2015-005907

特願２０１２－　３０９３５「単結晶シリコンウェハ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　７月１９日出願公開，特開２０１２－１３８５９２，請求項の数（８）〕について，次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は，特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は，平成２０年２月２５日（パリ条約による優先権主張２００７年２月２６日，ドイツ連邦共和国）に出願した特願２００８－４２６０２号（本願のもととなる出願）の一部を平成２４年２月１５日に新たな特許出願としたものであって，平成２４年２月１５日に上申書が提出され，平成２５年１０月２１日付けで拒絶理由が通知がされ，平成２６年１月２９日に意見書と手続補正書が提出され，同年５月３０日に最後の拒絶理由が通知され，同年９月３日に意見書と手続補正書が提出され，同年１１月２８日付けで同年９月３日付け手続補正書でした補正が却下されるとともに拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，平成２７年３月３１日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正書が提出され，当審は，平成２８年７月１２日付けで平成２７年３月３１日付けの手続補正を却下するとともに，拒絶理由（当審拒絶理由１）を通知し，同年１０月１７日に意見書と手続補正書が提出され，平成２９年１月２７日付けで拒絶理由（当審拒絶理由２）を通知し，同年４月２８日に意見書と手続補正書が提出され，平成２９年５月２５日付けで最後の拒絶理由（当審拒絶理由３）を通知し，同年８月１０日に意見書と手続補正書が提出されたものである。 第２　本願発明 本願の請求項１ないし８に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明８」という。）は，平成２９年８月１０日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし本願発明８は以下のとおりである。 「【請求項１】 単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）であって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域（１０ａ１，１００ａ１）と， 下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物（Ｐ１，Ｐ１１）を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域（１０ｃ，１００ｃ）と，を有し， 下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さいことを特徴とする，単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。 【請求項２】 上記第１の領域（１０ａ１，１００ａ１）は，少なくとも１μｍの層厚（Ｄ７）を有することを特徴とする，請求項１に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。 【請求項３】 上記第１の領域（１０ａ１，１００ａ１）は，少なくとも１０μｍの層厚（Ｄ７）を有することを特徴とする，請求項１または２に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。 【請求項４】 上記第１の領域（１０ａ１，１００ａ１）は，少なくとも５０μｍの層厚（Ｄ７）を有することを特徴とする，請求項１または２に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。 【請求項５】 上記第２の領域（１０ｃ，１００ｃ）は，上記単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）の層厚（Ｄ１ｂ，Ｄ５ｂ）の少なくとも３分の１の層厚を有するか，または，少なくとも１５０マイクロメートルの層厚を有することを特徴とする，請求項１または２に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。 【請求項６】 上記第２の領域（１０ｃ，１００ｃ）は，上記単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）の層厚（Ｄ１ｂ，Ｄ５ｂ）の１０分の１よりも薄いか，または，７５マイクロメートルよりも薄いことを特徴とする，請求項１または２に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。 【請求項７】 上記第１の領域は，空格子点を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０12未満の空格子点密度または１０11未満の空格子点密度で空格子点をわずかに含むことを特徴とする，請求項１または２に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。 【請求項８】 単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）は，１立方センチメートル当りの原子が５×１０15未満の濃度または５×１０16未満の濃度の炭素を含むことを特徴とする，請求項１または２に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）。」 第３　引用文献，引用発明等 １　引用文献１について 当審拒絶理由２に引用された引用文献１（国際公開２００６／１３７１４６号）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審において付与した。以下同じ。） ・「［０００５］ところで，チョクラルスキー法を用いて生産されたシリコンウエハには，炭素不純物及び酸素不純物が，故意にこれらを添加していない場合には，夫々１０１３～１０１５ｃｍ－３，１０１７～１０１８ｃｍ－３程度含まれている。この濃度の酸素は半導体装置の製造工程の熱処理において過飽和状態にある。このため，その後の熱処理によって炭素を核として酸素が凝集し，酸素析出物とよばれる結晶欠陥の一種が発生する。この酸素析出物は，熱処理装置からウエハの表面に飛来するＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＣｒ等の重金属元素を捕獲する特性を具えていることが知られている。そして，この特性はゲッタリング技術として広く工業的に応用されている。 ［０００６］この応用のために，例えば，酸素析出物の存在に伴うリーク電流の影響が大きい表層部（表面から１０μｍ程度の深さまでの領域）に酸素析出物が発生せず，それよりも深い領域（バルク部）に例えば１０７ｃｍ－３以上の酸素析出物が発生するように，投入ウエハの酸素濃度や各工程の熱処理条件等が決定されている。これらの処理は，シリコン結晶における炭素の拡散定数が，例えば１０００℃では酸素の１／１０程度とかなり小さく（非特許文献２），表層部から酸素のみが外方拡散しやすいという性質を用いている。」 したがって，上記引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「酸素析出物が発生しない表層部（表面から１０μｍ程度の深さまでの領域）と， それよりも深い領域（バルク部）であって，１０７ｃｍ－３以上の酸素析出物が発生する領域と， を含むチョクラルスキー法を用いて生産されたシリコンウエハであって， 前記酸素析出物が前記所定の濃度で発生するように，投入ウエハの酸素濃度や各工程の熱処理条件等が決定されており，当該酸素析出物は，熱処理装置からウエハの表面に飛来するＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＣｒ等の重金属元素を捕獲するという特性を具えていることが知られており，この特性はゲッタリング技術として広く工業的に応用されている，シリコンウエハ。」 ２　引用文献２について 当審拒絶理由２に引用された引用文献２（特開平８－８２６３号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は半導体基板に関し，より詳細にはＬＳＩ等の集積回路形成用の基板として用いられる単結晶シリコン（Ｓｉ）の半導体基板に関する。」 ・「【０００４】一方，例えばＬＳＩ製造時の代表的熱処理温度である１０００℃では，単結晶Ｓｉ中の酸素の固溶度は約３×１０17個／ｃｍ3 であり，１０００℃以下ではさらに小さい値となっており，したがって単結晶Ｓｉ内に含有された酸素は常に過飽和状態になっている。このため，ＬＳＩ製造における熱処理時には酸素が単結晶Ｓｉ半導体基板（以下，単に半導体基板と記す）内に析出し，ＳｉＯX 構造に変化する。すると，体積が膨張してこの周囲に歪みが生じる場合があり，歪みが生じると転位ループや結晶欠陥等の微小欠陥が発生する。 【０００５】これらの微小欠陥が前記半導体基板の表面から数μｍの範囲（ＬＳＩ素子の活性領域）に存在する場合，酸化膜耐圧の低下やリーク電流の発生等が生じ，ＬＳＩにとって有害となる。