2016-018944

特願２０１５－　３４０９６「スポットサイズ変換器」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　９月　１日出願公開、特開２０１６－１５６９２８、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２７年２月２４日の出願であって、平成２８年２月２６日付けで拒絶理由通知（同年３月１日送付）がされ、同年４月２２日に意見書とともに手続補正書が提出され、同年９月２７日に拒絶査定（同年１０月４日送達）がされ、これに対し、同年１２月１６日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。 第２　本願発明 本願の請求項１～９に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」～「本願発明９」という。）は、平成２８年４月２２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの本願発明１は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。 「　【請求項１】 基板上に、第１導波路コアと第２導波路コア、及び下部クラッド層と上部クラッド層を備えるスポットサイズ変換器であって、 前記第１導波路コアの屈折率より前記第２導波路コアの屈折率が小さく、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の屈折率は、前記第２導波路コアの屈折率より小さく、 当該第１導波路コアと当該第２導波路コアの導波方向に順次設定された、第１構成領域、第２構成領域において、 前記第１導波路コアは前記第１構成領域に形成されており、 前記第２導波路コアは、前記第１構成領域、前記第２構成領域の全域にわたって形成されており、 前記第１導波路コアと前記第２導波路コアは、当該両導波路コアの厚み方向に、前記第１導波路コアの対称中心と前記第２導波路コアの対称中心とが重なるように、かつ当該第１導波路コアの導波方向と当該第２導波路コアの導波方向は互いに平行になるように積み重ねて配置されており、 前記第１導波路コアは、前記第２構成領域に向かって当該コアの幅が狭まるテーパ構造領域を含んでおり、 前記第２導波路コアの前記第２構成領域に含まれる部分は、前記第１構成領域から離れるにしたがって当該コアの幅が狭まるテーパ構造領域とされており、 前記下部クラッド層の厚みは、前記第１及び第２導波路コアを伝搬する光の電場成分の一部が前記下部クラッド層を介して前記基板に達することに起因する光電場の当該基板への放射損失が無視できる程度の厚みに設定されており、 前記第１構成領域では、前記第１導波路コアを伝搬する伝搬光と前記第２導波路コアを伝搬する伝搬光とが互いのエバネッセント場を介して光結合され、 前記第２構成領域では、入力光のモードフィールド径が前記第１構成領域から離れるにしたがって拡大される ことを特徴とするスポットサイズ変換器。」 第３　原査定の拒絶理由 原査定の拒絶理由は、次のとおりである。 「（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） ・請求項　１－８ ・引用文献等　１－４ ・備考 引用文献１[図１]等には、導波路コアの厚み方向に、第１導波路コアと第２導波路コアとが積み重なって構成されるスポットサイズ変換器であって、第１導波路コアの幅が、導波方向に向かってテーパ状に狭まる構成等が開示されており、本願発明と対比して、第２導波路コアにテーパ構造領域を設ける旨が記載されていない点で主として相違する。しかしながら、スポットサイズ変換器において導波方向に順次重なり設けられる複数の導波路コア各々を、導波方向に幅が狭まる構成となすことは、例えば引用文献２[図１Ａ]等で周知であって、引用文献１において該周知の構成を鑑み本願発明をなすことは、当業者にとって容易である。 なお、スポットサイズ変換器のコア厚み方向に積み重なる導波路間で、伝搬光がエバネッセント場を介し光結合する点は、引用文献３[請求項１]等に明記されている。 請求項２，４，６，７の「第３構成領域」に関し、第２導波路コアが形成される領域の出力側を、単に称した程度のものである。 