2023-008225

特願２０２１－５０９８３７「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料及びそれを作製するための方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年 ２月２７日国際公開、ＷＯ２０２０／０４１３２０、令和 ３年１２月２３日国内公表、特表２０２１－５３６１２６、請求項の数（４２）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（令和元年）８月２０日を国際出願日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１８年（平成３０年）８月２１日 米国）とする出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 令和 ３年 ３月２３日 ：手続補正書の提出 令和 ４年 ５月３０日付け：拒絶理由通知書 令和 ４年 ９月 ５日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ５年 １月１６日付け：拒絶査定 令和 ５年 ５月１９日 ：審判請求書、手続補正書の提出 令和 ６年 ４月１５日付け：当審拒絶理由通知書 令和 ６年 ７月１０日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 原査定の概要 原査定（令和５年１月１６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 （進歩性）本願請求項１、４、６、７、１１、１４、２４、２５、２８、３２に係る発明は、以下の引用文献１、１０－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項１、４、７、１１－１３、２４、２５、２８、３２－３４に係る発明は、以下の引用文献２、１０－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項１、４、７、１６、２４、２５、２８、４２に係る発明は、以下の引用文献４、１０－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項１２、１３、３３、３４に係る発明は、以下の引用文献１、４、１０－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項３１に係る発明は、以下の引用文献１、２、４、１０－１４に記載された発明に基づいて、本願請求項２、３、８－１０、２６、２７、３０に係る発明は、以下の引用文献１、２、４、５、１０－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項５、２９に係る発明は、以下の引用文献４、６、１０－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項１７、４３、４４に係る発明は、以下の引用文献４、７、１０－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項１８－２３、３５－３７、３９、４０に係る発明は、以下の引用文献１、２、４、９－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項１８－２２、３５－４０に係る発明は、以下の引用文献７、９－１２に記載された発明に基づいて、本願請求項４１に係る発明は、以下の引用文献７、９、５、１０－１２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ １．特開２００２－２６１４８９号公報 ２．特開２０００－３５３８９３号公報 ３．（欠番） ４．特開２００４－１７２２００号公報 ５．国際公開第２０１７／０４４３８１号 ６．特開２００４－３５９７５２号公報 ７．特開平３－６９１９７号公報 ８．（欠番） ９．特開平５－１６７３４１号公報 １０．特開２００７－２５１６３９号公報 １１．特開２００８－１３５４８５号公報 １２．特開２０１２－１９９２７２号公報 １３．特開２００３－２４１７６１号公報 １４．特開２００３－３１８５８９号公報 第３ 当審拒絶理由の概要 当審が令和６年４月１５日付けで通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。 理由１．（明確性）本願特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 記 本願請求項１には、「熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、」「熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。」と記載されている。「／」という記載によって、「及び」もしくは「又は」のいずれかを選択可能としているので、「又は」を選択すると、当該請求項１は、「熱管理又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、」「熱管理又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。」となるが、さらに、「又は」という接続詞によって、「熱管理」もしくは「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減」のいずれかを選択可能としているので、「熱管理」を選択すると、当該請求項１は、「熱管理材料であって、」「熱管理材料。」となる。 ところで、本願請求項１には、「前記平坦層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む」が、「前記平坦層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む」ことが、「熱管理材料」にどのように関係するのか不明である。本願の請求項２－４４の同様な記載についても、同じことがいえる。 よって、請求項１－４４に係る発明は明確でない。 理由２．（同日出願）本願請求項１－６、８－１２、１４、１６、２４、２６－２９、３１、３３、４２に係る発明は、同日出願された以下の出願Ａに係る考案と同一と認められ、かつ、以下の出願Ａに係る考案は登録されており協議を行うことができないから、特許法第３９条第４項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ Ａ．実願２０２３－１８２５号（登録実用新案第３２４３０４２号公報） 第４ 本願発明 本願請求項１－４２に係る発明（以下「本願発明１」－「本願発明４２」という。）は、令和６年７月１０日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１－４２に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１－４２は以下のとおりである。 「 【請求項１】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体と、前記ピラミッド構造の反転パターンを有する平坦化層とを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記平坦化層は、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、前記ピラミッド構造のパターンは、矩形の基部を有するＥＭＩ吸収性の矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２】 前記充填誘電体は充填ブロックコポリマー系を含む、請求項１に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項３】 前記充填ブロックコポリマー系は、ポリスチレン－ブロック－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）及び／又はポリスチレン及びポリ（メチルメタクリレート）（ＰＳ－ＰＭＭＡ）を含む、請求項２に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項４】 前記ピラミッド構造のパターンは、電磁干渉（ＥＭＩ）吸収材料、メタマテリアル、及びミクロスフェアのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項５】 前記充填誘電体は、カーボンブラックを充填したポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を含む、請求項１に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項６】 前記充填誘電体は、 硬化エラストマー及び／又は熱可塑性エラストマーを含む充填エラストマー系、又は ポリアミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、及び／又はポリエチレン（ＰＥ）のうちの１つ以上を含む充填熱可塑性物質系 を含む、請求項１に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項７】 前記充填誘電体は、少なくとも１つのブロックコポリマーフィルムを含み、 前記ピラミッド構造のパターンは、前記少なくとも１つのブロックコポリマーフィルムの少なくとも１つの側に沿って外側に突出する矩形ピラミッドのパターンを含む、 請求項１～６のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項８】 前記少なくとも１つのブロックコポリマーフィルムは、矩形ピラミッドのパターンを含む多層構造を画定する複数のブロックコポリマーフィルムを含む、請求項７に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項９】 