2019-010181

特願２０１６－５５５４８１「温度補償部を備えたＢＡＷ共振器」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　９月１７日国際公開、ＷＯ２０１５／１３５７１７、平成２９年　３月３０日国内公表、特表２０１７－５０９２４６〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２７年（２０１５年）２月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１４年３月１１日　ドイツ）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 平成２９年１０月１１日付け：拒絶理由通知 平成３０年　１月１７日　　：意見書，手続補正書の提出 平成３０年　６月２５日付け：拒絶理由通知（最後） 平成３０年１０月　３日　　：意見書，手続補正書の提出 平成３１年　３月２７日付け：平成３０年１０月３日の手続補正についての補正の却下の決定，拒絶査定 令和　元年　８月　２日　　：審判請求書，手続補正書の提出 令和　２年　６月　５日付け：拒絶理由通知 令和　２年　９月　９日　　：意見書，手続補正書の提出 第２　本願発明 令和２年９月９日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１（以下「本願発明１」という。）及び請求項４（以下「本願発明４」という。）は，それぞれ以下のとおりである。 「【請求項１】 基板（ＳＵ）と， この上に載置された積層体（ＳＴ）と を有するＢＡＷ共振器であって，前記積層体が， ・２つの電極層（Ｅ１，Ｅ２）と， ・前記電極層間に配置された圧電層（ＰＳ）と， ・下方の電極層（Ｅ１）と前記基板との間に配置されていて，かつ少なくとも２つのミラー層を具備する音響ミラー（ＡＳ）であって，高インピーダンス層（ＨＩ）と低インピーダンス層（ＬＩ）とが交互に配置されている，音響ミラー（ＡＳ）と， ・粘弾性特性の正の温度係数を有する材料を有し，前記音響ミラーと前記下方の電極層（Ｅ１）との間に配置されている補償層（ＫＳ）と を具備し， ・前記音響ミラーの前記高インピーダンス層と前記低インピーダンス層とが，共になってブラッグミラーを形成し， ・前記補償層に接している最も上方の低インピーダンス層と前記補償層との層厚の合計が，λ／４の奇数の倍数に相当し，かつ，少なくとも３λ／４であり， ・λは，反射されるべき音波の波長であり， ・前記音響ミラー（ＡＳ）の前記最も上方の低インピーダンス層（ＬＩ）と，前記補償層（ＫＳ）とは，異なる材料から形成されて，前記２つの電極層および前記圧電層の層厚の合計が前記波長の半分であり，前記高インピーダンス層の材料は，ルビジウム，スカンジウム，金，プラチナから選択されている， ＢＡＷ共振器。」 「【請求項４】 少なくとも１つまたは全ての高インピーダンス層（ＨＩ）の材料は，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｔａ２Ｏ５およびＳｃから選択されている請求項１～３のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振器。」 第３　当審拒絶理由 令和２年６月５日付けで当審が通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）は，概略，次のとおりである。 １　（明確性）この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 ２　（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記 ●理由１（明確性）について（略） ●理由２（進歩性）について 請求項１－８に対して引用文献１－４ 請求項９－１０に対して引用文献１－７ 引用文献１：米国特許出願公開第２０１１／００８０２３３号明細書 引用文献２：特開２００４－２３５８８６号公報 引用文献３：特表２００５－５１２４４２号公報（周知技術を示す文献） 引用文献４：特開２００８－１６０６３０号公報（周知技術を示す文献） 引用文献５：特開２００２－３４４２７９号公報（周知技術を示す文献） 引用文献６：特開２００９－１０９２６号公報（周知技術を示す文献） 引用文献７：特開２０１３－４６１１１号公報（周知技術を示す文献） 第４　引用文献の記載及び引用発明 １　引用文献１の記載と引用発明 当審拒絶理由で引用した米国特許出願公開第２０１１／００８０２３３号明細書（以下「引用文献１」という。）には，以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。以下同じ。） （１）「[0009]　FIG. 1 is a cross-section view schematically showing a BAW resonator 1 with a Bragg mirror formed on a semiconductor substrate 3. Although FIG. 1 shows a single resonator, in practice, many resonators are formed simultaneously on a same semiconductor wafer. [0010]　Resonator 1 comprises a piezoelectric resonator 5 formed of the stacking of a lower electrode 5a, of a layer 5b of a piezoelectric material, and of an upper electrode 5c. As an example, the piezoelectric material may be aluminum nitride (AlN), lead zirconate titanate (PZT), or zinc oxide (ZnO). Electrodes 5a and 5c may be made of molybdenum (Mo), tungsten (W), or aluminum (Al). [0011]　An isolation structure 7, for example, a Bragg mirror, forms an interface between piezoelectric resonator 5 and substrate 3. Reflector 7 is an alternated stack of layers 7a of a material with a high acoustic impedance, for example, tungsten (W), and of layers 7b of a material with a low acoustic impedance, for example, silicon oxide (SiO2). The thickness of each layer 7a, 7b is selected to be substantially equal to one quarter of the resonance acoustic wavelength in the material forming it. At the operating frequency, for example, the resonance frequency, the reflector behaves as an acoustic mirror and the waves are confined within the resonator. To obtain a good acoustic isolation, the difference in acoustic impedance between the materials forming layers 7a and 7b must be high. Further, the quality of the acoustic isolation increases along with the number of layers 7a, 7b of the alternated stack. (仮訳： [0009]　図1は，半導体基板3上に形成されたブラッグミラーを有するBAW共振器1を模式的に示す断面図である。図1は，単一の共振器を示しているが，実際には，多数の共振器が同一の半導体ウエハ上に同時に形成される。 [0010]　共振器1は，下部電極5aと，圧電材料層5bと，上部電極5cとの積層により形成された圧電共振子5を含む。一例として，圧電材料は窒化アルミニウム(AlN)，チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)，酸化亜鉛(ZnO)でありうる。電極5a及び5cは，モリブデン(Mo)，タングステン(W)，またはアルミニウム(Al)で作成されうる。 [0011]　分離構造7，例えばブラッグミラーは，圧電共振子5と支持基板3との間の接合部分を成している。リフレクタ7は，高い音響インピーダンスを有する材料，例えばタングステン(W)の層7aと，低い音響インピーダンスを有する材料，例えば，酸化ケイ素(SiO2)の層7bとの交互積層である。各層7a，7bの厚さは，それを形成する材料中での共振音響波長の4分の1に実質的に等しくなるように選択される。動作周波数，例えば共振周波数において，前記リフレクタは，音響ミラーとして挙動し，前記音響波は，共振器内に閉じ込められる。良好な音響分離を得るために，層7a及び7bを形成する材料間の音響インピーダンスの差は大きくなければならない。さらに，音響分離の品質は，前記交互積層の層7a，7bの数に連動して，増加する。）」 （２）「[0014]　 A disadvantage of BAW resonators with a Bragg mirror of the type described in relation with FIG. 1 is the strong dependence of their resonance frequency on temperature. This results from the influence of temperature on the velocity of acoustic waves in the different layers of the resonator 1 and especially in the piezoelectric layer 5b. The temperature coefficient of frequency, or TCF, expresses, in parts per million per degree Celsius (ppm/℃), the temperature drift of the resonator frequency. In each of the materials forming the resonator 1, the acoustic waves have a certain propagation velocity, and for each material, this propagation velocity has a certain temperature coefficient of velocity, or TCV. All the TCVs of the various materials determine the TCF of the BAW resonator. Generally, the materials of the piezoelectric layers and of the electrodes have a negative temperature coefficient of velocity (TCV). Conversely, materials such as silicon