光層７２０により構成され，

前記スイッチング薄膜トランジスタＱｓの制御端子は前記ゲート線１２１に連結されており，入力端子はデータ線１７１に連結され，出力端子は駆動薄膜トランジスタＱｄに連結され，

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前記駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子はスイッチング薄膜トランジスタＱｓに連結され，入力端子は駆動電圧線１７２に連結され，出力端子は有機発光素子７０に連結され，

前記ストレージキャパシタＣｓｔは前記駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子と入力端子の間に連結された，

有機発光素子アレイ基板であって，

基板１００上にバッファー層１２０が形成され，

前記バッファー層１２０の上には，多結晶シリコンからなるとともに，それぞれ，チャンネル領域１３５５ａ，１３５５ｂと当該チャンネル領域１３５５ａ，１３５５ｂの両側にそれぞれ形成されたソース領域１３５６ａ，１３５６ｂ及びドレイン領域１３５７ａ，１３５７ｂに区分される前記スイッチング薄膜トランジスタＱｓの第１半導体１３５ａ及び前記駆動薄膜トランジスタＱｄの第２半導体１３５ｂと，第１キャパシタ電極１３８とが形成され，

前記第１半導体１３５ａ及び前記第２半導体１３５ｂと前記第１キャパシタ電極１３８の上にはゲート絶縁膜１４０が形成され，

前記ゲート絶縁膜１４０の上には，前記ゲート線１２１から前記第１半導体１３５ａに突出した第１ゲート電極１５５ａを含む前記ゲート線１２１，第２ゲート電極１５５ｂ及び第２キャパシタ電極１５８が形成され，前記第１ゲート電極１５５ａ及び前記第２ゲート電極１５５ｂはそれぞれ前記チャンネル領域１３５５ａ，１３５５ｂと重畳し，前記第２キャパシタ電極１５８は前記第１キャパシタ電極１３８と重畳して前記第１キャパシタ電極１３８と前記第２キャパシタ電極１５８は，前記ゲート絶縁膜１４０を誘電体にして前記キャパシタＣｓｔをなし，

前記第１ゲート電極１５５ａ，前記第２ゲート電極１５５ｂ及び前記第２キャパシタ電極１５８の上には第１層間絶縁膜１６０が形成され，

前記第１層間絶縁膜１６０の上には第１ソース電極１７６ａを有する前記データ線１７１，第２ソース電極１７６ｂを有する前記駆動電圧線１７２，第１ドレイン電極１７７ａ，及び第２ドレイン電極１７７ｂが形成され，前記第１ソース電極１７６ａは前記データ線１７１から前記第１半導体１３５ａに向かって突出し，前記第２ソース電極１７６ｂは前記駆動電圧線１７２から前記第２半導体１３５ｂに向かって突出し，前記第１ソース電極１７６ａと前記第２ソース電極１７６ｂはそれぞれ前記第１層間絶縁膜１６０及び前記ゲート絶縁膜１４０のソース接触孔１６６を通じて前記ソース領域１３５６ａ，１３５６ｂと連結され，前記第１ドレイン電極１７７ａは，前記第１ソース電極１７６ａと対向し，前記第１層間絶縁膜１６０及び前記ゲート絶縁膜１４０のドレイン接触孔１６７を通じて前記ドレイン領域１３５７ａと連結されるとともに，前記ゲート線１２１に沿って延長され，前記第１層間絶縁膜１６０の接触孔８１を通じて第２ゲート電極１５５ｂと電気的に連結されており，前記第２ドレイン電極１７７ｂは，前記第１層間絶縁膜１６０及び前記ゲート絶縁膜１４０に形成されたドレイン接触孔１６７を通じて前記ドレイン領域１３５７ｂと連結されており，

前記データ線１７１，前記駆動電圧線１７２，前記第１ドレイン電極１７７ａ及び前記第２ドレイン電極１７７ｂの上には第２層間絶縁膜１８０が形成され，

前記第２層間絶縁膜１８０の上には，ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして形成した前記第１電極７１０及び補助電極７４０が形成され，前記第１電極７１０は，前記第２層間絶縁膜１８０の接触孔８２を通じて前記第２ドレイン電極１７７ｂと連結され，前記補助電極７４０は，前記第１電極７１０と分離されており，前記データ線１７１及び前記駆動電圧線１７２のうちの少なくとも一つと重畳しこれらに沿って長く形成され，その上には吸収電極７７０が形成されるとともに，前記第２電極７３０と連結され，

前記第１電極７１０を含む基板全体には，前記第１電極７１０及び前記補助電極７４０の少なくとも一部が露出され，吸収電極７７０の全部が露出されるように絶縁性物質でパターニングされた画素定義膜１１６が形成されており，その次に前記第１電極７１０を含む基板全体に形成された前記画素定義膜１１６の上，そして前記第１電極７１０の露出された部分に発光層を含む前記有機発光層７２０が形成され，当該有機発光層７２０は，前記補助電極７４０及び前記吸収電極７７０を露出する接触孔７４を含み，

前記有機発光層７２０及び前記接触孔７４を露出する開口部９９の上には，前記第２電極７３０が形成されており，

前記吸収電極７７０は，有機発光表示装置の製造時に，前記基板１００全体に有機発光層７２０を形成した後，前記吸収電極７７０がエネルギーを吸収できる波長領域帯のエネルギーを有する光源を照射することにより，前記吸収電極７７０を昇温させ，前記吸収電極７７０の上部に形成されている前記有機発光層７２０を気化させる方法で，前記接触孔７４を形成するために用いられる，

