2020-003177

第１　事案の概要

１　手続等の経緯

特願２０１５－１６５８３１号（以下、「本件出願」という。）は、平成２７年８月２５日を出願日とする出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。

（この手続補正書による補正を、以下「本件補正」という。）

２　原査定の概要

原査定の拒絶の理由は、概略、本件出願の請求項１，３～５係る発明（令和元年７月２３日にした手続補正後のもの）は、本件出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、本件出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。

（引用例１は、請求項１、３～５に係る発明についての主引用例である。引用例６、あるいは引用例７は、請求項１、３、５に係る発明についての主引用例である。引用例８～１０は、周知技術を示すために挙げられたものである。なお、拒絶査定においては、原査定の理由ではないとしつつ、請求項２に対して、引用文献１０を主引用例とした２９条２項の拒絶の理由がある旨の付記がある。）

３　当合議体が通知した拒絶の理由

令和２年１０月２８日付け拒絶理由通知書において当合議体が通知した拒絶の理由は、概略、本件出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない、というものである。

４　本願発明

本件出願の請求項１～３に係る発明（以下、「本願発明１」～「本願発明３」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項によって特定されるとおりの、以下のものである。

「　　【請求項１】

透明基板と、

この透明基板上に互いに平行に設けられた複数の細線とを備え、

前記複数の細線は、所望数の細線毎に単位細線領域を形成し、各単位細線領域内において、各細線の間隙が増減し、かつ各細線の幅が増減し、各細線の間隙および各細線の幅の両者が同時に変化し、

前記複数の細線はモリブデンシリサイドを含有する材料から構成されていることを特徴とする偏光子。

【請求項２】

前記複数の細線は偏光領域を構成し、前記透明基材上における前記偏光領域の外周にはモリブデンシリサイドを含有する材料から構成されている遮光膜が設けられている、請求項１記載の偏光子。

【請求項３】

各単位細線領域は、互いに同一の領域幅を有することを特徴とする請求項１または２記載の偏光子。」

第２　当合議体の判断

１　引用例１を主引用例とする場合

（１）　引用例１の記載及び引用発明

ア　引用例１の記載

原査定の拒絶の理由で引用された引用例１（特表２０１４－５２７２０３号公報）は、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定及び判断等に活用した箇所を示す。

（ア）　「【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【０００１】

ナノメートルサイズの素子（たとえば、ワイヤグリッド偏光子）は、隣接するフィーチャ間の距離、または、フィーチャ間のピッチによってパフォーマンスが制約を受ける。たとえば、電磁放射を効果的に偏光するためには、ワイヤグリッド偏光子のピッチは、電磁放射の波長の半分未満とするべきである。可視光の波長の半分未満のピッチをもつワイヤグリッド偏光子が、既に開示されている。・・・略・・・より高い偏光のコントラスト、および、より小さい波長の偏光を実現するためには（たとえば紫外線光およびＸ線の偏光）、より小さいピッチが必要となる。

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・・・略・・・

【０００２】

ワイヤグリッド偏光子の望ましい特徴は、１つの偏光子をもつ電磁放射の幅広いスペクトルを偏光することである。ワイヤグリッド偏光子は、通常、同じ高さのワイヤで形成される。多くの波長用にワイヤグリッド偏光子を調節して、より滑らかなＴｓ曲線を作成するためには、ワイヤの高さが可変であるワイヤグリッド偏光子を形成すると有用だと思われる。異なる高さのワイヤをもつワイヤグリッド偏光子のための方法が提案されている。

・・・略・・・

【０００３】

ワイヤグリッド偏光子は、通常、１つの平面沿いに設けられた複数のワイヤで形成される。複数の平面沿いに設けられた複数のワイヤをもつワイヤグリッド偏光子を形成すると有用であると思われる。複数の平面沿いに設けられたワイヤをもつワイヤグリッド偏光子は、複数の波長用の調節が可能であり、より滑らかなＴｓ曲線の作成のために有用である。

・・・略・・・

【０００４】

通常、ワイヤグリッド偏光子は、全体が１つの材料からなるワイヤで形成される。複数の波長用にワイヤグリッド偏光子を調節するためには、一部のワイヤが１つの材料からなり、他のワイヤが別の材料からなるワイヤグリッド偏光子が有用であると思われる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【０００５】

隣接するフィーチャ同士の間の間隔が非常に小さい（つまりピッチが小さい）ナノメートルサイズの素子（ワイヤグリッド偏光子など）を作成すると有利であることが認識されている。高さが可変のワイヤをもち、複数の平面に設けられた複数のワイヤをもち、および／または、ワイヤが隣接するワイヤと異なる材料からなっていてよいワイヤアレイをもつ、ナノメートルサイズの素子（ワイヤグリッド偏光子など）を作成すると有利であることが認識されている。

【０００６】

ここに記載する発明は、複数の用途を持っていてよいが、主要な用途はワイヤグリッド偏光子としての用途である。簡略にするために、主に、「ワイヤグリッド偏光子」または「偏光子」という用語が利用されているが、本発明は他の用途にも利用可能である。

