2023-020001

特願２０２０－５６５３４６「チューナブルＶＣＳＥＬ内の量子井戸配置」拒絶査定不服審判事件〔令和 １年１２月２６日国際公開、ＷＯ２０１９／２４６２７８、令和 ３年１０月１４日国内公表、特表２０２１－５２７９４５〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（令和元年）６月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１８年（平成３０年）６月１９日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 令和５年 ３月 １日付け：拒絶理由通知書 同年 ６月 ７日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ７月１８日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） 同年１１月２７日 ：審判請求書、手続補正書の提出 令和６年 １月１２日付け：前置報告書 同年 ３月２２日 ：上申書の提出 第２ 本願発明の認定 本願の請求項１～２０に係る発明（そのうち、請求項１１に係る発明を「本願発明」という。）は、令和５年６月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち請求項１１の記載は、以下のとおりである。なお、令和５年１１月２７日に提出された手続補正書による補正は、特許請求の範囲に対するものではない。 「少なくとも１対の量子井戸を有する活性領域を有するチューナブル垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、チューニング範囲の中心波長で、前記活性領域の量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する、チューナブルＶＣＳＥＬ。」 第３ 原査定の拒絶の理由の概要 原査定の拒絶の理由は、本願発明は、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本願発明は、引用文献２に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という内容を含むものである。 また、原査定の拒絶の理由は、本願発明は、優先日前に頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献３に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本願発明は、引用文献３に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という内容を含むものである。 引用文献２ 特表２０１６－５１３８８９号公報 引用文献３ QIAO Pengfei et al.，“Wavelength-Swept VCSELs”, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics，2017年11月，Vol. 23, No. 6，p.1-16，DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2707181 第４ 引用文献の記載事項及び引用発明の認定 １ 引用文献２について （１）引用文献２に記載された事項 原査定が引用した引用文献２（特表２０１６－５１３８８９号公報）には、次の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下同じ。）。 ア 「【請求項１】 約９５０ｎｍと約１１５０ｎｍの間の波長スパンに含まれる波長の範囲にわたって波長可変放射を放出するように動作する波長可変光源であって、 当該波長可変光源は、インジウム、ガリウム及びヒ素を含む少なくとも１つの圧縮歪量子井戸を有する利得領域（１２０）を有する垂直キャビティレーザ（ＶＣＬ）を備え、 前記垂直キャビティレーザは、第１のミラー（１３０）を含む第１の部分（１１０）と、支持構造（１８５）を有する柔軟性のある膜（１７０）を含む機械構造に取り付けられた第２のミラー（１４０）を含む第２の部分（１００）と、前記第２の部分（１００）と前記第１の部分（１１０）との間に設けられた調節可能なエアギャップ（１５０）と、電子及びホールを前記利得領域に注入する第１の手段と、前記エアギャップを調節する第２の手段と、前記波長の調整範囲にわたって実質的に単一の縦方向及び横方向のモード動作をさせる第３の手段と、をさらに備え、 前記利得領域のピークの室温フォトルミネッセンス波長は、可変である前記レーザの最大動作波長よりも約２０ｎｍ超だけ短い、 波長可変光源。」 イ 「【００１３】 図１に、本発明に係る、性能が高く、製造可能で且つ信頼性が高い波長掃引光源の好適な実施形態の概略図を示す。調整機構と利得媒質の両方の設計が、平均故障間隔が１０００時間をはるかに上回ることを可能にする。故障とは達成可能な調整範囲又は出力強度のいずれかが１０％以上低下する時点として定義される。応用によっては、１００時間などのより短い平均故障間隔でも十分であろう。この掃引光源は、平均出力強度及びピーク強度波長を伴う約９５０ｎｍから約１１５０ｎｍの間の範囲に含まれる波長の調整範囲にわたって、波長掃引放射を放出する。光学的にポンピングされるＭＥＭＳ－ＶＣＬは、固定された第１の部分１１０及び可動の第２の部分１００を含む。