2018-009465

特願２０１３－２５７００８「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　６月２２日出願公開、特開２０１５－１１５２１６、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２５年１２月１２日にした出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。 平成２９年　９月２８日付け：拒絶理由通知書（同年１０月３日発送） 平成２９年１２月　４日　　：意見書 平成３０年　３月３０日付け：拒絶査定（同年４月１０日送達） 平成３０年　７月　９日　　：審判請求書・手続補正書 令和　元年　５月２７日付け：拒絶理由通知書（最初、同年５月２８日発 送） 令和　元年　６月　７日　　：意見書・手続補正書 第２　原査定における拒絶の理由及び当審拒絶理由の概要 １　原査定における拒絶の理由の概要は次のとおりである。 （１）本願の請求項１～４，８～１１及び１４～２０に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 （２）本願の請求項５，１２，１４及び１５に係る発明は、引用文献１に記載された発明並びに引用文献２に記載された技術的事項及び引用文献３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 （３）本願の請求項６及び１３～１５に係る発明は、引用文献１に記載された発明並びに引用文献２に記載された技術的事項及び引用文献４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 （４）本願の請求項７，１４及び１５に係る発明は、引用文献１に記載された発明並びに引用文献２に記載された技術的事項及び引用文献５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ２　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。 （１）請求項１に係る発明は、発明の課題を解決できない態様を含んでいるから、本願は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 （２）請求項４の「前記載置台に前記プラズマを介して対向する対向電極をさらに備え、」という記載は明確でないから、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 （３）請求項１２の「前対向電極」という記載は明確でないから、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 引用文献等一覧 １．特開２０１３－２２５６７２号公報 ２．特開２００８－１８７１７９号公報 ３．特開平９－１８６１４１号公報（周知例） ４．特開２０１２－１４２２８５号公報（周知例） ５．特開２００４－３９８４４号公報（周知例） 第３　本願発明の認定 本願の請求項１～２０に係る発明（以下「本願発明１」～「本願発明２０」という。）は、令和元年６月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～２０に記載されたとおりのものであって、そのうち独立項に係る本願発明１及び本願発明１６は、次のとおりである。 ［本願発明１］ 「基板を収容してプラズマによって前記基板に処理を施す処理室と、 前記処理室内で前記プラズマを生成する電極と、 前記電極に接続され、該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源とを備えるプラズマ処理装置において、 前記周波数可変電源から発して前記プラズマを経由する複数の高周波電流の経路が存在し、前記複数の高周波電流の経路は少なくとも第１の経路及び第２の経路を含み、 前記第１の経路の反射最小周波数と、前記第２の経路の反射最小周波数とは異なり、 前記プラズマ処理装置は、前記周波数可変電源から発する高周波電流の周波数を、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むように変化させることにより、前記第１の経路を流れる高周波電流の量と、前記第２の経路を流れる高周波電流の量とを調整する調整手段をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。」 ［本願発明１６］ 「基板を収容してプラズマによって前記基板に処理を施す処理室と、前記処理室内で前記プラズマを生成する電極と、前記電極に接続され、該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源とを備え、前記周波数可変電源から発して前記プラズマを経由する複数の高周波電流の経路が存在し、前記複数の高周波電流の経路は少なくとも第１の経路及び第２の経路を含み、前記第１の経路の反射最小周波数と、前記第２の経路の反射最小周波数とは異なるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、 前記周波数可変電源は、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むように、発する前記高周波電流の周波数を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。」 なお、本願発明２～１５は、本願発明１を減縮した発明である。本願発明１７～２０は、本願発明１６を減縮した発明である。 第４　引用発明の認定 １　引用文献１（特開２０１３－２２５６７２号公報）について （１）原査定が引用した特開２０１３－２２５６７２号公報には、次の記載がある。 ア　「【特許請求の範囲】」、 「処理チャンバの上側電極および下側電極を備えたウエハ処理装置であって、 前記下側電極に接続された第１の高周波電源、第２の高周波電源、および第３の高周波電源と、 前記上側電極に接続された第４の高周波電源と、 前記上側電極および電気的接地の間に接続された第１の共振回路であって、前記第１の共振回路の周波数依存インピーダンスを変化させるよう動作可能な同調素子を備える第１の共振回路と を備える装置。」（【請求項１】）、 「請求項１に記載の装置であって、前記同調素子は、前記周波数依存インピーダンスの最大値が前記第１の高周波電源の周波数に対応するように、前記第１の共振回路の前記周波数依存インピーダンスを設定するよう動作可能である装置。」（【請求項２】）、 「請求項１に記載の装置であって、前記第１の共振回路は、 インダクタと、 前記電気的接地および前記インダクタの間に直列接続された可変コンデンサと を備え、 前記チャンバの浮遊容量が前記インダクタおよび前記接地の間に存在する装置。」（【請求項３】）、 「請求項１に記載の装置であって、さらに、 前記上側電極および前記電気的接地の間に接続された第２の共振回路を備える装置。」（【請求項４】）、 「請求項４に記載の装置であって、さらに、 前記上側電極および前記電気的接地の間に接続された第３の共振回路を備える装置。」（【請求項５】）、 「請求項１に記載の装置であって、さらに、 システムコントローラを備え、 前記システムコントローラは、前記第１、第２、第３、および第４の高周波電源の各々を、ウエハ処理動作中に独立してオンまたはオフのいずれかに設定するよう動作可能であると共に、前記第１の共振回路を前記上側電極に対して接続または切断するよう動作可能である装置。」（【請求項６】）、 「請求項６に記載の装置であって、前記システムコントローラは、さらに、前記上側電極を前記電気的接地に対して接続または切断するよう動作可能である装置。」（【請求項７】）、 「請求項１に記載の装置であって、前記ウエハ処理装置は、 前記第１の高周波電源は、６０ＭＨｚの周波数に設定可能であり、 前記第２の高周波電源は、２７ＭＨｚの周波数に設定可能であり、 前記第３の高周波電源は、２ＭＨｚの周波数に設定可能であり、 前記第４の高周波電源は、４００ｋＨｚの周波数に設定可能である 構成を備える装置。」（【請求項８】） イ　「一実施形態において、ウエハ処理装置が、処理チャンバの上側および下側電極と、第１の高周波（ＲＦ）電源、第２のＲＦ電源、第３のＲＦ電源、および第４のＲＦ電源と、１または複数の共振回路とを備える。第１、第２、および第３のＲＦ電源は、下側電極に接続されている。上側電極は、第４のＲＦ電源、電気的接地、もしくは、１または複数の共振回路に接続されうる。１または複数の共振回路の各々は、下側電極に接続されたＲＦ電源の周波数の内の１つで共振する。一実施形態において、第１の共振回路が上側電極および電気的接地の間に接続されており、第１の共振回路の周波数依存インピーダンスを変化させるよう動作可能な同調素子を備える。ウエハ処理装置は、プラズマおよびエッチングの均一性をウエハに提供するために、ウエハ処理動作のためのＲＦ電源と、上側電極への接続とを選択するよう構成可能である。」（【０００７】） ウ　「【発明を実施するための形態】」、 「以下の実施形態は、ウエハ処理装置でウエハを処理するための装置、方法、およびコンピュータプログラムについて記載したものである。本開示の実施形態は、三電極リアクタ構成における最大で４つの異なるＲＦ電源と、上側電極に接続された１または複数の共振回路とを用いる。本実施形態は、これらの具体的な詳細事項の一部またはすべてがなくとも実施可能であることが明らかである。また、本実施形態が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の詳細な説明は省略した。」（【００２１】）、 「図１は、一実施形態に従って、エッチングチャンバを示す。２つの電極の間に電場を励起することが、エッチングチャンバ内でＲＦガス放電を得るための方法の１つである。電極間に振動電圧が印加された時、得られた放電は、容量結合プラズマ（ＣＰＣ）放電と呼ばれる。」