2016-003862

特願２０１２－１９７２９９「半導体キャリア寿命測定装置および該方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月２０日出願公開，特開２０１４－　５３４７０，請求項の数（５）〕について，次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は，特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２４年９月７日の出願であって，平成２７年８月５日付けで拒絶理由通知がされ，同年１０月９日に意見書と手続補正書が提出され，同年１２月１１日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，平成２８年３月１４日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正書が提出され，平成２９年５月１１日付けで拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）がされ，同年６月１６日に意見書と手続補正書が提出されたものである。 第２　原査定の概要 原査定（平成２７年１２月１１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 この出願の請求項１－２，４－７に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された以下の引用文献１－４に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ １.特開２００４－３１９６３３号公報 ２.特開２００４－１８９５８４号公報 ３.特開平０６－２６８０３８号公報 ４.特開２００７－０４８９５９号公報 第３　当審拒絶理由の概要 当審拒絶理由の概要は次のとおりである。 １　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ２　この出願は，下記の点で，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 記　（引用文献等については引用文献等一覧参照） １　理由１について （１）請求項１について ア　対比 本願請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と，引用文献１（［０１１１］ないし［０１１４］）に記載されたシリコンインゴットのライフタイムの測定装置の発明（以下「引用発明１Ａ」という。）とを対比すると，両者は，以下の点で相違し，その余の点で一致すると認められる。 ・相違点１ 本願発明１は，「前記検出部の検出結果に基づいて，前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射してこの照射終了時点から，前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定部」を備え，測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報を，上記「強度時間変化測定部」の測定結果に基づいて求めるのに対し，引用発明１Ａが「強度時間変化測定部」を備えること，及び引用発明１Ａにおいて，測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を，上記「強度時間変化測定部」の測定結果に基づいて求めることは，いずれも特定されていない点 イ　相違点についての判断 引用文献１の記載より，引用発明１Ａは，μＰＣＤ法により測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるものと認められる。 そして，μＰＣＤ法において，光照射部によって励起光を測定対象に照射してこの照射終了時点から，測定波の反射波における強度の時間変化を測定し，測定対象におけるキャリア寿命に関する情報を，上記の測定結果に基づいて求めることは，引用文献２（【０００２】）及び引用文献３（【００３９】，図５）にみられるように，当該技術分野では周知の技術といえる。 そうすると，引用発明１Ａ及び上記周知技術は，いずれも，μＰＣＤ法による測定対象のキャリア寿命に関する情報を求めるものであって，両者を組み合わせる動機付けは存在すると認められるから，引用発明１Ａにおいて，光照射部によって励起光を測定対象に照射してこの照射終了時点から，測定波の反射波における強度の時間変化を測定する構成を備え，当該構成による測定結果に基づいて，測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるようにすることは，上記周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。 以上から，相違点１に係る構成は，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び３にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものということができる。 ウ　小括 したがって，本願発明１は，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び３にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。 （２）請求項２について ア　対比 本願請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という。）と，引用発明１Ａとを対比すると，両者は，上記相違点１に加え，以下の点でも相違し，その余の点で一致すると認められる。 ・相違点２ 本願発明２は，「前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部」をさらに備え，「前記演算部は，前記強度時間変化測定部の測定結果および前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて，前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報を求める」のに対し，引用発明１Ａは，本願発明２における上記の構成を備えていない点。 