2025-002337

特願２０２３－５１９８１４「トレンチＳｉＣパワー半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔令和 ４年 ４月２１日国際公開、ＷＯ２０２２／０７８９０８、令和 ５年１１月 １日国内公表、特表２０２３－５４５９６２〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２１年１０月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０２０年１０月１４日、欧州）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和５年５月２２日：手続補正書の提出 令和６年５月１６日付け：拒絶理由通知 令和６年８月２１日：意見書及び手続補正書の提出 令和６年１１月５日付け：拒絶査定 令和７年２月１４日：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和７年２月１４日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和７年２月１４日された手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １．本件補正の内容 本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を本件補正後の特許請求の範囲の請求項１とする補正を含むものであって、本件補正前後の請求項１はそれぞれ以下のとおりである。（下線は本件補正により付加された箇所を示し、審判請求人により付与されたものである。） （１）本件補正前の請求項１ 「【請求項１】 絶縁トレンチゲート電極（５）を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体デバイス（１）を製造するための方法であって、 第１の導電型のドリフト層（３）を提供するステップ（１００）と、 前記ドリフト層（３）上に前記第１の導電型のソース層（４）を形成するステップ（２００）と、 前記ソース層（４）を貫通して前記ドリフト層（３）内へと延在する前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成するステップ（３００）と、 最大８％のドーピング変動を有する均質ドーピング領域（６ａ）を有する、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型のインプラント層（６）を生成するために、前記第２の導電型のイオンを前記ドリフト層（３）に注入するステップ（４００）とを含み、 前記均質ドーピング領域（６ａ）は、前記ソース層（４）と前記ドリフト層（３）との間に配置され、少なくとも１５０ｎｍの均質ドーピング領域厚さ（６ｂ）を有し、 前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成する前記ステップ（３００）が、イオンを注入する前記ステップ（４００）の後に実行される、方法。」 （２）本件補正後の請求項１ 「【請求項１】 絶縁トレンチゲート電極（５）を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体デバイス（１）を製造するための方法であって、 第１の導電型のドリフト層（３）を提供するステップ（１００）と、 前記ドリフト層（３）上に前記第１の導電型のソース層（４）を形成するステップ（２００）と、 前記ソース層（４）を貫通して前記ドリフト層（３）内へと延在する前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成するステップ（３００）と、 最大８％のドーピング変動を有する均質ドーピング領域（６ａ）を有する、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型のインプラント層（６）を生成するために、前記第２の導電型のイオンを前記ドリフト層（３）に注入するステップ（４００）とを含み、 前記均質ドーピング領域（６ａ）は、前記ソース層（４）と前記ドリフト層（３）との間に配置され、少なくとも１５０ｎｍの均質ドーピング領域厚さ（６ｂ）を有し、 前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成する前記ステップ（３００）が、イオンを注入する前記ステップ（４００）の後に実行され、 イオンを注入する前記ステップが、イオンエネルギーの異なる複数の注入サブステップを含み、これにより、前記インプラント層内の結果として生じるドーピングプロファイルは、単一のインプラントの重ね合わせによって形成される、方法。」 （３）補正事項 本件補正は、補正前の請求項１に、「イオンを注入する前記ステップが、イオンエネルギーの異なる複数の注入サブステップを含み、これにより、前記インプラント層内の結果として生じるドーピングプロファイルは、単一のインプラントの重ね合わせによって形成される」との事項を付加する補正事項（以下「補正事項１」という。）を含むものである。 ２．補正の目的及び新規事項追加の有無の検討 （１）補正の目的について 上記補正事項１は、本件補正前の請求項１における「イオンを注入する前記ステップ（４００）」を「イオンエネルギーの異なる複数の注入サブステップを含み、これにより、前記インプラント層内の結果として生じるドーピングプロファイルは、単一のインプラントの重ね合わせによって形成される」ものに限定することを目的とするものであり、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。 （２）新規事項の追加の有無について 補正事項１は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項７に記載された事項であるから、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法１７条の２第３項の規定に適合する。 ３．独立特許要件の検討 上記２．（１）で検討したとおり、本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の減縮を目的とする補正事項１を含むものである。そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 （１）本件補正発明の認定 本件補正発明は、上記１．（２）に記載されたとおりのものである。 （２）引用文献１の記載と引用発明 ア 原査定の拒絶の理由において引用文献１として引用された、本願の優先権主張日前に頒布された又は電気通信回線を通して公衆に利用可能となった刊行物である、国際公開第２０１４／２０７７９３号（２０１４年１２月３１日国際公開）には、次の記載がある。（下線は当審により付加した。以下同じ。） 「［0001］ 本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）基板に溝ゲート型の電界効果トランジスタ(Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＭＯＳＦＥＴと略す)を備える半導体装置およびその製造方法に適用して有効な技術に関する。」 「［0020］ （実施の形態１） まず、本実施の形態１の半導体装置の構造について図１および図２を参照して説明する。図１は本実施の形態１の半導体装置の単位素子領域の平面図、図２は図１の半導体装置のＩ－Ｉ線の断面図である。 ［0021］ 本実施の形態１の半導体装置であるパワーＭＯＳＦＥＴは、大電力を取り扱うのに設計された溝ゲート型のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴであり、例えば電力機器の電力の変換や制御に用いられる。」 「［0031］ ソース領域７Ｓは、例えばｎ＋型のＳｉＣにより形成されている。このソース領域７Ｓは、図１に示すように、ボディコンタクト領域３ｂを取り囲み、その外周が溝４に接するように枠状に形成されている。また、ソース領域７Ｓは、図２に示すように、第１ボディ領域３ａの上部に接した状態で設けられている。」 「［0038］ 次に、図３および図４は、それぞれ図２のＩＩ－ＩＩ線およびＩＩＩ－ＩＩＩ線における不純物濃度プロファイルの計算値を示している。なお、図３および図４において横軸のＤｅｐは深さを、縦軸のＣｏｎは不純物濃度をそれぞれ示している。 ［0039］ 図３および図４の太い実線はトータルの不純物濃度プロファイルを示している。また、図３および図４の破線は高濃度領域８、一点鎖線はドリフト層２の不純物濃度プロファイルをそれぞれ示している。また、図４の二点鎖線は第２ボディ領域３ｃの不純物濃度プロファイルを示している。 ［0040］ 図３および図４に示すように、高濃度領域８の不純物濃度（破線）は、ドリフト層２の不純物濃度（一点鎖線）よりも高く設定されている。また、図４に示すように、第２ボディ領域３ｃにおいて高濃度領域８の不純物濃度（破線）は、第２ボディ領域３ｃの不純物濃度（二点鎖線）よりも低くなるように設定されている。これにより、第２ボディ領域３ｃに高濃度領域８が重なっていても、第２ボディ領域３ｃが残されるようになっている。 ［0041］ また、図３および図４の点線は第１ボディ領域３ａの不純物濃度プロファイルを示している。図４に示すように、第２ボディ領域３ｃの不純物濃度（二点鎖線）は、第１ボディ領域３ａの不純物濃度（点線）よりも高く設定されている。 ［0042］また、図３の細い実線はソース領域７Ｓの不純物濃度プロファイルを示している。ソース領域７Ｓおよびボディコンタクト領域３ｂの不純物濃度は第１ボディ領域３ａの不純物濃度よりも高く設定されている。」 