（【００２２】）、 「プラズマは、電子中性衝突によって起きた様々な分子の解離によって生成される様々な化学反応性の副生成物を得るために、安定した原料ガスを用いて生成されうる。エッチングの化学的側面は、中性ガス分子およびそれらの解離した副生成物と、エッチング対象の表面の分子との化学反応を起こし、揮発性分子を生成することを含んでおり、かかる揮発性分子はポンプ除去されうる。プラズマが生成されると、壁からプラズマを隔てる空間電荷シースを横切って陽イオンがプラズマから加速され、ウエハの表面から材料を除去するのに十分なエネルギでウエハ表面に衝突する。これは、イオン衝撃またはイオンスパッタリングとして知られる。しかしながら、一部の工業用プラズマは、純粋に物理的な手段によって表面を効率的にエッチングするのに十分なエネルギを有するイオンを生成しない。」（【００２３】）、 「一実施形態において、異方性および選択エッチング能があることから、ＣＦ４およびＣ－Ｃ４Ｆ８などのフッ化炭素ガスが誘電体エッチング処理に用いられるが、本明細書に記載の原理は、その他のプラズマ生成ガスにも適用できる。フッ化炭素ガスは容易に解離されて、より小さい分子および原子ラジカルになる。これらの化学反応性副生成物は、誘電材料をエッチング除去する。一実施形態において、誘電材料は低誘電率デバイスのためのＳｉＯ２またはＳｉＯＣＨであってよい。」（【００２４】）、 「図１のチャンバは、上側電極１０４および下側電極１０８を有する処理チャンバを示している。上側電極１０４は、接地またはＲＦ発生器１２０に接続されることができ、下側電極１０８は、整合回路網１１４を介してＲＦ発生器１１８に接続される。ＲＦ発生器１１８は、１、２、または、３つのＲＦ周波数でＲＦ電力を供給する。特定の動作のためのチャンバの構成に従って、第１、第２、または、第３のＲＦ周波数のいずれかが、オンまたはオフされてよい。図１に示す実施形態において、ＲＦ発生器１１８は、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚの周波数を提供するが、他の周波数も可能である。」（【００２５】）、 「図１のチャンバは、チャンバにガスを入力するために上側電極１０４上にガスシャワーヘッドを備えており、チャンバからガスをポンプで排出することを可能にする穴のあいた閉じ込めリング１１２を備える。基板１０６がチャンバ内に存在する時、ウエハ表面上に均一なエッチングをするためにプラズマ１０２の下面に均一なＲＦ場が存在するように、シリコンフォーカスリング１１０が基板に隣接して配置される。」（【００２６】）、 「上側電極１０４は、接地またはＲＦ電源１２０に接続されうる。スイッチ１２２は、スイッチが第１のポジションにある時に上側電極１０４を接地に接続し、スイッチが第２のポジションにある時に上側電極１０４をＲＦ電源１２０に接続するよう動作する。整合回路網１１６は、スイッチ１２２が第２のポジションにある時に、上側電極に上側ＲＦ電源１２０を接続するために用いられる。」（【００２７】）、 「図１の実施形態は、対称なＲＦ接地電極１２４によって上側電極が囲まれている三電極リアクタ構成を示す。絶縁体１２６は、接地電極１２４を上側電極１０４から絶縁する誘電体である。一実施形態において、ＲＦ電源１２０は４００ｋＨｚの周波数を有するが、他の周波数も可能である。上側電極における低周波ＲＦ電力が、上側チャンバおよびリアクタ壁におけるイオンエネルギを制御する。これは、チャンバ内のプラズマ化学の別の制御を提供し、ウエハ処理のレシピにおける電力設定を動作ごとに調節することを可能にする。」（【００２８】）、 「各周波数は、ウエハ製造処理において特定の目的に向けて選択されうる。２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚのＲＦ電源を備えた図１の例において、２ＭＨｚＲＦ電源は、イオンエネルギ制御を提供し、２７ＭＨｚおよび６０ＭＨｚ電源は、プラズマ密度および化学物質の解離パターンの制御を提供する。この構成では、各ＲＦ電源がオンまたはオフされてよく、ウエハに対して超低イオンエネルギを用いる特定の処理、およびイオンエネルギが低い（１００または２００ｅＶ未満）必要がある特定の処理（例えば、低誘電率材料のためのソフトエッチング）が可能になる。」（【００２９】）、 「別の実施形態において、６０ＭＨｚＲＦ電源が、超低エネルギおよび超高密度を得るために上側電極で用いられる。この構成は、ＥＳＣ（静電チャック）表面上のスパッタリングを最小限に抑えつつ、ウエハがチャンバ内に存在しない時に高密度プラズマでチャンバを洗浄することを可能にする。ＥＳＣ表面は、ウエハが存在しない時には露出されるため、表面上の任意のイオンエネルギを避ける必要があり、そのため、下側の２ＭＨｚおよび２７ＭＨｚ電源は洗浄中にオフにされる。」（【００３０】）、 「４つのＲＦ電源を備えたチャンバは、プラズマ化学ならびにプラズマ密度および均一性のためのハードウェア制御を提供する。例えば、半径方向の均一性は、上側の独立ＲＦ電源で制御されうる。」