2017-006737

特願２０１５－５１５３９６「位置合わせ誤差を求めるための装置と方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月１２日国際公開，ＷＯ２０１３／１８２２３６，平成２７年　９月　３日国内公表，特表２０１５－５２５４７７，請求項の数（７）〕について，次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は，特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，２０１２年（平成２４年）６月６日を国際出願日とする出願であって，平成２８年４月２０日付け拒絶理由通知に対し，同年７月１４日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたが，同年１２月１９日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，平成２９年５月１０日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたところ，平成３０年７月１９日付けで当審から拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）が通知され，これに対し，同年１０月１１日に意見書が提出されるとともに手続補正（以下，「本件補正」という。）がされたものである。 第２　原査定の概要 原査定の理由の概要は以下のとおりである。 （進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） ・請求項　１～７ ・引用文献　１～３ ＜引用文献等一覧＞ １．特開昭６１－４４４２９号公報 ２．特開昭５６－１４６２４２号公報 ３．特開２００２－２２８４１５号公報 第３　本願発明 本願請求項１ないし７に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明７」という。）は，本件補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される発明であって，以下のとおりである。 「【請求項１】 基板（５）上に設けられているか又は存在している構造体（６）の位置合わせ精度及び／又は歪みを検査するために，前記設けられているか又は存在している構造体（６）の位置合わせ誤差を求めるための方法であって， 前記基板（５）を基板ホルダ（２）に固定するステップと， 前記基板ホルダ（２）を収容装置によって収容するステップと， 前記収容装置の並進運動及び／又は回転運動を行い，それによって，少なくとも１つの光学系（３）に対する相対的な前記基板（５）の位置決めを第１のＸ－Ｙ座標系において行う，ステップと， 前記少なくとも１つの光学系（３）が，前記構造体（６）上のマーキング（１１，１１’）のＸ－Ｙポジションを検出するステップであって，前記基板（５）の第１のＸ－Ｙ座標系に依存しない第２のＸ－Ｙ座標系には，前記構造体（６）に関する理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）が設定されている，ステップと， 前記構造体（６）上の前記マーキング（１１，１１’）の検出された前記Ｘ－Ｙポジションからの，前記理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）の各距離を求め，それによって，前記マーキング（１１，１１’）の検出された前記Ｘ－Ｙポジションと，前記構造体（６）に関する前記理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）との間の偏差ベクトル（ｖ１，ｖ２）を求めるステップと， 前記構造体（６）が更なる加工に適しているか否かを，所定の限界値を基準にして，前記偏差ベクトル（ｖ１，ｖ２）に基づいて判定するステップと， 前記構造体（６）が更なる加工に適していると判定された場合に，前記基板（５）に，前記構造体（６）へ更なる加工を行うための処理をするステップと， 前記処理後に，前記少なくとも１つの光学系（３）が，前記構造体（６）上の前記マーキング（１１，１１’）のＸ－Ｙポジションを検出するステップと， 前記構造体（６）上の前記マーキング（１１，１１’）の検出された前記Ｘ－Ｙポジションからの，前記理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）の各距離を求めるステップであって，求められた前記距離を，前記位置合わせ誤差を求めるために使用する，ステップと， を，記載の順序で備えていることを特徴とする，位置合わせ誤差を求めるための方法。 【請求項２】 その都度少なくとも１個の構造体（６）を同時に検出する，請求項１に記載の方法。 【請求項３】 前記少なくとも１つの光学系（３）を，前記第１のＸ－Ｙ座標系の原点を設定するために，前記第１のＸ－Ｙ座標系に対応付けられている光学系収容部を用いて少なくともＸ方向及びＹ方向に移動させ，続いて前記第１のＸ－Ｙ座標系において前記検出のために固定する，請求項１に記載の方法。 