「［0077］ 次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法の一例について図２４～図３１を参照しながら説明する。図２４～図３１は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。 ［0078］ まず、図２４に示すエピタキシャルウエハＥＰＷを用意する。エピタキシャルウエハＥＰＷを構成する基板１は、例えば、８°、４°、２°、０．５°などのオフセットを持つｎ＋型の４Ｈ－ＳｉＣウエハにより形成されている。基板１の不純物濃度は、例えば、１×１０１８～１×１０２１ｃｍ－３である。 ［0079］ この基板１上には、例えば、ｎ型のＳｉＣにより形成されたエピタキシャル層ＥＰがエピタキシャル成長法により形成されている。エピタキシャル層ＥＰの不純物濃度は、例えば、１×１０１４～１×１０１８ｃｍ－３であり、ここでは、例えば２×１０１６ｃｍ－３である。 ［0080］ 続いて、エピタキシャル層ＥＰ上に第１ボディ領域形成用のマスク（図示せず）をフォトリソグラフィ（以下、単にリソグラフィという）法により形成する。このマスクの平面形状は、第１ボディ領域が露出され、それ以外の領域が覆われるような形状に形成されている。なお、ここでリソグラフィ法は、例えば、フォトレジスト膜の塗布、露光および現像等のような一連の処理によりフォトレジストパターンを形成する方法である。 ［0081］ その後、そのマスクをイオン注入マスクとし、マスクから露出するエピタキシャル層ＥＰの上部に、例えば、Ａｌイオンを注入する。注入条件としては、例えば、３０ｋｅＶ、７×１０１１ｃｍ－２、８０ｋｅＶ、１.５×１０１２ｃｍ－２、１５０ｋｅＶ、２×１０１２ｃｍ－２および２５０ｋｅＶ、３.５×１０１２ｃｍ－２とする。これにより、図２５に示すように、エピタキシャル層ＥＰの上部にｐ型の第１ボディ領域３ａを形成するとともに、その第１ボディ領域３ａと基板１との間にエピタキシャル層ＥＰにより形成されるｎ型のドリフト層２を形成する。 ［0082］ ここで、第１ボディ領域３ａにおいてエピタキシャル層ＥＰの上面からの深さは、例えば０．４μｍである。また、第１ボディ領域３ａの不純物濃度は、例えば１×１０１６～１×１０１８ｃｍ－３である。なお、第１ボディ領域３ａをＡｌイオンに代えてＢイオンにより形成しても良い。また、第１ボディ領域３ａをイオン注入法に代えてエピタキシャル法により形成しても良い。すなわち、ｎ型のエピタキシャル層ＥＰ上に、ｐ型のＳｉＣをエピタキシャル法により成膜することにより、第１ボディ領域３ａを形成しても良い。」 「［0092］ 続いて、マスクＭ１を除去した後、エピタキシャル層ＥＰに、ソース領域７Ｓが露出され、それ以外が覆われるマスク（図示せず）をリソグラフィ法により形成する。続いて、そのマスクをイオン注入マスクとし、第１ボディ領域３ａの上部に、例えばＮイオンを注入する。注入条件としては、例えば、１５ｋｅＶ、３×１０１４ｃｍ－２および３０ｋｅＶ、３×１０１４ｃｍ－２とする。これにより、図２８に示すように、第１ボディ領３ａの上部にボディコンタクト領域３ｂに隣接するようにｎ＋型のソース領域７Ｓを形成する。 ［0093］ このソース領域７Ｓは、エピタキシャル層ＥＰの上面から第１ボディ領域３ａの深さ方向の途中位置まで延び終端するように形成されている。なお、ソース領域７Ｓの不純物濃度は、例えば、１×１０１８～１×１０２１ｃｍ－３である。また、ソース領域７Ｓに注入するイオンはＰイオンでも良い。 ［0094］ その後、ソース領域形成用のマスクを除去した後、エピタキシャル層ＥＰ上にキャップ材としてカーボン膜（図示せず）をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により堆積した後、アニール処理を施すことにより、ドーピングした不純物を活性化させる。その後、カーボン膜を酸素プラズマアッシング法等により除去する。 ［0095］ 次いで、エピタキシャル層ＥＰ上に、溝の形成領域が露出され、それ以外が覆われるマスク（図示せず）をリソグラフィ法により形成した後、そのマスクをエッチングマスクとしてエッチング処理を施すことにより、図２９に示すように、エピタキシャル層ＥＰに溝４を形成する。溝４は、エピタキシャル層ＥＰの上面からソース領域７Ｓおよび第１ボディ領域３ａを貫通して下方に延び、ドリフト層２の深さ途中位置で終端するように形成される。 ［0096］ 続いて、溝４の形成用のマスクを除去した後、エピタキシャル層ＥＰの上面および溝４の内面（側面および底面）を覆うようにゲート絶縁膜５をＣＶＤ法等により形成する。このゲート絶縁膜５は、例えば、厚さが１０～１００ｎｍ程度の酸化シリコン（ＳｉＯ２）により形成されている。なお、ゲート絶縁膜５は、例えばドライ酸化法や他の方法で形成しても良い。 ［0097］ その後、例えば、厚さ１００～３００ｎｍ程度のＰドープポリシリコン膜を、溝４を埋め込むようにエピタキシャル層ＥＰ上にＣＶＤ法等により堆積した後、これをリソグラフィ法およびドライエッチング法によりパターニングすることにより、図３０に示すようにゲート電極６Ｇを形成する。ゲート電極６Ｇとエピタキシャル層ＥＰとは、それらの間のゲート絶縁膜５により絶縁されている。」 また、引用文献１には、以下の図面が掲載されている。 「 ［図：0001434954000001.jpg］ ［図：0001434954000002.jpg］ 」 「 ［図：0001434954000003.jpg］ ［図：0001434954000004.jpg］ 」 「 ［図：0001434954000005.jpg］ 」 「 ［図：0001434954000006.jpg］ 」 イ 以上の摘記を整理すると、引用文献１には次の事項が記載されているものと理解できる。 （ア）［0021］、［0077］から、大電力を取り扱う溝ゲート型のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの製造方法が記載されている。 （イ）［0078］、［0079］から、ｎ＋型の４Ｈ－ＳｉＣウエハにより形成された基板１上に、ｎ型のＳｉＣにより形成されたエピタキシャル層ＥＰを形成することが記載されている。 （ウ）上記（イ）、［0081］から、ｎ型のエピタキシャル層ＥＰの上部にＡｌイオンを注入してｐ型の第１ボディ領域３ａを形成するとともに、その第１ボディ領域３ａと基板１との間にエピタキシャル層ＥＰにより形成されるｎ型のドリフト層２を形成することが記載されている。また、上記Ａｌイオンの注入条件が、３０ｋｅＶ、７×１０１１ｃｍ－２、８０ｋｅＶ、１.５×１０１２ｃｍ－２、１５０ｋｅＶ、２×１０１２ｃｍ－２および２５０ｋｅＶ、３.５×１０１２ｃｍ－２であることが記載されている。 （エ）［0092］から、第１ボディ領域３ａの上部にＮイオンを注入してｎ＋型のソース領域７Ｓを形成することが記載されている。 （オ）［0095］～［0097］から、エッチング処理を施すことにより、ソース領域７Ｓおよび第１ボディ領域３ａを貫通して下方に延び、ドリフト層２の深さ途中位置で終端するように溝４を形成すること、当該溝の内面を覆うようにゲート絶縁膜５を形成すること、その後、溝４を埋め込むようにＰドープポリシリコン膜を堆積した後パターニングすることにより、ゲート電極６Ｇを形成することが記載されている。 （カ）［0031］、［0081］及び図２から、第１ボディ領域３ａは、ソース領域７Ｓとドリフト層２の間に形成されることが記載されている。 （キ）［0039］、［0041］から、図３の点線は第１ボディ領域３ａの不純物濃度プロファイルを示し、太い実線はトータルの不純物濃度プロファイルを示している。そこで図３を見ると、第１ボディ領域３ａは、深さ約０．１３μｍから約０．２９μｍにかけて、厚さ約０．１６μｍの均質な不純物濃度プロファイルの領域を有していることが見て取れる。 以上の（ア）～（キ）によれば、引用文献１には以下の「引用発明」が記載されているものと認められる。 ［引用発明］ 「大電力を取り扱う溝ゲート型のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの製造方法であって、 ｎ＋型の４Ｈ－ＳｉＣウエハにより形成された基板１上に、ｎ型のＳｉＣにより形成されたエピタキシャル層ＥＰを形成し、 ｎ型のエピタキシャル層ＥＰの上部にＡｌイオンを注入して、エピタキシャル層ＥＰの上部にｐ型の第１ボディ領域３ａを形成するとともに、その第１ボディ領域３ａと基板１との間にエピタキシャル層ＥＰにより形成されるｎ型のドリフト層２を形成し、 第１ボディ領域３ａの上部にＮイオンを注入してｎ＋型のソース領域７Ｓを形成し、 ソース領域７Ｓおよび第１ボディ領域３ａを貫通して下方に延び、ドリフト層２の深さ途中位置で終端するように溝４を形成し、当該溝の内面を覆うようにゲート絶縁膜５を形成し、その後、溝４を埋め込むようにＰドープポリシリコン膜を堆積した後パターニングすることにより、ゲート電極６Ｇを形成することを含み、 上記第１ボディ領域３ａは、ソース領域７Ｓとドリフト層２の間に形成され、厚さ約０．１６μｍの均質な不純物濃度プロファイルの領域を有し、 上記Ａｌイオンの注入条件が、３０ｋｅＶ、７×１０１１ｃｍ－２、８０ｋｅＶ、１.５×１０１２ｃｍ－２、１５０ｋｅＶ、２×１０１２ｃｍ－２および２５０ｋｅＶ、３.５×１０１２ｃｍ－２である、 製造方法。」 （３）引用文献３の記載 原査定の拒絶の理由において引用文献３として引用された、本願の優先権主張日前に頒布された又は電気通信回線を通して公衆に利用可能となった刊行物である、特開２００８－２１０８４８号公報（２００８年９月１１日公開）には、次の記載がある。 「【００４７】 または、ＬＴＯ等のマスク（図示せず）を成膜したのち、フォトリソグラフィ工程を経て、ｐ型ベース領域３の形成予定領域上においてマスクを開口させる。