イ　相違点についての判断 （ア）相違点１について 上記（１）イのとおり，相違点１に係る構成は，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び引用文献３にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものということができる。 （イ）相違点２について 引用文献４（【０００８】ないし【００１１】，【００３９】ないし【００４２】）には，測定対象の結晶の抵抗率を測定する抵抗率測定器を備え，上記結晶のバルクライフタイムに含まれる抵抗率依存性を排除して結晶品質を評価することが記載されており，引用発明１Ａにおいて，測定対象のシリコンインゴットにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部を備え，当該抵抗率測定部で測定した抵抗率にも基づいて，測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるようにすること（相違点２に係る構成とすること）は，引用文献４記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。 ウ　小括 したがって，本願発明２は，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び３にみられるような周知技術，並びに引用文献４記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。 （３）請求項４について 上記（２）イのとおり，本願発明２は，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び３にみられるような周知技術，並びに引用文献４記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められ，その際に，測定対象のシリコンインゴットにおける抵抗率を，何に基づいて測定するかは，当業者が適宜選択し得るものであって，本願請求項４に係る発明（以下「本願発明４」という。）のように，測定波の反射波における反射率および位相のうちの少なくとも一方に基づいて測定することは，当業者が適宜なし得たものと認める。 したがって，本願発明４は，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び３にみられるような周知技術，並びに引用文献４記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。 （４）請求項５及び６について 引用文献１の記載より，引用発明１Ａは，μＰＣＤ法により測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるものと認められるところ，上記キャリア寿命に関する情報を，本願請求項５に係る発明（以下「本願発明５」という。）のように，キャリア寿命の長短の程度を表す評価指標として求めることや，本願請求項６に係る発明（以下「本願発明６」という。）のように，キャリア寿命そのものとして求めることは，当業者が適宜なし得たものといえる。 したがって，本願発明５及び６は，いずれも，上記（１）及び（２）の理由により，引用発明１Ａにおいて，引用文献２及び引用文献３にみられるような周知技術，並びに引用文献４記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。 （５）請求項７について ア　対比 本願請求項７に係る発明（以下「本願発明７」という。）と，引用文献１（［０１１１］ないし［０１１４］）に記載されたシリコンインゴットのライフタイムの測定方法の発明（以下「引用発明１Ｂ」という。）とを対比すると，両者は，以下の点で相違し，その余の点で一致すると認められる。 ・相違点３ 本願発明７は，「前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射してこの照射終了時点から，前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定工程」を備え，測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報を，上記「強度時間変化測定工程」の測定結果に基づいて求めるのに対し，引用発明１Ｂが「強度時間変化測定工程」を備えること，及び引用発明１Ｂにおいて，測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を，上記「強度時間変化測定工程」の測定結果に基づいて求めることは，いずれも特定されていない点 イ　相違点についての判断 引用文献１の記載より，引用発明１Ｂは，μＰＣＤ法により測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるものと認められる。 そして，μＰＣＤ法において，光照射部によって励起光を測定対象に照射してこの照射終了時点から，測定波の反射波における強度の時間変化を測定し，測定対象におけるキャリア寿命に関する情報を，上記の測定結果に基づいて求めることは，引用文献２（【０００２】）及び引用文献３（【００３９】，図５）にみられるように，当該技術分野では周知の技術といえる。 そうすると，引用発明１Ｂ及び上記周知技術は，いずれも，μＰＣＤ法による測定対象のキャリア寿命に関する情報を求めるものであって，両者を組み合わせる動機付けは存在すると認められるから，引用発明１Ｂにおいて，光照射部によって励起光を測定対象に照射してこの照射終了時点から，測定波の反射波における強度の時間変化を測定する工程を備え，当該工程による測定結果に基づいて，測定対象のシリコンインゴットにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるようにすることは，上記周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。 