【請求項４】 前記基板ホルダ（２）を収容し，且つ，前記第１のＸ－Ｙ座標系の少なくともＸ方向及びＹ方向において移動可能である前記収容装置の形態の位置合わせ手段によって，前記基板ホルダ（２）上に固定された前記基板（５）を前記第２のＸ－Ｙ座標系に対して位置合わせする，請求項１に記載の方法。 【請求項５】 前記基板ホルダ（２）上に固定された前記基板（５）を，前記基板（５）上のマーキング（７）を前記少なくとも１つの光学系（３）によって検出することによって位置合わせする，請求項４に記載の方法。 【請求項６】 複数の前記Ｘ－Ｙポジション及び／又は前記理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）を，一つのポジションマップに記憶する，請求項１に記載の方法。 【請求項７】 複数の前記Ｘ－Ｙポジション及び／又は前記理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）を，前記第２のＸ－Ｙ座標系に対応付けられているか，又は，該第２のＸ－Ｙ座標系に相関付けられている一つのポジションマップに記憶する，請求項６に記載の方法。」 第４　引用文献，引用発明等 １　引用文献１について （１）　引用文献１の記載 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で加筆した。以下，同じ。）。 ア　「（発明の技術分野） 本発明は半導体装置製造用のステツプアンドリピート方式の露光装置，又はステツプアンドリピート方式で順次検査を行なう装置に好適な位置合せ方法に関し，特に露光用の原版となるマスクやレチクルと，露光対象である半導体ウエハ等との精密な位置合せを行なう方法に関する。」（第１頁右下欄第６行ないし同欄第１２行） イ　「（発明の背景） 近年，ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置は急速に微細化，高密度化が進み，これを製造する装置，特にマスクやレチクルの回路パターンを半導体ウエハに形成された回路パターンの上に重ね合せて転写する露光装置にも増々，高精度なものが要求されてきている。マスクの回路パターンとウエハ上の回路パターンとは例えば０．１μｍ以内の精度で重ね合せることが要求され，このため現在，その種の露光装置はマスクの回路パターンをウエハ上の局所領域（例えば１チツプ分）に露光したら，ウエハを一定距離だけ歩進（ステツピング）させては再びマスクの回路パターンを露光することを繰り返す，所謂ステツプアンドリピート方式の装置，特に縮小投影型の露光装置（ステツパー）が主流になつている。このステツプアンドリピート方式では，ウエハを２次元移動するステージに載置してマスクの回路パターンの投影像に対して位置決めするため，その投影像とウエハ上の各チツプとを精密に重ね合せることができる。また縮小投影型露光装置の場合，マスクやレチクルに設けられた位置合せ用のマークと，ウエハ上のチツプに付随したマークとを投影レンズを介して直接観察又は検出して位置合せするスルーザレンズ方式のアライメント方法と，投影レンズから一定距離だけ離して設けた位置合せ用の顕微鏡を使つてウエハ全体の位置合せを行なつた後，そのウエハを投影レンズの直下に送り込むオフアクシス方式のアライメント方法との２つの方法がある。一般にスルーザレンズ方式はウエハ上の各チツプ毎に位置合せすることから，重ね合せ精度は高くなるものの１枚のウエハの露光処理時間が長くなるという問題がある。オフアクシス方式の場合は，一度ウエハ全体の位置合せが完了したら，チツプの配列に従つてウエハをステツピングさせるだけなので，露光処理時間は短縮される。しかしながら，各チツプ毎の位置合せを行なわないため，ウエハの伸縮，ウエハのステージ上の回転誤差，ステージ自体の移動の直交度等の影響で，必らずしも満足な重ね合せ精度が得られなかつた。」（第１頁右下欄第１３行ないし第２頁右上欄第１２行） ウ　「（発明の目的） 本発明はステツプアンドリピート方式の位置合せにおいて，ウエハ等の被処理基板上に配列された複数のチツプの全てについて，マスクのパターンの投影位置等の基準位置との位置合せをすることなく，単にステツピングだけでより精密な位置合せを可能とする方法を提供することを目的とする。」（第２頁右上欄第１３行ないし同欄第１９行） エ　「（発明の概要） 本発明は，被処理基板（ウエハやフオトマスク）に設計上の配列座標（αβ）に沿つて規則的に整列した複数のチツプパターンの夫々を，所定の基準位置（露光装置であればマスクやレチクルのパターン投影位置，検査装置であれば検査視野や検査プローブ針等の検査位置）に対してステツプアンドリピート方式で順次位置合せする方法において，チツプパターンの設計上の配列座標値（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）に基づいて被処理基板を移動させ，複数のチツプパターンのいくつかを基準位置に合せたときの各位置（「Ｆｘｎ－」，「Ｆｙｎ－」）（審決注；「Ｆｘｎ－」及び「Ｆｙｎ－」は，それぞれ，Ｆｘｎ及びＦｙｎの上方に「－」が付されている。以下，「＊－」について同じ。）