2021-002351

特願２０１７－５２８８８１号「インラインＭＥＭＳスイッチを有するマルチチャネルリレーアセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年６月９日国際公開、ＷＯ２０１６／０８９５０４、平成３０年１月１８日国内公表、特表２０１８－５０１６１２号〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１５年（平成２７年）１０月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１４年１２月３日 （ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、令和１年１１月５日付けで拒絶理由が通知され、令和２年１月３１日に意見書及び手続補正書が提出され、同年４月２０日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年７月２２日に意見書が提出されたが、同年１０月２３日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がされ、これに対して、令和３年２月２３日に拒絶査定不服審判の請求がされ、同年１０月１２日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、令和４年４月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。 第２ 本願発明 本願の請求項１～３０に係る発明は、令和４年４月１５日に提出された手続補正書により補正された請求項１～３０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。 「【請求項１】 オーミックＲＦ ＭＥＭＳリレーであって、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板（１２）と、 直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）であって、それによって第１のチャネル（４５，１３０，２３０，３３０）を画定し、独立して作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）と、 前記基板（１２）に機械的に結合され、前記第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカー（４８ａ，４８ｂ）と、を含む、オーミックＲＦ ＭＥＭＳリレー。」 第３ 原査定の拒絶理由の概要 原査定における請求項１についての拒絶理由の概要は、以下のとおりである。 この出願の下記の請求項に係る発明は、その優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 ・請求項 １ ・引用文献等 １－３ ・引用文献等一覧 １．米国特許出願公開第２０１４／０３０５７７７号明細書 ２．米国特許出願公開第２００７／００１８７６１号明細書（周知技術を示す文献） ３．特開２００９－９５２２５号公報（周知技術を示す文献） 以下それぞれ「引用文献１」、「引用文献２」、「引用文献３」という。 なお、当審拒絶理由では、「特許請求の範囲の記載が明確でなく、新規性・進歩性の判断を行うことができないから、原査定の進歩性の判断については留保する」旨を附記した。 第４ 引用文献の記載、引用発明等 １ 引用文献１について ア 引用文献１の記載事項 本願の優先日前に公開され、原査定の拒絶理由に引用された引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている（翻訳は、引用文献１のパテントファミリー文献である特表2017-527949号公報を参考にしつつ当審が作成した。また、下線は当審が付したものであり、以下同様である。）。 （１ａ） 「[0003] Micro-electromechanical system (MEMS) devices have a wide variety of applications and are prevalent in commercial products. One type of MEMS device is a MEMS switch. ・・・ [0020] Referring to FIG. 1, a micro-electromechanical system (MEMS) device 10 for decoupling one or more surface coils 12 of a coil system 14 in a radio frequency (RF) device 15, for example, a magnetic resonance imaging (MRI) system, is disclosed. ・・・ [0024] Referring to FIG. 2, the MEMS device 10 is shown. In the illustrated embodiment, the MEMS device 10 includes a MEMS switch 20. The MEMS device 10 includes a substrate 22, a beam 24, a beam electrode 26, first and second control electrodes 28, 30, and first and second contact electrodes 32, 34. In some embodiments, more than one substrate may be used. This back-to-back configuration can be instantiated by either one substrate or a plurality of substrates. [0025] In the illustrated embodiment, a first