【課題を解決するための手段】

【０００７】

一実施形態では、本発明は、基板上に設けられた、平行で細長いワイヤのアレイを含むワイヤグリッド偏光子に関しており、ワイヤは、８０ナノメートル未満のピッチを有している。このような小さいピッチをもつこのワイヤグリッド偏光子は、ここに記載する様々な方法で作成可能である。

・・・略・・・

【０００９】

別の実施形態として、本発明は、基板の上に設けられた複数群の平行で細長いワイヤの繰り返しパターンをもつ偏光子を対象としている。細長いワイヤの各群は、少なくとも３つのワイヤを含む。各群内の少なくとも１つのワイヤは、各群の最も外側のワイヤよりも３ナノメートル（"ｎｍ"）を超える値分、高い。各群の最も外側のワイヤ間の距離は、約１マイクロメートル未満である。本実施形態は、あるワイヤが他のワイヤより高い、高さが可変のワイヤの利点をもつ。ワイヤは、非常に精細なピッチを有することもできる。

【００１０】

別の実施形態では、本発明は、基板の上に設けられ、エッチング反応の副産物である材料を含む、平行で細長いワイヤ群のアレイをもつ偏光子に関している。各群の最も外側のワイヤ間の距離は、約１マイクロメートル未満である。本実施形態は、エッチング反応により形成されるワイヤの利点を有している。ワイヤは、非常に精細なピッチを有することもできる。

【００１１】

別の実施形態では、本発明は、偏光子の製造方法にも関している。方法は、ベースの上にレジストを形成し、次に、レジストをパターニングして、レジスト幅を生成する。次にベースを等方性エッチングして、レジストの外側の横方向においてベース内へ垂直方向に、且つ、レジストの下に水平方向に、エッチングを行って、レジストの下に脚部を残す。脚部の垂直側壁に、エッチング再堆積を行うことで、エッチング再堆積ワイヤを作成する。レジスト外のベースも、垂直にエッチングして、ベースの下部ステップを残すことができる。エッチング再堆積が、ベースの下部ステップの垂直側壁に形成されてよく、これにより、さらなるエッチング再堆積ワイヤが形成される。本実施形態は、エッチング反応が生成するワイヤという利点を有する。ワイヤは、非常に精細なピッチを有することもできる。

・・・略・・・

【図面の簡単な説明】

【００１４】

【図１】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の概略断面側面図である。

・・・略・・・

【図５】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の概略断面側面図である。

【図６】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の製造の一ステップを示す概略断面側面図である。

【図７】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の製造の一ステップを示す概略断面側面図である。

【図８】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の製造の一ステップを示す概略断面側面図である。

【図９】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の製造の一ステップを示す概略断面側面図である。

【図１０】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の製造の一ステップを示す概略断面側面図である。

【図１１】本発明の一実施形態におけるワイヤグリッド偏光子の概略断面側面図である。」

（イ）　「【発明を実施するための形態】

【００１５】

＜定義＞

この明細書および添付請求項では、「電磁放射」という用語は、電磁スペクトルの赤外線、可視光、紫外線、および、ｘ線領域を含む。

続きを表示（全54行）

・ここで利用される、ワイヤ、ロッド、レール、およびリブという用語は、長さが幅または高さよりも実質的に大きい様々な細長い構造のことを示す。ワイヤ、ロッド、レール、およびリブは、様々な断面形状を有してよい。ワイヤ、ロッド、およびレールは、ワイヤグリッド偏光子の偏光構造のことを示し、リブは、ワイヤの細長い支持構造のことを示してよい。

・ここで利用される「実質的」という用語は、動作、特徴、特性、状態、構造、アイテム、または結果が、完全なまたは略完全な程度または度合いであることを示す。たとえば、「実質的に」囲まれているオブジェクトという表現は、該オブジェクトが、完全に囲まれている、または略完全に囲まれていることを示す。絶対的に完全な状態からの許容される厳密なずれの程度は、場合によって、文脈に応じて変化してよい。しかし、一般的には、完全さに近い程度は（nearness of completion）、絶対的かつ全体的な完全さが得られた場合と、全体的な結果が同じであるようなものである。「実質的」という用語の利用は、動作、特徴、特性、状態、構造、アイテム、または結果が完全にない、または略完全にないこと、といった否定的な意味でも利用可能である。

・・・略・・・

【００１７】

＜精細なピッチのワイヤグリッド偏光子＞

図１に示す偏光子１０は、基板１１に設けられた、平行で細長いワイヤ１２のアレイを含む。基板１１は、利用される電磁放射の波長を透過することができる。ワイヤは、８０ナノメートル未満のピッチを有していてよい。・・・略・・・一実施形態では、ワイヤは５５ナノメートル未満の幅ｗを有してよい。・・・略・・・ピッチが８－８５ナノメートルである偏光子は、約１６－１７０ナノメートルの波長を有する電磁放射の偏光に利用されてよい。この電磁放射を偏光するためには、ワイヤ１２の材料としては、バナジウムおよびハフニウムが望ましいと思われる。

