2021-014796

本願は、２０１６年（平成２８年）１１月１８日（国内優先権主張 ２０１５年（平成２７年）１１月１８日、以下「優先日」という。）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。

補正の却下の決定、拒絶査定

ア 引用文献１

（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００７－２７７１６号公報（平成１９年２月１日出願公開。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は当審で付した。以下同じ。）

「【０００１】

本発明はレーザダイオード素子のためのパッケージならびにこの種のパッケージを備えたレーザダイオード素子に関する。加えて、本発明はレーザダイオード素子を製作する方法に関する。」

「【０００７】

担体と、該担体上に配置された少なくとも１つの保持装置とを備えた、レーザダイオード素子のためのパッケージが提示される。パッケージは表面実装のために構成されている。保持装置は少なくとも１つの貫通部を有しており、貫通部内には電気的な接続導体が保持されている。」

「【００１２ 】

担体は有利な構成では表側にレーザダイオードチップまたはレーザダイオードバーのための実装領域を有している。その際有利には、レーザダイオードチップまたはレーザダイオードバーが直接的に実装領域に実装されるようになっている。ただし、レーザダイオードチップまたはレーザダイオードバーを間接的に、例えば相応の付加的なホルダを介して実装領域に実装することも可能である。」

「【００３７】

有利な実施形態では、レーザダイオード素子の保持装置上にカバーボディが設置されている。カバーボディは有利には少なくとも１つのビーム透過性の窓を有している。有利には、カバーボディが光学的なエレメントとして形成されている。択一的には、光学的なエレメントがカバーボディ上に配置されている。パッケージの簡単な構造により、カバーボディと、場合によってはカバーボディに結合された光学的なエレメントとが特に精緻にレーザダイオードに対して相対的に調整される。」

「【００５８】

図１に示したレーザダイオード素子１はレーザモジュールである。レーザダイオード素子１は担体２１と保持装置２２とを備えたパッケージ２を有している。

【００５９】

保持エレメントとも呼ばれる保持装置２２はパッケージ２のためのフレームとして形成されている。保持装置２２は、互いに対向して位置する２つの側面に、その都度１つの貫通部５を有している。貫通部５は開口、例えば貫通孔の形で形成されている。貫通部５は保持装置の外側から内側にかけて延在している。フレーム状に形成された保持装置は担体２１の表側（表面）の中央の領域を、キャビティが形成されているように包囲する。このキャビティ内には例えばルミネセンスダイオードチップ（Ｌｕｍｉｎｅｚｅｎｚｄｉｏｄｅｎｃｈｉｐ）３が配置されている。

【００６０】

貫通部５内にはその都度電気的な接続導体４が差し込まれている。接続導体４は充填材５１により貫通部内に固定されている。充填材は例えばガラスを有しているか、またはガラスから成っている。例えば二酸化ケイ素をベースとするガラスは電気的に絶縁性である。その結果、電気的な接続導体４は保持装置２２に対して電気的に絶縁されている。それにより、保持装置２２は、必然的に短絡の危険が接続導体４間に生じることなく、電気的に伝導性の材料を有しているか、またはそのような材料から成っていることができる。

【００６１】

例えば保持装置２２は金属材料、例えばコバルト、ニッケルおよび鉄を有する合金から成っている。特に適しているのは、１７％のコバルト、２９％のニッケルおよび５４％の鉄から成る組成を有する合金である。この合金は低い熱膨張係数を有しており、特にガラス－金属－結合のために適している。択一的には、ニッケルおよび鉄を有する合金が使用されることができる。この合金は例えば４２％のニッケルおよび５８％の鉄から成る組成を有している。」

「【００６８】

担体２１の例示的な構造は特に良好に、図２に示した断面図から見て取れる。図２に示した例では、担体が実質的に４つの担体プレートまたは担体層２１１，２１２，２１３，２１４を有している。担体は例えばＤＣＢ基板（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ－Ｓｕｂｓｔｒａｔ）を有している。ただし、多層の構造の代わりに、担体は例えば唯一の層または唯一のプレートを有していてもよい。唯一の層またはプレートは例えば窒化アルミニウムのようなセラミック材料から成っているか、または金属材料から成っている。窒化アルミニウムはその低い調達コストおよびその高い熱伝導性に基づいて有利である。択一的に、担体は例えばケイ素または炭化ケイ素を有していてもよい。