を実測する工程（ステツプ１０３，１０４，１０５，１０６）と，その設計上の配列座標値とステツプアンドリピート方式で位置合せすべき実際の配列座標値（Ｆｘｎ，Ｆｙｎ）とが所定の誤差パラメータ（ウエハの残存回転θ，ステージの直交度Ｗ，ウエハの線形伸縮Ｒを含む変換行列Ａと，ウエハの２次元的な位置のオフセツト量の行列Ｏ）を含んで一義的な関係（行列式Ｆｎ＝Ａ・Ｄｎ＋Ｏ）にあるものとしたとき，複数の実測値（Ｆｘｎ，Ｆｙｎ）と実際の配列座標値（Ｆｘｎ，Ｆｙｎ）との平均的な偏差（アドレス誤差Ｅ）が最小になるように，誤差パラメータ（Ａ，Ｏ）を決定する工程（ステツプ１０７）と，その決定された誤差パラメータ（Ａ，Ｏ）と設計上の配列座標値（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）とに基づいて，上記一義的な関係式から実際の配列座標値（「Ｆｘｎ」，「Ｆｙｎ」）を算出し（ステツプ１０８），ステツプアンドリピート方式の位置合せ時に，その算出された実際の配列座標値（Ｆｘｎ，Ｆｙｎ）に応じて，被処理基板を位置決めする工程（ステツプ１０９，１１０，１１２）とを含むことを技術的要点としている。」（第２頁右上欄第２０行ないし右下欄第１２行） オ　「ウエハホルダー２はウエハＷＡを真空吸着するとともにｘ方向とｙ方向に２次元移動するステージ３に対して微小回転可能に設けられている。駆動モータ４はステージ３上に固定され，ウエハホルダー２を回転させる。またステージ３のｘ方向の移動はモータ５の駆動によつて行なわれ，ｙ方向の移動はモータ６の駆動によつて行なわれる。ステージ３の直交する２辺には，反射平面がｙ方向に伸びた反射ミラー７と，反射平面がｘ方向に伸びた反射ミラー８とが各々固設されている。レーザ光波干渉測長器（以下単にレーザ干渉計と呼ぶ）９は反射ミラー８にレーザ光を投射して，ステージ３のｙ方向の位置（又は移動量）を検出し，レーザ干渉計１０は反射ミラー７にレーザ光を投射して，ステージ３のｘ方向の位置（又は移動量）を検出する。投影レンズ１の側方には，ウエハＷＡ上の位置合せ用のマークを検出（又は観察）するために，オフアクシス方式のウエハアライメント顕微鏡（以下，ＷＡＭと呼ぶ）２０，２１が設けられている。・・・そしてＷＡＭ２０，２１はマークからの散乱光や回折光を受光する光電素子と，その光電信号をスポツト光の振動周期で同期整流する回路とを有し，スポツト光θＳＰ（ＹＳＰ）のｙ方向の振動中心に対するマークのｙ方向のずれ量に応じたアライメント信号を出力する。従つてＷＡＭ２０，２１は所謂スポツト光振動走査型の光電顕微鏡と同等の構成のものである。 さて，本装置には投影レンズ１を介してウエハＷＡ上のマークを検出するレーザステツプアライメント（以下ＬＳＡと呼ぶ）光学系が設けられている。」（第３頁左上欄第１行ないし同頁右上欄第２０行） カ　「次に，この装置を使つた本発明による位置合せ方法を装置の動作とともに第３図のフローチャート図を使つて説明する。尚，この位置合せはウエハＷＡの第２層目以降について行なわれるものであり，ウエハＷＡ上にはチツプと位置合せ用のマークとがすでに形成されている。 まず，ウエハＷＡはステツプ１００で不図示のプリアライメント装置を使つて，ウエハＷＡの直線的な切欠き（フラツト）が一定の方向に向くように粗く位置決めされる。ウエハＷＡのフラツトは第１図に示したように，ｘ軸と平行になるように位置決めされる。次にステツプ１０１でウエハＷＡはステージ３のウエハホルダー２上に搬送され，フラツトがｘ軸と平行を保つようにウエハホルダー２上に載置され，真空吸着される。そのウエハＷＡには例えば第４図に示すように複数のチツプＣｎがウエハＷＡ上の直交する配列座標αβに沿つてマトリツクス状に形成されている。配列座標αβのα軸はウエハＷＡのフラツトとほぼ平行である。第４図では複数のチツプＣｎのうち，代表して配列座標αβのウエハＷＡのほぼ中心を通るα軸上に一列に並んだチツプＣ０～Ｃ６のみを表わしてある。各チツプＣ０～Ｃ６にはそれぞれ４つの位置合せ用のマークＧＹ，Ｇθ，ＳＸ，ＳＹが付随して設けられている。今，チツプＣ０～Ｃ６の中央のチツプＣ３の中心を配列座標αβの原点としたとき，α軸上にはα方向に線状に伸びた回折格子状のマークＳＹ０～ＳＹ６が，夫々チツプＣ０～Ｃ６の右脇に設けられている。またチツプＣ３の中心を通るβ軸上にはβ方向に線状に伸びた回折格子状のマークＳＸ３がチツプＣ３の下方に設けられ，他のチツプＣ０，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６についても同様にチツプの中心を通りβ軸と平行な線分上にマークＳＸ０～ＳＸ２，ＳＸ４～ＳＸ６が設けられている。これらマークＳＹｎ，ＳＸｎはそれぞれスポツト光ＬＹＳ，ＬＸＳによつて検出されるものである。また各チツプＣ０～Ｃ６の下方にはウエハＷＡの全体の位置合せ（グローバルアライメント）を行なうために使われるマークＧＹ０～ＧＹ６，Ｇθ０～Ｇθ６が設けられている。これらマークＧＹｎ，Ｇθｎはα軸と平行な線分上にα方向に線状に伸びた回折格子状のパターンで形成されている。さらにα方向に一列に並んだチツプＣ０～Ｃ６のうち，例えば左端のチツプＣ０のマークＧＹ０と右端のチツプＣ６のマークＧθ６とのα方向の間隔が，ＷＡＭ２０，２１によるスポツト光θＳＰ，ＹＳＰの間隔ＤＸと一致するように定められている。