2023-020626

特願２０２１－５５５８２２「磁気アイソレータ」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年 ９月２４日国際公開、ＷＯ２０２０／１８７１２７、令和 ４年 ５月１２日国内公表、特表２０２２－５２５３６４〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 １ 手続の経緯 本願は、２０２０年（令和２年）３月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１９年３月１５日、中国）を国際出願日とする外国語特許出願であって（以下、２０１９年３月１５日を「優先日」という。）、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和３年１０月２７日 ：翻訳文の提出 令和４年１０月１４日付け：拒絶理由通知書 同年１２月２６日 ：意見書、手続補正書の提出 令和５年 ３月１５日付け：拒絶理由通知書（最後） 同年 ６月２７日 ：意見書の提出 同年 ８月 ３日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月 ８日 ：原査定の謄本の送達） 同年１２月 ５日 ：審判請求書、手続補正書の提出 同月２７日付け：前置報告書 令和６年 ３月 ７日 ：上申書 令和７年 １月１５日付け：拒絶理由通知書 同年 ４月１４日 ：意見書、手続補正書の提出 ２ 本願発明について (１) 本願発明の認定 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和７年４月１４日に提出された手続補正書により補正された請求項１に記載された次に示す事項により特定されるとおりのものである。 「基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電体を備える磁気アイソレータであって、 該磁場生成ユニットは、電流導体を備え、該電流導体は、該基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、該磁場検出ユニットおよび該電流導体は、該基板の同じ側に配置され、該磁場検出ユニットは、該電流導体の側面に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、該第１の方向は、該第２の方向に直交し、 絶縁誘電体が、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間に配置され、高絶縁耐力を有するアイソレート材料で形成され、アイソレーション距離は、電流導体と磁場検出ユニットとの間の第２の方向上の距離に関連し、前記絶縁誘電体は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、およびベンゾシクロブテンのうちの少なくとも１つを含み、 該電流導体は、入力端子を備え、該入力端子から入力された電流信号は、該電流導体を通って流れて該電流導体の周りに磁場を生成し、該磁場は、該磁場検出ユニットの感受方向に成分を有し、該磁場検出ユニットによって検出される出力信号は、該電流導体の周りに生成される該磁場に正比例し、 該シールド層および該磁場生成ユニットは、該基板の該同じ側に位置し、該シールド層は、外部干渉磁場を吸収するとともに該磁場生成ユニットの該電流導体の周りに生成される該磁場の漏れを防ぐように、該基板の近くにおよび／または該基板から離れて該磁場生成ユニットの片側に位置し、 該磁場検出ユニットは、４つの磁気検出用抵抗器からなるブリッジ構造であり、同じ磁場検出ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器は、該電流導体の同じ側に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の接続の長さを指し、 前記磁場検出ユニットは、巨大磁気抵抗素子で構成され、該巨大磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該巨大磁気抵抗素子の表面に直交し、該巨大磁気抵抗素子の感受方向は、該巨大磁気抵抗素子の該表面に直交し、または 前記磁場検出ユニットは、トンネル磁気抵抗素子で構成され、該トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、該トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に直交し、 前記磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置された磁気濃縮シートをさらに備え、該第１の側および該第２の側は、該磁場検出ユニットの２つの反対の側であり、該第１の側から該第２の側への接続方向は、前記磁場検出ユニットの前記感受方向と同じまたは反対であり、該磁気濃縮シートは、前記電流導体によって生成される磁場信号、および前記磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される、磁気アイソレータ。」 (２) 本願発明の分説 検討の便宜上、本願発明の構成を次のように構成Ｘと構成Ａから構成Ｈまでに分説する。また、参考図として、本願の【図２】を元に部材名などを記入したものを併せて掲載する。 ＜本願明の分説＞ Ｘ 基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電体を備える磁気アイソレータであって、 Ａ 該磁場生成ユニットは、電流導体を備え、該電流導体は、該基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、該磁場検出ユニットおよび該電流導体は、該基板の同じ側に配置され、該磁場検出ユニットは、該電流導体の側面に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、該第１の方向は、該第２の方向に直交し、 Ｂ 絶縁誘電体が、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間に配置され、高絶縁耐力を有するアイソレート材料で形成され、アイソレーション距離は、電流導体と磁場検出ユニットとの間の第２の方向上の距離に関連し、前記絶縁誘電体は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、およびベンゾシクロブテンのうちの少なくとも１つを含み、 Ｃ 該電流導体は、入力端子を備え、該入力端子から入力された電流信号は、該電流導体を通って流れて該電流導体の周りに磁場を生成し、該磁場は、該磁場検出ユニットの感受方向に成分を有し、該磁場検出ユニットによって検出される出力信号は、該電流導体の周りに生成される該磁場に正比例し、 Ｄ 該シールド層および該磁場生成ユニットは、該基板の該同じ側に位置し、該シールド層は、外部干渉磁場を吸収するとともに該磁場生成ユニットの該電流導体の周りに生成される該磁場の漏れを防ぐように、該基板の近くにおよび／または該基板から離れて該磁場生成ユニットの片側に位置し、 Ｅ 該磁場検出ユニットは、４つの磁気検出用抵抗器からなるブリッジ構造であり、同じ磁場検出ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器は、該電流導体の同じ側に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の接続の長さを指し、 Ｆ 前記磁場検出ユニットは、巨大磁気抵抗素子で構成され、該巨大磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該巨大磁気抵抗素子の表面に直交し、該巨大磁気抵抗素子の感受方向は、該巨大磁気抵抗素子の該表面に直交し、または Ｇ 前記磁場検出ユニットは、トンネル磁気抵抗素子で構成され、該トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、該トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に直交し、 Ｈ 前記磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置された磁気濃縮シートをさらに備え、該第１の側および該第２の側は、該磁場検出ユニットの２つの反対の側であり、該第１の側から該第２の側への接続方向は、前記磁場検出ユニットの前記感受方向と同じまたは反対であり、該磁気濃縮シートは、前記電流導体によって生成される磁場信号、および前記磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される、 Ｘ 磁気アイソレータ。 ＜参考図＞ ［図：0001432423000001.jpg］ (３) 課題・作用効果等に関連する明細書の発明の詳細な説明の記載 本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、発明が解決しようとする課題及び作用効果等に関連する記載を抜粋すると、次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本開示は、磁気センサの分野に関し、詳細には、磁気アイソレータに関する。 【背景技術】 【０００２】 電子回路では、様々な信号が互いに干渉する恐れがある。信号の安定性を確実にするために、信号アイソレータがしばしば使用される。今のところ、市販の信号アイソレータには、オプトカプラ、容量性カップリング・アイソレータ、および磁気アイソレータが含まれ、磁気アイソレータは、高速応答周波数および統合容易という特徴を有し、現在広く使用されている。 【０００３】 基板上で一次コイルと二次コイルを統合するために、チップレベルの変換器技術が、ＡＤＩによって商品化に成功しているｉＣｏｕｐｌｅｒの一連の製品に使用されている。一次コイルと二次コイルとの間に、高い絶縁破壊強さを有するポリイミドが設けられ、それによってアイソレーション電圧が５０００ＶＲＭＳ／分まで到達するとともに、伝送速度が１５０Ｍｂｐｓにと到達する。変換器が高周波信号だけに応答するので、入力信号が低周波信号である場合、一次コイルと二次コイルとの間の信号伝送は、例えば、チョッピングによって生信号を処理することによってのみ実現することができる。 【０００４】 ＮＶＥは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を用いたＩｓｏＬｏｏｐの一連の製品を開発し、それによりアイソレーション電圧が６０００Ｖまで到達し、伝送速度も５０Ｍｂｐｓに到達している。一次コイルが、この一連の製品内に設けられている。ＧＭＲ素子は、一次コイルの下方に設けられ、一次コイルは、ＧＭＲ素子の位置に水平磁場を生成する。ＧＭＲ素子は、水平磁場を検出して出力し、それによって分離された信号の伝送を実現する。１０μｍの厚さを有するベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）が、一次コイルとＧＭＲ素子との間に設けられ、それによって数キロボルトのアイソレーション電圧を実現する。ＧＭＲ素子の周波数応答は、０Ｈｚから数ＭＨｚまでであり、それによって変換器は高周波信号しか伝送できないという問題を解決する。 【０００５】 上記２つの方法の高いアイソレーション電圧は、信号送信素子と信号受信素子との間でアイソレーション層によって実現される。高いアイソレーション電圧を実現するために、高いアイソレーション電圧および比較的厚いアイソレーション層を有する材料が必要とされる。酸化ケイ素または酸化アルミニウムがアイソレーション層として働く場合、比較的長いコーティング時間が必要とされ、比較的高いコストが必要とされ、ポリイミドまたはＢＣＢなどのポリマー材料が、アイソレーション層として働く場合、一部の極端な環境において、例えば、湿気の場合、または高度環境において、装置故障の隠れた危険がある。」 