2017-017590

特願２０１６－５４９９５２「ホールセンサ及びレンズモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　３月３１日国際公開、ＷＯ２０１６／０４７１３０、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２７年９月１８日（優先権主張　平成２６年９月２２日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２８年１２月　７日付け：拒絶理由通知書 平成２９年　２月　１日　　：意見書、手続補正書の提出 平成２９年　４月２５日付け：拒絶理由通知書 平成２９年　７月　６日　　：意見書、手続補正書の提出 平成２９年　８月２１日付け：拒絶査定（送達日：同年同月２９日） 平成２９年１１月２８日　　：審判請求書の提出 第２　原査定の概要 原査定（平成２９年８月２１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 本願請求項１－２，７－１３に係る発明は、以下の引用文献１－６に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ・請求項１－２，７－１２ ・引用文献１－４，６ ・請求項１３ ・引用文献１－６ 引用文献等一覧 １．国際公開第２０１４／０９１７１４号 ２．特開昭５６－１２６９４８号公報（周知技術を示す文献） ３．特開昭５３－０７２４５６号公報（周知技術を示す文献） ４．特開２０００－０６８４４０号公報（周知技術を示す文献） ５．国際公開第２０１３／１８３２７０号 ６．特開２００５－３３７８６６号公報（周知技術を示す文献） 第３　本願発明 本願請求項１－１３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」－「本願発明１３」という。）は、平成２９年７月６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１－１３に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、本願発明４及び本願発明９は、それぞれ、以下のとおりの発明である。 「　　【請求項１】 半絶縁性の基板と、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部と、前記感磁部と接続する複数の電極部とを有し、前記基板の前記感磁部が形成されている面側のエッジが前記感磁部及び前記電極部で覆われていないホール素子と、 前記ホール素子の周囲に配置された複数の外部端子と、 前記複数の電極部の各電極部と前記複数の外部端子の各外部端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導線と、 前記ホール素子の前記感磁部、前記複数の導線、及び、前記各外部端子の少なくとも一部を覆う封止部材とを備え、 前記各外部端子は、前記複数の導線の各導線と接続している第２面と、前記第２面とは反対側の第１面とを有し、 前記第１面は、前記封止部材の底面から露出しており、 前記ホール素子の厚みは、前記外部端子の厚みよりも薄く、 前記封止部材の底面から前記各電極部と前記各導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記各外部端子と前記各導線との第２の接触点までの高さよりも低くすることにより、前記導線と前記基板の前記エッジとが接触しにくいホールセンサ。」 「　　【請求項４】 基板と、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部と、前記感磁部と接続する複数の電極部とを有するホール素子と、 前記ホール素子の周囲に配置された複数の外部端子と、 前記複数の電極部の各電極部と前記複数の外部端子の各外部端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の導線と、 前記ホール素子の前記感磁部、前記複数の導線、及び、前記各外部端子の少なくとも一部を覆う封止部材とを備え、 前記各外部端子は、前記複数の導線の各導線と接続している第２面と、前記第２面とは反対側の第１面とを有し、 前記第１面は、前記封止部材の底面から露出しており、 前記封止部材の底面から前記各電極部と前記各導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記各外部端子と前記各導線との第２の接触点までの高さよりも低く、 前記複数の外部端子のうちの少なくとも１つの外部端子は、前記第２面において段差を有しており、 前記複数の外部端子は、前記段差を境に、前記段差を有する前記各外部端子の前記ホール素子に近い側に第１の部位を有し、前記ホール素子に遠い側に第２の部位を有し、 前記封止部材の底面から前記第１の部位における前記第２面までの高さは、前記封止部材の底面から前記第２の部位における前記第２面までの高さよりも低く、 前記各導線は、前記段差を有する前記各外部端子の前記第２の部位における前記第２面で接続しているホールセンサ。」 