oxide have a positive temperature coefficient of velocity (TCV). [0015]　 It has been suggested to provide, in the stack of layers forming the BAW resonator, at least one temperature compensation layer having a temperature coefficient of velocity (TCV) of a sign opposite to the TCV of all or of the majority of the other layers, for example, silicon oxide. It is thus attempted to decrease the temperature drift of the BAW resonator, that is, to decrease the absolute value of the TCF. (仮訳： [0014]　図1に関連して説明したタイプのブラッグミラーを備えたBAW共振器の欠点は，温度に対する共振周波数の強い依存性である。この欠点は，共振器1の種々の層内，特に圧電層5b内の音響波の速度が温度の影響を受けることにより生じる。周波数温度係数TCFは，共振器周波数の温度ドリフトを，摂氏1℃につき100万分の1の単位で表す。共振器1を形成するそれぞれの材料内で，音響波は特定の伝播速度を有しており，それぞれの材料に関して，この伝播速度はいくらかの速度温度係数TCVを有している。種々の材料のTCVの全てが，BAW共振子のTCFを決定する。一般的に，圧電層及び電極の材料は，負の速度温度係数（TCV）を有する。逆に，酸化ケイ素のような材料は，正の速度温度係数（TCV）を有している。 [0015]　BAW共振器を形成する複数の層の積み重ねの中に，少なくとも１つの温度補償層であって，それ以外の全て又は大部分の層のTCVと反対の符号の速度温度係数（TCV）を有する温度補償層，例えば酸化ケイ素，を設けることが提案されている。このようにして，BAW共振器の温度ドリフトを低減すること，すなわちTCFの絶対値を小さくすることが試みられた。）」 （３）「[0040]　For clarity, the same elements have been designated with the same reference numerals in the different drawings and, further, as usual in the representation of microcomponents, the various drawings are not to scale. [0041]　 FIG. 2 is a cross-section view a BAW resonator 11 having a temperature-compensated frequency response according to an embodiment of the present disclosure. [0042]　BAW resonator 11 of FIG. 2 is identical to resonator 1 of FIG. 1, but for the fact that a temperature compensation layer 13, for example, made of silicon oxide, is provided between upper layer 7b of reflector 7 and lower electrode 5a. （仮訳： [0040] 明確化のため，同じ要素は，異なる図面において同じ参照番号で示されており，さらに，微細部品の描写の例により，個々の図面の比率は原寸どおりではない。 [0041]　図2は，本発明の実施形態に係る温度補償された周波数応答を有するBAW共振器11の断面図である。 [0042]　図2のBAW共振器11は，リフレクタ７の上層7bと下部電極5aとの間に，例えば酸化ケイ素でできている，温度補償層13が設けられているという事実を別にすると，図1の共振器1と同一である。）」 （４）「[0061]　Specific embodiments of the present disclosure have been described. Various alterations and modifications will occur to those skilled in the art. In particular, the present disclosure is not limited to the materials mentioned in the above description. In particular, it is within the abilities of those skilled in the art to implement the desired operation by using other piezoelectric materials, for example, potassium niobate or zinc oxide, and other conductive materials, for example, copper, tungsten, or aluminum to form the resonant core. It will further be within the abilities of those skilled in the art to use other materials having high and low acoustic impedances, for example, silicon nitride or aluminum nitride, capable of forming an isolation reflector between the resonant core and the substrate. Finally, other materials than silicon oxide may be used to form the frequency adjustment and temperature compensation layers, for example, SiON. (仮訳： [0061]　本発明の詳細な実施形態を説明した。