以上から，相違点３に係る構成は，引用発明１Ｂにおいて，引用文献２及び３にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものということができる。 ウ　小括 したがって，本願発明７は，引用発明１Ｂにおいて，引用文献２及び３にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。 引　用　文　献　等　一　覧 １　国際公開第２００６／０９３０９９号 ２　特開２００８－３０５８５９号公報 ３　特開２０１２－６９６１４号公報 ４　特開平６－２６８０３８号公報 ２　理由２について 本願請求項７の「前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射してこの照射終了時点から，前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定工程」との記載において，「前記光照射部」なる文言が指し示す内容が不明であり，その結果，上記の記載では，「強度時間変化測定工程」の内容が明確であるとは認められない。 したがって，本願請求項７には，当該請求項に係る発明の構成が明確に記載されているとは認められない。 第４　本願発明 本願請求項１ないし５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は，平成２９年６月１６日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし５は以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 波長１．０μｍ～１．１μｍの励起光を測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射する光照射部と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに所定の測定波を照射する測定波照射部と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックで反射された前記測定波の反射波における強度を検出する検出部と， 前記検出部の検出結果に基づいて，前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射してこの照射終了時点から，前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定部と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部と， 前記強度時間変化測定部の測定結果に基づいて，前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるとともに前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算部と，を備え， 前記シリコンインゴット又は前記シリコンブリックは，シリコンウエハを切り出す母材であること を特徴とする半導体キャリア寿命測定装置。 【請求項２】 前記抵抗率測定部は，前記測定波の反射波における反射率および位相のうちの少なくとも一方に基づいて，前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定すること を特徴とする請求項１に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 【請求項３】 前記キャリア寿命に関する情報は，前記キャリア寿命の長短の程度を表す評価指標であること を特徴とする請求項１または２に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 【請求項４】 前記キャリア寿命に関する情報は，キャリア寿命そのものであること を特徴とする請求項１または２に記載の半導体キャリア寿命測定装置。 【請求項５】 波長１．０μｍ～１．１μｍの励起光を測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射する光照射工程と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに所定の測定波を照射する測定波照射工程と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックで反射された前記測定波の反射波における強度を検出する検出工程と， 前記励起光を前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射してこの照射終了時点から，前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定工程と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定工程と， 前記強度時間変化測定工程の測定結果に基づいて，前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報を求めるとともに前記抵抗率測定工程で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算工程と，を備え， 前記シリコンインゴット又は前記シリコンブリックは，シリコンウエハを切り出す母材であること を特徴とする半導体キャリア寿命測定方法。」 第５　引用文献，引用発明等 １　引用文献１について 平成２９年５月１１日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。） ・「［０１１１］ＳＩＭＳによる全窒素濃度［Ｎ］の測定条件としては，他の軽元素と同様とすることができ，例えば，下記実施例に記載されたものを採用することができる。 キャリアのライフタイム（以下，単に「ライフタイム」という。）τは，以下のようにして求められる物理量である。