（【００３１】）、 「図２Ａ～図２Ｅは、１または複数の共振回路を備えたエッチングチャンバのいくつかの実施形態を示す。実施形態は、上側電極に接続された１または複数の共振回路を追加したチャンバにおいてプラズマの均一性およびエッチング速度の制御を提供する。上側電極のＲＦインピーダンスを制御することにより、下側電極で生成されるＲＦ周波数（例えば、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚ）の半径方向の均一性の制御を行うことができる。」（【００３２】）、 「共振とは、システムがいくつかの周波数で他の周波数よりも大きい振幅で振動する傾向のことである。これらは、システムの共振周波数として知られている。これらの周波数では、システムが振動エネルギを蓄積するので、小さい周期的駆動力でも、大きい振幅振動を生じうる。本明細書で用いられているように、共振回路は、１または複数のインダクタと１または複数のコンデンサとを備え、印加された高周波によって異なるインピーダンスを示し、さらに、回路の共振周波数で無限インピーダンスを示す電子回路である。」（【００３３】）、 「理想的な共振回路では、抵抗によるエネルギの散逸がないが、実際には、インダクタおよびコンデンサ内の小さい抵抗要素が少量のエネルギ損失につながる。これは、共振周波数でのインピーダンスが無限ではなく、非常に大きな値であるということを意味する。したがって、共振周波数でのインピーダンスは、任意の周波数の回路のインピーダンスの中で最高値（すなわち最大値）になる。共振回路内の素子が完全であれば、インピーダンスは無限になる。」（【００３４】）、 「時に、ウエハのエッチングは、チャンバ全体のプラズマ密度の変動により、完全にウエハの表面にわたって均一にはならない。均一性を制御する１つの方法は、ギャップを変化させる方法である。しかしながら、ギャップが狭くなると、プラズマは圧縮され、ウエハ中心からの距離に基づいて、エッチング速度にＷ字パターンが生じうる。さらに、いくつかのレシピは、ギャップの変化に敏感ではなく、ギャップを変化させても、これらのレシピではエッチングの均一性を制御できない。」（【００３５】）、 「均一性を制御する別の方法は、ウエハのエッジへのエッチングに影響しうる外側の電極１２４の段を変化させる方法である。しかしながら、処理に含まれる異なる動作に対して何回か段を調整する必要がありうるため、段を変化させることは、スループットの観点で高コストの動作になる。」（【００３６】）、 「図２Ａは、下側電極に印加される３つのＲＦ電力と、上側電極に接続された３つの対応する共振回路２０２、２０４、および２０６とを備えたエッチングチャンバの一実施形態である。各共振回路は、下側電極１０８に印加されるＲＦ電力の周波数の内の１つで共振する。各共振回路は高いインピーダンス（完璧な共振回路では無限のインピーダンス）を示すので、下側電極に印加されたＲＦ電力は、接地への別の経路を「探し求めうる」。これは、上側電極のＲＦ電力が影響を受けうることを意味する。一実施形態では、フィルタ２０８が、上側電極と、上側電極１０４に接続されたＲＦ電源１２０に関連する整合回路１１６との間に配置され、上側電極のＲＦ電源に達しないように下側電極からのＲＦ電力をブロックする。」（【００３７】）、 「各共振回路（２０２、２０４、または、２０６）は、周波数依存インピーダンスを有しており、インピーダンスの最大値は、共振周波数（例えば、下側電極に印加されるＲＦ電力の内の１電力の周波数）に対応する。例えば、共振回路２０２は、周波数依存インピーダンスを示し、共振回路２０２の周波数依存インピーダンスの最大値は、下側電極のＲＦ電力の周波数（例えば、２メガヘルツ）に対応する。共振回路２０２が理想的な構成要素で構築されている（例えば、抵抗要素がない）場合、共振回路２０２は、共振周波数（例えば、２メガヘルツ）で無限インピーダンスを示す。以下では、図３Ａおよび図３Ｂを参照して、共振回路のインピーダンスの計算について詳述する。」（【００３８】）、 「各共振回路は、下側電極に印加される周波数の１つで共振するよう設計される。共振回路は、上側電極のシース、シースの電圧、およびシースの位相に影響を与える。共振回路は、プラズマ内のＲＦ電流にも影響を与える。」（【００３９】）、 「半導体処理システムは、半導体処理動作ごとに構成されてよく、別の電力が上側および下側電極に印加されてもよく、別の共振回路が上側電極に接続されてもよい。これは、各ウエハ処理動作について異なる要件（例えば、電力レベル、エッチング速度、電圧レベルなど）を有しうるウエハの処理に、柔軟性を提供する。」（【００４０】）、 「図２Ａ～図２Ｅは、半導体チャンバの可能な構成の内のいくつかを示す。図２Ａ～図２Ｅに図示された実施形態は例示的なものであり、すべての可能なチャンバの構成を包括的に示したものではない。各ＲＦ電源（上側および下側）および各共振回路は、特定の動作中に利用されうる。さらに、上側電極は、いくつかの実施形態において、電気的接地に接続されてもよい。