2021-016063

特願２０１７－ ９０１８２「半導体装置、表示装置、及び、方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１１月２９日出願公開、特開２０１８－１９００７２、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成２９年４月２８日の出願であって、令和２年４月１４日に手続補正書が提出され、令和３年２月８日付けで拒絶理由が通知され、令和３年４月７日に意見書及び手続補正書が提出され、令和３年８月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して令和３年１１月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正書が提出され、その後、令和４年５月１８日付けで当審より拒絶理由が通知され（以下、「当審拒絶理由」という。）、令和４年７月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。 第２ 原査定の概要 原査定（令和３年８月２３日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 理由２（進歩性） 本願請求項１－２０に係る発明は、以下の引用文献１－４に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．特開２００９－２７７１１６号公報 ２．特開２０１２－０４３３９４号公報 ３．特表２００５－５２４９１４号公報 ４．特開２０１１－２１００３８号公報 第３ 当審拒絶理由の概要 当審拒絶理由の概要は次のとおりである。 理由１（明確性） この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 本願の請求項１１には、「前記複数の画素回路」との記載がある（２箇所）が、この記載よりも前に「複数の画素回路」又は「画素回路」の記載が無く、「前記複数の画素回路」が何を指し示しているのかが不明確である。 第４ 本願発明 本願請求項１－２０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」－「本願発明２０」という。）は、令和４年７月２２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１－２０に記載された事項により特定される発明であって、本願発明１は以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 液晶表示パネルの複数の検出電極の静電容量に依存する容量検出データを取得するように構成されたアナログフロントエンドと、 現タッチ検出フレームに対応する第１容量検出データを受け取り、 前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択し、 前記第１容量検出データと選択された前記複数の過去タッチ検出フレームに対応する第２容量検出データとに基づいて、前記現タッチ検出フレームに対応するタッチ検出データを生成するように構成された演算回路と を備える 半導体装置。」 なお、本願発明２－２０の概要は以下のとおりである。 本願発明２－１２は、本願発明１を減縮した発明である。 本願発明１３は、本願発明１に対応する「表示装置」の発明である。 本願発明１４－１８は、本願発明１３を減縮した発明である。 本願発明１９は、本願発明１に対応する方法の発明である。 本願発明２０は、本願発明１９を減縮した発明である。 第５ 引用文献、引用発明等 １ 引用文献１及び引用発明 （１） 引用文献１ 原査定に引用された引用文献１には、以下の記載がある（下線は、特に着目した箇所を示す。以下同様。）。 ア 【図１】 「 ［図：0001388209000001.jpg］ 」 イ 段落【００１８】－【００２５】 「【発明を実施するための最良の形態】 【００１８】 ＜Ａ：第１実施形態＞ 図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示すブロック図である。 電気光学装置１０は、画素領域１００と、走査線駆動回路２０と、データ線駆動回路３０と、検出回路４０と、制御回路２００と、画像処理回路３００と、Ｖｃｏｍ検出回路４００を備える。画素領域１００には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１０２と、Ｙ方向に延在するｎ本のデータ線１０４が設けられている（ｍとｎは、ともに２以上の自然数）。各画素回路Ｐは、走査線１０２とデータ線１０４との交差に対応する位置に配置される。従って、これらの画素回路Ｐはｍ行×ｎ列のマトリクス状に配列される。また、図示を省略しているが画素領域１００の背面にはバックライトが設けられており、このバックライトからの光が画素領域１００の背面側から各画素回路Ｐを介して出射される。 ・・・（中略）・・・ 【００２２】 Ｖｃｏｍ検出回路４００は、共通電極の電位がハイレベルであるかローレベルであるかを検出し、検出結果を検出信号Ｖdetとして制御回路２００に出力する。