2017-013042

特願２０１６－１０４３８３「スパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年９月１日出願公開、特開２０１６－１５６０９７、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は、平成２４年３月９日に出願した特願２０１２－５３２６７号の一部を平成２８年５月２５日に新たな特許出願としたものであって、平成２９年２月１７日付けで拒絶理由が通知され、平成２９年４月２１日に手続補正がされ、この手続補正が平成２９年５月２６日付けで却下されるとともに拒絶査定（原査定）がされ、これに対して、平成２９年９月４日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。 なお、平成２９年５月８日付けで刊行物等提出書が提出されている。 ２　原査定の概要 原査定（平成２９年５月２６日付けの拒絶査定）の概要は以下のとおりである。 （１）本願請求項１及び２に係る発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （２）本願請求項１及び２に係る発明は、引用文献２及び引用文献３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （３）本願請求項１及び２に係る発明は、引用文献４に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、引用文献４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （４）本願請求項１及び２に係る発明は、引用文献５に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、引用文献５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 （引用文献等一覧） 引用文献１　特開平１０－６０６３２号公報 引用文献２　特開平１０－３３０９２３号公報 引用文献３　特開２００１－１５２２６６号公報 引用文献４　国際公開第２０１０／０３８６４２号 引用文献５　加藤正憲，高純度銅の特性と用途，伸銅技術研究会誌，１９９６年，第３５巻、第２８～３５頁 なお、平成２９年５月２６日付けの補正の却下の決定は、平成２９年４月２１日付けの手続補正は特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるところ、当該補正後の本願請求項１に係る発明は、引用文献１及び引用文献６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、独立特許要件を満たさないから、当該補正を却下する、というものである。 （引用文献等一覧） 引用文献１　特開平１０－０６０６３２号公報 引用文献６　国際公開第２０１１／０２４９０９号 ３　本願発明 本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２９年９月４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりの発明である。 【請求項１】 純度が９９．９質量％以上の銅が主成分であるスパッタリングターゲットであって、 ５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の硫黄（Ｓ）、及び、１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の鉛（Ｐｂ）が含有され、 スパッタ面の平均結晶粒径が２００μｍ以下であるとともに、 ターゲット表面において、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下である スパッタリングターゲット。 ４　引用文献について （１）引用文献１の記載事項（下線は当審が付した。以下、同様である。） ア　「【０００９】 【発明が解決しようとする課題】成膜配線の銅中にガス状、分子状、あるいは化合物として存在するガス成分、すなわち、酸素、水素、硫黄等のガス成分元素が存在した場合、ガス成分は、ＬＳＩのパッケージ部の外部より侵入してくる水分等との反応により、腐食の原因となる。また成膜中に放出される微量な酸素は、膜を酸化させ抵抗率を上昇させると共に、酸化による腐食発生の原因となる。 【００１０】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、スパッタリング法によって銅をスパッタリングターゲットとして配線を形成する場合、耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れたスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットにより配線された銅配線を持つ半導体素子及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。」 イ　「【００１８】 【発明の実施の形態】発明者らの研究により、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅を基体金属として酸素濃度を０．