【００１８】

ワイヤ１２は、酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、三酸化アンチモン、硫化アンチモン、酸化ベリリウム、酸化ビスマス、フッ化ビスマス、窒化ホウ素、酸化ホウ素、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、フッ化カルシウム、セリウム酸化物、チオライト、氷晶石、酸化第二銅、塩化第二銅、塩化第一銅、硫化物、ゲルマニウム、二酸化ハフニウム、フッ化ランタン、酸化ランタン、塩化鉛、フッ化鉛、テルル化鉛、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、フッ化ネオジム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化プラセオジム、酸化スカンジウム、シリコン、酸化ケイ素、二ケイ酸三酸化物（disilicon trioxide）、シリコンカーバイド、二酸化ケイ素、フッ化ナトリウム、窒化ケイ素、酸化タンタル、五酸化タンタル、テルル、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、炭化チタン、塩化タリウム、タングステン、酸化イットリウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、二酸化ジルコニウム、およびこれらの組み合わせから形成されてよい。

【００１９】

＜第１のワイヤグリッド偏光子の製造方法＞

・・・略・・・

【００２４】

＜エッチング再堆積によるワイヤグリッド偏光子＞

図５に示す偏光子５０は、利用される電磁放射の波長を透過することができる基板１１を含む。たとえばゲルマニウムを赤外線には利用して、可視光にはシリコンを利用して、水晶を紫外線には利用することができるだろう。平行で細長いワイヤ５２の群５３の繰り返しパターンを、基板上に設けることができる。ワイヤ５２は、入射する電磁放射を偏光することができる材料を含んでいてよい。細長いワイヤ５２の各群５３が、少なくとも３つのワイヤを含んでよい。各群が、１以上の内側ワイヤ５２ｃ（たとえば１以上の中央ワイヤ）と最も外側のワイヤ５２ｏとを含んでよい。内側または中央のワイヤ５２ｃは、最も外側のワイヤ５２ｏよりも、たとえばあるアスペクトでは３ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約１０ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約２０ｎｍより高くてよく、別のアスペクトでは、約５０ｎｍより高くてよい。最も外側のワイヤ５２ｏの間の距離、したがって、各群５３の幅ｄ３は、あるアスペクトでは１マイクロメートル未満であってよく、別のアスペクトでは、約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは、約１００ｎｍ未満であってよく、または、別のアスペクトでは、約５０ｎｍ未満であってよい。ワイヤ５２は、エッチング反応の副産物であってよく、この材料が、用途によっては望ましい場合がある。各群５３の幅ｄ３は、後述するようにレジストの幅であってよく、複数のワイヤを１つのレジスト幅について形成することができるので、非常に精細なピッチのワイヤグリッド偏光子を製造することができるようになる。

【００２５】

図５は、各グループが４つのワイヤを含む、ワイヤ５３ａおよび５３ｂの２つの群を示している。各群５３の中央の２つのワイヤ５２ｃは、高さが略等しく、両方とも、各群の最も外側のワイヤ５２ｏよりも高くてよい（ｈ１＜ｈ２）。一群のワイヤ５３の中央のワイヤ５２ｃは、最初の等方性エッチング（１回または複数回）中に最初に形成されることから、中央のワイヤ５２ｃは、グループの外側のワイヤ５２ｃの高さｈ１より高い高さｈ２であってよい。それぞれ異なる高さｈをもつワイヤをもつことで、それぞれ異なる波長用に偏光子を調節することができるようになり、透過した電磁放射のｓ分極方位を、入射された電磁放射のスペクトルまたはＴｓ曲線において、平滑化することができるようになる。ワイヤの一部の高さをより高くすることで、偏光子のコントラストを上げ、かつ、他のワイヤの高さを低くすることで、透過率を向上させることができる。

【００２６】

一実施形態では、化学機械研磨、フィル・アンド・ポリッシュ（fill and polish）、スピン・オン・バック・エッチ（spin on back etch）、その他の公知の平坦化法によって、中央のワイヤ５２ｃおよび外側のワイヤ５２ｏが、同じ高さｈとされてよい（つまりｈ２＝ｈ１）。したがって、中央ワイヤ５２ｃと外側のワイヤ５２ｏとの間の高さの差は、エッチングの強度、期間、および種類、作成するワイヤの高さ、および、ワイヤが平坦化されているか、に応じて、約０ｎｍから約１５０ｎｍの間であってよく、あるアスペクトでは約３ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍを超える値であってよい。

【００２７】

図５には、ワイヤ幅ｗが示されている。ワイヤ幅は、該ワイヤ５２、薄膜材料および／または基板材料の作成中のエッチングの種類によって、および、隣接するワイヤ同士が組み合わせられて、図１１の説明で後述するような１つのワイヤを形成するか、に応じて、決定されてよい。偏光子１０のすべてのワイヤ５２の最大ワイヤ幅は、あるアスペクトでは約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍ未満であってよい。あるワイヤのワイヤ幅は、隣接するワイヤのワイヤ幅ｗから、あるアスペクトでは、５ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、１０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、２０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、５０ｎｍを超える値分異なっていてよい。

【００２８】

ワイヤ群５３のワイヤｄの間の距離は、レジストの幅およびエッチングの性質および長さに応じて変化してよい。たとえば、最初の等方性エッチングが、横方向に長く（more lateral）、より強固な場合、図５に示すように、群５３内の中央ワイヤ５２ｃの間の距離がより短くなる（ｄ２）。中央ワイヤ５２ｃおよび外側のワイヤ５２ｏの間の距離ｄ１は、図６に示すレジスト幅Ｒ、中央ワイヤ５２ｃ間の距離ｄ２、およびワイヤ幅ｗに応じていてよい。したがって、上述したパラメータを調節することで、中央ワイヤ５２ｃ間の距離ｄ２が最も外側のワイヤと隣接する中央ワイヤとの間の距離ｄ１から、あるアスペクトで約３ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値分異なっていてよい。言い換えると、ｄ２からｄ１を差し引いた値の絶対値が、あるアスペクトでは約３ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値であってよい。隣接するワイヤ間の最少距離ｄは、あるアスペクトでは約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよい。