intermediate layer 36 is disposed on the substrate 22. The first control electrode 28 is disposed on the first intermediate layer 36 via a second intermediate layer 38. The second control electrode 30 is disposed on the first intermediate layer 36 via a third intermediate layer 40. The first contact electrode 32 is disposed on the first intermediate layer 36 via a fourth intermediate layer 42. The second contact electrode 34 is disposed on the first intermediate layer 36 via a fifth intermediate layer 44. The beam electrode 26 is disposed on the on the first intermediate layer 36 via a sixth intermediate layer 37. It should be noted herein that number of intermediate layers may vary depending upon the application. [0026] The beam 24 includes an anchor portion 46, a first beam portion 48, and a second beam portion 50. In some embodiments, the beam 24 may include more than one anchor portion, where the anchor portions are mutually coupled electrically. In the illustrated embodiment, the anchor portion 46 is coupled to the beam electrode 26 via a seventh intermediate layer 52. The first beam portion 48 extends from the anchor portion 46 along a first direction 54 and the second beam portion 50 extends from the anchor portion 46 along a second direction 56 opposite to the first direction 54. The first control electrode 28 and the first contact electrode 32 are disposed facing the first beam portion 48. The second control electrode 30 and the second contact electrode 34 are disposed facing the second beam portion 50. In the illustrated embodiment, the first control electrode 28 and the second control electrode 30 are coupled to form a gate 58. The gate 58 is any type of voltage source, for example, a square wave voltage source capable of driving or biasing the MEMS switches 20 to cause the beam 24 in the MEMS switch 20 to bend or deflect such that an electrical path is provided through the MEMS switch 20 (i.e., a closed state of the MEMS switch 20). A seed layer 60 is formed on the beam 24 facing the beam electrode 26, the first and second control electrodes 28, 30, the first and second contact electrodes 32, 34, and the first intermediate layer 36. [0027] The beam 24 may be formed from different materials. For example, the beam 24 may be formed from one or more different metals, such as gold, gold alloy, nickel, nickel alloy, tungsten, or the like. The substrate 22 may include silicon, silica, quartz, or the like and the intermediate layers may include silicon nitride, silicon oxide, adhesion layers, or the like. The electrodes 26, 28, 30, 32, 34 may include metals such as gold, platinum, tantalum, or the like. In a specific embodiment, the electrodes 