さらにまた、上側および下側電極に用いられるＲＦ電源は、本明細書に示した周波数以外の周波数で動作してもよい。したがって、図２Ａ～図２Ｅに示した実施形態は、排他的または限定的ではなく、例示または説明のためのものと解釈されるべきである。」（【００４１】）、 「例えば、図２Ｂは、下側電極に印加される３つのＲＦ電力を備え、上側電極にはＲＦ電力を印加しないチャンバを示す。さらに、チャンバは、上側電極１０４および電気的接地の間で並列に配置された３つの共振回路２０２、２０４、および２０６を備える。」（【００４２】）、 「ＲＦ電力が上側電極に印加される場合（例えば、図２Ａのチャンバの場合）、上側電極にＲＦ電力を印加しない図２Ｂのチャンバの場合よりもプラズマに印加されるＲＦ電力が大きい。これにより、図２Ａおよび図２Ｂのチャンバの動作レジームが異なる。処理に応じて、システムは、上側電極に対してＲＦ電力を利用してもよいし、利用しなくてもよい。さらに、いくつかの実施形態において、上側電極のインピーダンスは、共振回路を利用することによって調整され、それにより、上側電極におけるシースのさらなる制御が可能になる。」（【００４３】） エ　【００３８】、図２Ａ及び図２Ｂによれば、 第１の共振回路２０２の周波数依存インピーダンスの最大値は、２ＭＨｚの周波数に対応し、 第２の共振回路２０４の周波数依存インピーダンスの最大値は、２７ＭＨｚの周波数に対応し、 第３の共振回路２０６の周波数依存インピーダンスの最大値は、６０ＭＨｚの周波数に対応する、 と認められる。 （２）上記（１）の記載によれば、引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた段落番号等を括弧内に付してある（以下、同じ。）。 「処理チャンバの上側電極および下側電極を備えたウエハ処理装置であって、 前記下側電極に接続された第１の高周波電源、第２の高周波電源、および第３の高周波電源と、 前記上側電極に接続された第４の高周波電源と、 前記上側電極および電気的接地の間に接続された第１の共振回路であって、前記第１の共振回路の周波数依存インピーダンスを変化させるよう動作可能な同調素子を備える第１の共振回路と を備え、（請求項１） さらに、前記上側電極および前記電気的接地の間に接続された第２の共振回路を備え、（請求項４） さらに、前記上側電極および前記電気的接地の間に接続された第３の共振回路を備え、（請求項５） 前記第１の高周波電源は、６０ＭＨｚの周波数に設定可能であり、 前記第２の高周波電源は、２７ＭＨｚの周波数に設定可能であり、 前記第３の高周波電源は、２ＭＨｚの周波数に設定可能であり、 前記第４の高周波電源は、４００ｋＨｚの周波数に設定可能であり、（請求項８） 第１の共振回路２０２の周波数依存インピーダンスの最大値は、２ＭＨｚの周波数に対応し、 第２の共振回路２０４の周波数依存インピーダンスの最大値は、２７ＭＨｚの周波数に対応し、 第３の共振回路２０６の周波数依存インピーダンスの最大値は、６０ＭＨｚの周波数に対応し、（上記（１）エ） 各共振回路は高いインピーダンス（完璧な共振回路では無限のインピーダンス）を示すので、下側電極に印加されたＲＦ電力は、接地への別の経路を「探し求めうる」ものであって、（【００３７】） ウエハ処理装置は、プラズマおよびエッチングの均一性をウエハに提供するために、ウエハ処理動作のためのＲＦ電源と、上側電極への接続とを選択するよう構成可能である、（【０００７】） ウエハ処理装置。」 ２　引用文献２（特開２００８－１８７１７９号公報）について 原査定が引用した特開２００８－１８７１７９号公報には、次の技術的事項が記載されていると認められる。 「チャンバ２００全体のプラズマイオン放射分布の均一性は、一対のＶＨＦプラズマ電源発生器２４０、２４２を提供することにより制御されること。」（【００１０】）、 「発生器２４０からの高ＶＨＦ周波数ｆ１は、中心が高く、端部が低い、プラズマイオン放射分布を生成する傾向があり、発生器２４２からの低ＶＨＦ周波数ｆ２は、中心が低く、端部が高い、プラズマイオン放射分布を生成する蛍光があること。」（【００１０】）、 「２つの発生器２４０、２４２のＲＦ電力（電圧又は電流）レベルの比を選択して、中心が多く、中心が少ない不均一性を最小とし、略均一な、両方のタイプの不均一性がほとんどない、従って、ほとんど、又は実質的に均一な、プラズマイオン分布となるようにすること。」（【００１０】）、 「側壁２０２を接地することによる、チャンバ２００の側部に沿ったＲＦ接地リターンパスと、チャンバの中心である台座電極２２６を通るＲＦ接地リターンパスとが提供されており、チャンバの中心を通るＲＦ接地リターンパスは、ｆ１を含む可変のバンドパスフィルタ２５２とｆ２を含む可変のバンドパスフィルタ２５４を有しているので、これらのバンドパスフィルタのリアクタンスを変えることにより、台座電極２２６と側壁２０２の間でのＲＦ電流の各発生器２４０，２４２からの分割を決定できること。」