有機発光素子アレイ基板。」（以下，「引用発明」という。）

（２）周知の技術事項

ア 引用文献２の記載

引用文献２は，本件優先日前である平成２０年９月１８日に頒布された刊行物であって，当該引用文献２には，次の記載がある。（下線は，後述する周知事項の認定及び判断に特に関係する箇所を示す。）

（ア） 「【技術分野】

【０００１】

本発明は，有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を用いた発光装置に関する。

【背景技術】

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【０００２】

基板上の有効領域に複数の発光素子が配列され，有効領域を囲む周辺領域に各種配線等が配置された発光装置が知られている。各発光素子は，第１電極と第２電極の間に挟まれ有機ＥＬ材料などの発光材料で形成される発光層を有する。多くの場合，この第２電極は複数の発光素子に共通して設けられた共通電極であり，上記有効領域全体にわたって設けられる。しかしながら，電極自体が有する抵抗により電極の面内において電圧降下が発生し，基板における位置によって発光素子に供給される電位がばらついて発光素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。そこで，従来から，共通電極よりも低抵抗の材料で形成され共通電極と電気的に接続された補助電極を設け，共通電極の抵抗を下げることが行われている（例えば，特許文献１）。

【特許文献１】特開２００２－３５２９６３号公報

【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

【０００３】

ところで，補助電極は，例えば，アルミニウムなどの遮光性の部材で形成される場合が多い。このため，発光素子からの出射光を遮ることがないように発光素子の間隙の領域を通るように形成されるのが望ましく，高精度な位置合わせ機構を用いて形成されるのが望ましい。これに対し，共通電極は光透過性の材料で形成されて，有効領域全体を覆う領域に一様に形成される。よって，補助電極と比較して，位置合わせにおける誤差が許容され得る。よって，補助電極よりも共通陰極の位置合わせの誤差が問題となる。したがって，共通電極の誤差を吸収可能なように基板上において周辺領域の幅（いわゆる，「額縁領域」）を十分に確保することが望ましく，装置の小型化の妨げとなっていた。

【０００４】

また，発光素子の発光を制御するためのトランジスタなどの回路素子は，共通電極や補助電極の下層に配置される。このため，共通電極および補助電極との間に絶縁層を設けて，共通電極および補助電極を回路素子から絶縁する。ところが，絶縁層が段差を含む場合には，その段差と重なる上層部分で電極に断線や亀裂が生じるおそれがある。断線や亀裂が生じた箇所では電極の抵抗値が増加するので，発光素子の輝度ムラが顕著となる。

本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり，発光装置の額縁領域を縮小するとともに，発光素子の輝度ムラを抑制するこが可能な発光装置を提供することを解決課題とする。

【課題を解決するための手段】

【０００５】

上記課題を解決するため，本発明の第１の発光装置は，基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し，前記各発光素子は第１電極と第２電極と両者の間にある発光層とを有し，前記第２電極は前記複数の発光素子に共通に設けられ，前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層を有する発光装置であって，前記第２電極と電気的に接続した補助電極と，前記素子層の上層に配置されるとともに，前記第２電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有し，前記第２電極および前記補助電極を前記回路素子から絶縁するための絶縁層とを有し，前記第２電極は，前記有効領域を覆い，前記周辺領域にはみだして一様に形成され，前記補助電極は，前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通り，前記周辺領域の一部に形成され，前記周辺領域において，前記第２電極の端は，前記基板の面内において前記補助電極の端および前記絶縁層の端の各々よりも内側に位置する。

【０００６】

本発明の発光装置においては，補助電極の端は共通電極の端よりも外側に配置される。また，補助電極は，有効領域においては，発光素子の間隙の領域を通るように形成される。このため，高精度な位置合わせ機構を用いて形成されるのが望ましい。これに対し，共通電極は有効領域全体を覆う領域に一様に形成されるから，共通電極の形成に際しては，位置合わせ精度が補助電極ほど要求されない。すなわち，補助電極は共通電極よりも小さな誤差で形成される場合が多い。よって，本発明によれば，共通電極の端を補助陰極の端よりも外側に配置する構成と比較して，補助電極の誤差に応じて額縁領域を縮小することができ，装置の小型化が可能となる。そして，補助電極は，第２電極よりも抵抗が低くなるように構成される。特に，補助電極は，第２電極よりも低抵抗の材料で形成されることが好ましい。」

（イ） 「【発明を実施するための最良の形態】

【００１４】

以下，添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお，図面においては，各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。

＜Ａ－１：第１実施形態＞

続きを表示（全14行）

図１(Ａ）は，本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図であり，図１(Ｂ）は図１(Ａ）の状態の後に補助電極１５０および画素電極７６をさらに形成した状態を示す平面図である。図１(Ａ）に示すように，この発光装置１は，基板１０とフレキシブル基板２０とを備える。・・・（中略）・・・

【００１５】

基板１０には，有効領域Ａと，その外側（つまり基板もしくは基板１０の外周と有効領域Ａの間）の周辺領域Ｂが設けられている。周辺領域Ｂには走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ，ならびにプリチャージ回路１２０が形成されている。・・・（中略）・・・

【００１６】

有効領域Ａには，複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され，それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯＬＥＤ（organic light emitting diode）素子を含み，電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は第１電極用電源線１３０に接続されている。