他方，前記半導体基板の表面から十分離れた内部のみに存在する場合，この微小欠陥がＦｅ（鉄），Ｎｉ（ニッケル），Ｃｕ（銅）等の重金属の汚染物質を吸着し，この汚染物質を前記素子の活性領域から除去するいわゆるゲッタリング作用が働くため，高品位のＬＳＩを製造する上で有用となる。 【０００６】上記の理由により，酸素濃度が（１５～２０）×１０17個／ｃｍ3 である前記半導体基板では，その表面に前記微小欠陥が存在しない無欠陥層（以下，ＤＺ（Denuded Zone）層と記す）を形成するとともに，その内部に前記微小欠陥が存在する欠陥層（以下，ＩＧ（Intrinsic gettering)層と記す）を形成するための熱処理が施されている。具体的には，例えば前記半導体基板に窒素雰囲気中１１００～１２００℃で４時間程度の熱処理を施し，酸素を外方に拡散させることにより表面近傍における酸素濃度を低下させ（ＤＺ層の形成），次いで窒素雰囲気中約７００℃で４時間程度の熱処理を施し，前記半導体基板の内部に前記酸素析出物を高密度に生成させる。この後，ＬＳＩ製造時における酸素雰囲気中約１０００℃で１６時間程度の酸化処理の際，前記酸素析出物から前記微小欠陥を発生させる（ＩＧ層の形成）。」 ・「【００２５】 【実施例及び比較例】以下，本発明に係る半導体基板の実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体基板の実施例（１）を模式的に示した断面図であり，図中１０は１０×１０17個／ｃｍ3 の酸素濃度を有する半導体基板を示している。半導体基板１０の厚みｔは約６４０μｍであり，半導体基板１０の裏面１０ｂから３００μｍ（約1/2 ｔ）までの全領域１０ｃには，イオン注入法により注入されたＣを１×１０17個／ｃｍ3 （分母は注入領域の単位体積）の濃度で含有している。このものを製造する場合，窒素雰囲気中１１００～１２００℃，４時間程度の熱処理及び窒素雰囲気中約７００℃，４時間程度の熱処理は施さない。」 ・「【００３０】これらの結果から明らかなように，実施例（１）に係る半導体基板１０では，酸素含有量が少ないため，窒素雰囲気中１１００～１２００℃で４時間程度の高温（酸素外方拡散）熱処理を施すことなく，表面１０ａから半導体基板１０の厚みｔの約１／２までの領域にＤＺ層を形成することができ，この結果，ピットの発生や酸化膜の耐圧不良の発生を防止することができる。一方，所定濃度のＣ含有領域に自由体積 3/2Ｖを形成することができ，酸素濃度が低い１０×１０17個／ｃｍ3 の場合でも酸素析出反応を進行させることができる。このためＬＳＩ製造時に行われる約１０００℃で１６時間程度の熱処理の際，同時に裏面１０ｂから半導体基板１０の厚みｔの略１／２までの領域に酸素析出物を形成することができ，微小欠陥を発生させてＩＧ層を形成することができる。したがって，Ｆｅ等により半導体基板１０が汚染された場合でもＦｅ等をこのＩＧ層に吸着させることができ，積層欠陥の発生を防止することができ，この結果，積層欠陥の発生に伴うリーク電流の増大を防止することができる。」 したがって，上記引用文献２には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「表面から半導体基板の厚みｔの約１／２までの領域に微小欠陥が存在しない無欠陥層（以下，ＤＺ（Denuded Zone）層と記す）を形成し， 裏面から半導体基板の厚みｔの略１／２までの領域に酸素析出物を形成し，微小欠陥を発生させて微小欠陥が存在する欠陥層（以下，ＩＧ（Intrinsic gettering)層と記す）を形成した単結晶シリコン（Ｓｉ）の半導体基板であって， 前記半導体基板の厚みｔは約６４０μｍであり，半導体基板の裏面から３００μｍ（約1/2 ｔ）までの全領域には，イオン注入法により注入されたＣを１×１０17個／ｃｍ3 （分母は注入領域の単位体積）の濃度で含有しており，ＬＳＩ製造時に行われる約１０００℃で１６時間程度の熱処理の際，同時に裏面から半導体基板の厚みｔの略１／２までの領域に酸素析出物を形成して，微小欠陥を発生させてＩＧ層を形成することができる単結晶シリコン（Ｓｉ）の半導体基板。」 ３　引用文献３について 当審拒絶理由２に引用された引用文献３（特開平９－１７８００号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【請求項５】請求項１に記載の製造方法によって製造したシリコンウエーハにおいて，２０ｎｍ以上の酸素析出物（ＢＭＤ）密度が１０3 個／ｃｍ3 以下である無欠陥層（ＤＺ層）をウエーハ表面から少なくとも１０μｍの肉厚で形成し，その内側のバルク部のＢＭＤ密度を１×１０3 個／ｃｍ3 以上かつｅｘｐ｛９．２１×１０-18 ×［Ｏｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 以下にしたことを特徴とするシリコンウエーハ。」 ・「【００４６】測定結果及び熱処理条件を表１及び表２に示す。また，図２は，初期酸素濃度とＢＭＤ密度の関係を示すグラフである。なお，表中の注１は，ウエーハ表面から最初に大きさ２０ｎｍ以上のＢＭＤが観察されるまでの深さである（ＤＺ層内には大きさ２０ｎｍ以上のＢＭＤは無い）。」 したがって，上記引用文献３には，ＤＺ層が，析出物を含まないか，あるいは，１０４ｃｍ－３未満程度にわずかに含むものであるという技術的事項が記載されていると認められる。 ４　引用文献４について 当審拒絶理由２に引用された引用文献４（特開平５－７４７８４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【０００９】 【実施例】以下，本発明に係るシリコン基板の製造方法の実施例について，図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例に係るシリコン基板の製造方法の工程を示す断面図である。 【００１０】図１（ａ），（ｂ）に示すように，まず，７.５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3（ＪＥＩＤＡ）の格子間酸素を含んだ単結晶シリコン基板１を準備し，この単結晶シリコン基板１の裏面（図中の上面）に，例えばＳｉＨ4ガスを用い６２０℃の温度にて通常のＣＶＤ法によって，多結晶シリコン膜２を１.５μｍの厚さに被着し，シリコン基板３を得る。 【００１１】このようにして準備したシリコン基板３に，例えば１２００℃，１時間の高温熱処理を施す（図１（ｃ））。次に，このシリコン基板３に例えば５５０℃，４８時間の低温熱処理を加える（図１（ｄ））。この結果，単結晶シリコン基板１内部に，酸素析出物の核４（図１（ｄ）中×印）が成長する。そして，多結晶シリコン膜２と単結晶シリコン基板１との界面近傍においては，酸素析出物の発生量が多くなる。次に，析出物を顕在化させるために，１０００℃，２４時間の熱処理を施す。そして，表１は，光顕微鏡の観察により求めた酸素析出物の密度を示している。酸素濃度の同じ単結晶シリコン基板に，多結晶シリコン膜２を被着した場合と，被着しない場合とを比較して示している。」 ・【００１２】の【表１】から，「多結晶シリコン膜２有」の条件における，「裏面側」の酸素析出物の密度が，８.２×１０7個／ｃｍ3であることが読み取れる。 ・「【００１３】この表より，低酸素濃度のシリコン基板にあっても，多結晶シリコン膜をその裏面に形成することにより，そのシリコン基板の内部に形成される酸素析出物の核の成長が助長されることがわかる。すなわち，十分な量のゲッタリング源をシリコン基板の内部に確保することができる。この場合，この酸素析出物の周囲に形成される歪はゲッタリング源として機能することとなる。すなわち，このシリコン基板３は十分なＩＧ効果を有することとなる。例えば，その後のデバイス形成工程において，これらの歪に重金属等が析出される結果となる。 【００１４】また，このシリコン基板３にあっては，多結晶シリコン膜２の結晶粒界はＥＧ（エクストリンシック・ゲッタリング）源として作用する。なお，この多結晶シリコン膜２は，デバイス形成工程にあって酸化工程等を繰り返すと，それの一部が酸化により消費されたり，多結晶シリコンの再結晶化が起こる。しかし，多結晶シリコン膜２のこの様な変化が起きても，上記酸素析出物の成長に起因して，積層欠陥などの二次欠陥がこの酸素析出物の近傍に高密度に発生し，これが強力なゲッター源として作用し，不純物等を析出させる。つまり，ゲッター効果が強力で長持ちし，クリーンである。 【００１５】さらに，出発原料の単結晶シリコン基板１の酸素濃度が，従来のＩＧ効果を有する高酸素シリコン基板より低いので，より完全なＤＺ（無欠陥層）５をシリコン基板３の表面（デバイス活性領域）に実現できる。また，不純物等のゲッタリング源も，酸素析出物の周囲の歪，多結晶シリコン膜の結晶粒界，積層欠陥等で，ＩＧ効果に加え，強力で長持ちするＥＧ効果を得ることができる。以上の結果，デバイス特性の劣化，製品の歩留りの低下をなくすことができる。」 したがって，上記引用文献４には，次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。 「７.５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の格子間酸素を含んだ単結晶シリコン基板の裏面に，多結晶シリコン膜を１.