（【００１２】）、 「 」 第５　原査定における拒絶の理由に対する当審の判断 １　本願発明１について （１）本願発明１と引用発明１との対比 ア　本願発明１の「基板を収容してプラズマによって前記基板に処理を施す処理室と、」との特定事項について （ア）引用発明１の「ウエハ」及び「処理チャンバ」は、それぞれ、本願発明１の「基板」及び「処理室」に相当する。 （イ）上記（ア）にも照らせば、引用発明１の「プラズマおよびエッチングの均一性をウエハに提供するために、ウエハ処理動作のためのＲＦ電源と、上側電極への接続とを選択するよう構成可能である」「ウエハ処理装置」に備えられた「処理チャンバ」は、本願発明１の「基板を収容してプラズマによって前記基板に処理を施す処理室」に相当する。 （ウ）よって、引用発明１は、本願発明１の上記特定事項を備える。 イ　本願発明１の「前記処理室内で前記プラズマを生成する電極と、」との特定事項について （ア）引用発明１の「上側電極」及び「下側電極」は、本願発明１の「電極」に相当するとともに、上記アに照らせば、これらは、本願発明１でいう「前記処理室内で前記プラズマを生成する」ものであるといえる。 （イ）よって、引用発明１は、本願発明１の上記特定事項を備える。 ウ　本願発明１の「前記電極に接続され、該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源とを備える」との特定事項について （ア）引用発明１の「前記下側電極に接続された第１の高周波電源、第２の高周波電源、および第３の高周波電源」は、上記イにも照らせば、本願発明１の「前記電極に接続され、該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」とは、「前記電極に接続され、該電極へ供給される高周波電力の周波数」を供給する「周波数」「電源」である点で一致する。 （イ）このように、引用発明１は、「前記電極に接続され、該電極へ供給される高周波電力の周波数」を供給する「周波数」「電源」を備える。 しかし、引用発明１の「第１の高周波電源、第２の高周波電源、および第３の高周波電源」は、高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源ではない。 エ　本願発明１の「プラズマ処理装置において」との特定事項について （ア）引用発明１の「プラズマおよびエッチングの均一性をウエハに提供するために、ウエハ処理動作のためのＲＦ電源と、上側電極への接続とを選択するよう構成可能である」「ウエハ処理装置」は、本願発明１の「プラズマ処理装置」に相当する。 （イ）よって、引用発明１は、本願発明１の上記特定事項を備える。 オ　本願発明１の「前記周波数可変電源から発して前記プラズマを経由する複数の高周波電流の経路が存在し、前記複数の高周波電流の経路は少なくとも第１の経路及び第２の経路を含み、」との特定事項について （ア）引用発明１は、「各共振回路は高いインピーダンス（完璧な共振回路では無限のインピーダンス）を示すので、下側電極に印加されたＲＦ電力は、接地への別の経路を「探し求めうる」ものであ」るから、本願発明１でいう「前記周波数」「電源から発して前記プラズマを経由する複数の高周波電流の経路が存在し、前記複数の高周波電流の経路は少なくとも第１の経路及び第２の経路を含」むものといえる。 しかし、引用発明１の「周波数電源」は、上記ウ（イ）のとおり、「周波数可変電源」ではない。 （イ）このように、引用発明１は、「周波数可変電源」の点を除き、本願発明１の上記特定事項を備える。 カ　本願発明１の「前記第１の経路の反射最小周波数と、前記第２の経路の反射最小周波数とは異なり、」との特定事項について 引用発明１は、本願発明１の上記特定事項を備えない。 キ　本願発明１の「前記プラズマ処理装置は、前記周波数可変電源から発する高周波電流の周波数を、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むように変化させることにより、前記第１の経路を流れる高周波電流の量と、前記第２の経路を流れる高周波電流の量とを調整する調整手段をさらに備える」との特定事項について 引用発明１は、本願発明１の上記特定事項を備えない。 （２）一致点及び相違点の認定 上記（１）によれば、本願発明１と引用発明１とは、 「基板を収容してプラズマによって前記基板に処理を施す処理室と、 前記処理室内で前記プラズマを生成する電極と、 前記電極に接続され、該電極へ供給される高周波電力の周波数を供給する周波数電源とを備えるプラズマ処理装置において、 前記周波数電源から発して前記プラズマを経由する複数の高周波電流の経路が存在し、前記複数の高周波電流の経路は少なくとも第１の経路及び第２の経路を含む、 プラズマ処理装置。」である点で一致し、次の点で相違する。 ［相違点１］ 「該電極へ供給される高周波電力の周波数を供給する周波数電源」が、本願発明１は、「該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」であるのに対し、引用発明１は、６０ＭＨｚの周波数に設定可能な第１の高周波電源、２７ＭＨｚの周波数に設定可能な第２の高周波電源、２ＭＨｚの周波数に設定可能な第３の高周波電源である点。 ［相違点２］ 本願発明１は、「前記第１の経路の反射最小周波数と、前記第２の経路の反射最小周波数とは異な」るのに対し、引用発明１は、そうではない点。 ［相違点３］ 本願発明１は、「前記プラズマ処理装置は、前記周波数可変電源から発する高周波電流の周波数を、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むように変化させることにより、前記第１の経路を流れる高周波電流の量と、前記第２の経路を流れる高周波電流の量とを調整する調整手段をさらに備える」のに対し、引用発明１は、そうではない点。 （３）相違点１～３の判断 相違点１～３をまとめて判断する。 ア　相違点１～３に係る構成は、周波数電源が、該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源であるとともに、その周波数可変電源が、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むものということができる。 イ　しかるに、引用発明１は、６０ＭＨｚの周波数に設定可能な第１の高周波電源、２７ＭＨｚの周波数に設定可能な第２の高周波電源、２ＭＨｚの周波数に設定可能な第３の高周波電源を備えるものであるけれども、これらの高周波電源は、それぞれ、６０ＭＨｚ、２７ＭＨｚ又は２ＭＨｚの周波数に設定可能であれば足りるのである。 そうすると、引用発明１の高周波電源について、「周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」であって、「その周波数可変電源が、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むものである」必要性はない。 ウ　さらに、本願発明１と引用発明１とは、以下のとおり、周波数電源から供給される高周波電力の周波数が異なると解される。 すなわち、引用発明１は、「各共振回路は高いインピーダンス（完璧な共振回路では無限のインピーダンス）を示すので、下側電極に印加されたＲＦ電力は、接地への別の経路を「探し求めうる」」ものであるのだから、引用発明１におけるＲＦ電力の「経路」がいかにして定まるのかは、当該電力が１の共振回路を通りにくくなったことに伴う、いわば、消極的ないし反射的作用によるものということができる。他方で、本願発明１は、「周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」が、「前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含」んでいるのだから、本願発明１における高周波電流の「経路」がいかにして定まるのかは、当該電流が当該「経路」を通りやすくなったことに伴う、いわば、積極的作用によるものということができる。 このように、本願発明１と引用発明１とは、「経路」がいかにして定まるのかについての作用を異にするのであるから、その作用と直接関係するところの、周波数電源から供給される高周波電力の周波数も異なると解される。 エ　上記イ及びウによれば、当業者は、引用発明１の高周波電源について、「周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」であって、「その周波数可変電源が、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含む」ものとすることに至らないというべきである。 オ　これに対し、原査定は、引用文献２が、互いに異なる反射最小周波数を有する第１の経路及び第２の経路をもつ構成を開示していると認定した上で、かかる引用文献２に記載された技術的事項に照らせば、当業者は、引用発明１の高周波電源につき、「周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」であって、「その周波数可変電源が、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含む」との構成に至る旨判断する。 しかしながら、引用文献２が、互いに異なる反射最小周波数を有する第１の経路及び第２の経路をもつ構成を開示しているとは認められない。すなわち、上記第２の２によれば、引用文献２は、次の２種類のＲＦ接地リターンパス、つまり、側壁２０２を接地することによる、チャンバ２００の側部に沿ったＲＦ接地リターンパスと、チャンバの中心である台座電極２２６を通るＲＦ接地リターンパス、を提供している。そして、後者のＲＦ接地リターンパスに流れるＲＦ電流は、可変のバンドパスフィルタ２５２，２５４のリアクタンスにより定まるのであるから、当該ＲＦ接地リターンパスについては、「反射最小周波数」ないし少なくともそれに類似した概念を、一応、観念することができる。