・・・（中略）・・・

【００２０】

発光素子７０は，画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層を含む）７４を有する（図４参照）。共通電極７２は，図１(Ｂ）に示すように有効領域Ａ全体と周辺領域Ｂの一部にわたる領域（第１の領域）に形成される。また，共通電極７２と第２電極用電源線１４０とを接続する補助電極１５０が，周辺領域Ｂにおいて周辺回路を覆うように形成される。補助電極１５０は，有効領域Ａに設けられる補助電極の第１部分１５０ａと，周辺領域Ｂに設けられる補助電極の第２部分１５０ｂとを含んでいる。有効領域Ａでは補助電極１５０の第１部分１５０ａと画素電極７６とが接触しないように，補助電極１５０の第１部分１５０ａが格子状に形成されている。つまり発光素子７０の間隙に補助電極１５０の第１部分１５０ａが配置されている。本明細書でいう補助電極とは，共通電極７２に重ねて電気的に接続され，共通電極７２の抵抗を下げる導体のことである。明確化のため，図３に，図１(Ｂ）の一部を拡大して示す。

【００２１】

この実施形態の発光装置１は，トップエミッションの形式で構成されており，発光機能層７４からの光が共通電極７２を通過して射出される。共通電極７２は，透明材料から形成されている。このため，周辺領域Ｂを共通電極７２によって遮光することはできない。一方，上述した補助電極１５０には，導電性および遮光性を有する金属が用いられるため，補助電極１５０によって遮光が可能である。これにより，周辺回路に光が入射して光電流が発生することを抑制できる。また，補助電極１５０は，有効領域Ａの画素電極７６と同一の工程で形成され得る。したがって，周辺領域Ｂに遮光性を付加するために特別な工程は不要である。」

【００２２】

図４に発光装置１の部分断面図を示す。同図において，有効領域Ａには発光素子７０が形成される一方，周辺領域Ｂには周辺回路たる走査線駆動回路１００Ａが形成される。同図において発光装置１の上面が光を射出する射出面となる。・・・（中略）・・・

【００２９】

第２層間絶縁膜３５上には，有効領域Ａで画素電極７６（第１電極）および補助電極の第１部分１５０ａを形成すると同時に，周辺領域Ｂに補助電極の第２部分１５０ｂを形成する。即ち，画素電極７６と補助電極１５０とは同一の層において，同一の材料を用いて同時に形成される。この実施形態における画素電極７６は発光素子７０の陽極であり，発光素子７０ごとに相互に離間して形成されて，第２層間絶縁膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してトランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される。・・・（中略）・・・

【００３１】

補助電極１５０は，有効領域Ａにおいて複数の発光素子７０の間隙を通るように格子状に形成され（第１部分１５０ａ），周辺領域においては第２層間絶縁膜３５が形成された第２の領域が，共通電極７２が形成された第１の領域よりもはみ出した側（本実施形態では基板１０の左右両辺および上辺側）において，第１の領域の内側と第１の領域の外側であって且つ第２の領域の内側である領域とを通り第２の領域の外側に至るように形成される（第２部分１５０ｂ）。補助電極１５０は，周辺領域Ｂにおいて，回路保護膜３４に形成されたコンタクトホールを介して第２電極用電源線１４０と接続される。・・・（中略）・・・

【００３２】

次に，隔壁３７を形成する。隔壁３７は，各画素電極７６の外形縁を隔壁３７により覆うように形成されることにより，開口部３７ａを有する。よって，開口部３７ａの各々の全体は，画素電極７６に重なり，発光機能層７４が形成される前の段階では，開口部３７ａを通して画素電極７６が露出している。隔壁３７は，画素電極７６とその後に形成される共通電極７２（第２電極）との間，もしくは複数の画素電極７６同士の間を絶縁するものである。・・・（中略）・・・

【００３３】

次に，画素電極７６の上に，少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は，低分子材料であっても良いし，高分子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として，正孔注入層，正孔輸送層，電子輸送層，電子注入層，正孔ブロック層，および電子ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。

【００３４】

次に，有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって補助電極１５０および発光機能層７４を覆うように，共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透光性であり，発光素子７０からの光は，共通電極７２を透過して図中上側の方向に射出される。・・・（中略）・・・

【００３６】

また，共通電極７２を形成するに先立って，隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが形成される。このコンタクトホールＣＨを介して有効領域Ａにおいて補助電極の第１部分１５０ａと共通電極７２が接続される。有効領域Ａにおいて格子状に形成される補助電極の第１部分１５０ａ（図１(Ｂ）参照）に共通電極７２が接続されることにより，共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができる。これに加えて，補助電極の第２部分１５０ｂは，周辺領域Ｂにおいて隔壁３７により覆われていないため共通電極７２と広い面積で面接触するので，接続抵抗を下げることができる。したがって，電源インピーダンスを大幅に低減することが可能となる。」

（ウ） 「【００５４】

（２）上記第１～第４実施形態においては，第２電極用電源線１４０が周辺領域Ｂにコの字状に形成された態様について説明したが，これに限られず適宜変形が可能である。

各図１２および図１３は，本変形例に係る各発光装置のレイアウトの概略を説明するための図である。これらの図において，上述した実施形態と共通する部分については同一の符号を付し，その説明は適宜省略する。