請求項５－６に関し、第１導波路コアと第２導波路コアとの間にクラッド層が備わる構成は、引用文献３[図２]等に開示されている。 請求項８に関し、スポットサイズ変換器におけるセグメント導波路利用の周知例として、引用文献４[図１１]等参照。 ＜引用文献等一覧＞ １.特開２００４－１３３４４６号公報 ２.特開２０１３－２３１７５３号公報 ３.特開２０１４－１９１３０１号公報 ４.特開２００４－２４００６４号公報（周知技術を示す文献）」 第４　引用文献 １　引用文献１について 原査定の拒絶理由に引用された引用文献１（特開２００４－１３３４４６号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審が付加した。以下同様。）。 （１）　「【０００７】 図１２に示した光導波路において、光ファイバと低損失で接続するためには、細線状の第１の光導波路と接続される第２の光導波路のモードフィールド径は光ファイバのモードフィールド径（９μｍ）に近いことが求められる。しかしながら、図１２の光導波路では、屈折率１の空気がオーバークラッドの役割をしているため、接続される第２の光導波路１２のコア１８との屈折率差が大きく、シングルモード条件を満たす第２の光導波路１２のコアサイズは３μｍ角より大きくできず、光ファイバとの接続損失を低減できないという問題があった。さらに、シリコン細線からなる第１の光導波路１０のコア１６の周りも特にオーバークラッド層がないため、光導波路１０のコア１６が傷つけられやすく、伝搬損失が増加するという問題もあった。 また、図１２に示した光導波路において、モードフィールドサイズ変換効率を高めるためには、テーパ先端部の幅が０．１μｍ以下、理想的には０．０６μｍ程度かさらに小さいことが求められる。このような微細な加工は、電子線ビーム描画等の極めて高度なリソグラフィ技術やエッチング技術を要するなどし、経済的に加工することが困難であった。」 （２）　「【０００９】 本発明の光モジュールは、全体として平板状のアンダークラッドと、このアンダークラッド上に配置された断面が四角形のシリコンからなる第１のコアと、この第１のコアの終端部を覆うように配置された第２のコアと、前記第１コアの終端部と前記第２のコアとを覆うように配置されたオーバークラッドとを備え、前記アンダークラッドと前記第１のコアとは、第１の光導波路を構成し、前記アンダークラッドと前記第１のコアの終端部と前記第２のコアと前記オーバークラッドとは、モードフィールドサイズ変換部を構成し、前記アンダークラッドと前記第２のコアと前記オーバークラッドとは、第２の光導波路を構成し、前記第１のコアと前記第２のコアの断面形状が異なっていることを特徴とするものである。アンダークラッドは、第１のコア及び第２のコアよりも屈折率が小さい材料、例えばシリコン酸化膜からなる。第２のコアは、アンダークラッドよりも屈折率が大きい材料、例えばポリマーからなる。第１のコアは、第２のコアよりも屈折率が大きいシリコンからなる。 また、本発明の光モジュールの１構成例において、前記第１コアの終端部は、先端に向かうに従って漸次断面積が小さくなるテーパ部によって構成されるものである。 また、本発明の光モジュールの１構成例において、前記オーバークラッドは、前記第２のコアの上とその周囲に加えて前記第１コアの上とその周囲にも配置されるものである。 また、本発明の光モジュールの１構成例において、前記第２のコアは、前記アンダークラッドより屈折率が高く、かつ前記第１のコアのシリコンより屈折率が低い材料によって形成されるものである。 また、本発明の光モジュールの１構成例は、前記第１のコアと前記終端部との少なくとも側面を、シリコン酸化膜で覆うようにしたものである。 また、本発明の光モジュールの１構成例において、前記終端部上の第２のコアは、前記シリコン酸化膜上に配置されるものである。 また、本発明の光モジュールの１構成例において、前記アンダークラッドは、シリコン酸化膜からなるものである。」 （３）　「【００１７】 ［第１の実施の形態］ 図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態となるモードフィールドサイズ変換部を備えた光モジュールの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の光モジュールのＡ－Ａ線断面図である。