なお、共通電極に供給される共通電位Ｖｃｏｍは極性信号Ｓｆに基づいて生成されるので、検出信号Ｖdetの代わりに極性信号Ｓｆを用いてもよい。つまり、極性信号Ｓｆを用いることでＶｃｏｍ検出回路４００を省略することが可能である。但し、共通電極には大きな寄生容量が付随するので、電源回路が共通電位Ｖｃｏｍを反転させるように動作しても、実際に共通電位Ｖｃｏｍの電位が反転するまでには時間を要する。従って、Ｖｃｏｍ検出回路４００を用いることで、制御回路２００は正確に共通電位Ｖｃｏｍのレベルを検知できる。 ・・・（中略）・・・ 【００２４】 また、図１に示す符号「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」は、各画素回路Ｐの表示色を示す。本実施形態においては、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の各色を表示色とする３個の画素回路Ｐが１つの組Ｃを構成し、この１つの組Ｃごとに１個のセンシング回路６０が設けられている。つまり、画素領域１００には、全部でｍ×ｎ／３個のセンシング回路６０が設けられている。各センシング回路６０は、後述する接触検出用容量素子の容量値に応じた大きさの検出信号Ｔを出力する。検出回路４０は、各センシング回路６０から出力された検出信号Ｔを信号処理し、１画面分のｍ×ｎ／３個の容量値を得る。また、検出回路４０は、このようにして得られた１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を制御回路２００に出力する。 【００２５】 図２は、センシング回路６０の構成を示す回路図である。 センシング回路６０は、リセットトランジスタ６１と、増幅トランジスタ６２と、選択トランジスタ６３と、基準容量素子Ｃｒと、接触検出用容量素子Ｃｌを備える。リセットトランジスタ６１のゲートには、第１制御線７２を介してリセット信号ＲＥＳが供給される。リセットトランジスタ６１のドレインは電源線７０に接続され、そのソースは増幅トランジスタ６２のゲートと接続される。また、電源線７０には電源電位ＶＲＨが供給される。増幅トランジスタ６２のドレインは電源線７０に接続され、そのソースは選択トランジスタ６３のドレインに接続される。選択トランジスタ６３のソースは検出線７４に接続され、そのゲートには第２制御線７６を介して選択信号ＳＥＬが供給される。増幅トランジスタ６２のゲートと第１制御線７２との間には、基準容量素子Ｃｒが備わる。また、接触検出用容量素子Ｃｌの第１電極６４には共通電位Ｖｃｏｍが供給され、第２電極６５は増幅トランジスタ６２のゲートに接続される。」 ウ 【図１２】 「 ［図：0001388209000002.jpg］ 」 エ 段落【００４２】 「【００４２】 ここで、液晶５７に印加される電圧の極性を、画素電極５３の電位が共通電極５５の電位よりも高電位となる場合を「正極性」、画素電極５３の電位が共通電極５５の電位よりも低電位となる場合を「負極性」とすると、画素回路Ｐ（ｉ，ｊ）の液晶５７に印加される電圧の極性は、図１１に示すように、奇数フレームの場合に正極性（＋）、偶数フレームの場合に負極性（－）となる。また、Ｖ反転方式では、同一フレームにおける全ての画素回路Ｐにおいて液晶５７に印加される電圧の極性が共通し、隣接するフレーム間で印加電圧の極性が反転する。」 オ 【図１３】 「 ［図：0001388209000003.jpg］ 」 カ 段落【００４４】－【００５２】 「【００４４】 次に、タッチ判定に係る電気光学装置１０の動作について説明する。 図１３（ａ）に示す初期化処理が開始されると、まず、制御回路２００は、検出回路４０および各センシング回路６０を制御して、共通電位Ｖｃｏｍがローレベル（ＧＮＤ）である場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第１基準容量データとして制御回路２００内に設けられた第１記憶部（図示省略）に記憶する（ステップＳ１０１）。なお、ステップＳ１０１では、図１２に示した奇数フレーム中の期間Ｔｓ（＋）において１画面分の容量値を検出することになる。 ・・・（中略）・・・ 【００４６】 次に、制御回路２００は、検出回路４０および各センシング回路６０を制御して、共通電位Ｖｃｏｍがハイレベル（２Ｖ）である場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第２基準容量データとして第１記憶部に記憶する（ステップＳ１０２）。なお、ステップＳ１０２では、図１２に示した偶数フレーム中の期間Ｔｓ（－）において１画面分の容量値を検出することになる。このステップＳ１０２の処理について具体的に説明すると、まず、制御回路２００は、フレーム同期信号が立ち下るタイミングで、共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルであるかローレベルであるかを検出し、共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルであると検出した場合に、検出開始信号を検出回路４０に出力する。以降、検出回路４０において１画面分の容量値を出力するまでの処理は、上述したステップＳ１０１と同様であるため説明を省略する。