【００５５】

続きを表示（全20行）

図１２の（Ａ）に示すように，発光装置３Ａにおいては，基板１０の対向する２辺の各辺縁部に沿って第２電極用電源線１４０が配設される。さらに，残る２辺の一方の辺に沿う領域に信号入力端子Ｇが配設され，当該信号入力端子Ｇの基板１０の面内における内側には第１電極用電源線１３０が配設される。第２電極用電源線１４０の内側には有効領域Ａに沿って走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂが各々有効領域Ａに沿って配置され，電源線１４０によって給電されるとともに，信号入力端子Ｇを介して外部からの制御信号が与えられる。また，第１電極用電源線１３０の内側にはデータ線駆動回路２００が有効領域Ａに沿って配置される。データ線駆動回路２００は，第１電極用電源線１３０から給電されつつ信号入力端子Ｇを介して外部からの制御信号を受け取り，各データ線に与える。

・・・（中略）・・・

【００５７】

補助電極は，信号入力端子Ｇが配設される辺と同じ方向を長手とするストライプ状の個別電極１５０ｃとして形成される。詳細には，個別電極１５０ｃは有効領域Ａにおいては発光素子Ｐの間隙を通り，周辺領域Ｂにおいては第１の領域の内側と第１の領域の外側であって且つ第２の領域の内側である領域とを通り，第２の領域の外側に至り，第２電極用電源線１４０と重なる領域まで延びて第２電極用電源線１４０と電気的に接続する。すなわち，その端は，第２層間絶縁膜３５の端よりも外側であり，且つ，共通電極７２の端よりも外側に位置する。本変形例によっても，上述した各実施形態と同様の効果が得られる。

【００５８】

次に，図１２の（Ｂ）に示されるように，発光装置３Ｂは，走査線駆動回路とデータ線駆動回路の位置が逆転している点を除いて，発光装置３Ａと同様の構成をしている。すなわち，発光装置３Ｂにおいては，走査線駆動回路１００が基板１０の下辺側の周辺領域Ｂにおいて有効領域Ａに沿って配置され，データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂが基板１０の各左辺および右辺側の周辺領域Ｂに配置される。第２電極用電源線１４０は，各データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂの外側に，基板１０の対向する２辺（左右両辺）に沿って配置され，補助電極１５０は，第２電極用電源線１４０と直交する方向（すなわち，信号入力端子Ｇが配設される辺と同じ方向）を長手としたストライプ状に形成される。発光装置３Ａと同様に，補助電極１５０の左右の各端は，共通電極７２の端よりも外側であり，さらに，第２層間絶縁膜３５の端よりも外側に位置し，第２電極用電源線１４０と重なり接するように形成される。よって，発光装置３Ｂによっても，上述した実施形態と同様の効果が得られる。

・・・（中略）・・・

【００６０】

図１３の（Ａ）および（Ｂ）に，発光装置の他のレイアウト例を示す。図１３の（Ａ）に示されるように，発光装置４Ａにおいては，基板１０の下辺縁に沿って信号入力端子Ｇが配設され，その内側に第２電極用電源線１４０がコの字状に配設される。さらに，第２電極用電源線１４０の内側には第１電極用電源線１３０がコの字状に配設され，この電源線１３０と有効領域Ａとの間にデータ線駆動回路２００が配設される。走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂは有効領域Ａの左右各辺に沿う領域に各々配設される。

・・・（中略）・・・

【００６２】

図示のように，補助電極は，走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂと平行な方向を長手として延在するストライプ状の個別電極１５０ｅとして形成される。基板１０の下端側における個別電極１５０ｅの端は，第２電極用電源線１４０と重なって接するように形成される。なお，この例において，個別電極１５０ｅは第１電極用電源線１３０と交差しているが，第１電極用電源線１３０と第２電極用電源線１４０とを別々の層で形成することにより，個別電極１５０ｅが第１電極用電源線１３０と接することなく第２電極用電源線１４０とのみ接するように形成する。同様に，共通電極７２と第１電極用電源線１３０とは重なるが，第１電極用電源線１３０と第２電極用電源線１４０とを別々の層で形成することで，共通電極７２と第１電極用電源線１３０とが電気的に接触しない構成とすることができる。一方，基板１０の上端側における個別電極１５０ｅの端は，共通電極７２の端個別電極１５０ｅよりも外側であり，さらに，第２層間絶縁膜３５の端（第２の領域）よりも外側に位置するように形成される。よって，発光装置４Ａによっても，上述した各実施形態と同様の効果が得られる。

【００６３】

次に，図１３の（Ｂ）に示されるように，発光装置４Ｂは，走査線駆動回路とデータ線駆動回路の位置が逆転している点を除いて，発光装置４Ａと同様の構成をしている。すなわち，発光装置４Ｂにおいては，走査線駆動回路１００が基板１０の下辺側の周辺領域Ｂにおいて有効領域Ａに沿って配置され，データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂが基板１０の各左辺および右辺側の周辺領域Ｂに配置される。第２電極用電源線１４０は，基板１０下端側において信号入力端子Ｇよりも内側にコの字状に配置され，補助電極１５０は，データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂと平行な方向を長手としたストライプ状に形成される。発光装置４Ａと同様に，補助電極１５０の上下の各端は，共通電極７２の端よりも外側にであり，且つ，第２層間絶縁膜３５の端よりも外側に位置するとともに，下端は，第２電極用電源線１４０と重なり接するように形成される。よって，発光装置４Ｂによっても，上述した実施形態と同様の効果が得られる。