５μｍの厚さに被着し，熱処理を加えて，前記多結晶シリコン膜と前記単結晶シリコン基板との界面近傍に多くの酸素析出物を発生させた単結晶シリコン基板であって， 単結晶シリコン基板の裏面側（多結晶シリコン膜と単結晶シリコン基板との界面側）の酸素析出物の密度が，８.２×１０7個／ｃｍ3であり，この酸素析出物の周囲に形成される歪はゲッタリング源として機能して，例えば，その後のデバイス形成工程において，これらの歪に重金属等が析出される結果となるものであり， さらに，出発原料の単結晶シリコン基板の酸素濃度が，従来のＩＧ効果を有する高酸素シリコン基板より低いので，より完全なＤＺ（無欠陥層）を単結晶シリコン基板の表面（デバイス活性領域）に実現できる， 単結晶シリコン基板。」 ５　引用文献５について 当審拒絶理由２に引用された引用文献５（特開平５－１４４８２４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【００１９】 【実施例】以下，この発明の一実施例を図を用いて説明する。 【００２０】図１は，この発明の第１の実施例によるシリコンウェーハ（半導体基板）１の断面構造図である。シリコンウェーハ１は膜厚Ｔ1 が約１００μｍ，酸素濃度が２～３×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のＤＺ層７ａと，膜厚Ｔ2 が約４３０μｍ，酸素濃度が１６～１７×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のＩＧ層８ａの積層体から構成される。ＤＺ層７ａは欠陥や酸素析出物の発生がなく，その層の厚みはウェーハ面内で均一に形成されている。図１６に示されるように，ＤＺ層７ａおよびＩＧ層８ａの酸素濃度は基板深さ方向に沿って各々平坦に分布し，ＤＺ層７ａとＩＧ層８ａとの境界面付近で急峻に変化する分布となっている。 【００２１】次に，図１に示すシリコンウェーハ１の製造方法について説明する。図２ないし図４はその製造方法を順に示した断面図である。 【００２２】まず，図２に示すように，２つの単結晶シリコンウェーハ７，８を用意する。第１の単結晶シリコンウェーハ７はＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｆｉｅｌｄ　ａｐｐｌｉｅｄ　Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により形成された，面方位（１００），酸素濃度が２～３×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシリコンウェーハである。また，第２の単結晶シリコンウェーハ８はＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により製造された，面方位（１００），酸素濃度が１６～１８×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシリコンウェーハである。第１単結晶シリコンウェーハ７と第２単結晶シリコンウェーハ８の接合面９，９は，まずメカノケミカルポリシング法を用いて鏡面研磨される。メカノケミカルポリシング法は，研磨剤として１００～５００ÅのＳｉＯ2 微粒子を主成分としたｐＨ９～１２のコロイダルシリカ溶液を用い，研磨布として，不織布にポリウレタンを含浸させた人工皮革を用い，一定温度下でウェーハに加圧して摺動させる方法である。鏡面研磨が施された後，ウェーハ表面を洗浄しパーティクルを除去した後，親水性処理を行なう。パーティクル除去の洗浄にはＮＨ4 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ混合液が用いられる。鏡面研磨加工が施されたウェーハをこの混合液に浸しパーティクルを除去した後，乾燥処理する。混合液中に含まれるＨ2 Ｏ2 はウェーハの表面を親水性にする作用があり，これによりウェーハの表面には－ＯＨが付着する。 【００２３】次に，図３に示すように，親水性処理が行なわれた第１単結晶シリコンウェーハ７と第２単結晶シリコンウェーハ８の各々の接合面９，９同士を互いの結晶軸を揃えて重ね合わせる。そして，たとえば１１００℃程度の高温で熱処理し，両者の接合界面１０の酸素を拡散させる。これにより，２つの単結晶シリコンウェーハ７，８が接合される。 【００２４】その後，図４に示されるように，第１単結晶シリコンウェーハ７および第２単結晶シリコンウェーハ８を所望の厚さに研削し，さらに表面を研磨してＤＺ層７ａとＩＧ層８ａを形成する。この後，半導体素子の製造プロセスに投入される。 【００２５】上記のような製造工程により形成されるシリコンウェーハ１は，ＤＺ層７ａとして予め低酸素濃度のウェーハが使用されるため，従来のＩＧ法に比べて，ＤＺ層形成のための酸素の外方拡散のための高温熱処理を行なう必要がない。このため，熱応力によるウェーハのそりやスリップ転位の発生を防ぐことができる。また，高温熱処理のためのアニール工程などで生じる二次汚染による欠陥の発生を防ぐことができる。また，ＩＧ層８ａとして予め高酸素濃度のウェーハを使用しているため，上記の製造工程の段階で酸素析出核の成長のための低温熱処理を行なう必要がない。あるいは，必要であっても比較的短時間の熱処理で酸素析出核を成長させることができる。そして，半導体装置の製造プロセスに投入された後，製造工程での熱処理を受けてＩＧ層８ａに酸素析出物が形成される。そして，これがゲッタリング効果を生じさせる。」 したがって，上記引用文献５には，次の発明（以下「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。 「ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｆｉｅｌｄ　ａｐｐｌｉｅｄ　Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により形成された面方位（１００），酸素濃度が２～３×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシリコンウェーハである第１の単結晶シリコンウェーハ７と，ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により製造された，面方位（１００），酸素濃度が１６～１８×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシリコンウェーハである第２の単結晶シリコンウェーハ８の各々の接合面９，９同士を互いの結晶軸を揃えて重ね合わせ，１１００℃程度の高温で熱処理し，両者の接合界面１０の酸素を拡散し，これにより，２つの単結晶シリコンウェーハ７，８を接合し，その後，第１単結晶シリコンウェーハ７および第２単結晶シリコンウェーハ８を所望の厚さに研削・研磨して形成した，ＤＺ層７ａとＩＧ層８ａとを有するシリコンウェーハ１であって， 前記シリコンウェーハ（半導体基板）１は，膜厚Ｔ1 が約１００μｍ，酸素濃度が２～３×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のＤＺ層７ａと，膜厚Ｔ2 が約４３０μｍ，酸素濃度が１６～１７×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のＩＧ層８ａの積層体から構成されるものであるシリコンウェーハ１。」 ６　引用文献６について 当審拒絶理由２に引用された引用文献６（特開平１０－５０７１５号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【請求項１】ＣＺ法にて育成されたシリコン単結晶であり，酸素濃度が１２～２７×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3，炭素濃度が０．５～３２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の各範囲にあり，ＥＧ効果が期待できる処理が全く施されていないウェーハの表面にエピタキシャル膜が成膜されたシリコンウェーハ。」 ・「【００１０】昨今，デバイスの高集積度化が進むにつれて，この炭素濃度Ｃｓ低減化対策が非常に重要視されており，酸素濃度Ｏｉ及び炭素濃度Ｃｓを低く抑制させることによって表面完全性を向上させ，強いてはデバイス不良の原因となる表面及び表面近傍に存在するＢＭＤ（Ｂｕｌｋ－ｍｉｃｒｏ‐ｄｅｆｅｃｔｓ）及びそれに伴って発生する二次欠陥，例えばＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ－Ｉｎｄｕｃｅｄ－ＳｔａｃｋｉｎｇＦａｕｌｔ）等の発生量を抑制させる方法が提案されている。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来からのかかる酸素並びに炭素濃度の低減化による方法のみでは，今後の更なる高集積，微細化されるデバイス構造に対して対応できなくなることが十分予測される。そこで，最近ではエピ・ウェーハがＤ‐ＲＡＭ等半導体用ウェーハとして多く用いられる傾向にある。 【００１２】すなわち，エピ・ウェーハの場合，エピタキシャル層中には酸素が，例えば０．１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（ＳＩＭＳによる測定）程度とほとんど存在しないためにデバイス特性に悪影響を及ぼすＢＭＤ等の欠陥が発生できる状況になく，エピタキシャル層内中における結晶の完全性が極めて高い。