【００２９】

図５に示すように、ピッチＰは、１つのワイヤのエッジと、隣接するワイヤの対応するエッジとの間の距離である。隣接するワイヤ間の最小ピッチは、あるアスペクトでは約３００ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約１００ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約３０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよい。したがってワイヤのピッチは、レジストのピッチよりずっと小さくてよい（レジストのピッチの約１／４であってもよい）。

【００３０】

隣接する群５３間の距離ｄ４は、グループの隣接するレジスト６１の間の距離ｄ５と最も外側のワイヤ５２ｏの幅ｗ（図６参照）によって決定することができる。この距離ｄ４は、所望の波長用に偏光子を調節するために変更することができる。

【００３１】

図６に示すように、本発明の偏光子は、レジスト６１をベース６３に設けることで形成することができる。ベース６３は、単一の材料を含んでもよいし、複数の材料からなる複数の層であってもよい。たとえば一実施形態では、ベース６３は、基板１１の上に設けられた薄膜層６２を含んでよい。薄膜６２は、化学気相成長法または物理気相成長法等の方法によって基板１１に設けられてよい。薄膜は、単一材料からなる単一の層であってもよいし、それぞれ異なる材料からなる複数の層であってもよい。基板１１は、水晶、シリコン、またはゲルマニウム等の可撓性のない材料（rigid material）であってよい。基板１１はさらに、ポリマー等の可撓性の材料であってもよい。

【００３２】

レジスト６１は、パターニングされて、レジスト幅Ｒが提供されてよい。レジスト幅Ｒは、あるアスペクトでは約１マイクロメートル未満であってよく、別のアスペクトでは約１００ナノメートル未満であってよく、別のアスペクトでは約７５ナノメートル未満であってよく、別のアスペクトでは約５５ナノメートル未満であってよい。レジスト幅Ｒは、群の最も外側のワイヤ５２ｃ間の距離ｄ３程度（approximate distance d3）であってよい。

【００３３】

次に、図７に示すように、等方性エッチングを行い、レジストの外側の横方向においてベース６３内へ垂直方向７１に、且つ、レジストの下に水平方向７２に、エッチングを行って、レジスト６１の下に、垂直側壁をもつ脚部７３が残る。上述した等方性エッチング、または、後で行われる等方性エッチングは、化学エッチング（etching chemistry）によってエッチング再堆積のために最適化され、脚部７３の垂直側壁沿いにエッチング再堆積を行って、エッチング再堆積ワイヤ７４を作成することができる。エッチング再堆積ワイヤ７４は、偏光ワイヤであってよいので、偏光ワイヤは、エッチング反応の副産物として形成することができる。

【００３４】

次に、図８に示すように、異方性エッチングを行って、ベース６３内のレジストの外側に、垂直にエッチングを行い７１、垂直側壁を持つ下部ステップ８３をベース６３内に残す。上述した異方性エッチング、または、後で行われる異方性エッチングは、エッチング再堆積のために最適化され、下部ステップの垂直側壁に沿ってエッチング再堆積を行い、さらなるエッチング再堆積ワイヤ８４を作成する。

【００３５】

ベースおよび／または薄膜の材料およびエッチングの種類に応じて、エッチング再堆積ワイヤ７４および８４が、金属酸化物、金属合金、金属ハロゲン化物、金属炭化物、および有機金属、またはこれらの組み合わせからなっていてよい。異方性エッチングの前に複数の等方性エッチングを行い、各後続する等方性エッチングに、本質的に前の等方性エッチングよりも少ない等方性を持たせることで、全てのレジスト幅Ｒについて４を超える数のワイヤが製造される。

【００３６】

図９から図１０に示すように、異方性エッチングを続け、レジストを除去して、９１とワイヤとの間のベース６３をエッチングして、１０１とエッチング再堆積ワイヤ７４および８４との間のベース６３を実質的にまたは完全に除去して、元のレジスト幅Ｒそれぞれについて、少なくとも４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４および８４を残す。

【００３７】

図１１に示すように、１つのワイヤ群は、中央ワイヤ１１２ｃと外側のワイヤ１１２ｏとを含む３つのワイヤを有してよい。この構造の製造方法は、脚部７３が２つの中央ワイヤが望ましい場合より小さいことを除いて、上述したものに類似している。したがって、脚部７３の両側からエッチング再堆積を始めるが、図５に示すように２つの中央ワイヤ５２ｃではなくて、１つの中央ワイヤ１１２ｃを残して、脚部７３が実質的にまたは完全にエッチングにより除去される。１つの中央ワイヤ１１２ｃは、少なくとも４つのワイヤをもつ構造について上述したように、外側のワイヤ１１２ｏより高くてもよいし、または、外側のワイヤと実質的に同じ高さであってもよい。中央ワイヤが収束して、異方性エッチングの前に複数の等方性エッチングを行う場合には、各群に少なくとも５つの奇数の数のワイヤを持つ構造があってよい。