「【００１７】 先行技術と比較して、本開示は、以下の有益な技術的効果を有する。 【００１８】 絶縁誘電体は、本開示において与えられる磁気アイソレータの第２の方向に（水平に配置された磁気アイソレータについての水平方向に）電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離内に設けられ、それによって電気的アイソレーションで役割を果たし、アイソレーション強度を改善するのを助け、プロセスを単純化する。シールド層は、外部干渉磁場を吸収し、信号対ノイズ比をさらに改善することができる。」 「【００２２】 図１は、当業界における従来の磁気アイソレータの概略断面図である。全ての、構成要素が、半導体プロセスまたはＭＥＭＳプロセスによって基板１０１上に配置されている。電流信号が電流導体１０２に入力され、電流信号の方向が紙面に内に直交することに関する説明が以下に与えられる。電流信号の大きさは、測定された電流の大きさに関連している。磁場検出ユニット１０４は、電流導体１０２の真下にあり、磁場検出ユニット１０４の位置における電流導体１０２によって生成される磁場の方向は、図中の矢印１０３によって示されるようなものである。磁場検出ユニット１０４は、磁場を検出し、電圧モードで磁場を出力する。絶縁誘電体１０５は、電流導体１０２と磁場検出ユニット１０４との間に設けられ、絶縁誘電体の材料および厚さがアイソレーション電圧を決定する。外部場の抑制を強化し、磁場の漏れを減少させるために、シールド層１０６は、電流導体１０２および磁場検出ユニット１０４の上側および下側に設けられる。比較的高いアイソレーション電圧を実現するために、通常、比較的厚い絶縁誘電体が必要とされる。酸化ケイ素または酸化アルミニウムがアイソレーション層として働く場合、比較的長いコーティング時間が必要とされ、比較的高いコストが必要とされ、ポリイミドまたはＢＣＢなどのポリマー材料がアイソレーション層として働く場合、一部の極端な環境において、例えば、湿気の場合、または高温環境において、装置故障の隠れた危険がある。」 「【図１】 ［図：0001432423000002.jpg］ 」 「【００２９】 本開示の実施形態により与えられる磁気アイソレータは、基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、シールド層、および絶縁誘電体を含み、磁場生成ユニットは電流導体を含み、電流導体は、基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、磁場検出ユニットおよび電流導体は、基板の同じ側に配置され、磁場検出ユニットは、電流導体の側面に位置し、電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、第１の方向は、第２の方向に直交し、絶縁誘電体は、電流導体と磁場検出ユニットとの間に配置され、絶縁誘電体は、第２の方向に沿って電流導体と磁場検出ユニットとの間の距離内に配置され、それによって電気的アイソレーションで役割を果たし、アイソレーション強度を改善するのを助け、プロセスを単純化する。シールド層は、外部干渉磁場を吸収し、信号対ノイズ比をさらに改善することができる。」 ３ 当審において通知した拒絶の理由の概要 当審において令和７年１月１５日付けで通知した拒絶の理由のうち、令和７年４月１４日に提出された手続補正書により補正される前の本願の請求項１、５、６、８に係る発明についての理由２（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。 本願の請求項１、５、６、８に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において発行された、下記引用文献に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２０１０－２１９８２９号公報（主たる引用文献） ２．特開２０１０－２５８９７９号公報（周知技術１を示す文献） ３．特開２０１０－２５８３７２号公報（周知技術１を示す文献） ４．特表２００３－５２６０８３号公報（周知技術１を示す文献） １０．国際公開第２０１５／０３３４６４号（周知技術６を示す文献） １１．特開２００９－１１１２９４号公報（周知技術７を示す文献） ４ 引用文献１の記載事項及び引用発明の認定 (１) 引用文献１に記載された事項 当審において通知した拒絶の理由において引用され、本願の優先日前に発行された文献である特開２０１０－２１９８２９号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（なお、当合議体により、後記(２)の引用発明の認定に用いる記載に下線を付している。）。 ア 段落【０００１】 「【０００１】 本発明は、平面コイルと磁気検出素子とを備えて構成される磁気結合型アイソレータに関する。」 イ 段落【０００５】～【００１１】 「【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 従来における磁気結合型アイソレータでは、平面コイルと、磁気検出素子とを高さ方向に絶縁層を介して対向配置していた。 【０００６】 絶縁層は、平面コイルと磁気検出素子間を電気的に絶縁するが、磁気的には結合させる厚さにしなければならない。したがって絶縁層の膜厚を極端に厚くできず、このとき、絶縁層に高さ方向へのピンホール等が発生すると、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性が低下しやすい問題があった。 【０００７】 また例えば磁気検出素子は素子抵抗を高めるためにミアンダ形状で形成されており、平面コイルと磁気検出素子との対向面積は大きくなる。この結果、上記した絶縁性の低下が顕著になり、さらに、平面コイルを有する１次側回路（入力側回路）と、磁気検出素子を有する２次側回路（出力側回路）間の静電容量Ｃが大きくなり、高速応答性が低下する問題が生じた。 【０００８】 そこで本発明は上記従来課題を解決するためのものであり、特に、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制でき、また、１次側回路と２次側回路間の静電容量Ｃを従来よりも小さくすることで、より高速伝送できる磁気結合型アイソレータを提供することを目的としている。 【課題を解決するための手段】 【０００９】 本発明における磁気結合型アイソレータは、 入力信号により外部磁界を発生させるための平面コイルと、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子と、前記平面コイルと前記磁気検出素子の間に介在する絶縁層と、を有し、 前記磁気検出素子は、前記平面コイルの側方に位置していることを特徴とするものである。これにより、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制できる。また。磁気検出素子の平面コイルとの対向面積を小さくでき、１次側回路と２次側回路間の静電容量Ｃを小さくでき、高速応答性を向上させることができる。 【００１０】 本発明では、前記磁気検出素子は、ホール素子であり、前記磁気検出素子の側面と前記平面コイルの側面とが水平方向にて対向するように配置されていることが好ましい。ホール素子は垂直磁場成分により電気特性が変化するため、ホール素子で形成された磁気検出素子の側面と平面コイルの側面とを水平方向にて対向させることで、磁気検出素子に平面コイルからの垂直磁場成分を適切に作用させ、磁気検出素子により、平面コイルから生じた外部磁界を検出することが出来る。 【００１１】 あるいは本発明では、前記磁気検出素子は、磁気抵抗効果を利用したＭＲ素子であり、前記磁気検出素子は、前記平面コイルよりも上方あるいは下方に位置していることが好ましい。ＭＲ素子は水平磁場成分により電気特性が変化するため、ＭＲ素子で形成された磁気検出素子を平面コイルよりも上方あるいは下方に配置することで、磁気検出素子に平面コイルからの水平磁場成分を適切に作用させ、磁気検出素子により、平面コイルから生じた外部磁界を検出することが出来る。」 ウ 段落【００１８】～【００２０】、【図１】、【図３】 「【００１８】 図１は、本実施形態の磁気結合型アイソレータ（磁気カプラ）の全体の回路構成図、図２は、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４にて構成されるブリッジ回路図、図３は本実施形態における磁気結合型アイソレータの部分平面図、図４は、図３に示すＡ－Ａ線に沿って厚さ方向に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、図５は、図４とは異なる形態の磁気結合型アイソレータの部分拡大断面図、図６は、磁気検出素子の斜視図、である。 【００１９】 図１に示すように磁気結合型アイソレータ１は、平面コイル２と、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と、平面コイル２と磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を電気的に絶縁する絶縁層３０とを有して構成される。平面コイル２と各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は磁気的結合が可能な間隔を空けて配置される。 【００２０】 平面コイル２は図３のように、Ｘ１－Ｘ２方向に帯状に延びる第１磁界発生部３と第２磁界発生部４を有する。第１磁界発生部３と第２磁界発生部４は図示Ｙ１－Ｙ２方向に間隔を空けて対向している。第１磁界発生部３と第２磁界発生部４は連結部１７，１８を介して連結されている。連結部１７，１８は、湾曲状となっているが形態を限定するものではない。第１磁界発生部３、第２磁界発生部４、及び連結部１７，１８に囲まれて空間部１９が形成されている。」 「【図１】 ［図：0001432423000003.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001432423000004.jpg］ 」 エ 段落【００２１】～【００２９】、【図４】 「【００２１】 図４に示すように平面コイル２は、幅寸法Ｔ１で形成されたコイル片６が所定の間隔Ｔ２を空けて、複数回、平面内にて巻回形成された形状である。よって、図３及び図４に示すように、第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４は、Ｘ１－Ｘ２方向に直線的に延びる複数本のコイル片６がＹ１－Ｙ２方向に並設された構成となっている。 【００２２】 平面コイル２に接続される２つの電極パッド５，６が設けられている。電極パッド５，６は円形状であるが特に形状を限定するものではない。さらに平面コイル２は電極パッド５，６を介して図１に示すように送信回路７に接続されている。送信回路７から入力信号に基づく電流が流れると、平面コイル２から外部磁界が発生する。 【００２３】 図４に示すように第１磁界発生部３を構成するコイル片６、及び第２磁界発生部４を構成するコイル片６では電流の流れる向きが反平行である。よって、第１磁界発生部３を構成するコイル片６により発生する外部磁界Ｈ１と、第２磁界発生部４を構成するコイル片６により発生する外部磁界Ｈ２は逆向きに発生する。 【００２４】 図４に示すように、平面コイル２は、基板２０上に形成された絶縁下地層２１上に形成される。絶縁下地層２１はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等で形成される。 【００２５】 図３，図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４が平面コイル２の側方に間隔を空けて配置されている。 【００２６】 磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は例えばホール素子である。