【００６９】

図２に示した担体は例えば窒化アルミニウムのようなセラミック材料から成る第３の担体層２１３を有している。第３の担体層２１３の表側および裏側は第２の担体層２１２および第４の担体層２１４を有している。第２、第４の担体層は例えば銅のような金属材料を有しているか、またはそのような材料から成っている。

【００７０】

第３の担体層２１３の表側に配置されている第２の担体層２１２上には、例えば第１の担体層２１１が配置されている。第１の担体層２１１はサブマウントとして役立つ。第１の担体層２１１は例えば窒化アルミニウムのような電気的に絶縁性の材料から成っており、その表側に金属層を有している。金属層は例えば金および／またはスズを有している。金属層は例えばレーザダイオードチップ３のための実装面の形の実装領域を形成する。

・・・（略）・・・

【００７２】

別の択一例として、担体が唯一の金属プレートを有していることも可能である。金属材料として、先に保持装置２２との関連で提示したのと同じものが考えられる。」

「【００７８】

その種のカバーボディを備えたレーザダイオード素子１を図３～図５に示す。これらのレーザダイオード素子１はレンズ６１を備えたカバープレート６を有している。カバープレート６とレンズ６１とは例えば同じ材料から成っていることができ、例えば二酸化ケイ素をベースとするか、または二酸化ケイ素から成るガラスから成っていることができる。カバープレート６およびレンズ６１は加えて互いに一体的に形成されていることができる。択一的には、両者が別個の部分として構成されており、レンズ６１がカバープレート６上に載置されていることが可能である。」

図１，２、４および６は、次のとおりである。

「

［図：0001393652000001.jpg］

［図：0001393652000002.jpg］

［図：0001393652000003.jpg］

［図：0001393652000004.jpg］

」

図２から、第１の担体層２１１や第２の担体層２１２が第３の担体層２１３の保持装置２２と接する面から表側に突出した形状を有することが見て取れる。さらに、図４から、カバープレート６が保持蔵置２２の上に設けられることが見て取れる。

（イ）上記（ア）から、引用文献１には、次の技術的事項（以下「引用文献１に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。

ａ 引用文献１に記載された技術は、担体と該担体上に配置された少なくとも１つの保持装置とを備えたパッケージを用いた半導体レーザ素子に関するものであり（【０００１】、【００５８】）、パッケージは表面実装のために構成され、保持装置は少なくとも１つの貫通部を有しており、貫通部内には電気的な接続導体が保持されている。（【０００７】、図１、２、４、６）

ｂ 保持装置はパッケージのためのフレームとして形成され、互いに対向して位置する２つの側面に、その都度１つの貫通部を有し、貫通部は開口、例えば貫通孔の形で形成され、貫通部は保持装置の外側から内側にかけて延在し、フレーム状に形成された保持装置は担体の表側（表面）の中央の領域を、キャビティが形成されているように包囲している。（【００５９】、図１、２、６）

接続導体は充填材により保持装置の貫通部内に固定され、充填材は例えばガラスを有しているか、またはガラスから成っている。（【００６０】）

保持装置は金属材料、例えばコバルト、ニッケルおよび鉄を有する合金、特に適しているのは、１７％のコバルト、２９％のニッケルおよび５４％の鉄から成る組成を有する合金であり、この合金は低い熱膨張係数を有しており、特にガラス－金属－結合のために適している。（【００６１】）。

ｃ 担体は第１～第４の担体層からなる多層の構造を有するか、多層の構造の代わりに、例えば唯一の層または唯一のプレートを有していてもよく、唯一の層またはプレートは例えば窒化アルミニウムのようなセラミック材料から成っているか、または金属材料から成っている。（【００６８】、図２）

多層の構造において、第２、第４の担体層は例えば銅のような金属材料を有しており、（【００６９】）

第３の担体層の表側で突出している第２の担体層上には、第１の担体層が配置され、第１の担体層はサブマウントとして役立ち、第１の担体層は例えば窒化アルミニウムのような電気的に絶縁性の材料から成っており、その表側に金属層を有し、金属層は例えば金および／またはスズを有し、金属層は例えばレーザダイオードチップのための実装面の形の実装領域を形成する。（【００１２】、【００７０】、図２）