すなわち本実施例では離れた２ケ所のマークＧＹ０とマークＧθ６を使つてオフアクシス方式でウエハＷＡのグローバルアライメントを行なう。」（第４頁左下欄第８行ないし第５頁左上欄第１８行） キ　「そこで実際のショツト（チツプ）位置がマークの検出により測定され，その実測値が「Ｆｎ－」として検出されたとき，位置決めすべきショツト位置Ｆｎとの位置ずれ，すなわちアドレス誤差Ｅｎ（＝「Ｆｎ－」－Ｆｎ）を最小にするように誤差パラメータＡ（変換行列），Ｏ（オフセツト）を決定する。そこで評価関数として最小二乗誤差をとるものとすると，アドレス誤差Ｅは式（９）で表わされる。 Ｅ＝・・・ ・・・（９） そこで，アドレス誤差Ｅを最小にするように誤差パラメータＡ，Ｏを決定する。」（第７頁左上欄第３行ないし同欄第１５行） ク　「そこで，第３図のフローチャート図に戻つて動作の説明を続ける。主制御装置５０はグローバルアライメントが終了した後，ウエハＷＡの複数のチツプの位置を計測する。まずステツプ１０３で主制御装置５０はＸ－ＬＳＡ系のスポツト光ＬＸＳが第４図中の左端のチツプＣ０に付随したマークＳＸ０と平行に並ぶように，配列設計値に基づいてステージ３を位置決めした後，マークＳＸ０がスポツト光ＬＸＳを横切るようにステージ３をｘ方向に一定量だけ移動（走査）する。この移動の間，主制御装置５０は光電素子４８の時系列的な光電信号の波形をレーザ干渉計１０からのｘ方向の位置情報に対応付けて記憶し，波形状態からマークＳＸ０とスポツト光ＬＸＳとがｘ方向に関して一致した時点の位置ｘ０を検出する。 次に主制御装置５０はステツプ１０４でＹ－ＬＳＡ系のスポツト光ＬＹＳがチツプＣ０に付随したマークＳＹ０と平行に並ぶように配列設計値に基づいてステージ３を位置決めする。その後，マークＳＹ０がスポツト光ＬＹＳを横切るようにステージ３をｙ方向に一定量だけ移動する。このとき主制御装置５０は光電素子３８の時系列的な光電信号の波形をレーザ干渉計９からのｙ方向の位置情報と対応付けて記憶し，波形状態からマークＳＹ０とスポツト光ＬＹＳとがｙ方向に関して一致した時点の位置ｙ０を検出する。そして主制御装置５０はステツプ１０５でｍ個のチツプについて同様の位置検出を行なつたか否かを判断して，否のときはステツプ１０６に進み，ウエハＷＡ上の別のチツプまで配列設計値に基づいてステージ３を移動させ，ステツプ１０３から再び同様の位置検出動作を繰り返す。本実施例では例えば第５図に示すように配列座標αβの各軸上に沿つてウエハＷＡの中心からほぼ等距離に位置する４つのチツプＣ０，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８と中央のチツプＣ３の計５つのチツプの各々について，ステツプ１０３，１０４の位置検出が行なわれるものとする。従つてステツプ１０５でｍ＝５と判断された時点で主制御装置５０には，５つの実測値（Ｆｘｎ－，Ｆｙｎ－）が記憶されることになる。すなわち， （「Ｆｘ１－」，「Ｆｙ１－」）＝（ｘ０，ｙ０）・・・チツプＣ０ （「Ｆｘ２－」，「Ｆｙ２－」）＝（ｘ３，ｙ３）・・・チツプＣ３ （「Ｆｘ３－」，「Ｆｙ３－」）＝（ｘ６，ｙ６）・・・チツプＣ６ （「Ｆｘ４－」，「Ｆｙ４－」）＝（ｘ７，ｙ７）・・・チツプＣ７ （「Ｆｘ５－」，「Ｆｙ５－」）＝（ｘ８，ｙ８）・・・チツプＣ８ の５つの実測値が順次検出される。」（第８頁右上欄第１７行ないし第９頁左上欄第２行） ケ　「次に主制御装置５０はステツプ１０７において先の式（１０），（１１），及び式（１４）～（１７）に基づいて誤差パラメータＡ，Ｏを決定する。この決定にあたつて，主制御装置５０は上記５つの実測値を検出した各チツプの５つの設計値を予め選出しており，その設計値（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）を以下のように記憶しているものとする。 （Ｄｘ１，Ｄｙ１）＝（ｘ０′，ｙ０′）・・・チツプＣ０ （Ｄｘ２，Ｄｙ２）＝（ｘ３′，ｙ３′）・・・チツプＣ３ （Ｄｘ３，Ｄｙ３）＝（ｘ６′，ｙ６′）・・・チツプＣ６ （Ｄｘ４，Ｄｙ４）＝（ｘ７′，ｙ７′）・・・チツプＣ７ （Ｄｘ５，Ｄｙ５）＝（ｘ８′，ｙ８′）・・・チツプＣ８ また実際の誤差パラメータＡ，Ｏの決定に先立つて，５つのチツプの各位置計測（所謂，ステツプアライメント）が終る毎に，例えば第３図のステツプ１０６でステージ３を移動している間に，式（１０），（１１），（１４）～（１７）の一部の演算を同時に実行していくことができる。すなわち，式（１０），（１１），（１４）～（１７）の中で各チツプ毎のデータ（実測値，設計値）の代数和を表わす演算要素については，１つのチツプの実測（ステツプアライメント）が終了する毎に順次加算する。その演算要素は以下の通りである。 ・・・ さらにこれら演算要素のうち，ウエハＷＡ上の実測すべきチツプが予め決まつていて，変更がない場合は，設計値（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）のみを含む演算要素について第３図中のステツプ１０３，１０４，１０５，１０６の実行前に算出しておくこともできる。