同図において、１０は第１の光導波路、１１はモードフィールドサイズ変換部、１２は第１の光導波路１０と接続される第２の光導波路、１３はシリコン基板、１４はシリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜よりなるアンダークラッド、１５は例えばポリマーのような材料よりなるオーバークラッドであり、本発明によって特徴づけられる部分である。１６はアンダークラッド１４上に形成されたシリコンよりなる細線状の第１のコア、１７は第１のコア１６の終端部であるシリコンよりなるテーパ部、１８は第１のコア１６のテーパ部１７上に少なくとも一部が配置されたポリマーよりなる第２のコアである。第２のコア１８の主部はオーバークラッド１５，アンダークラッド１４とともに第２の光導波路を構成している。テーパ部１７は、第１のコア１６の先端方向に向かうに従って漸次断面積がちいさくなるように形成されている。 【００１８】 第１の光導波路１０と第２の光導波路１２は、シリコン基板１３とアンダークラッド１４を共通基板として形成され、モードフィールドサイズ変換部１１を介して光学的に接続されている。 また、フィールドサイズ変換部１１はアンダークラッド１４、テーパ部１７、テーパ部１７上に配置された第２コア１８およびこの第２のコアの上およびその周囲に配置されるオーバークラッド１５によって構成されている。また、第１の光導波路１０はアンダークラッド１４とこの上に配置されるコア１６とオーバークラッド１５とによって構成される。第１の光導波路１０では、オーバークラッド１５は必ず必要というわけではない。その理由は、シリコンをコアとする第１の光導波路１０は光の閉じ込めが強く、オーバークラッドがない場合でも下の基板に光が漏れることはないからである。 【００１９】 光通信に最も良く使用されている１．５５μｍ帯の光を通す場合、第１の光導波路１０のコア１６は、断面の厚さおよび幅が０．３μｍ程度である。第２光導波路１２のコア１８は、アンダークラッド１４及びオーバークラッド１５のいずれよりも数％程度大きな屈折率を持ち、断面の厚さと幅は共に数μｍ程度である。テーパ部１７は、長さが３００μｍ、テーパ先端部の幅が０．０６μｍである。第１の光導波路１０、モードフィールドサイズ変換部１１及び第２の光導波路１２に共通のオーバークラッド１５は、アンダークラッド１４とほぼ同じあるいは大きめの屈折率を持つ。第１のコア１６及びテーパ部１７は、電子線リソグラフィとエッチングで形成され、第２のコア１８は、光リソグラフィとエッチングで形成される。 【００２０】 次に、図１に示した光モジュールの製造方法を図２、図３を用いて説明する。まず、シリコン基板１３と、シリコン基板１３上に形成されたシリコン酸化膜からなる全体として平板状のアンダークラッド１４と、アンダークラッド１４上に形成されたシリコン層１６１とからなるＳＯＩ基板を用意し、シリコン層１６１の上に、エッチング加工用マスクとなるシリコン酸化膜１６２を化学気相成長法あるいはスパッタ法等を用いて形成する（図２（ａ））。この場合、アンダークラッド１４の厚さは３．０μｍ、シリコン層１６１の厚さは０．２μ～０．５μｍである。」 （４）　図１は、次のものである。 （５）　図１を参考にして、上記（１）、（３）の記載をみると、次のことが読みとれる。 ア　第１のコア１６を有する第１の光導波路１０から第２のコア１８を有する第２の光導波路１２の方向に光が通るよう構成されており、モードフィールドサイズ変換部１１、第２の光導波路１２は、この順で、第１のコア１６及び第２のコア１８の導波方向に設定されている。 イ　第１のコア１６は、モードフィールドサイズ変換部１１に形成されており、第２のコア１８は、モードフィールドサイズ変換部１１及び第２の光導波路１２の全域にわたって形成されている。 ウ　第１のコア１６と第２のコア１８は、各々のコアの厚み方向に、第１のコア１６の対称中心と第２のコア１８の対称中心とが重なるように、かつ第１のコア１６の導波方向と第２のコア１８の導波方向は互いに平行になるように積み重ねて配置されている。 （６）　したがって、引用文献１には、次の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。 