「　　【請求項９】 半絶縁性の基板、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部、及び、電極部を有し、前記基板の前記感磁部が形成されている面側のエッジが前記感磁部及び前記電極部で覆われていないホール素子と、 前記ホール素子の周囲に配置された外部端子と、 前記電極部と前記外部端子とを接続する導線と、 前記ホール素子の感磁部、前記導線、及び、前記外部端子の前記導線が接続される第２面を覆う封止部材と、を備え、 前記外部端子は、前記第２面とは反対側の第１面が前記封止部材の底面から露出しており、 前記ホール素子の厚みは、前記外部端子の厚みよりも薄く、 前記封止部材の底面から前記電極部と前記導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記外部端子と前記導線との第２の接触点までの高さよりも低くすることにより、前記導線と前記基板の前記エッジとが接触しにくいホールセンサ。」 なお、本願発明２－３、５－８、１０－１３の概要は以下のとおりである。 本願発明２－３は、本願発明１を減縮した発明である。 本願発明５－６は、本願発明３又は４を減縮した発明である。 本願発明７－８は、本願発明１又は４を減縮した発明である。 本願発明１０－１３は、本願発明９を減縮した発明である。 第４　引用文献、引用発明等 １．引用文献１について 原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審による。以下同様。）。 「[0017] 以下、本発明による実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合もある。 ＜第１実施形態＞ （構成） 図１（ａ）～（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気センサ１００の構成例を示す断面図と平面図と底面図、及び外観図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）を破線Ａ－Ａ´で切断した断面を示している。また、図１（ｂ）では、図面の複雑化を回避するために、モールド樹脂（樹脂部材）を省略して示している。 図１（ａ）～（ｄ）に示すように、磁気センサ１００は、ペレット（即ち、磁気センサチップ）１０と、リード端子２０と、複数の金属細線３１～３４と、絶縁ペースト４０と、モールド樹脂５０と、外装めっき層６０とを備える。また、リード端子２０は、複数のリード端子２２～２５を有する。 [0018] ペレット１０は、例えばホール素子等の磁電変換素子である。ペレット１０は、例えば半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１と、このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（即ち、受感部）１２と、活性層１２に電気的に接続する電極１３ａ～１３ｄとを有する。活性層１２は、例えば平面視で十字（クロス）型であり、クロスの４つの先端部上にそれぞれ電極１３ａ～１３ｄが設けられている。平面視で向かい合う一対の電極１３ａ、１３ｃがホール素子に電流を流すための入力端子であり、電極１３ａ、１３ｃを結ぶ線と平面視で直交する方向で向かい合う他の一対の電極１３ｂ、１３ｄがホール素子から電圧を出力するための出力端子である。ペレット１０の厚さは、例えば０．１０ｍｍ以下である。 [0019] 磁気センサ１００は、アイランドレス構造であり、外部との電気的接続を得るための複数のリード端子２２～２５を有する。図１（ｂ）に示すように、リード端子２２～２５は、ペレット１０の周囲（例えば、磁気センサ１００の四隅近傍）に配置されている。例えば、リード端子２２とリード端子２４とがペレット１０を挟んで対向するように配置されている。また、リード端子２３とリード端子２５とがペレット１０を挟んで対向するように配置されている。さらに、リード端子２２とリード端子２４とを結ぶ直線（仮想線）と、リード端子２３とリード端子２５とを結ぶ直線（仮想線）とが平面視で交差するように、リード端子２２～２５はそれぞれ配置されている。リード端子２０（リード端子２２～２５）は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなる。また、リード端子２０は、その面側又は裏面の一部がエッチング（即ち、ハーフエッチング）されていてもよい。 [0020] なお、図示しないが、リード端子２０の表面で（図１（ａ）における上面側）、金属細線３１～３４で接続されるリード端子２２～２５の表面には、Ａｇめっきが施されていることが電気的接続の観点から好ましい。 また、別の態様で、リード端子２０の表面及び裏面には、外装めっき層６０に代えて、ニッケル（Ｎｉ）－パラジウム（Ｐｄ）－金（Ａｕ）等のめっきが施されていてもよい。磁気センサであるが、アイランドレスのため、磁性体であるＮｉめっき膜の影響を受けにくいため実施が可能となる。 金属細線３１～３４は、ペレット１０が有する電極１３ａ～１３ｄと、リード端子２２～２５をそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば金（Ａｕ）からなる。