図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は、平面コイル２と同じように絶縁下地層２１上に形成される。 【００２７】 そして、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４上から平面コイル２上にかけて絶縁層３０が形成され、各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間には前記絶縁層３０が介在する。磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間の間隔Ｔ３（図４参照）は、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間を電気的には絶縁するが磁気的に結合させる大きさで形成される。絶縁層３０の材質は問わない。絶縁層３０は無機絶縁材料でも有機絶縁材料でもどちらでもよい。例えば絶縁層３０はポリイミドで形成される。 【００２８】 図３，図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ４は、平面コイル２の第１磁界発生部３の外側であってＸ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配置されており、磁気検出素子Ｒ２と磁気検出素子Ｒ３は、平面コイル２の第２磁界発生部４の外側であってＸ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配置されている。したがって磁気検出素子Ｒ１及び磁気検出素子Ｒ４には、第１磁界発生部３より発生する外部磁界Ｈ１が作用し、一方、磁気検出素子Ｒ２及び磁気検出素子Ｒ３には、第２磁界発生部４より発生する外部磁界Ｈ２が作用する。 【００２９】 なお図４に示す実施形態では、各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４（ホール素子）に全て垂直上方向（あるいは下方向）に磁界が作用する。そこで磁気検出素子Ｒ１，Ｒ４の組と、磁気検出素子Ｒ２，Ｒ３の組の一方をｎ型半導体、他方をｐ型半導体のホール素子で形成することで、磁界の向きが同一でも、極性を変えることが可能である。」 「【図４】 ［図：0001432423000005.jpg］ 」 オ 段落【００３６】～【００３７】、【００４６】、【図２】 「【００３６】 図３に示す実施形態では、入力端子１０、グランド端子１１，１２及び出力端子１３，１４が、平面コイル２から見てＹ２側に離れた位置に設けられ、各端子１０～１４がＸ１－Ｘ２方向に間隔を空けて一列に並んでいる。 【００３７】 そして各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と各端子１０～１４間が図示しない配線パターンにより配線され図２に示すブリッジ回路が構成されている。」 「【００４６】 上記したように図４に示す磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４はホール素子である。ホール素子は、垂直磁場成分により電気特性が変化するため、図４に示すように、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を平面コイル２と同じように絶縁下地層２１上に形成し、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を平面コイル２と水平方向（Ｙ１－Ｙ２方向）に対向させることで、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４に平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４から垂直磁場成分（Ｚ方向成分）を作用させることが出来る。」 「【図２】 ［図：0001432423000006.jpg］ 」 カ 段落【００５１】～【００５６】、【図５】 「【００５１】 図５に示す磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は、図４と異なって、磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を利用したＭＲ素子である。 【００５２】 ＭＲ素子は、水平磁場成分により電気特性が変化するので、図５に示すように、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を平面コイル２よりも上方、あるいは下方に配置する。 【００５３】 図５に示すように基板２０上に形成された絶縁下地層２１上に平面コイル２が形成され、平面コイル２上が第１絶縁層２４により覆われている。第１絶縁層２４はポリイミド等の有機絶縁材料、あるいは無機絶縁材料で形成される。 【００５４】 各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は、第１絶縁層２４の平面化面２４ａ上であって、平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４の側方に離れた位置に形成される。磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は例えば巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）であり、反強磁性層／固定磁性層／非磁性層／フリー磁性層の基本積層構造を備えている。固定磁性層は磁化方向が固定されており例えばＹ１方向に固定されている。フリー磁性層は磁化が固定されず外部磁界により変動する。 【００５５】 磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４上は第２絶縁層２５にて覆われている。第２絶縁層２５は第１絶縁層２４と同じ材質であっても異なる材質であってもどちらでも良い。 【００５６】 図５に示すように、各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を、平面コイル２の側方であって、平面コイル２から見て上方に位置させることで、各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４には、第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４からＹ１－Ｙ２方向の水平磁場成分が作用する。これにより、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４の電気特性を変化させることが出来る。」 「【図５】 ［図：0001432423000007.jpg］ 」 (２) 引用発明の認定 前記(１)に摘記した引用文献１の記載事項を総合すると、引用文献１には、第１の実施形態（【図１】～【図４】）に係る次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、認定の根拠となる記載箇所を括弧内に示した。 ＜引用発明＞ 「平面コイル２と、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と、平面コイル２と磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を電気的に絶縁する絶縁層３０とを有して構成される磁気結合型アイソレータ１であって、（【００１９】） 平面コイル２は、基板２０上に形成された絶縁下地層２１上に形成され、（【００２４】、【図４】） 平面コイル２は、Ｘ１－Ｘ２方向に帯状に延びる第１磁界発生部３と第２磁界発生部４を有し、（【００２０】、【図３】～【図４】） 第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４は、Ｘ１－Ｘ２方向に直線的に延びる複数本のコイル片６がＹ１－Ｙ２方向に並設された構成となっており、（【００２１】、【図３】～【図４】） 平面コイル２は、電極パッド５、６を介して送信回路７に接続され、送信回路７から入力信号に基づく電流が流れると、平面コイル２から外部磁界が発生し（【００２２】、【図３】） 磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は、平面コイル２と同じように絶縁下地層２１上に形成され、（【００２６】、【図４】） 磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ４は、平面コイル２の第１磁界発生部３の外側であってＸ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配置され、磁気検出素子Ｒ２と磁気検出素子Ｒ３は、平面コイル２の第２磁界発生部４の外側であってＸ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配置され、（【００２８】、【図３】～【図４】） 磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４はホール素子であり、ホール素子は、垂直磁場成分により電気特性が変化するため、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を平面コイル２と水平方向（Ｙ１－Ｙ２方向）に対向させることで、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４に平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４から垂直磁場成分（Ｚ方向成分）を作用させ、（【００４６】、【図４】） 各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間には前記絶縁層３０が介在し、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間の間隔Ｔ３は、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間を電気的には絶縁するが磁気的に結合させる大きさで形成され、また絶縁層３０はポリイミドで形成され、（【００２７】） 各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と各端子１０～１４間が配線パターンにより配線されブリッジ回路が構成される、（【００３７】、【図２】） 磁気結合型アイソレータ１。」 ５ 引用文献２の記載事項及び周知技術１の認定 (１) 引用文献２に記載された事項 当審において通知した拒絶の理由において引用され、本願の優先日前に発行された文献である特開２０１０－２５８９７９号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。 なお、下線は当合議体が付したものであり、以下同様である。 ア 段落【０００１】 「【０００１】 本発明は、磁界発生部と磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子、ＣＩＰ－ＧＭＲ素子、ＣＰＰ－ＧＭＲ素子）とを備える磁気結合型アイソレータに関する。」 イ 段落【００３６】、【図３】 「【００３６】 図３に示すように、平面視において磁界発生部であるコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４と重なるように上部シールド膜（第１シールド膜）４１及び下部シールド膜（第２シールド膜）４２が設けられている。また、磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４を囲繞するようにミドルシールド（第３シールド膜）４３が設けられている。」 