「　シリコン基板１３上に形成されたシリコン酸化膜よりなるアンダークラッド１４、ポリマーよりなるオーバークラッド１５、シリコンよりなる第１のコア１６、ポリマーよりなる第２のコア１８を備えた光モジュールであって、 前記第２のコア１８は、前記アンダークラッド１４よりも屈折率が大きいポリマーからなり、前記第１のコア１６は、前記第２のコア１８よりも屈折率が大きいシリコンからなり、第２光導波路１２のコア１８は、アンダークラッド１４及びオーバークラッド１５のいずれよりも数％程度大きな屈折率を持ち、前記オーバークラッド１５は、前記アンダークラッド１４とほぼ同じあるいは大きめの屈折率を持ち、 前記第１のコア１６及び前記第２のコア１８の導波方向に設定された、モードフィールドサイズ変換部１１、第２の光導波路１２において、 前記第１のコア１６は、前記モードフィールドサイズ変換部１１に形成されており、前記第２のコア１８は、前記モードフィールドサイズ変換部１１及び前記第２の光導波路１２の全域にわたって形成されており、 前記第１のコア１６と前記第２のコア１８は、各々のコアの厚み方向に、前記第１のコア１６の対称中心と前記第２のコア１８の対称中心とが重なるように、かつ前記第１のコア１６の導波方向と前記第２のコア１８の導波方向は互いに平行になるように積み重ねて配置されており、 前記第１のコア１６の一部に、テーパ部１７が、第１のコア１６の先端方向に向かうに従って漸次断面積が小さくなるように形成されており、 前記アンダークラッド１４の厚さは３．０μｍである 光モジュール。」 ２　引用文献２について 原査定の拒絶理由に引用された引用文献２（特開２０１３－２３１７５３号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。 （１）　「【００１７】 このスポットサイズ変換器は、下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の導波領域１１１に形成されて導波領域１１１において先細りの先端を備える第１コア１０２を備える。また、導波領域１１１の第１コア１０２の先端部から導波領域１１１に続くスポットサイズ変換領域１１２の光入出射端１１３まで配置され、先細りに形成した第１コア１０２の先端部を覆い、スポットサイズ変換領域１１２で光入出射端１１３にかけて先細りに形成された第２コア１０３を備える。 【００１８】 なお、スポットサイズ変換器は、厳密には、スポットサイズ変換領域１１２の部分となるが、ここでは、説明の便宜上、一部の導波領域１１１も含めている。導波領域１１１では、例えば、第１コア１０２および第２コア１０３により、光回路が形成されている。ここで、第１コア１０２は、導波領域１１１内で、第２コア１０３と接続する箇所で、先端にかけて先細りに形成されている。 【００１９】 また、スポットサイズ変換領域１１２で第２コア１０３を覆って下部クラッド層１０１の上の光入出射端１１３まで配置され、先細りの第２コア１０３の形状に沿って光入出射端にかけてコア部（リブ部）が先細りとされたスラブ型の第３コア１０４を備える。また、第１コア１０２，第２コア１０３，および第３コア１０４を覆って下部クラッド層１０１の上に形成された上部クラッド層１０５を備える。 【００２０】 ここで、上述したように、第２コア１０３が、スポットサイズ変換領域１１２において、光入出射端１１３にかけて先細りに形成され、第３コア１０４も、第１コア１０２の先端より光入出射端１１３の側のスポットサイズ変換領域１１２において、光入出射端１１３にかけてコア部が先細りに形成され、この第３コア１０４の形状が堆積のみで形成できるところに特徴がある。なお、第２コア１０３の屈折率は、第１コア１０２より小さく、第３コア１０４の屈折率は、第２コア１０３より小さく、上部クラッド層１０５の屈折率は、第３コア１０４より小さくされている。 【００２１】 上記スポットサイズ変換器では、導波領域１１１を導波してきた光信号は、スポットサイズ変換領域１１２においてスポットサイズが拡大され、光入出射端１１３に光接続される光ファイバ（不図示）に光結合して導波する。 【００２２】 例えば、上述した構成は、よく知られたＳＯＩ基板（Silicon on Insulator）基板を用いて形成され、ＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層を下部クラッド層１０１として利用している 。埋め込み絶縁層は、一般にはＳｉＯ2から構成されており、下部クラッド層１０１は、屈折率が１．４４である。」 ３　引用文献３について 原査定の拒絶理由に引用された引用文献３（特開２０１４－１９１３０１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。 （１）　「【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１の基板と、 前記第１の基板上に設けられて光を入出力する第１の端部から第２の端部に向かって延在する第１のコアと、 前記第１のコアと積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて前記第１の端部から前記第２の端部に向かう方向に沿って延在する複数のコアからなる第２のコアと、 前記第２のコアと積層方向においてエバネッセント結合する位置に形成されて前記第１の端部から前記第２の端部に向かう方向に沿って延在し、前記第１の端部から前記第２の端部に向かう方向において断面積が増加するテーパ部を有する第３のコアと を有することを特徴とするスポットサイズ変換器。」 ４　引用文献４について 原査定の拒絶理由に引用された引用文献４（特開２００４－２４００６４号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。 （１）　「【００４５】 （第２の実施の形態） 図１１に示す第２の実施の形態に係るスポットサイズ変換光導波路は、光の伝搬方向ｚに沿って徐々に幅が細くなるダウンテーパー導波路構造のコア１と、このコア１の後段に光の伝搬方向ｚに沿って分割配置された複数の同形状のコア１ｃと、これらのコア１，１ａを覆うクラッド２とから成り、このクラッド２はコア１、１ａを保護すると共に光をコア１，１ａに閉じ込めるためにコア１、１ａよりも低い屈折率を有している。コア１の後段の各コア１ｃは、一定周期構造部分７である。 【００４６】 コア１は、光の入力部分の幅と高さが各々４．３μｍであり、テーパー状に細くなる位置ｚ＝０から先端までの長さが５００μｍ、先端の端面の幅が１．０μｍの寸法を有する。また、一定周期構造部分７においては、各コア１ｃの幅、高さ共に４．３μｍであり、ギャップ長が５．０μｍに設定されている。」 第５　当審の判断 １　本願発明１について （１）　対比・一致点・相違点 本願発明１と引用文献１発明とを対比する。 ア　引用文献１発明の「シリコン基板１３」、「アンダークラッド１４」、「オーバークラッド１５」、「第１のコア１６」、「第２のコア１８」は、本願発明１の「基板」、「下部クラッド層」、「上部クラッド層」、「第１導波路コア」、「第２導波路子」に各々相当する。 イ　引用文献１発明の「光モジュール」は、モードフィールドサイズ変換部１１を有し、光のスポットサイズを変換する機能を有するため、本願発明１の「スポットサイズ変換器」に相当する。 ウ　引用文献１発明の「前記第２のコア１８は、前記アンダークラッド１４よりも屈折率が大きいポリマーからなり、前記第１のコア１６は、前記第２のコア１８よりも屈折率が大きいシリコンからなり、第２光導波路１２のコア１８は、アンダークラッド１４及びオーバークラッド１５のいずれよりも数％程度大きな屈折率を持ち、前記オーバークラッド１５は、前記アンダークラッド１４とほぼ同じあるいは大きめの屈折率を持つ」構成は、第１のコア、第２のコア、オーバークラッド、アンダークラッドの各屈折率の大小関係からみて、 本願発明１の「前記第１導波路コアの屈折率より前記第２導波路コアの屈折率が小さく、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の屈折率は、前記第２導波路コアの屈折率より小さ」い構成に相当する。 エ　引用文献１発明の「前記第１のコア１６及び前記第２のコア１８の導波方向に設定された、モードフィールドサイズ変換部１１、第２の光導波路１２」は、 本願発明１の「当該第１導波路コアと当該第２導波路コアの導波方向に順次設定された、第１構成領域、第２構成領域」に相当する。 オ　引用文献１発明の「前記第１のコア１６は、前記モードフィールドサイズ変換部１１に形成されており、前記第２のコア１８は、前記モードフィールドサイズ変換部１１及び前記第２の光導波路１２の全域にわたって形成されて」いる構成は、 本願発明１の「前記第１導波路コアは前記第１構成領域に形成されており、前記第２導波路コアは、前記第１構成領域、前記第２構成領域の全域にわたって形成されて」いる構成に相当する。 