示された好適な調整機構はＭＥＭＳ調整機構であるが、抵抗加熱を用いる展開膜による電熱アクチュエーションなどの他の調整機構も可能である。第１の部分は、ＧａＡｓの障壁を備えた、少なくとも１つ、理想的には３つの圧縮歪インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）量子井戸が設けられたＩｎＧａＡｓのＭＱＷ利得領域１２０を有するが、それは光学的にポンピングされるレーザ源１２５からのポンプ放射を吸収するであろう。ＩｎＧａＡｓ量子井戸は利得帯域幅の強化のために２つの量子状態を持ち得る。光学的にポンピングされるレーザ源１２５は約７５０から８７０ｎｍの波長範囲の波長を有し、好ましくは約８５０ｎｍであり、レーザ発振を可能とするように電子及びホールを利得領域１２０に注入する役割を果たす。第１の部分１１０は、底部ミラー１３０をも含むが、それは十分に酸化されたＧａＡｓ／ＡｌｘＯｙミラーであり、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓの交互の堆積を横方向に酸化することによって形成される。このミラーの低い屈折率の部分は、ｘが好ましくは０．９より大きい、Ａｌ（ｘ）Ｇａ（１－ｘ）Ａｓの酸化によっても形成され得る。高い屈折率の部分もまたＧａＡｓである必要はなく、ＡｌＧａＡｓでもよい。可動である第２の部分１００は、上部の浮遊する誘電体のミラー１４０を含み、エアギャップ１５０によって第１の部分１１０から分離されている。第１の部分１１０とエアギャップ１５０との間の界面に位置する反射防止（ＡＲ）コーティング１６０は、不要な反射を抑制し、且つ、レーザの調整範囲を広くする。五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）は、ニオブ、ハフニウム、チタンの酸化物によって、ケイ素によって、又は、ＶＣＳＥＬの設計及び製造の分野における当業者によく知られている多数の他の高い屈折率を有する材料によって置き換えられ得るが、誘電体のミラー１４０は、理想的には二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）との４分の１波長の堆積によって形成される。誘電体のミラーはさらに、高い能力の単一モード動作を促進する、半対称のキャビティを提供するように曲げられている。誘電体のミラーは膜１７０上に配置されているが、それは好ましくは窒化ケイ素であり、末端で支持構造１８５によって支持され、それは好ましくはゲルマニウムである。この支持構造は、理想的には膜１７０をアンダーカットする犠牲層として使われるものと同一の物質である。支持構造に適した他の候補材料は、ケイ素、ポリイミド、フォトレジスト又はＳＵ－８を含む。窒化ケイ素の膜を用いることにより、多数の高速ＳＳ－ＯＣＴシステムにおいて必要とされるような、１兆サイクルを超えるたわみに耐え得る極めて信頼性の高い膜が提供される。理想的な支持構造は、湿式化学エッチングの代わりに、二フッ化キセノン又は酸素などの乾燥気体によってアンダーカットされ得るものである。アンダーカットに用いられる気体は、実質上、ＶＣＬ構造の他の要素をエッチングすべきではない。湿式化学エッチングされる犠牲層の使用は、臨界点乾燥を必要とするが、それは、デバイスのプロセス、ダイシング及びパッケージングを複雑化させる。例えば、構造に取扱時の丈夫さを維持することを可能とするため、犠牲層をアンダーカットする前に複数のＶＣＬの処理済みウェハを個々のＶＣＬにダイシングすることが望ましい。もし臨界点乾燥が必要ならば、ダイレベルでの犠牲層のアンダーカットは非常に困難である。」 「【図１】 ［図：0001421047000001.jpg］ 」 ウ 「【００２４】 キャビティ内部の量子井戸の、レーザキャビティにおける光定常波に対する配置もまた、性能及び信頼性を促進する。図６乃至８は、図１の構造における量子井戸の配置の３つの好ましい設計を説明する。これらの図の横軸はＶＣＬのキャビティの光伝搬軸に沿った距離である。それぞれの図の上部は、量子井戸及び吸収体の位置を説明する構造における材料の伝導帯を示す。それぞれの図の下部はそれぞれの構造におけるキャビティ内放射の定常波を示す。図６において、多重量子井戸領域３００に関する３つの量子井戸が、光キャビティの定常波の波形３１０の３つの離れた極大値と整列している。この周期的な利得構造においては、利得が定常波のピークから離れた量子井戸の配置に対して向上するだけでなく、これらの井戸が歪の蓄積に対して結合しないように十分に分離されている。これは、量子井戸の歪と厚さの積の総計が通常の歪と厚さの積の限界である２００オングストローム％を超え得ることを意味する。約０．４５μｍの厚さを有する吸収領域３１５も示されているが、それは８５０ｎｍのポンプの強度の４０％を超える吸収につながる。吸収の大部分は量子井戸のＧａＡｓ障壁３０５で起こり、井戸中ではほんの少量の吸収しか起こらない。すべての光生成電子及びホールは量子井戸３００の中に拡散するので、吸収されたポンプ光は可変ＶＣＬの光に効率的に変換される。」 「【図６】 ［図：0001421047000002.jpg］ 」 「【００２５】 別の好適なＭＱＷの実施形態が図７によって示されている。ここにおいて、ＭＱＷ領域３２０の３つのすべての量子井戸は、ＶＣＬの光キャビティ内部の定常波の波形３３０の単一の定常波のピークと整列している。この場合、引張歪のＧａＡｓＰの歪補償障壁が圧縮歪のＩｎＧａＡｓの量子井戸を補償するために提供される。図７の長所は、キャビティの厚さを低減できることであり、より大きいキャビティの空きスペクトル範囲及びより広い範囲の調整につながることである。