そして、マスク上から、ｎ型層２１の表層部にｐ型不純物となるアルミニウムをイオン注入する。この場合、アルミニウムを異なるエネルギーで多段に注入して、均一濃度のｐ型ベース層を形成することもできる。注入エネルギーは、加速電圧として１０ｋｅＶから７００ｋｅＶを用いて、５段程度に分割したイオン注入を行えば、０．７μｍの深さの均一な不純物分布を形成できる。・・・（以下略）・・・」 （４）本件補正後の請求項１の解釈 ア 本件補正後の請求項１には、「第１の導電型のドリフト層（３）を提供するステップ（１００）」（以下「ドリフト層提供ステップ（１００）」という。）、「前記ドリフト層（３）上に前記第１の導電型のソース層（４）を形成するステップ（２００）」（以下「ソース層形成ステップ（２００）」という。）、「前記ソース層（４）を貫通して前記ドリフト層（３）内へと延在する前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成するステップ（３００）」（以下「トレンチゲート形成ステップ（３００）」という。）、「最大８％のドーピング変動を有する均質ドーピング領域（６ａ）を有する、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型のインプラント層（６）を生成するために、前記第２の導電型のイオンを前記ドリフト層（３）に注入するステップ（４００）」（以下「インプラント層生成ステップ（４００）」という。）が記載されているところ、各ステップの順序関係について、次の記載がある。 （ア）「ドリフト層提供ステップ（１００）」「ソース層形成ステップ（２００）」「トレンチゲート形成ステップ（３００）」「インプラント層生成ステップ（４００）」を「含み」と記載されている。 （イ）「インプラント層生成ステップ（４００）」は「前記第２の導電型のイオンを前記ドリフト層（３）に注入する」ものであることが記載されている。 （ウ）「トレンチゲート形成ステップ（３００）」が「インプラント層生成ステップ（４００）」の「後に実行され」と記載されている。 （エ）「トレンチゲート形成ステップ（３００）」において「前記ソース層（４）を貫通して・・・前記絶縁トレンチゲート（５）を形成する」ことが記載されている。 イ 上記（ア）によれば、各ステップは基本的に順不同であるものの、上記（イ）～（エ）の記載から、次の順序関係は特定されているものと理解できる。 ａ 上記（イ）から、「インプラント層生成ステップ（４００）」は「ドリフト層提供ステップ（１００）」の後に実行されることが理解できる。 ｂ 上記（ウ）、ａから、「ドリフト層提供ステップ（１００）」「インプラント層生成ステップ（４００）」「トレンチゲート形成ステップ（３００）」が、この順序で実行されることが理解できる。 ｃ 上記（エ）から、「トレンチゲート形成ステップ（３００）」は「ソース層形成ステップ（２００）」の後に実行されることが理解できる。 ｄ 上記（ア）から、「ソース層形成ステップ（２００）」と「インプラント層生成ステップ（４００）」の２つは、上記ｂ、ｃの制約の範囲内で順不同であることが理解できる。すなわち、本件補正後の請求項１では、「ソース層形成ステップ（２００）」が先に実行される場合と、「インプラント層生成ステップ（４００）」が先に実行される場合の、２通りの場合が特定されているといえる。 ウ 以上によれば、本件補正後の請求項１には、少なくとも「ドリフト層提供ステップ（１００）」「インプラント層生成ステップ（４００）」「ソース層形成ステップ（２００）」「トレンチゲート形成ステップ（３００）」が、この順に実行される製造方法が特定されているといえる。 エ 本願明細書の【０００９】には、「層という用語は、例えばコーティング又は堆積プロセスによって下にある材料上に形成された元素に限定されず、例えば材料組成及びドーピング濃度のうちの少なくとも一方に関して、ある元素の、同じ元素の１つ以上の隣接するサブ領域とは異なるサブ領域も含む。例えば、半導体ウェハ又は半導体ウェハから形成された半導体ボディの異なるようにドープされたサブ領域も層と呼ばれる。」と記載されていることから、上記ウの「ソース層形成ステップ（２００）」には、イオン注入等により半導体内にソース層となる領域を形成することも含まれていると理解できる。 オ 本件補正後の請求項１の「前記ドリフト層（３）上に」との記載は、「ドリフト層（３）」に接してその「上に」位置する場合と、「ドリフト層（３）」との間に他の層を介してその「上に」位置する場合の、両方を含む記載であると理解できる。 （５）対比 上記（４）の検討をふまえ、本件補正発明と引用発明を対比する。 ア 引用発明における「ｎ＋型の４Ｈ－ＳｉＣウエハにより形成された基板１上に、ｎ型のＳｉＣにより形成されたエピタキシャル層ＥＰを形成」することは、本件補正発明における「第１の導電型のドリフト層（３）を提供するステップ（１００）」に相当する。 