2021-014098

特願２０１９－５４４９０２「金フリーコンタクトを有する窒化物構造及びそのような構造を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年 ８月３０日国際公開、ＷＯ２０１８／１５６３７５、令和 ２年 ３月１９日国内公表、特表２０２０－５０８５７４、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１８年（平成３０年）２月１３日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１７年２月２１日（以下、「本願の優先日」という。）（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ２年 ９月２５日付け：拒絶理由通知書 令和 ２年１２月 ４日 ：手続補正書、意見書の提出 令和 ３年 ６月２５日付け：拒絶査定 令和 ３年１０月１８日 ：手続補正書、審判請求書の提出 令和 ４年 ５月２５日付け：拒絶理由通知書 令和 ４年 ７月１３日 ：手続補正書、意見書の提出 第２ 本願発明 本願請求項１～１２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」～「本願発明１２」という。）は、令和４年７月１３日にされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１～１２に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と、 前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしたソース電極構造及びドレイン電極構造と、 前記ソース電極構造と前記ドレイン電極構造との間に配置され、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触したゲート電極構造と を有し、 前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は各々、金フリーの電気コンタクト構造と、該電気コンタクト構造上の金フリーの電極コンタクトとを有し、各電極コンタクトが同様の材料であり、 前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトの各々が、前記電気コンタクト構造上に配置されたライナと、該ライナ上に配置された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナで覆われている、 半導体構造。 【請求項２】 前記ドレイン電極構造の前記電極コンタクト、前記ソース電極構造の前記電極コンタクト、及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトは、共平面の上面を有する、請求項１に記載の半導体構造。 【請求項３】 ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と、 前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしたソース電極構造及びドレイン電極構造と、 前記ソース電極構造と前記ドレイン電極構造との間に配置され、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触したゲート電極構造と を有し、 前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は各々、金フリーの電気コンタクト構造と、該電気コンタクト構造上の金フリーの電極コンタクトとを有し、前記電極コンタクトが共平面の上面を有し、 前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトの各々が、前記電気コンタクト構造上に配置されたライナと、該ライナ上に配置された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナで覆われている、 半導体構造。 【請求項４】 ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と、 前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしたソース電極構造及びドレイン電極構造と、 前記ソース電極構造と前記ドレイン電極構造との間で前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層の上に配置されたゲート電極構造と を有し、 前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は各々、金フリーの電気コンタクト構造と、該電気コンタクト構造上の金フリーの電極コンタクトとを有し、各電極コンタクトが同様の材料であり、 前記ドレイン電極構造の前記電極コンタクト、前記ソース電極構造の前記電極コンタクト、及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトの各々が、前記電気コンタクト構造上に配置されたライナと、該ライナ上に配置された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナで覆われている、 半導体構造。 【請求項５】 前記ゲート電極構造は、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と直に接触している、請求項４に記載の半導体構造。 【請求項６】 前記ドレイン電極構造の前記電極コンタクト、前記ソース電極構造の前記電極コンタクト、及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトは、共平面の上面を有する、請求項４又は５に記載の半導体構造。 【請求項７】 前記ドレイン電極構造の前記電気コンタクト構造及び前記ソース電極構造の前記電気コンタクト構造は各々、 前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触した金フリーコンタクト層と、 前記金フリーコンタクト層上に配置され、前記金フリーコンタクト層に電気的に接続された金フリーの導電性のエッチング停止層と、 を有する多層電気コンタクト構造である、 請求項４乃至６のいずれか一項に記載の半導体構造。 【請求項８】 前記多層電気コンタクト構造は、前記金フリーコンタクト層の上に配置されたアルミニウムベースの層を含む、請求項７に記載の半導体構造。 【請求項９】 前記金フリーコンタクト層は、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と直に接触しており、前記金フリーコンタクト層及び前記アルミニウムベースの層は、６６０度未満の温度で前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とともにアニールすることで前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とのオーミックコンタクトを形成することが可能な物理的アニーリング特性を有する、請求項８に記載の半導体構造。 