（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。

「レーザダイオード素子は担体と保持装置とを備えたパッケージを有し、（【０００１】、【０００７】、図１、２、４，６）

保持装置はパッケージのためのフレームとして形成され、保持装置は少なくとも１つの貫通部を有しており、貫通部内には電気的な接続導体が保持され、フレーム状に形成された保持装置は担体の表側（表面）の中央の領域を、キャビティが形成されているように包囲し、（【００５９】、図１，２）

貫通部内には電気的な接続導体が差し込まれ、接続導体は充填材により貫通部内に固定され、充填材は例えばガラスを有しているか、またはガラスから成っており、（【００６０】）

保持装置は金属材料、例えばコバルト、ニッケルおよび鉄を有する合金、特に適しているのは、１７％のコバルト、２９％のニッケルおよび５４％の鉄から成る組成を有する合金であり、（【００６１】）。

担体は唯一の層またはプレートであって金属材料から成っており（【００６８】、図２）、

表側で 保持装置と接する面から表側に突出した形状を有し、当該突出した形状にレーザダイオードチップの実装領域を有し、（【０００７】、【００７０】）

担体の実装領域に実装されたレーザダイオードチップを有し、（【００７３】）

保持装置上にカバープレートが設置される、（【００３７】、【００７８】、図４）

レーザダイオード素子。（【０００１】、【００５８】）」

イ 引用文献２

（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、米国特許出願公開第２０１５／００５５６６７号（平成２７年２月２６日出願公開。以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

「［0001］ This disclosure relates to laser components and methods of producing laser components.」

（日本語訳：［０００１］本開示は、レーザコンポーネントおよびレーザコンポーネントの製造方法に関する。）

「［0138］ FIG. 2 shows a perspective and slightly schematic illustration of a carrier block 300. The carrier block 300 has the shape of an elongated cuboid having a longitudinal side 330 oriented parallel to a longitudinal direction 331 of the carrier block 300. A base side 340 of the carrier block 300 is arranged perpendicular to the longitudinal side 330 of the carrier block 300, the base side likewise being oriented parallel to the longitudinal direction 331. The carrier block 300 can have dimensions of 1 mm×1 mm×10 mm, for example. In this case, the carrier block 300 can preferably have the longest length in the longitudinal direction 331. The carrier block 300 comprises a material having a high thermal conductivity. The thermal conductivity of the carrier block 300 may, for example, be higher than 300 W/mK. By way of example, the carrier block 300 can comprise copper. It is also possible for the carrier block 300 to have a different shape than a cuboidal shape.」

（日本語訳：[０１３８] 図2は、キャリアブロック300の透視図およびわずかに概略的な説明図を示す。キャリアブロック300は、キャリアブロック300の長手方向331に平行に配向した長手方向330を有する細長い直方体の形状を有する。キャリアブロック300の基部側340は、キャリアブロック300の長手方向330に対して垂直に配置されており、基部側も同様に長手方向331に平行に配向している。キャリアブロック300は、例えば、1mm×1mm×10mmの寸法を有することができる。この場合、キャリアブロック300は、好ましくは長手方向331に最も長い長さを有することができる。キャリアブロック300は、高い熱伝導性を有する材料を含む。キャリアブロック300の熱伝導率は、例えば、300W/mKより高くてもよい。一例として、キャリアブロック300は、銅を含むことができる。また、キャリアブロック300を直方体形状とは異なる形状としてもよい。）

「［0151］ FIG. 4 shows a schematic perspective illustration of a housing 400.The housing 400 is open such that an interior 410 of the housing 400 with a base surface 411 of the housing 400 is visible and accessible. Side walls of the housing 400 are perpendicular to the base surface 411. FIG. 5 shows an enlarged illustration of part of the housing 400.

[0152] By way of example, the base surface 411 of the housing 400 can comprise copper. The side walls of the housing 400 can comprise the same material as the base surface 411 or another material.