図１（ｂ）に示すように、金属細線３１はリード端子２２と電極１３ａとを接続し、金属細線３２はリード端子２３と電極１３ｂとを接続している。また、金属細線３３はリード端子２４と電極１３ｃとを接続し、金属細線３４はリード端子２５と電極１３ｄとを接続している。 [0021] 絶縁ペースト４０は、その成分として例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、フィラーとしてシリカ（ＳｉＯ２）とを含むことがより好ましい。第１実施形態では、絶縁ペースト４０はペレット１０の裏面（即ち、活性層１２を有する面（つまり、電極部１３ａ～１３ｄを有する面）の反対側の面）に接しており、この絶縁ペースト４０によってペレット１０の裏面が覆われている。第１実施形態では、ペレット１０の裏面全体が絶縁ペースト４０により覆われていることが、リーク電流増大抑制の観点から好ましい。絶縁ペースト４０のうち、ペレット１０の裏面を覆っている部分の厚さは、フィラーサイズで決まり、例えば５μｍ以上である。 [0022] モールド樹脂５０は、ペレット１０と、リード端子２０の少なくとも表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）と、金属細線３１～３４とを覆って保護（即ち、樹脂封止）している。モールド樹脂５０は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。なお、モールド樹脂５０と絶縁ペースト４０は、例えば同じエポキシ系の熱硬化型樹脂の場合でも、その材料は互いに異なる（例えば、含有する成分が異なる、又は、含有する成分が同一であっても含有比が異なる。）。 図１（ａ）及び（ｄ）に示すように、磁気センサ１００の底面側（即ち、配線基板に実装する側）では、各リード端子２２～２５の裏面の少なくとも一部と、絶縁ペースト４０の少なくとも一部とが、モールド樹脂５０からそれぞれ露出している。 また、外装めっき層６０は、モールド樹脂５０から露出しているリード端子２２～２５の裏面に形成されている。外装めっき層６０は、例えばスズ（Ｓｎ）等からなる。」 したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「磁気センサ１００は、ペレット（即ち、磁気センサチップ）１０と、リード端子２０と、複数の金属細線３１～３４と、モールド樹脂５０とを備え、リード端子２０は、複数のリード端子２２～２５を有し（[0017]より。以下同様。）、 ペレット１０は、例えばホール素子等の磁電変換素子であり、ペレット１０は、例えば半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１と、このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（即ち、受感部）１２と、活性層１２に電気的に接続する電極１３ａ～１３ｄとを有し（[0018]）、 磁気センサ１００は、外部との電気的接続を得るための複数のリード端子２２～２５を有し、リード端子２２～２５は、ペレット１０の周囲（例えば、磁気センサ１００の四隅近傍）に配置されており（[0019]）、 金属細線３１～３４は、ペレット１０が有する電極１３ａ～１３ｄと、リード端子２２～２５をそれぞれ電気的に接続する導線であり（[0020]）、 絶縁ペースト４０はペレット１０の裏面（即ち、活性層１２を有する面（つまり、電極部１３ａ～１３ｄを有する面）の反対側の面）に接しており（[0021]）、 モールド樹脂５０は、ペレット１０と、リード端子２０の少なくとも表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）と、金属細線３１～３４とを覆って保護（即ち、樹脂封止）しており、磁気センサ１００の底面側（即ち、配線基板に実装する側）では、各リード端子２２～２５の裏面の少なくとも一部が、モールド樹脂５０からそれぞれ露出している（[0022]）、 磁気センサ１００（[0017]）。」 ２．引用文献２について 原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には、第３頁左下欄第３－１０行より、概略、リードのワイヤボンディング部をパッケージの上下方向に多段に配置しているので、各リードの幅寸法を微細に形成しなくともリード数を増大することができるので、パッケージを大型化することなく高集積度化された半導体ペレットの実装を行ない、小型の高集積半導体装置を得ることができる技術が記載されている。 ３．引用文献３について 原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献３には、第２頁右上欄第２－１０行より、概略、リードフレームを高さ方向に複数段に配置することにより、リードフレームを最少長さで配置することが可能になり、リードフレームとガラス封止層との接触面積も最小にできるので、両者の熱膨張係数の違いによるガラス封止層へのクラック発生を大幅に低減することができ、数十ピンあるいは１００ピンといった多ピンのガラス封止半導体装置の製造を可能にすることができる技術が記載されている。 ４．引用文献４について 原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献４には、【００２３】より、概略、リード基盤は、二層構造をなし、回路基板に近い方の一層目のリード基盤に、ＩＣチップの入出力用の第１のリード端子が設けられ、二層目のリード基盤に、試験用の第２のリード端子が設けられ、第１のリード端子は、回路基板に接続されるようにしたので、回路基板の小型化を実現するとともに、ＩＣパッケージ単体での試験を容易にかつ効率的に行うことが可能となる技術が記載されている。 ５．引用文献６について 原査定において、周知技術を示す文献として引用された上記引用文献６には、図面とともに次の事項が記載されている。 「【０００２】 図２９に示す磁性体検出器１００は、感磁部を形成する半導体磁気抵抗素子を備えたチップを樹脂封止した半導体パッケージ１０１の下面（裏面）１０２に接着剤で磁石１０３が取り付けられ、これらがケース１０４内に樹脂１０５で封止されている。１０６はリードフレームである（例えば、特許文献１参照）。 【特許文献１】特開２００４－５５９３２号公報 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００３】 半導体磁気抵抗素子は、抵抗値が印加磁界によって変化する素子である。半導体磁気抵抗素子の磁気抵抗効果は以下の式で記述できる。 ΔＲ／Ｒ０∝（μＢ）２ ：低印加磁界時・・・・・（１） ΔＲ／Ｒ０∝（μＢ） ：高印加磁界時・・・・・（２） ただし、ΔＲ＝ＲＢ－Ｒ０であり、ＲＢは磁界中での抵抗値、Ｒ０は磁場なしでの抵抗値である。μは電子移動度である、Ｂは印加磁界である。磁気抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ０）と印加磁界の関係は、１次比例関係にはなく、低磁界では２次曲線となり、高磁界では１次曲線となる。ただ、１次曲線から２次曲線への移行は、徐々に移行するものである（次数が２から１へとデジタル的に移行するのではなく、徐々に２から１へと移行していく（図３０参照））。 磁性体検出器は、検出対象磁性体としての例えば歯車が回転したり検出対象磁性体が移動したりすることにより磁束密度の変化を検出するものであるので、半導体磁気抵抗素子からの出力信号振幅は、磁気抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ０）の傾きによる。即ち、永久磁石による半導体磁気抵抗素子の感磁部表面での磁束密度（バイアス磁界）が大きいほど、磁気抵抗変化率の傾きが大きく、出力信号振幅は大きくなる。 図２９の磁性体検出器１００の感磁部表面と磁石表面との間の距離の詳細を図３１に示す。即ち、図２９のように半導体パッケージ１０１の下面１０２に磁石１０３が密着されている構造でも、図３１に示すようにチップ１１０をマウント（ダイボンド）しているリードフレーム１０６の下部の樹脂１１１の厚さＨが厚い場合には、半導体磁気抵抗素子の感磁部表面１１２とこの感磁部表面１１２と平行に対向する磁極面である磁石表面１１３との間の距離Ａ（以下、「縦距離」という）が大きくなって、感磁部表面１１２での磁束密度が小さくなり、出力信号振幅の低下につながることになる。 【０００４】 本発明は、出力信号振幅を大きくとれる磁性体検出器を提供する。また、縦距離Ａ、即ち、半導体磁気抵抗素子の感磁部表面と磁石表面との距離を小さくできて、出力信号振幅を大きくとれる磁性体検出器を提供する。また、この磁性体検出器を構成するための半導体パッケージを提供する。」 「【００１８】 最良の形態では、パッケージ８の裏面２８に磁石位置決め凹部孔３０を形成したので、互いに平行に対向する磁石１０の磁石表面１０ａと感磁部表面９１との間の距離、即ち、縦距離Ａを小さくでき、よって、感磁部表面９１での磁束密度を大きくでき、出力信号振幅を大きくとれて、Ｓ／Ｎ比の良い磁性体検出器１を提供できる。・・・」 「【００２１】 以下、最良の形態による磁性体検出器１の製造方法の実施例を説明する。化合物半導体薄膜１３は、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）を用いて絶縁性基板１２上に形成した。例えば、絶縁性基板１２としての半絶縁性のＧａＡｓ単結晶基板の（１００）面の上に化合物半導体薄膜１３としてＳｎドープＩｎＳｂ薄膜をエピタキシャル成長させた。例えば、まず、厚さ０．３５ｍｍの半絶縁性のＧａＡｓ単結晶基板にＡｓを照射しながら６５０℃で加熱し表面酸素を脱離させた。次に、５８０℃で温度を下げてＧａＡｓバッファ層を２００ｎｍの厚さで形成した。そして、Ａｓを照射しながら４００℃まで温度を下げた後、ＳｎとＩｎ、Ｓｂを同時に基板に照射しながら化合物半導体薄膜１３の膜厚１μｍからなるＳｎドープＩｎＳｂ単結晶薄膜を形成した。この際、ＩｎＳｂ単結晶薄膜の電子濃度は、７×１０１６ｃｍ－３になるようにＳｎセル温度を調節した。成膜したＩｎＳｂ単結晶薄膜の電気特性を測定したところ、電子濃度は７×１０１６ｃｍ－３、電子移動度は４０，０００ｃｍ２／Ｖｓであった。