カ　引用文献１発明の「前記第１のコア１６と前記第２のコア１８は、各々のコアの厚み方向に、前記第１のコア１６の対称中心と前記第２のコア１８の対称中心とが重なるように、かつ前記第１のコア１６の導波方向と前記第２のコア１８の導波方向は互いに平行になるように積み重ねて配置されて」いる構成は、 本願発明１の「前記第１導波路コアと前記第２導波路コアは、当該両導波路コアの厚み方向に、前記第１導波路コアの対称中心と前記第２導波路コアの対称中心とが重なるように、かつ当該第１導波路コアの導波方向と当該第２導波路コアの導波方向は互いに平行になるように積み重ねて配置されて」いる構成に相当する。 キ　引用文献１発明の「前記第１のコア１６の一部に、テーパ部１７が、第１のコア１６の先端方向に向かうに従って漸次断面積が小さくなるように形成されている」構成は、テーパ部１７の形状と、第１のコアでのテーパ部１７の位置からみて、 本願発明１の「前記第１導波路コアは、前記第２構成領域に向かって当該コアの幅が狭まるテーパ構造領域を含んで」いる構成に相当する。 したがって、本願発明１と引用文献１発明とは、 （一致点） 「　基板上に、第１導波路コアと第２導波路コア、及び下部クラッド層と上部クラッド層を備えるスポットサイズ変換器であって、 前記第１導波路コアの屈折率より前記第２導波路コアの屈折率が小さく、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の屈折率は、前記第２導波路コアの屈折率より小さく、 当該第１導波路コアと当該第２導波路コアの導波方向に順次設定された、第１構成領域、第２構成領域において、 前記第１導波路コアは前記第１構成領域に形成されており、 前記第２導波路コアは、前記第１構成領域、前記第２構成領域の全域にわたって形成されており、 前記第１導波路コアと前記第２導波路コアは、当該両導波路コアの厚み方向に、前記第１導波路コアの対称中心と前記第２導波路コアの対称中心とが重なるように、かつ当該第１導波路コアの導波方向と当該第２導波路コアの導波方向は互いに平行になるように積み重ねて配置されており、 前記第１導波路コアは、前記第２構成領域に向かって当該コアの幅が狭まるテーパ構造領域を含んでいる スポットサイズ変換器。」 である点で一致し、次の点で相違する。 （相違点１） 本願発明１では、「前記第２導波路コアの前記第２構成領域に含まれる部分は、前記第１構成領域から離れるにしたがって当該コアの幅が狭まるテーパ構造領域とされて」いるのに対し、 引用文献１発明では、第２のコア１８はテーパ構造領域を有しない点。 （相違点２） 本願発明１では、「前記下部クラッド層の厚みは、前記第１及び第２導波路コアを伝搬する光の電場成分の一部が前記下部クラッド層を介して前記基板に達することに起因する光電場の当該基板への放射損失が無視できる程度の厚みに設定されて」いるのに対し、 引用文献１発明では、アンダークラッド１４の厚みは３．０μｍであるものの、シリコン基板への放射損失と厚さの関係について限定されていない点。 （相違点３） 本願発明１では、「前記第１構成領域では、前記第１導波路コアを伝搬する伝搬光と前記第２導波路コアを伝搬する伝搬光とが互いのエバネッセント場を介して光結合され」るものであるのに対し、 引用文献１発明では、モードフィールドサイズ変換部１１で、モード第１のコア１４の伝搬光と第２のコア１６の伝搬光との光結合がどのようなものか限定されていない点。 （相違点４） 本願発明１では、「前記第２構成領域では、入力光のモードフィールド径が前記第１構成領域から離れるにしたがって拡大される」のに対し、 引用文献１発明では、第２の光導波路１２でのモードフィールド径の状態が限定されていない点。 （２）　相違点についての検討 ア　上記相違点１，４について検討する。 引用文献１発明では、「第１構成領域」と、「前記第２導波路コアの前記第２構成領域に含まれる部分は、前記第１構成領域から離れるにしたがって当該コアの幅が狭まるテーパ構造領域とされて」おり、「入力光のモードフィールド径が前記第１構成領域から離れるにしたがって拡大される」「第２構成領域」とにより、モードフィールド径を変換する機能を有しているといえる。 一方、引用文献１では、「【０００７】 図１２に示した光導波路において、光ファイバと低損失で接続するためには、細線状の第１の光導波路と接続される第２の光導波路のモードフィールド径は光ファイバのモードフィールド径（９μｍ）に近いことが求められる。」