「【図３】 ［図：0001432423000008.jpg］ 」 ウ 段落【００３７】～【００３８】、【００５９】～【００６３】、【図５】 「【００３７】 図５は、本発明の実施の形態に係る磁気結合型アイソレータの部分断面図である。図５に示す磁気結合型アイソレータにおいては、基板であるシリコン基板５１上に絶縁層であるシリコン酸化膜５２が形成されている。シリコン酸化膜５２には、熱酸化によるシリコン酸化膜やＣＶＤ成膜されたシリコン酸化膜が用いられる。 【００３８】 シリコン酸化膜５２上の所定の位置、すなわち厚さ方向においてコイル２の形成領域の下方（平面視においてコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４と重なる位置）には、下部シールド膜４２が形成されている。下部シールド膜４２を構成する材料としては、アモルファス磁性材料、パーマロイ系磁性材料、又は鉄系微結晶材料等の高透磁率材料を用いることができる。下部シールド膜４２の厚さとしては、膜応力を考慮すると、０．５μｍ～１０μｍであることが好ましい。下部シールド膜４２は、前記材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成することができる。あるいは、下部シールド膜４２は、下地材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びめっきにより形成することができる。」 「【００５９】 ポリイミド層６０上の所定の位置、すなわち厚さ方向においてコイル２の上方（平面視においてコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４と重なる位置）には、上部シールド膜４１が形成されている。上部シールド膜４１を構成する材料としては、アモルファス磁性材料、パーマロイ系磁性材料、又は鉄系微結晶材料等の高透磁率材料を用いることができる。上部シールド膜４１の厚さとしては、膜応力を考慮すると、０．５μｍ～１０μｍであることが好ましい。上部シールド膜４１は、前記材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成することができる。あるいは、上部シールド膜４１は、下地材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びめっきにより形成することができる。 【００６０】 上部シールド膜４１を形成したポリイミド層６０上には、オーバーコート層としてシリコン酸化膜６２が形成されている。このシリコン酸化膜６２、ポリイミド層５７，６０及びシリコン酸化膜５８のコイル電極５９及びパッド用の電極５６の領域には、コンタクトホールが形成され、そのコンタクトホール内にパッド６１が形成されている。これにより、パッド６１とコイル電極５９との間が電気的に接続され、パッド６１と電極５６との間が電気的に接続される。 【００６１】 なお、図５に示す構成において、シリコン酸化膜５４，５８は設けなくても良い。 【００６２】 図５から分かるように、本実施の形態に係る磁気結合型アイソレータは、コイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４と重なるように配置された上部シールド膜４１及び下部シールド膜４２と、磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４を囲繞するように配置されたミドルシールド４３とを有する。このように、磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４の周囲に上部シールド膜４１、下部シールド膜４２及びミドルシールド膜４３を配設するので、外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保することができる。 【００６３】 上部シールド膜は、コイル２から磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４で構成されるブリッジ回路に印加される磁界をエンハンスする機能を有することが好ましい。また、上部シールド膜４１、下部シールド膜４２及び／又はミドルシールド膜４３は、平面視において点対称な形状を有しており、それぞれの対称の中心が一致していることが好ましい。このような形状にすることにより、磁気抵抗効果素子Ｒ１～Ｒ４に印加される磁界の大きさをより均一にして中点電位のずれを緩和することができる。なお、上部シールド膜４１、下部シールド膜４２及び／又はミドルシールド膜４３の相互の位置関係や大きさなどについては後述する。」 「【図５】 ［図：0001432423000009.jpg］ 」 (２) 周知技術１の認定 前記(１)に摘記した引用文献２の記載事項に例示されるように、次の技術事項は、当業者にとって周知技術であったと認められる。（以下「周知技術１」という。） ＜周知技術１＞ 「磁気結合型アイソレータにおいて、外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保するために、シールド膜を磁気発生部の周辺に配置すること。」 ６ 引用文献１０の記載事項及び周知技術２の認定 (１) 引用文献１０に記載された事項 当審において通知した拒絶の理由において引用され、本願の優先日前に発行された文献である国際公開第２０１５／０３３４６４号（以下「引用文献１０」という。）には、次の記載がある。 ア 段落[0001]～[0002] 「[0001] 本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサ素子に関するものである。 [0002] 近年、磁気センサは、車載用の車軸回転センサやカム／クランク角位置センサ、電気自動車用の電流センサ、あるいは携帯端末の電子コンパスなど様々な用途で用いられている。トンネル磁気抵抗（Tunneling Magnetoresistive：ＴＭＲ）効果を利用するＭＴＪ（Magnetic Tunneling Junction）素子は小型で低消費電力な磁気センサとして有望である。ＭＴＪ素子の基本構成は、２つの強磁性体層（固定層、自由層）で絶縁体のバリア層を挟んだ構造である。固定層の磁化方向は一方向に固定されており、一方、自由層の磁化方向は外部磁場によって回転する。両者の磁化方向の角度差によって素子の抵抗が変化するため、外部磁場の変化を素子の抵抗変化として検出することができる。」 イ 段落[0014]～[0019]、[図１]、[図３] 「[0014]＜実施例１＞ 実施例１は二方向の磁場を測定可能な磁気センサを提案するものである。図１は、実施例１におけるセンサ素子の断面模式図である。センサ素子は、図１のように複数の金属薄膜および絶縁体薄膜をウェハ基板上に積層して構成される。本素子は、上段のＭＴＪ構造７１と下段のＭＴＪ構造７２とが積層され、両者の間には絶縁体のスペーサ層４０が配置されている。 [0015] まず下段のＭＴＪ構造７２について説明する。ＭＴＪ構造７２は従来用いられている一般的な面内磁気異方性の強磁性層を用いた磁気センサ構造である。下部電極３４は下からＴａ（膜厚：５ｎｍ）／Ｒｕ（膜厚：１０ｎｍ）／Ｔａ（膜厚：５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）の順で積層した積層膜で構成される。その上に反強磁性層４２としてＭｎＩｒ（８ｎｍ）を積層する。さらに固定層第二の強磁性層２５、非磁性層４１、固定層第一の強磁性層２４の順に積層する。固定層第二の強磁性層２５はＣｏ50Ｆｅ50（２．５ｎｍ）、非磁性層４１はＲｕ（０．８ｎｍ）、固定層第一の強磁性層２４はＣｏ20Ｆｅ60Ｂ20（３ｎｍ）である。固定層第一の強磁性層２４と固定層第二の強磁性層２５は非磁性層４１のＲｕを介した反強磁性結合により、それぞれの磁化６４，６５は互いに反平行に安定する。これがいわゆる積層フェリ構造の固定層であり、固定層の磁化を強く固定するのに有効である。固定層の上にはバリア層１２としてＭｇＯ（１．５ｎｍ）を積層し、その上に自由層２３のＣｏ20Ｆｅ60Ｂ20（２ｎｍ）と、上部電極３３としてＴａ（５ｎｍ）／Ｒｕ（５ｎｍ）の積層膜を形成する。上部電極３３と下部電極３４にはそれぞれ抵抗を測定するための電極端子５３と５４が接続される。 [0016] 続いて磁場に対する素子の応答について説明する。固定層の磁化６５は反強磁性層４２の交換バイアスによって図中＋ｙ方向に強く固定されている。上述したようにＲｕを介した反強磁性結合により、固定層の磁化６４は磁化６５と反平行に安定するため－ｙ方向に固定される。一方、自由層の磁化６３は磁化容易軸がｘ方向にある。つまり、外部磁場が無い状況では、自由層の磁化６３と、バリア層１２を介して対向する固定層の磁化６４の磁化容易軸は面内で直交する。これを初期状態とする。 [0017] 次に、図示したように例えば＋ｙ方向の磁場８２が印加されると自由層の磁化６３が＋ｙ方向に向くよう面内で回転する。このとき両者の磁化は反平行配置に近づくため、ＭＴＪ構造７２の抵抗（電極端子５３－５４間の抵抗）は初期状態に比べて増大する。逆に外部磁場が－ｙ方向に印加されると自由層の磁化６３は－ｙ方向に向くように回転し両者の磁化は平行配置に近づくためＭＴＪ構造７２の抵抗は初期状態に比べて減少する。図２は、このＭＴＪ構造の外部磁場と抵抗変化の関係を示す模式図である。図示したように外部磁場に応じて抵抗が線形に変化する領域を利用して磁場をセンシングできる。 [0018] 次に、上段のＭＴＪ構造７１について説明する。下部電極３２は下からＴａ（膜厚：５ｎｍ）／Ｒｕ（膜厚：１０ｎｍ）／Ｔａ（膜厚：５ｎｍ）の順で積層した積層膜で構成される。その上に固定層２２、バリア層１１、自由層２１の順に積層する。固定層２２はＣｏ20Ｆｅ60Ｂ20（１ｎｍ）、バリア層１１はＭｇＯ（１．５ｎｍ）、自由層２１はＣｏ20Ｆｅ60Ｂ20（２ｎｍ）を用いた。その上に上部電極３１としてＴａ（５ｎｍ）／Ｒｕ（５ｎｍ）の積層膜を形成する。上部電極３１と下部電極３２にはそれぞれ抵抗を測定するための電極端子５１と５２が接続される。このＭＴＪ構造７１においては、固定層２２の磁化６２は膜面垂直方向に向いている。これは、Ｃｏ20Ｆｅ60Ｂ20は膜厚を１ｎｍ程度に薄くすることでＭｇＯ界面との界面磁気異方性の影響が増大し、磁化容易軸が膜面内から膜面垂直方向に変わるためである。一方、自由層２１の磁化６１は膜面内ｘ方向を向く。これは、自由層２１は比較的厚い２ｎｍのＣｏ20Ｆｅ60Ｂ20であり、磁化容易軸が面内方向を向いているためである。固定層２２の垂直磁気異方性は一般に面内磁気異方性よりも強いので反強磁性層がなくても磁化６２を安定に固定できる。より強く固定層２２の磁化を固定したい場合は必要に応じて下部電極３２と固定層２２の間に反強磁性層を挿入しても良い。 [0019] 続いて、このＭＴＪ構造７１の磁場に対する応答について説明する。まず外部磁場のない初期状態において、自由層の磁化６１は膜面内方向を向き、固定層の磁化６２は膜面垂直方向を向いて、両者は直交している。図示したように＋ｚ方向の外部磁場８１がかかると自由層の磁化６１は＋ｚ方向を向くように回転し、磁化６２と反平行配置に近づくため抵抗が増大する。逆に－ｚ方向の外部磁場がかかると自由層の磁化６１は－ｚ方向を向くため固定層の磁化６２と平行配置に近付き抵抗が減少する。図３は、このＭＴＪ構造の外部磁場と抵抗変化の関係を示す模式図である。図示したように外部磁場に応じて抵抗が線形に変化する領域を利用して磁場をセンシングできる。」 「[図１] ［図：0001432423000010.jpg］ 」 「[図３] ［図：0001432423000011.jpg］ 」 (２) 周知技術２の認定 前記(１)に摘記した引用文献１０の記載事項に例示されるように、次の技術事項は、当業者にとって周知技術であったと認められる。（以下「周知技術２」という。） ＜周知技術２＞ 「固定層の磁化方向が膜面垂直方向である、垂直方向に感度を有するトンネル磁気抵抗効果を利用するＭＴＪ構造の磁気センサ素子。」 ７ 引用文献１１の記載事項及び周知技術３の認定 (１) 引用文献１１に記載された事項 当審において通知した拒絶の理由において引用され、本願の優先日前に発行された文献である特開２００９－１１１２９４号公報（以下「引用文献１１」という。）