０１容量ｐｐｍ以下の雰囲気で溶解、鋳造された鋳塊からスパッタリングターゲットを作成することで、スパッタリングターゲットに含まれるガス成分を低減させることができ、ガス成分は、酸素（Ｏ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０３重量ｐｐｍ以下、硫黄（Ｓ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０５重量ｐｐｍ以下、水素が１重量ｐｐｍ未満となることが分かった。このスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットにより成膜された銅配線を用いることで、耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅薄膜配線を得ることができた。」 ウ　「【００４６】（比較例１）本実施例は、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９重量％の銅からバッチ式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを作成したときの例を示すものである。 ・・・ 【００４９】得られた鋳塊を鍛造により厚さ３ｃｍに加工した。次に硝酸により鋳塊の表面の汚染層を除去した後、高純度アルゴン雰囲気中で、３５０°Ｃで３０分間焼鈍し加工歪を除去した。焼鈍後の鋳塊の結晶粒径は１ｍｍ以下であった。（次にクロス圧延をおこなって厚さ７ｍｍの板に加工した。）得られた圧延板の表面研削及び外形加工を行って、直径６インチ、厚さ５ｍｍの円盤にした。次に有機溶剤による円盤の洗浄後、希硝酸を用いて円盤にエッチングを行いスパッタリングターゲットとした。 【００５０】スパッタリングターゲットの不純物分析はグロー放電質量分析法により行った。このときの不純物金属とガス不純物の分析結果を図３の表に併せて示した。」（当審注：「図３」は「図２」の誤記と認める。） エ　「【図２】 」 （２）引用文献２の記載事項 ア　「【請求項１】高純度銅スパッタリングターゲットにおいて、ＮａおよびＫ含有量がそれぞれ０．１ｐｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃａ，Ｍｇ含有量がそれぞれ１ｐｐｍ以下、炭素および酸素含有量がそれぞれ５ｐｐｍ以下、ＵおよびＴｈ含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下、ガス成分を除いた銅の含有量が９９．９９９％以上であることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット。 【請求項２】スパッタ面における平均粒径が２５０μｍ以下であり、かつ場所による平均粒径のばらつきが±２０％以内であることを特徴とする請求項１記載の高純度銅スパッタリングターゲット。」 イ　「【０００９】 【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するため、本発明者等は鋭意研究を行った結果、電気抵抗の低い膜を実現するためには、ターゲット中の不純物含有量を一定値以下に抑える必要があり、また、これまでは、合金化するために添加していた元素も一定レベル以下に下げる必要があること、膜厚均一性を実現するためには、ターゲットの結晶粒径・結晶配向性のばらつきを抑えることが必要であるとの知見を得た。」 ウ　【００２７】 【実施例】以下、実施例および比較例に基づいて説明する。実施例１～４及び比較例２，３は電気銅を硝酸浴中で電解精製し真空誘導溶解した高純度銅インゴットから作製した。比較例１については、低純度銅インゴットから作製した。ターゲット形状はいずれも直径１２．９８インチ、厚さ６．３５ｍｍの円盤状である。 【００２８】（実施例１）ターゲットＡ ・・・ 【００３７】ターゲットの特性 前記Ａ～Ｇのターゲットは表２に示す結晶粒径とそのばらつき及び（１１１）面と（２００）面の回折ピーク強度比とそのばらつきを有していた。 【００３８】 【表２】 【００３９】測定は表１の各々のターゲットについて図１に示す９つの位置からサンプルの切り出しを行い、結晶粒径の測定はＪＩＳ・Ｈ５０１に記載される切断法により行った。 【００４０】成膜試験 前記Ａ～Ｇのターゲットを用いて直径８インチＳｉ基板上に、Ａｒガス圧：５ｍＴｏｒｒ、スパッタパワー：３ｋＷ、基板－ターゲット距離：５０ｍｍで成膜し、膜の比抵抗と膜厚分布分散を評価した。表３に比抵抗と膜厚分布分散及びダミーランの必要な成膜厚さを示す。なお、ダミーランの厚さとは、膜厚分布分散が表３の値になるまでに要するウエハー上の積算膜厚を意味している。 【００４１】 【表３】 【００４２】（結果）本発明の、高純度銅スパッタリングターゲットを用いて形成した膜は、比抵抗が２μΩ・ｃｍ以下と極めて低い抵抗値を有するものであった。さらに、平均粒径が２５０μｍ以下、粒径のばらつきが２０％以内のもの、Ｘ線回折強度比Ｉ（１１１）／Ｉ（２００）が２．４以上、ピーク強度比のばらつきが±２０％以内のターゲットを用いて形成した膜は、膜厚分布の均一性に優れるものであった。また、（１１１）面ピークの半値幅が０．３ｄｅｇ以内のターゲットを用いて成膜を行った場合には、ダミーランに必要な膜厚が小さくて済むことが確認された。」 （３）引用文献３の記載事項 ア　「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、熱間加工性に難のある銅や銅合金、特に析出型銅合金やＳｎ，Ｎｉ，Ｚｎ等を添加元素として含む銅合金鋳塊における熱間加工性を改良する技術に関するものである。」 イ　「【００２４】 【実施例】銅合金としてＣｕ－０．１％Ｆｅ－０．０３％Ｐ－２．０％Ｓｎ合金を用い、雰囲気を制御した高周波溶解炉を用いて各元素を溶解し、最後に溶湯温度を１２２０℃（融点＋１４０℃）に保持した。この時点で、溶湯のサンプリングを行なって酸素濃度を測定したところ、７～１２ｐｐｍであった。次いで、溶湯中にＣｅ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ等を個別に若しくはミッシュメタルとして添加し、攪拌後直ちに鋳造して厚さ：５０ｍｍ、幅：８０ｍｍ、長さ：１５０ｍｍの鋳塊を得た。下記表１に、上記主成分（Ｃｕ，Ｆｅ，ＰおよびＳｎ）以外の構成元素における組成を示す。 【表１】 」 ウ　「【００４０】 【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｐｂ等の不物物が或る程度存在していたとしても、この不純物含有量に応じて適切な量の希土類元素を含有させることによって熱間加工性が改善された銅または同銅合金が実現できた。」 （４）引用文献４の記載事項 ア　「［請求項１］　純度６Ｎ以上、Ｐ、Ｓ、Ｏ、Ｃの各成分の含有量がそれぞれ１ｐｐｍ以下である高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットであって、粒径０．５μｍ以上２０μｍ以下の非金属介在物が３０，０００個／ｇ以下であることを特徴とする高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット。」 （５）引用文献５の記載事項 ア　「３．１　不純物含有量 ６Ｎという純度表示は、Ｈ、Ｃ、Ｎ、Ｏ等のガス成分を除いた不純物の含有量を加算して１００から差し引いた値が、９９．９９９９と６桁の９が並ぶことに基づいている。Ｔａｂｌｅ　２に、ＣＤＭＳ法によって分析された４Ｎ銅（ＯＦＣ）、５Ｎ銅、６Ｎ銅の不純物の含有量の例を示す。４Ｎ銅は、Ｓを５．５ｐｐｍ、Ｆｅを１．９ｐｐｍ含有している。・・・ 」（第２９～３０頁） イ　「５．３　ＬＳＩ配線材 ＬＳＩ用配線材料としてアルミニウム合金が一般的に用いられているが、・・・ウィスカーやボイドの発生による配線の信頼性低下が起こる。 これらの問題を解決するために、銅による配線が検討されている。・・・Ｆｉｇ．１０にＣｕターゲットを採用したスパッタリングの概略を示す。高純度銅はガス成分元素が少ないので、成膜条件が良い。・・・」（第３３～３４頁） （６）引用文献６の記載事項 ア　「［請求項１］　純度が９９．９９％以上である高純度銅からなり、スパッタリングを行う面における｛１１１｝面、｛２００｝面、｛２２０｝面、および｛３１１｝面の各々のＸ線回折のピーク強度、Ｉ｛１１１｝、Ｉ｛２００｝、Ｉ｛２２０｝、およびＩ｛３１１｝が下記式（１）を満たし、結晶粒の粒径が１００～２００μｍであることを特徴とする、スパッタリングターゲット用銅材料。」 イ　「［００１７］　本発明は、上述の従来の問題点に鑑みて、ＴＦＴ液晶パネルなどに使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線を作成する際に、従来以上に均一に粒子を発生し、且つ、使用中においてもその粒子の発生頻度の変化が起こりにくいスパッタリングターゲット用銅材料を提供することを課題とする。」 ウ　「［００４２］・・・ ［４］スパッタリング特性 得られた銅材料板から、図３に示す位置３１、３２、３３にて直径φ６インチ（１５．２４ｃｍ）、厚さ８ｍｍに切り出し、研磨を行ってスパッタリングターゲットを作成した。ターゲット面の粗さの影響を除外するため、粗さは全て最大粗さＲａを０．５～０．８μｍに研磨して揃えた。上述のように作成したスパッタリングターゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置にて、膜厚０．７ｍｍの日本電気硝子社製ＯＡ－１０ガラス基板にスパッタリングを実施し０．３μｍ膜厚の銅配線を作成した。スパッタリング条件はＡｒガス圧力を０．４Ｐａ、放電電力を１２Ｗ／ｃｍ２とした。その後真空中にて３００℃、３０ｍｉｎの熱処理を行った。熱処理後の銅配線の膜厚を１０点測定して、最大膜厚および最小膜厚のレンジが±７％になったものを「良」、それ以上のバラつきが存在したものを「不良」とした。」 エ　「［００４７］　（実施例２） ・・・厚さ２０ｍｍ×幅２００ｍｍ×長さ約１２ｍの平板のスパッタリングターゲット用銅材料を製造した。また実施例１と同様、結晶方位分布、結晶粒径、硬さおよびスパッタリング特性を調査した。 ［００４８］　結果を表５、６に示す。本発明例で製造された銅材料は何れも特性を満足している。比較例Ｇで製造された銅材料は、結晶配向度は本発明の規定の範囲内にあるが、結晶粒径は１００μｍを下回り、スパッタリング特性は部分的に不良となった。比較例Ｈで製造された銅材料は、結晶配向度は本発明の規定の範囲内にあるが、結晶粒径は２００μｍを上回り、スパッタリング特性は部分的に不良となった。・・・ ・・・ ［００５０］［表５］ ［００５１］［表６］ 」 ５　原査定についての判断 （１）引用文献１に記載された発明を主発明とした場合について ア　引用文献１に記載された発明 引用文献１には、上記４（１）ウ及びエによれば、９．