短所は、低減された厚さの吸収領域３３５は、約０．１μｍの厚さのため、必要とされるポンプの強度の増大を引き起こすことである。ここで、大部分の吸収は、構造の井戸と障壁の両方で起こる。」 「【図７】 ［図：0001421047000003.jpg］ 」 「【００２６】 ３番目の好適な実施形態が図８に示されているが、ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸が光定常波の波形３５０の２つの定常波のピークに沿っている。ここで、厚さが約０．３μｍの吸収体３５５が用いられるため、ポンプの吸収と広い空きスペクトル範囲との間で妥協することにつながる。この構造も引張歪ＧａＡｓＰ障壁を用いる。」 「【図８】 ［図：0001421047000004.jpg］ 」 （２）引用文献２の記載から当業者が把握できる事項 量子井戸の好ましい設計のうち３番目の好適な実施形態（【００２６】・図８）である波長可変光源（以下「図８光源」ということがある。）について、以下の事項を当業者は把握できると認められる。 ア 図８光源は「ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸」（【００２６】）を備えるところ、以下のとおり、当該「ＭＱＷ領域３４０」は請求項１に記載された波長可変光源（請求項１に記載された波長可変光源を、以下「請求項１光源」ということがある。）における「利得領域（１２０）」に対応し、当該「２セットの２量子井戸」は請求項１光源における「少なくとも１つの圧縮歪量子井戸」に対応する。 図８光源は、【００２４】の「図６乃至８は、図１の構造における量子井戸の配置の３つの好ましい設計を説明する」との記載からみて、図１の構造を前提としたものであるところ、当該図１の構造は、請求項１光源の実施形態に該当するものである（【００１３】の第１文）。そして、当該図１の構造において、請求項１光源における「利得領域（１２０）」に対応する構造は、その図面番号からみて、「ＭＱＷ利得領域（１２０）」であるといえるのであり、さらに、当該「ＭＱＷ利得領域（１２０）」は、その「ＭＱＷ利得領域」という文言からみて、図８光源における「ＭＱＷ領域３４０」に対応するといえる。 このように、図８光源における「ＭＱＷ領域３４０」は、当該図１の構造における「ＭＱＷ利得領域（１２０）」に対応するとともに請求項１光源における「利得領域（１２０）」にも対応するといえる。そして、請求項１光源における「利得領域（１２０）」が有する「量子井戸」は、「少なくとも１つの圧縮歪量子井戸」であることから、図８光源の「ＭＱＷ領域３４０」における「２セットの２量子井戸」は、請求項１光源における「少なくとも１つの圧縮歪量子井戸」に対応するものと認められる。 イ 図８光源は、「ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸が光定常波の波形３５０の２つの定常波のピークに沿っている」（【００２６】）ものであるところ、「２セットの２量子井戸」という表現や図８（２つの量子井戸が１つの定常波のピークに沿って存在しており、そのような２つの量子井戸が２セット存在していることが看て取れる。）からみて、ここでいう１「セット」が２つの量子井戸、つまり、１対の量子井戸からなることが明らかである。 （３）引用発明２の認定 前記（１）及び（２）によれば、図８光源について、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる（なお、参考までに引用発明の認定に用いた段落番号等を括弧内に付してある。以下同じ。）。 「約９５０ｎｍと約１１５０ｎｍの間の波長スパンに含まれる波長の範囲にわたって波長可変放射を放出するように動作する波長可変光源であって、 当該波長可変光源は、インジウム、ガリウム及びヒ素を含む少なくとも１つの圧縮歪量子井戸を有する利得領域（１２０）を有する垂直キャビティレーザ（ＶＣＬ）を備え、 前記垂直キャビティレーザは、第１のミラー（１３０）を含む第１の部分（１１０）と、支持構造（１８５）を有する柔軟性のある膜（１７０）を含む機械構造に取り付けられた第２のミラー（１４０）を含む第２の部分（１００）と、前記第２の部分（１００）と前記第１の部分（１１０）との間に設けられた調節可能なエアギャップ（１５０）と、電子及びホールを前記利得領域に注入する第１の手段と、前記エアギャップを調節する第２の手段と、前記波長の調整範囲にわたって実質的に単一の縦方向及び横方向のモード動作をさせる第３の手段と、をさらに備え、 前記利得領域のピークの室温フォトルミネッセンス波長は、可変である前記レーザの最大動作波長よりも約２０ｎｍ超だけ短く、（【請求項１】） ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸が光定常波の波形３５０の２つの定常波のピークに沿っており、（【００２６】） ＭＱＷ領域３４０は、前記利得領域（１２０）に対応し、（前記（２）ア） ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸は、前記少なくとも１つの圧縮歪量子井戸に対応し、（前記（２）ア） １セットの量子井戸は１対の量子井戸からなるものである、（前記（２）イ） 波長可変光源（【請求項１】）。」 ２ 引用文献３について （１）引用文献３に記載された事項 原査定が引用した引用文献３（QIAO Pengfei et al.