様々な代替案や変更案が当業者に想起されるであろう。特に，本発明は，上述の材料に限定されるものではない。特に，他の圧電材料，例えばニオブ酸カリウム又は酸化亜鉛，及び，他の導電性材料，例えば銅，タングステン又はアルミニウム，を使用して共振コアを形成することによって，所望の動作を実現することは，当業者の能力の範囲内である。さらに，共振コアと基板との間に分離反射器を形成することが可能な，高い及び低い音響インピーダンスを有する他の材料，例えば窒化ケイ素又は窒化アルミニウム，を使用することは，当業者の能力の範囲内であろう。最後に，酸化ケイ素以外の材料，例えばSiONが，周波数調整及び温度補償の層を形成するために使用されうる。）」 （５）図１及び図２ 「 」 ここで，「図2のBAW共振器11は，リフレクタ７の上層7bと下部電極5aとの間に，例えば酸化ケイ素でできている，温度補償層13が設けられているという事実を別にすると，図1の共振器1と同一であ」（[0042]）り，「同じ要素は，異なる図面において同じ参照番号で示されて」（[0040]）いるから，図１のBAW共振器1の上記（１）の事項は，図２のBAW共振器11の事項として，記載されているに等しい事項である。 そして，図２よりBAW共振器11は，半導体基板３（[0009]）上に，分離構造７（[0011]），「温度補償層13」（[0042]）及び「圧電共振子5」（[0010]）が積層されていることが看取できる。 また，[0061]には，当業者に想起される代替案や変更案として「共振コアと基板との間に分離反射器を形成することが可能な，高い及び低い音響インピーダンスを有する他の材料，例えば窒化ケイ素又は窒化アルミニウム，を使用すること」が記載されている。 以上より，上記（１）ないし（５）の記載からみて，引用文献１には，[0061]の変更案により変更した図２のBAW共振器11について，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお，参照番号が「3」及び「7」の構成は，それぞれ「半導体基板3」及び「分離構造7」に記載を統一する。 （引用発明） 「半導体基板３と（[0009]）， 前記半導体基板３上に積層された，分離構造７（[0011]），温度補償層13（[0042]）及び圧電共振子5（[0010]）を有するBAW共振器11（図２）であって， 前記圧電共振子5は，下部電極5aと，圧電材料層5bと，上部電極5cとの積層により形成され（[0010]）， 前記分離構造7，例えばブラッグミラーは，圧電共振子5と支持基板3との間の接合部分を成し，高い音響インピーダンスを有する材料，例えばタングステン(W)の層7aと，低い音響インピーダンスを有する材料，例えば，酸化ケイ素(SiO2)の層7bとの交互積層であり，各層7a，7bの厚さは，それを形成する材料中での共振音響波長の4分の1に実質的に等しくなるように選択され，動作周波数，例えば共振周波数において，前記分離構造7は，音響ミラーとして挙動し（[0011]）， 前記温度補償層13は，分離構造7の上層7bと下部電極5aとの間に設けられ，例えば酸化ケイ素でできており（[0042]，図２），酸化ケイ素は正の速度温度係数を有し（[0014]）， 高い及び低い音響インピーダンスを有する他の材料，例えば窒化ケイ素または窒化アルミニウム，を使用して，分離構造7を形成した（[0061]）， BAW共振器。」 ２　引用文献２の記載事項 当審拒絶理由で引用した特開２００４－２３５８８６号公報（以下「引用文献２」という。）には，以下の事項が記載されている。 （１）「【００１０】 【発明の実施の形態】 以下，本発明の実施の形態について図を参照して説明する。 図１は，本発明の実施の形態における圧電薄膜素子（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）の構成例を概略的に示す模式的な断面図である。この圧電薄膜素子は，まず，単結晶シリコンなどから構成された基板１０１の上に，ＺｎＯ層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ２層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ２層１０４とされた音響多層膜１０５を備えている。音響多層膜１０５は，例えば，８層以上積層されている。 【００１１】 音響多層膜１０５の上には，電極膜１０６，１０８に挟まれた例えばＺｎＯからなる圧電薄膜１０７が形成されている。また，電極膜１０６，１０８は，例えば，膜厚５ｎｍ程度のＣｒ膜と膜厚３０ｎｍ程度のＡｕ膜とから構成されたものである。ここで，単独の状態とした圧電薄膜１０７の共振周波数をＦ０とすると，圧電薄膜１０７の膜厚は，周波数Ｆ０の音波が単独の圧電薄膜１０７を伝搬するときの波長λの半分としたものである。 【００１２】 ところで，上記の膜厚は，一般に，「圧電薄膜１０７の膜厚は，１／２λの厚さを有する」と表現される。以降では，各層の膜厚について，「λ」を用いた記載とする。例えば，「ＳｉＯ２層１０３の膜厚は，１／４λである」とは，ＳｉＯ２層１０３の膜厚は，周波数Ｆ０の音波が単独のＳｉＯ２層１０３を伝搬するときの波長λの１／４であることを示している。従って，「λ」の値は，各層において異なるものとなる。 【００１３】 ここで，圧電薄膜１０７の膜厚を，例えば７００ｎｍ程度に形成すれば，図１の圧電薄膜素子の共振周波数は３ＧＨｚ程度となる。ただし，図１に示す圧電薄膜素子の場合，共振周波数は，圧電薄膜１０７の厚さだけではなく，電極膜１０６，１０８にも影響され，圧電薄膜１０７の厚さより算出される理論値からずれるものである。