また，デバイス特性を左右する，例えば酸化膜耐圧特性のような電気的特性評価についても，エピタキシャル層無しの状態に比べ大幅に電気的特性，例えば酸化膜耐圧特性値が向上することが一般的に知られている。」 ・「【００１７】同様に，例えば，ウェーハ中にＰ（リン）やＢを含む通常抵抗品（数～数十Ω・ｃｍ）の場合において，エピタキシャル成長を施すことによりウェーハ内部に存在していたＢＭＤなどの酸素折出物が激減してしまう・・・」 ・「【００１９】 【課題を解決するための手段】発明者は，ウェーハに切り出し成形後のＥＧ効果が期待できる処理を一切施すことなく，ウェーハのゲッタリング能の向上させ得る方法を目的に，引き上げたままのシリコンウェーハ自体にゲッタリング能の付与することを検討した結果，酸素濃度を比較的高く，かつ意図的に炭素濃度を高くするようにＣＺ法にて育成されたシリコン単結晶は，ＥＧ処理を施すことなく，ウェーハ自体に優れたゲッタリング能が発揮されることを知見し，この発明を完成した。」 ・「【００２６】この発明において，前述したように酸素濃度Ｏｉと炭素濃度Ｃｓを増加させることは，ＢＭＤ等の発生を促すためであり，言い換えれば表面及び表面近傍の完全性を劣化させることでもある。」 したがって，上記引用文献６には，次の発明（以下「引用発明６」という。）が記載されていると認められる。 「ＣＺ法にて育成されたシリコン単結晶であり，酸素濃度が１２～２７×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3，炭素濃度が０．５～３２×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の各範囲にあり，ＥＧ効果が期待できる処理が全く施されていないウェーハの表面にエピタキシャル膜が成膜されたシリコンウェーハであって， 前記エピタキシャル膜は，その中に酸素が，例えば０．１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（ＳＩＭＳによる測定）程度とほとんど存在しないためにデバイス特性に悪影響を及ぼすＢＭＤ等の欠陥が発生できる状況にないものであり， 前記酸素濃度を比較的高く，かつ意図的に炭素濃度を高くするようにＣＺ法にて育成されたシリコン単結晶のウェーハは，酸素濃度Ｏｉと炭素濃度Ｃｓを増加させたことで，ＢＭＤ等の発生が促されて，ウェーハ自体に優れたゲッタリング能が発揮されるものである， シリコンウェーハ。」 ７　引用文献７について 当審拒絶理由２に引用された引用文献７（特開平４－１４４２３５号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「（３）シリコン単結晶ウェーハの二つの表面のうち，デバイス形成を行わない面全体を低温源に接触せしめ，デバイス形成を行う面側を連続的もしくはパルス的に高温で加熱すると同時に，格子間酸素振動波長近傍の光ビーム照射することを，不活性ガス雰囲気中で行うことにより，前記デバイス形成を行う面の表面近傍から格子間酸素を外方拡散させてデヌーデッドゾーンを形成すると同時に，前記ウェーハ内部にゲッタリングサイトに成長する析出核を多数生成せしめることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。」（特許請求の範囲） ・「すなわち，第１ａ図に模式的に示すように，本発明の半導体ウェーハ１０は，デバイス形成面１２から断面深さ方向（厚さ方向）の所定のデバイス形成領域１４では酸素濃度が低く，例えば，５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり，格子欠陥の存在しないデヌーデット領域（ＤＺ）が形成され，デバイス形成領域１４の内側からデバイス非形成面１６近辺までのゲッタリング領域１８では，酸素濃度が高く，例えば，１．４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり，デバイス形成中にウェーハ内に誘起もしくは存在する有害な不純物や欠陥を吸収して取り除くすなわちゲッタリングのためのゲッターサイトに成長する析出核（格子欠陥）２０が多数存在する。」（第３ページ左上欄第１１行－同ページ右上欄第５行） したがって，上記引用文献７には，次の発明（以下「引用発明７」という。）が記載されていると認められる。 「シリコン単結晶ウェーハの二つの表面のうち，デバイス形成を行わない面全体を低温源に接触せしめ，デバイス形成を行う面側を連続的もしくはパルス的に高温で加熱すると同時に，格子間酸素振動波長近傍の光ビーム照射することを，不活性ガス雰囲気中で行うことにより，前記デバイス形成を行う面の表面近傍から格子間酸素を外方拡散させてデヌーデッドゾーンを形成すると同時に，前記ウェーハ内部にゲッタリングサイトに成長する析出核を多数生成せしめる方法で作製された半導体ウェーハであって， 前記半導体ウェーハは，デバイス形成面から断面深さ方向（厚さ方向）の所定のデバイス形成領域に，酸素濃度が低く，格子欠陥の存在しないデヌーデット領域（ＤＺ）が形成され， デバイス形成領域の内側からデバイス非形成面近辺までのゲッタリング領域には，デバイス形成中にウェーハ内に誘起もしくは存在する有害な不純物や欠陥を吸収して取り除くすなわちゲッタリングのためのゲッターサイトに成長する析出核（格子欠陥）が多数存在するものである， 半導体ウェーハ。」 ８　引用文献８について 当審拒絶理由２に引用された引用文献８（特開平２－１６４０４０号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「２．特許請求の範囲 シリコン半導体基板の一面の全面もしくは一部分にシリコン酸化膜を形成後，さらに同面の全面にシリコン窒化膜を被着させる第１工程と，前記工程後のシリコン半導体基板を高温熱処理し，シリコン窒化膜を被着していない他面において，一定の深さまで過飽和酸素を外部拡散により除去する第２工程と，前記シリコン窒化膜の全部あるいは一部を除去する第３工程と，前記シリコン半導体基板を１０００℃より低い温度で熱処理し，基板内に酸素析出核を形成する第４工程とを含むことを特徴とするシリコン半導体基板の処理方法。」 ・「次に第２図は第２工程を示すもので，シリコン半導体基板１を，５％の酸素を含む窒素雰囲気中で１１００℃，２時間の熱処理を施し，これによってシリコン半導体基板１の内部にほぼ一様に分布している格子間酸素の，シリコン酸化膜２およびシリコン窒化膜３によってマスクされていない方の表面から外部拡散４が起き，その結果，この表面付近の領域では格子間酸素濃度は低くなる。この領域が素子活性領域として用いられる。またこの際，シリコン窒化膜３による応力はシリコン酸化膜２によって緩和され，シリコン半導体基板ｌの変形はおこらない。 続いて，このシリコン半導体基板ｌからシリコン酸化膜２およびシリコン窒化膜３を除去する第３工程後，第４工程として第３図に示すように，窒素ふんい気中で６５０℃，４時間の熱処理を施し，シリコン半導体基板ｌの内部の，格子間酸素濃度の高い領域に酸素析出核５を成長させる。次に，このシリコン半導体基板ｌを乾燥酸素ふんい気中で１０００℃，１６時間の熱処理を行なうと，第４図に示すように酸素析出核５が形成されている領域に酸素析出物６が成長する。また最初にシリコン酸化膜２およびシリコン窒化膜３でマスクされていた方の表面付近には酸素析出核５が高密度に存在しているので，この表面には，酸素析出物６の成長に伴い，積層欠陥７が高密度に発生し，これが強力なＥＧ源として作用する。」（第２ページ右下欄第１１行－第３ページ左上欄第１８行） したがって，上記引用文献８には，次の発明（以下「引用発明８」という。）が記載されていると認められる。 「シリコン半導体基板の一面の全面もしくは一部分にシリコン酸化膜を形成後，さらに同面の全面にシリコン窒化膜を被着させる第１工程と，前記工程後のシリコン半導体基板を高温熱処理し，シリコン窒化膜を被着していない他面において，一定の深さまで過飽和酸素を外部拡散により除去する第２工程と，前記シリコン窒化膜の全部あるいは一部を除去する第３工程と，前記シリコン半導体基板を１０００℃より低い温度で熱処理し，基板内に酸素析出核を形成する第４工程とを含む方法で作製されたシリコン半導体基板であって， 前記シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜によってマスクされていない方の表面は，熱処理によって格子間酸素の外部拡散が起き，その結果，この表面付近の領域では格子間酸素濃度が低くなり，この領域は素子活性領域として用いられるものであり， 前記最初にシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜でマスクされていた方の表面付近は，酸素析出核が高密度に存在しており，この表面には，酸素析出物の成長に伴い，積層欠陥が高密度に発生し，これが強力なＥＧ源として作用するものである， シリコン半導体基板。」 ９　引用文献９について 当審拒絶理由２に引用された引用文献９（特開昭６４－１２５３７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「２．特許請求の範囲 半導体基板を１０５０℃より高い温度で３０分間以上熱処理する工程と，この半導体基板を１０００℃より低い温度で２時間以上熱処理する工程と，半導体基板の内部に形成された欠陥層を表面に露出させる工程とを有することを特徴とする半導体基板の欠陥層形成方法。」 ・「［作用］ 本発明においては，先ず，半導体基板を１０５０℃より高い温度で３０分間以上熱処理して基板の表面近傍の領域の格子間酸素を外部へ拡散させる。これにより，この領域の酸素濃度が低下する。 次いで，半導体基板を１０００℃より低い温度で２時間以上熱処理して，格子間酸素濃度が高い内部領域に酸素析出核を成長させる。 その後，例えば，基板表面を研磨するか，又は基板の中心を切断することにより，内部欠陥層を表面に露出させる。これにより，イントリンシック・ゲッタリングに加えて，エクストリンシック・ゲッタリング源となる欠陥層が形成される。」（第２ページ左下欄第１２行－同ページ右下欄第４行） したがって，上記引用文献９には，次の発明（以下「引用発明９」という。）が記載されていると認められる。 「半導体基板を１０５０℃より高い温度で３０分間以上熱処理する工程と，この半導体基板を１０００℃より低い温度で２時間以上熱処理する工程と，半導体基板の内部に形成された欠陥層を表面に露出させる工程とを有する方法によって作製された半導体基板であって， 前記半導体基板の，研磨又は中心の切断が行われない側の表面は，格子間酸素が外部へ拡散し，この領域の酸素濃度が低下したものであり， 前記半導体基板の，研磨又は中心の切断が行われる側の表面は，内部欠陥層が表面に露出し，これにより，イントリンシック・ゲッタリングに加えて，エクストリンシック・ゲッタリング源となる欠陥層が形成されるものである， 半導体基板。」 １０　引用文献１０について 当審拒絶理由２に引用された引用文献１０（特開昭６２－１１９９２９号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「２．特許請求の範囲 イントリンシツクゲツタリング処理として，半導体基板を電解還元し，表面付近の溶存酸素を除いたことを特徴とするゲツタリング能力をもたせた半導体基板の作製方法。」 ・「第２図は本実施例によって作製した半導体基板１の模式的な断面図である。従来法によるものと異なり，無欠陥層８は半導体基板１の片側表面だけに形成され，この領域の完全性も非常に高い。内部は酸素がのこっているから，その後の熱処理により欠陥領域９となり，ゲッタリングセンタ７を有する。 なお，本実施例は半導体基板としてシリコンを用いたものを示したが，他の半導体についても同様に応用することができる。」（第２ページ左下欄第１８行－同ページ右下欄第７行） したがって，上記引用文献１０には，次の発明（以下「引用発明１０」という。）が記載されていると認められる。 「イントリンシツクゲツタリング処理として，半導体基板を電解還元し，表面付近の溶存酸素を除いた，ゲツタリング能力をもたせた半導体基板であって， 前記半導体基板の片側表面だけに無欠陥層が形成され，この領域の完全性は非常に高く， 内部は酸素がのこっているから，その後の熱処理により欠陥領域となり，ゲッタリングセンタを有するものとなり， 前記半導体基板がシリコンである， ゲツタリング能力をもたせた半導体基板。」 １１　引用文献１１について 当審拒絶理由２に引用された引用文献１１（特開２００６－３４４８２３号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【００１１】 上記のシリコンウェーハの製造方法によれば，格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のシリコンインゴットを用いることで，ＩＧＢＴ製造工程での酸素析出物（ＢＭＤ）の生成による再結合ライフタイムの低下，及び，酸素ドナー形成による抵抗率変化を防止できる。 また，シリコンインゴットに中性子を照射することによりシリコン原子の一部をリンに変換させ，これによりシリコンインゴットにリンを均一にドープさせることが可能となり，抵抗率が均一なウェーハが得られる。更に，ウェーハに対して上記式（１）の条件で酸素雰囲気中アニールを行うことにより，シリコンウェーハの表面に酸化シリコン層を形成させ，これに伴って格子間シリコンがウェーハ内部にあるＣＯＰ内部に注入されてＣＯＰを完全に埋め込み，ＣＯＰを完全に消滅させることが可能になる。」 したがって，上記引用文献１１には，格子間シリコンをウェーハ内部にあるＣＯＰ内部に注入することでＣＯＰを完全に埋め込み，ＣＯＰを完全に消滅させることが可能になるという技術的事項が記載されていると認められる。 １２　引用文献１２について 当審拒絶理由２に引用された引用文献１２（特表２００２－５２４８４４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。 ・「【請求項１４】凝集した空孔欠陥を溶解させ，かつ後の熱処理工程において単結晶シリコンウエハ中の酸素の析出挙動を変化させるために，単結晶シリコンウエハを熱処理する方法であって， 単結晶シリコンウエハが，一方がウエハの前表面であり，他方がウエハの後表面である２つのほぼ平行な主表面，前表面と後表面との間にある中央面，前表面および後表面を結ぶ周囲縁，前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面から距離Ｄｓまで伸びる領域層，少なくとも一部が前記領域層と同様の広がりを有し，かつ前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面と距離Ｄとの間にあるウエハ領域を含む表面層，および前記中央面と前記表面層との間にあるウエハ領域を含むバルク層を有する単結晶シリコンウエハであり， 前記ウエハを雰囲気中で熱アニーリング処理して，前記領域層に以前から存在する凝集した空孔欠陥を溶解させること； 前記アニーリング処理ウエハを熱処理して，結晶格子の空孔を前記表面層および前記バルク層に形成させること；および 前記熱処理ウエハの冷却速度を制御して，ピーク密度が前記中央面またはその付近にあり，濃度が前記ウエハの前表面の方向でほぼ低下する空孔濃度プロファイルであり，前記表面層および前記バルク層における空孔の濃度差が，７５０℃を超える温度での前記ウエハの熱処理により，デニューデッドゾーンを前記表面層に形成させることができ，かつ酸素クラスターまたは酸素析出物を前記バルク層に形成させることができ，そして前記バルク層における酸素クラスターまたは酸素析出物の濃度が主として空孔濃度に依存するという空孔濃度プロファイルを有するウエハを製造すること を含んでなる方法。」 したがって，上記引用文献１２には，ウエハを雰囲気中で熱アニーリング処理することで，凝集した空孔欠陥を溶解することができるという技術的事項が記載されていると認められる。 第４　対比・判断 ・引用文献１を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明１の「チョクラルスキー法を用いて生産されたシリコンウエハ」，「酸素析出物が発生しない表層部（表面から１０μｍ程度の深さまでの領域）」は，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明１の「『それよりも深い領域（バルク部）であって，１０７ｃｍ－３以上の酸素析出物が発生する領域』であって『前記酸素析出物が前記所定の濃度で発生するように，投入ウエハの酸素濃度や各工程の熱処理条件等が決定されており，当該酸素析出物は，熱処理装置からウエハの表面に飛来するＦｅ，Ｃｕ，Ｎｉ及びＣｒ等の重金属元素を捕獲するという特性を具えていることが知られており，この特性はゲッタリング技術として広く工業的に応用されている』領域」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明１は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明１，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明１，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献２を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明２とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明２の「単結晶シリコン（Ｓｉ）の半導体基板」は，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」に相当する。