このように実測値の計測動作と並行して，一部の演算を行なつていけば，総合的なアライメント時間はそれほど長くならない。そして，５つの実測値が得られた段階で主制御装置５０は上記演算要素の結果を使つて，式（１０），（１１）でオフセツト量（Ｏｘ，Ｏｙ）を算出した後，そのオフセツト値と上記演算要素の結果を使つてさらに式（１４）～（１７）で配列の要素ａ１１，ａ１２，ａ２１，ａ２２を算出する。以上の演算動作により，誤差パラメータＡ，Ｏが決定されるので，主制御装置５０は次のステツプ１０８で先の式（４）を使つて，ウエハＷＡの各チツプについて位置決めすべき位置，すなわち誤差パラメータによつて補正されたショツトアドレス（Ｆｘｎ，Ｆｘｙ）を算出し，記憶手段（半導体メモリ）上に，設計値（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）に対して補正されたチツプの配列マツプ（シヨツトアドレス表）を作成する。この配列マツプは例えばチツプＣ０に対しては位置（Ｆｘ０，Ｆｙ０），チツプＣ１に対しては位置（Ｆｘ１，Ｆｙ１），・・・・・・という具合に，チツプの番号に対応して，各位置データを記憶している。」（第９頁右上欄第５行ないし第１０頁左上欄第１行） （２）　引用発明 したがって，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「半導体装置製造用のステツプアンドリピート方式の露光装置，又はステツプアンドリピート方式で順次検査を行なう装置に好適な位置合せ方法に関し，特に，露光用の原版となるマスクやレチクルと，露光対象である半導体ウエハ等との精密な位置合せを行なう方法であつて，前記装置には， ウエハホルダー２が，ウエハＷＡを真空吸着するとともにｘ方向とｙ方向に２次元移動するステージ３に対して微小回転可能に設けられており， 投影レンズ１を介して前記ウエハＷＡ上のマークを検出するレーザステツプアライメント（ＬＳＡ）光学系が設けられ， 前記ウエハＷＡ上にはチツプと位置合せ用のマークとが形成され，各チツプＣ０～Ｃ６にはそれぞれ４つの位置合せ用のマークＧＹ，Ｇθ，ＳＸ，ＳＹが付随して設けられており， 各チツプＣ０～Ｃ６の下方には，前記ウエハＷＡの全体の位置合せ（グローバルアライメント）を行なうために使われるマークＧＹ０～ＧＹ６，Ｇθ０～Ｇθ６が設けられており，これらのマークを使つてグローバルアライメントを行い， 主制御装置５０は，グローバルアライメントが終了した後，前記ウエハＷＡの複数のチツプの位置を計測するものであつて，Ｘ－ＬＳＡ系のスポット光ＬＸＳがチツプＣ０に付随したマークＳＸ０と平行に並ぶように，配列設計値に基づいて前記ステージ３を位置決めした後，前記マークＳＸ０が前記スポット光ＬＸＳを横切るように前記ステージ３をｘ方向に一定量だけ移動（走査）して，前記マークＳＸ０と前記スポット光ＬＸＳとがｘ方向に関して一致した時点の位置ｘ０を検出し，次に，Ｙ－ＬＳＡ系のスポット光ＬＹＳが前記チツプＣ０に付随したマークＳＹ０と平行に並ぶように配列設計値に基づいて前記ステージ３を位置決めした後，前記マークＳＹ０が前記スポット光ＬＹＳを横切るように前記ステージ３をｙ方向に一定量だけ移動して，前記マークＳＹ０と前記スポット光ＬＹＳとがｙ方向に関して一致した時点の位置ｙ０を検出するものであり，前記ウエハＷＡの中心からほぼ等距離に位置する４つのチツプＣ０，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８と中央のチツプＣ３の計５つのチツプの各々について，位置検出動作を繰り返すことによつて，５つの実測値（「Ｆｘｎ－」，「Ｆｙｎ－」）が検出され， また，主制御装置５０は，前記５つの実測値（「Ｆｘｎ－」，「Ｆｙｎ－」）を検出した各チツプの設計上での座標位置である５つの設計値（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）を記憶している， 位置合せ方法。」 ２　引用文献２について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。 「本発明による基板上のボンディング位置を定位置に位置せしめる方法は，かかる目的を達成するために，あらかじめ２個以上のターゲットマークを基板上の設計された位置に配置して，該ターゲットマークを固定位置にある撮像装置によって観察して，該観察したターゲットマークの位置と，あらかじめ配置した位置との差から計算によって，前記基板上のボンディング位置を定位置に位置させるためのＸ－Ｙテーブルの移動量を求めることを特徴とする。 次に本発明の方法を実施するのに最も好適な一例について図に基づいて詳細に説明する。あらかじめ基板上に仮の座標系ＸおよびＹを設定し，その座標系の点（Ｘ１，Ｙ１）および点（Ｘ２，Ｙ２）を中心とする，例えば正方形であって各辺はＸ軸又はＹ軸に平行なターゲットマークＭ１，Ｍ２を基板上に配置する。また設計上この基板上のボンディング位置は前記点（Ｘ１，Ｙ１）と点（Ｘ２，Ｙ２）を結ぶ線分の中点（「Ｘ－」０，「Ｙ－」０）からＸ軸方向にＸ’ｎＹ軸方向にＹ’ｎの位置にある様に設計されているものとする。そして焼成によって収縮し，歪を受けた基板をＸ－Ｙテーブル上に固定して，固定位置にある撮像装置例えばテレビカメラで観察する。