[0153] The housing 400 has a first contact pin 401, a second contact pin 402, a third contact pin 403, a fourth contact pin 404, a fifth contact pin 405, a sixth contact pin 406, a seventh contact pin 407 and an eighth contact pin 408. The contact pins 401, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408 each comprise an electrically conductive material and lead from the outer side of the housing 400 through bushings 420 arranged in the side walls of the housing 400 into the interior 410 of the housing 400. The bushings 420 are preferably arranged in a sealing fashion and can be glass bushings, for example. The first contact pin 401, the third contact pin 403, the fifth contact pin 405 and the seventh contact pin 407 are arranged in a first side wall of the housing 400. The second contact pin 402, the fourth contact pin 404, the sixth contact pin 406 and the eighth contact pin 408 are arranged in a second side wall of the housing 400 which is opposed to the first side wall.」

（日本語訳：［０１５１］ 図4は、ハウジング400の概略透視図を示す。ハウジング400は、ハウジング400のベース表面411を有するハウジング400の内部410が可視かつアクセス可能であるように開口している。ハウジング400の側壁は、ベース表面411に対して垂直である。図5は、ハウジング400の一部を拡大した説明図を示す。

［０１５２］ 一例として、ハウジング400のベース表面411は、銅を含むことができる。ハウジング400の側壁は、ベース表面411と同じ材料または別の材料を含むことができる。

[０１５３] ハウジング400は、第1のコンタクトピン401と、第2のコンタクトピン402と、第3のコンタクトピン403と、第4のコンタクトピン404と、第5のコンタクトピン405と、第6のコンタクトピン406と、第7のコンタクトピン407と、第8のコンタクトピン408とを有する。コンタクトピン401、402、403、404、405、406、407、408は、それぞれ導電性材料を含み、ハウジング400の外側からハウジング400の側壁に配置されたブッシング420を通ってハウジング400の内部410に導かれる。ブッシング420は、好ましくは、シーリング様式で配置され、例えば、ガラスブッシングであり得る。第1接点ピン401、第3接点ピン403、第5接点ピン405及び第7接点ピン407は、ハウジング400の第1側壁に配置されている。第2接点ピン402、第4接点ピン404、第6接点ピン406及び第8接点ピン408は、第1側壁に対向する筐体400の第2側壁に配置されている。）

「[0155] The carrier blocks 300 are arranged on the base surface of the interior 410 of the housing 400 such that the base sides 340 of the carrier blocks 300 face the base surface 411 of the housing 400. Preferably, the base sides 340 of the carrier blocks 300 are soldered on the base surface 411 of the interior 410 of the housing 400. The soldering can be carried out by a soft solder or a preform, for example, at a temperature of 180℃. The carrier blocks 300 are preferably in good thermal contact with the base surface 411 of the housing 400.

[0156] Since the base sides 340 of the carrier blocks 300 face the base surface 411 of the housing 400, the emission directions 331 of all the laser chips 100 arranged on the carrier blocks 300 are oriented perpendicular to the base surface 411.」

（日本語訳：［０１５５］キャリアブロック300は、キャリアブロック300のベース側340がハウジング400のベース面411に対向するように、ハウジング400の内部410のベース面に配置される。好ましくは、キャリアブロック300のベース側面340は、ハウジング400の内部410のベース面411にはんだ付けされている。はんだ付けは、例えば180℃の温度で、柔らかいはんだまたはプリフォームによって行うことができる。キャリアブロック300は、好ましくは、ハウジング400のベース表面411と良好に熱的に接触している。

［０１５６］キャリアブロック300のベース側340は筐体400のベース面411に面しているので、キャリアブロック300上に配置された全てのレーザチップ100の出射方向331はベース面411に対して垂直に配向している。）

「[0164] FIG. 6 shows a perspective illustration of the housing 400 in a processing state temporally succeeding the illustration in FIG. 4. In the illustration in FIG. 6, the housing 400 has been closed with a glass window 430. The housing 400 closed with the glass window 430 together with the carrier blocks 300 arranged therein forms a laser component 500.

・・・（略）・・・

[0166] The glass window 430 can optionally hermetically tightly seal the interior 410 of the housing 400. For this purpose, the glass window 430 can be inserted into the housing 400 by a welding process, for example. In a hermetically sealed closure of the housing 400, the interior 410 can be filled with a desired atmosphere, for example with dry air.」

（日本語訳：[０１６４] 図6は、図4の図に続く処理状態における筐体400の透視図を示している。図6の図示では、ハウジング400はガラス窓430で閉じられている。ガラス窓430で閉じられたハウジング400は、内部に配置されたキャリアブロック300とともに、レーザ部品500を形成する。

・・・（略）・・・

[０１６６] ガラス窓430は、任意選択で、ハウジング400の内部410を気密に密封することができる。この目的のために、ガラス窓430は、例えば溶接プロセスによってハウジング400に挿入することができる。ハウジング400の密閉された閉鎖において、内部410は、所望の雰囲気、例えば乾燥空気で満たされうる。）