ブロックコポリマーフィルムは、ブロックコポリマーフィルム内で多層フィルム構造が異なるフィラー充填を有するように、及び／又は、ブロックコポリマーフィルムの最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有するように、異なるフィラー密度を有する、請求項８に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１０】 前記充填誘電体の、前記ピラミッド構造のパターンが外側に突出している前記少なくとも１つの側とは反対の側に沿って金属を含むバッキングをさらに含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１１】 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造のパターンの隣接するピラミッド構造間への汚れその他の異物の破片の侵入を防ぐように構成されており、かつ／又は 前記平坦化層は、全体的な誘電率を低下させるためのミクロスフェアを含むことにより、前記平坦化層は低誘電損失かつ低誘電率材料を含み、かつ／又は 複数の周波数選択性表面（ＦＳＳ）素子が前記平坦化層に沿って配置されている、 請求項１～１０のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１２】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体と、前記ピラミッド構造の反転パターンを有する平坦化層とを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記平坦化層は、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、前記平坦化層は、前記ピラミッド構造のパターンの上に配置されたミクロスフェアを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１３】 請求項１～１２のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料を含むボードレベルシールドであって、前記ピラミッド構造のパターンはボードレベルシールドの少なくとも１つの側に沿って外側に突出していることにより、ボードレベルシールドは、１つ以上のコンポーネントがボードレベルシールドの下にあるとき、基板に沿って前記１つ以上のコンポーネントにＥＭＩシールドを提供するように動作可能である、ボードレベルシールド。 【請求項１４】 電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料を含むボードレベルシールドであって、前記電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料は、充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体と、前記ピラミッド構造の反転パターンを有する平坦化層とを含み、前記平坦化層は、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、前記ピラミッド構造のパターンはボードレベルシールドの少なくとも１つの側に沿って外側に突出していることにより、ボードレベルシールドは、１つ以上のコンポーネントがボードレベルシールドの下にあるとき、基板に沿って前記１つ以上のコンポーネントにＥＭＩシールドを提供するように動作可能であり、ボードレベルシールドは、前記１つ以上のコンポーネントの周囲の前記基板に取り付けられるように構成されたフレームと、フレームに取り外し可能に取り付けることができ、フレームから取り外し、再びフレームに取り付けることができるカバーとを含み、前記電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料は、前記フレーム及び／又は前記カバーの少なくとも１つの側に沿っており、 前記ピラミッド構造は２ｍｍ以下の高さを有し、かつ 前記電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の少なくとも一部は、少なくとも１Ｗ／ｍＫ又は１Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫの範囲内の熱伝導率を有する、ボードレベルシールド。 【請求項１５】 前記充填誘電体は、層ごとに異なるフィラー密度を有する複数の層によって画定される多層フィルム構造を含み、前記多層フィルム構造は、層内で異なるフィラー充填、及び／又は、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有することにより、層ごとに異なるフィラー密度が、層のうちの少なくとも１つに、少なくとも１つの他の層とは異なる、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能に関連する少なくとも１つの性能特性を持たせている、請求項１～１２のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１６】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体と、前記ピラミッド構造の反転パターンを有する平坦化層とを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記平坦化層は、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、前記充填誘電体は、層ごとに異なるフィラー密度を有する複数の層によって画定される多層フィルム構造を含み、前記多層フィルム構造は、層内で異なるフィラー充填、及び／又は、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有することにより、層ごとに異なるフィラー密度が、層のうちの少なくとも１つに、少なくとも１つの他の層とは異なる、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能に関連する少なくとも１つの性能特性を持たせており、 前記層のうちの少なくとも１つはブロックコポリマー系を含み、かつ／又は 多層フィルム構造は、多層フィルム構造の少なくとも１つの側に沿って外側に突出し、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有する前記ピラミッド構造のパターンを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１７】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体と、前記ピラミッド構造の反転パターンを有する平坦化層とを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記平坦化層は、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、前記充填誘電体は、層内に厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域を画定するように、層内に分散されたフィラーを含む複数の層によって画定される多層フィルム構造を含み、前記フィラーは、前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域に、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能のうちの１つ以上を含む機能性を提供する、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１８】 最上層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、熱的性能のために構成されており、最下層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、誘電的性能のために構成されており、最上層と最下層との間の少なくとも１つの中間層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、ＥＭＩ軽減のために構成されており、かつ／又は 各層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、熱管理機能、ＥＭＩシールド機能、ならびに垂直配向制御及び層内のフィラーの優先的分離／分散によるＥＭＩ吸収機能のために調整されている、 請求項１７に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１９】 層内の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、共同で多層フィルム構造にマクロパターン又は階層パターンを画定し、かつ／又は、フィラー充填により、層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域にわたって共同でインピーダンス勾配を画定する、層内の機能性のパターンを画定している、請求項１７に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２０】 隣接する層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、垂直に整列しており、かつ／又は少なくとも部分的に重なって、共同で層の厚さを垂直に通る導電性及び／又は熱伝導性経路を画定している、請求項１７～１９のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２１】 