また，引用文献３に記載された，ＤＺ層は，析出物を含まないか，あるいは，１０４ｃｍ－３未満程度にわずかに含むものであるという技術常識に照らして，引用発明２の「微小欠陥が存在しない無欠陥層（以下，ＤＺ（Denuded Zone）層と記す）」は，本願発明１の「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明２の「『裏面から半導体基板の厚みｔの略１／２までの領域に酸素析出物を形成し，微小欠陥を発生させて微小欠陥が存在する欠陥層（以下，ＩＧ（Intrinsic gettering)層と記す）』であって，『半導体基板の裏面から３００μｍ（約1/2 ｔ）までの全領域には，イオン注入法により注入されたＣを１×１０17個／ｃｍ3 （分母は注入領域の単位体積）の濃度で含有しており，ＬＳＩ製造時に行われる約１０００℃で１６時間程度の熱処理の際，同時に裏面から半導体基板の厚みｔの略１／２までの領域に酸素析出物を形成して，微小欠陥を発生させてＩＧ層を形成することができる』領域」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明２との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明２は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明２，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明２，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献４を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明４とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明４の「単結晶シリコン基板」，「『単結晶シリコン基板の表面（デバイス活性領域）に実現できる』『より完全なＤＺ（無欠陥層）』」は，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明４の「『７.５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の格子間酸素を含んだ単結晶シリコン基板の裏面に，多結晶シリコン膜を１.５μｍの厚さに被着し，熱処理を加えて，前記多結晶シリコン膜と前記単結晶シリコン基板との界面近傍に多くの酸素析出物を発生させた』領域であって，『この酸素析出物の周囲に形成される歪』が『ゲッタリング源として機能して，例えば，その後のデバイス形成工程において，これらの歪に重金属等が析出される結果となる』『酸素析出物の密度が，８.２×１０7個／ｃｍ3であ』る『単結晶シリコン基板の裏面側（多結晶シリコン膜と単結晶シリコン基板との界面側）』の領域」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明４との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明４は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明４，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明４，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献５を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明５とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明５の「シリコンウェーハ１」，「膜厚Ｔ1 が約１００μｍ，酸素濃度が２～３×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のＤＺ層７ａ」は，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明５の「膜厚Ｔ2 が約４３０μｍ，酸素濃度が１６～１７×１０1 7 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のＩＧ層８ａ」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明５との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明５は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明５，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明５，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献６を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明６とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明６の「『ＣＺ法にて育成されたシリコン単結晶』と，その表面に成膜された『エピタキシャル膜』とからなる『シリコンウェーハ』」，「『その中に酸素が，例えば０．１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満（ＳＩＭＳによる測定）程度とほとんど存在しないためにデバイス特性に悪影響を及ぼすＢＭＤ等の欠陥が発生できる状況にないものであ』る『エピタキシャル膜』」は，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明６の「『酸素濃度Ｏｉと炭素濃度Ｃｓを増加させたことで，ＢＭＤ等の発生が促されて，ウェーハ自体に優れたゲッタリング能が発揮されるものである』『ＣＺ法にて育成されたシリコン単結晶のウェーハ』によって構成される領域」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明６との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明６は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明６，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明６，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献７を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明７とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明７の「『シリコン単結晶ウェーハ』である『半導体ウェーハ』」，「『デバイス形成面から断面深さ方向（厚さ方向）の所定のデバイス形成領域に』形成された『酸素濃度が低く，格子欠陥の存在しないデヌーデット領域（ＤＺ）』であって，『デバイス形成を行う面側を連続的もしくはパルス的に高温で加熱すると同時に，格子間酸素振動波長近傍の光ビーム照射することを，不活性ガス雰囲気中で行うことにより，前記デバイス形成を行う面の表面近傍から格子間酸素を外方拡散させて』形成した『デヌーデッドゾーン』」は，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明７の「『デバイス形成領域の内側からデバイス非形成面近辺までのゲッタリング領域』であって，『デバイス形成中にウェーハ内に誘起もしくは存在する有害な不純物や欠陥を吸収して取り除くすなわちゲッタリングのためのゲッターサイトに成長する析出核（格子欠陥）が多数存在する』領域」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明７との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明７は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明７，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明７，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献８を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明８とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明８の「シリコン半導体基板」，「『シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜によってマスクされていない方の表面』であって，『熱処理によって格子間酸素の外部拡散が起き，その結果，この表面付近の領域では格子間酸素濃度が低くなり，この領域は素子活性領域として用いられる』領域」は，技術常識に照らして，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明８の「『最初にシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜でマスクされていた方の表面付近』であって，『酸素析出核が高密度に存在しており，この表面には，酸素析出物の成長に伴い，積層欠陥が高密度に発生し，これが強力なＥＧ源として作用するものである』領域」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明８との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明８は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明８，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明８，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献９を