26, 28, 30, 32, 34 may include metal oxides. It should be noted herein that the composition of the beam 24, substrate 22, and electrodes 26, 28, 30, 32, 34 disclosed herein are not all inclusive and may vary depending upon the application. The MEMS switch 20 may be manufactured using technique involving deposition, anodization, patterning, etching, or the like. ・・・ [0030] When no actuation voltage is applied between the gate 58 and the beam electrode 26, the first beam portion 48 and the second beam portion 50 are disposed at a first position in such a way that a first beam contact portion 62 of the first beam portion 48 and a second beam contact portion 64 of the second beam portion 50 are spaced apart from the first contact electrode 32 and the second contact electrode 34 respectively, referred to as an open state. When an actuation voltage is applied between the gate 58 and the beam electrode 26, the first beam portion 48 and the second beam portion 50 are biased from the first position to a second position in such a way that the first beam contact portion 62 and the second beam contact portion 64 contacts the first contact electrode 32 and the second contact electrode 34 respectively allowing the current to flow from the first and second beam contact portions 62, 64 to the first and second contact electrodes 32, 34, referred to as a closed state. ・・・ [0032] In accordance with the embodiments of the present invention, two control electrodes, namely the first control electrode 28 and the second control electrode 30 are coupled to form a gate 58. The first control electrode 28 and the second control electrode 30 are configured in such a way that when an actuation voltage is applied between the gate 58 and the beam electrode 26, the actuation voltage is applied equally to the first control electrode 28 and the second control electrode 30. This allows actuation of the first beam portion 48 and the second beam portion 50 using the same gating signal. [0033] Referring to FIG. 3, the MEMS switch 20 including a back-to-back orientation in accordance with an embodiment of FIG. 2 is illustrated. In the illustrated embodiment, the MEMS switch 20 has a symmetrical arrangement modeled as two triangles 66, 68, each triangle having three capacitors, coupled to the contact electrodes 32, 34. The triangle 66 has a first capacitor 70 indicative of a capacitance between the gate 58 and the first beam portion 48, a second capacitor 72 indicative of capacitance between the gate 58 and the first contact electrode 32, and a third capacitor 74 indicative of capacitance between the first beam portion 48 and the first contact electrode 32. The triangle 68 has a fourth capacitor 76 indicative of a capacitance between the gate 58 and the second beam portion 50, a fifth capacitor 78 indicative of a capacitance between the gate 58 and the second contact electrode 34, and a sixth capacitor 80 indicative of a capacitance between the second beam portion 50 and the second contact electrode 34.」 [翻訳] 「[0003] 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、実に様々な適用例を有し、商品に広く行き渡っている。１つの種類のＭＥＭＳデバイスはＭＥＭＳスイッチである。 ・・・ [0020] 図１を参照すると、無線周波数（ＲＦ）デバイス１５内のコイルシステム１４の１つまたは複数の表面コイル１２を減結合するための微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス１０、例えば、磁気共鳴撮像システムが開示される。 ・・・ [0024] 図２を参照すると、ＭＥＭＳデバイス１０が示される。図示する実施形態において、ＭＥＭＳデバイス１０はＭＥＭＳスイッチ２０を含む。ＭＥＭＳデバイス１０は、基板２２と、ビーム２４と、ビーム電極２６と、第１および第２の制御電極２８、３０と、第１および第２の接触電極３２、３４とを含む。いくつかの実施形態において、１つより多くの基板を使用することができる。この連続構成は、１つの基板または複数の基板のいずれかによって例示化することができる。 [0025] 図示する実施形態において、第１の中間層３６が基板２２上に配設される。第１の制御電極２８は、第２の中間層３８を介して第１の中間層３６上に配設される。第２の制御電極３０は、第３の中間層４０を介して第１の中間層３６上に配設される。第１の接触電極３２は、第４の中間層４２を介して第１の中間層３６上に配設される。第２の接触電極３４は、第５の中間層４４を介して第１の中間層３６上に配設される。ビーム電極２６は、第６の中間層３７を介して第１の中間層３６上に配設される。中間層の数は適用例により異なることができることに本明細書では留意されたい。 [0026] ビーム２４は、アンカー部分４６と、第１のビーム部分４８と、第２のビーム部分５０とを含む。いくつかの実施形態において、ビーム２４は、アンカー部分が相互に電気的に結合される１つより多くのアンカー部分を含むことができる。図示する実施形態において、アンカー部分４６は、第７の中間層５２を介してビーム電極２６に結合される。第１のビーム部分４８は、第１の方向５４に沿ってアンカー部分４６から延び、第２のビーム部分５０は、第１の方向５４の反対の第２の方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる。第１の制御電極２８および第１の接触電極３２は、第１のビーム部分４８を向いて配設される。第２の制御電極３０および第２の接触電極３４は、第２のビーム部分５０を向いて配設される。図示する実施形態において、第１の制御電極２８および第２の制御電極３０は、ゲート５８を形成するために結合される。ゲート５８は、任意の種類の電圧源、例えば、ＭＥＭＳスイッチ２０を駆動して、またはＭＥＭＳスイッチ２０にバイアスをかけてＭＥＭＳスイッチ２０内のビーム２４を電気路がＭＥＭＳスイッチ２０を通って設けられる（すなわち、ＭＥＭＳスイッチ２０の閉状態）ように屈曲または屈折させることができる方形波電圧源である。シード層６０がビーム電極２６と、第１および第２の制御電極２８、３０と、第１および第２の接触電極３２、３４と、第１の中間層３６とを向いてビーム２４上に形成される。 [0027] ビーム２４は、異なる材料から形成することができる。例えば、ビーム２４は、金、金合金、ニッケル、ニッケル合金、タングステンなどの１つまたは複数の異なる金属から形成することができる。基板２２は、シリコン、シリカ、石英などを含むことができ、中間層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、接着層などを含むことができる。電極２６、２８、３０、３２、３４は、金、白金、タンタルなどの金属を含むことができる。具体的な実施形態において、電極２６、２８、３０、３２、３４は、金属酸化物を含むことができる。本明細書に開示するビーム２４、基板２２、および電極２６２８、３０、３２、３４の組成は、すべてを包含せず、適用例により異なることができることに本明細書では留意されたい。ＭＥＭＳスイッチ２０は、堆積、陽極酸化、パターン形成、エッチングなどが関与する技法を使用して製造することができる。 ・・・ [0030] ゲート５８とビーム電極２６との間に作動電圧が何も印加されないとき、第１のビーム部分４８および第２のビーム部分５０は、第１のビーム部分４８の第１のビーム接触部分６２および第２のビーム部分５０の第２のビーム接触部分６４がそれぞれ第１の接触電極３２および第２の接触電極３４から離隔されるように第１の位置に配設され、「開状態」と称される。作動電圧がゲート５８とビーム電極２６との間に印加されたとき、第１のビーム部分４８および第２のビーム部分５０には、第１のビーム接触部分６２および第２のビーム接触部分６４がそれぞれ第１の接触電極３２および第２の接触電極３４に接触し、電流が第１および第２のビーム接触部分６２、６４から第１および第２の接触電極３２、３４に流れることが可能になるように第１の位置から第２の位置にバイアスがかけられ、「閉状態」と称される。 ・・・ [0032] 本発明の実施形態によれば、２つの制御電極、すなわち、第１の制御電極２８および第２の制御電極３０は、ゲート５８を形成するために結合される。第１の制御電極２８および第２の制御電極３０は、作動電圧がゲート５８とビーム電極２６との間に印加されたとき、作動電圧が第１の制御電極２８と第２の制御電極３０とに均一に印加されるように構成される。