前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、層を通る垂直方向の厚さ方向導電性経路を共同で画定する、垂直に整列した導電性及び／又は熱伝導性フィラーを含む、請求項１７～２０のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２２】 前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿ってそれぞれ配置可能な上側及び下側プリント回路基板に沿ったコンポーネントのレイアウトに一致又は対応する、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿った機能性のパターンを画定するように構成されている、請求項１７～２１のいずれか一項に記載の電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２３】 キャスティングプロセス、射出成形プロセス、圧延／形成プロセス、又は堆積プロセスによって、充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを形成すること、及び 前記ピラミッド構造の上に平坦化層を適用することを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の製造方法であって、 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む、方法。 【請求項２４】 前記充填誘電体は充填ブロックコポリマー系を含む、請求項２３に記載の方法。 【請求項２５】 前記充填ブロックコポリマー系は、ポリスチレン－ブロック－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）及び／又はポリスチレン及びポリ（メチルメタクリレート）（ＰＳ－ＰＭＭＡ）を含む、請求項２４に記載の方法。 【請求項２６】 前記ピラミッド構造のパターンを形成することは、前記ピラミッド構造のパターンを、電磁干渉（ＥＭＩ）吸収材料、メタマテリアル、及びミクロスフェアのうちの少なくとも１つを含むように形成することを含む、請求項２３に記載の方法。 【請求項２７】 前記充填誘電体は、カーボンブラックを充填したポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を含む、請求項２３に記載の方法。 【請求項２８】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを形成すること、及び 前記ピラミッド構造の上に平坦化層を適用することを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の製造方法であって、 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、 前記ピラミッド構造のパターンを形成することは、前記ピラミッド構造のパターンを画定する複数のブロックコポリマーフィルムを含む多層フィルム構造を形成することを含み、 前記ピラミッド構造は矩形の基部を有する矩形ピラミッドを含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されており、かつ／又は ブロックコポリマーフィルムは、ブロックコポリマーフィルム内で多層フィルム構造が異なるフィラー充填を有するように、及び／又は、ブロックコポリマーフィルムの最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有するように、異なるフィラー密度を有する、方法。 【請求項２９】 前記ピラミッド構造のパターンを形成することは、所定の又はランダム化された異なる高さを有する少なくとも２つのピラミッド構造のパターンを形成することを含む、請求項２３～２８のいずれか一項に記載の方法。 【請求項３０】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを形成すること、及び 前記ピラミッド構造の上に平坦化層を適用することを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の製造方法であって、 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、 前記方法は、前記充填誘電体の、前記ピラミッド構造のパターンが外側に突出している前記少なくとも１つの側とは反対の側に沿って金属を含むバッキングを適用することをさらに含み、かつ／又は 前記ピラミッド構造は２ｍｍ以下の高さを有し、かつ 前記電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の少なくとも一部は、少なくとも１Ｗ／ｍＫ又は１Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫの範囲内の熱伝導率を有する、方法。 【請求項３１】 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造のパターンの隣接する構造間に汚れその他の異物の破片（ｆｏｒｅｉｇｎ ｏｂｊｅｃｔ ｄｅｂｒｉｓ：ＦＯＤ）が侵入するのを防ぐように構成されており、かつ／又は 前記平坦化層は、全体的な誘電率を低下させるためのミクロスフェアを含むことにより、前記平坦化層は低誘電損失かつ低誘電率材料を含み、かつ／又は 複数の周波数選択性表面（ＦＳＳ）素子が前記平坦化層に沿っている、 請求項２３～３０のいずれか一項に記載の方法。 【請求項３２】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを形成すること、及び 前記ピラミッド構造の上に平坦化層を適用することを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の製造方法であって、 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造のパターンの上に配置されたミクロスフェアを含む、方法。 【請求項３３】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを形成すること、及び 前記ピラミッド構造の上に平坦化層を適用することを含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の製造方法であって、 前記平坦化層は、前記ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定するものであり、前記平坦化層は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含み、 前記充填誘電体は、複数の層を含む多層フィルム構造を含み、前記複数の層は、層内に厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域を画定するように、層内にフィラーを分散させて、前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域に、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能のうちの１つ以上を含む機能性を提供することにより形成される、方法。 【請求項３４】 垂直配向制御及びフィラーの優先的分離／分散を用いることにより、前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域を、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能のうちの１つ以上について調整することを含む、請求項３３に記載の方法。 【請求項３５】 前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域が、共同で多層フィルム構造にマクロパターン又は階層パターンを画定し、かつ／又は、フィラー充填により、層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域にわたって共同でインピーダンス勾配を画定する、層内の機能性のパターンを画定するように、層内のドメインサイズ、形状、及び構造を制御することを含む、請求項３３又は３４に記載の方法。 【請求項３６】 キャスティングプロセス、射出成形プロセス、圧延／形成プロセス、又は堆積プロセスによって、少なくとも１つの層の少なくとも１つの側に沿って外側に突出する前記ピラミッド構造のパターンを形成することを含む、請求項３３～３５のいずれか一項に記載の方法。 【請求項３７】 隣接する層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域を、垂直に整列させ、かつ／又は少なくとも部分的に重ならせて、共同で層の厚さを垂直に通る導電性及び／又は熱伝導性経路を画定させることを含む、請求項３３～３６のいずれか一項に記載の方法。 【請求項３８】 前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域を、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿ってそれぞれ配置可能な上側及び下側プリント回路基板に沿ったコンポーネントのレイアウトに一致又は対応する、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿った機能性を有するようにパターニングすることを含む、請求項３３～３７のいずれか一項に記載の方法。 【請求項３９】 少なくとも１つの層はブロックコポリマー系を含み、 前記ピラミッド構造は２ｍｍ以下の高さを有し、かつ 前記電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料の少なくとも一部は、少なくとも１Ｗ／ｍＫ又は１Ｗ／ｍＫ～６Ｗ／ｍＫの範囲内の熱伝導率を有する、請求項３３～３８のいずれか一項に記載の方法。 