2018-012287

特願２０１７－１７０４３１「透過型液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　１月２５日出願公開、特開２０１８－　１３７８９、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、 平成１９年５月１７日の出願である特願２００７－１３２１２６号の一部を 平成２６年５月７日に新たな出願とした特願２０１４－９６０３８号の一部を 平成２７年４月３日に新たな出願とした特願２０１５－７６５３８号の一部を 平成２８年４月４日に新たな出願とした特願２０１６－７５１７８号の一部を 平成２８年１２月１日に新たな出願とした特願２０１６－２３４３４７号の一部を 平成２９年８月２３日に新たな出願とした特願２０１７－１６０００５号の一部を 平成２９年９月５日に新たな出願としたものであって、 その手続の経緯は次のとおりである。 平成２９年　９月２６日付け：拒絶理由通知書 平成２９年１０月１７日　　：意見書 平成２９年１２月２０日付け：拒絶理由通知書（最初） 平成３０年　４月２４日　　：意見書・手続補正書（期間延長２月） 平成３０年　６月　８日付け：拒絶査定（同年６月１２日送達） 平成３０年　９月１２日　　：審判請求書 第２　原査定の概要 原査定が説示した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。 本願の請求項１～８に係る発明は、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された発明、引用文献３に記載された発明及び引用文献４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．中国特許出願公開第１８６６０８７号明細書 ２．特開２００１－２２２０２７号公報 ３．特開２００４－４８０２９号公報 ４．特開２００１－１９４６４６号公報 第３　当審の判断 １　本願発明の認定 本願の請求項１～８に係る発明（以下、「本願発明１」～「本願発明８」という。）は、平成３０年４月２４日に提出された手続補正書により補正された請求項１～８に記載された事項により特定される発明であり、そのうち独立項に係る発明である本願発明１～４，６及び７は、次のとおりである。 なお、本願発明５は、本願発明１をさらに限定したものであり、本願発明８は、本願発明６又は７をさらに限定したものである。 ［本願発明１］ 「画素を有し、 前記画素は、 第１のトランジスタと、 第２のトランジスタと、 第３のトランジスタと、 第１の液晶素子と、 第２の液晶素子と、 を有し、 前記第１の液晶素子は、第１の画素電極を有し、 前記第２の液晶素子は、第２の画素電極を有し、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、ソース線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に直接接続され、 前記第１のトランジスタのゲートは、ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタがオンしたまま、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいて、前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され、 前記第１の画素電極は、透光性を有し、 前記第２の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。」 ［本願発明２］ 「画素を有し、 前記画素は、 第１のトランジスタと、 第２のトランジスタと、 第３のトランジスタと、 第１の液晶素子と、 第２の液晶素子と、 、を有し、 前記第１の液晶素子は、第１の画素電極を有し、 前記第２の液晶素子は、第２の画素電極を有し、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、ソース線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に直接接続され、 前記第１のトランジスタのゲートは、ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタを介して前記ソース線と前記第１の配線との間に電流が流れている期間において、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいた電位が供給され、 前記第１の画素電極は、透光性を有し、 前記第２の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。」 ［本願発明３］ 「画素を有し、 前記画素は、 第１のトランジスタと、 第２のトランジスタと、 第３のトランジスタと、 第１の液晶素子と、 第２の液晶素子と、 を有し、 前記第１の液晶素子は、第１の画素電極を有し、 前記第２の液晶素子は、第２の画素電極を有し、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、ソース線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に直接接続され、 前記第１のトランジスタのゲートは、ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタがオンしたまま、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいて、前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され、 前記第２のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合は、前記第３のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合よりも大きく、 前記第１の画素電極は、透光性を有し、 前記第２の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。」 ［本願発明４］ 「画素を有し、 前記画素は、 第１のトランジスタと、 第２のトランジスタと、 第３のトランジスタと、 第１の液晶素子と、 第２の液晶素子と、 を有し、 前記第１の液晶素子は、第１の画素電極を有し、 前記第２の液晶素子は、第２の画素電極を有し、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、ソース線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に直接接続され、 前記第１のトランジスタのゲートは、ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタを介して前記ソース線と前記第１の配線との間に電流が流れている期間において、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいた電位が供給され、 前記第２のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合は、前記第３のトランジスタのチャネル長に対するチャネル幅の割合よりも大きく、 前記第１の画素電極は、透光性を有し、 前記第２の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。」 ［本願発明６］ 「画素を有し、 前記画素は、 第１のトランジスタと、 第２のトランジスタと、 第３のトランジスタと、 第１の液晶素子と、 第２の液晶素子と、 を有し、 前記第１の液晶素子は、第１の画素電極を有し、 前記第２の液晶素子は、第２の画素電極を有し、 前記第３のトランジスタは、複数のトランジスタが直列に接続されたマルチゲート構造を有し、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、ソース線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に直接接続され、 前記第１のトランジスタのゲートは、ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタがオンしたまま、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいて、前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され、 前記第１の画素電極は、透光性を有し、 前記第２の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。」 ［本願発明７］ 「画素を有し、 前記画素は、 第１のトランジスタと、 第２のトランジスタと、 第３のトランジスタと、 第１の液晶素子と、 第２の液晶素子と、 を有し、 前記第１の液晶素子は、第１の画素電極を有し、 前記第２の液晶素子は、第２の画素電極を有し、 前記第３のトランジスタは、複数のトランジスタが直列に接続されたマルチゲート構造を有し、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され、 前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、ソース線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に直接接続され、 前記第１のトランジスタのゲートは、ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタを介して前記ソース線と前記第１の配線との間に電流が流れている期間において、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいた電位が供給され、 前記第１の画素電極は、透光性を有し、 前記第２の画素電極は、透光性を有する透過型液晶表示装置。」 ２　引用文献の記載事項等の認定 （１）引用文献１（中国特許出願公開第１８６６０８７号明細書） ア　原査定が引用した引用文献１には、次の記載がある。 なお、引用文献１は、中国語文献であり、そのままでの摘記が困難であるため、以下、そのパテントファミリに属する特開２００７－１５６４２９号公報に基づいた日本語訳をもって、摘記をする。段落番号は、日本語公報のものである。 「【発明を実施するための最良の形態】」、 「本発明は、分圧器によりカラーサブピクセル中の反射電極の電圧レベルを低下させる。特に、反射領域中の反射電極下の分圧器の抵抗は、ポリシリコンを用いて製造される。」（【００１８】）、 「本発明に係るノーマリーブラック（ＮＢ）半透過型液晶ディスプレイパネルのサブピクセルが図８に示される。図８に示されるように、サブピクセル１００は、データライン２０２、ゲートライン２１２及びコモンライン２１４を有する。データライン２０２は、データライン信号をサブピクセル１００に提供する。ゲートライン２１２は、ゲートライン信号を切り換えユニットに提供し、サブピクセル中の液晶層を制御する。