これにより、同じゲート信号を使用して第１のビーム部分４８と第２のビーム部分５０との作動が可能になる。 [0033] 図３を参照すると、図２の実施形態による、連続配向を含むＭＥＭＳスイッチ２０が図示される。図示する実施形態において、ＭＥＭＳスイッチ２０は、各三角形が３つのキャパシタを有する、接触電極３２、３４に結合された、２つの三角形６６、６８としてモデル化された対称的な配列を有する。三角形６６は、ゲート５８と第１のビーム部分４８との間の静電容量を示す第１のキャパシタ７０と、ゲート５８と第１の接触電極３２との間の静電容量を示す第２のキャパシタ７２と、第１のビーム部分４８と第１の接触電極３２との間の静電容量を示す第３のキャパシタ７４とを有する。三角形６８は、ゲート５８と第２のビーム部分５０との間の静電容量を示す第４のキャパシタ７６と、ゲート５８と第２の接触電極３４との間の静電容量を示す第５のキャパシタ７８と、第２のビーム部分５０と第２の接触電極３４との間の静電容量を示す第６のキャパシタ８０とを有する。」 （１ｂ） 図２、図３は、以下のとおりである。 ［図：0001394350000001.jpg］ ［図：0001394350000002.jpg］ イ 引用文献１に記載された発明 （ア） 上記アにおける「および」は「及び」に、「第１の」は「第１」に、「第２の」は「第２」に、「第３の」は「第３」に、「第４の」は「第４」に、「第５の」は「第５」に、「第６の」は「第６」に、「第７の」は「第７」に、それぞれ読み替えることとする。 （イ） 上記アの段落[0024]の「第１および第２の制御電極２８、３０と、第１および第２の接触電極３２、３４とを含む」は、「第１制御電極２８及び第２制御電極３０と、第１接触電極３２及び第２接触電極３４とを含む」ものとして特定でき、段落[0030]の「電流が第１および第２のビーム接触部分６２、６４から第１および第２の接触電極３２、３４に流れることが可能になるように」は、「電流が第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４から、それぞれ、第１接触電極３２及び第２接触電極３４に流れることが可能になるように」として特定でき、段落[0033]の「三角形６６、６８としてモデル化された対称的な配列」は、「三角形６６、及び、三角形６８としてモデル化された対称的な配列」として特定できる。 （ウ） 上記（ア）、（イ）及び上記アから、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 ［引用発明］ 「シリコンを含む基板２２と、 基板２２上に配設される第１中間層３６上に、第６中間層３７を介して配設されるビーム電極２６に、第７中間層５２を介して結合されるアンカー部４６、第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０を含む、金合金などの金属から形成されたビーム２４と、 ビーム電極２６と、 第１ビーム部分４８を向いて配設される第１制御電極２８及び第２ビーム部分５０を向いて配設される第２制御電極３０と、 第１ビーム部分４８を向いて配設される第１接触電極３２及び第２ビーム部分５０を向いて配設される第２接触電極３４とを含み、 ゲート５８と第１ビーム部分４８との間の静電容量を示す第１キャパシタ７０と、ゲート５８と第１接触電極３２の間の静電容量を示す第２キャパシタ７２と、第１ビーム部分４８と第１接触電極３２との間の静電容量を示す第３キャパシタ７４とを有する、三角形６６、及び、ゲート５８と第２ビーム部分５０との間の静電容量を示す第４キャパシタ７６と、ゲート５８と第２接触電極３４の間の静電容量を示す第５キャパシタ７８と、第２ビーム部分５０と第２接触電極３４との間の静電容量を示す第６キャパシタ８０とを有する、三角形６８として、モデル化された対称的な配列を有し、 作動電圧がゲート５８とビーム電極２６との間に印加されたとき、作動電圧が第１制御電極２８と第２制御電極３０とに均一に印加され、第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４がそれぞれ第１接触電極３２及び第２接触電極３４に接触し、電流が第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４から、それぞれ、第１接触電極３２及び第２接触電極３４に流れることが可能になるように、第１ビーム部分４８及び第２ビーム部分５０には、第１位置から第２位置にバイアスがかけられ、閉状態と称される、 ＭＥＭＳスイッチ２０を含む、無線周波数（ＲＦ）デバイス１５内のコイルシステム１４の１つまたは複数の表面コイル１２を連結解除するための、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス１０。」 ２ 引用文献２について 本願の優先日前に公開され、原査定の拒絶理由に周知技術を示す文献として提示された引用文献２には、図面とともに以下の事項が記載されている。 （２ａ） 「[0116] FIG. 38 is an example in which a MEMS switch explained in the aforementioned first embodiment is used as a feeding switch for a circuit block. In FIG. 38, the mth circuit block and the nth circuit block are shown among a plurality of circuit blocks. [0117] When the power supply of the circuit block m is ON, VINm is applied to the MEMS switch 70 to turn on the mth MEMS switch 70. The voltage of the feed line 72 is supplied to the circuit block m