ＦＩＧ ２、４～６は、次のとおりである。

「

［図：0001393652000005.jpg］

［図：0001393652000006.jpg］

［図：0001393652000007.jpg］

［図：0001393652000008.jpg］

」

ＦＩＧ４，５から、キャリアブロック３００がハウジング４００のベース表面４１１から突出していること、および、キャリアブロック３００の側面にレーザチップ１００が設けられていること、が見て取れる。

（イ）上記（ア）から、引用文献２には、次の技術的事項（以下「引用文献２に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。

ａ 引用文献２に記載された技術は、レーザコンポーネントに関するものである。（［０００１］）

ｂ ベース表面に銅を含むことができる。（［０１５２］）

ｃ ハウジングはガラス窓で閉じられ、ガラス窓は、任意選択で、ハウジングの内部を気密に密封することができる。（[０１６４]、［０１６６］、ＦＩＧ６）

（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。

「キャリアブロックを有し、キャリアブロックは銅を含み、（[０１３８]）

ハウジングを有し、ハウジングはベース表面と側壁とからなり、ベース表面を有するハウジングの内部が可視かつアクセス可能であるように開口し、側壁はベース表面に対して垂直であり、（[０１５１]、ＦＩＧ４）

キャリアブロックはベース表面にはんだ付けされ、（［０１５５］）

キャリアブロック300上に配置された全てのレーザチップ100の出射方向331はベース面411に対して垂直に配向するように、前記レーザチップは前記キャリアブロックの側面に設けられており、（［０１５６］、ＦＩＧ４，５）

キャリアブロックはベース表面から突出しており、（ＦＩＧ４，５）

ベース表面は、銅を含むことができ、（[０１５２]）

側壁は、ベース表面と別の材料を含み、（[０１５２]）

コンタクトピンは、それぞれ導電性材料を含み、ハウジングの外側から側壁に配置されたブッシングを通ってハウジングの内部に導かれ、ブッシングは、好ましくは、シーリング様式で配置され、例えば、ガラスブッシングであり、（[０１５３]）

ハウジングはガラス窓で閉じられ、ガラス窓は、任意選択で、ハウジングの内部を気密に密封することができる、（[０１６４]、「０１６６」、ＦＩＧ６）

レーザコンポーネント。（[０００１]」

ウ 引用文献３

（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開昭５０－２９２８４号公報（昭和５０年３月２５日出願公開。以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

「この発明は、レーザダイオード・パッケージ、詳しくは、高周波動作を可能とするレーザダイオード・パッケージに関するものである。」（第１頁左下欄下から２行目～右下欄第１行）

「このレーザダイオード・パッケージ１０は、基板１２を含んでおり、この基板は高導電性で熱伝導率の高い金属性材料、例えば、酸素を除去した高導電性の銅で作られている。」（第２頁左上欄下から５行目～最終行）

（イ）上記（ア）から、引用文献３には、次の技術的事項（以下「引用文献３に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。

「レーザーダイオード・パッケージにおいて、（第１頁左下欄下から２行目～右下欄第１行）

基板として熱伝導率の高い金属性材料として銅を用いる、（第１頁左下欄下から２行目～右下欄第１行）

技術的事項。」

エ 引用文献４

（ア）本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、米国特許出願公開第２０１５／０２７０６８２号（平成２７年９月２４日出願公開。以下「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

「［0034］The carrier may also provide a housing, e.g. a closed housing, so that the semiconductor laser light sources are arranged in a protected manner As a result, the semiconductor laser light sources may be arranged so as to be protected from, inter alia, external effects, for example owing to atmospheric ambient conditions or else from mechanical effects. The housing may have a transparent cover in the region of the laser light emission sides of the semiconductor laser light sources, said transparent cover enabling as much transmission as possible for the laser light of the semiconductor laser light sources. Such a cover may consist, for example, of a correspondingly adapted glass or plastic which provides a high level of transmission, e.g. for the wavelength range of the laser light generated by the semiconductor laser light sources, and/or is correspondingly adapted and/or has a high thermal conductivity, for example sapphire. 」