【請求項４０】 前記充填誘電体は、複数の層によって画定される多層フィルム構造を含み、前記複数の層は、層内に、層ごとに異なるフィラー密度でフィラーを分散させることにより形成され、前記多層フィルム構造は、層内で異なるフィラー充填、及び／又は、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有することにより、層ごとに異なるフィラー密度が、層のうちの少なくとも１つに、少なくとも１つの他の層とは異なる、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能に関連する少なくとも１つの性能特性を持たせるようにする、請求項２３～３２のいずれか一項に記載の方法。 【請求項４１】 キャスティングプロセス、射出成形プロセス、圧延／形成プロセス、又は堆積プロセスによって、少なくとも１つの層の少なくとも１つの側に沿って外側に突出する前記ピラミッド構造のパターンを形成することを含む、請求項４０に記載の方法。 【請求項４２】 前記層のうちの少なくとも１つはブロックコポリマー系を含み、かつ／又は 前記方法は、多層フィルム構造の少なくとも１つの側に沿って外側に突出し、かつ、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有する前記ピラミッド構造のパターンを形成することを含む、 請求項４０又は４１に記載の方法。」 第５ 同日出願、同日考案、引用文献、引用発明、引用文献記載事項 １ 同日出願Ａ、同日考案 （１）本願及び同日出願Ａの出願日等 本願は、２０１９年（令和元年）８月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１８年８月２１日、米国）を国際出願日とする出願である。 実願２０２３－１８２５号（以下「同日出願Ａ」という。実用新案登録第３２４３０４２号）は、本願の一部を、令和５年５月１９日に新たな特許出願（特願２０２３－８２９７７号）とし、それを、令和５年５月２９日に実用新案登録出願に変更したものであるから、特許法第４４条第２項及び実用新案法第１０条第３項の規定により、同日出願Ａの出願日は、２０１９年（令和元年）８月２０日とみなされる。 したがって、本願と同日出願Ａは、同日にされたものである。そして、本願及び同日出願Ａは、優先日についても同日（２０１８年（平成３０年）８月２１日）であるものと認められる。 （２）同日考案 同日出願Ａの請求項１－２６に係る考案は、令和５年７月２１日に実用新案権の設定登録がされた実用新案登録第３２４３０４２号の実用新案登録請求の範囲の請求項１－２６に記載した事項により特定される次のとおりのものである（下線は、当審で付した。以下同じ。）。 「【請求項１】 充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出する１つ以上の構造のパターンを含む充填誘電体を含む、熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２】 充填誘電体は充填ブロックコポリマー系を含む、請求項１に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項３】 充填ブロックコポリマー系は、ポリスチレン－ブロック－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）及び／又はポリスチレン及びポリ（メチルメタクリレート）（ＰＳ－ＰＭＭＡ）を含む、請求項２に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項４】 前記１つ以上の構造のパターンは、電磁干渉（ＥＭＩ）吸収材料、メタマテリアル、及び／又はミクロスフェアを含む、請求項１に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項５】 充填誘電体は、カーボンブラックを充填したポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を含む、請求項１に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項６】 充填誘電体は、 硬化エラストマー及び／又は熱可塑性エラストマーを含む充填エラストマー系、又は ポリアミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、及び／又はポリエチレン（ＰＥ）のうちの１つ以上を含む充填熱可塑性物質系 を含む、請求項１に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項７】 前記１つ以上の構造のパターンは、ピラミッド構造のパターン、非ピラミッド構造のパターン、ピラミッド構造及び非ピラミッド構造の組み合わせを含むパターン、及び／又は所定の又はランダム化された異なる高さを有する少なくとも２つの構造のパターンを含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項８】 充填誘電体は、少なくとも１つのブロックコポリマーフィルムを含み、 前記１つ以上の構造のパターンは、前記少なくとも１つのブロックコポリマーフィルムの少なくとも１つの側に沿って外側に突出する矩形ピラミッドのパターンを含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項９】 前記少なくとも１つのブロックコポリマーフィルムは、矩形ピラミッドのパターンを含む多層構造を画定する複数のブロックコポリマーフィルムを含む、請求項８に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１０】 ブロックコポリマーフィルムは、ブロックコポリマーフィルム内で多層フィルム構造が異なるフィラー充填を有するように、及び／又は、ブロックコポリマーフィルムの最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有するように、異なるフィラー密度を有する、請求項９に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１１】 充填誘電体の、前記１つ以上の構造のパターンが外側に突出している前記少なくとも１つの側とは反対の側に沿って金属を含むバッキングをさらに含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１２】 前記１つ以上の構造のパターンの上に配置された材料をさらに含み、 前記材料は、平坦化層であって、前記１つ以上の構造の反転パターンを有し、かつ／又は、前記１つ以上の構造のパターンの上に平坦な表面を画定している平坦化層を含み、かつ／又は 前記材料は、前記１つ以上の構造のパターンの隣接する構造間の汚れその他の異物の破片の侵入を防ぐように構成されており、かつ／又は 前記材料は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜を提供するように構成されており、かつ／又は 前記材料は、全体的な誘電率を低下させるためのミクロスフェアを含むことにより、前記材料は低誘電損失かつ低誘電率材料を含み、かつ／又は 複数の周波数選択性表面（ＦＳＳ）素子が前記材料に沿って配置されている、 請求項１～１１のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１３】 前記１つ以上の構造のパターンの上に配置されたミクロスフェアを含む低誘電損失かつ低誘電率材料をさらに含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１４】 請求項１～１３のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料を含むボードレベルシールドであって、前記１つ以上の構造のパターンはボードレベルシールドの少なくとも１つの側に沿って外側に突出しており、それにより、ボードレベルシールドは、１つ以上のコンポーネントがボードレベルシールドの下にあるとき、基板に沿って前記１つ以上のコンポーネントにＥＭＩシールドを提供するように動作可能である、ボードレベルシールド。 【請求項１５】 ボードレベルシールドは、前記１つ以上のコンポーネントの周囲の基板に取り付けられるように構成されたフレームと、フレームに取り外し可能に取り付けることができ、フレームから取り外し、再びフレームに取り付けることができるカバーとを含み、前記熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料は、前記フレーム及び／又は前記カバーの少なくとも１つの側に沿っている、請求項１４に記載のボードレベルシールド。 