【００６４】

図１２（Ａ），図１２（Ｂ），図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように，周辺領域Ｂにおいて，補助配線１５０は，第２電極用電源線１４０の延在方向に対し交差する方向に，ストライプ状に延在している。即ち，図１乃至図３では，補助配線１５０ｂは第２電極用電源線１４０の延在方向にも延在しているが，第２電極用電源線１４０の延在方向に対して交差する方向にのみ延在させてもよい。換言すれば，補助配線１５０は，第２電極用電源線１４０の延在方向と平行に形成される必要は必ずしもなく，第２電極用電源１４０と交差するように形成されていればよい。」

（エ） 「【図面の簡単な説明】

【００７０】

【図１】（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり，（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に補助電極および画素電極をさらに形成した状態を示す平面図である。

【図２】同装置の画素回路の詳細を示す回路図である。

続きを表示（全24行）

【図３】図１(Ｂ）の一部の拡大図である。

【図４】同装置の部分断面図である。

・・・（中略）・・・

【図１２】本発明の変形例に係る発光装置のレイアウトの概略である。

【図１３】本発明の変形例に係る発光装置のレイアウトの概略である。

・・・（中略）・・・

【図１】

［図：0001407059000011.jpg］

【図２】

［図：0001407059000012.jpg］

【図３】

［図：0001407059000013.jpg］

【図４】

［図：0001407059000014.jpg］

・・・（中略）・・・

【図１２】

［図：0001407059000015.jpg］

【図１３】

［図：0001407059000016.jpg］

」

イ 引用文献３の記載

引用文献３は，本件優先日前である平成１４年１０月３１日に頒布された刊行物であって，当該引用文献３には，次の記載がある。（下線は，後述する周知事項の認定及び判断に特に関係する箇所を示す。）

（ア） 「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置等の平面表示装置およびその製造方法に係り，特に各表示素子にスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】・・・（中略）・・・

続きを表示（全16行）

【０００４】有機ＥＬ表示装置は，有機ＥＬパネルと有機ＥＬパネルを駆動する外部駆動回路から構成される。有機ＥＬパネルはガラス等の支持基板上に，第１電極と，第１電極と対向して配置される第２電極と，これら電極間に有機発光層を備えた表示素子をマトリクス状に配置して構成される表示領域と，外部駆動回路からの信号に基づいて各表示素子を駆動する駆動回路領域とから構成される。

【０００５】この有機ＥＬ表示装置のＥＬ発光を外部に取り出す方式には，支持基板を介して外部に取り出す下面発光方式と，支持基板と対向する側に取り出す上面発光方式とがある。

【０００６】アクティブマトリクス型の下面発光方式の有機ＥＬ表示装置は，有機発光層の下部にＥＬ発光の透過を阻止する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の回路が配置されるため，十分な開口率を確保することが難しく，このため光利用効率の向上が課題となっている。

【０００７】これに対して，上面発光方式の有機ＥＬ表示装置は，支持基板と対向する側にＥＬ発光を取り出すため，支持基板側に配置される回路に制約されずに開口率を決定されるため，高い光利用効率の確保が可能となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで平面表示装置においては，光取出し側にある電極に光透過性の導電膜を用いることが必須であり，上面発光方式でアクティブマトリクス型を採用する場合には，光取出し側に配置される共通電極を光透過性の導電膜で作成する必要がある。ところが一般に，光透過性を有する透明導電材料は，通常の金属材料と比較して抵抗率が２－３桁程度高いことが知られている。

【０００９】このため，光取出側の電極の画面面内で電極電圧が不均一となることがあり，表示品位を低下させる原因となっていた。

【００１０】このことは，特に画面サイズが大きくなるほど顕著であり，このため画面サイズに制約が生じる等の問題もあった。

【００１１】本発明は，上記技術課題に対してなされたもので，表示面内で表示ムラの少ないアクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法を提供することを目的としている。

【００１２】また本発明は，表示品位が画面サイズの制約を受けないアクティブマトリクス型平面表示装置を提供することを目的とし，またその生産性を損なうことのない製造方法を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は，基板上に配置される複数の走査信号線と，前記走査信号線に略直交して配置される複数の映像信号線と，これら交点付近に配置されるスイッチング素子と，前記スイッチング素子に接続され，第１電極および第２電極間に独立島状に形成される光変調層を備えた表示素子がマトリクス状に配置されるアクティブマトリクス型平面表示装置において，前記第１電極と同層に形成され，かつ前記第１電極とは電気的に絶縁され，前記第２電極と電気的に接続された補助配線とを備えたことを特徴とする。」

（イ） 「【００１４】

【発明の実施の形態】以下，本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型平面表示装置として自己発光型のディスプレイ，有機ＥＬ表示装置を例にとり，図面を用いて詳細に説明する。図１は，この実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１の概略平面図で，図２は，図１の表示領域の一部を拡大した一部概略平面図，図３は，図２のＡ－Ａ線に沿って切断した時の断面図である。

【００１５】有機ＥＬパネル２の表示領域について詳しく説明すると，この実施形態では１０．４型サイズの表示領域が構成され，ガラス等の絶縁基板１０１上に映像信号線１０９と走査信号線１０７とがマトリクス状に配置され，その交差部にスイッチング素子ＳＷ１としてｎ型ＴＦＴ，映像信号電圧保持用コンデンサ１１０，駆動用制御素子ＳＷ２としてｐ型ＴＦＴ，有機ＥＬ表示素子Ｐが形成される。