，“Wavelength-Swept VCSELs”, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics，2017年11月，Vol. 23, No. 6，p.1-1 6，DOI: 10.1109/JSTQE.2017.2707181）には、次の事項が記載されている。 ア 「 A schematic view of a wavelength-swept HCG VCSEL is shown in Fig. 11. The configuration type is only determined by the semiconductor-air coupling (SAC) region. The SCD configuration provides high reflection at the interface and suppresses the field penetration from semiconductor into air. This design resembles conventional VCSELs which the optical mode is confined in semiconductor cavity. In contrast, the ACD configuration facilitates the field confinement in the air gap. The dominant cavity resides in the air gap cavity. Finally, with the EC configuration, the semiconductor and air cavities are perfectly matched such that they resonate as one cavity, in other words, the original semiconductor cavity “extends” into the air region. The only difference required is the coupling layer, with designer thickness and refractive index. The configurations of for the SCD, EC and ACD designs are shown in Fig. 12. The SAC region for SCD (listed from top) comprises a window layer (WL) and a quarter-lambda high-index layer, which may or may not be the same high-index material as in the DBR. For ACD, the SAC region comprises a window layer on top of a low-index layer, which may or may not be the same low-index material as in the DBR. The WL index for SCD and ACD can be arbitrary. The WL thickness should be zero or positive integer multiple of half-lambda. For EC, the SAC region comprises an anti-reflection layer on top of a quarter-lambda high-index layer which is part of the DBR. The refractive index and thickness of the AR layer should be approximately square root of the high-index layer and quarter-lambda, respectively.」 （日本語訳：波長掃引ＨＣＧ ＶＣＳＥＬの概要を図１１に示す。構成のタイプは、半導体と空気のカップリング（ＳＡＣ）領域によってのみ決定する。ＳＣＤ構成は、界面での高い反射率と、半導体から空気への電界の浸透の抑制とを提供する。この設計は、光学モードが半導体共振器に閉じ込められる従来のＶＣＳＥＬに似ている。対照的に、ＡＣＤ構成は、電界を空気ギャップに閉じ込める。主要な共振器は空気ギャップ共振器に存する。最後に、ＥＣ構成では、半導体共振器と空気の共振器が完全に適合して、それらは一つの共振器として機能し、つまり、元の半導体共振器が空気の領域まで「拡張」される。必要な唯一の違いは、設計された厚さと屈折率を持つ結合層である。 ＳＣＤ、ＥＣ及びＡＣＤ設計の構成を図１２に示す。ＳＣＤのＳＡＣ領域は、（上から）窓層（ＷＬ）、１／４波長高屈折率層で構成され、前記高屈折率層はＤＢＲにおける高屈折率材料と同じであっても異なっても良い。ＡＣＤでは、ＳＡＣ領域は低屈折率層の上部に窓層を含むが、前記低屈折率層はＤＢＲの低屈折率材料と同じであっても異なっても良い。ＳＣＤとＡＣＤの窓層の屈折率は任意である。窓層の厚さはゼロ又は１／２波長の整数倍である必要がある。ＥＣでは、ＳＡＣ領域はＤＢＲの一部を構成する１／４波長の高屈折率層の上部に反射防止層を含む。