through the current path of this MEMS switch 70. [0118] When the power supply of the circuit block n is ON, VINn is applied to the MEMS switch 71 to turn on the nth MEMS switch 71. The voltage of the feed line 72 is supplied to the circuit block n through the current path of this MEMS switch 71. [0119] When VINm and VINn are simultaneously applied and the mth MEMS switch 70 and the nth MEMS switch 71 are simultaneously turned on, the circuit block m and the circuit block n can be fed at the same time. Moreover, energy-savings of the entire integrated circuit can be achieved by cutting off feed power by turning off the MEMS switch and stopping at every circuit block when unused.」 ［翻訳］ 「[0116] 図３８は、前述の第１の実施形態で説明したＭＥＭＳスイッチを回路ブロックの給電スイッチとして使用した例である。図３８には、複数の回路ブロックのうち、ｍ番目の回路ブロックとｎ番目の回路ブロックが示されている。 [0117] 回路ブロックｍの電源がオンのとき、ＶＩＮｍがＭＥＭＳスイッチ７０に印加されて、ｍ番目のＭＥＭＳスイッチ７０がオンになる。給電線７２の電圧は、このＭＥＭＳスイッチ７０の電流経路を介して回路ブロックｍに供給される。 [0118] 回路ブロックｎの電源がオンのとき、ＶＩＮｎがＭＥＭＳスイッチ７１に印加されて、ｎ番目のＭＥＭＳスイッチ７１がオンになる。給電線７２の電圧は、このＭＥＭＳスイッチ７１の電流経路を介して回路ブロックｎに供給される。 [0119] ＶＩＮｍとＶＩＮｎが同時に印加され、ｍ番目のＭＥＭＳスイッチ７０とｎ番目のＭＥＭＳスイッチ７１が同時にオンになると、回路ブロックｍと回路ブロックｎに同時に給電することができる。さらに、ＭＥＭＳスイッチをオフにし、未使用の場合はすべての回路ブロックで停止することにより、給電電力を遮断することにより、集積回路全体の省エネを実現できる。」 （２ｂ） 図１、図３８は、以下のとおりである。 ［図：0001394350000003.jpg］ ［図：0001394350000004.jpg］ 第５ 対比・判断 １ 対比 本願発明と引用発明とを対比する。 （１） 引用発明の「シリコンを含む基板２２」は、「ＭＥＭＳスイッチ２０」に使用されているから、実質的にプリント基板であってコンデンサの態様となっており、また、引用発明の「シリコンを含む基板２２」は、引用発明の「キャパシタ」を有する「三角形」（図２も参照）を構成する部材であり、容量性結合を構成する部材であるといえるから、いずれであっても、引用発明の「シリコンを含む基板２２」は、容量性結合を有することが明らかである。 このことを踏まえると、引用発明の「シリコンを含む基板２２」は、本願発明の「第１の容量性結合Ｃsubを有する基板」に相当する。 （２） ア 引用発明の「第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８」及び「第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０」は、それぞれ、本願発明の「第１の作動要素」及び「第２の作動要素」に相当する。 引用発明の「第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０」は、「金合金などの金属から形成されたビーム２４」が「含む」ものであり、「金合金などの金属から形成されたビーム２４」の一部を構成しているから、電気的に結合されていることが明らかである。 そうすると、引用発明の「第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８」及び「第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０」と、本願発明の「直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素」とは、「電気的に結合された第１および第２の作動要素」において共通している。 イ 「チャネル」について、ウェブサイトの「コトバンク」の「日本大百科全書(ニッポニカ)チャネルの解説」には、「情報を伝える経路や手段を意味する」及び「半導体装置 電界効果トランジスタ（FET：Field Effect Transistor）などにおいて、ソース（電流の入口）とドレイン（電流の出口）の間の電流経路をチャネルとよぶ」と記載されている。 引用発明の「基板２２上に配設される第１中間層３６上に、第６中間層３７を介して配設されるビーム電極２６に、第７中間層５２を介して結合されるアンカー部４６、第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０を含む、金合金などの金属から形成されたビーム２４」の「ビーム電極２６」は、「金合金などの金属から形成されたビーム２４」の「アンカー部４６」に電気的に接続されていることで、「第１ビーム部分４８」又は「第２ビーム部分５０」と、他の箇所とを電気的に接続する電流経路となっているから、「第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０」（電気的に結合された第１および第２の作動要素）により画定されているチャネルである。 