【００１６】有機ＥＬ表示素子Ｐは，駆動用制御素子ＳＷ２に接続された光反射性導電膜からなる第１電極１１７と，第１電極１１７上に配置される有機発光層１２１と，有機発光層１２１を介して第１電極１１７に対向配置された第２電極１２２と，を備えている。尚，有機発光層１２１は，各色共通に形成されるホール輸送層，エレクトロン輸送層，及び各色毎に形成される発光層の３層積層で構成されてもよく，機能的に複合された２層または単層で構成されてもよい。この有機発光層１２１は，各表示素子Ｐを分離する黒色レジスト材料からなる厚さ３μｍの隔壁１２０の開口部１２０ｂから露出される第１電極１１７上に配置される。

【００１７】この有機ＥＬ表示装置１は第２電極１２２側を表示面とした上面発光方式であり，有機ＥＬ表示素子Ｐの第２電極１２２は，光透過性を有する導電膜で構成される。光透過性導電膜は，材料自体の透明度が高い透明導電材料を用いる，或いは透明度が低い材料を薄く形成して光透過性をもたせるなどして形成できる。ここでは，Ｂａを光透過する程度に薄く，例えば膜厚１０ｎｍに成膜し，透明導電膜として全表示素子にわたって共通に形成した。この光透過性導電膜のシート抵抗はおよそ１０５Ω／□であった。

【００１８】また，図３に示すように第１電極１１７と同層に設けられた補助配線１１８と第２電極１２２とは，隔壁１２０に補助配線１１８を露出するように設けられたコンタクト部１２０ａを介して電気的に接続される。この補助配線１１８は，第１電極１１７とは隔壁１２０にて電気的に絶縁され，各表示素子Ｐの第１電極１１７を囲むよう格子状に設けられており，それぞれ表示領域にわたり互いに連結されている。

【００１９】このように第２電極１２２と電気的に接続される補助配線１１８を表示領域全体に均等に備えるので，光取出し側電極の画面面内での電位のバラツキを抑制することが可能となる。

・・・（中略）・・・

【００２３】本実施例においては，補助配線１１８は，第１電極と同一材料で形成され，Ａｌ，Ｍｏ，ＩＴＯの３層が積層され抵抗率４×１０－６Ωｃｍの導電材料を用いて，シート抵抗１０－１Ω／□となるよう形成されている。このＭｏは，ＩＴＯとＡｌとが直接接触することによる腐食防止のために設けられており，この機能を有するものであればよく，例えばＴｉ，Ｗ等であってもよい。

【００２４】このようにして構成される有機ＥＬ表示装置では，光取出し側電極，ここでは陰極電位の面内ばらつきを従来に比べて十分に低減でき，本実施形態においては１０型サイズ超の画面サイズにも関わらず面内での輝度分布を±３ｃｄ／ｍ２以内に抑えることができた。」

（ウ） 「【００２５】図４（ａ）～（ｅ）は，第２電極電源線と補助配線の配置の例を示しており，図５（ａ）～（ｃ）は，図４の（ａ）～（ｃ）の表示領域の一部を拡大したものである。上述の実施例においては，図４（ａ）に示すように，各表示素子Ｐの第１電極１１７周囲を包囲し，互いに連結されたパターン（図５（ａ））で表示領域に均等に配置された補助配線１１８を設けたが，これに限定されず種々のパターンで形成することができ，少なくとも補助配線１１８と第１電極１１７が電気的に分離され，且つ補助配線１１８と第２電極１２２とが電気的に接続されていればよい。例えば，図４（ｂ）に示すように，表示領域を囲む矩形枠状の第２電極電源線１１９の内部に，マトリクス状に補助配線１１８を形成し，第２電極電源線１１９から遠い矩形枠状の中心部では補助配線１１８を密に形成し，第２電極電源線１１９に近い矩形枠状の内側周辺部分では補助配線１１８を疎に形成し，パネル面内で密度を変化（図５（ｂ））させてもよい。また，補助配線１１８は直線状でなくてもよく，図４（ｃ），（ｄ）に示すように，第１電極１１７の周囲をジグザグ状（図５（ｃ））に形成してもよい。また，図４（ｅ）に示すように，第２電極電源線内側にストライプ状に形成するものでもよい。また，画素のサイズを色毎に変え，隣接第１電極間の距離に対応して大きさが決定される補助配線を設けてもよく，画面サイズ，画素数等の条件により，適宜最適なパターンを採用することができる。

【００２６】このように，第１電極が独立島状に設けられ，第２電極が表示素子にわたって共通に配置されるアクティブマトリクス型を採用するので，第１電極と同層に，隣接画素間で連結した補助配線を設けることができる。

【００２７】また，本発明によれば，隣接する表示素子間に一定電位を持つ補助配線が配設されていることにより，画素間の容量カップリングを軽減できクロストーク等の表示品悪化の原因を取除きより高品位の表面表示装置を達成することができる。

・・・（中略）・・・

【００３０】以上説明したように，本実施形態によれば第２電極に補助配線を接続するので，光取出し側電極全体の抵抗を下げることができ，表示面内で表示ムラを十分に抑制することができる。」

（エ） 「【００５２】

【発明の効果】本発明によれば，表示ムラの発生を抑制し，表示品位の高い平面表示装置を実現することができる。また，製造工程を増大させることなく上記平面表示装置を達成することができる。」

（オ） 「【図面の簡単な説明】

【図１】図１は，本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表示装置の一概略平面図である。

【図２】図２は，本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表示装置の表示領域を示す一部概略平面図である。

【図３】図３は，本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表示装置の表示領域を示す一部概略断面図である。