このように分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いて化合物半導体薄膜１３を形成したことで薄膜の膜厚や組成の制御性を向上でき、歯車回転等によって生じる磁束密度変化検出のために配置される複数の磁気抵抗素子の特性差を無くすことができた。」 「【００２７】 他例１ 図２０～図２４に示すように、外部接続リードが半導体パッケージ８０から出ないタイプ、即ち、ノンリードタイプのリードフレーム７０を用いて半導体パッケージ８０を作製し、リードフレーム７０のパッド部７２（入出力端子部）と外部接続リード７３とをプリント配線基板７４を介して互いに電気的に接続させた。パッド部７２と外部接続リード７３はそれぞれプリント配線基板７４の接続パッド７５；７６にはんだ付けされる。図２０は本例の磁性体検出器１の断面図、図２１はパッケージ８０の断面図、図２２はパッケージの裏面図、図２３は磁石表面１０ａをパッケージ８０の裏面８１に密着させるための貫通孔７７が形成されたプリント配線基板を示す平面図、図２４は貫通孔７７に磁石１０を通した状態のプリント配線基板を示す平面図である。この場合、パッケージ８０の裏面８１にリードフレーム７０のアイランド７１とパッド部７２とを露出させたので、上記と同様に縦距離Ａを小さくできる。この例では、縦距離Ａを０．５０ｍｍとした（ＧａＡｓ基板：０．３５ｍｍ、リードフレーム０．１５ｍｍ）。この構成を採用して作製した磁性体検出器１を用いて、歯車回転検出測定を行った。歯車４８と感磁部表面９１と距離を０．７ｍｍにして、出力信号振幅を測定した結果、４８０ｍＶであり、上記と同様の出力信号振幅を確認できた。 【００２８】 他例２ 図２５に示すような形状のリードフレーム２００を用いて半導体パッケージ２０１を作製した後、図２６に示すように、研磨により、パッケージ２０１の裏側（化合物半導体薄膜１３の形成されてない基板１２側）からパッケージ樹脂２０３、リードフレーム２００のアイランド２０５のすべて、及び、半導体薄膜１３の形成されてなるＧａＡｓ基板（絶縁性基板１２）の裏面側を図２５の点線Ｇの箇所まで除去した半導体パッケージ２１０とした。リードフレーム２００の末端側は上方に折曲されている。このように半導体パッケージが裏側に、前記感磁部の下に位置する構成部分の除去された裏面、即ち、図２５の点線Ｇの箇所まで除去された平坦面２１１を備えた半導体パッケージ２１０を用いることにより、縦距離Ａを０．０５ｍｍ以下にできる。即ち、化合物半導体薄膜１３の膜厚及び基板１２の厚さを０に近くする。例えば、化合物半導体薄膜１３の膜厚は０．１～４．０μｍに設定することで、縦距離Ａを例えば０<Ａ≦１ｍｍに設定でき、出力信号振幅を大きくとれる磁性体検出器１を提供できる。」 第５　対比・判断 １．本願発明９について （１）対比 本願発明９と引用発明とを対比する。 ア　引用発明における「半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１」、「このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（即ち、受感部）１２」、「活性層１２に電気的に接続する電極１３ａ～１３ｄ」は、それぞれ、本願発明９における「半絶縁性の基板」、「前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部」、「電極部」に相当する。 また、引用発明における「例えばホール素子等の磁電変換素子であ」る「ペレット１０」は、本願発明９における「ホール素子」に相当する。 したがって、引用発明における、「例えばホール素子等の磁電変換素子であり、」「半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１と、このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（即ち、受感部）１２と、活性層１２に電気的に接続する電極１３ａ～１３ｄとを有」する「ペレット１０」は、本願発明９における「半絶縁性の基板、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部、及び、電極部を有し、前記基板の前記感磁部が形成されている面側のエッジが前記感磁部及び前記電極部で覆われていないホール素子」と、「半絶縁性の基板、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部、及び、電極部を有するホール素子」である点で共通する。 イ　引用発明における「外部との電気的接続を得るための複数のリード端子２２～２５」は、本願発明９における「外部端子」に相当する。 そして、引用発明では、「リード端子２２～２５は、ペレット１０の周囲（例えば、磁気センサ１００の四隅近傍）に配置されて」いるから、上記アをふまえると、引用発明における、「ペレット１０の周囲（例えば、磁気センサ１００の四隅近傍）に配置されて」いる、「外部との電気的接続を得るための複数のリード端子２２～２５」は、本願発明９における「前記ホール素子の周囲に配置された外部端子」に相当する。 ウ　引用発明における、「ペレット１０が有する電極１３ａ～１３ｄと、リード端子２２～２５をそれぞれ電気的に接続する導線であ」る「金属細線３１～３４」は、上記ア、イをふまえると、本願発明９における「前記電極部と前記外部端子とを接続する導線」に相当する。 