には、次の記載がある。 ア 段落【０００１】 「【０００１】 本発明は、薄膜コイルと磁気抵抗効果素子とを備え、互いに絶縁された複数の電気回路間の信号伝達を非接触で行う磁気カプラに関する。」 イ 段落【００１７】～【００１８】、【図１】～【図２】 「【００１７】 ［第１の実施の形態］ 最初に、図１および図２を参照して、本発明における第１の実施の形態としての磁気カプラの構成について説明する。図１は、本実施の形態の磁気カプラの構成を表す平面図である。図２（Ａ）は、図１に示した磁気カプラの要部を拡大した平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のIIＢ－IIＢ線に沿った矢視方向の断面図である。なお、図１に示した信号電流Ｉｍおよび誘導磁界Ｈｍの矢印の方向は、磁気抵抗効果素子３１～３４（後出）との相対的な方向を示している。この磁気カプラは、ある電気回路からの信号を、電気的に非接触な状態で他の電気回路へ伝達するデバイスであり、必要な信号を伝達しつつノイズを遮断するのに有効な手段である。 【００１８】 図１に示したように、本実施の形態の磁気カプラは、基体１０上の、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がる第１の階層Ｌ１（図２（Ｂ））において巻回する薄膜コイル２０と、第１の階層Ｌ１の上層である第２の階層Ｌ２において薄膜コイル２０と対応する領域に位置する第１～第４の磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-Resistive effect）素子３１～３４と、第２の階層Ｌ２において薄膜コイル２０の巻回中心側および巻回外周側に配置されたヨーク４１～４４とを備えている。第１の階層Ｌ１において、薄膜コイル２０は絶縁層１２によって覆われており、第２の階層Ｌ２において、ヨーク４１～４４および第１～第４のＭＲ素子３１～３４は共に絶縁層１３によって覆われている（図２（Ｂ））。なお、図１および図２では、第１から第４のＭＲ素子３１～３４を繋ぐ配線パターンの図示は省略している。」 「【図１】 ［図：0001432423000012.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001432423000013.jpg］ 」 ウ 段落【００２９】～【００３１】 「【００２９】 ヨーク４１～４４は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）、コバルト鉄ニッケル（ＣｏＦｅＮｉ）合金、鉄硅素合金（ＦｅＳｉ）、センダスト、ニッケル－亜鉛（ＮｉＺｎ）フェライト、マンガン－亜鉛（ＭｎＺｎ）フェライト、などの高い透磁率を有する軟磁性材料によって構成され、薄膜コイル２０を流れる信号電流Ｉｍによって生じる誘導磁界Ｈｍを、第１～第４のＭＲ素子３１～３４に向かうようにガイドする機能を有するものである。ヨーク４１，４２は、薄膜コイル２０の径方向（Ｙ軸方向）において第１および第２のＭＲ素子３１，３２を挟むように対向配置されている。同様に、ヨーク４３，４４は、薄膜コイル２０の径方向（Ｙ軸方向）において第１および第２のＭＲ素子３１，３２を挟むように対向配置されている。 【００３０】 ここで、ヨーク４１～４４は、積層方向において直線領域Ｒ２１と重複する位置に設けられていてもよいし、重複しない位置に設けられていてもよい。但し、薄膜コイル２０の巻回中心側のヨーク４１，４３は、薄膜コイルの巻回外周側のヨーク４２，４４よりも直線領域Ｒ２１のＹ軸方向の中心位置ＣＬの近くに設けられていることが望ましい。すなわちヨーク４１とヨーク４２との関係についていえば、図２（Ｂ）に示したように、Ｙ軸方向において、薄膜コイル２０の最内周端縁（最内周に位置する直線パターン２１における巻回中心側の側面位置）２１Ｔ１と最外周端縁（最外周に位置する直線パターン２１における巻回外周側の側面位置）２１Ｔ２との中心位置ＣＬが、薄膜コイル２０の巻回外周側のヨーク４２よりも薄膜コイル２０の巻回中心側のヨーク４１に近いことが望ましい。第１および第２のＭＲ素子３１，３２に及ぶ誘導磁界Ｈｍの強度分布が、Ｙ軸方向においてより平坦化された（偏りの小さな）ものとなるからである。ヨーク４３とヨーク４４との関係についても同様である。上記の場合、Ｙ軸方向において、巻回中心側のヨーク４１は最内周に位置する直線パターン２１の側面位置２１Ｔ１よりも巻回外周側に位置するようにするとよい。すなわち図２（Ｂ）に示したように、ヨーク４１における巻回中心側の側面位置４１Ｔ１が最内周の直線パターン２１の側面位置２１Ｔ１よりも巻回外周側に位置するようにするとよい。ヨーク４３についても同様である。また、図２（Ｂ）に示したように、巻回外周側のヨーク４２は、その巻回中心側の端縁４２Ｔ１が、最外周に位置する直線パターン２１の側面位置２１Ｔ２よりも巻回中心側に位置することが望ましい。ヨーク４４についても同様である。 【００３１】 さらに、ヨーク４１～４４は、各々の磁化容易軸Ｍｅが薄膜コイル２０の巻回方向（ここではＸ軸方向）に沿った向きとなっている。これにより、磁化容易軸Ｍｅが他の向きである場合と比べ、薄膜コイル２０からの誘導磁界Ｈｍによってヨーク４１～４４が磁化されやすくなり、より効率的にその誘導磁界Ｈｍが第１～第４のＭＲ素子３１～３４へガイドされることとなる。特に、ヨーク４１～４４は、その長手方向が薄膜コイル２０の巻回方向と一致するように延在しているので、形状磁気異方性により磁化容易軸Ｍｅの向きが安定している。」 エ 段落【００３８】 「【００３８】 本実施の形態の磁気カプラでは、第１～第４のＭＲ素子３１～３４を面内方向において挟むように、軟磁性材料からなるヨーク４１～４４を薄膜コイル２０の巻回中心側および巻回外周側の双方に配置したので、薄膜コイル２０から発生する誘導磁界Ｈｍの強度低下を抑制し、その誘導磁界Ｈｍを第１～第４のＭＲ素子３１～３４に対して効率的に及ぼすことができる。よって、より微小な信号電流Ｉｍであっても誘導磁界Ｈｍを正確に検出することができる。したがって、従来よりも省電力化を図ることができる。特に、ヨーク４１～４４を、第１～第４のＭＲ素子３１～３４と同じく第２の階層Ｌ２に配置するようにしたので、第２の階層Ｌ２以外にある場合と比べ、誘導磁界Ｈｍが、より効率的に第１～第４のＭＲ素子３１～３４に及ぶようになる。なお、特許文献１には、コイルと電流センサとの両方の近傍に配置されて磁場コンセントレータとして機能する磁性材料層に関する記載があるが、その磁性材料層の具体的な配置位置が示されていないため、十分な効果が得られるかどうか不明である。」 オ 段落【００４８】 「【００４８】 一方、ヨーク４１～４４は、いずれも同じ構成である。具体的には、厚さが０．１５μｍ、幅が４５μｍであり、パーマロイからなり、透磁率μが２０００である。巻回中心側のヨーク４１，４３と巻回外周側のヨーク４２，４４との間隔はいずれも２５０μｍとし、ヨーク４１とヨーク４３との間隔は６０μｍとした。また、薄膜コイル２０とヨーク４１～４４との、積層方向（Ｚ軸方向）の距離は４０μｍとした。」 (２) 周知技術３の認定 前記(１)に摘記した引用文献１１の記載事項に例示されているように、次の技術事項は、当業者にとって周知技術であったと認められる。（以下「周知技術３」という。） ＜周知技術３＞ 「薄膜コイルと磁気検出素子とを備え、互いに絶縁された複数の電気回路間の信号伝達を非接触で行う磁気カプラにおいて、磁界の強度低下を抑制し、その誘導磁界を磁場検出素子に対して効率的に及ぼすために、軟磁性材料からなる薄膜を磁場検出素子の周辺に配置すること。」 ８ 引用文献１７の記載事項及び技術常識１の認定 (１) 引用文献１７に記載された事項 当審において新たに引用する、本願の優先日前に発行された文献である特開２０１０－１３０３２５号公報（以下「引用文献１７」という。）には、次の記載がある。 ア 段落【００１０】～【００１１】、【図１】 「【００１０】 図１は実施例１に係わる磁気結合型アイソレータ１０の主要回路図を示す。磁気結合型アイソレータ１０は、入出力間の電気的絶縁と信号カップリングの機能を兼ね備えた絶縁型インターフェースであり、信号絶縁デバイス又は信号伝送装置と称することができる。磁気結型アイソレータ１０は、磁気カプラ素子２０と、コンパレータ（比較器）ＣＯＭＰとを主要構成として備える。 【００１１】 磁気カプラ素子２０は、入力信号としての入力電流を流すための導体から成るプライマリコイル４１と、複数の磁気抵抗効果素子３１，３２，３３，３４がブリッジ接続されてなる検出ブリッジ回路３０と、バイアス信号としてのバイアス電流を流すための導体から成るバイアスコイル４２とを備える。検出ブリッジ回路３０は、直列接続されてなる二つの磁気抵抗効果素子３１，３３と、直列接続されてなる二つの磁気抵抗効果素子３２，３４とが並列接続されてなる回路構成を有しており、入力信号の変化により生じる磁界強度の変化を磁気抵抗効果素子３１，３２の磁気抵抗の変化（又は磁気抵抗効果素子３３，３４の磁気抵抗の変化）として検出する。」 「【図１】 ［図：0001432423000014.jpg］ 」 イ 段落【００１６】～【００１８】、【図２】 「【００１６】 次に、図２を参照しながら、磁気抵抗効果素子３１と外部磁界との関係について説明する。説明の便宜上、磁気抵抗効果素子３１の長手方向を±Ｘ方向とするＸＹＺ直交座標系を定義する。磁気抵抗効果素子３１は、磁化方向が一方向に固定された強磁性体から成る磁化固定層（図示せず）と、磁気抵抗を検出するためのセンス電流が流れる非磁性体から成る導電体層（図示せず）と、外部磁界の作用を受けてその磁化方向が変化する強磁性体から成る磁化自由層（図示せず）とが順次積層して成る磁気抵抗効果膜を有するスピンバルブＧＭＲ素子である。ここで、磁化固定層の磁化方向Ｄ１Ｐは、磁気抵抗効果素子３１の長手方向（±Ｘ方向）に対して略垂直な方向（例えば、＋Ｙ方向）に固定されている。また、外部磁界が存在しない場合は、磁化自由層の磁化方向Ｄ１Ｆは、磁気抵抗効果素子３１の長手方向（±Ｘ方向）に対して平行な方向を向くが、外部磁界が存在する場合には、磁化自由層の磁化方向Ｄ１Ｆは、外部磁界（複数の外部磁界が存在する場合には、複数の外部磁界の合成磁界）の作用を受けて変化する。 【００１７】 尚、磁化固定層の磁化方向Ｄ１Ｐを、磁気抵抗効果素子３１の長手方向に対して略垂直な方向に固定すると、磁気抵抗効果素子３１の磁気抵抗値は、外部磁界強度に対してほぼ線形的に変化する特性を有することが知られている。斯かる特性により、図１の回路において、入力信号に対してほぼ比例する信号を差動出力信号として取り出すことが可能となる。又、磁化固定層の磁化方向を、磁気抵抗効果素子３１の長手方向に対して略水平な方向に固定する場合と比較して、外部磁界強度に対してヒステリシスを有しないことが知られている。従って、図１の回路において、入力信号が０に遷移した場合、それ以前の入力信号が保持される（メモリ効果）ことがないので、入力信号に対しほぼ比例する信号を差動出力信号として取り出すことが可能となる。 【００１８】 本実施形態では、磁化固定層の磁化方向Ｄ１Ｐと、プライマリコイル４１が生成する磁界Ｈ１の方向とが平行であり且つ逆方向を向くように調整され、且つ磁化固定層の磁化方向Ｄ１Ｐと、バイアスコイル４２が生成する磁界Ｈ２の方向とが平行であり且つ同一方向を向くように調整されている。また、磁界Ｈ１の強度は、磁界Ｈ２の強度よりも高くなるように調整されている。従って、磁界Ｈ２のみが磁気抵抗効果素子３１に作用している場合には、磁化自由層の磁化方向Ｄ１Ｆは、磁化固定層の磁化方向Ｄ１Ｐに対して平行であり、且つ同一方向を向くので（平行状態）、磁気抵抗の変化率は負となり、低抵抗状態となる。一方、磁界Ｈ１と磁界Ｈ２とが同時に磁気抵抗効果素子３１に作用している場合には、磁界Ｈ１と磁界Ｈ２との合成磁界の方向は、磁界Ｈ１の方向と同じになり、磁化自由層の磁化方向Ｄ１Ｆは、磁化固定層の磁化方向Ｄ１Ｐに対して平行であり、且つ逆方向を向くので（反平行状態）、磁気抵抗の変化率は正となり、高抵抗状態となる。」 