ここで，その測定に当たっては，一般に，μＰＣＤ法（マイクロ波光導電率減衰法）が用いられる。これは，半導体中にレーザー光などの光を浸入させて励起生成させた光励起キャリアの再結合によるキャリア密度減衰（光導電率の減衰）を，検知波として入射するマイクロ波の反射強度の減衰として検知するもので，その減衰時定数τが，すなわちキャリアのライフタイムτである。 ［０１１２］ここで，キャリアの再結合には，結晶内部（基板内部）の欠陥を介して生じるもの（バルク再結合）と，結晶表面（基板表面）の欠陥を介して生じるもの（表面再結合）とが存在する。上記のマイクロ波の反射強度の測定により直接得られるのは（測定できるのは），バルク再結合によるものと表面再結合によるものとを含むトータルのキャリアライフタイム（有効ライフタイムτeff）である。このうち，バルク再結合によるバルクライフタイムτが，基板品質の指標である。ここでバルク再結合のトータル量をΣＲｂ，表面再結合のトータル量をΣＲｓとすると，有効ライフタイムτeffは，下記（５）式～（９）式のように諸物理量と関係付けられる。 ［０１１３］なお，基板に対して充分厚みのあるインゴットのτeffを測定する場合は，表面再結合成分はインゴット表面側（レーザー光入射面）に限定されると考えてよいので（インゴット裏面側での再結合は無視できるので），（５）式のΣＲｓの係数は１にしてある（充分薄い基板の場合は，基板表面側と裏面側での再結合を考慮するので係数は２となる）。 （ｎｅ/τeff）・Ｗ＝ΣＲｂ＋１・ΣＲｓ　（５） ΣＲｂ＝ｎｅ・（σ・ｖｔｈ・Ｎｒｂ）・Ｗ＝（ｎｅ／τ）・Ｗ　（６） １／τ＝σ・ｖｔｈ・Ｎｒｂ　（７） ΣＲｓ＝ｎｅ・（σ・ｖｔｈ・Ｎｒｓ）・ｄＷ＝ｎｅ・Ｓ　（８） Ｓ＝σ・ｖｔｈ・Ｎｒｓ・ｄＷ　（９） ここで，式中の各記号の意味は下記の通りである。 ｎｅ　：　少数キャリア密度（≒光励起キャリア密度） σ　：　少数キャリア捕獲断面積 ｖｔｈ：　少数キャリア熱運動速度 Ｎｒｂ：　バルク再結合中心密度（≒バルク欠陥密度） Ｎｒｓ：　表面極薄領域での再結合中心密度（単位体積あたり表現） Ｗ　：　基板厚さ ｄＷ：　表面極薄領域厚さ Ｎｒｓ・ｄＷ　：　単位面積あたりの再結合中心密度（≒表面欠陥密度） τ　：　バルクライフタイム（基板品質） Ｓ　：　表面再結合速度 ここで，上記したように，インゴット状態で測定した場合のτは，インゴット表面での再結合の影響も含んだ有効ライフタイムτeffになるが，τeff∝τであるので，このτeffをもってインゴット品質（τ）の指標にすることができる。 ［０１１４］ライフタイムτの測定装置としては，例えば，ＳＥＭＩＬＡＢ社製の「ライフタイムスキャナー　WT-2000」を挙げることができ，その場合，ライフタイムτの測定条件は，この装置による標準的な条件，例えば，照射レーザー波長＝９０４nm（あるいは１０６４ｎｍ），照射レーザー光口径＝1mmφ，マッピング解像度（スキャンピッチ）＝１mmピッチとすることができる。これにより，基板全体での平均τ値，最小τ値，最大τ値，τマップ，τヒストグラムなどを容易に評価することができる。」 したがって，上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「μＰＣＤ法（マイクロ波光導電率減衰法）が用いられるライフタイムτの測定装置であって， ライフタイムτの測定は， インゴット状態の半導体中に，波長＝１０６４ｎｍであるレーザー光を照射し， 当該レーザー光を浸入させて励起生成させた光励起キャリアの再結合によるキャリア密度減衰（光導電率の減衰）を，検知波として入射するマイクロ波の反射強度の減衰として検知し， その減衰時定数τを，キャリアのライフタイムτとして測定するものである， ライフタイムτの測定装置。」 ２　引用文献２ないし４について 平成２９年５月１１日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【０００２】 半導体層のキャリアライフタイムを測定する方法が知られている。特許文献１に，一般的な測定方法であるμＰＣＤ(microwave Photo Conductivity Decay)法が記載されている。μＰＣＤ法では，半導体層の表面にレーザ光を照射することによって半導体層にキャリアを誘起する状態と，レーザ光の照射を停止することによって誘起したキャリアが消失する状態を作り出してキャリアのライフタイムを測定する。キャリア量を測定するために，半導体層の表面にマイクロ波を照射してマイクロ波の反射率を測定する。 本明細書に添付した図７に，経過時間Ｔとマイクロ波の反射率Ｍの関係を示す。測定の開始時には，レーザ光を照射しないでマイクロ波の反射率Ｍを測定する。この時の反射率Ｍをｍ１とする。時刻ｓ１で，半導体層の表面にレーザ光を照射し始める。するとレーザ光に励起されて半導体層にキャリアが誘起される。キャリアの密度が高くなる程，マイクロ波の反射率Ｍは増加する。レーザ光を照射し続けていると，誘起されるキャリア量と，再結合等によって消失するキャリア量が平衡する状態が得られ，マイクロ波の反射率Ｍは一定値に安定する。この時のマイクロ波の反射率Ｍをｍ２とする。 レーザ光で誘起されるキャリア量と消失するキャリア量が平衡する状態が得られたら，レーザ光の照射を停止する。図７では，時刻ｓ２でレーザ光の照射を停止している。その後はキャリアが発生しなくなるので，キャリアは消失していき，それに伴ってマイクロ波の反射率Ｍも指数関数的に低下していく。マイクロ波の反射率Ｍの低下速度を測定すると，キャリアの消失速度が判明し，キャリアのライフタイムが判明する。実際の測定では，反射率Ｍがｍ１＋（ｍ２－ｍ１）／ｅにまで低下する時刻ｓ３を測定する。時刻ｓ２から時刻Ｓ３までの経過時間τが，半導体層のキャリアライフタイムを示す。」 平成２９年５月１１日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【００３９】 さらにまた，評価手段である前記パーソナルコンピュータ１９は，前記結晶性の評価を，検出手段である前記検出器１８による反射電磁波の強度のピーク値Ｐｅａｋを検出することで行なう。