このことと、上記アを踏まえると、引用発明の「基板２２上に配設される第１中間層３６上に、第６中間層３７を介して配設されるビーム電極２６に、第７中間層５２を介して結合されるアンカー部４６、第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０を含む、金合金などの金属から形成されたビーム２４」における「第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０」と、本願発明の「直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素であって、それによって第１のチャネルを画定」する「第１および第２の作動要素」とは、「電気的に結合された第１および第２の作動要素であって、それによって第１のチャネルを画定」する「第１および第２の作動要素」において共通している。 ウ 引用発明の「第１ビーム部分４８と第１接触電極３２との間の静電容量を示す第３キャパシタ７４」あるいは「ゲート５８と第１ビーム部分４８との間の静電容量を示す第１キャパシタ７０」、及び、「第２ビーム部分５０と第２接触電極３４との間の静電容量を示す第６キャパシタ８０」あるいは「ゲート５８と第２ビーム部分５０との間の静電容量を示す第４キャパシタ７６」は、いずれも、「ビーム部分」に係るコンデンサの態様となっているから、本願発明の「第２の容量性結合Ｃgap」に相当する。 このことと上記アを踏まえると、引用発明の「ゲート５８と第１ビーム部分４８との間の静電容量を示す第１キャパシタ７０と、ゲート５８と第１接触電極３２の間の静電容量を示す第２キャパシタ７２と、第１ビーム部分４８と第１接触電極３２との間の静電容量を示す第３キャパシタ７４とを有する、三角形６６、及び、ゲート５８と第２ビーム部分５０との間の静電容量を示す第４キャパシタ７６と、ゲート５８と第２接触電極３４の間の静電容量を示す第５キャパシタ７８と、第２ビーム部分５０と第２接触電極３４との間の静電容量を示す第６キャパシタ８０とを有する、三角形６８として、モデル化された対称的な配列を有し」ている構成における「第１ビーム部分４８」及び「第２ビーム部分５０」と、本願発明の「直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素であって」、「第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素」とは、「電気的に結合された第１および第２の作動要素であって」、「第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素」において共通している。 エ 引用発明では、「作動電圧がゲート５８とビーム電極２６との間に印加されたとき、作動電圧が第１制御電極２８と第２制御電極３０とに均一に印加され、第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４がそれぞれ第１接触電極３２及び第２接触電極３４に接触し、電流が第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４から、それぞれ、第１接触電極３２及び第２接触電極３４に流れることが可能になるように、第１ビーム部分４８及び第２ビーム部分５０には、第１位置から第２位置にバイアスがかけられ、閉状態と称される」ことから、「第１ビーム部分４８及び第２ビーム部分５０」は、同時に動作しているといえる。 このことと上記アを踏まえると、引用発明の「作動電圧がゲート５８とビーム電極２６との間に印加されたとき、作動電圧が第１制御電極２８と第２制御電極３０とに均一に印加され、第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４がそれぞれ第１接触電極３２及び第２接触電極３４に接触し、電流が第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４から、それぞれ、第１接触電極３２及び第２接触電極３４に流れることが可能になるように、第１ビーム部分４８及び第２ビーム部分５０には、第１位置から第２位置にバイアスがかけられ、閉状態と称される」構成における「第１ビーム部分４８及び第２ビーム部分５０」と、本願発明の「独立して作動するように構成され」る「第１および第２の作動要素」とは、「作動するように構成され」る「第１および第２の作動要素」において共通している。 （３） 引用発明の「基板２２上に配設される第１中間層３６上に、第６の中間層３７を介して配設されるビーム電極２６に、第７の中間層５２を介して結合されるアンカー部４６」は、各層などを介して、基板２２に機械的に結合されているといえる。 また、引用発明では、「アンカー部分４６から」、「第１ビーム部分４８」及び「第２ビーム部分５０」が「延びる」ものであるから、引用発明の「アンカー部４６」は、「第１ビーム部分４８」及び「第２ビーム部分５０」を支持するといえる。 引用発明の「アンカー部分４６」は、本願発明の「アンカー」に相当する。 これらのことと、上記（２）アを踏まえると、引用発明の「基板２２上に配設される第１中間層３６上に、第６の中間層３７を介して配設されるビーム電極２６に、第７の中間層５２を介して結合されるアンカー部４６、第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０を含む、金合金などの金属から形成されたビーム２４」における「アンカー部４６」は、本願発明の「前記基板に機械的に結合され、前記第１および第２の作動要素のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカー」に相当する。 （４） 引用発明の「ＭＥＭＳスイッチ２０を含む、無線周波数（ＲＦ）デバイス１５内のコイルシステム１４の１つまたは複数の表面コイル１２を連結解除するための、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス１０」は、半導体である「シリコンを含む基板２２」を用いており、半導体（シリコン）と導体（金属）との間に電気的な壁（障壁）が存在せず、シリコンの抵抗に比べて十分に無視できる程の小さな接触抵抗である状態をいうオーミック接触の態様となっていることが明らかであるから、本願発明の「オーミックＲＦＭＥＭＳリレー」に相当する。 