続きを表示（全18行）

【図４】図４は，本発明の一実施形態を示す補助配線，第２電極電源線を示す平面図である。

【図５】図５は，本発明の一実施形態を示す第１電極，補助配線を示す平面図である。

・・・（中略）・・・

【図１】

［図：0001407059000017.jpg］

【図２】

［図：0001407059000018.jpg］

【図３】

［図：0001407059000019.jpg］

【図４】

［図：0001407059000020.jpg］

【図５】

［図：0001407059000021.jpg］

」

ウ 引用文献２，３の記載から把握される周知の技術事項

前記ア（ア）ないし（エ）及び前記イ（ア）ないし（オ）で摘記した引用文献２及び引用文献３の記載から，次の事項が，本件優先日前に当業者に周知であったと認められる。

「ＯＬＥＤアレイ基板の技術分野において，画素電極と同層に形成されるとともに共通電極と接続される補助電極について，画素電極と電気的に接続されることがない限りはその平面形状を自由に設定できること。」（以下，「周知事項」という。）

５ 対比

（１）本件発明と引用発明の対比

本件発明と引用発明を対比する。

ア 引用発明の「基板１００」，「駆動薄膜トランジスタＱｄ」，「第１電極７１０」，「第２電極７３０」，「有機発光層７２０」，「補助電極７４０」，「『画素定義膜１１６』及び『有機発光層７２０』」，「第２ゲート電極１５５ｂ」，「第２ソース電極１７６ｂ」，「第２ドレイン電極１７７ｂ」，「接触孔７４」，「駆動電圧線１７２」，「データ線１７１」，「ゲート線１２１」及び「前有機発光素子アレイ基板」が，本件発明の「ベース基板」，「駆動トランジスタ」，「第一電極」，「第二電極」，「有機材料機能層」，「補助電極」，「絶縁構造」，「ゲート電極」，「ソース電極」，「ドレイン電極」，「ビア構造」，「電源線」，「データ線」，「ゲート線」及び「有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板」にそれぞれ対応する。

イ 引用発明において，「駆動薄膜トランジスタＱｄ」（本件発明の「駆動トランジスタ」に対応する。以下，本「（１）本件発明と引用発明の対比」欄において，カギ括弧で囲まれた引用発明の構成に続く丸括弧内の文言は，当該引用発明の構成に対応する本件発明の発明特定事項を表す。），「第１電極７１０」（第一電極），「第２電極７３０」（第二電極），「有機発光層７２０」（有機材料機能層），「補助電極７４０」（補助電極），「『画素定義膜１１６』及び『有機発光層７２０』」（絶縁構造）は，「基板１００」（ベース基板）上に積層して形成されるところ，「補助電極７４９」（補助電極）がデータ線１７１及び駆動電圧線１７２（いずれも画素の列数分存在する。）のうちの少なくとも一つと重畳していることから，「補助電極７４９」（補助電極）が画素の列数分存在することは明らかであるから，引用発明は，本件発明の「ベース基板と，前記ベース基板に設置される駆動トランジスタ，第一電極，第二電極，有機材料機能層，前記第二電極に接続される複数の補助電極，及び前記第二電極と前記補助電極との間に設置される絶縁構造とを備え，」なる発明特定事項に相当する構成を具備している。

ウ 引用発明の「有機発光層７２０」（有機材料機能層）は，「第１電極７１０」（第一電極）上に位置しており，当該「有機発光層７２０」（有機材料機能層）上に「第２電極７３０」（第二電極）が位置しているから，引用基板発明は，本件発明の「前記有機材料機能層は前記第一電極と前記第二電極との間に位置し，」なる発明特定事項に相当する構成を具備している。

エ 引用発明の「駆動薄膜トランジスタＱｄ」は，「第２ゲート電極１５５ｂ」（ゲート電極），「第２ソース電極１７６ｂ」（ソース電極），「第２ドレイン電極１７７ｂ」（ドレイン電極）及び第２半導体１３５ｂを有しており，「第１電極７１０」（第一電極）が接触孔８２を通じて「第２ドレイン電極１７７ｂ」（ドレイン電極）と連結されているから，引用発明は，本件発明の「前記駆動トランジスタは，ゲート電極，ソース電極及びドレイン電極を備え，前記第一電極は前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続され，」なる発明特定事項に相当する構成を具備している。

オ 引用発明において，「第１電極７１０」（第一電極）と「補助電極７４０」（補助電極）は，ともに，第２層間絶縁膜１８０の上に形成されているから，引用発明は，本件発明の「前記補助電極は前記第一電極と同層に設置され，」なる発明特定事項に相当する構成を具備している。

カ 前記イで述べたように，引用発明において，「補助電極７４０」（補助電極）が複数存在することは明らかであるところ，「第２電極７３０」（第二電極）と複数の「補助電極７４９」（補助電極）が，複数の「接触孔７４」（ビア構造）を通して「第２電極７３０」（第二電極）と接続されることは明らかであるから，引用発明は，本件発明の「前記絶縁構造に複数のビア構造が設置され，前記第二電極は，それぞれ前記複数の補助電極に接続され，」なる発明特定事項に相当する構成を具備している。（なお，仮に，当該発明特定事項が，各補助電極がそれぞれ複数のビア構造を通して第二電極と接続されることを意味しているのだとしても，引用文献１の図２から看取されるように，引用基板発明の各補助電極７４０も，それぞれ複数の接触孔７４を通して第２電極７３０に接続されるとものと認められるから，当該発明特定事項が相違点となることはない。）