イ 引用発明における「ｐ型の第１ボディ領域３ａ」は、「厚さ約０．１６μｍの均質な不純物濃度プロファイルの領域を有」する領域であるから、引用発明における「ｎ型のエピタキシャル層ＥＰの上部にＡｌイオンを注入して、エピタキシャル層ＥＰの上部にｐ型の第１ボディ領域３ａを形成する」ことは、本件補正発明における「均質ドーピング領域（６ａ）を有する、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型のインプラント層（６）を生成するために、前記第２の導電型のイオンを前記ドリフト層（３）に注入するステップ（４００）」に相当する。 ウ 引用発明において「第１ボディ領域３ａ」は「エピタキシャル層ＥＰにより形成されるｎ型のドリフト層２」の上にあるから、引用発明における「第１ボディ領域３ａの上部にＮイオンを注入してｎ＋型のソース領域７Ｓを形成」することは、本件補正発明における「前記ドリフト層（３）上に前記第１の導電型のソース層（４）を形成するステップ（２００）」に相当する。 エ 引用発明における「ソース領域７Ｓおよび第１ボディ領域３ａを貫通して下方に延び、ドリフト層２の深さ途中位置で終端するように溝４を形成し、当該溝の内面を覆うようにゲート絶縁膜５を形成し、その後、溝４を埋め込むようにＰドープポリシリコン膜を堆積した後パターニングすることにより、ゲート電極６Ｇを形成すること」は、本件補正発明における「前記ソース層（４）を貫通して前記ドリフト層（３）内へと延在する前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成するステップ（３００）」に相当する。また、本件補正発明と引用発明は、「前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成する前記ステップ（３００）が、イオンを注入する前記ステップ（４００）の後に実行され」ている点で一致する。 オ 引用発明の「上記第１ボディ領域３ａは、ソース領域７Ｓとドリフト層２の間に形成され、厚さ約０．１６μｍの均質な不純物濃度プロファイルの領域を有し」ていることは、本件補正発明の「前記均質ドーピング領域（６ａ）は、前記ソース層（４）と前記ドリフト層（３）との間に配置され、少なくとも１５０ｎｍの均質ドーピング領域厚さ（６ｂ）を有し」ていることに相当する。 カ 引用発明において「Ａｌイオン注入」は、「３０ｋｅＶ、７×１０１１ｃｍ－２、８０ｋｅＶ、１.５×１０１２ｃｍ－２、１５０ｋｅＶ、２×１０１２ｃｍ－２および２５０ｋｅＶ、３.５×１０１２ｃｍ－２」との注入条件で行われ、これにより「厚さ約０．１６μｍの均質な不純物濃度プロファイルの領域」を有する「第１ボディ領域３ａ」が形成されるものである。そうすると、本件補正発明と引用発明は、「イオンを注入する前記ステップが、イオンエネルギーの異なる複数の注入サブステップを含み、これにより、前記インプラント層内の結果として生じるドーピングプロファイルは、単一のインプラントの重ね合わせによって形成される」点で一致する。 キ 引用発明における「大電力を取り扱う溝ゲート型のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ」は、本件補正発明における「絶縁トレンチゲート電極（５）を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体デバイス」に相当するから、本件補正発明と引用発明は、「絶縁トレンチゲート電極（５）を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体デバイス（１）を製造するための方法」である点で一致する。 上記ア～キの対比によれば、本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。 ［一致点］ 「絶縁トレンチゲート電極（５）を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体デバイス（１）を製造するための方法であって、 第１の導電型のドリフト層（３）を提供するステップ（１００）と、 前記ドリフト層（３）上に前記第１の導電型のソース層（４）を形成するステップ（２００）と、 前記ソース層（４）を貫通して前記ドリフト層（３）内へと延在する前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成するステップ（３００）と、 均質ドーピング領域（６ａ）を有する、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型のインプラント層（６）を生成するために、前記第２の導電型のイオンを前記ドリフト層（３）に注入するステップ（４００）とを含み、 前記均質ドーピング領域（６ａ）は、前記ソース層（４）と前記ドリフト層（３）との間に配置され、少なくとも１５０ｎｍの均質ドーピング領域厚さ（６ｂ）を有し、 前記絶縁トレンチゲート電極（５）を形成する前記ステップ（３００）が、イオンを注入する前記ステップ（４００）の後に実行され、 イオンを注入する前記ステップが、イオンエネルギーの異なる複数の注入サブステップを含み、これにより、前記インプラント層内の結果として生じるドーピングプロファイルは、単一のインプラントの重ね合わせによって形成される、方法。」 ［相違点］ 本件補正発明は、「均質ドーピング領域（６ａ）を有する、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型のインプラント層（６）を生成するために、前記第２の導電型のイオンを前記ドリフト層（３）に注入するステップ（４００）」が「最大８％のドーピング変動を有する均質ドーピング領域（６ａ）を有する」のに対し、引用発明は、「ｎ型のエピタキシャル層ＥＰの上部にＡｌイオンを注入」する工程におけるドーピング変動が「最大８％のドーピング変動を有する」とは特定されていない点。 （６）相違点についての検討 引用文献１の図３から、第１ボディ領域３ａの不純物濃度は約２×１０１７ｃｍ－３付近でほぼ一定であることが見て取れ、ドーピング変動が８％以下であるとは断定できないものの、８％を大きく超える変動を示すものではないことも明らかである。 また、引用発明は、引用文献１の[0081]に記載のとおり、４段階のＡｌイオン注入により第１ボディ領域３ａを形成しているところ、同文献の[0082]には、「第１ボディ領域３ａをイオン注入法に代えてエピタキシャル法により形成しても良い」とも記載されている。ここで、異なるエネルギーで多段にイオン注入することで深さ方向に均一な不純物分布を形成できることは、例えば引用文献３の【００４７】にも記載されている、当業者に周知の技術的事項である。一方、エピタキシャル法により層厚方向に均一な不純物分布を形成できることも当業者の技術常識であり、例えば、引用文献１においてエピタキシャル層ＥＰで構成されるドリフト層２の不純物濃度分布（図３において一点鎖線で示される分布（[0039]参照。））が均一であることからも明らかである。 以上を勘案すると、引用文献１には、第１ボディ領域３ａの不純物濃度プロファイルを、変動の少ない均一なものとすることが示唆されていたといえる。このような示唆は、設計どおりの特性を持つトランジスタをばらつきなく製造するという当業者の不断の課題に照らしてもごく自然なものといえる。 そうすると、引用発明のＡｌイオン注入において、第１ボディ領域３ａの不純物濃度プロファイルをできるだけ均一となるようにすることは、当業者が普通に行うことであり、その過程でドーピング変動が８％以下のプロファイルに到達することも自然になし得たことであるといえる。そして、本願明細書を見ても、「８％」というドーピング変動の最大値に臨界的意義を見いだすことはできない。 したがって、引用発明１において上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。 （７）請求人主張の検討 審判請求人は、引用文献３と引用文献１は前提となる構成において相違するから、引用文献３において抽出した事項を引用文献１に適用できるとする判断は妥当ではなく、また、引用文献３に開示された事項を引用文献１に適用する具体的な動機付けが存在しないから、相違点に係る構成に容易に想到できない旨主張する。 しかしながら、上記（６）の検討で示したとおり、引用文献１には「第１ボディ領域３ａ」の不純物プロファイルを均一なものとすることが示唆されているところ、引用文献３の記載は、当該示唆された事項が多段注入で実現されるということの技術的根拠を示す周知例として引用されたものであるから、引用文献１と引用文献３で前提となる構成が相違することは、上記（６）の引用文献３の引用趣旨とは無関係であり、上記（６）の検討において引用文献３を引用することを妨げるものではない。また、上記（６）の検討における論理付けは、引用文献３に記載された技術的事項を引用発明に適用するとの論理付けとは異なるから、審判請求人のいう動機付けの存在の有無は、上記（６）の検討に影響しない。よって、上記審判請求人の主張は採用できない。 また、審判請求人は、周知技術とはその技術に関し相当多数の刊行物が存在しているものであるところ、引用文献３に開示された事項が周知技術であることを示す根拠は存在しない旨主張するが、例えば以下に示すとおり、「異なるエネルギーで多段にイオン注入することで深さ方向に均一な不純物分布を形成できること」を示す刊行物は相当多数存在するから、当該主張は採用できない。 本願の優先権主張日前に頒布された又は電気通信回線を通して公衆に利用可能となった刊行物である、特開２０１４－１７５３７７号公報（２０１４年９月２２日公開）には、図面とともに次の記載がある。 「【０００１】 本発明は、炭化珪素を用いて形成される半導体装置（炭化珪素半導体装置）に関し、特に、半導体素子の外周に設けられる終端構造の構成および形成方法に関する。」 