【請求項１０】 前記金フリーコンタクト層は金属シリサイドを有し、該金属シリサイドが前記ＩＩＩ族 －Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしている、請求項７に記載の半導体構造。 【請求項１１】 半導体構造を形成する方法であって、 ＩＩＩ族－Ｎ半導体層を設け、金フリーのソース電気コンタクト構造及び金フリーのドレイン電気コンタクト構造が前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトし、前記ソース電気コンタクト構造とドレイン電気コンタクト構造との間に配置される金フリーのゲート電気コンタクト構造が前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触し、 複数の金フリーの電極コンタクトを同時に形成し、前記複数の金フリーの電極コンタクトの各々が、前記ソース電気コンタクト構造、前記ドレイン電気コンタクト構造及び前記ゲート電気コンタクト構造のうちの対応する１つの上に形成されて該１つに電気的に接続される、 ことを有し、 前記電極コンタクトの各々が、前記ソース電気コンタクト構造、前記ドレイン電気コンタクト構造及び前記ゲート電気コンタクト構造のうちの対応する１つの上に形成されたライナと、該ライナ上に形成された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナに接する、 方法。 【請求項１２】 前記複数の電極コンタクトは、共平面の上面を有して形成される、請求項１１に記載の方法。」 第３ 原査定の拒絶の理由 原査定（令和３年６月２５日付け拒絶査定）の拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。 １ 本願の請求項１～９、１１～１２に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 ２ 本願の請求項１～９、１１～１２に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ３ 本願の請求項１～９、１１～１２に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献２に記載された発明及び引用文献３に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ４ 本願の請求項１０に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１又は２に記載された発明及び引用文献３～５に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １.特開２０１３－２０１３７０号公報 ２.国際公開第２０１４／０９７５２４号 ３.特開２０１０－１４７２５４号公報 ４.特表２００９－５２４２４２号公報 ５.特開２０１０－１９２７７１号公報 第４ 引用文献、引用発明等 １ 引用文献１について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、次の記載がある（下線は当審による。）。 「【技術分野】 【０００１】 本発明の実施形態は、窒化物半導体装置およびその製造方法に関する。」 「【００１０】 （第１実施形態） 図１は、第１実施形態に係る窒化物半導体装置の模式図であり、（ａ）は、平面模式図、（ｂ）は、（ａ）のＸ－Ｙ位置における断面模式図である。 【００１１】 第１実施形態に係る窒化物半導体装置１は、Ｓｉ基板１０等の下地層と、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含む半導体積層体１５と、半導体積層体１５の上に設けられ、半導体積層体１５に接するソース電極４０およびドレイン電極５０と、半導体積層体１５の上に設けられ、ソース電極４０とドレイン電極５０とのあいだに設けられたゲート電極３０と、を備える。 【００１２】 半導体積層体１５は、バッファ層１１と、バッファ層１１の上に設けられたキャリア走行層１２と、キャリア走行層１２の上に設けられた障壁層１３と、を有する。 ・・・ 【００１４】 窒化物半導体装置１においては、Ｓｉ基板１０上にバッファ層１１が設けられている。バッファ層１１上には、ＧａＮ層を含むキャリア走行層１２が設けられている。キャリア走行層１２上には、障壁層１３が設けられている。障壁層１３は、ノンドープもしくはｎ形のＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層またはＩｎＹＡｌ１－ＹＮ（０＜Ｙ≦１）層、または、ノンドープもしくはｎ形のＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、ＩｎＹＡｌ１－ＹＮ（０＜Ｙ≦１）層と、の混合物、または、ノンドープもしくはｎ形のＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、ＩｎＹＡｌ１－ＹＮ（０＜Ｙ≦１）層と、の積層体、のいずれかである。障壁層１３の膜厚は５ｎｍから４０ｎｍ程度が望ましい。キャリア走行層１２内のキャリア走行層１２と障壁層１３の界面付近には二次元電子系１２ｅが発生する。 【００１５】 障壁層１３上には、ゲート絶縁膜２０が設けられている。ゲート絶縁膜２０の材質は、窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化珪素膜（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかである。ゲート絶縁膜２０上には、ゲート電極３０が設けられている。また、窒化物半導体装置１においては、ゲート電極３０の他に、障壁層１３とオーミック性接続されるソース電極４０と、障壁層１３とオーミック性接続されるドレイン電極５０とが設けられている。 【００１６】 ゲート電極３０は、ゲート絶縁膜２０と直接接触しているゲートメタル層３０ａと、バリアメタル層３０ｂと、配線層３０ｃ、３０ｄと、を含む。配線層は、配線層３０ｃと配線層３０ｄの２層で構成されている。 【００１７】 ゲートメタル層３０ａの材質は、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴａＮ、Ｗ等の群から選択される少なくとも１つ、もしくは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴａＮ、Ｗ等の群から選択される少なくとも１つにＳｉを添加した混合物である。バリアメタル層３０ｂの材質は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等の群から選択される少なくとも１つのメタル層、もしくは、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等の群から選択される少なくとも１つにＳｉを添加した混合物である。配線層３０ｃの材質は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等のいずれかである。配線層３０ｄは、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ等のいずれかである。ゲートメタル層３０ａの組成とバリアメタル層３０ｂの組成とが同じであってもよい。 【００１８】 ソース電極４０は、コンタクト層４０ａ（第１コンタクト層４０ａ）と、Ａｌを含むメタル層４０ｂ（第１メタル層４０ｂ）と、を含む。