【請求項１６】 層ごとに異なるフィラー密度を有する複数の層によって画定される多層フィルム構造を含む熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記多層フィルム構造は、層内で異なるフィラー充填、及び／又は、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有することにより、層ごとに異なるフィラー密度が、層のうちの少なくとも１つに、少なくとも１つの他の層とは異なる、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能に関連する少なくとも１つの性能特性を持たせている熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１７】 前記層のうちの少なくとも１つはブロックコポリマー系を含み、かつ／又は 多層フィルム構造は、多層フィルム構造の少なくとも１つの側に沿って外側に突出し、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有する１つ以上の構造のパターンを含む、請求項１６に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１８】 層内に厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域を画定するように、層内に分散されたフィラーを含む複数の層によって画定される多層フィルム構造を含む、熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記フィラーは、前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域に、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び／又は構造的性能のうちの１つ以上を含む機能性を提供する、熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項１９】 最上層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、熱的性能のために構成されており、最下層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、誘電的性能のために構成されており、最上層と最下層との間の少なくとも１つの中間層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、ＥＭＩ軽減のために構成されており、かつ／又は 各層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、熱管理機能、ＥＭＩシールド機能、ならびに垂直配向制御及び層内のフィラーの優先的分離／分散によるＥＭＩ吸収機能のために調整されている、 請求項１８に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２０】 層内の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、共同で多層フィルム構造にマクロパターン又は階層パターンを画定し、かつ／又は、フィラー充填により、層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域にわたって共同でインピーダンス勾配を画定する、層内の機能性のパターンを画定している、請求項１８に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２１】 隣接する層の前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、垂直に整列しており、かつ／又は少なくとも部分的に重なって、共同で層の厚さを垂直に通る導電性及び／又は熱伝導性経路を画定している、請求項１８～２０のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２２】 前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、層を通る垂直方向の厚さ方向導電性経路を共同で画定する、垂直に整列した導電性及び／又は熱伝導性フィラーを含む、請求項１８～２１のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２３】 前記厚さ方向ドメイン及び／又は分離された個別の領域は、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿ってそれぞれ配置可能な上側及び下側プリント回路基板に沿ったコンポーネントのレイアウトに一致又は対応する、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿った機能性のパターンを画定するように構成されている、請求項１８～２２のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２４】 前記１つ以上の構造のパターンは、前記充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含み、かつ 前記熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料は、前記ピラミッド構造の反転パターンを有する平坦化層を含み、前記平坦化層は、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定している、請求項１～２３のいずれか一項に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２５】 前記平坦化層は、熱伝導性材料を含む、請求項２４に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。 【請求項２６】 前記平坦化層は、導電性材料を含む、請求項２４又は２５に記載の熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。」 ２ 引用文献１、引用発明１ （１）引用文献１ 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。 ア 「【００１１】図１は、本発明の電波吸収遮音パネルの一実施形態を示す一部切欠き斜視図である。図１に示すように、電波吸収遮音パネル１０は、電波を吸収する電波吸収層１と、遮音性を有する遮音層２とを備えており、電波吸収層１と遮音層２との間には、金属メッシュからなり電波を反射する電波反射体３が設けられている。 【００１２】電波吸収層１は、電波を効率よく吸収する材料、例えばガラス繊維やポリエステル繊維に金属短繊維を混合して不織布状にしたもの、カーボン粉末を含有する発泡ポリエチレン、フェライトを含有する合成ゴム、カルボニル鉄を含有する樹脂、発泡ポリウレタンなどの公知の電波吸収材料が用いられる。」 イ 「【００２３】図２（「図３」の誤記と認められる。）は、本発明の電波吸収遮音パネルの第２実施形態を示す側面図である。図２（「図３」の誤記と認められる。）に示すように、本実施形態の電波吸収遮音パネル２０は、電波吸収層１が複数のウェッジ形状の突起を有する点で、電波吸収層１がウェッジ形状の突起を有しない第１実施形態の電波吸収遮音パネル１０と相違する。 【００２４】この電波吸収遮音パネル２０においても、電波吸収層１と遮音層２との間に金属メッシュからなる電波反射体３が設けられているため、高い電波吸収性能と高い遮音性能を同時に満足させることができる。 【００２５】なお、電波吸収層１は、ウェッジ形状の突起に代えてピラミッド型（四角錐型）の突起を有してもよい。」 ウ 【図１】「 ［図：0001417156000001.jpg］ 」 エ 【図３】「 ［図：0001417156000002.jpg］ 」 オ 上記イ【００２５】及び上記エ【図３】の記載から、引用文献１には、「ピラミッド型のパターンは、矩形の基部を有する矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている」ことが記載されていると認められる。 （２）引用発明１ 上記（１）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「電波吸収遮音パネル１０は、電波を吸収する電波吸収層１と、遮音性を有する遮音層２とを備えており、 電波吸収層１は、カーボン粉末を含有する発泡ポリエチレンが用いられ、 電波吸収層１は、ピラミッド型（四角錐型）の突起を有してもよく、 ピラミッド型のパターンは、矩形の基部を有する矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている、電波吸収遮音パネル１０。」 ３ 引用文献２、引用発明２ （１）引用文献２ 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。 ア 「【００１８】電波吸収特性については、中空ガラス球状体を利用することで、フェライトを空間内に分散させて、例えば図１の（ａ）、（ｂ）のようなピラミッド状、プリズム状、中空状などの形状の単一構造に成形することで、マイクロ波帯域で優れた電波吸収特性を有する。」 イ 「【００３１】 【実施例２】実施例１と、取り付け面積あたりのフェライト使用量が同じで、フェライト含有率を立体的積層構造にした場合について、図４に示すような３層構造を持つ電波吸収体を作成した。実施例１では１００ｍｍ×１００ｍｍ当たり１６０ｇのフェライトを使用している。今回の電波吸収体は、立体的積層構造を実現するために、６０ｍｍ×６０ｍｍの底辺であったので、１６０ｇの約３６％である５７ｇのフェライトを１つの電波吸収体に使用した。各層における体積とフェライト使用量を表２に示す。シラスバルーンや水ガラスの量は、フェライトの量に応じて調整した。なお、電波吸収特性の評価は、図４に示すように、金属反射板に、電波吸収体を張り付けて行った。完成した電波吸収体の特性を図５に示す。１ＧＨｚから２０ＧＨｚの大部分の周波数領域において、実施例１を１０ｄＢ近く上まわる電波吸収特性を有しており、積層構造とすることで更に優れた電波吸収特性を有していることを確認した。 【００３２】 【表２】 ［図：0001417156000003.jpg］ 」 ウ 「【符号の簡単な説明】 １ 単一構造タイプの電波吸収体 ２ 金属反射板 ３ 中空部 ４ 積層構造タイプの電波吸収体 ５ 表２の層１ ６ 表２の層２ ７ 表２の層３」 エ 【図４】「 ［図：0001417156000004.jpg］ 」 オ 上記イ【００３１】の「各層における体積とフェライト使用量を表２に示す。」との記載及び上記【表２】の記載から、引用文献２には、「層１においては体積８６．３ｃｍ３に対しフェライト使用量を１９ｇとし、層２においては体積８６．