電極膜１０６，１０８による影響が大きい場合は，例えば圧電薄膜１０７の厚さを，適宜変更すればよい。 【００１４】 音響多層膜１０５において，ＺｎＯ層１０２は高音響インピーダンス層として機能し，ＳｉＯ２層１０３は，低音響インピーダンス層として機能する。これらは，相対的なものである。音響多層膜１０５を構成するＺｎＯ層１０２，ＳｉＯ２層１０３の膜厚は，各々λ／４の厚さとすれば良く，例えば，ＺｎＯ層１０２は０．４１μｍ，ＳｉＯ２層１０３は０．４６μｍ程度とすればよい。 音響多層膜１０５により，圧電薄膜１０７と基板１０１とが音響的にアイソレートされることになり，Ｑ値の高い共振を得ることができるようになる。また，圧電薄膜１０７が，音響多層膜１０５により，全面で保持されるため，安定した動作が可能となる。 【００１５】 音響多層膜１０５の層数の増加に伴い，圧電薄膜１０７から基板１０１の方向を見た負荷インピーダンスが小さくなる。従って，音響多層膜１０５を，例えば８層以上の多層とすることで，圧電薄膜１０７を両面自由な状態に近づけることが可能となり，Ｑ値の高い共振を実現することが可能となる。 加えて，本実施の形態では，低音響インピーダンス層の１つであるＳｉＯ２層１０４の膜厚ｄ１を，他のＳｉＯ２層１０３の膜厚ｄ２より厚く形成することで，図１に示す圧電薄膜素子の共振周波数温度係数（ＴＣＦ）を，より「０」に近づけるようにした。ＴＣＦが「０」に近いということは，周波数温度特性が良いこととなる。 【００１６】 発明者らの調査により，圧電薄膜１０７に最も近い最上層のＳｉＯ２層であるＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より厚くすることで，図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦを「０」に近づけることが可能となることが判明した（図２）。図２より明らかなように，ＳｉＯ２層１０４の膜厚ｄ１を０．４７λ程度とすることで，ＴＣＦをほぼ０とできる。なお，図２は，電極膜１０６，１０８の厚さは０として解析を行った結果である。 【００１７】 ＳｉＯ２の薄膜（非晶質）は，酸化亜鉛からなる圧電薄膜１０７とは，遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が互いに逆符号であり，このような材料を，音響多層膜１０５の低音響インピーダンス層として用いることで，上述したように，図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦを「０」に近づけることが可能となる。また，本実施の形態によれば，新たな層を付加することなく，図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦを「０」に近づけることが可能となる。 【００１８】 なお，ＺｎＯからなる圧電薄膜１０７を用いた図１の圧電薄膜素子の場合，最上層にあるＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４とすると，図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦの絶対値が「０」より大きいものとなっている。この場合の，圧電薄膜素子のＴＣＦの符号は，圧電薄膜１０７のＴＣＤと同じであるため，この実施の形態では，ＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より厚くすることで，図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦをより「０」に近づけた。 【００１９】（略） 【００２０】 ここで，発明者らの調査により，音響多層膜１０５の最上層であるＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より厚くすると，以下に示すように，圧電薄膜素子の他の特性に影響を与えることが判明した。図３は，音響多層膜１０５の最上層であるＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より厚くすることで，圧電薄膜素子の実効的電気機械結合係数（Ｋ２）が，低下することを示している。これは，ＳｉＯ２層１０４に含まれる振動エネルギーが大きくなるためと考えられる。なお，図３は，電極膜１０６，１０８の厚さは０として解析を行った結果である。 【００２１】 つぎに，ＳｉＯ２層１０４の膜厚をパラメータとして圧電薄膜素子の各部における振動エネルギーを振動変位｜ｕ｜として図４及び図５に示す。図４と図５において，変化のピークを比較すると，ＳｉＯ２層１０４を膜厚λ／４とした場合（図４）のＳｉＯ２層１０４に含まれる振動エネルギーよりも，ＳｉＯ２層１０４の膜厚（ｄ１）を０．４７λとした場合（図５）の方が大きくなっている。なお，図４，５は，ＺｎＯ層１０２，ＳｉＯ２層１０３の積層数を８層とした音響多層膜１０５の場合を例にしたものである。 【００２２】 また，図４と図５との比較から明らかなように，基板１０１に洩れるエネルギーが，ｄ１を０．４７λとした場合の方が大きく，このことが，Ｑ値を下げる要因となっている。なお，Ｑ値は，固有振動を起こした際の共振特性の鋭さの度合いを表すものである。 【００２３】 以上のことをふまえ，発明者らは，ＳｉＯ２層１０４の膜厚（ｄ１）に加え，ＳｉＯ２層１０３の膜厚（ｄ２）及びＺｎＯ層１０２の膜厚を各々変化させ，ＴＣＦが「０」になる組み合わせについて調査した。この調査結果を図６に示す。図６に示すように，ｄ２が変化することによっても，Ｋ２やＱ値が変化している。また，ｄ１については，ＴＣＦ＝０を満足する２つの領域が存在していることが判る。 【００２４】 このなかで，ｄ１＝０．４７λの付近では，Ｋ２が大きくなるとＱ値が小さくなる傾向があり，圧電薄膜素子に要求される特性に応じてｄ１を設定した方がよいことが判る。 また，ｄ１＝０．