９ｐｐｍのＳ（硫黄）及び２ｐｐｍのＰｂ（鉛）を含有した、純度９９．９９重量％の銅スパッタリングターゲットが記載され、硫黄及び鉛の含有量の単位ｐｐｍは、上記４（１）イによれば、重量ｐｐｍであることが記載されているといえるから、引用文献１には、「純度９９．９９重量％の銅スパッタリングターゲットであって、９．９重量ｐｐｍのＳ（硫黄）及び２重量ｐｐｍのＰｂ（鉛）を含有したスパッタリングターゲット。」の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されているといえる。 イ　本願発明と引用１発明の対比 本願発明と引用１発明を対比すると、両者は「純度が９９．９質量％以上の銅が主成分であるスパッタリングターゲットであって、５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の硫黄（Ｓ）、及び、１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の鉛（Ｐｂ）が含有されたスパッタリングターゲット」で一致し、以下の点で相違している。 （相違点１－１） 本願発明は、「スパッタ面の平均結晶粒径が２００μｍ以下である」ことを特定しているのに対して、引用１発明は、スパッタ面の平均結晶粒径が示されていない点。 （相違点１－２） 本願発明は、「ターゲット表面において、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下である」ことを特定しているのに対して、引用１発明は、スパッタ面の割れの量が示されていない点。 ウ　相違点の検討 上記相違点１－１について検討すると、引用文献６には、上記４（６）ア～エによれば、高純度銅スパッタリングターゲットのスパッタリングを行う面の平均結晶粒径を１００～２００μｍとすることによって、作成した銅配線の膜厚均一性が向上することが記載されている。また、引用文献２にも、上記４（２）ア～ウによれば、高純度銅スパッタリングターゲットのスパッタ表面の平均結晶粒径を２５０μｍ以下、例えば１５０μｍ（実施例１）とすることによって、成膜した銅膜の膜厚均一性が向上することも記載されている。 しかしながら、引用文献１に記載された課題は、上記４（１）アで摘示したとおり、形成する銅配線の耐腐食性を向上させるスパッタリングターゲットを提供することであり、形成する銅膜の膜厚均一性を課題とするものでないから、引用１発明において、引用文献２及び６に記載されたように、スパッタ表面の平均結晶粒径を２００μｍ以下とすることは、当業者が容易になし得たことといえない。 次に、相違点１－２について検討すると、本願発明は、硫黄（Ｓ）及び鉛（Ｐｂ）の含有量によって、所定サイズ以上の疵の低減が図れる（本願明細書段落【００４６】及び【００４８】）ものではあるが、スパッタ面の疵（割れ）がターゲット製造時の熱履歴の影響を受けることも技術常識であることから、引用１発明の硫黄（Ｓ）及び鉛（Ｐｂ）の含有量が本願発明の数値範囲に入ることのみをもって、引用１発明のターゲット表面における疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下となっているといえない。 さらに、銅が主成分であるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット表面における疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れを５０個／１００ｍｍ２以下とすることは、引用文献２～６のいずれにも記載されていないし示唆もされていない。 したがって、引用１発明において、ターゲット表面における疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れを５０個／１００ｍｍ２以下とすることは、当業者が容易になし得たことといえない。 エ　まとめ 以上のとおりであるから、本願発明は、引用文献１に記載された発明といえないし、引用文献１に記載された発明及び引用文献２～６に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （２）引用文献２に記載された発明を主発明とした場合について ア　引用文献２に記載された発明 引用文献２には、上記４（２）アによれば、銅の含有量が９９．９９９％以上であり、スパッタ面における平均粒径が２５０μｍ以下である高純度銅スパッタリングターゲットが記載され、上記４（２）ウによれば、実施例１のターゲットＡとして、スパッタ面における平均粒径が１５０μｍである高純度銅スパッタリングターゲットが記載されているから、引用文献２には、「銅の含有量が９９．９９９％以上であり、スパッタ面における平均粒径が１５０μｍである高純度銅スパッタリングターゲット。」の発明（以下、「引用２発明」）が記載されているといえる。 イ　本願発明と引用２発明の対比 本願発明と引用２発明を対比すると、両者は「純度が９９．９質量％以上の銅が主成分であるスパッタリングターゲットであって、スパッタ面の平均結晶粒径が２００μｍ以下であるスパッタリングターゲット」で一致し、以下の点で相違している。 （相違点２－１） 本願発明は、「５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の硫黄（Ｓ）、及び、１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の鉛（Ｐｂ）が含有」することを特定しているのに対して、引用１発明は、硫黄（Ｓ）及び鉛（Ｐｂ）の含有量が示されていない点。 （相違点２－２） 本願発明は、「ターゲット表面において、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下である」ことを特定しているのに対して、引用２発明は、スパッタ面の割れの量が示されていない点。 ウ　相違点の検討 上記相違点２－１について検討すると、引用文献３には、上記４（３）イによれば、８原子ｐｐｍのＳ、１原子ｐｐｍのＰｂを含む銅合金（表１のＪ参照）が記載されているが、上記４（３）ア及びウに摘示したとおり、引用文献３に記載された銅合金は、熱間加工性が改善された銅または銅合金を提供することを課題としており、そもそもスパッタリングターゲットに使用するものでないから、引用文献３に記載された技術的事項を引用２発明と組み合わせる動機付けがない。 また、引用文献１には、上記４（１）ウ及びエによれば、比較例として、９．９ｐｐｍのＳ、２ｐｐｍのＰｂを含む銅スパッタリングターゲットが記載されているが、引用文献１には、上記４（１）ア及びイに摘示したとおり、形成する銅配線の耐腐食性を向上させるために、スパッタリングターゲットの硫黄含有量を０．００１重量ｐｐｍ以上０．０５重量ｐｐｍ以下とするものである。 さらに、引用文献４には、上記４（４）アによれば、純度６Ｎ以上、Ｓ（硫黄）含有量が１ｐｐｍ以下である高純度銅または高純度銅合金スパッタリングターゲットが記載され、引用文献５には、上記４（５）ア及びイによれば、５．５ｐｐｍのＳ（硫黄）及び０．３ｐｐｍのＰｂ（鉛）を含有する純度９９．９９％の高純度スパッタリングターゲットが記載され、引用文献６には、上記４（６）ア及びイによれば、純度９９．９９％以上の高純度銅スパッタリングターゲットが記載されているものの、引用文献４～６には、銅スパッタリングターゲットに、５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の硫黄（Ｓ）、及び、１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の鉛（Ｐｂ）を含有させることは記載も示唆もされていない。 したがって、引用文献１、２、４～６を参酌しても、引用２発明において、５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の硫黄（Ｓ）、及び、１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の鉛（Ｐｂ）を含有させることは、当業者が容易になし得たことといえない。 次に、相違点２－２について検討すると、上記（１）の相違点１－２で検討したと同様に、引用２発明のターゲット表面における疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下となっているといえないし、引用文献１、３～６に記載された事項を参酌しても、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れを５０個／１００ｍｍ２以下とすることを当業者が容易になし得たことといえない。 エ　まとめ 以上のとおりであるから、本願発明は、引用文献２に記載された発明及び引用文献１、３～６に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （３）引用文献４に記載された発明を主発明とした場合について ア　引用文献４に記載された発明 引用文献４には、上記４（４）アによれば、「純度６Ｎ以上、Ｐ、Ｓ、Ｏ、Ｃの各成分の含有量がそれぞれ１ｐｐｍ以下である高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット。」の発明が記載されているといえる。 イ　本願発明と引用４発明の対比 本願発明と引用４発明を対比すると、両者は「純度が９９．９質量％以上の銅が主成分であるスパッタリングターゲット」で一致し、以下の点で相違している。 （相違点３－１） 本願発明は、「５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の硫黄（Ｓ）、及び、１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の鉛（Ｐｂ）が含有」することを特定しているのに対して、引用４発明は、硫黄（Ｓ）の含有量が１ｐｐｍ以下であり、鉛（Ｐｂ）の含有量が示されていない点。 （相違点３－２） 本願発明は、「スパッタ面の平均結晶粒径が２００μｍ以下である」ことを特定しているのに対して、引用４発明は、スパッタ面の平均結晶粒径が示されていない点。 （相違点３－３） 本願発明は、「ターゲット表面において、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下である」ことを特定しているのに対して、引用４発明は、スパッタ面の割れの量が示されていない点。 