ソース電極４０の一部の下には、バリアメタル層４０ｃ（第１バリアメタル層４０ｃ）が設けられている。コンタクト層４０ａとＡｌを含むメタル層４０ｂとは、図中では、２層に分かれているものの、徐々に組成の変わる一体の層構造でもよい。 【００１９】 コンタクト層４０ａの材質は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等のいずれかである。Ａｌを含むメタル層４０ｂの材質は、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ等のいずれかである。バリアメタル層４０ｃの材質は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等のいずれかである。 【００２０】 ドレイン電極５０は、コンタクト層５０ａ（第２コンタクト層５０ａ）と、Ａｌを含むメタル層５０ｂ（第２メタル層５０ｂ）と、を含む。ドレイン電極５０の一部の下には、バリアメタル層５０ｃ（第２バリアメタル層５０ｃ）が設けられている。コンタクト層５０ａとＡｌを含むメタル層５０ｂとは、図中では、２層に分かれているものの、徐々に組成の変わる一体の層構造でもよい。 【００２１】 コンタクト層５０ａの材質は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等のいずれかである。Ａｌを含むメタル層５０ｂの材質は、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ等のいずれかである。バリアメタル層５０ｃの材質は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等のいずれかである。 【００２２】 また、コンタクト層４０ａ、５０ａと、ゲート電極３０の配線層３０ｃと、は同じ組成且つ同じ膜厚であり、メタル層４０ｂ、５０ｂと、ゲート電極３０の配線層３０ｄと、は同じ組成且つ同じ膜厚である。」 「【図１】 ［図：0001389076000001.jpg］ 」 （２）引用文献１の記載事項 ア 上記（１）の【０００１】に、「本発明の実施形態は、窒化物半導体装置およびその製造方法に関する」と記載されているから、引用文献１の記載は、「窒化物半導体装置」に関するものであるといえる。 イ 同【００１１】には、「第１実施形態に係る窒化物半導体装置１は、Ｓｉ基板１０等の下地層と、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含む半導体積層体１５と、半導体積層体１５の上に設けられ、半導体積層体１５に接するソース電極４０およびドレイン電極５０と、半導体積層体１５の上に設けられ、ソース電極４０とドレイン電極５０とのあいだに設けられたゲート電極３０と、を備える」と記載されているから、「窒化物半導体装置」は、「半導体積層体１５」と、「ソース電極４０」と、「ドレイン電極５０」と、前記「ソース電極４０」及び前記「ドレイン電極５０」の間に設けられた「ゲート電極３０」と、を含む。 ウ 同【００１２】には、「半導体積層体１５は、バッファ層１１と、バッファ層１１の上に設けられたキャリア走行層１２と、キャリア走行層１２の上に設けられた障壁層１３と、を有する」と記載されているから、「窒化物半導体装置」の「半導体積層体１５」は、「障壁層１３」を含む。 エ 同【００１４】には、「障壁層１３は、ノンドープもしくはｎ形のＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層またはＩｎＹＡｌ１－ＹＮ（０＜Ｙ≦１）層、または、ノンドープもしくはｎ形のＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、ＩｎＹＡｌ１－ＹＮ（０＜Ｙ≦１）層と、の混合物、または、ノンドープもしくはｎ形のＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層と、ＩｎＹＡｌ１－ＹＮ（０＜Ｙ≦１）層と、の積層体、のいずれかである」と記載されているから、「窒化物半導体装置」の「障壁層１３」は、「ＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層」である。 オ 同【００１５】には、「障壁層１３上には、ゲート絶縁膜２０が設けられている」、及び、「ゲート絶縁膜２０上には、ゲート電極３０が設けられている」と記載されているから、「窒化物半導体装置」の「障壁層１３」は、「ゲート絶縁膜２０」に接し、「ゲート絶縁膜２０」は「ゲート電極２０」に接する。 カ 同【００１５】には、「また、窒化物半導体装置１においては、ゲート電極３０の他に、障壁層１３とオーミック性接続されるソース電極４０と、障壁層１３とオーミック性接続されるドレイン電極５０とが設けられている」と記載されているから「窒化物半導体装置」の「ソース電極４０」及び「ドレイン電極５０」は「障壁層１３」に接する。 キ 同【００１６】には、「ゲート電極３０は、ゲート絶縁膜２０と直接接触しているゲートメタル層３０ａと、バリアメタル層３０ｂと、配線層３０ｃ、３０ｄと、を含む。配線層は、配線層３０ｃと配線層３０ｄの２層で構成されている。」と記載され、同【００１７】には、「ゲートメタル層３０ａの材質は、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴａＮ、Ｗ等の群から選択される少なくとも１つ、もしくは、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＴａＮ、Ｗ等の群から選択される少なくとも１つにＳｉを添加した混合物である。バリアメタル層３０ｂの材質は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等の群から選択される少なくとも１つのメタル層、もしくは、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等の群から選択される少なくとも１つにＳｉを添加した混合物である。配線層３０ｃの材質は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等のいずれかである。配線層３０ｄは、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ等のいずれかである。ゲートメタル層３０ａの組成とバリアメタル層３０ｂの組成とが同じであってもよい。」と記載されているから、「窒化物半導体装置」の「ゲート電極３０」は、「ゲートメタル層３０ａ」と、「バリアメタル層３０ｂ」と、「配線層３０ｃ」と、「配線層３０ｄ」と、を含み、前記「ゲートメタル層３０ａ」の材質は、Ｎｉであり、前記「バリアメタル層３０ｂ」の材質は、前記「ゲートメタル層３０ａ」と同じであり、前記「配線層３０ｃ」の材質は、Ｔｉであり、前記「配線層３０ｄ」の材質は、Ａｌである、といえる。 ク 同【００１８】には、「ソース電極４０は、コンタクト層４０ａ（第１コンタクト層４０ａ）と、Ａｌを含むメタル層４０ｂ（第１メタル層４０ｂ）と、を含む。ソース電極４０の一部の下には、バリアメタル層４０ｃ（第１バリアメタル層４０ｃ）が設けられている。」と記載されており、同【００１９】には、「コンタクト層４０ａの材質は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等のいずれかである。