反射防止層の屈折率と厚さはそれぞれ、概ね高屈折率層の平方根と１／４波長程度とする必要がある。） （７頁左欄下から８行目～右欄下から９行目） イ 「 ［図：0001421047000005.jpg］ Fig. 12. Schematics of the hybrid top mirrors including tunable air gaps and HCGs for the SCD, EC and ACD designs. The SACs are highlighted with red dashed circles. The numbers of pairs for top and bottom DBRs are non-negative integers M and K, respectively. One-lambda high-index cavity is illustrated here. Similar definitions apply to the half-lambda low-index cavity designs as well.」 （日本語訳：図１２ 調整可能なエアギャップとＨＣＧを含む、ＳＣＤ，ＥＣ及びＡＣＤ設計のハイブリッドな上部ミラーの概要図。ＳＡＣは赤い破線の円で強調している。上部と下部のＤＢＲの数はそれぞれ、負でない整数Ｍ及びＫである。ここでは、１波長の高屈折率共振器が示されている。同様の定義が半波長の低屈折率共振器の設計にも適用される。） ウ 「The longitudinal field profiles for both the SCD and ACD designs operating at the red edges of their tuning ranges are calculated, as shown in Fig. 15(a) and 15(b), respectively. The magnified views in Fig. 15(c) and 15(d) show the field overlap with MQWs. The same calculation is repeated at various tuning distances, with corresponding resonances at the center and the blue edge of the tuning range, as shown in Figs. 16 and 17, respectively. At the tuning center, we indeed observe larger field coupling with the air region for ACD than SCD in Fig. 16(a) and 16(b). The SAC regions are shaded in green and we see field peak and null at the semiconductor-air interfaces for SCD and ACD designs, respectively.」 （日本語訳：波長可変範囲の長波長側の端で動作するＳＣＤ設計とＡＣＤ設計の両方の縦方向の電界プロファイルを計算し、その結果を図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示す。拡大図である図１５（ｃ）及び図１５（ｄ）は、ＭＱＷとの重なりを示している。同じ計算を様々なチューニング距離で繰り返し、波長可変範囲の中心と短波長側の端における対応する共振を、図１６及び図１７にそれぞれ示す。波長可変範囲の中心では、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示されるように、ＡＣＤではＳＣＤよりも大きな電界が空気領域と結合している。ＳＡＣ領域は緑で塗りつぶされており、ＳＣＤ設計とＡＣＤ設計の半導体と空気の界面で、電界のピークとゼロを確認できる。） （８頁右欄下から１９行目～下から８行目） エ 「 ［図：0001421047000006.jpg］ Fig. 15. Longitudinal field distribution across the tunable VCSEL with (a) SCD and (b) ACD designs at the red-edges of their tuning ranges. The magnified views of on the quantum wells and the coupling layers for (c) SCD and (d) ACD designs. The green shaded regions are the SAC regions.」 （日本語訳：図１５ （ａ）ＳＣＤ及び（ｂ）ＡＣＤ設計での波長可変範囲の長波長側の端における波長可変ＶＣＳＥＬの縦方向の電界分布。（ｃ）ＳＣＤ及び（ｄ）ＡＣＤ設計での、量子井戸層と結合層の拡大図。緑色の網掛け部分はＳＡＣ領域。） オ 「 ［図：0001421047000007.jpg］ Fig. 16. Longitudinal field distribution across the tunable VCSEL with (a) SCD and (b) ACD designs at the center of their tuning ranges. The magnified views of on the quantum wells and the coupling layers for (c) SCD and (d) ACD designs. The green shaded regions are the SAC regions.」 （日本語訳：図１６ （ａ）ＳＣＤ及び（ｂ）ＡＣＤ設計での波長可変範囲の中心における波長可変ＶＣＳＥＬの縦方向の電界分布。（ｃ）ＳＣＤ及び（ｄ）ＡＣＤ設計での、量子井戸層と結合層の拡大図。緑色の網掛け部分はＳＡＣ領域。) カ 「 ［図：0001421047000008.jpg］ Fig. 17. Longitudinal field distribution across the tunable VCSEL with (a) SCD and (b) ACD designs at the blue-edges at their own tuning ranges. The magnified views of on the quantum wells and the coupling layers for (c) SCD and (d) ACD designs. The green shaded regions are the SAC regions.」 （日本語訳：図１７ （ａ）ＳＣＤ及び（ｂ）ＡＣＤ設計での波長可変範囲の短波長側の端における波長可変ＶＣＳＥＬの縦方向の電界分布。（ｃ）ＳＣＤ及び（ｄ）ＡＣＤ設計での、量子井戸層と結合層の拡大図。緑色の網掛け部分はＳＡＣ領域。） （２）引用文献３の記載から当業者が把握できる事項 ア 波長可変範囲の中心における波長可変ＶＣＳＥＬの縦方向の電界分布であって、ＳＣＤ構造の量子井戸と結合層部分での拡大図である図１６（ｃ）から、「ＳＣＤ構造の波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、５つの量子井戸があり、波長可変範囲の中心となる波長における前記波長可変ＶＣＳＥＬの縦方向の電界分布に対し、前記量子井戸のうち少なくとも２つは前記電界分布の定在波のアンチノードの右側にあり、少なくとも２つは定在波のアンチノードの左側にあること。」が看て取れる。 イ 波長可変ＶＣＳＥＬの縦方向の電界分布であって、ＳＣＤ構造の量子井戸と結合層部分の拡大図である図１５（ｃ）（長波長の端）、図１６（ｃ）（波長可変範囲の中心）、及び図１７（ｃ）（短波長の端）より、「波長可変範囲の中心となる波長において、量子井戸と定在波のアンチノード近辺の電界とが最も良く重なり合っており、波長が長波長側の端や短波長側の端に調整された場合は、量子井戸と定在波のアンチノード近辺の電界との重なりが減少すること。」が看て取れる。 （３）引用発明３の認定 前記（１）及び（２）によれば、引用文献３には、ＳＣＤ設計の波長可変ＶＣＳＥＬについて、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。 「ＳＣＤ構造の波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、５つの量子井戸があり、波長可変範囲の中心となる波長における前記波長可変ＶＣＳＥＬの縦方向の電界分布に対し、前記量子井戸のうち少なくとも２つは前記電界分布の定在波のアンチノードの右側にあり、少なくとも２つは定在波のアンチノードの左側にあり、（前記（２）ア） 波長可変範囲の中心となる波長において、量子井戸と定在波のアンチノード近辺の電界とが最も良く重なり合っており、波長が長波長側の端や短波長側の端に調整された場合は、量子井戸と定在波のアンチノード近辺の電界との重なりが減少する、（前記（２）イ） ＳＣＤ構造の波長可変ＶＣＳＥＬ（前記（２）ア）。」 第５ 本願発明と引用発明との対比、判断 １ 引用発明２に基づく新規性欠如及び進歩性欠如について （１）対比、一致点及び相違点の認定 本願発明と引用発明２を対比すると、以下のとおりである。 ア 本願発明の「少なくとも１対の量子井戸を有する活性領域を有するチューナブル垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、」「チューナブルＶＣＳＥＬ」との発明特定事項について 引用発明２の「利得領域（１２０）」は本願発明の「活性領域」に相当する。そして、引用発明２の「ＭＱＷ領域３４０」は「利得領域（１２０）」に対応するものであるから、引用発明２の「ＭＱＷ領域３４０」もまた、本願発明の「活性領域」に相当する。 引用発明２の「波長可変光源」は、「垂直キャビティレーザ」を備えるものであることから、当該「波長可変光源」は、本願発明の「チューナブル垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）」に相当する。そして、引用発明２は「ＭＱＷ領域３４０」に「２セットの２量子井戸」を備えるところ、それぞれのセットを構成する「１対の量子井戸」が、本願発明の「１対の量子井戸」に相当する。すなわち、引用発明２の「波長可変光源」は、少なくとも「１対の量子井戸」を有する「ＭＱＷ領域３４０」を有している。 したがって、引用発明２は、上記発明特定事項を満たしている。 イ 本願発明の「チューニング範囲の中心波長で、前記活性領域の量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する」との発明特定事項について 引用発明２の「光定常波」及び「定常波」は、いずれも本願発明の「定在波」に相当する。 引用発明２は「ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸が光定常波の波形３５０の２つの定常波のピークに沿ってい」るのであるから、それぞれのセットを構成する２つの量子井戸は、定常波のアンチノードの両側に位置することは明らかである（引用文献２の図８からも直ちに看て取れる事項である。）。 