これは，前記紫外励起光照射による光励起キャリアの密度は，図５で示すように変化し，ｎｓｅｃオーダーのレーザーパルス照射期間ｔ０に比べて，光励起キャリアのライフタイムτがｎｓ以下（ピコ秒オーダー）の短いとき，キャリアの消滅時間が，発生したキャリア数に近似するためである。時刻ｔ＝０から照射を開始すると，キャリア密度が増加し，前記ライフタイムτを超える充分な時間が経過すると，励起光照射によって新たに発生するキャリア数と，ライフタイムτが経過して再結合して消失するキャリア数とが均衡し，キャリア密度は一定となる。その後，時刻ｔ＝ｔ０で励起光の照射を停止すると，キャリア密度は前記ライフタイムτで減少してゆく。」 ・【図５】からは，半導体への励起光照射による光励起キャリアの密度変化を示すグラフが読み取れる。 平成２９年５月１１日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので，その目的とする処は，抵抗率の異なる結晶間の品質評価も含めて結晶品質を正しく評価することができるバルクライフタイムによる結晶評価方法及び装置を提供することにある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本発明は，測定された結晶の一次モードライフタイムτ1 からバルクライフタイムτB を求め，このバルクライフタイムτB 値に含まれる抵抗率依存性を排除して再結合中心濃度の相対値Ｎr を算出し，この値Ｎr を結晶品質評価のパラメータとすることを特徴とする。 【００１０】又，本発明は，結晶の一次モードライフタイムτ1 を測定するライフタイム測定器と，結晶の抵抗率を測定する抵抗率測定器を含んで構成される測定系と，該測定系によって測定された結晶の一次モードライフタイムτ1 からバルクライフタイムτB を求め，該バルクライフタイムτB と前記抵抗率とから再結合中心濃度の相対値Ｎr を算出する演算手段を含んで構成される解析系とでバルクライフタイムによる結晶評価装置を構成したことを特徴とする。 【００１１】 【作用】本発明によれば，バルクライフタイムτB 値に含まれるＳＲＨ理論に基づく抵抗率依存性を排除し，結晶品質を真に反映するパラメータである再結合中心濃度の相対値Ｎr を算出し，この再結合中心濃度の相対値Ｎr によって結晶品質を評価するようにしたため，抵抗率の異なる結晶間の品質評価も含めて結晶品質を再結合中心濃度，即ち，欠陥濃度のスケールによって正しく評価することができる。」 ・「【００３９】ところで，本実施例では，２×２×８ｃｍ3 の各棒に切り出されたＰ型結晶の表面にサンドブラスト処理を施したものを試料として用い，この試料の一次モードライフタイムτ1 を図１に示すライフタイム測定器１を用いてＡＳＴＭ規格に規定された測定方法に従って測定した。 【００４０】即ち，試料を自動搬送器３によってライフタイム測定器１のライフタイム検出器５にセットし，該試料の一端に不図示の電気抵抗を接続して直列回路を構成し，該直列回路に不図示の電源から定電圧を印加しながら，光源４から発せられるパルス光を試料の一側面に照射し，電気抵抗の端子間電圧の波形の立ち下がり部をデジタルオシロスコープ６で読み取って試料の一次モードライフタイムτ1 を測定する。 【００４１】而して，上述の方法によって測定された一次モードライフタイムτ1 はＣＰＵ８に入力され，ＣＰＵ８では，この値τ1 を用いて前記（１）式（【数１】参照）により試料のバルクライフタイムτB が算出される。 【００４２】一方，試料の抵抗率は図１に示す抵抗率測定器２によって測定され，その測定値がＣＰＵ８に入力され，ＣＰＵ８では抵抗率ρに基づいて前記（６）式（【数６】参照）によりフェルミレベル（Ｅf －ＥV ）を算出し，この（Ｅf －ＥV ）と前記バルクライフタイムτB から前記（１０）式によって再結合中心濃度の相対値Ｎr が算出される。」 第６　対比・判断 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明における「『光励起キャリア』を『励起生成』する『レーザー光』」は，本願発明１における「励起光」に相当する。 そして，引用発明の「ライフタイムτの測定装置」が，「レーザー光」を使用する装置であることから，引用発明の「ライフタイムτの測定装置」が，当該「レーザー光」を照射する「光照射部」を備えていることは明らかである。 イ　引用発明における「インゴット状態の半導体」は，本願発明１における「シリコンインゴット」に相当する。 また，「シリコンインゴット」が「シリコンウエハを切り出す母材であること」は，当業者にとって明らかである。 ウ　引用発明における「検知波として入射するマイクロ波」は，本願発明１における「所定の測定波」に相当する。 そして，引用発明の「ライフタイムτの測定装置」が，「マイクロ波」を使用する装置であることから，引用発明の「ライフタイムτの測定装置」が，当該「マイクロ波」を照射する「測定波照射部」を備えていることは明らかである。 エ　引用発明は，「検知波として入射するマイクロ波の反射強度の減衰として検知」するのであるから，引用発明が，「前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックで反射された前記測定波の反射波における強度を検出する検出部」を備えていることは明らかである。 オ　引用発明の「ライフタイムτの測定装置」は，「検知波として入射するマイクロ波の反射強度の減衰として検知」し，「その減衰時定数τを，キャリアのライフタイムτとして測定する」ものであるから，引用発明の「ライフタイムτの測定装置」が，「マイクロ波の反射強度」の測定結果に基づいて，「減衰時定数τ」を算出する演算を行う，「演算部」を備えていることは明らかである。 したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「波長１．０μｍ～１．１μｍの励起光を測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射する光照射部と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに所定の測定波を照射する測定波照射部と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックで反射された前記測定波の反射波における強度を検出する検出部と， 前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報を求める演算部と，を備え， 前記シリコンインゴット又は前記シリコンブリックは，シリコンウエハを切り出す母材である半導体キャリア寿命測定装置。」 （相違点） （相違点１）本願発明１は，「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部』『前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算部』」という構成を備えるのに対して，引用発明は，そのような構成を備えていない点。 （相違点２）本願発明１は，「前記検出部の検出結果に基づいて，前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射してこの照射終了時点から，前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定部」という構成を備えるのに対し，引用発明は，そのような構成を備えているか明らかでないない点。 （２）相違点についての判断 相違点１に係る本願発明１の「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部』『前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算部』」という構成は，上記引用文献２ないし４には記載されておらず，本願の出願日前において周知技術であるともいえない。 そして，本願発明１は，当該構成を備えることによって，「強度時間変化測定部の測定結果に基づいて求められた測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報が，抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて求められた測定波浸透長に基づき補正され，これによって，測定の際の測定波浸透長が考慮される。したがって，このような構成の半導体キャリア寿命測定装置は，シリコンインゴット又はシリコンブリックにおけるキャリア寿命に関する情報をより精度よく測定することができる。」（本願明細書【００１７】）という格別の効果を奏するものと認められる。 したがって，本願発明１は，他の相違点について検討するまでもなく，引用発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし４について 本願発明２ないし４も，本願発明１の「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部』『前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算部』」と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。 ３　本願発明５について 本願発明５は，本願発明１に対応する方法の発明であり，本願発明１の「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部』『前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算部』」に対応する構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。 第７　特許法第３６条第６項第２号（発明の明確性）について 当審では，補正前の請求項７の，「前記光照射部」なる文言が指し示す内容が不明であり，その結果，「前記光照射部によって前記励起光を前記測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックに照射してこの照射終了時点から，前記測定波の反射波における強度の時間変化を測定する強度時間変化測定工程」の内容が明確であるとは認められない，との拒絶理由を通知しているが，平成２９年６月１６日付けの補正において，「前記光照射部によって」との記載を削除する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。 第８　原査定についての判断 平成２９年６月１６日付けの補正により，補正後の請求項１ないし４は，「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部』『前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算部』」という技術的事項を有し，また，請求項５は，「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定工程』『前記抵抗率測定工程で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算工程』」という技術的事項を有するものとなった。 当該「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定部』『前記抵抗率測定部で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算部』」，及び，「『測定対象のシリコンインゴット又はシリコンブリックにおける抵抗率を測定する抵抗率測定工程』『前記抵抗率測定工程で測定した抵抗率に基づいて前記測定波の浸透長を求め，前記キャリア寿命に関する情報を，前記測定波の浸透長に基づいて補正する演算工程』」は，原査定における引用文献１ないし４には記載されておらず，本願出願日前における周知技術でもないので，本願発明１ないし５は当業者であっても，原査定における引用文献１ないし４に基づいて容易に発明をすることはできない。 したがって。原査定を維持することはできない。 第９　むすび 以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。 他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。