【００３８】

群のワイヤの幅の間に大きな差があることが望ましい場合には、各群の中央に１つのワイヤをもつ構造が有利だろう。図１１に示すように、中央ワイヤ７２ｃの幅ｗ１は、群の外側のワイヤ７２ｏの幅ｗ２より実質的に広い。

【００３９】

＜マルチステップのワイヤグリッド偏光子＞

・・・略・・・

【００５７】

リブを作成した後に、レジストを除去して、構造の表面を被膜Ｃで覆う（図２２参照）。被膜は等角、非等角、分割、原子層堆積法、スピンオン法（spin on）、またはエッチング再堆積法（etch redeposition）であってよい。

・・・略・・・

【００６３】

上述した構成は、本発明の原理の適用を例示したに過ぎない。複数の変形例および変更例である構成が、本発明の範囲および精神を逸脱しない範囲で可能である。本発明は図面に示し、上で、現在最も現実的と思われるものおよび本発明の好適な実施形態を参照して完全に詳述したが、当業者には、複数の変形例が、ここに記載した本発明の原理および思想を逸脱せずに可能である。」

（ウ）　「【図１】

」

（エ）　「【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

」

イ　引用発明

（ア）　引用例１の【００２４】～【００３８】には、【図５】～【図１１】と共に、「エッチング再堆積によるワイヤグリッド偏光子」及び当該「ワイヤグリッド偏光子の製造」方法が記載されている。

（イ）　【図５】に示された「ワイヤグリッド偏光子」について、引用例１の【００２５】には、「一群のワイヤ５３の」「中央のワイヤ」は「外側のワイヤ」「の高さ」「より高い高さ」「であってよい」ことが記載されている。

また、【図５】に示された「ワイヤ幅ｗ」について、引用例１の【００２７】には、「ワイヤ幅は、該ワイヤ５２、薄膜材料および／または基板材料の作成中のエッチングの種類によって」「決定されてよい」ことが記載されている。

さらに、引用例１の【００２８】には、「ワイヤ群５３のワイヤｄの間の距離は、レジストの幅およびエッチングの性質および長さに応じて変化してよい」ことが記載されている。

（ウ）　上記ア（ア）～（エ）、上記（ア）、（イ）及び引用例１の【００３１】～【００３６】の「エッチング再堆積によるワイヤグリッド偏光子」の製造に係る記載からみて、引用例１には、【００３１】～【００３６】に記載の各工程によって形成された「ワイヤグリッド偏光子」の発明（以下、「引用発明」という。）として、次の発明が記載されていると認められる。

「　レジスト６１をベース６３に設ける工程、ここで、ベース６３は、基板１１の上に設けられた薄膜層６２を含み、

レジスト６１をパターニングして、レジスト幅Ｒを提供する工程、

等方性エッチングを行い、レジストの外側の横方向においてベース６３内へ垂直方向７１に、かつ、レジストの下に水平方向７２に、エッチングを行って、レジスト６１の下に、垂直側壁をもつ脚部７３を残し、脚部７３の垂直側壁沿いにエッチング再堆積を行って、エッチング再堆積ワイヤ７４を作成する工程、

異方性エッチングを行って、ベース６３内のレジストの外側に、垂直にエッチングを行い、垂直側壁を持つ下部ステップ８３をベース６３内に残し、下部ステップの垂直側壁に沿ってエッチング再堆積を行い、さらなるエッチング再堆積ワイヤ８４を作成する工程、

異方性エッチングを続け、レジストを除去し、エッチング再堆積ワイヤ７４及び８４との間のベース６３を完全に除去して、元のレジスト幅Ｒそれぞれについて、４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４及び８４を残す工程によって形成されたワイヤグリッド偏光子であって、

ワイヤ群５３の中央のワイヤは、外側のワイヤの高さより高い高さであってよく、

ワイヤ幅は、ワイヤ、薄膜材料及び／又は基板材料の作成中のエッチングの種類によって決定されてよく、

ワイヤ群５３のワイヤの間の距離は、レジストの幅及びエッチングの性質及び長さに応じて変化してよい、

ワイヤグリッド偏光子。」

（当合議体注：「一群のワイヤ５３」及び「ワイヤ群５３」との記載を、「ワイヤ群５３」に統一して記載している。）

（２）　対比

ア　対比

本願発明１と引用発明を対比すると以下のとおりとなる。

（ア）　透明基板

引用発明の「基板１１」と、本願発明１の「透明基板」とは、「基板」である点で共通する。

（イ）複数の細線、単位細線領域

ａ　引用発明の形成工程は、上記（１）イ（ウ）に記載のとおりである。

ｂ　引用発明の形成工程からみて、引用発明においては、「異方性エッチングを続け、レジストを除去し、エッチング再堆積ワイヤ７４及び８４との間のベース６３を完全に除去して、元のレジスト幅Ｒそれぞれについて、４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４及び８４を残す工程」により、（「ベース６３を完全に除去し」た）「基板１１」上に、（「除去」される前の）「元のレジスト幅Ｒそれぞれについて」、「４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４及び８４」がそれぞれ設けられていると理解できる（当合議体注：【図１０】からも理解できることである。）。