そうすると、本願発明と引用発明２とは「活性領域の量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する」点で共通する。一方で、この配置が生じるのが、本願発明では「チューニング範囲の中心波長」であるのに対し、引用発明２ではどの波長であるのか明らかでない。 ウ 以上によれば、本願発明と引用発明２は、以下の一致点で一致し、以下の相違点で一応相違するか、又は相違する。 ＜一致点＞ 「少なくとも１対の量子井戸を有する活性領域を有するチューナブル垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、前記活性領域の量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する、チューナブルＶＣＳＥＬ。」 ＜相違点＞ 「前記活性領域の量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する」際の波長が、本願発明では、「チューニング範囲の中心波長」であるのに対し、引用発明２では、どの波長であるのか明らかでない点。 （２）判断 ア 相違点について 引用発明２は、「波長可変光源」に係るものであって、「ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸が光定常波の波形３５０の２つの定常波のピークに沿っている」（以下「引例２構成」という。）ところ、引例２構成を採用した技術的意味は、「２セットの２量子井戸」における利得を向上させることにあると認められる。このことは、引用文献２には、図６及び【００２４】の態様では、３つの量子井戸が定常波の波形の３つの離れた極大値と整列しているので、利得が向上する旨記載され、図７及び【００２５】の態様では、３つのすべての量子井戸が単一のピークと整列しているので、キャビティの厚さを低減できる旨記載されているところ、図８及び【００２６】の態様（引用発明２に係る態様である。）では、２セットの２量子井戸が２つの定常波のピークに沿っているので、量子井戸と定常波の極大値と整列させることによる利得の向上を実現しつつ、ポンプの吸収と広い空きスペクトル範囲との間で妥協することにつながる、つまり、図６の態様のポンプ光の効率的な吸収の効果と図７の態様のキャビティの厚さ低減の効果を折衷的に実現していると解されることから首肯できる。 このように、引用発明２では、「２セットの２量子井戸」における利得を向上させるために、引例２構成を採用しているのであるが、引用発明２は、波長可変光源であり、波長を可変とすると定常波のピークが移動することが当業者にとって明らかであることから、当業者であれば、引用発明２を実施するに当たり、当然に、どの波長で引例２構成を実現する必要があるのかを検討するといえる。しかるに、波長可変光源における中心波長は、その光源の波長を代表するものであるから、当業者が最も自然に採用するものといえるし、その波長を採用すれば、上記の技術的意味をより確保できることも当業者にとって明らかである。 以上を踏まえれば、引用発明２においても、「ＭＱＷ領域３４０における２セットの２量子井戸が光定常波の波形３５０の２つの定常波のピークに沿った」配置となっているのは、「チューニング範囲の中心波長」であることが明らかであるし、いずれにせよ、そのように構成することは当業者にとって容易である。 したがって、前記相違点は、実質的なものではない。また、仮に実質的なものであるとしても、当業者が容易に想到できたものであり、本願発明が奏する効果についても、本願発明の構成が奏するものとして、引用発明２及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が予測できる範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということもできない。 イ 請求人の主張について 請求人は、本願発明は引用発明２ではなく、また引用発明２から容易に想到し得たものでない旨主張しており、その根拠として、本願発明は「少なくとも１対の量子井戸の各対の量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部のチューニング範囲の中心波長の定在波のアンチノードの両側に位置」しているのに対し、引用発明２はそのような構成を備えてない点を主張している。 しかし、前記アで既に検討したように、この点は実質的な相違点ではなく、また仮に実質的なものであるとしても、当業者が容易に想到できたものである。 したがって、請求人の主張を採用することができない。 ウ 引用文献２についての小括 したがって、本願発明は、引用発明２である。また仮にそうでないとしても、本願発明は、引用発明２及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ２ 引用発明３に基づく新規性欠如及び進歩性欠如について （１）対比、一致点及び相違点の認定 本願発明と引用発明３を対比すると、以下のとおりである。 ア 本願発明の「少なくとも１対の量子井戸を有する活性領域を有するチューナブル垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、」「チューナブルＶＣＳＥＬ。」との発明特定事項について 引用発明３の「波長可変ＶＣＳＥＬ」は、本願発明の「チューナブル垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）」に相当する。 