、 「【００２８】 次に、本実施の形態の光モジュールにおける光の伝搬状態を説明する。図４（ａ）、図４（ｂ）に示した第１の光導波路２０の第１のコア２６の左端面から入射した光は、コア２６を伝搬し、テーパ部２７の左端位置に到達する。光がテーパ部２７を図４（ａ）の右方向に伝搬するにつれて、コア幅が徐々に狭まり光の閉じこめが弱くなり、モードフィールドサイズが周囲に広がろうとする。ところが、このときアンダークラッド２４より屈折率の高い第２のコア２８が隣接して存在するため、光パワーの分布は第１の光導波路２０の第１のコア２６から第２の光導波路２２の第２のコア２８へ徐々に移っていく。 【００２９】 前記とは逆に図４（ａ）、図４（ｂ）に示した第２コア２８の右端部から光が入射した場合には、右から左へ光が進行するにつれてコア２８、テーパ部２７を介して、第１の光導波路２０の第１のコア２６へ光の分布が移動する。この移動はテーパにより断熱的に行われるのでその効率は非常に高い。このように、テーパ部２７を介して第１の光導波路２０の第１のコア２６と第２の光導波路２２の第２のコア２８とを接続することで、効率の高いモードフィールドサイズ変換を実現することができる。」と記載されているように、モードフィールドサイズを拡大する機能は、モードフィールドサイズ変換部１１が有しているのみであり、第２の光導波路は、モードフィールドサイズを変換する機能を有していないといえる。 また、引用文献２には、先細りに形成された第２コア１０３によるスポットサイズ変換器が記載され、引用文献３には、エバネッセント結合する領域にテーパー部を有するスポットサイズ変換器が記載され、引用文献４には、ダウンテーパ導波路構造のコアを有するスポットサイズ変換器が記載されている。 しかしながら、各引用文献において、スポットサイズ変換器を他のスポットサイズ変換器と組み合わせることについて記載されておらず、自明とはいえない。 以上のことからみて、引用文献１発明において、モードフィールドサイズ変換部１１に対し、更に、モードフィールド変換するためのテーパ構造を付加することを動機付ける技術が引用文献２～４に記載されておらず、自明とともいえない。 そして、本願発明１の相違点１及び相違点４に係る構成を採用することにより、「実用上支障のない程度に光損失を小さくすることができる。すなわち、SOI基板に形成された光トランシーバ等の機能素子へ外部から光信号を入力させる際、あるいは当該機能素子からの光出力信号を導波する光導波路と光ファイバ等の外部の光導波路を結合させる際に利用して好適なスポットサイズ変換器を提供できる。」という効果を奏するものである。 イ　上記のとおりであるから、本願発明１の相違点１、相違点４に係る構成は、引用文献１発明及び引用文献２～４に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到し得るものとはいえない。 （３）　まとめ 相違点２、相違点３について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１発明及び引用文献２～４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ２　本願発明２～本願発明９について 本願発明２～本願発明９も、本願発明１の相違点１、４に係る構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用文献１発明及び引用文献２～４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第６　原査定について 以上のとおり、本願発明１～本願発明９は、「前記第２導波路コアの前記第２構成領域に含まれる部分は、前記第１構成領域から離れるにしたがって当該コアの幅が狭まるテーパ構造領域とされて」おり、「前記第２構成領域では、入力光のモードフィールド径が前記第１構成領域から離れるにしたがって拡大される」構成を有しており、当業者であっても、原査定の拒絶理由において引用された引用文献１～４に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。 したがって、原査定を維持することはできない。 第７　むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。