エ　引用発明では、「金属細線３１～３４は、ペレット１０が有する電極１３ａ～１３ｄと、リード端子２２～２５をそれぞれ電気的に接続する導線であ」るから、引用発明における「ペレット１０」の「表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）」には、ペレット１０において金属細線と接続する箇所である電極１３ａ～１３ｄが配置されているといえる。一方、引用発明では、ペレット１０において「活性層１２を有する面」を「つまり、電極部１３ａ～１３ｄを有する面」としているから、電極部１３ａ～１３ｄ（電極１３ａ～１３ｄ）が配置されている「ペレット１０」の「表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）」には、活性層１２も配置されているといえる。 また、引用発明における「リード端子２０の」「表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）」は、上記イ、ウ、及び「リード端子２０は、複数のリード端子２２～２５を有し」ていることをふまえると、本願発明９における「前記外部端子の前記導線が接続される第２面」に相当する。 したがって、引用発明における、「ペレット１０と、リード端子２０の少なくとも表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）と、金属細線３１～３４とを覆って保護（即ち、樹脂封止）して」いる「モールド樹脂５０」は、上記ア、ウ、及び、上記の、「ペレット１０」の「表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）」に活性層１２が配置されている、という事項をふまえると、本願発明９における「前記ホール素子の感磁部、前記導線、及び、前記外部端子の前記導線が接続される第２面を覆う封止部材」に相当する。 オ　引用発明における「各リード端子２２～２５の裏面」は、「リード端子２０の」「表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）」とは反対側の面であるといえるから、上記イ、エをふまえると、本願発明９における、「前記外部端子」の「前記第２面とは反対側の第１面」に相当する。 そうすると、引用発明における「磁気センサ１００の底面側（即ち、配線基板に実装する側）では、各リード端子２２～２５の裏面の少なくとも一部が、モールド樹脂５０からそれぞれ露出している」、という事項は、上記エをふまえると、本願発明９における「前記外部端子は、前記第２面とは反対側の第１面が前記封止部材の底面から露出して」いる、という事項に相当する。 カ　引用発明において、「ホール素子」である「ペレット１０」「を備え」た「磁気センサ１００」は、本願発明９における「ホールセンサ」に相当するといえる。 してみると、本願発明９と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 （一致点） 「半絶縁性の基板、前記基板上又は前記基板内に設けられた感磁部、及び、電極部を有するホール素子と、 前記ホール素子の周囲に配置された外部端子と、 前記電極部と前記外部端子とを接続する導線と、 前記ホール素子の感磁部、前記導線、及び、前記外部端子の前記導線が接続される第２面を覆う封止部材と、を備え、 前記外部端子は、前記第２面とは反対側の第１面が前記封止部材の底面から露出している、 ホールセンサ。」 （相違点） （相違点１）本願発明９の「ホール素子」は、「前記基板の前記感磁部が形成されている面側のエッジが前記感磁部及び前記電極部で覆われていない」と特定されているのに対し、引用発明の「ペレット１０」は、「半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板１１」の、「このＧａＡｓ基板１１上に形成された半導体薄膜からなる活性層（即ち、受感部）１２」が形成されている面側のエッジが、「活性層（即ち、受感部）１２」及び「電極１３ａ～１３ｄ」で覆われていないとは明記されていない点。 （相違点２）本願発明９では「前記ホール素子の厚みは、前記外部端子の厚みよりも薄く」と特定されているのに対し、引用発明では「ペレット１０」と「リード端子２２～２５」との厚さの関係は明記されていない点。 （相違点３）本願発明９では「前記封止部材の底面から前記電極部と前記導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記外部端子と前記導線との第２の接触点までの高さよりも低くすることにより、前記導線と前記基板の前記エッジとが接触しにくい」と特定されているのに対し、引用発明では、「モールド樹脂５０」の底面から「電極１３ａ～１３ｄ」と「金属細線３１～３４」との接触点までの高さと、「モールド樹脂５０」の底面から「リード端子２２～２５」と「金属細線３１～３４」との接触点までの高さとの関係は明記されていない点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑み、上記相違点３を検討する。 