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明９とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明９の「半導体基板」，「『研磨又は中心の切断が行われない側の表面』であって，『格子間酸素が外部へ拡散し，この領域の酸素濃度が低下した』領域」は，技術常識に照らして，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明９の「『研磨又は中心の切断が行われる側の表面』であって，『内部欠陥層が表面に露出し，これにより，イントリンシック・ゲッタリングに加えて，エクストリンシック・ゲッタリング源となる欠陥層が形成される』領域」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明９との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明９は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明９，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明９，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ・引用文献１０を主引例とした検討 １　本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明１０とを対比すると，次のことがいえる。 ア　引用発明１０の「『シリコンである』『半導体基板』」，「『半導体基板の片側表面だけに』形成された『無欠陥層』」は，それぞれ，本願発明１の「単結晶シリコンウェハ」，「上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域」に相当する。 イ　引用発明１０の「『その後の熱処理により欠陥領域となり，ゲッタリングセンタを有するものとな』る『内部』」と，本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含み，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域』であって，かつ，前記下面が，『下面に機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』もの」とは，「半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域」である点で一致する。 したがって，本願発明１と引用発明１０との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 （一致点） 「単結晶シリコンウェハであって， 上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０4未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と， 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した，第２の領域と， を有する単結晶シリコンウェハ。」 （相違点） 半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，本願発明１では，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えたものであるのに対し，引用発明１０は，このような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 上記相違点について検討すると，相違点に係る本願発明１の「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，上記引用文献１ないし１２のいずれにも記載されておらず，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明１０，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 ２　本願発明２ないし８について 本願発明２ないし８は，いずれも本願発明１の，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明１０，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 第５　当審拒絶理由２について １　特許法第３６条第６項第１号について 当審では，「出願時の技術常識に照らしても，『半導体材料ウェハ』が，『単結晶シリコンウェハ』以外の材料からなる『半導体材料ウェハ』である場合にまで，特許請求の範囲に記載された発明特定事項を満たすことで，『半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングする』ことに適したという効果を奏するとは認められない。したがって，本願の請求項１－１０に係る発明の範囲まで，発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないから，本願の請求項１－１０に記載された発明は，発明の詳細な説明に記載されたものとは認められない。」との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年４月２８日付けの補正において，補正後の請求項１が，「単結晶シリコンウェハ・・・」と補正された結果，本願発明１ないし８は，いずれも，「単結晶シリコンウェハ」を発明特定事項とするから，この拒絶の理由は解消した。 ２　特許法第３６条第４項第１号について 当審では，「発明の詳細な説明には，『半導体材料ウェハ』が，『単結晶シリコンウェハ』以外の場合，すなわち，『半導体材料ウェハ』が，『単結晶以外のシリコンウェハ』，あるいは，『ゲルマニウム原子，ガリウム砒素，インジウムリン，または炭化ケイ素等からなるウェハ』である場合に，『上面に形成され，析出物を含まないか，または，１立方センチメートル当り１０４未満の酸素析出物濃度で酸素析出物をわずかに含む第１の領域と，下面に形成され，１立方センチメートル当り１０７よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』む第２の領域とを有する半導体材料ウェハを作製する方法が記載されておらず，また，出願の技術常識から，当該構成を備えた半導体材料ウェハを作製する方法が周知であったとも認められない。・・・したがって，発明の詳細な説明の記載は，当業者が，特許請求の範囲に記載された発明を実施することができる程度に明確かつ十分なものとは認められない。」との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年４月２８日付けの補正において，補正後の請求項１が，「単結晶シリコンウェハ・・・」と補正された結果，本願発明１ないし８は，いずれも，「単結晶シリコンウェハ」を発明特定事項とするから，この拒絶の理由は解消した。 ３　特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項について 当審では，請求項１ないし１０に係る発明は，上記引用文献１，２，及び，引用文献４ないし１０に記載された発明であるか，上記引用文献１ないし１２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，あるいは，同条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由を通知した。 その後，平成２９年４月２８日付けの手続補正書により，請求項１ないし８は，それぞれ，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えるものと補正された。 そして，上記第４のとおり，本願発明１ないし８は，上記引用文献１，２，及び，引用文献４ないし１０に記載された発明とはいうことができず，また，請求項１ないし１０に係る発明は，上記引用文献１ないし１２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものともいえない。 したがって，特許法第２９条第１項第３号に該当し，あるいは，同条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由は解消した。 第６　当審拒絶理由３について １　特許法第３６条第６項第２号について（１） 当審では，「請求項１の『表面粗度』は，定義が明確でない不明瞭な記載である。」との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年８月１０日付けの補正において，補正後の請求項１が，「・・・表面粗さ・・・」と補正されるとともに，同日付けの意見書において「請求項１記載の『表面粗度』を技術用語として明確な『表面粗さ』に補正しました。また，拒絶理由通知において，『「表面粗度（表面粗さ）」が，「Ｒａ」（算術平均粗さ），「Ｒｑ」（二乗平均平方根高さ），「Ｒｚ」（最大高さ）等のいずれのパラメータを特定しようとしているのか不明である』旨ご指摘されております。本発明の技術分野に限らず，『表面粗さ』のパラメータとして，算術平均高さＲａが広く使われております。