Ａｌを含むメタル層４０ｂの材質は、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ等のいずれかである。バリアメタル層４０ｃの材質は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等のいずれかである。」と記載されているから、「窒化物半導体装置」の「ソース電極４０」は、「コンタクト層４０ａ」と、「メタル層４０ｂ」と、「バリアメタル層４０ｃ」とを含み、前記「コンタクト層４０ａ」の材質は、Ｔｉであり、前記「メタル層４０ｂ」の材質は、Ａｌであり、前記「バリアメタル層４０ｃ」の材質は、Ｔｉである、といえる。 ケ 同【００２０】には、「ドレイン電極５０は、コンタクト層５０ａ（第２コンタクト層５０ａ）と、Ａｌを含むメタル層５０ｂ（第２メタル層５０ｂ）と、を含む。ドレイン電極５０の一部の下には、バリアメタル層５０ｃ（第２バリアメタル層５０ｃ）が設けられている。」と記載されており、同【００２１】には、「コンタクト層５０ａの材質は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ等のいずれかである。Ａｌを含むメタル層５０ｂの材質は、Ａｌ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ等のいずれかである。バリアメタル層５０ｃの材質は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷ，ＴａＮ等のいずれかである。」と記載されているから、「窒化物半導体装置」の「ドレイン電極５０」は、「コンタクト層５０ａ」と、「メタル層５０ｂ」と、「バリアメタル層５０ｃ」とを含み、前記「コンタクト層５０ａ」の材質は、Ｔｉであり、前記「メタル層５０ｂ」の材質は、Ａｌであり、前記「バリアメタル層５０ｃ」の材質は、Ｔｉである、といえる。 コ 同【００２２】には、「また、コンタクト層４０ａ、５０ａと、ゲート電極３０の配線層３０ｃと、は同じ組成且つ同じ膜厚であり、メタル層４０ｂ、５０ｂと、ゲート電極３０の配線層３０ｄと、は同じ組成且つ同じ膜厚である。」と記載されており、上記ク及びケによれば、「コンタクト層４０ａ」及び「メタル層４０ｂ」は、「窒化物半導体装置」の「ソース電極４０」に含まれ、「コンタクト層５０ａ」及び「メタル層５０ｂ」は、「窒化物半導体装置」の「ドレイン電極５０」に含まれるから、「窒化物半導体装置」の「ゲート電極３０」、「ソース電極４０」及び「ドレイン電極５０」は、同じ組成の膜を含む、といえる。 （３）引用文献１に記載された発明 前記（２）の記載事項から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「半導体積層体１５と、 ソース電極４０と、 ドレイン電極５０と、 前記ソース電極４０及び前記ドレイン電極５０の間に設けられたゲート電極３０と、 を含み、 前記半導体積層体１５は、障壁層１３を含み、 前記障壁層１３は、ＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層であり、 前記障壁層１３は、ゲート絶縁膜２０に接し、前記ゲート絶縁膜２０は前記ゲート電極２０に接し、 前記ソース電極４０及び前記ドレイン電極５０は、前記障壁層１３に接し、 前記ゲート電極３０は、ゲートメタル層３０ａと、バリアメタル層３０ｂと、配線層３０ｃと、配線層３０ｄと、を含み、前記ゲートメタル層３０ａの材質は、Ｎｉであり、前記バリアメタル層３０ｂの材質は、前記ゲートメタル層３０ａと同じであり、前記配線層３０ｃの材質は、Ｔｉであり、前記配線層３０ｄの材質は、Ａｌであり、 前記ソース電極４０は、コンタクト層４０ａと、メタル層４０ｂと、バリアメタル層４０ｃとを含み、前記コンタクト層４０ａの材質は、Ｔｉであり、前記メタル層４０ｂの材質は、Ａｌであり、前記バリアメタル層４０ｃの材質は、Ｔｉであり、 前記ドレイン電極５０は、コンタクト層５０ａと、メタル層５０ｂと、バリアメタル層５０ｃとを含み、前記コンタクト層５０ａの材質は、Ｔｉであり、前記メタル層５０ｂの材質は、Ａｌであり、前記バリアメタル層５０ｃの材質は、Ｔｉであり、 前記ゲート電極３０、前記ソース電極４０及び前記ドレイン電極５０は、同じ組成の膜を含む、 窒化物半導体装置。」 ２ 引用文献２について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、次の記載がある（下線部は当審による。）。 「技術分野 [0001] 本発明は、半導体装置に関し、特に、活性領域の上に形成された配線と電極パッドとを有する横型の半導体装置に関する。」 「[0028] （実施の形態１） 以下、本発明の第１の実施の形態について、図１～図３Ｇを参照して説明する。 [0029] ［半導体装置の構成］ 図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の配線レイアウト図である。具体的には、電界効果トランジスタである窒化物半導体装置の第１配線層及び第２配線層のレイアウトの一例を示している。同図に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１には、第１ソース電極配線１０１、第１ドレイン電極配線１０２及び第１ゲート電極配線１０３が、後述する活性領域の上方であって第１配線層に形成されている。第１配線層は、トランジスタを構成ずるソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極の上に形成されている。 ・・・ [0031] 図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。具体的には、図１のＡ－Ａ’における断面図を表している。図２に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１は、Ｓｉ基板２０１の上に、バッファ層２０２を介して、窒化物半導体層２０３が形成されている。窒化物半導体層２０３は、厚さが２．５μｍのアンドープＧａＮ層２０４と、厚さが５０ｎｍのアンドープＡｌＧａＮ層２０５とが基板側から順に形成されている。アンドープＧａＮ層２０４におけるアンドープＡｌＧａＮ層２０５との界面領域には、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が発生し、チャネル領域が形成されている。 [0032] 窒化物半導体層２０３の上には、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８が、互いに間隔をおいて形成されている。本実施の形態においては、コンタクト抵抗を低減するために、アンドープＡｌＧａＮ層２０５及びアンドープＧａＮ層２０４の一部が除去され、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８がアンドープＡｌＧａＮ層２０５とアンドープＧａＮ層２０４との界面よりも下側に達するように形成されている。ソース電極２０７及びドレイン電極２０８は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属からなる。 [0033] ソース電極２０７とドレイン電極２０８の間の一部では、アンドープＡｌＧａＮ層２０５が幅１μｍにわたり膜厚が薄くなっており、その上に厚さが２００ｎｍのマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたｐ型ＧａＮ層２１０が形成されている。