制御回路２００は、１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出回路４０から得ると、これを第２基準容量データとして第１記憶部に記憶する。 【００４７】 なお、第１記憶部に記憶された第１基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｌｏｗ）と第２基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｈｉ）が、タッチ判定を行う際に比較の基準となる１画面分の容量値になる。また、以上説明した初期化処理は、例えば、電気光学装置１０の電源投入時や、初期化処理の開始を指示するボタン操作がユーザによって行われた時、あるいは表示画像が切り替わる時や、所定の時間間隔ごとに実行される。そして、この初期化処理により、対象物が画面に接触していない基準状態において検出された第１基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｌｏｗ）と第２基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｈｉ）が第１記憶部に記憶される。 【００４８】 次に、図１３（ｂ）に示すタッチ判定処理は、タッチ入力機能がオンの状態、すなわち指やタッチペンによるタッチ入力を受け付ける期間において定期的に実行される。このタッチ判定処理が開始されると、まず、制御回路２００は、フレーム同期信号が立ち下るタイミングで、共通電位Ｖｃｏｍがローレベルであるか否かを判定する（ステップＳ２０１）。制御回路２００は、共通電位Ｖｃｏｍがローレベルであると判定すると（ステップＳ２０１：ＹＥＳ）、共通電位Ｖｃｏｍがローレベルである場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第１対象容量データとして制御回路２００内に設けられた第２記憶部（図示省略）に記憶する（ステップＳ２０２）。このステップＳ２０２の処理により、タッチ入力機能がオンの状態において検出された１画面分の容量値（Ｖｃｏｍ＝Ｌｏｗ）が第１対象容量データとして第２記憶部に記憶される。 【００４９】 次に、制御回路２００は、第１記憶部から第１基準容量データを読み出し、ステップＳ２０２において検出された第１対象容量データとの差分を算出する（ステップＳ２０３）。第１基準容量データと第１対象容量データは、ともに共通電位Ｖｃｏｍがローレベルの場合に検出された１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）である。差分データを算出する際には、１画面分の容量値について、同じセンシング回路６０で検出された容量値同士が比較され、全部でｍ×ｎ／３個の差分データが算出される。 【００５０】 一方、制御回路２００は、ステップＳ２０１において共通電位Ｖｃｏｍがローレベルでないと判定した場合（ステップＳ２０１：ＮＯ）、すなわち共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルである場合は、共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルである場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第２対象容量データとして第２記憶部に記憶する（ステップＳ２０４）。このステップＳ２０４の処理により、タッチ入力機能がオンの状態において検出された１画面分の容量値（Ｖｃｏｍ＝Ｈｉ）が第２対象容量データとして第２記憶部に記憶される。 【００５１】 次に、制御回路２００は、第１記憶部から第２基準容量データを読み出し、ステップＳ２０４において検出された第２対象容量データとの差分を算出する（ステップＳ２０５）。第２基準容量データと第２対象容量データは、ともに共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルの場合に検出された１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）である。差分データを算出する際には、１画面分の容量値について、同じセンシング回路６０で検出された容量値同士が比較され、全部でｍ×ｎ／３個の差分データが算出される。【００５２】 この後、制御回路２００は、算出した差分データ（ｍ×ｎ／３個）の各々を予め定められたタッチ判定用の閾値と比較し、比較結果に基づいて、指やタッチペン等の対象物が画面に接触したか否かを判定する（ステップＳ２０６）。例えば、制御回路２００は、閾値を超える差分データの個数を計数し、計数値が所定値以上の場合にタッチがあると判定する一方、計数値が所定値未満の場合にタッチがないと判定する。また、画面に対する指やタッチペンの接触面積と、画面におけるセンシング回路６０の配列密度から、閾値を超える差分データの個数について上限値と下限値を定めておき、上述した計数値が上限値と下限値によって定まる範囲内の値である場合にタッチがあると判定する一方、計数値が上述した範囲内の値でない場合にタッチがないと判定してもよい。」 （２） 引用発明 したがって、上記引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という 。）が記載されていると認められる。 「電気光学装置１０は、画素領域１００と、走査線駆動回路２０と、データ線駆動回路３０と、検出回路４０と、制御回路２００と、画像処理回路３００と、Ｖｃｏｍ検出回路４００を備え、 画素領域１００には、Ｘ方向に延在するｍ本の走査線１０２と、Ｙ方向に延在するｎ本のデータ線１０４が設けられ、 Ｖｃｏｍ検出回路４００は、共通電極の電位がハイレベルであるかローレベルであるかを検出し、検出結果を検出信号Ｖdetとして制御回路２００に出力し、 「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の各色を表示色とする３個の画素回路Ｐが１つの組Ｃを構成し、この１つの組Ｃごとに１個のセンシング回路６０が設けられ、画素領域１００には、全部でｍ×ｎ／３個のセンシング回路６０が設けられ、各センシング回路６０は、接触検出用容量素子の容量値に応じた大きさの検出信号Ｔを出力し、 検出回路４０は、各センシング回路６０から出力された検出信号Ｔを信号処理し、１画面分のｍ×ｎ／３個の容量値を得て、このようにして得られた１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を制御回路２００に出力し、 センシング回路６０は、リセットトランジスタ６１と、増幅トランジスタ６２と、選択トランジスタ６３と、基準容量素子Ｃｒと、接触検出用容量素子Ｃｌを備え、 画素回路Ｐ（ｉ，ｊ）の液晶５７に印加される電圧の極性は、奇数フレームの場合に正極性（＋）、偶数フレームの場合に負極性（－）となり、また、Ｖ反転方式では、同一フレームにおける全ての画素回路Ｐにおいて液晶５７に印加される電圧の極性が共通し、隣接するフレーム間で印加電圧の極性が反転し、 タッチ判定に係る電気光学装置１０の動作について、 初期化処理が開始されると、 制御回路２００は、共通電位Ｖｃｏｍがローレベル（ＧＮＤ）である場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第１基準容量データとして制御回路２００内に設けられた第１記憶部に記憶し（ステップＳ１０１）、 制御回路２００は、共通電位Ｖｃｏｍがハイレベル（２Ｖ）である場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第２基準容量データとして第１記憶部に記憶し（ステップＳ１０２）、 この初期化処理により、対象物が画面に接触していない基準状態において検出された第１基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｌｏｗ）と第２基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｈｉ）が第１記憶部に記憶され、 タッチ判定処理が開始されると、 共通電位Ｖｃｏｍがローレベルであるか否かを判定し（ステップＳ２０１）、 制御回路２００は、共通電位Ｖｃｏｍがローレベルであると判定すると（ステップＳ２０１：ＹＥＳ）、共通電位Ｖｃｏｍがローレベルである場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第１対象容量データとして制御回路２００内に設けられた第２記憶部に記憶し（ステップＳ２０２）、 次に、制御回路２００は、第１記憶部から第１基準容量データを読み出し、ステップＳ２０２において検出された第１対象容量データとの差分を算出し（ステップＳ２０３）、 制御回路２００は、ステップＳ２０１において共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルであると判定した場合（ステップＳ２０１：ＮＯ）、共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルである場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第２対象容量データとして第２記憶部に記憶し（ステップＳ２０４）、 次に、制御回路２００は、第１記憶部から第２基準容量データを読み出し、ステップＳ２０４において検出された第２対象容量データとの差分を算出し（ステップＳ２０５）、 この後、制御回路２００は、算出した差分データ（ｍ×ｎ／３個）の各々を予め定められたタッチ判定用の閾値と比較し、比較結果に基づいて、指やタッチペン等の対象物が画面に接触したか否かを判定する（ステップＳ２０６）、 電気光学装置１０。」 ２ 引用文献２について 原査定に引用された引用文献２には、段落【００７１】に、以下の記載がある。 「【００７１】 まず、液晶ディスプレイ７０が表示オフの時には、各座標（１，１）～（Ｍ，Ｎ）のスキャン基準データのみが取得される。スキャン基準データは、自然発生しているノイズを相殺し、キャリブレーションをかけるために取得される。スキャン基準データは、後に接触情報データを算出する際に利用される。なお、この段階では、液晶ディスプレイ７０は駆動していないので、ノイズ影響は発生していない。」 ３ 引用文献３について 原査定に引用された引用文献３には、段落【００４２】－【００４３】に、以下の記載がある。 「【００４２】 タッチ信号は、力応答タッチセンサ信号の組合せを表わす。センサ信号は、タッチの存在および位置を特定する目的で信号の十分正確な表現を取得できるに足る速度でサンプリングされる。他のサンプリング速度を用いてもよいが、センサ信号は、例えば１８３Ｈｚの速度でサンプリングすることができる。信号はアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）コンバータによりデジタル化され、スケーリング、フィルタリング、および既に決定された較正係数に従う信号補正を含む、各種のデジタル信号処理ステップが実行されてよい。ゼロ押圧力状態を表わす１個以上の基準レベルを、タッチスクリーンに押圧力が加えられていない静止期間中に取得されたタッチ信号サンプルから得ることができる。タッチ位置の計算に用いられる基準レベルは、検知されたタッチ信号の種類に依存する。 【００４３】 これまでの説明において、基準レベルは、タッチ信号データストリームに対する正確なゼロ力基準レベルの現時点での最良推定値を表わす。低周波雑音および長期ドリフトを補償する基準レベルは、比較的長期間にわたる静止タッチ信号を反映している。このような基準レベル（ここではベースライン基準値と称する）は例えば、静止タッチ信号サンプルのリアルタイムの移動加重平均を求めることにより取得できる。」 ４ 引用文献４について 原査定に引用された引用文献４には、段落【００１６】－【００１８】に、以下の記載がある。 「【００１６】 〔１〕＜基準容量値と検出容量値との加重平均による擬似的移動平均＞ 本発明の代表的な実施の形態に係るタッチ判別装置は、夫々容量電極を持つ複数の電極線（２０～３５）と、順次前記複数の電極線への電荷移動に基づいて当該電極線に係る容量値を検出する検出部（４８，５８）と、前記電極線に対する被検体の接触の有無を前記検出部で検出された当該電極線の容量値に基づいて判別する判別部（６０）と、を有する。前記判別部は、前記接触と非接触の判定基準となる基準容量値を前記電極線毎に記憶する記憶回路（１０３）と、前記検出部で検出された容量値と当該容量値に対応する電極線の基準容量値との比較結果に基づいて当該電極線に対する被検体の接触の有無を判定する判定回路（１１４）と、判定回路による判定結果が非接触とされた電極線の基準容量値の更新処理を行う更新処理回路（１１５，１１６，１１７，１１８）とを有する。前記更新処理回路は、当該電極線の検出容量値に０より大きく１未満の重みパラメータＡを乗じた値と、当該電極線に対応する基準容量値に「１－Ａ」を乗じた値との加算結果を基準容量値の更新値とする。 【００１７】 上記によれば、今回の非タッチの測定容量値と対応する基準容量値とを加算するとき、現在の基準容量値には上記大きな重みを与え、今回の測定容量値には上記小さな重みを付与することにより、加算される一つの基準容量値は今回以前の複数の測定容量値の擬似的な移動平均になるという意義があり、複数回分の検出容量値を蓄積してその都度移動平均を採るのと実質的に同じ結果を得ることができ、しかも、必要なデータを保持するための記憶エリアを著しく小さくでき、且つ演算処理も簡単になる。 【００１８】 〔２〕＜基準容量値の更新条件＞ 項１のタッチ判別装置において、前記更新処理回路は、前記電極線の検出容量値と当該電極線に対応する基準容量値との差分値が更新範囲にあることを条件に基準容量値を更新する。」 第６ 対比・判断 １ 本願発明１について （１） 対比 本願発明１と、引用発明とを対比すると、以下のことがいえる。 ア 引用発明の「センシング回路６０」は、「「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」の各色を表示色とする３個の画素回路Ｐが１つの組Ｃを構成し、この１つの組Ｃごとに１個のセンシング回路６０が設けられ、画素領域１００には、全部でｍ×ｎ／３個のセンシング回路６０が設けられ、各センシング回路６０は、接触検出用容量素子の容量値に応じた大きさの検出信号Ｔを出力し」ており、また、「アナログ」回路素子であることが明らかな、「リセットトランジスタ６１と、増幅トランジスタ６２と、選択トランジスタ６３と、基準容量素子Ｃｒと、接触検出用容量素子Ｃｌ」から構成されているから、本願発明１の「液晶表示パネルの複数の検出電極の静電容量に依存する容量検出データを取得するように構成されたアナログフロントエンド」に相当する。 イ 引用発明の「第１対象容量データ」と、「第２対象容量データ」とは、いずれも、本願発明１の「第１容量検出データ」に対応する。 引用発明の「タッチ判定に係る電気光学装置１０の動作」における「タッチ判定処理」の一連のステップＳ２０１－Ｓ２０６のうち、「ステップＳ２０２」と「ステップＳ２０４」とは、 「制御回路２００は、共通電位Ｖｃｏｍがローレベルであると判定すると（ステップＳ２０１：ＹＥＳ）、共通電位Ｖｃｏｍがローレベルである場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第１対象容量データとして制御回路２００内に設けられた第２記憶部に記憶し（ステップＳ２０２）」、 「一方、制御回路２００は、ステップＳ２０１において共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルであると判定した場合（ステップＳ２０１：ＮＯ）、共通電位Ｖｃｏｍがハイレベルである場合の１画面分の容量値（ｍ×ｎ／３個）を検出し、これを第２対象容量データとして第２記憶部に記憶し（ステップＳ２０４）」、 という処理であるから、本願発明１の「現タッチ検出フレームに対応する第１容量検出データを受け取」る処理に相当する。 