３ｃｍ３に対しフェライト使用量を３８ｇとし、層３においては体積７９ｃｍ３に対しフェライト使用量を０ｇとする」ことが記載されていると認められる。 カ 上記ア【００１８】及び上記エ【図４】の記載から、引用文献２には、「ピラミッド状のパターンは、矩形の基部を有する矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている」ことが記載されていると認められる。 」 （２）引用発明２ 上記（１）から、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 「層１においては体積８６．３ｃｍ３に対しフェライト使用量を１９ｇとし、層２においては体積８６．３ｃｍ３に対しフェライト使用量を３８ｇとし、層３においては体積７９ｃｍ３に対しフェライト使用量を０ｇとし、 ピラミッド状のパターンは、矩形の基部を有する矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている、３層構造を持つ電波吸収体。」 ４ 引用文献４、引用発明４ （１）引用文献４ 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。 ア 「【００１５】 すなわち、本発明の電波吸収材料は、シリコーンエマルジョンに導電性材料を分散させた後、硬化させて得られる多孔質体であることを特徴とする。」 イ 「【００１７】 シリコーンエマルジョンはオルガノポリシロキサンを油層とする油中水滴型エマルジョンであるのが好ましく、電波吸収体の形状は、シート型、ウェッジ型又はピラミッド型であるのが好ましい。電波吸収体の形状がシート型の場合、各層の空隙率及び／又は導電率が異なる積層シートとすることができる。さらに、前記積層シートに電波透過層又は空気層が含まれる構造とすることができる。本発明の好ましい実施例では、電波吸収体は複数のピラミッド形状の電波導入部が底面部を接して配列されており、底面部が基台の形状に合わせて曲げ固定され、隣接する電波導入部の先端が開いて扇状に形成されている。」 ウ 「【００２３】 電波吸収材料に用いる好ましい導電性材料としては、一般的なカーボン粒子、カーボン繊維等が挙げられるが、カーボン繊維の場合、材料自身の曲げ、切断等の問題が発生することがある。材料として形状の自由度を必要としない場合には、繊維状の導電性材料を用いても曲げ等の問題は発生しないが、それ以外の場合ではカーボン粒子を用いるか、カーボン粒子とカーボン繊維を併用するのがより好ましい。これにより材料としての機械的特性も充分に満たされる。 【００２４】 カーボン粒子としては、カーボンブラック、グラファイト及びこれらの混合粒子が好ましい。カーボンブラックの種類としてはアセチレンブラック、ファーネスブラック等が挙げられる。中でもＢＥＴ比表面積が７００～１５００ ｍ２／ｇのカーボンブラックは少量の添加でも高い導電性を付与できるため好ましい。このようなカーボンブラックの例としては、ケッチェンブラックＥＣ（ケッチェン・ブラック・インターナショナル社製）、ブラックパール２０００（キャボット社製）、＃３９５０（三菱化学（株）製）等が挙げられる。導電性繊維（カーボン繊維）は特に限定されないが、繊維の長さは０．５～３５０ ｍｍの範囲が好ましい。また繊維の太さ（直径）は電気抵抗を低くするため０．００５～１ｍｍの範囲が好ましい。」 エ 「【００３１】 図２はウェッジ型の多孔質電波吸収体の一例を示し、図３はピラミッド型の多孔質電波吸収体の一例を示す。ウェッジ型及びピラミッド型電波吸収体の高さ、底辺の長さ、カーボン濃度及び空隙率を変更することにより、任意の周波数の不要電波を吸収することが可能となる。上記のシート型電波吸収体と同様に、シリコーンエマルジョン中の水とシリコーンの比率を適宜調整し、任意形状の型内に材料を流し込むことにより、このようなウェッジ型又はピラミッド型電波吸収体も容易に製造することができる。」 オ 「【００３４】 上記電波吸収体構造のうち、シート型については一般に単層構造の場合、電波吸収周波数帯域幅が狭くなる欠点がある。シート型電波吸収体を広帯域化する場合、電波吸収体を積層構造とし、各層の空隙率、導電率等に密度勾配を設けインピーダンス整合を図ることにより、単層構造より広帯域化することができる。本発明の電波吸収材料は、このような多層構造にした積層シート構造も容易に設計できるため、積層シート型電波吸収体（図４）とすることが可能である。」 カ 【図３】「 ［図：0001417156000005.jpg］ 」 キ 上記カ【図３】(a)－(c)の記載から、引用文献４には、「ピラミッド型のパターンは、矩形の基部を有する矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている」ことが記載されていると認められる。 （２）引用発明４ 上記（１）から、引用文献４には、次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。 「電波吸収材料は、シリコーンエマルジョンに導電性材料を分散させた後、硬化させて得られる多孔質体であり、 シリコーンエマルジョンはオルガノポリシロキサンを油層とする油中水滴型エマルジョンであるのが好ましく、 電波吸収体の形状は、ピラミッド型であるのが好ましく、 電波吸収材料に用いる好ましい導電性材料としては、カーボン粒子が挙げられ、 カーボン粒子としては、カーボンブラックが好ましく、 ピラミッド型のパターンは、矩形の基部を有する矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている、ピラミッド型の多孔質電波吸収体。」 ５ 引用文献１０ 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１０には、図面とともに次の事項（以下「引用文献１０記載事項」という。）が記載されている。 ア 「【００２０】 この通信モジュールでは、図２に示した構成に比較して、電磁波吸収体２の構成を変更している。すなわち、電磁波吸収体２は、電子デバイス６に対向する側に突出したピラミッド形状を有する複数の吸収部２ａから構成されている。この通信モジュールにおいては、電磁波吸収体２を貫通して伝熱性基材５より延出される棒状の伝熱部材４は、図４に示したように、伝熱性基材５に並べて配置されたピラミッド形状の吸収部２ａによって形成される谷部分に配置されている。伝熱部材４は、ピラミッド形状の吸収部２ａの高さにほぼ等しい長さを有している。 【００２１】 また、伝熱体３は、図３に示したように、プリント基板８に実装された電子デバイス６を十分に覆うように電子デバイス６に密接して配置され、ピラミッド形状の吸収部２ａの高さより厚くなっていて、吸収部２ａ及び伝熱部材４が押し込まれている。伝熱性基材５は通信モジュールの金属製の本体ケースの蓋９に密着されている。」 イ 【図３】「 ［図：0001417156000006.jpg］ 」 ６ 引用文献１１ 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１１には、図面とともに次の事項（以下「引用文献１１記載事項」という。）が記載されている。 ア 「【００３１】 図１に示すように、電波吸収体１００は、λ／４型（ここでλは誘電体内での電波の波長を表す）の電波吸収体であり、入射される電波を反射する反射体１０と、反射体１０に隣接して配置され、所定の誘電率を有する第１の誘電体２１と、第１の誘電体２１に隣接して配置され、第１の誘電体と異なる誘電率を有する第２の誘電体２２と、抵抗膜３０とを積層して構成される。」 イ 「【００３４】 また、第１の誘電体２１と第２の誘電体２２との界面に凹凸形状が形成されている。凹凸形状の凸部２１ａは、錐形状またはドーム形状である。凹凸形状の凸部２１ａは、第１の誘電体２１と第２の誘電体２２のどちらに設けてもよい。 【００３５】 図２は、凹凸形状の凸部の構成を示す図である。図２において、（ａ）は円錐形状であり、（ｂ）は三角錐形状であり、（ｃ）は四角錐形状であり、（ｄ）は断面が円形のドーム形状であり、（ｅ）は断面が四角形のドーム形状である。 【００３６】 図２に示すように、凸部２１ａは、先の尖った錐形状、例えば図２（ａ）の円錐、図２（ｂ）の三角錐、図２（ｃ）の四角錐等が考えられる。」 ウ 「【００４６】 ベース樹脂としては、シリコーン、アクリル、エポキシ、ポリイミド、ＰＰ、ＰＥ、テフロン（登録商標）、ウレタン等の樹脂または発泡体を用いることができる。なお、ゲル強度またはゴム強度を有する材料を用いることもできる。ゲル強度の材料は、粘着性があるので、より適する。 【００４７】 添加フィラーとしては、次の１から３のものを単独または組み合わせて添加することができる。 １、誘電体材料：例えば、チタン酸バリウム、アルミナ、水酸化アルミ、水酸化マグネシウム、金属酸化物等を用いることができる。 ２、導電材料：例えば、金属粉(アルミ、銅等)、カーボン(カーボンブラック、グラファイトカーボン、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンマイクロコイル等)、金属酸化物等を用いることができる。 ３、複合品：誘電体材料と導電材料の複合品、導電材料と中空フィラーの複合品、誘電体材料と導電材料の複合品と中空フィラーの複合品を用いることができる。」 エ 【図１】「 ［図：0001417156000007.jpg］ 」 オ 【図２】「 ［図：0001417156000008.jpg］ 」 ７ 引用文献１２ 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１２には、図面とともに次の事項（以下「引用文献１２記載事項」という。）が記載されている。 ア 「【００２６】 この電磁波シールド体４は、電子部品２側の電磁波吸収層５と、該電子部品２と反対側の電磁波反射層６とからなる。 【００２７】 本実施の形態では、この電磁波吸収層５は、バインダー樹脂中に電磁波吸収材が分散された電磁波吸収層用塗料の塗膜層よりなる。第１図の通り、この塗料を電子部品２の表面及び側面に塗布し、乾燥することにより、電磁波吸収層５が形成される。