以上から、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「オーミックＲＦ ＭＥＭＳリレーであって、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板と、 直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素であって、それによって第１のチャネルを画定し、作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素と、 前記基板に機械的に結合され、前記第１および第２の作動要素のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカーと、を含む、オーミックＲＦ ＭＥＭＳリレー。」 ＜相違点１＞ 「電気的に結合された第１および第２の作動要素」について、本願発明では、「直列に」電気的に結合された第１および第２の作動要素であるのに対して、引用発明では、「第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０」である点。 ＜相違点２＞ 「作動するように構成され」る「第１および第２の作動要素」について、本願発明は、「独立して」作動するように構成される第１および第２の作動要素であるのに対して、引用発明では、「作動電圧がゲート５８とビーム電極２６との間に印加されたとき、作動電圧が第１制御電極２８と第２制御電極３０とに均一に印加され、第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４がそれぞれ第１接触電極３２及び第２接触電極３４に接触し、電流が第１ビーム接触部分６２及び第２ビーム接触部分６４から、それぞれ、第１接触電極３２及び第２接触電極３４に流れることが可能になるように、第１ビーム部分４８及び第２ビーム部分５０には、第１位置から第２位置にバイアスがかけられ、閉状態と称される」点。 ２ 判断 相違点について以下検討する。 （１）相違点１について ア 引用発明の「第１方向５４に沿ってアンカー部分４６から延びる第１ビーム部分４８、及び、第１方向５４の反対の第２方向５６に沿ってアンカー部分４６から延びる第２ビーム部分５０」は、「金合金などの金属から形成されたビーム２４」が「含む」ものであり、「金合金などの金属から形成されたビーム２４」の一部を構成しているから、電気的に結合されていることが明らかであって、「第１ビーム部分４８」と「第２ビーム部分５０」は、直列的に並べた状態で、電気的に結合されたものである。 イ また、本願の図３の実施形態も引用発明の図２の実施形態も、基板と第１の動作要素（第１ビーム部分４８）及び第２の動作要素（第２ビーム部分５０）は、電気的に同じ配置構造となっている。 そうすると、仮に、本願発明の「直列に電気的に結合された」が、実質的に、電気的に直列で接続されたことを意味するのではなく、単に電気的に結合されたことや並列に電気的に結合されたことを意味しているとしても、上記の実施形態を踏まえると、本願発明も引用発明も、基板と第１の動作要素（第１ビーム部分４８）との間の電気的結合と、基板と第２の動作要素（第２ビーム部分５０）との間の電気的結合とは、共に電気的に接続されたものである。 ウ 上記ア、イを踏まえると、相違点１は実質的な相違点とはいえない。 エ 仮に、相違点１が実質的な相違点であったとしても、上記ア、イを踏まえると、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成を想到することは、当業者が適宜なし得たことにすぎない。 （２）相違点２について ア ドライバを備える片持ち梁式のＭＥＭＳスイッチにおいて、各ドライバをそれぞれ独立して作動させることは、周知技術である（引用文献２の段落［0116］～［0119］の記載（摘記（１ａ））及び図１、図３８（摘記（１ｂ））を参照。当該周知技術を示す証拠として、さらに、特開２００６－１９０５９４号公報の図１Ａ～図１Ｄ、図２、段落【００２９】～【００４２】の記載、特開２００７－３３５３７２号公報の図１～３、段落【００１９】、【００２９】も参照。）。 イ 引用発明に、この周知技術を適用することで、引用発明において、各ＭＥＭＳスイッチ（ＭＥＭＳスイッチ２０は、第１ビーム部分４８及び第２ビーム部分５０がそれぞれ片持ち梁式のＭＥＭＳスイッチを構成していることは明らかである。）のそれぞれにドライバを設けるようにして、例えばゲート５８を第１制御電極２８及び第２制御電極３０のそれぞれに対応するように２つ設けるようにして、第１制御電極２８に対応するゲート５８とビーム電極２６との間に作動電圧が印加されると、第１ビーム接触部分６２が第１接触電極３２に接触し、電流が第１ビーム接触部分６２から、第１接触電極３２に流れるように、第１ビーム部分４８は、第１位置から第２位置にバイアスされること、及び、第２制御電極３０に対応するゲート５８とビーム電極２６との間に作動電圧が印加されると、第２ビーム接触部分６４が第２接触電極３４に接触し、電流が第２ビーム接触部分６４から、第２接触電極３４に流れるように、第２ビーム部分５０は、第１位置から第２位置にバイアスされることを、それぞれ、独立して動作させ、第１ビーム部分４８および第２ビーム部分５０（第１および第２の作動要素）を、独立して作動するように構成される第１ビーム部分４８および第２ビーム部分５０（第１および第２の作動要素）とすることで、上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たといえる。 （３）作用効果について また、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 第６ むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。