ｐ型ＧａＮ層２１０の上には、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、などからなるゲート電極２０９が形成されている。 ・・・ [0037] 絶縁膜２０６の開口部を介して、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８の上に、それぞれ、Ｔｉを密着バリア層としたＡｌ及びＴｉが積層された第１ソース電極配線１０１及び第１ドレイン電極配線１０２が形成されている。なお、前述したように、図２には図示されていない第１ゲート電極配線１０３を含め、第１ソース電極配線１０１及び第１ドレイン電極配線１０２は、第１配線層に形成された第１電極配線である。これらの電極の膜厚は２μｍであり、幅は下層のソース電極２０７またはドレイン電極２０８と同等かそれ以上である。ここで、第１ソース電極配線１０１は、隣接する２つのユニットのゲート電極２０９を覆うように形成され、その幅はドレイン電極側に広がるように形成されており、ゲート電極２０９に対する外部端子からのダメージを抑制するとともに、ソースフィールドプレートとしても機能する。」 「［図１］ ［図：0001389076000002.jpg］ 」 「［図２］ ［図：0001389076000003.jpg］ 」 （２）引用文献２の記載事項 ア 上記（１）の[0001]に、「本発明は、半導体装置に関し、特に、活性領域の上に形成された配線と電極パッドとを有する横型の半導体装置に関する」と記載されているから、引用文献２の記載は「半導体装置」に関するものであるといえる。 イ 同[0031]に、「図２に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１は、Ｓｉ基板２０１の上に、バッファ層２０２を介して、窒化物半導体層２０３が形成されている。窒化物半導体層２０３は、厚さが２．５μｍのアンドープＧａＮ層２０４と、厚さが５０ｎｍのアンドープＡｌＧａＮ層２０５とが基板側から順に形成されている。」と記載されているから、「半導体装置」は、「アンドープＧａＮ層２０４」及び「アンドープＡｌＧａＮ層２０５」を有する「窒化物半導体層２０３」を含むといえる。 ウ 同[0032]に、「窒化物半導体層２０３の上には、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８が、互いに間隔をおいて形成されている」と記載されているから、「半導体装置」は、「窒化物半導体層２０３」上に形成された「ソース電極２０７」及び「ドレイン電極２０８」を含むといえる。 エ 同[0033]に、「ソース電極２０７とドレイン電極２０８の間の一部では、アンドープＡｌＧａＮ層２０５が幅１μｍにわたり膜厚が薄くなっており、その上に厚さが２００ｎｍのマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたｐ型ＧａＮ層２１０が形成されている。ｐ型ＧａＮ層２１０の上には、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、などからなるゲート電極２０９が形成されている。」と記載されているから、「半導体装置」は、「アンドープＡｌＧａＮ層２０５」上に形成された「ｐ型ＧａＮ層２１０」と、当該「ｐ型ＧａＮ層２１０」上に形成された「ゲート電極２０９」とを含むといえる。 オ 同[0037]に、「絶縁膜２０６の開口部を介して、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８の上に、それぞれ、Ｔｉを密着バリア層としたＡｌ及びＴｉが積層された第１ソース電極配線１０１及び第１ドレイン電極配線１０２が形成されている」と記載されているから、「半導体装置」は、「ソース電極２０７」上に形成された「第１ソース電極配線１０１」と、「ドレイン電極２０８」上に形成された「第１ドレイン電極配線１０２」とを含むといえる。 カ 同[0029]に、「同図に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１には、第１ソース電極配線１０１、第１ドレイン電極配線１０２及び第１ゲート電極配線１０３が、後述する活性領域の上方であって第１配線層に形成されている。第１配線層は、トランジスタを構成ずるソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極の上に形成されている。」と記載され、同[0037]に、「なお、前述したように、図２には図示されていない第１ゲート電極配線１０３を含め、第１ソース電極配線１０１及び第１ドレイン電極配線１０２は、第１配線層に形成された第１電極配線である」と記載されているから、「半導体装置」は、「ゲート電極２０９」上に形成され、「第１ソース電極配線１０１」及び「第１ドレイン電極配線１０２」と同じ「第１配線層」に形成された「第１ゲート電極配線１０３」を含むといえる。 キ 同[0032]に、「ソース電極２０７及びドレイン電極２０８は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属からなる」と記載されているから、「半導体装置」の「ソース電極２０７」及び「ドレイン電極２０８」は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属からなるといえる。 ク 同[0033]に、「パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、などからなるゲート電極２０９が形成されている」と記載されているから、「半導体装置」の「ゲート電極２０９」は、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、などからなるといえる。 ケ 同[0037]に、「ソース電極２０７及びドレイン電極２０８の上に、それぞれ、Ｔｉを密着バリア層としたＡｌ及びＴｉが積層された第１ソース電極配線１０１及び第１ドレイン電極配線１０２が形成されている」、及び、「なお、前述したように、図２には図示されていない第１ゲート電極配線１０３を含め、第１ソース電極配線１０１及び第１ドレイン電極配線１０２は、第１配線層に形成された第１電極配線である」と記載されているから、「半導体装置」の「第１ソース電極配線１０１」、「第１ドレイン電極配線１０２」及び「第１ゲート電極配線１０３」は、Ａｌ及びＴｉからなるといえる。 コ 同［図２］には、「ゲート電極２０９」が、「ソース電極２０７」と「ドレイン電極２０８」の間に配置されていることが見て取れる。 サ 同［図２］には、「ソース電極２０７」及び「ドレイン電極２０８」がそれぞれ、「アンドープＡｌＧａＮ層２０５」に接していることが見て取れる。 シ 同［図２］には、「ｐ型ＧａＮ層２１０」が、「アンドープＡｌＧａＮ層２０５」に接し、「ゲート電極２０９」が、「ｐ型ＧａＮ層２１０」に接していることが見て取れる。 （３）引用文献２に記載された発明 前記（２）の記載事項から、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「アンドープＧａＮ層２０４及びアンドープＡｌＧａＮ層２０５を有する窒化物半導体層２０３と、 前記窒化物半導体層２０３上に形成されたソース電極２０７及びドレイン電極２０８と、 前記アンドープＡｌＧａＮ層２０５上に形成されたｐ型ＧａＮ層２１０と、 前記ｐ型ＧａＮ層２１０上に形成されたゲート電極２０９と、 前記ソース電極２０７上に形成された第１ソース電極配線１０１と、 前記ドレイン電極２０８上に形成された第１ドレイン電極配線１０２と、 前記ゲート電極２０９上に形成され、前記第１ソース電極配線１０１及び前記第１ドレイン電極配線１０２と同じ第１配線層に形成された第１ゲート電極配線１０３と、 を含み、 前記ソース電極２０７及び前記ドレイン電極２０８は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属からなり、 前記ゲート電極２０９は、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、などからなり、 前記第１ソース電極配線１０１、前記第１ドレイン電極配線１０２及び前記第１ゲート電極配線１０３は、Ａｌ及びＴｉからなり、 前記ゲート電極２０９が、前記ソース電極２０７と前記ドレイン電極２０８の間に配置され、 前記ソース電極２０７及び前記ドレイン電極２０８がそれぞれ、アンドープＡｌＧａＮ層２０５に接し、 前記ｐ型ＧａＮ層２１０が、前記アンドープＡｌＧａＮ層２０５に接し、 前記ゲート電極２０９が、前記ｐ型ＧａＮ層２１０に接する 半導体装置。」 ３ 引用文献３について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、次の記載がある（下線部は当審による。）。 「【００１７】 本実施形態の多層配線構は、配線および絶縁膜により構成された配線層が複数積層されたものである。この配線は金属を主成分とする配線であれば特に限定されない。この絶縁膜は、例えば配線材を絶縁分離する膜（層間絶縁膜）である。また、メタル配線およびコンタクトの材料は、主にＣｕを主成分とすることができる。金属配線材の信頼性を向上させるため、Ｃｕ以外の金属元素がＣｕからなる部材に含まれていても良く、Ｃｕ以外の金属元素がＣｕの上面や側面などに形成されていても良い。さらに、配線あるいはコンタクトを構成する金属元素が層間絶縁膜や下層へ拡散することを防止するために、配線の側面および底面を被覆するバリアメタル膜を設けてもよい。バリアメタル膜は、銅の拡散に対してバリアとなる性質を有する導電性膜を示す。例えば、配線がＣｕを主成分とする金属元素からなる場合には、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、およびタングステン（Ｗ）のような高融点金属やその窒化物等、またはそれらの積層膜が使用されてもよい。このメタル配線の形成方法は特に限定されず、エッチング法、ダマシン法などが用いられる。メタル配線下およびメタル配線間の層間絶縁膜のいずれにもＣＭＰを用いることができる。また、接続パッド１５２も配線と同様の材料で構成することができる。」 ４ 引用文献４について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、次の記載がある（下線部は当審による。）。 「【０１１４】 図１４は、障壁層２４へのオーミックコンタクト３０の形成を示している。ここで図１４を参照すると、障壁層２２にオーミック金属領域を形成するために、窓８およびリセス９によって露出された障壁層２２の部分に、蒸着によって金属が堆積されもよい。適切な金属には、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化チタンタングステン（ＴｉＷＮ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、レニウム（Ｒｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステンシリコン（ＷＳｉＮ）、白金（Ｐｔ）などの耐熱金属がある可能性がある。どんな不要な金属も、例えば溶媒を使用して除去されてもよい。オーミック金属領域は、保護層２４の窓よりも小さくなるようにパターニングされてもよく、さらに、第１および第２のオーミックコンタクト領域３０を形成するようにアニールされてもよい。そのようなものとして、オーミックコンタクト領域３０は、オーミックコンタクト金属の形成および／またはパターニングでの位置合わせ不良公差（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔｔｏｌｅｒａｎｃｅ）を許容するのに十分な距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。例えば、オーミックコンタクト領域３０の縁は、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．５μｍの距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置されてもよい。」 ５ 引用文献５について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には、次の記載がある（下線部は当審による。）。 「【００８９】 なお、第５の実施形態は、２種類の金属（Ｔｉ及びＭｏ）を用いてソース電極７ｓ及び７ｄの接触抵抗がゲート電極７ｇ側で高くなるように構成されているが、３種類以上の導電体（金属、合金、化合物等）が用いられてもよい。つまり、ゲート電極から離間するほど接触抵抗が低くなるように構成されていればその材料は限定されない。例えば、図１４に示すように、Ｍｏ膜５２ｄよりも接触抵抗が低い導電部材５３ａｄ、５３ｂｄ、５３ｃｄ及び５３ｄｄがゲート電極７ｇから離間する方向から並んで設けられていてもよい。この場合、導電部材５３ａｄの接触抵抗が最も低く、導電部材５３ｄｄの接触抵抗が最も高い。また、導電部材５３ｂｄの接触抵抗が２番目に低く、導電部材５３ｄｄの接触抵抗が２番目に高い。なお、このようなオーミック電極（ソース電極７ｓ及びドレイン電極７ｄ）の材料としては、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｓｉ、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｒｕ、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＮｉＯ、ＩｒＯ、ＳｒＲｕＯ、ＣｏＳｉ2、ＷＳｉ2、ＮｉＳｉ、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、Ａｌ－Ｓｉ合金、Ａｌ－Ｓｉ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金及びＡｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金が挙げられる。」 第５ 対比・判断 １ 本願発明１～１２と引用発明１との対比・判断 （１）本願発明１について ア 対比 本願発明１と引用発明１とを対比する。 （ア）本願発明１の「ＩＩＩ族－Ｎ半導体層」について、本願明細書の【０００２】に、「以降では、ＩＩＩ族窒化物をＩＩＩ族－Ｎとして参照することもあり、これは例えば、二元のＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ合金、例えばＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ＡｌＧａＮ）合金などの三元合金、及び他の窒素系合金を含む」と記載され、一方、引用発明１の「半導体積層体１５」は、「ＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）層」である「障壁層１３」を含むから、引用発明１の「半導体積層体１５」は、本願発明１の「ＩＩＩ族－Ｎ半導体層」に相当する。 （イ）引用発明１の「ソース電極４０」及び「ドレイン電極５０」は、「半導体積層体１５」の「障壁層１３」に接する。ここで、技術常識からすれば、引用発明１の「ソース電極４０」及び「ドレイン電極５０」は、「障壁層１３」とオーミックコンタクトしているといえる。 よって、本願発明１と引用発明１とは、「前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしたソース電極構造及びドレイン電極構造」を有する点で共通する。 （ウ）引用発明１の「ゲート電極５０」は、「ソース電極４０」及び「ドレイン電極５０」の間に設けられ、また、「ゲート絶縁膜２０」を介して、「半導体積層体１５」の「障壁層１３」に接している。 一方、本願明細書の【００５６】に「なお、ゲート電気コンタクト構造１４ＧＣは、メタル絶縁ゲートＨＥＭＴ（ＭＩＳＨＥＭＴ）を形成するように、図３Ａに示すように、ゲート金属層１４ａとＩＩＩ族－Ｎ半導体層３６との間に配置された、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である薄い（典型的に、～２－１０ｎｍ）誘電体層１４ｂを有していてもよい。」と記載されているから、本願発明１の「ゲート電極構造」が有する「電気コンタクト構造」は、ゲート電極層とＩＩＩ族－Ｎ半導体層との間に誘電体層を有していてもよい。 よって、本願発明１と引用発明１とは、「前記ソース電極構造と前記ドレイン電極構造との間に配置され、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触したゲート電極構造」を有する点で共通する。 （エ）引用発明１の「ゲート電極３０」は、Ｎｉである「ゲートメタル層３０ａ」と、Ｎｉである「バリアメタル層３０ｂ」と、Ｔｉである「配線層３０ｃ」と、Ａｌである「配線層３０ｄ」と、を含む。 また、引用発明１の「ソース電極４０」は、Ｔｉである「コンタクト層４０ａ」と、Ａｌである「メタル層４０ｂ」と、Ｔｉである「バリアメタル層４０ｃ」とを含む。 さらに、引用発明１の「ドレイン電極５０」は、Ｔｉである「コンタクト層５０ａ」と、Ａｌである「メタル層５０ｂ」と、Ｔｉである「バリアメタル層５０ｃ」とを含む。 以上によれば、引用発明１の「ゲート電極３０」、「ソース電極４０」及び「ドレイン電極５０」は、材質に金を含まない。 また、引用発明１の「ゲート電極３０」、「ソース電極４０」及び「ドレイン電極５０」は、同じ組成の膜を含む。 よって、本願発明１と引用発明１とは、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造」は、「金フリー」であり、「同様の材料」からなる膜を含む点で共通する。 （オ）引用発明１の「窒化物半導体装置」は、本願発明１の「半導体構造」に相当する。 （カ）以上の（ア）～（オ）によれば、本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と、 前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしたソース電極構造及びドレイン電極構造と、 前記ソース電極構造と前記ドレイン電極構造との間に配置され、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触したゲート電極構造と を有し、 前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は金フリーであり、同様の材料からなる膜を有する、 半導体構造。」 ＜相違点１＞ 本願発明１においては、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は各々」、「電気コンタクト構造」と、「該電気コンタクト構造上」の「電極コンタクト」とを有し、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトの各々が、前記電気コンタクト構造上に配置されたライナと、該ライナ上に配置された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナで覆われている」のに対し、引用発明１は、そのような構造を備えない点。 イ 判断 相違点１に係る本願発明１の「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は各々」、「電気コンタクト構造」と、「該電気コンタクト構造上」の「電極コンタクト」とを有し、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトの各々が、前記電気コンタクト構造上に配置されたライナと、該ライナ上に配置された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナで覆われている」という構成は、上記引用文献１～５には、記載されておらず、本願の優先日前において周知技術であるともいえない。 よって、引用発明１において、相違点１に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 ウ 小括 よって、本願発明１は、引用発明１、引用発明２及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２）本願発明２～１０について 本願発明２～１０も、相違点１に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明１、引用発明２及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本願発明１１、１２について 本願発明１１、１２は、それぞれ、本願発明１、２に対応する方法の発明であり、相違点１に係る本願発明１の構成に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明１、引用発明２及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２ 本願発明１～１２と引用発明２との対比・判断 （１）本願発明１について ア 対比 本願発明１と引用発明２とを対比する。 （ア）本願発明１の「ＩＩＩ族－Ｎ半導体層」について、本願明細書の【０００２】に、「以降では、ＩＩＩ族窒化物をＩＩＩ族－Ｎとして参照することもあり、これは例えば、二元のＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ合金、例えばＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ＡｌＧａＮ）合金などの三元合金、及び他の窒素系合金を含む」と記載されているから、引用発明２の「アンドープＧａＮ層２０４及びアンドープＡｌＧａＮ層２０５を有する窒化物半導体層２０３」及び「前記アンドープＡｌＧａＮ層２０５上に形成されたｐ型ＧａＮ層２１０」は、本願発明１の「ＩＩＩ族－Ｎ半導体層」に相当する。 （イ）引用発明２の「ソース電極２０７」及び「ドレイン電極２０８」は、「窒化物半導体層２０３」の「アンドープＡｌＧａＮ層２０５」に接するものである。 また、引用発明２の「ゲート電極２０９」は、「窒化物半導体層２０３」の「アンドープＡｌＧａＮ層２０５」上に形成された「ｐ型ＧａＮ層２１０」に接するものである。 更に、引用発明２の「ゲート電極２０９」は、「ソース電極２０７」と「ドレイン電極２０８」の間に配置される。 しかも、引用文献２の［図１］（上記第３ ２（１））から理解されるように、引用発明２の「第１ゲート電極配線１０３」は、「第１ソース電極配線１０１」と「第１ドレイン電極配線１０２」の間に配置されるものではない。 これに対し、本願発明１における「ゲート電極構造」は、「ソース電極構造」と「ドレイン電極構造」の間に配置されるものである。 以上によれば、引用発明２の「ソース電極２０７」、「ドレイン電極２０８」及び「ゲート電極２０９」が、本願発明１の「ソース電極構造」、「ドレイン電極構造」及び「ゲート電極構造」にそれぞれ対応するといえる。 そして、技術常識からすれば、引用発明２の「ソース電極２０７」及び「ドレイン電極２０８」は、「アンドープＡｌＧａＮ層２０５」にオーミックコンタクトしているといえる。 そうすると、本願発明１と引用発明２とは、「前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしたソース電極構造及びドレイン電極構造」と、「前記ソース電極構造と前記ドレイン電極構造との間に配置され、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触したゲート電極構造」とを有する点で共通する。 （ウ）引用発明２の「ソース電極２０７」及び「ドレイン電極２０８」は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属からなる。 また、引用発明２の「ゲート電極２０９」は、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、などからな」る。 よって、本願発明１と引用発明２とは、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は」、「金フリー」である点で共通する。 （エ）引用発明２の「半導体装置」は、本願発明１の「半導体構造」に相当する。 （オ）以上の（ア）～（エ）によれば、本願発明１と引用発明２の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と、 前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層とオーミックコンタクトしたソース電極構造及びドレイン電極構造と、 前記ソース電極構造と前記ドレイン電極構造との間に配置され、前記ＩＩＩ族－Ｎ半導体層と接触したゲート電極構造と を有し、 前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は金フリーである、 半導体構造。」 ＜相違点２＞ 本願発明１においては、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は各々」、「電気コンタクト構造」と、「該電気コンタクト構造上」の「電極コンタクト」とを有し、「各電極コンタクトが同様の材料であり」、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトの各々が、前記電気コンタクト構造上に配置されたライナと、該ライナ上に配置された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナで覆われている」のに対し、引用発明２は、そのような構造を備えない点。 イ 判断 相違点２に係る本願発明１の「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造は各々」、「電気コンタクト構造」と、「該電気コンタクト構造上」の「電極コンタクト」とを有し、「各電極コンタクトが同様の材料であり」、「前記ソース電極構造、前記ドレイン電極構造及び前記ゲート電極構造の前記電極コンタクトの各々が、前記電気コンタクト構造上に配置されたライナと、該ライナ上に配置された導電性材料とを有し、前記導電性材料の底面及び側壁が前記ライナで覆われている」という構成は、上記引用文献１～５には、記載されておらず、本願の優先日前において周知技術であるともいえない。 よって、引用発明２において、相違点２に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 ウ 小括 よって、本願発明１は、引用発明２、引用発明１及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （２）本願発明２～１０について 本願発明２～１０も、相違点２に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明２、引用発明１及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本願発明１１、１２について 本願発明１１、１２は、それぞれ、本願発明１、２に対応する方法の発明であり、相違点２に係る本願発明１の構成に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明２、引用発明１及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 第６ 原査定についての判断 令和２年１２月４日付け手続補正により補正された請求項１～９、１１～１２に係る発明は、いずれも、上記相違点１に係る構成を有しているから、引用発明１であるとはいえない。 また、令和２年１２月４日付け手続補正により補正された請求項１～１２に係る発明は、いずれも、上記相違点１及び上記相違点２に係る構成を有しているから、上記のとおり、相違点１、相違点２に係る構成は、引用発明１、引用発明２及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。 したがって、原査定を維持することはできない。 第７ 当審拒絶理由について １ 特許法第１７条の２第３項 当審では、請求項１～１２について、電気コンタクト構造が「平面状の頂面を持つ」との事項が新規事項に該当するとの拒絶理由を通知しているが、令和４年７月１３日にされた補正により、当該事項が削除されたことにより、この拒絶理由は解消した。 ２ 特許法第３６条第６項第１号 当審では、請求項１～１２について、ソース電極構造、ドレイン電極構造及びゲート電極構造に金が含まれるものについても包含しているといえ、金が含まれるものであった場合には「Ａｕフリー」とはならず、本願発明が解決しようとする課題は解決されないから、請求項１～１２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないとの拒絶理由を通知しているが、令和４年７月１３日にされた補正により、ソース電極構造、ドレイン電極構造及びゲート電極構造の各々の電気コンタクト構造及び電極コンタクトが「金フリー」である旨が特定されたことにより、この拒絶理由は解消した。 第８ むすび 以上のとおり、本願発明１～１２は、引用発明１、引用発明２及び引用文献３～５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。