本発明の技術分野においても同様に，表面粗さのパラメータは算術平均粗さＲａが使われます。それゆえ，請求項１記載の『表面粗さ』は，本発明の技術常識から『算術平均粗さＲａ』のことであることは明らかです。」との主張がされたことから，この拒絶の理由は解消した。 ２　特許法第３６条第６項第２号について（２） 当審では，請求項９及び請求項１０について，「請求項９，請求項１０の『請求項１～８の何れか１項に記載の単結晶シリコンウェハ（２，１０，１００）を材料とする半導体基板を有する・・・』は不明瞭な記載である。」との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年８月１０日付けの補正において，請求項９及び請求項１０が削除されたことから，この拒絶の理由は解消した。 ３　特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項について 当審では，請求項９及び請求項１０に係る発明は，前記した引用文献１ないし１２に記載された発明であり，また，前記引用文献１ないし１２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，あるいは，同条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由を通知しているが，平成２９年８月１０日付けの補正において，請求項９及び請求項１０が削除されたことから，この拒絶の理由は解消した。 第７　当審拒絶理由１について １　特許法第３６条第６項第２号について 当審では，「請求項１には，『半導体材料ウェハ』の製造方法が記載されているといえる。・・・したがって，請求項１に係る発明は明確でない。また，同様の理由によって，請求項１を引用する請求項２ないし１２に係る発明も明確でない。」との拒絶の理由を通知しているが，平成２８年１０月１７日付けの補正において，補正後の請求項から，製造方法に係る「・・・工程・・・」等の記載が削除され，本願の請求項１ないし８には，もはや製造方法が記載されていないから，この拒絶の理由は解消した。 ２　特許法第２９条第２項について ア　当審では，請求項１ないし１２に係る発明は，以下の引用文献１３ないし２０（当審拒絶理由１の引例１ないし８）に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由を通知している。 イ　そして，引用文献１３ないし２０には，それぞれ，以下の技術的事項が開示されている。 ・引用文献１３の【００１１】には，「シリコンウェーハの表面に酸化シリコン層を形成させ，これに伴って格子間シリコンがウェーハ内部にあるＣＯＰ内部に注入されてＣＯＰを完全に埋め込み，ＣＯＰを完全に消滅させる」工程が，また，【００１８】には，「サンドブラスト法などによって，ウェーハ裏面に歪み層を形成してもよい。」ことが，さらに，【００１２】には，「一面上にゲッタリング層としての・・・歪み層が形成されているので，ＩＧＢＴ製造工程における重金属汚染を除去することができる」ことが記載されている。 ・引用文献１４の【０００７】には，「また，高濃度層の最高酸素析出物濃度が３．５×１０９ｃｍ－３以上としたのは，この値未満では十分なゲッタリング効果を得ることができないためである。」ことが記載されている。 ・引用文献１５には，酸素注入によって，半導体材料内に欠陥を形成する工程と，その後，上記半導体材料の熱処理を行うことにより，上記欠陥が形成された欠陥領域内に，上記半導体材料内において溶融される材料が上記欠陥に析出した材料析出物を生成する工程とを含む材料析出物生成方法によって製造された半導体材料ウェハが記載されている。 ・引用文献１６には，酸素のイオン注入によって，半導体材料内に欠陥を形成する工程と，その後，上記半導体材料の熱処理を行うことにより，上記欠陥が形成された欠陥領域内に，上記半導体材料内において溶融される材料が上記欠陥に析出した材料析出物を生成する工程とを含む材料析出物生成方法によって製造された半導体材料ウェハが記載されている。 また，【００２５】には，「酸素のイオン注入は表面・裏面いずれから行ってもよい。」ことが記載されている。 ・引用文献１７の第５頁左下欄第３－６行等には，酸素のイオン注入によって，半導体材料内に欠陥を形成する工程と，その後，上記半導体材料の熱処理を行うことにより，上記欠陥が形成された欠陥領域内に，上記半導体材料内において溶融される材料が上記欠陥に析出した材料析出物を生成する工程とを含む材料析出物生成方法によって製造された半導体材料ウェハにおいて，前記酸素と同時に炭素を注入することによって，前記半導体材料ウェハが，炭素を含むものとすることが記載されている。 ・引用文献１８の第３頁左上欄第１３－２０行等には，酸素のイオン注入によって，半導体材料内に欠陥を形成する工程と，その後，上記半導体材料の熱処理を行うことにより，上記欠陥が形成された欠陥領域内に，上記半導体材料内において溶融される材料が上記欠陥に析出した材料析出物を生成する工程とを含む材料析出物生成方法によって製造された半導体材料ウェハにおいて，析出物を含まない第１の領域の厚さを，少なくとも１５μｍ以上とすることが記載されている。 ・引用文献１９の請求項８には，１立方センチメートル当り４×１０１０よりも高い材料析出物濃度で析出物を含む領域と，層厚が１５μｍ以上の析出物を含まないか，または，わずかに含む領域を有する半導体材料ウェハが記載されている。 また，【００２２】－【００２３】には，原子空孔に起因する欠陥が，ＤＺ層に存在することが望ましくないことが示唆されている。 ・引用文献２０の【００５１】には，炭素が酸素析出核形成中心の生成の触媒作用を果たすため，単結晶シリコンが，１立方センチメートル当りの原子が５×１０１５以下の濃度または５×１０１６以下の濃度の炭素を含むことが望ましいことが記載されている。 また，【００５３】には，「ウエハ１を包み込む表面酸化物層９を成長させるために，工程Ｓ１において酸素含有雰囲気中でウエハ１を熱処理する。」ことが，【００６０】には，「工程Ｓ２が終了すると，・・・空孔は酸化物層へ拡散してから消滅し」と記載されている。 ウ　一方，本願発明１ないし８は，それぞれ，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えた発明である。 エ　そして，前記「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，引用文献１３ないし２０のいずれにも記載されておらず，また，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 オ　したがって，本願発明１ないし８は，当業者であっても引用文献１３ないし２０に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえないから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由は解消した。 引　用　文　献　等　一　覧 １３．特開２００６－３４４８２３号公報 １４．特開２００３－７７１１号公報 １５．特開平１－３０７２３２号公報 １６．特開平４－３６８１３１号公報 １７．特開昭６０－４２８３９号公報 １８．特開平４－１３４８３０号公報 １９．特開２００２－１３４５１５号公報 ２０．特表２００４－５３３１２５号公報 第８　原査定の概要及び原査定についての判断 ア　原査定は，請求項１ないし１２に係る発明は，以下の引用文献２１ないし２４に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。 イ　一方，本願発明１ないし８は，それぞれ，半導体材料ウェハの加工時に重金属イオンをゲッタリングすることに適した領域が，「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成を備えた発明である。 ウ　そして，前記「『下面に形成され，１立方センチメートル当り１０7よりも高い酸素析出物濃度で酸素析出物を含』むものであり，かつ，前記第２の領域が形成される下面が，『機械的欠陥領域が形成され，この機械的欠陥領域の表面粗さが，１マイクロメートル以上であり，１０マイクロメートルよりも小さい』」という構成は，以下の引用文献２１ないし２４のいずれにも記載されておらず，また，本願のもととなる出願の優先日前において周知技術であるともいえない。 エ　したがって，本願発明１ないし８は，当業者であっても引用文献２１ないし２４に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものではない。 したがって，原査定を維持することはできない。 引　用　文　献　等　一　覧 ２１．特開平０８－００８２６３号公報（引用文献２と同一文献） ２２．特開２００６－３４４８２３号公報（引用文献１１と同一文献） ２３．特開２００２－１３４５１５号公報（引用文献１９と同一文献） ２４．特表２００４－５３３１２５号公報（引用文献２０と同一文献） 第９　むすび 以上のとおり，本願発明１ないし８は，当業者が引用文献２１ないし引用文献２４に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。 また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって，結論のとおり審決する。