この電磁波吸収層用塗料は、電子部品２の側面のボンディングワイヤ３を埋設するようにして塗布される。 【００２８】 また、本実施の形態では、この電磁波反射層６は、バインダー樹脂中に電磁波反射材が 分散された電磁波反射層用塗料の塗膜層よりなる。この塗料を電磁波吸収層５の表面に塗布し、乾燥することにより、電磁波反射層６が形成される。 【００２９】 この電磁波吸収層５の電磁波吸収材としては、センダスト及び／又はパーマロイが好適に用いられる。 【００３０】 この電磁波吸収層５のバインダー樹脂の材質には限定はないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリプロピレン、シクロオレフィン系樹脂等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）などの透明樹脂が好適に用いられる。また、このバインダー樹脂は２液硬化型樹脂であってもよい。 【００３１】 電磁波反射層６の電磁波吸収材としては、金、銀、及び銅の少なくとも１種が好適に用いられる。これらの金属は、電磁波反射性に優れる。また、これらの金属は放熱性にも優れるため、電子部品２から発生する熱を外部に良好に放出することができる。 【００３２】 この電磁波反射層６のバインダー樹脂の材質には限定はないが、電磁波吸収層５のバインダー樹脂と同様に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリプロピレン、シクロオレフィン系樹脂等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）などの透明樹脂が好適に用いられる。また、電磁波吸収層５のバインダー樹脂と同様の２液硬化型樹脂であってもよい。」 イ 「【００４０】 ＜第３の実施の形態＞ 第３図の電磁波シールド体４Ｂのように、電磁波吸収層５Ｂの上面が、縦断面三角形状の凸部５ｃと、縦断面逆三角形状の凹部５ｄとからなる凹凸面となっており、この凹凸面上に電磁波反射層６Ｂが形成されたものであってもよい。これら凸部５ｃと凹部５ｄは、紙面の表裏方向に延在している。 【００４１】 このように電磁波反射層６Ａの電子部材２と反対側の面を凹凸にすることにより、電磁波シールド性が向上する。 【００４２】 なお、電磁波吸収層の上面の凹凸面は第２図や第３図の形状に限定されるものではない。例えば、凸部の形状は、柱状（円柱状、三角柱状、四角柱状、その他の多角柱状）、錐状（円錐状、三角錐状、四角錐状、その他の多角錐状）、円弧状などであってもよい。」 ウ 【図１】「 ［図：0001417156000009.jpg］ 」 エ 【図３】「 ［図：0001417156000010.jpg］ 」 第６ 当審拒絶理由２（同日出願）について １ 本願発明１について 本願発明１は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項７を独立項にしたものであって、補正前の請求項７に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ２ 本願発明１２について 本願発明１２は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項１３を独立項にしたものであって、補正前の請求項１３に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ３ 本願発明１４について 本願発明１４は、補正前の請求項１及び１４を引用する補正前の請求項１５を独立項にしたものであって、補正前の請求項１５に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ４ 本願発明１６について 本願発明１６は、補正前の請求項１及び１６を引用する補正前の請求項１７を独立項にしたものであって、補正前の請求項１７に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ５ 本願発明１７について 本願発明１７は、補正前の請求項１を引用する補正前の請求項１８を独立項にしたものであって、補正前の請求項１８に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ６ 本願発明２３について 本願発明２３は、補正前の請求項２４を引用する補正前の請求項２５を独立項にしたものであって、補正前の請求項２５に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ７ 本願発明２８について 本願発明２８は、補正前の請求項２４を引用する補正前の請求項３０を独立項にしたものであって、補正前の請求項３０に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ８ 本願発明３０について 本願発明３０は、補正前の請求項２４を引用する補正前の請求項３２を独立項にしたものであって、補正前の請求項３２に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 ９ 本願発明３２について 本願発明３２は、補正前の請求項２４を引用する補正前の請求項３４を独立項にしたものであって、補正前の請求項３４に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 １０ 本願発明３３について 本願発明３３は、補正前の請求項２４を引用する補正前の請求項３５を独立項にしたものであって、補正前の請求項３５に係る発明に対しては、当審拒絶理由２の通知対象になっておらず、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 １１ 本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２について 本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２は、上記１－１０で検討した本願発明１、１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２又は３３を引用する発明であるから、同日出願Ａに係る考案と同一であるとは認められない。 第７ 当審拒絶理由１（明確性）について 令和６年７月１０日提出の手続補正により、補正前の請求項１等の「熱管理及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」という記載は、「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」に補正されたので、本願発明１－４２は明確となった。 よって、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとする当審拒絶理由１は解消した。 第８ 原査定について １ 引用発明１を主たる引用発明とした場合 （１）本願発明１について ア 対比 本願発明１と引用発明１とを対比すると、次のことがいえる。 （ア）引用発明１では、「電波吸収層１は、カーボン粉末を含有する発泡ポリエチレンが用いられ」、「電波吸収層１は、ピラミッド型（四角錐型）の突起を有」するから、引用発明１の「電波吸収層１」は、本願発明１の「充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体」に相当する。 （イ）引用発明１は、「電波を吸収する電波吸収層１」「を備え」るから、「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」といえる。 したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 （一致点） 「充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体を含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記ピラミッド構造のパターンは、矩形の基部を有するＥＭＩ吸収性の矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。」 （相違点１） 本願発明１では、ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定し、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む平坦化層が設けられるのに対し、引用発明１では、このような構成について特定されていない点。 イ 相違点についての判断 上記相違点１について検討する。 ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定し、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む平坦化層を設けることは、引用発明２、４及び引用文献１０－１２記載事項には記載も示唆もされておらず、このように構成することが、本願優先日前に周知技術であったともいえない。 したがって、当業者といえども、引用発明１、２、４及び引用文献１０－１２記載事項から上記相違点１に係る本願発明１の構成を容易に想到することはできない。 