７５λ付近では，Ｋ２とＱ値のどちらも同じ位置でピークになっている。これは，ＳｉＯ２層１０４の膜厚（ｄ１）が３／４λとなるところに相当し，ＳｉＯ２層１０４にλ／２の厚さを有するＳｉＯ２層が付加されている状態と考えられる。この結果，ｄ１＝０．７５λ付近では，Ｋ２とＱ値のピークが一致するものと考えられる。ただし，図７に示すように，ＳｉＯ２層１０４の膜厚がλ／２増えたため，ＳｉＯ２層１０４に含まれる振動エネルギーが大きくなり，Ｋ２は，ｄ１＝０．４６λ～０．４８λ付近より低くなっている。」 （２）「【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の実施の形態における圧電薄膜素子（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）の構成例を概略的に示す模式的な断面図である。 【図２】音響多層膜の最上層であるＳｉＯ２層１０４の厚さによるＴＣＦの変化を示す特性図である。 【図３】－【図５】（略） 【図６】ＴＣＦ＝０を満足する場合のＳｉＯ２層１０４の厚さｄ１とＫ２，Ｑ値との関係を示す相関図である。 【図７】ＳｉＯ２層１０４の厚さｄ１＝０．７５λ，ＳｉＯ２層１０３の厚さｄ２＝０．２５λとしたときの振動変位分布を示す分布図である。」 （３）図１「 」 （４）図２「 」 （５）図６「 」 （６）図７「 」 上記（１）ないし（６）の記載より，引用文献２には，圧電薄膜素子について， Ａ　基板１０１の上に，ＺｎＯ層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ２層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ２層１０４とされた音響多層膜１０５を備え（【００１０】）， 音響多層膜１０５の上には，電極膜１０６，１０８に挟まれた例えばＺｎＯからなる圧電薄膜１０７が形成された圧電薄膜素子（【００１０】，【００１１】）において， Ｂ　ＳｉＯ２の薄膜（非晶質）は，酸化亜鉛からなる圧電薄膜１０７とは，遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が互いに逆符号であり，このような材料を，音響多層膜１０５の低音響インピーダンス層として用いることで，圧電薄膜素子のＴＣＦを「０」に近づけることが可能となる（【００１７】）こと， Ｃ　音響多層膜１０５を構成するＺｎＯ層１０２，ＳｉＯ２層１０３の膜厚は，各々λ／４（【００１４】）とし，前記ＳｉＯ２層１０４の膜厚ｄ１を０．４７λ程度とすることで，ＴＣＦ（共振周波数温度係数）をほぼ０とできること（【００１６】）， Ｄ　ｄ１については，ＴＣＦ＝０を満足する２つの領域が存在していること（【００２３】，図６），及び， Ｅ　ｄ１＝０．７５λ付近では，Ｋ２とＱ値のどちらも同じ位置でピークになり，これは，前記ＳｉＯ２層１０４の膜厚（ｄ１）が３／４λとなるところに相当し，ＳｉＯ２層１０４にλ／２の厚さを有するＳｉＯ２層が付加されている状態と考えられること（【００２４】）。 が記載されており，当該記載からみて，引用文献２には，図２でｄ１＝０．７５λとした図７で示す圧電薄膜素子について，「高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層とが交互に積層された音響多層膜と，電極膜に挟まれた圧電薄膜が形成された圧電薄膜素子において，最上層の低音響インピーダンス層として機能する膜厚が１／４λのＳｉＯ２層に，λ／２の厚さを有するＳｉＯ２層が付加されている状態とすることで，ＴＣＦをほぼ０とすることができる圧電薄膜素子。」（以下「引用文献２記載事項」という。）が記載されていると認められる。 ３　周知事項１ 当審拒絶理由で引用した特表２００５－５１２４４２号公報（以下「引用文献３」という。）及び特開２００８－１６０６３０号公報（以下「引用文献４」という。）には，それぞれ以下の事項が記載されている。 （引用文献３） 「【００３８】 ＢＡＷ共振器の共振周波数は近似的に式ｆ＝ｖ／２Ｌ０にしたがって定まる。ここでＬ０はＢＡＷ共振器の層厚さであり，つまり圧電層Ｐの厚さと２つの電極層Ｅ１，Ｅ２の厚さとを加えた値である。ＢＡＷ共振器の主振動モードに対してはλ／２の厚さが調整される。」 （引用文献４） 「【００４０】 第１電極１３，第２電極１５は，電極としての機能と同時に，共振部２０を構成する機能も有するため，その厚みは，材料や共振部を構成する様々な条件によっても異なり精密に設計する必要があるが，共振周波数が２ＧＨｚの場合，０．０１～０．５μｍ程度である。 【００４１】 圧電体膜１４の厚みは，第１電極１３，第２電極１５と同様に精密に設計する必要があるが，共振周波数が２ＧＨｚの場合，０．３～１．５μｍ程度である。 【００４２】 また，通常，共振部２０の全体の厚みが，おおむねλ／２（λは使用周波数での音響波の波長）となるように設計される。」 上記引用文献３及び４に記載されているように，「ＢＡＷ共振器は，共振部を構成する圧電層の厚さと２つの電極層の厚さとを加えた厚さがλ／２（λは共振波長）となるように構成されること。」（以下「周知事項１」という。）は，ＢＡＷ共振器が通常有する周知事項である。 ４　周知事項２ 当審で新たに引用する特表２００４－５３７２３６号公報（以下「引用文献Ａ」という。），国際公開第２００７／１１９６４３号（以下「引用文献Ｂ」という。）及び特開２００８－１７２７１１号公報（以下「引用文献Ｃ」という。）には，それぞれ，BAW共振器に設けられる音響ミラー（ブラッグミラー）に用いられる高い音響インピーダンスの層の材料に関し，以下の記載がある。 （引用文献Ａ） 「【０００７】 典型的な高音響インピーダンス物質としては，例えば，タングステン（Ｗ），プラチナ（Ｐｔ），モリブデン（Ｍｏ），または，金（Ａｕ）などの金属を挙げられる。また，音響インピーダンスの低い物質としては，例えば，酸化シリコン（ＳｉＯ2）またはアルミニウム（Ａｌ）を挙げられる。」 （引用文献Ｂ） 「[0006]　空気／結晶境界面を設ける代わりに，適切な音響ミラーを設ける方法もある。