「【図２】 ［図：0001432423000015.jpg］ 」 ウ 段落【００１９】、【図３】～【図４】 「【００１９】 尚、磁化方向Ｄ１Ｐと外部磁界の向き（磁界Ｈ１及び磁界Ｈ２のそれぞれの向き）との関係が上述の関係を満たしている限り、磁気抵抗効果素子３１、プライマリコイル４１、及びバイアスコイル４２の物理的な位置関係は、例えば、図３及び図４に示すように、様々な位置関係をとり得る。ここで、図３では、紙面表面から裏面に向かって入力電流及びバイアス電流が流れている場合を想定しており、図４では、紙面表面から裏面に向かってバイアス電流が流れ、且つ紙面裏面から表面に向かって入力電流が流れている場合を想定している。但し、図３及び図４に示す物理的な位置関係は、一例を示すものであり、本実施形態は、この例に限られるものではない。」 「【図３】 ［図：0001432423000016.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001432423000017.jpg］ 」 エ 段落【００２９】 「【００２９】 また、磁気抵抗効果素子３１，３２，３３，３４は、上述のスピンバルブＧＭＲ素子に限られるものではなく、例えば、ＴＭＲ素子でもよい。」 (２) 引用文献１７の【図１】から、ブリッジ接続された４つの「磁気抵抗効果素子３１，３２，３３，３４」が、磁気発生コイルである「プライマリコイル４１」から見て同じ側にまとめて配置されている構造が読みとれる。 ここで、引用文献１７の段落【００１０】の説明では「図１は実施例１に係わる磁気結合型アイソレータ１０の主要回路図を示す。」とされており、この説明のみを見ると、【図１】は回路図であって、各構成要素間の物理的な位置関係までを正しく示すものでないと解釈する余地もあるといえる。 しかしながら、【図１】において、「バイアスコイル４２」が「検出ブリッジ回路３０」と重ねて記載されているのに対し、「プライマリコイル４１」はこれらと並べて記載されており、記載の態様が区別されている点や、段落【００１９】において【図１】とは異なる位置関係であるとして説明されている【図３】及び【図４】の配置が「プライマリコイル４１」、「磁気抵抗効果素子３１」及び「バイアスコイル４２」が重なったものである点を踏まえると、【図１】に示されたものは「プライマリコイル４１」を磁気抵抗効果素子と重ねずに配置する構造を示したものであると解釈することが自然である。 なお、仮にそうでないとしても、引用文献１７の段落【００１９】には、磁気結合型アイソレータにおいて、磁気検出素子と磁気発生コイルの物理的な位置関係は、様々にとり得るものであることが記載されている。 (３) 技術常識１の認定 前記(１)に摘記した引用文献１７の記載事項及び前記(２)の検討を踏まえると、次の技術事項は、当業者にとって技術常識であったと認められる。（以下「技術常識１」という。） ＜技術常識１＞ 「磁気結合型アイソレータにおいて、磁気検出素子と磁気発生コイルの物理的な位置関係は、磁気検出素子の感磁方向と磁気発生コイルの発生磁界の向きの関係が所定の関係を満たしている限り様々な位置関係をとり得るものであり、当該位置関係には、例えば、ブリッジ接続された４つの磁気検出素子を、磁気発生コイルから見て同じ側にまとめて配置する構成が含まれること。」 ９ 本願発明と引用発明の対比 (１) 対比分析 本願発明と引用発明を対比する。 ア 構成Ｘの観点（磁気アイソレータの構成要素） (ア) 引用発明の「基板２０」、「平面コイル２」、「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４」及び「磁気結合型アイソレータ１」は、それぞれ本願発明の「基板」、「磁場生成ユニット」、「磁場検出ユニット」及び「磁気アイソレータ」に相当する。 (イ) 引用発明の「平面コイル２と磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を電気的に絶縁する絶縁層３０」は、「ポリイミドで形成され[る]」ものであるから、本願発明の「絶縁誘電体」に相当する。 (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において共通する。 「基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、および絶縁誘電体を備える磁気アイソレータ」の発明である点。 (エ) また、本願発明と引用発明は、次の点において相違する。 本願発明が「シールド層」を備えているのに対し、引用発明はシールド層を備えてはいない点。 イ 構成Ａの観点（磁場生成ユニット） (ア) 引用発明の「Ｘ１－Ｘ２方向」は、本願発明の「第１の方向」に相当するところ、引用発明の「平面コイル２」を構成する「コイル片６」は、本願発明の「磁場生成ユニット」が備える「電流導体」に相当し、また、引用発明において、「平面コイル２は、基板２０上に形成された絶縁下地層２１上に形成され」て、「コイル片６」が「Ｘ１－Ｘ２方向に直線的に延びる」ように構成されることが、本願発明において、「該電流導体は、該基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され[る]」ことに相当する。 (イ) 引用発明において「平面コイル２は、基板２０上に形成された絶縁下地層２１上に形成され、」「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は、平面コイル２と同じように絶縁下地層２１上に形成され[る]」ことは、本願発明において「該磁場検出ユニットおよび該電流導体は、該基板の同じ側に配置され[る]」ことに相当する。 (ウ) 引用発明において「磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ４は、平面コイル２の第１磁界発生部３の外側であってＸ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配置され、磁気検出素子Ｒ２と磁気検出素子Ｒ３は、平面コイル２の第２磁界発生部４の外側であってＸ１－Ｘ２方向に間隔を空けて配置され[る]」ことは、本願発明において「該磁場検出ユニットは、該電流導体の側面に位置[する]」ことに相当する。 また、引用発明の「Ｙ１－Ｙ２方向」は、「Ｘ１－Ｘ２方向」に直交することは明らかであるから、本願発明の「第１の方向」に「直交」する「第２の方向」に相当するところ、引用発明において、「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を平面コイル２と水平方向（Ｙ１－Ｙ２方向）に対向させ」ることは、本願発明の「該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、該第１の方向は、該第２の方向に直交[する]」ことに相当する。 (エ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。 「該磁場生成ユニットは、電流導体を備え、該電流導体は、該基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、該磁場検出ユニットおよび該電流導体は、該基板の同じ側に配置され、該磁場検出ユニットは、該電流導体の側面に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、該第１の方向は、該第２の方向に直交[する]」ものである点。 ウ 構成Ｂの観点（絶縁誘電体） (ア) 引用発明において「各磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間には絶縁層３０が介在し、」「絶縁層３０はポリイミドで形成され[る]」ことは、本願発明において「絶縁誘電体が、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間に配置され、高絶縁耐力を有するアイソレート材料で形成され、」「前記絶縁誘電体は、」「ポリイミド」を含むものであることに相当する。 (イ) 引用発明において「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間の間隔Ｔ３」は、「Ｙ１－Ｙ２方向」について規定されたものであり（図４を参照）、「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間を電気的には絶縁する」「大きさで形成され[る]」ものであるところ、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と平面コイル２間の電気的な絶縁性は「間隔Ｔ３」の大きさに関連するものと認められる。 そうすると、引用発明の「Ｙ１－Ｙ２方向」について規定された「間隔Ｔ３」は、本願発明の「電流導体と磁場検出ユニットとの間の第２の方向上の距離に関連[する]」「アイソレーション距離」に相当する。 (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。 「絶縁誘電体が、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間に配置され、高絶縁耐力を有するアイソレート材料で形成され、アイソレーション距離は、電流導体と磁場検出ユニットとの間の第２の方向上の距離に関連し、前記絶縁誘電体は、ポリイミド」「を含[む]」ものである点。 エ 構成Ｃの観点（電流導体） (ア) 引用発明において「平面コイル２は、電極パッド５、６を介して送信回路７に接続され、送信回路７から入力信号に基づく電流が流れると、平面コイル２から外部磁界が発生[する]」ことは、本願発明において「該電流導体は、入力端子を備え、該入力端子から入力された電流信号は、該電流導体を通って流れて該電流導体の周りに磁場を生成[する]」ことに相当する。 (イ) 引用発明においては「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を平面コイル２と水平方向（Ｙ１－Ｙ２方向）に対向させることで、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４に平面コイル２の第１磁界発生部３及び第２磁界発生部４から垂直磁場成分（Ｚ方向成分）を作用させ[る]」ように構成されているのであるから、「平面コイル２」の発生させる磁界が「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４」の感受方向成分を有していることは明らかである。 (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において共通する。 「該電流導体は、入力端子を備え、該入力端子から入力された電流信号は、該電流導体を通って流れて該電流導体の周りに磁場を生成し、該磁場は、該磁場検出ユニットの感受方向に成分を有[する]」点。 (エ) また、本願発明と引用発明は、次の点において一応相違する。 本願発明においては、「該磁場検出ユニットによって検出される出力信号は、該電流導体の周りに生成される該磁場に正比例[する]」のに対し、 引用発明においては、そのような正比例関係について明示されてはいない点。 オ 構成Ｄの観点（シールド層） 引用発明は、本願発明の構成Ｄに相当する構成を備えていないから、本願発明と引用発明は、次の点において相違する。 本願発明においては、 「該シールド層および該磁場生成ユニットは、該基板の該同じ側に位置し、該シールド層は、外部干渉磁場を吸収するとともに該磁場生成ユニットの該電流導体の周りに生成される該磁場の漏れを防ぐように、該基板の近くにおよび／または該基板から離れて該磁場生成ユニットの片側に位置[する]」 との限定があるのに対し、 引用発明は、このような構成を備えていない点。 カ 構成Ｅの観点（磁場検出ユニット１） (ア) 引用発明は「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は、配線パターンにより配線されブリッジ回路が構成され[る]」ものであるから、本願発明と引用発明は、次の点において共通する。 