よって、本願発明１は、当業者であっても、引用発明１、２、４及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （２）本願発明１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２、３３について 本願発明１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２、３３は、「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」、「ボードレベルシールド」又は「方法」の発明であって、上記（１）イで検討した相違点１に係る構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１、２、４及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （３）本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２について 本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２は、本願発明１、１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２又は３３を減縮した発明である。したがって、上記（１）イで検討した相違点１に係る構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１、２、４及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 ２ 引用発明２を主たる引用発明とした場合 （１）本願発明１について ア 対比 本願発明１と引用発明２とを対比すると、次のことがいえる。 （ア）引用発明２は、「層１においては体積８６．３ｃｍ３に対しフェライト使用量を１９ｇとし、層２においては体積８６．３ｃｍ３に対しフェライト使用量を３８ｇとし、層３においては体積７９ｃｍ３に対しフェライト使用量を０ｇとし、」「ピラミッド状のパターンは、矩形の基部を有する矩形ピラミッド構造を含」む「電波吸収体」であるから、「フェライト」を含有する「層１」、「層２」及び「層３」は、本願発明１の「充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体」に相当する。 （イ）引用発明２は、「フェライト」を含有する「層１」、「層２」及び「層３」の「３層構造」を持つから、「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」といえる。 したがって、本願発明１と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 （一致点） 「充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体を含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記ピラミッド構造のパターンは、矩形の基部を有するＥＭＩ吸収性の矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。」 （相違点２） 本願発明１では、ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定し、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む平坦化層が設けられるのに対し、引用発明２では、このような構成について特定されていない点。 イ 相違点についての判断 上記相違点２について検討する。 ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定し、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む平坦化層を設けることは、引用発明１、４及び引用文献１０－１２記載事項には記載も示唆もされておらず、このように構成することが、本願優先日前に周知技術であったともいえない。 したがって、当業者といえども、引用発明２、１、４及び引用文献１０－１２記載事項から上記相違点２に係る本願発明１の構成を容易に想到することはできない。 よって、本願発明１は、当業者であっても、引用発明２、１、４及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （２）本願発明１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２、３３について 本願発明１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２、３３は、「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」、「ボードレベルシールド」又は「方法」の発明であって、上記（１）イで検討した相違点２に係る構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明２、１、４及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （３）本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２について 本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２は、本願発明１、１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２又は３３を減縮した発明である。したがって、上記（１）イで検討した相違点２に係る構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明２、１、４及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 ３ 引用発明４を主たる引用発明とした場合 （１）本願発明１について ア 対比 本願発明１と引用発明４とを対比すると、次のことがいえる。 （ア）引用発明４の「電波吸収材料」は、「シリコーンエマルジョンに導電性材料を分散させた後、硬化させて得られる多孔質体であり、シリコーンエマルジョンはオルガノポリシロキサンを油層とする油中水滴型エマルジョンであるのが好ましく、電波吸収体の形状は、ピラミッド型であるのが好ましく、電波吸収材料に用いる好ましい導電性材料としては、カーボン粒子が挙げられ、カーボン粒子としては、カーボンブラックが好まし」いとされるから、引用発明４の「電波吸収材料」は、本願発明１の「充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体」に相当する。 （イ）引用発明４の「電波吸収材料」は、「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」といえる。 したがって、本願発明１と引用発明４との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 （一致点） 「充填誘電体の少なくとも１つの側に沿って外側に突出するピラミッド構造のパターンを含む充填誘電体を含む、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料であって、前記ピラミッド構造のパターンは、矩形の基部を有するＥＭＩ吸収性の矩形ピラミッド構造を含み、隣接する矩形ピラミッド構造の矩形の基部は、実質的に矩形の基部間の隙間又は間隔なしに互いに接触するように構成されている、電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料。」 （相違点３） 本願発明１では、ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定し、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む平坦化層が設けられるのに対し、引用発明４では、このような構成について特定されていない点。 イ 相違点についての判断 上記相違点３について検討する。 ピラミッド構造の反転パターンを有し、前記反転パターンが前記ピラミッド構造と互い違いに配置されることで前記ピラミッド構造の上に平坦な表面を画定し、インピーダンス整合のための誘電率傾斜誘電体を含む平坦化層を設けることは、引用発明１、２及び引用文献１０－１２記載事項には記載も示唆もされておらず、このように構成することが、本願優先日前に周知技術であったともいえない。 したがって、当業者といえども、引用発明４、１、２及び引用文献１０－１２記載事項から上記相違点３に係る本願発明１の構成を容易に想到することはできない。 よって、本願発明１は、当業者であっても、引用発明４、１、２及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （２）本願発明１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２、３３について 本願発明１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２、３３は、「電磁干渉（ＥＭＩ）軽減材料」、「ボードレベルシールド」又は「方法」の発明であって、上記（１）イで検討した相違点３に係る構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明４、１、２及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （３）本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２について 本願発明２－１１、１３、１５、１８－２２、２４－２７、２９、３１、３４－４２は、本願発明１、１２、１４、１６、１７、２３、２８、３０、３２又は３３を減縮した発明である。したがって、上記（１）イで検討した相違点３に係る構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明４、１、２及び引用文献１０－１２記載事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 第９ むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。