ｃ　引用例１でいう「ワイヤ」は、「長さが幅または高さよりも実質的に大きい様々な細長い構造のことを示す」（引用例１の【００１５】）。

そうすると、引用発明の、「基板１１」上に「元のレジスト幅Ｒそれぞれについて」設けられている、「４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４及び８４」のそれぞれは、本願発明１の「細線」に相当する。

また、上記（ア）より、引用発明の「ワイヤグリッド偏光子」と、本願発明１の「偏光子」は、「この」「基板上に」「設けられた複数の細線とを備え」ている点で共通する。

ｄ　上記ｂとｃより、引用発明においては、「元のレジスト幅Ｒそれぞれ」に対応して、「ワイヤ群５３」として、「基板上１１」に設けられた「４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４及び８４」（４本のエッチング再堆積ワイヤ）毎に、個々の単位ワイヤ（細線）領域を形成しているということができる（当合議体注：【００２４】の「平行で細長いワイヤ５２の群５３の繰り返しパターンを、基板上に設けることができる。」との記載、【図１０】からも確認できる。）。

そうすると、引用発明の「ワイヤグリッド偏光子」と、本願発明１の「偏光子」は、「前記複数の細線は、所望数の細線毎に単位細線領域を形成し」ている点で共通する。

（ウ）　偏光子

上記（ア）及び（イ）の対比結果並びに「ワイヤグリッド偏光子」という用語から理解される機能より、引用発明の「ワイヤグリッド偏光子」は、本願発明１の「偏光子」に相当する。また、引用発明の「ワイヤグリッド偏光子」と、本願発明１の「偏光子」とは、「透明基板と」、「この」「基板上に」「設けられた複数の細線とを備え」ている点で共通する。

イ　一致点及び相違点

（ア）　一致点

本願発明１と引用発明は、次の構成で一致する。

「　基板と、

この透明基板上に設けられた複数の細線とを備え、

前記複数の細線は、所望数の細線毎に単位細線領域を形成した、

偏光子。」

（イ）　相違点

本願発明１と引用発明は、次の点で相違する、又は一応相違する。

（相違点１）

「基板」が、本願発明１は、「透明」であるのに対して、引用発明は、この点が、一応、明らかでない点。

（相違点２）

「複数の細線」が、本願発明１は、「互いに平行に設けられ」ているのに対して、引用発明は、この点が、一応、明らかでない点。

（相違点３）

「複数の細線」が、本願発明１は、「各単位細線領域内において、各細線の間隙が増減し、かつ各細線の幅が増減し、各細線の間隙および各細線の幅の両者が同時に変化」するものであるのに対し、引用発明は、「ワイヤ幅は、ワイヤ、薄膜材料及び／又は基板材料の作成中のエッチングの種類によって決定されてよく」、「ワイヤ群５３のワイヤの間の距離は、レジストの幅及びエッチングの性質及び長さに応じて変化してよい」点。

（相違点４）

「複数の細線」が、本願発明１は、「モリブデンシリサイドを含有する材料から構成されている」のに対して、引用発明は、「エッチング再堆積」された材料から構成されている点。

（３）　判断

ア　事案に鑑み、相違点３についてまず検討する。

（ア）引用例１の【０００１】、【０００２】、【０００４】及び【０００５】等の記載からみて、引用発明の発明が解決しようとする課題は、［Ａ］隣接するフィーチャ同士の間の間隔が非常に小さいナノメートルサイズのワイヤグリッド偏光子（素子）を作成すること、及び、［Ｂ］高さが可変のワイヤ、あるいは、異なる材料からなるワイヤにより、ワイヤグリッド偏光子（素子）を、複数の波長用の調節を可能とする、より滑らかなＴｓ曲線を作成する（すなわち、広帯域化する）ことにあると認められる。

（イ）ここで、引用発明は、「ワイヤ幅は、ワイヤ、薄膜材料及び／又は基板材料の作成中のエッチングの種類によって決定されてよ」いものである。そして、引用例１の【００２７】には、「ワイヤ幅」に関し、「あるワイヤのワイヤ幅は、隣接するワイヤのワイヤ幅ｗから、あるアスペクトでは、５ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、１０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、２０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは、５０ｎｍを超える値分異なっていてよい。」と記載されている。

また、引用発明は、「ワイヤの間の距離は、レジストの幅及びエッチングの性質及び長さに応じて変化してよい」ものである。そして、引用例１の【００２８】には、「ワイヤの距離」に関し、「たとえば、最初の等方性エッチングが、横方向に長く（more lateral）、より強固な場合、図５に示すように、群５３内の中央ワイヤ５２ｃの間の距離がより短くなる（ｄ２）。中央ワイヤ５２ｃおよび外側のワイヤ５２ｏの間の距離ｄ１は、図６に示すレジスト幅Ｒ、中央ワイヤ５２ｃ間の距離ｄ２、およびワイヤ幅ｗに応じていてよい。」及び「したがって、上述したパラメータを調節することで、中央ワイヤ５２ｃ間の距離ｄ２が最も外側のワイヤと隣接する中央ワイヤとの間の距離ｄ１から、あるアスペクトで約３ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍを超える値分異なっていてよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値分異なっていてよい。言い換えると、ｄ２からｄ１を差し引いた値の絶対値が、あるアスペクトでは約３ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約１０ｎｍを超える値であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍを超える値であってよい。隣接するワイヤ間の最少距離ｄは、あるアスペクトでは約１５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約５０ｎｍ未満であってよく、別のアスペクトでは約２０ｎｍ未満であってよい。」と記載されている。