（日本語訳：［００３４］キャリアはまたハウジングを、例えば密閉されたハウジングを、提供することができ、結果として半導体レーザ光源は保護されて配置され、半導体レーザ光源は、例えば大気圧周囲条件に起因しまたは機械的影響から、とりわけ外部の影響から、保護されるように配置される。ハウジングは、半導体レーザ光源のレーザ光出射側の領域において、透明なカバーを有し、前記透明カバーは、半導体レーザ光源のレーザ光に対して可能な限り多くの送信を可能にすることができる。そのようなカバーは、たとえば、半導体レーザ光源により発生するレーザ光の波長域での透過率が、例えば、ハイレベルを対応して適合されたガラスまたはプラスチックからなることができる、および/またはそれに対応して適合される、及び/又は高い熱伝導率、例えば、サファイアを備えている。）

「［0054］FIG. 1 shows a perspective schematic illustration of a light source arrangement 30 in accordance with various embodiments including a plurality of semiconductor laser light sources 20 each having an optical axis 22, which semiconductor laser light sources are in this case in the form of semiconductor lasers. The semiconductor lasers 20 are arranged in such a way that their optical axes 22 are oriented parallel to one another, so that respective laser light emission sides 24 of the semiconductor lasers 20 point in the same spatial direction 18 in relation to the laser light 26 emitted by the semiconductor lasers 20. The light source arrangement 30 may furthermore have a deflection unit 32 for converging and influencing beam paths 44 of the laser light emitted by the semiconductor lasers 20 in order to form a beam bundle 34. In accordance with various embodiments, the semiconductor lasers 20 are arranged on a surface 36 of a carrier 38 so as to be distributed two-dimensionally over the surface 36. Such a carrier is also referred to as “multi-die package” (MDP).」

（日本語訳：［００５４］図1は、光軸22をそれぞれ備え、このケースでは半導体レーザを形成する複数の半導体レーザ光源20を含む様々な実施形態に従った光源構成30の概略斜視図を示している。半導体レーザ20は、その光軸22aが互いに平行に配向されるように配置されており、半導体レーザ20のレーザ光出射面24は、半導体レーザ20から出射されたレーザ光26に対して同じ空間方向18に向くようになっている。光源装置30は、光束34を形成するために、半導体レーザ20から出射されたレーザ光のビームパス44を収束し、偏向ユニット32を有していてもよい。様々な実施形態によれば、半導体レーザ20は、キャリア38の表面36上で２次元的に分布するよう、キャリア38の表面36に配置される。このようなキャリアは、マルチダイ パッケージ(MDP)とも呼ばれる。）

「［0057］For this purpose, the carrier 38 has four bar-shaped carrier elements 40, on which the semiconductor lasers 20 are arranged. The carrier elements 40 are arranged on a common carrier frame 42 of the carrier 38 parallel to one another on a plane oriented transversely to the optical axes 22. In this case, the carrier elements 40 are also formed from the same material as the carrier 38. In various embodiments, provision may be made for the carrier elements 40 to be formed integrally with the carrier 38. This configuration enables very good thermal coupling of the carrier elements 40 to the carrier 38, with the result that high-performance heat dissipation from the semiconductor lasers 20 can be realized.」

（日本語訳：［００５７］この目的のために、キャリア38は4本のバー状のキャリア要素40を有し、キャリア要素40上には半導体レーザ20が配置されている。キャリア要素40は、光軸22に対して横方向に配向された平面上に互いに平行な複数のキャリア38のキャリアフレーム42上に配置されている。この場合、支持部材40はまた、キャリア38と同じ材料から形成されている。様々な実施形態では、キャリア要素40をキャリア38と一体的に形成されてもよい。この構成によれば、キャリア要素40の支持体38への非常に良好な熱的結合を可能にし、半導体レーザ20からの高放熱特性を実現することができる。）

Ｆｉｇ．１は、次のとおりである。

「

［図：0001393652000009.jpg］

」

（イ） 上記アから、引用文献４には、次の技術的事項（以下「引用文献４に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。

「半導体レーザ有する光源構成において、（［００５４］）

キャリアは4本のバー状のキャリア要素を有し、キャリア要素上には半導体レーザが配置され、（［００５７］、Ｆｉｇ．１）

半導体レーザは、キャリアの表面上で２次元的に分布するよう、キャリアの表面に配置されるものであって、（［００５４］、Ｆｉｇ．１）

密閉されたハウジングが提供され、（［００３４］）

キャリア要素をキャリアと一体的に形成することで、キャリア要素の支持体への非常に良好な熱的結合を可能にし、半導体レーザからの高放熱特性を実現することができる、（［００５７］）

技術的事項。」