すると第１図に示す如く固定座標上の（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２）を中心とするターゲットマークＭ１，Ｍ２が観測できる。後述する方法によって（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２）を上記観測に基づいて計算によって求める。ターゲットマーク間の距離の設計値をＬ０とし，基板の収縮率をα（収縮率αは基板上で一定であるとみなす）とすると α＝・・・ また基板の傾きθは，設計上のターゲットマーク間の傾きをθ０とすると θ＝・・・　　である。 また前記計算によって求めたターゲットマークＭ１，Ｍ２の中心（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２）から両ターゲットマークの中心を結ぶ線分の中点（Ｘ０，Ｙ０）を求めると，該線分の中点の前記設計値（「Ｘ－」０，「Ｙ－」０）からのずれは， ΔＸ＝・・・ ΔＹ＝・・・ ただしΔＸ；前記線分の中点のＸ方向のずれ ΔＹ；前記線分の中点のＹ方向のずれ として求めることができる。従ってボンディング位置に前記（「Ｘ－」０，「Ｙ－」０）を原点として Ｘｎ＝・・・ Ｙｎ＝・・・ だけＸ方向Ｙ方向に移動した点として求められる。これによりＸ－Ｙテーブルを移動させて上記ボンディング位置を設計上のボンディング位置に合わせれば，基板上のボンディング位置を定位置に位置せしめることができる。」（第１頁右下欄第１８行ないし第２頁左下欄第１０行） ３　引用文献３について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。 「【００１８】上記の実施の形態では，上記ベース１上には，さらに，上記Ｘステージ４を跨いで門状（あるいは，「コ」の字状）のサブベース１２が固定されており，このサブベース１２上には，上記Ｘステージ４に直交して，Ｙステージ１３が取り付けられている。なお，このＹステージ１３は，ボールねじ１４によって図のＹ軸方向に移動可能となっている。なお，この駆動機構としては，比較的安価なボールねじに，さらに，やはり比較的小形で安価な電動モータを結合し，もって，自動的にＸ軸方向に駆動することも可能であり，これによれば，装置を比較的安価に構成することが可能になる。 【００１９】このＹステージ１３上には，さらに，Ｚ粗動ステージ１５が設けられ，かつ，このＺ粗動ステージ１５上にはテレビ顕微鏡１６が取り付けられている。なお，このテレビ顕微鏡１６により得られた映像信号は，図の画像処理装置１７に接続され，さらに，例えば，コンピュータ装置１８に接続されている。また，図からも明らかなように，このコンピュータ装置１８には，上記レーザ干渉計１１によって測定される平面鏡１０の位置データも入力されている。」 第５　対比及び判断 １　本願発明１について （１）　対比 本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。 ア　本願発明１は，「基板（５）上に設けられているか又は存在している構造体（６）の位置合わせ精度及び／又は歪みを検査するために，前記設けられているか又は存在している構造体（６）の位置合わせ誤差を求めるための方法」であるところ，本願発明４は，「前記基板ホルダ（２）を収容し，・・・前記収容装置の形態の位置合わせ手段によって，前記基板ホルダ（２）上に固定された前記基板（５）を前記第２のＸ－Ｙ座標系に対して位置合わせする，請求項１に記載の方法。」，本願発明５は，「前記基板ホルダ（２）上に固定された前記基板（５）を，前記基板（５）上のマーキング（７）を前記少なくとも１つの光学系（３）によって検出することによって位置合わせする，請求項４に記載の方法。」であるから，本願発明１の方法は，位置合わせを行うことを前提として，位置合わせ誤差を求めているということができる。そうすると，本願発明１と引用発明とは，「位置合わせのための方法」である点で共通する。 イ　引用発明の「ウエハＷＡ」，「チツプ」，「ウエハホルダー２」，「ステージ３」及び「レーザステツプアライメント（ＬＳＡ）光学系」は，本願発明１の「基板（５）」，「構造体（６）」，「基板ホルダ（２）」，「収容装置」及び「光学系（３）」に相当する。 ウ　引用発明では，「ウエハホルダー２は，ウエハＷＡを真空吸着するとともにｘ方向とｙ方向に２次元移動するステージ３に対して微小回転可能に設けられて」いるから，引用発明は，本願発明１の「基板（５）を基板ホルダ（２）に固定するステップ」及び「基板ホルダ（２）を収容装置によって収容するステップ」に相当するステップを有しているということができる。 エ　引用発明では，「投影レンズ１を介して前記ウエハＷＡ上のマークを検出するレーザステツプアライメント（ＬＳＡ）光学系が設けられ」ており，また，「ウエハホルダー２」は，「ステージ３に対して微小回転可能に設けられて」いるから，本願発明１とは，「前記収容装置の並進運動及び／又は回転運動を行い，それによって，少なくとも１つの光学系（３）に対する相対的な前記基板（５）の位置決めを行う，ステップ」を有している点で共通する。 