（ウ）引用発明の形成工程からみて、引用発明の「４つの別個のエッチング再堆積ワイヤ７４及び８４」は、「エッチング再堆積ワイヤ８４」、「エッチング再堆積ワイヤ７４」、「エッチング再堆積ワイヤ７４」及び「エッチング再堆積ワイヤ８４」の配列順序となっている（当合議体注：このことは【図１０】からも理解できることである。以下、これらの４本のワイヤを区別するため、【図１０】の向かって左から順に「ワイヤＡ」、「ワイヤＢ」、「ワイヤＣ」及び「ワイヤＤ」という。）。

そして、上記（イ）によれば、引用例１には、引用発明において、隣接するワイヤ間でワイヤ幅を異ならせること（【００２７】）や、中央の２本のワイヤ間の距離（ｄ２）を、中央ワイヤとその外側のワイヤと距離（ｄ１）よりも小さくすること（【００２８】）が示唆されている。また、当業者であれば、引用発明において、このようにワイヤ間で幅を変化させること、ワイヤ間の距離を変化させることは、上記（ア）で述べた課題の解決に資するものと理解できる。

そうすると、引用発明の「エッチング再堆積ワイヤ７４」の幅と「エッチング再堆積ワイヤ８４」の幅を、再堆積エッチングの条件により異なるものとして、最終的に得られる、外側の「ワイヤＡ」及び「ワイヤＤ」の幅と中央の「ワイヤＢ」及び「ワイヤＣ」の幅が異なる構成とすることまでは、当業者が容易になし得たことである。しかしながら、引用発明の形成工程及び引用例１の記載からみて、引用発明における「等方性エッチング」及び「エッチング再堆積」は、「レジスト幅Ｒ」の幅方向に垂直な軸に対して対称に反応が進むと理解される。そうすると、引用発明においては、「ワイヤＡ」及び「ワイヤＤ」の幅（ｗｏ）と「ワイヤＢ」及び「ワイヤＣ」の幅（ｗｉ）を異なる幅とすることはできるものの、「ワイヤＢ」の幅と「ワイヤＣ」の幅を異なる幅とすること、あるいは、「ワイヤＡ」の幅と「ワイヤＤ」の幅とを異なる幅とすることは、対称に反応が進むと理解される形成工程の原理上、無理と考えられる。

してみると、仮に、引用例１の上記（イ）の示唆に基づき、引用発明において、再堆積エッチングの条件を変えたとしても、「ワイヤ幅」については、「ｗｏ」、「ｗｉ」、「ｗｉ」及び「ｗｏ」と変化するにとどまるといえる（相違点３に係る本願発明１の、「各細線の間隙が増減し、かつ各細線の幅が増減し、各細線の間隙および各細線の幅の両者が同時に変化し」という構成に到らない。）。

そして、相違点３に係る本願発明１の構成は、拒絶査定の拒絶の理由において引用された他の引用例のいずれにも記載されておらず、また、本件出願前の当業者における周知技術や技術常識でもない。

そうしてみると、引用発明において、上記相違点３に係る本願発明１の構成とすることが、当業者が容易になし得たものであるということはできない。

（エ）　引用例１の【００２７】の「隣接するワイヤ同士が組み合わせられて、図１１の説明で後述するような１つのワイヤを形成する」との記載・示唆（及び【００３７】～【００３８】、【図１１】）を考慮して検討したとしても同様である。

すなわち、この態様では、中央のワイヤとその両側のワイヤとの距離は同じとなるから、各ワイヤ（細線）の間隙及び各ワイヤ（細線）の幅の両者が同時に変化する構成には到らない。

オ　引用例１の【００３５】の記載に基づき、引用発明において、「４を超える」「別個のエッチング再堆積ワイヤ」が製造される場合を検討しても、上記（ウ）と同様な理由により、各ワイヤ（細線）の間隙及び各ワイヤ（細線）の幅の両者が同時に変化する構成には到らない。

カ　さらに進んで相違点４についても検討する。

拒絶査定の拒絶の理由において引用された特開２０１５－１１８３６９号公報、特開２０１４－１９７１８９号公報及び国際公開第２０１５／１０８０７５号（以下、それぞれを、「引用例８」、「引用例９」及び「引用例１０」という。）には、紫外線領域のワイヤグリッド材料として、モリブデンシリサイドを用いることが記載されている。しかしながら、モリブデンシリサイドが、引用発明の「エッチング再堆積ワイヤ７４を作成する工程」及び「エッチング再堆積ワイヤ８４を作成する工程」において必要とされる「エッチング再堆積」（あるいは、「etch redeposition」）が可能なものであるのかどうか不明である。そして、モリブデンシリサイドがエッチング再堆積性を有することは、本件出願前の当業者における周知技術や技術常識でもない。