ウ 引用発明のステップ「Ｓ２０３」または「Ｓ２０５」で読み出される「第１基準容量データ」または「第２基準容量データ」は、「対象物が画面に接触していない基準状態において検出された第１基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｌｏｗ）と第２基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｈｉ）」であるから、本願発明１のように「タッチが検出された」過去タッチ検出フレームを選択して、このフレームに対応する容量データを読み出すものではない。 また、引用発明のステップ「Ｓ２０３」または「Ｓ２０５」で読み出される「第１基準容量データ」と「第２基準容量データ」は、「共通電位Ｖｃｏｍがローレベル」であるか、「ハイレベル」であるかに応じて、どちらか一方が択一的に読み出されるから、本願発明１のように同一の表示状態の「複数の」過去タッチ検出フレームを選択して、これらのフレームに対応する容量データを読み出すものではない。 よって、引用発明の「タッチ判定に係る電気光学装置１０の動作」における「タッチ判定処理」の一連のステップＳ２０１－Ｓ２０６のうち、「ステップＳ２０３」の前半で、「次に、制御回路２００は、第１記憶部から第１基準容量データを読み出し」ている処理と、「ステップＳ２０５」の前半で、「次に、制御回路２００は、第１記憶部から第２基準容量データを読み出し」ている処理とは、本願発明１の「前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択し」ていることと、「前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の過去タッチ検出フレームを選択し」ている点で共通するといえる。 エ 引用発明の「第１基準容量データ」と、「第２基準容量データ」とは、本願発明１の「第２容量検出データ」に対応する。 引用発明の「制御回路２００」は、本願発明１の「演算回路」に相当する。 よって、引用発明の「タッチ判定に係る電気光学装置１０の動作」における「タッチ判定処理」の一連のステップＳ２０１－Ｓ２０６のうち、「ステップＳ２０３」の後半で「ステップＳ２０２において検出された第１対象容量データとの差分を算出し」ている処理、「ステップＳ２０５」の後半で「ステップＳ２０４において検出された第２対象容量データとの差分を算出し」ている処理、及び、「ステップＳ２０６」で、「この後、制御回路２００は、算出した差分データ（ｍ×ｎ／３個）の各々を予め定められたタッチ判定用の閾値と比較し、比較結果に基づいて、指やタッチペン等の対象物が画面に接触したか否かを判定する（ステップＳ２０６）」という処理を行っていることは、本願発明１の「前記第１容量検出データと選択された前記複数の過去タッチ検出フレームに対応する第２容量検出データとに基づいて、前記現タッチ検出フレームに対応するタッチ検出データを生成するように構成された演算回路」と、「前記第１容量検出データと選択された前記過去タッチ検出フレームに対応する第２容量検出データとに基づいて、前記現タッチ検出フレームに対応するタッチ検出データを生成するように構成された演算回路」である点で共通するといえる。 オ 引用発明の「タッチ判定に係る電気光学装置１０」は、本願発明１の「半導体装置」に相当する。 （２） 一致点、相違点 よって、本願発明１と引用発明との一致点・相違点は次のとおりであると いえる。 ［一致点］ 「液晶表示パネルの複数の検出電極の静電容量に依存する容量検出データを取得するように構成されたアナログフロントエンドと、 現タッチ検出フレームに対応する第１容量検出データを受け取り、 前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の過去タッチ検出フレームを選択し、 前記第１容量検出データと選択された前記過去タッチ検出フレームに対応する第２容量検出データとに基づいて、前記現タッチ検出フレームに対応するタッチ検出データを生成するように構成された演算回路と を備える 半導体装置。」 ［相違点１］ 「過去タッチ検出フレーム」の選択において、本願発明１では、「前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択し」ているのに対して、引用発明では、「タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む」、同一の表示状態の「複数の」過去タッチ検出フレームを選択することが特定されていない点。 ［相違点２］ 「タッチ検出データ」の生成において、本願発明１では、「前記第１容量検出データと選択された前記複数の過去タッチ検出フレームに対応する第２容量検出データとに基づいて」、タッチ検出データを生成するのに対して、引用発明では、「複数の」過去タッチ検出フレームに対応する第２容量検出データに基づいて、タッチ検出データを生成することが特定されていない点。 （３） 当審の判断 上記［相違点１］について検討する。 本願発明１の［相違点１］に係る、タッチ検出データの生成のために、「前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択」する構成は、上記引用文献１－５には記載されておらず、周知技術であるともいえない。 ここで、引用発明は、「タッチ判定処理」に先立つ「初期化処理」において、「第１基準容量データ」（Ｖｃｏｍ＝Ｌｏｗ）と「第２基準容量データ」（Ｖｃｏｍ＝Ｈｉ）を、タッチ検出のための基準となる値として初期設定するものであって、「この初期化処理により、対象物が画面に接触していない基準状態において検出された第１基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｌｏｗ）と第２基準容量データ（Ｖｃｏｍ＝Ｈｉ）」のいずれかを用いるものであるから、引用発明には、「タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む」、同一の表示状態の「複数の」過去のタッチ検出フレームを、タッチ検出の基準となる値として用いることは開示されていない。 また、引用文献２（上記「第５」、「２」を参照。）には、タッチスクリーンの制御において、ゲート線の駆動が行われない表示状態を含むように制御する周知技術は記載されるが、本願発明１の［相違点１］に係る、タッチ検出データの生成のために、「前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択」するという構成は記載されていない。 さらに、引用文献３－４（上記「第５」、「３」、「４」を参照。）には、それぞれ、タッチ検出の手法として、検出された静電容量値と、「複数の」過去に取得した容量値とに基づいて、タッチを検出する周知技術が記載されている。 しかしながら、引用文献３－４のものは、「対象物が画面に接触していない基準状態において検出された」基準となる値を用いるものではないから、本願発明１の［相違点１］に係る、タッチ検出データの生成のために、「タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む」、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択するという構成は記載されていない。 よって、本願発明１の［相違点１］に係る構成は、引用文献１－４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 したがって、本願発明１は、相違点２について検討するまでもなく、当業者であっても引用文献１－４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２ 請求項２－２０について 本願発明２－１２、１３－１８、１９－２０のいずれも、本願発明１の上記［相違点１］に係る、タッチ検出データの生成のために、「前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択」するという構成と、（実質的に）同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用文献１－４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 第７ 当審拒絶理由の理由１（明確性）について 当審では、請求項１１に対し、上記「第３」、「理由１」で示した拒絶の理由を通知しているが、令和４年７月２２日になされた手続補正において、請求項１１の「前記複数の画素回路」は、「前記液晶表示パネルの複数の画素回路」と補正された結果、この拒絶理由は解消した。 第８ 原査定についての判断 令和４年７月２２日付けの手続補正により、補正後の請求項１－２０は、本願発明１の上記［相違点１］に係る、タッチ検出データの生成のために、「前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態に応じて、タッチが検出された過去タッチ検出フレームを含む、前記現タッチ検出フレームにおける前記液晶表示パネルの表示状態と同一の表示状態の複数の過去タッチ検出フレームを選択」するという技術的事項を有するものとなった。 当該技術的事項は、原査定における引用文献１－４には記載されておらず、周知技術でもないので、本願発明１－２０は、当業者であっても、原査定における引用文献１－４に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 したがって、原査定を維持することはできない。 第９ むすび 以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。 他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。