「該磁場検出ユニットは、４つの磁気検出素子からなるブリッジ構造であ[る]」点。 (イ) また、本願発明と引用発明は、次の点において相違する。 本願発明の「磁場検出ユニット」を構成する４つの磁気検出素子は「磁気検出用抵抗器」であり、「同じ磁場検出ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器は、該電流導体の同じ側に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の接続の長さを指[す]」のに対し、引用発明の「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４はホール素子であり」、また前記のような配置について明示されていない点。 キ 構成Ｆ及び構成Ｇの観点（磁場検出ユニット２） 引用発明は、本願発明の構成Ｆ及び構成Ｇに相当する構成を備えていないから、本願発明と引用発明は、次の点において相違する。 本願発明は、 「前記磁場検出ユニットは、巨大磁気抵抗素子で構成され、該巨大磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該巨大磁気抵抗素子の表面に直交し、該巨大磁気抵抗素子の感受方向は、該巨大磁気抵抗素子の該表面に直交し、または 前記磁場検出ユニットは、トンネル磁気抵抗素子で構成され、該トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、該トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に直交[する]」 との構成を備えるのに対し、 引用発明は、「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４」が「ホール素子」であり、このような構成を備えていない点。 ク 構成Ｈの観点（磁気濃縮シート） 引用発明は、本願発明の構成Ｈに相当する構成を備えていないから、本願発明と引用発明は、次の点において相違する。 本願発明は、 「前記磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置された磁気濃縮シートをさらに備え、該第１の側および該第２の側は、該磁場検出ユニットの２つの反対の側であり、該第１の側から該第２の側への接続方向は、前記磁場検出ユニットの前記感受方向と同じまたは反対であり、該磁気濃縮シートは、前記電流導体によって生成される磁場信号、および前記磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される」 との構成を備えるのに対し、 引用発明は、「磁気濃縮シート」を備えておらず、このような構成を備えていない点。 (２) 一致点及び相違点 前記(１)の対比分析の結果を整理すると、本願発明と引用発明は、次のアに示す一致点において一致し、後記イに示す相違点において相違すると認められる。 なお、絶縁材料として、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ベンゾシクロブテンを用いることは例示するまでもなく周知技術であり、これらを引用発明の「絶縁層３０」の材質として採用することは、当業者にとって自明の設計事項にすぎないから、絶縁誘電体にポリイミド以外のものが選択肢として含まれることについては、後記イの相違点に含めていない。 ア 一致点 「基板、磁場生成ユニット、磁場検出ユニット、および絶縁誘電体を備える磁気アイソレータであって、 該磁場生成ユニットは、電流導体を備え、該電流導体は、該基板の片側で第１の方向に沿って延びるように配置され、該磁場検出ユニットおよび該電流導体は、該基板の同じ側に配置され、該磁場検出ユニットは、該電流導体の側面に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、第２の方向に沿って０よりも大きく、該第１の方向は、該第２の方向に直交し、 絶縁誘電体が、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間に配置され、高絶縁耐力を有するアイソレート材料で形成され、アイソレーション距離は、電流導体と磁場検出ユニットとの間の第２の方向上の距離に関連し、前記絶縁誘電体は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド、およびベンゾシクロブテンのうちの少なくとも１つを含み、 該電流導体は、入力端子を備え、該入力端子から入力された電流信号は、該電流導体を通って流れて該電流導体の周りに磁場を生成し、該磁場は、該磁場検出ユニットの感受方向に成分を有し、 該磁場検出ユニットは、４つの磁気検出素子からなるブリッジ構造である、 磁気アイソレータ。」である点。 イ 相違点 (ア) 相違点１ 本願発明が「シールド層」を備え、また「該シールド層および該磁場生成ユニットは、該基板の該同じ側に位置し、該シールド層は、外部干渉磁場を吸収するとともに該磁場生成ユニットの該電流導体の周りに生成される該磁場の漏れを防ぐように、該基板の近くにおよび／または該基板から離れて該磁場生成ユニットの片側に位置」するのに対し、 引用発明はシールド層を備えていない点。 (イ) 相違点２（一応の相違点） 本願発明においては、「該磁場検出ユニットによって検出される出力信号は、該電流導体の周りに生成される該磁場に正比例[する]」のに対し、 引用発明においては、そのような正比例関係について明示されてはいない点。 (ウ) 相違点３ 本願発明の「磁場検出ユニット」を構成する４つの磁気検出素子は「磁気検出用抵抗器」であり、「同じ磁場検出ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器は、該電流導体の同じ側に位置し、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の接続の長さを指[す]」のに対し、 引用発明の「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４はホール素子であり」、また前記のような配置について明示されていない点。 (エ) 相違点４ 本願発明においては、「前記磁場検出ユニットは、巨大磁気抵抗素子で構成され、該巨大磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該巨大磁気抵抗素子の表面に直交し、該巨大磁気抵抗素子の感受方向は、該巨大磁気抵抗素子の該表面に直交し、または 前記磁場検出ユニットは、トンネル磁気抵抗素子で構成され、該トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、該トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に直交[する]」のに対し、 引用発明の「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４」は「ホール素子」である点。 (オ) 相違点５ 本願発明においては、「前記磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置された磁気濃縮シートをさらに備え、該第１の側および該第２の側は、該磁場検出ユニットの２つの反対の側であり、該第１の側から該第２の側への接続方向は、前記磁場検出ユニットの前記感受方向と同じまたは反対であり、該磁気濃縮シートは、前記電流導体によって生成される磁場信号、および前記磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される」のに対し、 引用発明は「磁気濃縮シート」を備えない点。 １０ 判断 (１) 相違点１について ア 前記５(２)で認定したように、 「磁気結合型アイソレータにおいて、外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保するために、シールド膜を磁気発生部の周辺に配置すること。」 は周知技術（周知技術１）である。 イ ここで、周知技術１は「外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保する」ことを目的とするものであるから、シールド膜は、本来は外部からの磁場の影響を防ぐために設けられたものであるが、このような外部からの磁場の影響を防ぐためのシールド膜を磁気発生部の周辺に配置した場合、磁気発生部自身がその周りに生成する磁場が外部に漏れることを防ぐ機能を付随的に奏することは当然である。 ウ これを踏まえると、周知技術１は、外部からの磁場の影響を防ぐとともに、磁気発生部がその周りに生成する磁場が外部に漏れることを防ぐシールド膜について実質的に開示しているといえる。 エ そして、引用発明と周知技術１は、いずれも磁気発生部（平面コイル）を備える磁気結合型アイソレータに関する技術であり、引用発明においても、外部磁場からの影響に対する耐性を確保するという自明の課題が内在しているといえるから、周知技術１を引用発明に採用する契機はあるというべきである。 オ その場合、シールド層と磁気発生部（平面コイル）を基板の同じ側に位置させ、シールド層を該基板の近くに、あるいは、該基板から離れて磁気発生部（平面コイル）の片側に位置するようにすることは、当業者が適宜なし得た設計事項にすぎず、これにより前記相違点１に係る本願発明の構成は、当業者にとって自明に導き出されるものである。 (２) 相違点２（一応の相違点）について ア 磁気センサについて、検出対象となる磁場の大きさに正比例した出力信号が出力されるように設計することが望ましいことは、磁気センサの種類の如何を問わず、当業者にとって技術常識である。 イ 例えば前記引用文献１０に開示された磁気抵抗素子において、次に再掲する[図３]の説明として、 「[図３] ［図：0001432423000018.jpg］ 」 段落[0019]に「図３は、このＭＴＪ構造の外部磁場と抵抗変化の関係を示す模式図である。図示したように外部磁場に応じて抵抗が線形に変化する領域を利用して磁場をセンシングできる。」と記載されているように、「磁場検出ユニットによって検出される出力信号」と、検出対象である「磁場」を正比例の関係とすべきことは、当業者にとって常識の範囲内の事項であって、このことは、磁気センサが磁気抵抗素子であるかホール素子であるかに関わらず妥当することである。 したがって、相違点２は実質的な相違点ではない。 ウ 仮に相違点２が実質的な相違点であるとして検討しても、磁場の値を検出するために、「磁場検出ユニットによって検出される出力信号」と、検出対象である「磁場」の関係を特定する必要があることは自明であって、その特定の際に、両者の関係を正比例関係とするか否かは、設計事項の範囲内のものといえるから、いずれにしても前記相違点２に係る構成は格別のものではない。 (３) 相違点３及び相違点４について ア 相違点３に係る本願発明の構成の解釈 (ア) 相違点３に係る構成のうち、「同じ磁場検出ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器は、該電流導体の同じ側に位置[する]」の部分は、発明の詳細な説明中に同一の記載が無く、その意味は必ずしも明確ではない。 (イ) ここで、請求人が令和７年４月１４日に提出した意見書において、当該記載に関する補正の根拠の一部として挙げている【図２】を以下に示す。 「【図２】 ［図：0001432423000019.jpg］ 」 (ウ) 当該図面に関し、発明の詳細な説明において「磁場検出ユニット２０３および２０５」と説明されているところ、【図２】中で２０３、２０５の示す箇所の近辺領域を見ると、それぞれの領域に４つの直方体が配置されていることが見てとれる。