ウ　相違点の検討 上記相違点３－１について検討すると、上記（２）の相違点２－１で検討したと同様に、引用４発明において、硫黄（Ｓ）を５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下、及び、鉛（Ｐｂ）を１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下含有させることは、当業者が容易になし得たことといえない。 次に、相違点３－３について検討すると、上記（１）の相違点１－２で検討したと同様に、引用４発明のターゲット表面における疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下となっているといえないし、引用文献１～３、５及び６に記載された事項を参酌しても、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れを５０個／１００ｍｍ２以下とすることを当業者が容易になし得たことといえない。 エ　まとめ 以上のとおりであるから、相違点３－２について検討するまでもなく、本願発明は、引用文献４に記載された発明といえないし、引用文献４に記載された発明及び引用文献１～３、５及び６に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （４）引用文献５に記載された発明を主発明とした場合について ア　引用文献５に記載された発明 引用文献５には、上記４（５）アによれば、Ｓ（硫黄）を５．５ｐｐｍ及びＰｂ（鉛）を０．３ｐｐｍ含有する純度９９．９９％の高純度銅が記載され、さらに、上記４（５）イによれば、この高純度銅をＣｕターゲットに用いることも記載されているから、引用文献５には、「純度９９．９９％の高純度銅のスパッタリングターゲットであって、５．５ｐｐｍのＳ（硫黄）及び０．３ｐｐｍのＰｂ（鉛）を含有したスパッタリングターゲット。」の発明（以下、「引用５発明」という。）が記載されているといえる。 イ　本願発明と引用５発明の対比 本願発明と引用５発明を対比すると、両者は「純度が９９．９質量％以上の銅が主成分であるスパッタリングターゲットであって、５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の硫黄（Ｓ）が含有されたスパッタリングターゲット」で一致し、以下の点で相違している。 （相違点４－１） 本願発明は、「１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下の鉛（Ｐｂ）が含有」することを特定しているのに対して、引用５発明の鉛（Ｐｂ）の含有量は０．３ｐｐｍである点。 （相違点４－２） 本願発明は、「スパッタ面の平均結晶粒径が２００μｍ以下である」ことを特定しているのに対して、引用５発明は、スパッタ面の平均結晶粒径が示されていない点。 （相違点４－３） 本願発明は、「ターゲット表面において、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下である」ことを特定しているのに対して、引用５発明は、スパッタ面の割れの量が示されていない点。 ウ　相違点の検討 上記相違点４－１について検討すると、上記（２）の相違点２－１で検討したと同様に、引用５発明において、硫黄（Ｓ）を５ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下、及び、鉛（Ｐｂ）を１ｐｐｍ以上２ｐｐｍ以下含有させることは、当業者が容易になし得たことといえない。 次に、相違点４－３について検討すると、上記（１）の相違点１－２で検討したと同様に、引用５発明のターゲット表面における疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れが５０個／１００ｍｍ２以下となっているといえないし、引用文献１～４、６に記載された事項を参酌しても、疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れを５０個／１００ｍｍ２以下とすることを当業者が容易になし得たことといえない。 エ　まとめ 以上のとおりであるから、相違点４－２について検討するまでもなく、本願発明は、引用文献５に記載された発明といえないし、引用文献５に記載された発明及び引用文献１～４、６に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 ６　情報提供に対する判断 平成２９年５月８日付けの刊行物等提出書において、資料１（再公表ＷＯ２０１１／０２４９０９号公報）及び資料２（伸銅品データブック，日本伸銅協会，平成９年８月１日，第２３６～２３８頁）が提出された。 資料１は、引用文献６として引用した国際公開第２０１１／０２４９０９号の再公表公報であり、上記５で検討したとおりである。 また、資料２には、Ｃｕが９９．９９ｗｔ％であって、Ｐｂが１．４ｐｐｍ、Ｓが６ｐｐｍ含有する銅（Ｃ１０２０）が記載されているが、銅（Ｃ１０２０）をスパッタリングターゲット材料に用いることは記載されていないし、スパッタ面における疵の幅が０．００３ｍｍ以上である割れを５０個／１００ｍｍ２以下とすることも記載されていない。 したがって、資料１及び資料２の記載を考慮しても、本願発明の新規性及び進歩性を否定することはできない。 ７　むすび 以上のとおり、原査定の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。 他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。