「【００２５】 そして、このようにして形成されたレジストパターン１３をマスクにして、ｎ型半導体層２の表層部にｐ型不純物をイオン注入することで、ｐ型領域４を形成する。本実施の形態では、ｐ型不純物の注入濃度（ｃｍ-３）がボックスプロファイル（ｎ型半導体層２の深さ方向に均一なプロファイル）となるようにする。例えば図４は、注入エネルギーを９０ｋｅＶから７００ｋｅＶの範囲で変更しながらＡｌを９回イオン注入し、そのトータルでの注入濃度がボックスプロファイルとなるようにした例を示している。」 「 ［図：0001434954000007.jpg］ 」 本願の優先権主張日前に頒布された又は電気通信回線を通して公衆に利用可能となった刊行物である、特開２０１８－１０７４７７号公報（２０１８年７月５日公開）には、図面とともに次の記載がある。 「【０００１】 本発明は炭化珪素半導体装置などの電力用半導体装置に関する。」 「【００４４】 図７に示すように、付加領域７は、Ｎ（窒素）を注入エネルギー３５０ｋｅＶで、３．００×１０１１／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する第１段階のイオン注入と、Ｎを注入エネルギー１８０ｋｅＶで、２．４０×１０１１／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する第２段階のイオン注入と、Ｎを注入エネルギー７５ｋｅＶで、２．００×１０１１／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する第３段階のイオン注入との３段階のイオン注入で形成されている。 【００４５】 このような３段階のイオン注入を行うことで、付加領域７はボックス型の不純物プロファイルに近くなる。なお、注入回数を増やすことで、よりボックス型の不純物プロファイルに近くなる。また、イオン注入ではなくエピタキシャル成長により付加領域７を形成する場合は、さらにボックス型の不純物プロファイルに近くなる。」 「 ［図：0001434954000008.jpg］ 」 （８）小括 したがって、本件補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ４．補正却下の決定についてのまとめ 上記３．の検討のとおり、本件補正発明は独立特許要件を充足しない。したがって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しないものであるから、特許法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １．本願発明 令和７年２月１４日にした手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１～９に係る発明は、令和６年８月２１日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２、１．（１）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。 ２．原査定における拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献３に記載された事項に基づいて、また、この出願の請求項２～９に係る発明は、同じく下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２～４に記載された事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１：国際公開第２０１４／２０７７９３号 引用文献２：特開２０１８－０９８４４７号公報 引用文献３：特開２００８－２１０８４８号公報 引用文献４：特開２０１８－１１０１６６号公報 ３．引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及び引用文献３の記載は、上記第２、３．（２）及び（３）で摘記したとおりである。 ４．対比・判断 上記第２、２．（１）で検討したとおり、本件補正発明は、本件補正前の請求項１について補正事項１の点を限定したものである。 そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをさらに限定したものである本件補正発明が、上記第２、３．で示した理由のとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ５．本願発明についてのまとめ したがって、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 第４ 結び 以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。 よって、結論のとおり審決する。