これらの４つの直方体が４つの磁気検出素子に対応していると善解すれば、前記相違点３に係る「同じ磁場検出ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器は、該電流導体の同じ側に位置[する]」とは、一つのユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器（例えば、磁場検出ユニット２０３の４つの直方体）が、電流導体２０２から見て同じ側にまとめて配置されていること（例えば、２０３の４つの直方体は、図２では、２０２から見て左側にまとめてあること）、を指すものであると理解することができる。 上記理解を踏まえ、以下検討する。 イ 周知技術２を踏まえた相違点４の検討 (ア) 前記６(２)で認定したように、 「固定層の磁化方向が膜面垂直方向である、垂直方向に感度を有するトンネル磁気抵抗効果を利用するＭＴＪ構造の磁気センサ素子。」 は周知技術（周知技術２）である。 (イ) ここで、上記周知技術２の「固定層」は、前記相違点４に係る「トンネル磁気抵抗素子のピン止め層」に相当し、上記周知技術２の「固定層の磁化方向が膜面垂直方向である」ことは、前記相違点４に係る「トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該トンネル磁気抵抗素子の表面に直交」することに相当する。 (ウ) また、上記周知技術２の「トンネル磁気抵抗効果を利用するＭＴＪ構造の磁気センサ素子」が「垂直方向に感度を有する」ことは、前記相違点４に係る「トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に直交」することに相当する。 (エ) そうすると、前記相違点４に係る「該トンネル磁気抵抗素子のピン止め層の磁化方向は、該トンネル磁気抵抗素子の表面に直交し、該トンネル磁気抵抗素子の感受方向は、該トンネル磁気抵抗素子の該表面に直交[する]」「トンネル磁気抵抗素子」は、周知の構成にすぎない。 (オ) そして、引用発明の「ホール素子」と周知技術２の磁気センサ素子は、いずれも垂直な磁場成分を検出できる素子であるから、引用発明の「ホール素子」に替えて、周知技術２の磁気センサ素子を、平面コイルと水平方向に対向させて配置することにより、前記相違点４に係る本願発明の構成を得ることは、当業者が容易になし得たものである。 ウ 技術常識１を踏まえた相違点３の検討 (ア) 前記８(３)で認定したように、 「磁気結合型アイソレータにおいて、磁気検出素子と磁気発生コイルの物理的な位置関係は、磁気検出素子の感磁方向と磁気発生コイルの発生磁界の向きの関係が所定の関係を満たしている限り様々な位置関係をとり得るものであり、当該位置関係には、例えば、ブリッジ接続された４つの磁気検出素子を、磁気発生コイルから見て同じ側にまとめて配置する構成が含まれること。」 は技術常識（技術常識１）である。 (イ) 上記技術常識１を踏まえると、引用発明において、前記周知技術２により前記相違点４に係る構成を導くに際し、「一つのユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器が、電流導体から見て同じ側にまとめて配置され[る]」ように構成するか否かは、当業者が適宜選択すべき設計事項の範囲内のものといえる。 (ウ) また、前記相違点３に係る「該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離は、該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の接続の長さを指[す]」との構成について検討すると、上記構成の「該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の距離」と「該電流導体と該磁場検出ユニットとの間の接続の長さ」は単なる表現の相違であって、引用発明においても「平面コイル２」と「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４」の間の距離は、両者の間の接続の長さでもあることは自明であり、相違点３に係る上記構成は実質的な相違点ではない。 エ 相違点３及び相違点４の検討のまとめ 以上をまとめると、引用発明、周知技術２、及び技術常識１から相違点３及び相違点４に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。 (４) 相違点５について ア 前記７(２)で認定したように、 「薄膜コイルと磁気検出素子とを備え、互いに絶縁された複数の電気回路間の信号伝達を非接触で行う磁気カプラにおいて、磁界の強度低下を抑制し、その誘導磁界を磁場検出素子に対して効率的に及ぼすために、軟磁性材料からなる薄膜を磁場検出素子の周辺に配置すること。」 は周知技術（周知技術３）である。 イ 周知技術３の「磁界の強度低下を抑制し、その誘導磁界を磁場検出素子に対して効率的に及ぼすため」に「磁場検出素子の周辺に配置する」「軟磁性材料からなる薄膜」は、相違点５に係る「前記磁場検出ユニット」に「配置された磁気濃縮シート」に相当する。 ウ 引用発明と周知技術３は、いずれも磁気結合型アイソレータ（磁気カプラ）に関する技術であり、引用発明においても、磁界の強度低下抑制などの自明な課題が内在していることは明らかであるから、周知技術３を引用発明に採用する契機はあるというべきである。 エ その場合、生成される磁場信号の強度を上昇させることや、磁気アイソレータのＳ／Ｎ比を向上させることは、当業者にとって当然意識すべき設計指針であるから、かかる設計指針の下、「磁場検出ユニット」の対向する両側にそれぞれ「磁気濃縮シート」を配置し、磁気濃縮シートの配置に係る「接続方向」が「磁場検出ユニットの感受方向と同じまたは反対」となるようにすることは、当業者が適宜なし得た設計事項にすぎず、これにより前記相違点５に係る本願発明の構成が自明なものとして導かれることになる。 (５) 総合評価 前記(１)～(４)において検討したとおり、引用発明において、前記相違点１～５に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、引用発明、周知技術１～３及び技術常識１に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。 そして、前記相違点１～５を総合的に勘案しても、本願発明が奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測・発見困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。 したがって、本願発明は、引用発明、周知技術１～３及び技術常識１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 １１ 請求人の主張について (１) 請求人の主張内容 請求人は令和７年４月１４日提出の意見書において、おおよそ次のように主張している。 ア 主張１ 引用文献１の段落００１１には「前記磁気検出素子は、磁気抵抗効果を利用したＭＲ素子であり、前記磁気検出素子は、前記平面コイルよりも上方あるいは下方に位置していることが好ましい。ＭＲ素子は水平磁場成分により電気特性が変化するため、ＭＲ素子で形成された磁気検出素子を平面コイルよりも上方あるいは下方に配置することで、磁気検出素子に平面コイルからの水平磁場成分を適切に作用させ、磁気検出素子により、平面コイルから生じた外部磁界を検出することが出来る」と記載されており、引用文献１ではＭＲ素子は水平磁場成分により電気特性が変化するものと想定しているのであるから、ピン止め層の磁化方向が膜面垂直方向である「ＧＭＲ素子」又は「ＴＭＲ素子」を採用することは容易に想到することができない。 イ 主張２ 引用文献１の図３から明確に分かるように、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ平面コイルの両側に位置しており、このような配置構成から「前記磁場検出ユニットの第１の側および第２の側に配置された磁気濃縮シートをさらに備え、該第１の側および該第２の側は、該磁場検出ユニットの２つの反対の側であり、該第１の側から該第２の側への接続方向は、前記磁場検出ユニットの前記感受方向と同じまたは反対であり、該磁気濃縮シートは、前記電流導体によって生成される磁場信号、および前記磁気アイソレータの信号対ノイズ比を強化するように構成される」ことを容易に想到することができない。 ウ 主張３ 引用文献２～１１は周知技術を示す文献として挙げられているが、引用文献１から「該磁場検出ユニットは、４つの磁気検出用抵抗器からなるブリッジ構造であり、同じ磁場検出ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器は、該電流導体の同じ側に位置」させる構成さえも容易に想到できないので、引用文献１～１１を組み合わせしても、補正後の請求項１に係る発明を容易に創作することができない。 特に「主引用発明に副引用発明１を適用し、さらに別の副引用発明２を適用する場合において、副引用発明２を適用する（動機付けとしての）課題を、主引用発明に副引用発明を適用してなる発明からは認識できるものの、主引用発明からは認識できないのであれば、副引用発明２を適用することは容易ではない。」という判断基準に基づいて、引用文献１～１１から補正後の請求項１に係る本発明を容易に想到することができない。 (２) 請求人の主張についての検討 ア 主張１について 前記４(２)で認定したように、引用発明は「磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４」として「ホール素子」を備えるものであるから、「ＭＲ素子」であることを前提とした請求人の主張は採用できない。 また、前記１０(３)で説示したように、「固定層の磁化方向が膜面垂直方向である、垂直方向に感度を有するトンネル磁気抵抗効果を利用するＭＴＪ構造の磁気センサ素子。」は周知技術（周知技術２）であり、引用発明の「ホール素子」に替えて、周知技術２の構造を有する素子を、平面コイルと水平方向に対向させて配置することは、当業者が容易になし得たものである。 したがって、前記主張１を採用することはできない。 イ 主張２について 前記１０(４)で説示したように、「薄膜コイルと磁気検出素子とを備え、互いに絶縁された複数の電気回路間の信号伝達を非接触で行う磁気カプラにおいて、磁界の強度低下を抑制し、その誘導磁界を磁場検出素子に対して効率的に及ぼすために、軟磁性材料からなる薄膜を磁場検出素子の周辺に配置すること。」は周知技術（周知技術３）であり、周知技術３を引用発明に採用することは、当業者が容易になし得たものである。また、磁気濃縮シートの配置についても、当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。 したがって、前記主張２を採用することはできない。 ウ 主張３について 前記１０(３)ウで説示したように、「磁気結合型アイソレータにおいて、磁気検出素子と磁気発生コイルの物理的な位置関係は、磁気検出素子の感磁方向と磁気発生コイルの発生磁界の向きの関係が所定の関係を満たしている限り様々な位置関係をとり得るものであり、当該位置関係には、例えば、ブリッジ接続された４つの磁気検出素子を、磁気発生コイルから見て同じ側にまとめて配置する構成が含まれること。」は技術常識（技術常識１）であるから、引用発明においても「ユニットを構成する４つの磁気検出用抵抗器が、電流導体から見て同じ側にまとめて配置され[る]」ように構成するか否かは、当業者が適宜選択すべき設計事項の範囲内のものといえる。 そして、前記１０の各相違点の判断から明らかなように、引用発明には自明な課題が内在するのであって、請求人の主張する「主引用発明に副引用発明を適用してなる発明からは認識できるものの、主引用発明からは認識できない」ような格別な「課題」を前提にして、本願発明の進歩性を判断する必要はないというべきである。 したがって、前記主張３を採用することはできない。 １２ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。