コモンライン２１４は、コモンライン電圧レベルＶｃｏｍを上電極（図示しない）に提供する。サブピクセル１００は透過領域ＴＡ及び反射領域ＲＡに分けられる。透過領域ＴＡは透過電極１７０を有し、切り換えユニット２４０（ＴＦＴ－１）によりデータライン２０２に電気的に接続され、データライン信号を受信する。切り換えユニット２４０（ＴＦＴ－１）は電気的にデータライン２０２に接続される切り換え端２４１と、導孔１８４により透過電極１７０に接続されるもう一つの切り換え端２４３を有する。電荷蓄積コンデンサＣ１は、切り換え端２４３に電気的に接続される。切り換えユニット２４０（ＴＦＴ－１）は、ゲートライン２１２に電気的に接続される制御端２４２を有する。 反射領域ＲＡは反射電極１６０を有し、切り換えユニット２５０（ＴＦＴ－２）によりデータライン２０２に電気的に接続され、データライン信号を受信する。切り換えユニット２５０（ＴＦＴ－２）と切り換えユニット２４０（ＴＦＴ－１）は、切り換え端２４１及び制御端２４２を共用する。切り換えユニット２５０（ＴＦＴ－２）は、電気的に分圧器（Ｒ１＋Ｒ２）に電気的に接続されるもう一つの切り換え端２４９を有する。」（【００１９】）、 「反射領域ＲＡ中の液晶層を越える電圧を低下させるため、分圧器（Ｒ１＋Ｒ２）は、抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２からなり、かつ反射領域ＲＡに設置され、もう一つの切り換えユニット２６０（ＴＦＴ－３）により、切り換えユニット２５０（ＴＦＴ－２）とコモンライン２１４間に電位を形成する。図８で示されるように、抵抗Ｒ１の一端は切り換えユニット２５０（ＴＦＴ－２）の切り換え端２４９に電気的に接続され、抵抗Ｒ１のもう一端は、導孔１８２により反射電極１６０に電気的に接続される。電荷蓄積コンデンサＣ２は、反射電極１６０に電気的に接続される。抵抗Ｒ２の一端は、反射電極１６０に電気的に接続され、抵抗Ｒ２のもう一端は、切り換えユニット２６０（ＴＦＴ－３）の切り換え端２６１に電気的に接続される。切り換えユニット２６０（ＴＦＴ－３）のもう一つの切り換え端２６３はコモンライン２１４に電気的に接続され、切り換えユニット２６０（ＴＦＴ－３）の制御端２６２はゲートライン２１２に電気的に接続される。」（【００２０】）、 「低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）工程により、分圧器（Ｒ１＋Ｒ２）が実現される。低温ポリシリコンは、切り換えユニット２４０、切り換えユニット２５０及び切り換えユニット２６０の製造にも用いられる。図９は、図８中の線Ａに沿った断面図である。図９は、ポリシリコンがいかにして抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、一部の切り換えユニット２５０及び一部の切り換えユニット２６０を製造するかを示す。図８及び図９で示されるように、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２は反射電極１６０の下に設置される。これにより、分圧器は、サブピクセル１００中で製造され、反射領域ＲＡの反射率又は透過領域ＴＡの透過率に影響しない。図１０は、図８中の線Ｂに沿った断面図である。図１０は、ポリシリコンがいかにして一部の切り換えユニット２４０を製造するかを示す。」（【００２１】）、 「図１１は、図８中のサブピクセル１００の等価回路を示す図である。図１１中、ＣＴは透過電極１７０と上電極（図３中の電極１５０を参照）の間の液晶層キャパシタンスで、ＣＲは反射電極１６０と上電極間の液晶層キャパシタンスである。図１１で示されるように、電荷蓄積コンデンサＣ１とＣＴは並列され、Ｃ２はＣＲと並列される。切り換えユニット２４０（ＴＦＴ－１）がＧａｔｅｎ－１上のゲートライン信号により導通し、かつコンデンサＣ２及びＣＲがほぼ充電完了時、透過電極の電圧レベルは、ＶＴ＝ＶＤａｔａで、ＶＤａｔａは、Ｄａｔａｍの電圧レベルである。透過領域ＴＡの液晶層を越える電圧は（ＶＤａｔａ－Ｖｃｏｍ）である。切り換えユニット２５０（ＴＦＴ－２）及び切り換えユニット２６０（ＴＦＴ－３）が、Ｇａｔｅｎ－１上のゲートライン信号により導通し、かつ、コンデンサＣ１及びＣＴがほぼ充電完了時、反射電極の電圧レベルは、ＶＲ＝（ＶＤａｔａ－Ｖｃｏｍ）（Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２））である。これにより、反射領域ＲＡ中の液晶層を越える電圧はＶＲ－Ｖｃｏｍである。ＶｃｏｍがＶＤａｔａより小さい場合、反射領域ＲＡ中の液晶層を越える電位は、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）に下降する。その結果、反射率は図１２で示されるように、Ｖ－Ｒ曲線の高電圧端に向かってシフトする。上述のシフトは、比率Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）に基づく。図１２は、比率０．３３、０．４及び０．５のシフトを示す。これにより、反射率の反転問題は、液晶層の適当な電圧範囲を制御することにより回避される。」（【００２２】） イ　図１１は、シングルギャップ半透過型液晶ディスプレイパネルのサブピクセル１００を示す図８に等価な回路を示す図であるところ、図１１に係るシングルギャップ半透過型液晶ディスプレイパネルについて、【００１９】～【００２２】、図８及び図１１の記載を総合すると、次の事実が認められる。 （ア）図１１の各部位に名称を付すると、次のとおりである。 （イ）シングルギャップ半透過型液晶ディスプレイパネルは、サブピクセル１００を有している。 （ウ）サブピクセル１００は、ＴＦＴ－１とＴＦＴ－２とＴＦＴ－３とを有している。 （エ）サブピクセル１００は、透過領域ＴＡに属する液晶層（液晶層コンデンサＣＴ）に係る素子（以下「透過液晶素子」という。）と反射領域ＲＡに属する液晶層（液晶層コンデンサＣＲ）に係る素子（以下「反射液晶素子」という。）とを有している。 （オ）サブピクセル１００は、電荷蓄積コンデンサＣ１と電荷蓄積コンデンサＣ２とを有している。 （カ）透過液晶素子は、透過電極１７０を有している。 （キ）反射液晶素子は、反射電極１６０を有している。 （ク）ＴＦＴ－１の切り換え端２４３は、透過電極１７０に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （ケ）ＴＦＴ－２の切り換え端２４９は、反射電極１６０に、抵抗Ｒ１を介して電気的に接続されている。 （コ）ＴＦＴ－２の切り換え端２４９は、ＴＦＴ－３の切り換え端２６１に、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とを介して電気的に接続されている。 （サ）ＴＦＴ－１の切り換え端２４１は、データライン２０２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （シ）ＴＦＴ－３の切り換え端２６３は、コモンライン２１４に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （ス）ＴＦＴ－１の制御端２４２は、ゲートライン２１２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （セ）ＴＦＴ－２の制御端２４２は、ゲートライン２１２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （ソ）ＴＦＴ－３の制御端２６２は、ゲートライン２１２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （タ）電荷蓄積コンデンサＣ１の第１の電極は、透過電極１７０に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （チ）電荷蓄積コンデンサＣ２の第１の電極は、反射電極１６０に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （ツ）電荷蓄積コンデンサＣ１の第２の電極は、コモンライン２１４に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （テ）電荷蓄積コンデンサＣ２の第２の電極は、コモンライン２１４に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続されている。 （ト）ＴＦＴ－１、ＴＦＴ－２、ＴＦＴ－３がオンしたまま、反射電極１６０には、ＶＲ＝（ＶＤａｔａ－Ｖｃｏｍ）（Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２））の電位が供給される（【００２２】）。 （ナ）透過電極１７０は、透光性を有する。 （ニ）反射電極１６０は、透光性を有さない。 ウ　上記イによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「サブピクセル１００を有し、 サブピクセル１００は、ＴＦＴ－１とＴＦＴ－２とＴＦＴ－３とを有し、 サブピクセル１００は、透過液晶素子と反射液晶素子とを有し、 サブピクセル１００は、電荷蓄積コンデンサＣ１と電荷蓄積コンデンサＣ２とを有し、 透過液晶素子は、透過電極１７０を有し、 反射液晶素子は、反射電極１６０を有し、 ＴＦＴ－１の切り換え端２４３は、透過電極１７０に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 ＴＦＴ－２の切り換え端２４９は、反射電極１６０に、抵抗Ｒ１を介して電気的に接続され、 ＴＦＴ－２の切り換え端２４９は、ＴＦＴ－３の切り換え端２６１に、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とを介して電気的に接続され、 ＴＦＴ－１の切り換え端２４１は、データライン２０２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 ＴＦＴ－３の切り換え端２６３は、コモンライン２１４に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 ＴＦＴ－１の制御端２４２は、ゲートライン２１２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 ＴＦＴ－２の制御端２４２は、ゲートライン２１２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 ＴＦＴ－３の制御端２６２は、ゲートライン２１２に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 電荷蓄積コンデンサＣ１の第１の電極は、透過電極１７０に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 電荷蓄積コンデンサＣ２の第１の電極は、反射電極１６０に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 電荷蓄積コンデンサＣ１の第２の電極は、コモンライン２１４に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 電荷蓄積コンデンサＣ２の第２の電極は、コモンライン２１４に、他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され、 ＴＦＴ－１、ＴＦＴ－２、ＴＦＴ－３がオンしたまま、反射電極１６０には、ＶＲ＝（ＶＤａｔａ－Ｖｃｏｍ）（Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２））の電位が供給され、 透過電極１７０は、透光性を有し、 反射電極１６０は、透光性を有さない、 シングルギャップ半透過型液晶ディスプレイパネル。」 （２）引用文献２（特開２００１－２２２０２７号公報）について 原査定が引用した引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。 「マトリクス状に形成された複数の走査線および複数のデータ線、該複数の走査線および複数のデータ線にそれぞれ電気的に接続された複数の画素スイッチング素子、および該複数の画素スイッチング素子にそれぞれ電気的に接続された複数の画素電極を備える第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された電気光学物質とを有する電気光学装置において、 前記第１の基板は、複数の画素の各々が、前記データ線からの信号伝達経路の時定数が異なる複数の領域に分かれた画素電極を備えていることを特徴とする電気光学装置。」（【請求項１】）、 「電気光学装置は、透過型液晶表示装置であってよく、その場合、第１の画素電極９１と第２の画素電極９２は、透明であること。」（【００３４】～【００７１】）、 「電気光学装置は、反射型液晶表示装置であってよく、その場合、第１の画素電極９１と第２の画素電極９２は、反射性を有する導電膜であること。」（【００７２】～【００９２】）、 「データ線からの信号伝達経路の時定数を異ならせるために、ＴＦＴのオン抵抗の相違を用いることができること。」（【００７８】） ３　本願発明１について （１）引用発明１との対比 ア　引用発明１の特定事項と本願発明１の特定事項とは、次のとおりの相当関係があるものと認められる。 引用発明１　　　　　　　　　　本願発明１ －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ サブピクセル１００　　　　　　画素 ＴＦＴ－１　　　　　　　　　　第１のトランジスタ ＴＦＴ－２　　　　　　　　　　第２のトランジスタ ＴＦＴ－３　　　　　　　　　　第３のトランジスタ 透過液晶素子　　　　　　　　　第１の液晶素子 反射液晶素子　　　　　　　　　第２の液晶素子 透過電極１７０　　　　　　　　第１の画素電極 反射電極１６０　　　　　　　　第２の画素電極 ＴＦＴ－１の切り換え端２４３　第１のトランジスタのソース 又はドレインの一方 ＴＦＴ－２の切り換え端２４９　第２のトランジスタのソース 又はドレインの一方 ＴＦＴ－３の切り換え端２６１　第３のトランジスタのソース 又はドレインの一方 ＴＦＴ－１の切り換え端２４１　第１のトランジスタのソース 又はドレインの他方 ＴＦＴ－３の切り換え端２６３　第３のトランジスタのソース 又はドレインの他方 データライン２０２　　　　　　ソース線 コモンライン２１４　　　　　　第１の配線 ＴＦＴ－１の制御端２４２　　　第１のトランジスタのゲート ＴＦＴ－２の制御端２４２　　　第２のトランジスタのゲート ＴＦＴ－３の制御端２６２　　　第３のトランジスタのゲート ゲートライン２１２　　　　　　ゲート線 イ　引用発明１の「シングルギャップ半透過型液晶ディスプレイパネル」は、本願発明１の「透過型液晶表示装置」と、「液晶表示装置」である点で一致する。 ウ　引用発明１において、「他の素子や他の回路を介在せずに電気的に接続され」ている構造は、本願発明１の用語でいえば、「直接接続」されていることになる。 エ　本願発明１の「第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され」、「前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され」、「前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタがオンしたまま、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいて、前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され」ることと 引用発明１の「ＴＦＴ－２の切り替え端２４９は、反射電極１６０に、抵抗Ｒ１を介して電気的に接続され」、「ＴＦＴ－２の切り換え端２４９は、ＴＦＴ－３の切り換え端２６１に、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とを介して電気的に接続され」、「ＴＦＴ－１、ＴＦＴ－２、ＴＦＴ－３がオンしたまま、反射電極１６０には、ＶＲ＝（ＶＤａｔａ－Ｖｃｏｍ）（Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２））の電位が供給され」ることとは、 「前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタがオンしたまま、前記第２の画素電極には、」「前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され」る点で一致する。 （２）一致点及び相違点の認定 上記（１）によれば、本願発明１と引用発明１とは、 「画素を有し、 前記画素は、 第１のトランジスタと、 第２のトランジスタと、 第３のトランジスタと、 第１の液晶素子と、 第２の液晶素子と、 を有し、 前記第１の液晶素子は、第１の画素電極を有し、 前記第２の液晶素子は、第２の画素電極を有し、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の画素電極に直接接続され、 前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、ソース線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の配線に直接接続され、 前記第１のトランジスタのゲートは、ゲート線に直接接続され、 前記第２のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第３のトランジスタのゲートは、前記ゲート線に直接接続され、 前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタがオンしたまま、前記第２の画素電極には、前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され、 前記第１の画素電極は、透光性を有する、 液晶表示装置。」である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点１］ 「前記第２の画素電極には、前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給」されることについて、本願発明１は、「第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の画素電極に直接接続され」、「前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に直接接続され」、「前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタがオンしたまま、前記第２の画素電極には、前記第２のトランジスタのオン抵抗の大きさと前記第３のトランジスタのオン抵抗の大きさとに基づいて、前記ソース線の電位と前記第１の配線の電位との電位差を分割して得られた電位が供給され」るのに対し、引用発明１は、「ＴＦＴ－２の切り替え端２４９は、反射電極１６０に、抵抗Ｒ１を介して電気的に接続され」、「ＴＦＴ－２の切り換え端２４９は、ＴＦＴ－３の切り換え端２６１に、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とを介して電気的に接続され」、「ＴＦＴ－１、ＴＦＴ－２、ＴＦＴ－３がオンしたまま、反射電極１６０には、ＶＲ＝（ＶＤａｔａ－Ｖｃｏｍ）（Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２））の電位が供給され」る点。 ［相違点２］ 「第２の画素電極」が、本願発明１では、「透光性を有する」のに対し、引用発明１では、透過性を有さず、反射性を有する点。 ［相違点３］ 「液晶表示装置」が、本願発明１では、「透過型」であるのに対し、引用発明１では、「シングルギャップ半透過型」である点。 （３）相違点２及び３の判断 ア　事案にかんがみ、相違点２及び３から判断する。 引用発明１は、シングルギャップ半透過型液晶ディスプレイパネルにおいて、透過電極の電圧レベルに対して、反射電極の電圧レベルを比率Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）にすることにより、反射率の反転問題を回避するものであると認められる（引用文献１の【００２２】）。 そうであれば、引用発明１は、液晶表示装置が「シングルギャップ半透過型」、すなわち、「半透過型」であることを不可欠とする技術思想であると認められる。他方で、相違点２及び相違点３に係る構成に至るためには、そのような引用発明１を、「半透過型」から「透過型」に置換する必要がある。 このような事情に照らせば、引用発明１から出発した当業者は、相違点２及び相違点３に係る構成を採用することを、阻害されるというべきである。 相違点２及び３は、当業者が容易に想到し得るものではない。 イ　これに対し、原査定は、引用文献２が、１つの画素に複数の透明な画素電極を有する透過型液晶表示装置を開示しているから、引用発明１において、このような技術を採用することに格別の困難性はない旨判断する。 確かに、引用文献２は、１つの画素に複数の透明な画素電極を有する透過型液晶表示装置を開示するものであるけれども、そうであるからといって、上記アの判断を左右することはない。 原査定の判断を維持することはできない。 （４）本願発明１についての小括 したがって、相違点１について判断するまでもなく、本願発明１は、引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 そして、引用文献３及び引用文献４に記載された事項を考慮しても、上記判断は、左右されない。 ４　本願発明２～８について 本願発明２～８はいずれも、本願発明１と同様に、相違点２及び３に係る構成を備える。よって、本願発明２～８は、上記３と同様の理由で、引用発明１、引用文献２に記載された技術的事項、引用文献３に記載された技術的事項及び引用文献４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第４　むすび 以上のとおり、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。