引用文献２ないし４の記載から、引用発明の用語を用いれば、リード端子及び金属細線の数を増やすためにリード端子を高さ方向に複数段に配置することは、従来より周知の技術（以下、「周知技術」という。）であったと認められる。 しかしながら、引用発明では、ホールセンサの発明である以上、リード端子及び金属細線の数が「４」を大幅に上回ることは想定できないから、引用発明に上記周知技術を適用する動機づけを見出すことはできない。また、上記周知技術は、あくまでもリード端子を高さ方向に複数段に配置するものであって、複数リード端子間の相対的な高さの関係に着目するものであり、引用発明の用語でいうところの、電極とリード端子との相対的な高さの関係に着目する技術ではないから、仮に引用発明において上記周知技術を適用したとしても、「モールド樹脂５０」の底面から「電極１３ａ～１３ｄ」と「金属細線３１～３４」との接触点までの高さを、「モールド樹脂５０」の底面から「リード端子２２～２５」と「金属細線３１～３４」との接触点までの高さよりも低くする構成に至るとまではいえない。 また、引用文献６に記載された技術は、半導体磁気抵抗素子を用いた磁性体検出器において、半導体磁気抵抗素子の感磁部表面と磁石表面との距離を小さくするためのものであるから、磁石を用いないホールセンサの発明である引用発明に適用する動機づけを見出すことはできない。 引用文献６の【００２８】、図２５、２６に記載されたものも、感磁部の下に位置する構成部分を除去することで感磁部表面と磁石表面との距離を小さくすることに主眼を置くものであり、感磁部９０とリードフレーム２００におけるボンディングワイヤ２３の接触点との高さの関係に着目するものではないから、仮に引用発明において引用文献６に記載された技術を適用したとしても、「モールド樹脂５０」の底面から「電極１３ａ～１３ｄ」と「金属細線３１～３４」との接触点までの高さを、「モールド樹脂５０」の底面から「リード端子２２～２５」と「金属細線３１～３４」との接触点までの高さよりも低くする構成に至るとまではいえない。 原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献５も、上記相違点３に関連する技術事項を記載するものではない。 したがって、上記相違点１、２について判断するまでもなく、本願発明９は、当業者であっても、引用文献１－６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 ２．本願発明１について 本願発明１は、「前記封止部材の底面から前記各電極部と前記各導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記各外部端子と前記各導線との第２の接触点までの高さよりも低くすることにより、前記導線と前記基板の前記エッジとが接触しにくい」という、本願発明９の上記相違点３に係る構成に対応する構成を備えるものであるから、本願発明９と同様の理由により、当業者であっても、引用文献１－６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 ３．本願発明４について 本願発明４は、「前記封止部材の底面から前記各電極部と前記各導線との第１の接触点までの高さは、前記封止部材の底面から前記各外部端子と前記各導線との第２の接触点までの高さよりも低く」という、本願発明９の上記相違点３に係る構成に対応する構成を備えるものであるから、本願発明９と同様の理由により、当業者であっても、引用文献１－６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 ４．本願発明２－３、５－８、１０－１３について 本願発明２－３は本願発明１を減縮した発明であり、本願発明５－６は本願発明３又は４を減縮した発明であり、本願発明７－８は本願発明１又は４を減縮した発明であって、本願発明２－３、５－８は、本願発明９の上記相違点３に係る構成に対応する構成を備えるものであるから、本願発明９と同様の理由により、当業者であっても、引用文献１－６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 また、本願発明１０－１３は本願発明９を減縮した発明であり、本願発明１０－１３は、本願発明９の上記相違点３に係る構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明９と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１－６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 第６　原査定について 以上のとおりであって、本願発明１－１３は、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１－６に基づいて容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由を維持することはできない。 第７　むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。