しかしながら、前者のＲＦ接地リターンパスに流れる電流は、後者のＲＦ接地リターンパスに流れた電流以外の電流であるにすぎないから、前者のＲＦ接地リタ－ンパスについては、「反射最小周波数」を観念できるとは言い難い。よって、引用文献２が、互いに異なる反射最小周波数を有する第１の経路及び第２の経路をもつ構成を開示しているとは認められない。 そうすると、引用発明１に引用文献２に記載された技術的事項を適用できたとしても、当業者は、引用発明１の高周波電源につき、「周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」であって、「その周波数可変電源が、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含む」との構成に至ることはない。 原査定の判断を維持することはできない。 カ　このように、当業者が、引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、相違点１～３に係る構成に至ることはない。 そして、引用文献３～５に記載された技術的事項を踏まえても、この判断が左右されることはない。 （４）本願発明１についての小括 よって、本願発明１は、引用発明１及び引用文献２～引用文献５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２　本願発明２～１５について 本願発明２～１５は、本願発明１を減縮した発明であるから、上記１と同様の理由により、引用発明１及び引用文献２～引用文献５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３　本願発明１６について 本願発明１６は、本願発明１とは異なり「プラズマ処理方法」に係る発明であるけれども、「該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源」との特定事項と「前記周波数可変電源は、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むように、発する前記高周波電流の周波数を変化させる」との特定事項を備えるから、上記１（３）アで説示した、周波数電源が、該電極へ供給される高周波電力の周波数を所定の範囲で連続的に変化させる周波数可変電源であるとともに、その周波数可変電源が、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むとの構成を備えるものである。 よって、上記１と同様の理由により、本願発明１６は、引用発明１及び引用文献２～引用文献５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４　本願発明１７～２０について 本願発明１７～２０は、本願発明１６を減縮した発明であるから、上記３と同様の理由により、引用発明１及び引用文献２～引用文献５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５　原査定の理由に対する当審の判断の小括 以上のとおりであるから、原査定を維持することはできない。 第６　当審拒絶理由に対する判断 １　特許法第３６条第６項第１号について 当審拒絶理由は、請求項１に係る発明が、発明の課題を解決できない態様を含んでいることをもって、請求項１の記載がサポート要件違反である旨指摘したところである。 しかるところ、令和元年６月７日提出の手続補正書による補正により、請求項１に、「前記プラズマ処理装置は、前記周波数可変電源から発する高周波電流の周波数を、前記第１の経路の反射最小周波数及び前記第２の経路の反射最小周波数を含むように変化させることにより、前記第１の経路を流れる高周波電流の量と、前記第２の経路を流れる高周波電流の量とを調整する調整手段をさらに備える」との記載が追加された。 よって、この拒絶理由は解消した。 ２　特許法第３６条第６項第２号について （１）当審拒絶理由は、請求項４の「前記載置台に前記プラズマを介して対向する対向電極をさらに備え、」という記載が明確でない旨指摘したところである。 しかるところ、令和元年６月７日提出の手続補正書による補正により、請求項４の上記記載は、「前記載置台と前記プラズマを介して対向する対向電極をさらに備え、」という記載に補正された。 よって、この拒絶理由は解消した。 （２）当審拒絶理由は、請求項１２の「前対向電極」という記載が明確でない旨指摘したところである。 しかるところ、令和元年６月７日提出の手続補正書による補正により、請求項１２の上記記載は、「前記対向電極」という記載に補正された。 よって、この拒絶理由は解消した。 ３　当審拒絶理由に対する判断の小括 このように、当審拒絶理由は、解消した。 第７　むすび 以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によって、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。