そうしてみると、引用発明において、上記相違点４に係る本願発明１の構成とすることが、当業者が容易になし得たものであるということはできない。

キ　小括

以上のとおりであるから、相違点１及び相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、たとえ当業者といえども、引用例１に記載された発明及び引用例８～１０に記載された技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。

（４）　本願発明２及び本願発明３について

本願発明２及び本願発明３は、本願発明１の構成に対して、さらに他の発明特定事項を付加してなる「偏光子」である。

そうしてみると、上記（３）で示した理由と同様な理由により、これら発明についても、たとえ当業者といえども、引用例１に記載された発明及び引用例８～１０に記載された技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。

２　引用例６を主引用例とする場合

（１）　引用例６、引用発明６及び対比

本願発明１と、当審拒絶理由で引用された国際公開第２０１５／０６０９４１号（以下、「引用例６」という。）の１４頁２５行～１７頁２６行及び図１２～図１７に記載された「作成方法」によって形成された、１０頁２行～１４頁２３行及び図１に記載された「ワイヤグリッド偏光子１０」の発明（以下、「引用発明６」という。）とを対比すると、両者は、少なくとも、以下の相違点６において相違する。

（相違点６）

本願発明１は、「各細線の間隙が増減し、かつ各細線の幅が増減し、各細線の間隙および各細線の幅の両者が同時に変化し」しているのに対して、引用発明６は、そのような特定がなされていない点。

（２）　判断

上記相違点６について検討する。

ア　引用例６には、ワイヤグリッド偏光子の設計に関し、複数のワイヤ（細線）の幅を異ならせること、変化させることは記載も示唆もされていない。

また、引用発明６の形成工程からみて、引用発明６においては、複数のワイヤ（細線）の幅は同一となることから、引用発明６において、複数のワイヤ（細線）間）で幅を異ならせる構成とすることはできない。

たとえ引用例１に、複数のワイヤ間で幅を異ならせることが記載されているとしても、同様である。

さらに、相違点６に係る本願発明１の構成は、拒絶査定の拒絶の理由において引用された他の引用例（引用例７～１０）のいずれにも記載されておらず、また、本件出願前の当業者における周知技術や技術常識でもない。

そうしてみると、引用発明６において、相違点６に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たものであるということはできない。

イ　小括

以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１は、たとえ当業者といえども、引用例６に記載された発明及び引用例８～１０に記載された技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。

（３）　本願発明２及び本願発明３について

本願発明２及び本願発明３は、本願発明１の構成に対して、さらに他の発明特定事項を付加してなる「偏光子」である。

そうしてみると、上記（２）で示した理由と同様な理由により、これら発明についても、たとえ当業者といえども、引用例６に記載された発明及び引用例８～１０に記載された技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。

３　引用例７を主引用例とする場合

（１）　引用例７、引用発明７及び対比

本願発明１と、当審拒絶理由で引用された国際公開第２０１５／０６０９４３号（以下、「引用例７」という。）の１２頁５行１３頁２７行及び図４～図１０に記載された「ワイヤグリッド偏光子の作成方法」によって形成された、１０頁１１行～１２頁３行及び図１に記載された「ワイヤグリッド偏光子１０」の発明（以下、「引用発明７」という。）とを対比すると、両者は、少なくとも、以下の相違点７において相違する。

（相違点７）

本願発明１は、「各細線の間隙が増減し、かつ各細線の幅が増減し、各細線の間隙および各細線の幅の両者が同時に変化し」しているのに対して、引用発明７は、そのような特定がなされていない点。

（２）　判断

上記相違点７について検討する。

ア　引用例７には、ワイヤグリッド偏光子の設計に関し、複数のワイヤ（細線）の幅を変化させることは記載も示唆もされていない。

また、引用発明７の形成工程からみて、引用発明７においては、複数のワイヤ（細線）の幅は同一となることから、引用発明７において、複数のワイヤ（細線）間）で幅を異ならせる構成とすることはできない。

たとえ引用例１に、複数のワイヤ間で幅を異ならせることが記載されているとしても、同様である。

さらに、相違点７に係る本願発明１の構成は、拒絶査定の拒絶の理由において引用された他の引用例（引用例６、８～１０）のいずれにも記載されておらず、また、本件出願前の当業者における周知技術や技術常識でもない。

そうしてみると、引用発明７において、相違点７に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たものであるということはできない。

イ　小括

以上のとおりであるから、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明１は、たとえ当業者といえども、引用例７に記載された発明及び引用例８～１０に記載された技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。

（３）　本願発明２及び本願発明３について

本願発明２及び本願発明３は、本願発明１の構成に対して、さらに他の発明特定事項を付加してなる「偏光子」である。

そうしてみると、上記（２）で示した理由と同様な理由により、これら発明についても、たとえ当業者といえども、引用例７に記載された発明及び引用例８～１０に記載された技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。

第３　原査定の拒絶の理由について

前記「第２」で述べたとおりであるから、原査定の拒絶の理由によっては、本件出願を拒絶することはできない。

第４　当合議体が通知した拒絶の理由について

本件補正により、当合議体が通知した拒絶の理由は解消した。

第５　むすび

以上のとおり、原査定の拒絶の理由及び当合議体が通知した拒絶の理由によっては、本件出願を拒絶することはできない。

また、他に本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。