キ 引用発明の「有機発光素子アレイ基板」は，「駆動電圧線１７２」（電源線）及び「データ線１７１」（データ線）を有する「有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板」であるといえるから，本件発明と引用発明は，「電源線及びデータ線を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板であって，」なる発明特定事項に相当する構成を具備している。

ク 引用発明の「有機発光素子アレイ基板」（有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板）において，「ゲート線１２１」（ゲート線）は，ほぼ行方向に延びており，「データ線１７１」（データ線）の垂直方向部分は，ほぼ列方向に伸びていて，両者が交差していることは明らかであるから，引用発明「有機発光素子アレイ基板」（有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板）は，「データ線１７１」（データ線）及び「駆動電圧線１７２」（電源線）のほかに，「データ線１７１」（データ線）と交差する「ゲート線１２１」（ゲート線）をさらに含んでいるといえる。

また，引用発明の「補助電極７４０」（補助電極）は，データ線１７１及び駆動電圧線１７２に沿って長く形成されているから，その平面形状は，「ストリップ形状」であるといえる。

したがって，本件発明と引用発明は，「前記ＯＬＥＤアレイ基板が，前記データ線と交差するゲート線をさらに含み，前記補助電極の少なくとも１つの平面形状がストリップ形状であ」る点で一致する。

ケ 引用発明の「第１電極７１０」（第一電極）は，第２層間絶縁膜１８０の上に，ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして形成されたものであるところ，ＩＴＯ及びＡｇは，本件発明の「透明導電酸化物」及び「金属導電材料」に相当するから，引用発明は，本件発明の「前記第一電極が，金属導電材料の層が透明導電酸化物の２つの層の間に挟まれた構造である，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板。」なる発明特定事項に相当する構成を具備している。

（２）一致点及び相違点

ア 前記（１）アないしケに照らせば，本件発明と引用発明は，

「ベース基板と，

前記ベース基板に設置される駆動トランジスタ，第一電極，第二電極，有機材料機能層，前記第二電極に接続される複数の補助電極，及び前記第二電極と前記補助電極との間に設置される絶縁構造とを備え，

前記有機材料機能層は前記第一電極と前記第二電極との間に位置し，

前記駆動トランジスタは，ゲート電極，ソース電極及びドレイン電極を備え，前記第一電極は前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続され，

前記補助電極は前記第一電極と同層に設置され，

前記絶縁構造に複数のビア構造が設置され，前記第二電極は，それぞれ前記複数の補助電極に接続され，

電源線及びデータ線を有する，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板であって，

前記ＯＬＥＤアレイ基板が，前記データ線と交差するゲート線をさらに含み，前記補助電極の少なくとも１つの平面形状がストリップ形状であり，

前記第一電極が，金属導電材料の層が透明導電酸化物の２つの層の間に挟まれた構造である，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイ基板。」

である点で一致し，次の点で相違する。

相違点１：

本件発明では，ベース基板における補助電極の少なくとも１つの正射影が，ベース基板における電源線及びデータ線の正射影と交差し，補助電極の少なくとも１つの延伸方向が，ゲート線の延伸方向と同じであるのに対して，

引用発明では，補助電極７４０が，データ線１７１及び駆動電圧線１７２のうちの少なくとも一つと重畳しこれらに沿って長く形成されていて，交差しておらず，補助電極７４０の延伸方向は，ゲート線１２１と交差する列方向である点。

イ 請求人は，令和５年４月２４日に提出した意見書において，引用文献１は，“前記第一電極が，金属導電材料の層が透明導電酸化物の２つの層の間に挟まれた構造である”という特徴を開示していないなどと主張するが（３ページ６ないし９行），引用文献１の【０１１４】には，ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして形成した第１電極７１０について，記載されているから，当該請求人の主張は，採用できない。

６ 判断

（１）相違点１の容易想到性

前記４（２）ウで認定したとおり，「ＯＬＥＤアレイ基板の技術分野において，画素電極と同層に形成されるとともに共通電極と接続される補助電極について，画素電極と電気的に接続されることがない限りはその平面形状を自由に設定できること。」（周知事項）は，本件優先日前に当業者に周知であった。

ここで，引用発明の補助電極７４０は，第２層間絶縁膜１８０の上にＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを蒸着した後にパターニングして形成するという工程により，画素電極である第１電極７１０とともに形成されたものであり，かつ，共通電極である第２電極に連結された補助電極であるから，第１電極７１０と電気的に接続されることがない限りはその平面形状を自由に設定できることは，前記周知事項を熟知する当業者が，直ちに理解できることである。

そして，引用発明の補助電極７４０の平面形状を，ゲート線１２１の延伸方向である行方向に延伸する形状に変更することによって，格別の技術上の効果を生じるものとは認められない。

そうすると，引用発明において，ゲート線１２１と交差する列方向に延伸する形状に代えて，ゲート線１２１の延伸方向である行方向に延伸する形状を採用すること，すなわち相違点１に係る本件発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは，当業者が適宜なし得た設計変更にすぎない。

（２）効果について

本件発明の効果は，本件優先日当時，本件発明の構成が奏するものとして当業者が予測することができた程度のものであり，当該構成から当業者が予測することができた範囲の効果を超える顕著なものではない。

（３）小括

以上のとおりであるから，本件発明は，引用発明及び周知事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。

７ むすび

前記６（３）のとおり，本件発明は，引用発明及び周知事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本件出願は，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。

よって，結論のとおり審決する。