また、引用発明３は「５つの量子井戸」を有しており、この「５つの量子井戸」を含む形で本願発明の「活性領域」に相当する部分を構成するものと認められる。そうすると、本願発明と引用発明３とは、「量子井戸を有する活性領域を有する」点で一致している。他方、「活性領域」における量子井戸の構成について、本願発明は「少なくとも１対の量子井戸を有する」のに対して、引用発明３は「５つの量子井戸」を有する。 イ 本願発明の「チューニング範囲の中心波長で、前記活性領域の量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する」との発明特定事項について 引用発明３の「波長可変範囲」及び「定在波」はそれぞれ、本願発明の「チューニング範囲」及び「定在波」に相当する。また、引用発明３の「定在波」を構成する「電界分布」がＶＣＳＥＬ内部に存在していることは明らかであるから、引用文献３の「定在波」と本願発明の「定在波」とは「ＶＣＳＥＬ内部」にある点で一致している。 一方で、「チューニング範囲の中心波長」における「活性領域の量子井戸」の配置について、本願発明では、「定在波のアンチノードの両側に位置する」のに対し、引用発明３では、「５つの量子井戸があり」、「少なくとも２つは定在波のアンチノードの右側にあり、少なくとも２つは定在波の左側にあ」る点で一応相違する。 ウ 以上によれば、本願発明と引用発明３は、以下の一致点で一致し、以下の相違点で一応相違するか、又は相違する。 ＜一致点＞ 「量子井戸を有する活性領域を有するチューナブル垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、前記活性領域の量子井戸は、チューニング範囲の中心波長で、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードに位置する、チューナブルＶＣＳＥＬ。」 ＜相違点＞ 「活性領域の量子井戸」について、本願発明では「少なくとも１対の量子井戸を有」し、この「量子井戸は、ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する」のに対し、引用発明３では、「５つの量子井戸があり」、「少なくとも２つは定在波のアンチノードの右側にあり、少なくとも２つは定在波の左側にあ」る点。 （２）判断 ア 相違点について （ア）まず、相違点に係る本願発明の構成のうちの「１対の量子井戸」は、相互に隣り合うものである必要はなく、量子井戸の任意の２つであれば足りると解される。すなわち、本願発明の特定事項には、「１対の量子井戸」が相互に隣り合うものである旨の記載は存在しないし、本願の明細書の発明の詳細な説明の記載によれば、本願発明の技術的意義は、「定在波が波長とともにシフトすると、一方の井戸は、より強くなった光場を、他方の井戸は、より弱まった光場（中央）を見る。（右）端部では、光場が見えるのは、１つの井戸だけである。」（【００５０】）という事項に基づき、「これらのチューナブルＶＣＳＥＬの活性領域の設計によって、レーザの広い波長チューニング性のために生じる定在波空間シフトが可能になる」（【００５３】）ことにあると認められるところ、この点からみても、そのように限定して解釈すべきであるとは認められない。してみれば、引用発明３において、例えば左から２番目と同じく４番目の量子井戸を「１対の量子井戸」とみれば、１対の「量子井戸」は「波長可変ＶＣＳＥＬ内部の定在波のアンチノードの両側に位置する」こととなる。したがって、前記相違点は実質的なものではない。 （イ）また、仮に、相違点に係る本願発明の構成のうちの「１対の量子井戸」は相互に隣り合うものであると解釈しても、以下のとおり、前記相違点は、当業者が容易に想到し得たものである。 すなわち、引用発明３における量子井戸は５つ（奇数）となっており、左から３つ目（すなわち、中央）の量子井戸が、定在波のアンチノードとほぼ重なる位置となっている。しかし、量子井戸の数として２及び４のような偶数のものも当然に選択可能である（例えば引用発明２では、アンチノード１つに対する量子井戸は２個（偶数）となっている。）。そして、引用発明３において例えば量子井戸の数を４とした場合には、当業者は、定在波のアンチノード近辺の電界と量子井戸とが最も良く重なるように、量子井戸のうち２つが定在波のアンチノードの右側に、残り２つが定在波のアンチノードの左側にあるように配置することが最も自然であるといえる。 してみれば、引用発明３において、量子井戸の数を偶数とし、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到できたことである。また、本願発明が奏する効果についても、引用発明３に基づいて本願発明の構成が奏するものとして、当業者が予測できる範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということもできない。 イ 請求人の主張について 請求人は、引用発明３についても前記１（２）イと同様の主張をしているが、既に検討したとおり、採用することができない。 ウ 引用文献３についての小括 したがって、本願発明は、引用発明３である。また仮にそうでないとしても、本願発明は、引用発明３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第６ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、また、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。