オ　引用発明では，「前記ウエハＷＡ上にはチップと位置合せ用のマークとが形成され，各チツプＣ０～Ｃ６にはそれぞれ４つの位置合せ用のマークＧＹ，Ｇθ，ＳＸ，ＳＹが付随して設けられて」いるから，引用発明の「ウエハＷＡ上」に形成された「位置合せ用のマークＧＹ，Ｇθ，ＳＸ，ＳＹ」と，本願発明１の「構造体（６）上のマーキング（１１，１１’）」とは，「位置合わせマーク」である点で共通する。 また，引用発明では，上記エのとおり，「レーザステツプアライメント（ＬＳＡ）光学系」が，「ウエハＷＡ上のマークを検出」しており，「ウエハＷＡ上のマーク」には，「位置合せ用のマークＳＸ，ＳＹ」が含まれるものである。 そして，引用発明では，「各チツプの設計上での座標位置である５つの設計値（Ｄｘｎ，Ｄｙｎ）」を記憶しているところ，引用発明の「チツプの設計上での座標位置」は，本願発明１の「理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）」に相当するといえる。 そうすると，本願発明１と，引用発明とは，「前記少なくとも１つの光学系（３）が，位置合わせマークのＸ－Ｙポジションを検出するステップであって，前記構造体（６）に関する理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）が設定されている，ステップ」を有する点で共通する。 したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「　位置合わせのための方法であって， 基板（５）を基板ホルダ（２）に固定するステップと， 前記基板ホルダ（２）を収容装置によって収容するステップと， 前記収容装置の並進運動及び／又は回転運動を行い，それによって，少なくとも１つの光学系（３）に対する相対的な前記基板（５）の位置決めを行う，ステップと， 前記少なくとも１つの光学系（３）が，位置合わせマークのＸ－Ｙポジションを検出するステップであって，前記構造体（６）に関する理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）が設定されている，ステップと， を，備えている位置合わせのための方法。」 （相違点） （相違点１） 「位置合わせのための方法」について，本願発明１は，「基板（５）上に設けられているか又は存在している構造体（６）の位置合わせ精度及び／又は歪みを検査するために，前記設けられているか又は存在している構造体（６）の位置合わせ誤差を求めるための方法」であるのに対し，引用発明は，「ウエハＷＡ上に設けられているか又は存在しているチツプの位置合わせ精度及び／又は歪みを検査するため」に，「前記設けられているか又は存在しているチツプの位置合わせ誤差を求め」ているのか不明である点。 （相違点２） 「前記収容装置の並進運動及び／又は回転運動を行い，それによって，少なくとも１つの光学系（３）に対する相対的な前記基板（５）の位置決めを行う，ステップ」について，本願発明１は，位置決めを「第１のＸ－Ｙ座標系において」行うのに対し，引用発明は，「第１のＸ－Ｙ座標系において」行っているか否か不明である点。 （相違点３） 「前記少なくとも１つの光学系（３）が，位置合わせマークのＸ－Ｙポジションを検出するステップであって，前記構造体（６）に関する理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）が設定されている，ステップ」について，本願発明１は，「（基板（５）上に設けられているか又は存在している）構造体（６）上のマーキング（１１，１１’）」のＸ－Ｙポジションを検出するものであって，「理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）」が，「前記基板（５）の第１のＸ－Ｙ座標系に依存しない第２のＸ－Ｙ座標系」に設定されているのに対し，引用発明は，「ウエハＷＡ上のチツプに付随して設けられている位置合せ用のマークＧＹ，Ｇθ，ＳＸ，ＳＹ」のＸ－Ｙポジションを検出するものであって，「理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）」が，「前記ウェハＷＡの第１のＸ－Ｙ座標系に依存しない第２のＸ－Ｙ座標系」に設定されているか否か不明である点。 （相違点４） 本願発明１は，「前記構造体（６）上の前記マーキング（１１，１１'）の検出された前記Ｘ－Ｙポジションからの，前記理想的なＸ'－Ｙ'構造体ポジション（９）の各距離を求め，それによって，前記マーキング（１１，１１'）の検出された前記Ｘ－Ｙポジションと，前記構造体（６）に関する前記理想的なＸ'－Ｙ'構造体ポジション（９）との間の偏差ベクトル（ｖ１，ｖ２）を求めるステップと，　前記構造体（６）が更なる加工に適しているか否かを，所定の限界値を基準にして，前記偏差ベクトル（ｖ１，ｖ２）に基づいて判定するステップと，　前記構造体（６）が更なる加工に適していると判定された場合に，前記基板（５）に，前記構造体（６）へ更なる加工を行うための処理をするステップと，　前記処理後に，前記少なくとも１つの光学系（３）が，前記構造体（６）上の前記マーキング（１１，１１’）のＸ－Ｙポジションを検出するステップと，　前記構造体（６）上の前記マーキング（１１，１１’）の検出された前記Ｘ－Ｙポジションからの，前記理想的なＸ’－Ｙ’構造体ポジション（９）の各距離を求めるステップであって，求められた前記距離を，前記位置合わせ誤差を求めるために使用する，ステップと，　を，記載の順序で備えている」のに対し，引用発明は，これらのステップを備えているか不明である点。 （２）　相違点についての判断 事案にかんがみ，相違点３について検討する。 本願発明１は，上記第３のとおり，「少なくとも１つの光学系（３）」が，「（基板（５）上に設けられているか又は存在している）構造体（６）上のマーキング（１１，１１’）」のＸ－Ｙポジションを検出するものであるところ，本願明細書の【発明を実施するための形態】には，以下の記載がある。 「【００４０】 光学系３は，基板５の表面５ｏ上に設けられている第１のマーキング７の検出，及び，基板５上に設けられている構造体６上の第２のマーキング１１，１１’の検出に使用される。・・・ 【００４１】 第１のステップにおいては，基板５が収容装置１の基板収容部２上に配置され（図２ａ，２ｂ），粗く位置合わせされる（図３ａ，３ｂ）。基板５の粗い位置合わせは特に，基板５の周縁部５ｕの輪郭８，特にノッチ又はフラット（平坦部）を用いて行われる。・・・ここで粗い位置合わせとは，光学系３が，検出領域（視野：field of view）内の，表面５ｏ上に分散されている第１の位置合わせマーク７に焦点合わせされている，基板５の位置決めであると解される。有利な実施の形態によれば，より精細に解像された第２のマーキング１１，１１’のみが第２のＸ－Ｙ座標系の原点及び配向を決定するために使用され，これによって第２のＸ－Ｙ座標系をより正確に求めることができる。第２のＸ－Ｙ座標系は特に，Ｘ－Ｙ構造体又はマーキングを，対応する所定の（記憶されている）Ｘ－Ｙ構造体ポジションと比較し，また必要に応じて位置決めすることによって決定される。」 当該記載によれば，本願明細書の【発明を実施するための形態】では，光学系（３）が検出するマーキングには，「基板５の表面５ｏ上に設けられている第１のマーキング７」と，「基板５上に設けられている構造体６上の第２のマーキング１１，１１’」の二種類があり，「基板５の表面５ｏ上に設けられている第１のマーキング７」は，粗い位置合わせに用いられているのに対し，「基板５上に設けられている構造体６上の第２のマーキング１１，１１’」は，より精細に解像されたものであって，第２のＸ－Ｙ座標系の原点及び配向を決定するために使用されていることが理解でき，当該「基板５上に設けられている構造体６上の第２のマーキング１１，１１’」を使用することにより，「第２のＸ－Ｙ座標系をより正確に求めることができる」という有利な効果を奏するものであると理解できる。 そうすると，当該【発明を実施するための形態】に対応する，本願発明１の「前記少なくとも１つの光学系（３）が，前記構造体（６）上のマーキング（１１，１１'）のＸ－Ｙポジションを検出するステップ」も，同様の有利な効果を奏するものであると認められる。 これに対し，引用発明の「位置合せ用のマークＧＹ，Ｇθ，ＳＸ，ＳＹ」（上述の本願明細書の記載でいえば，「基板５の表面５ｏ上に設けられている第１のマーキング７」に対応する。）は，ウエハＷＡ上のチップに付随して設けられているのであって，ウエハＷＡのチップ上には設けられていないから，本願発明１が有する上述の効果を奏することはできない。 そして，引用文献１には，ウエハＷＡのチップ上に「位置合せ用のマークＧＹ，Ｇθ，ＳＸ，ＳＹ」を設けることの記載や示唆もないし，引用文献２や引用文献３を含め，本願出願時において，当該技術分野において，周知技術であるということもできない。 したがって，引用発明において，上記相違点３に係る構成を採用することは，当業者であっても容易に想到することはできない。 （３）　まとめ 以上によれば，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明，引用文献２及び引用文献３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし７について 本願発明２ないし７は，本願発明１の構成を含むものであるから，上記１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，引用文献２及び引用文献３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 第６　原査定について 本件補正で補正された本願発明１ないし７は，上記第５のとおり，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。 第７　当審拒絶理由について 当審では，本件補正前の請求項１ないし７に係る発明は，明確であるとはいえず，本願は，特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていないとの当審拒絶理由を通知したが，本件補正により，当該当審拒絶理由は解消した。 第８　むすび 以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。