この方法では，例えば特許文献３に記載のように，下部電極，圧電体薄膜及び上部電極より構成される挟み込み構造の下に音響的ブラッグ反射鏡からなる大きな音響インピーダンスが作り出される。ブラッグ反射鏡は，音響インピーダンスの高い材料の層と音響インピーダンスの低い材料の層とを交互に積層することにより作られる。各層の厚さは共振周波数の波長の１／４に固定される。十分な層数の積層膜を形成することにより，圧電体／電極境界面における有効インピーダンスを，素子の音響インピーダンスよりはるかに高くすることができ，したがって，圧電体内の音波を有効に閉じ込めることができる。低音響インピーダンス層は酸化シリコンまたはアルミニウムから構成することができ，高音響インピーダンス層はタングステン，プラチナ，モリブデンまたは金から構成することができる。この方法により得られる音響共振器は，挟み込み構造の下に空隙が存在しないので，固体音響ミラー取付け共振器 (SMR)と呼ばれる。」 （引用文献Ｃ） 「【００６６】 なお，図９ではブラッグ反射層は５層で構成されているが，必要な反射率，各層の材料定数，等によって，最適な層数は異なる。また，１つのブラッグ反射層を構成する材料は２種類に限らず，３種類以上の材料を含むこともある。音響インピーダンスが高い材料として，前述のＷ以外にも，Ｍｏ，金（Ａｕ），イリジウム（Ｉｒ），白金（Ｐｔ），ルテニウム（Ｒｕ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），等が利用可能である。また，音響インピーダンスが低い材料として，前述のＡｌ以外にも，インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ），Ｔｉ，等が利用可能である。」 上記引用文献Ａ－Ｃに記載されているように，「ＢＡＷ共振器に設けられる音響ミラー（ブラッグミラー）に用いられる高音響インピーダンス層の材料をタングステン，金又はプラチナとすること。」（以下「周知事項２」という。）は，周知である。 第５　本願発明１と引用発明との対比・判断 １　対比 本願発明１と引用発明とを対比する。 ａ　引用発明の「半導体基板3」は，本願発明１の「基板（ＳＵ）」に相当し，引用発明の「分離構造7，温度補償層13及び圧電共振子5」を併せて，本願発明１の「積層体（ＳＴ）」に相当する。 そうすると，本願発明１の「ＢＡＷ共振器」と引用発明の「ＢＡＷ共振器」とは，「基板（ＳＵ）と，この上に載置された積層体（ＳＴ）とを有する」点で共通する。 ｂ　引用発明の「前記圧電共振子5は，下部電極5aの積層と，圧電材料層5bの積層と，上部電極5cとの積層とにより形成され」ているから，積層により形成される「下部電極5a」，「上部電極5c」は，本願発明１の「２つの電極層（Ｅ１，Ｅ２）」に相当し，引用発明の「圧電材料層5b」は，本願発明１の前記電極層間に配置された「圧電層（ＰＳ）」に相当する。 ｃ　引用発明の「分離構造7」は，「例えばブラッグミラー」であり「音響ミラーとして挙動する」から，本願発明１の「音響ミラー（ＡＳ）」及び「ブラッグミラー」に相当する。 そして，引用発明の「分離構造7」が「圧電共振子5と支持基板3との間の接合部分を形成」することは，本願発明１の「音響ミラー」が「下方の電極層（Ｅ１）と前記基板との間に配置され」ることに相当する。 また，引用発明の「高い音響インピーダンスを有する材料の層7a」及び「低い音響インピーダンスを有する材料の層7b」は，それぞれ「高インピーダンス層（ＨＩ）」及び「低インピーダンス層（ＬＩ）」に相当し，引用発明の「交互積層構造」は，引用発明１の「交互に配置されている」ことに相当するとともに「少なくとも２つのミラー層を具備する」といえる。 これらのことから，本願発明１と引用発明とは，「前記音響ミラーの前記高インピーダンス層と前記低インピーダンス層とが，共になってブラッグミラーを形成し」ている点で一致する。 ｄ　本願発明１の「補償層」と引用発明の「温度補償層13」とを対比する。 本願発明１の「補償層」が有する「粘弾性特性の正の温度係数を有する材料」は，本願明細書を参照すると，「加熱すると」「共振周波数が上昇する」材料（【０００５】）であって，その好適な材料は「ＳｉＯ２」（【００１５】）である。そうすると，引用発明の「温度補償層13」は，本願発明１の実施形態と共通の「酸化ケイ素」でできているから，本願発明１の「粘弾性特性の正の温度係数を有する材料を有する」といえる。 また，引用発明の「温度補償層13」が「分離構造7の上層7bと下部電極5aとの間に設けられ」る点は，本願発明１の「補償層」が「前記音響ミラーと前記下方の電極層（Ｅ１）との間に配置され」ている点に相当する。 ｅ　ここで，本願発明１で「λは，反射されるべき音波の波長」であることについて，引用発明の「分離構造7」は，「各層7a，7bの厚さは，それを形成する材料中での共振音響波長の4分の1に実質的に等しくなるように選択され，動作周波数，例えば共振周波数において，前記分離構造7は，音響ミラーとして挙動」するから，前記「共振音響波長」が，本願発明１の「反射されるべき音波の波長」，すなわち「λ」に相当する。 ｆ　引用発明の「温度補償層13」が「酸化ケイ素」でできており，「高い及び低い音響インピーダンスを備える他の材料，例えば窒化シリコンまたは窒化アルミニウム，を使用して，分離構造７を形成」する。そうすると，引用発明は，「温度補償層13」及び「低い音響インピーダンスを備える材料の層7b」をそれぞれ異なる材料で形成することから，本願発明１の「前記音響ミラー（ＡＳ）の前記最も上方の低インピーダンス層（ＬＩ）と，前記補償層（ＫＳ）とは，異なる材料から形成されて」いるという構成を備えている。 上記ａないしｆを総合すると，本願発明１と引用発明とは，以下の点で一致し，また相違する。 ＜一致点＞ 「基板（ＳＵ）と， この上に載置された積層体（ＳＴ）と を有するＢＡＷ共振器であって，前記積層体が， ・２つの電極層（Ｅ１，Ｅ２）と， ・前記電極層間に配置された圧電層（ＰＳ）と， ・下方の電極層（Ｅ１）と前記基板との間に配置されていて，かつ少なくとも２つのミラー層を具備する音響ミラー（ＡＳ）であって，高インピーダンス層（ＨＩ）と低インピーダンス層（ＬＩ）とが交互に配置されている，音響ミラー（ＡＳ）と， ・粘弾性特性の正の温度係数を有する材料を有し，前記音響ミラーと前記下方の電極層（Ｅ１）との間に配置されている補償層（ＫＳ）と を具備し， ・前記音響ミラーの前記高インピーダンス層と前記低インピーダンス層とが，共になって ブラッグミラーを形成し， ・λは，反射されるべき音波の波長であり， ・前記音響ミラー（ＡＳ）の前記最も上方の低インピーダンス層（ＬＩ）と，前記補償層（ＫＳ）とは，異なる材料から形成されている， ＢＡＷ共振器。」 （相違点１） 本願発明１では，「前記補償層に接している最も上方の低インピーダンス層と前記補償層との層厚の合計が，λ／４の奇数の倍数に相当し，かつ，少なくとも３λ／４であ」るのに対し，引用発明では，温度補償層13に接している最も上方の低い音響インピーダンスを有する材料の層7bの層厚は共振音響波長の４分の１，すなわちλ／４であるが，該温度補償層13の層厚との合計が特定されていない点。 （相違点２） 本願発明１では，「前記２つの電極層および前記圧電層の層厚の合計が前記波長の半分」であるのに対し，引用発明では「下部電極5a」，「圧電材料層5b」及び「上部電極5c」の層厚の合計が特定されていない点。 （相違点３） 高インピーダンス層の材料について，本願発明１では，「ルビジウム，スカンジウム，金，プラチナから選択されている」のに対し，引用発明では「タングステン（W）」である点。 ２　判断 （１）相違点１について 上記第４の２に記載したとおり，引用文献２には，「高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層とが交互に積層された音響多層膜と，電極膜に挟まれた圧電薄膜が形成された圧電薄膜素子において，最上層の低音響インピーダンス層として機能する膜厚が１／４λのＳｉＯ２層に，λ／２の厚さを有するＳｉＯ２層が付加されている状態とすることで，ＴＣＦをほぼ０とすることができる圧電薄膜素子。」（引用文献２記載事項）が記載されており，前記「音響多層膜」はその機能から「音響ミラー」といえ，「音響多層膜と，電極膜に挟まれた圧電薄膜が形成された圧電薄膜素子」は「ＢＡＷ共振器」といえる。 そうすると，引用発明と引用文献２記載事項とは，音響ミラーを有するBAW共振器である点で共通し，共振周波数の温度による依存性を小さくするという技術課題も共通する（引用発明については[0014]，[0015]及び[0041]を参照。）から，引用発明において，ＴＣＦをほぼ０とするために引用文献２記載事項を採用し，ＳｉＯ２の「温度補償層13」の層厚をλ／２とすることで，低い音響インピーダンスを有する材料の層7b（層7bはＳｉＯ２でできており，層厚はλ／４である。）のうち最も上方の層（この層は「温度補償層13」と接している。）の層厚と「温度補償層13」の層厚との合計を３λ／４とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。この場合，３λ／４という層厚が，請求項１の「λ／４の奇数の倍数に相当し，かつ，少なくとも３λ／４」に該当することは，明らかである。 （２）相違点２について 上記第４の３に記載したとおり，「ＢＡＷ共振器は，共振部を構成する圧電層の厚さと２つの電極層の厚さとを加えた厚さがλ／２（λは共振波長）となるように構成されること。」（周知事項１）は，ＢＡＷ共振器が通常有する周知事項であるから，相違点２に係る事項は，引用発明が有しているか，又は，有していないとしても当業者が適宜になし得る事項である。 （３）相違点３について 上記第４の４に記載したとおり，「ＢＡＷ共振器に設けられる音響ミラー（ブラッグミラー）に用いられる高音響インピーダンス層の材料をタングステン，金又はプラチナとすること。」（周知事項２）は周知であるから，引用発明において，高い音響インピーダンスの材料を有する層7aの材料を，タングステン(W)に代えて，金，又は，プラチナから選択することは，当業者が適宜になし得ることである。 ３　小括 したがって，本願発明１は，引用発明，引用文献２記載事項，周知事項１及び周知事項２に基づいて，当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 第６　本願発明４と引用発明との対比・判断 本願発明４は，請求項４に記載した「少なくとも１つまたは全ての高インピーダンス層（ＨＩ）の材料は，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｔａ２Ｏ５およびＳｃから選択されている」という事項，により，本願発明１の高インピーダンス層（ＨＩ）の材料を限定し直したものであると認められる。 よって，本願発明４と引用発明とを対比すると，両者は上記５の１で挙げた相違点１及び相違点２で相違する。 他方，上記５の１で挙げた相違点３は，高インピーダンス層（ＨＩ）の材料についての相違点であるところ，本願発明４は，「全ての高インピーダンス層（ＨＩ）の材料としてＷ，すなわちタングステンを選択したもの」を含む。ここで，引用発明の「高い音響インピーダンスを有する材料，例えばタングステン(W)の層7a」について，分離構造7を構成する全ての「層7a」の材料がタングステン(W)であるといえ，この点は，本願発明４に含まれる「全ての高インピーダンス層（ＨＩ）の材料としてＷを選択したもの」と共通するから，前記相違点３は，本願発明４と引用発明との相違点にはならない。 そして，相違点１及び相違点２は，上記第５の２で検討済みの相違点である。 したがって，本願発明４は，引用発明，引用文献２記載事項及び周知事項１に基づいて，当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 第７　むすび 以上のとおり，本願発明１及び本願発明４は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。 よって，結論のとおり審決する。