2022-014309

特願２０１９－５４５３５０「アクティブＯＬＥＤディスプレイ、アクティブＯＬＥＤディスプレイの製造方法および化合物」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年 ８月２３日国際公開、ＷＯ２０１８／１５００５０、令和 ２年 ３月１９日国内公表、特表２０２０－５０８５８０〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 特願２０１９－５４５３５０号（以下「本件出願」という。）は、２０１８年（平成３０年）２月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１７年（平成２９年）２月２０日 欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。 令和 ３年 ９月 ９日付け：拒絶理由通知書 令和 ３年１２月 ３日 ：意見書及び手続補正書の提出 令和 ４年 ４月２８日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） 令和 ４年 ９月１２日 ：審判請求書の提出 令和 ４年 ９月１２日 ：手続補正書の提出 （令和４年９月１２日にした手続補正を、以下「本件補正」という。） 第２ 原査定の概要 原査定の拒絶の理由は、概略、本件出願の請求項１～１０及び１２～１５に係る発明は、パリ条約に基づく優先権主張の日（以下「本件優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。 記 引用文献３：米国特許出願公開第２０１４／０２６４２９５号明細書 引用文献４：特表２００９－５３７６７６号公報 引用文献５：特表２０１５－５２６８８２号公報 （当合議体注:引用文献３は、主引用例であり、引用文献４及び引用文献５は、周知技術を示す文献である。） 第３ 本願発明 本件出願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりの次のものである。 「 少なくとも２つのＯＬＥＤ画素を含む複数のＯＬＥＤ画素であって、前記ＯＬＥＤ画素は、陽極、陰極、および有機層の積層体を含み、前記有機層の積層体は、前記陰極と前記陽極との間に、前記陰極と前記陽極とに接するように配置され、前記有機層の積層体は、第１の電子輸送層、第１の正孔輸送層、および当該第１の正孔輸送層と当該第１の電子輸送層との間に設けられた第１の発光層を含む、ＯＬＥＤ画素、ならびに 前記複数のＯＬＥＤ画素の画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を含むディスプレイデバイスであって、 ここで、前記複数のＯＬＥＤ画素において、前記第１の正孔輸送層は、前記複数のＯＬＥＤ画素によって共有される共通の正孔輸送層として、前記有機層の積層体に設けられ、 前記第１の正孔輸送層は （ｉ）共有結合原子からなる、少なくとも１つの第１の正孔輸送マトリックス化合物、 （ｉｉ）金属塩、および金属カチオンならびに少なくとも５つの共有結合原子からなる少なくとも１つのアニオンおよび／または少なくとも５つの共有結合原子からなる少なくとも１つのアニオン性配位子を含む電気的に中性の金属錯体から選択される少なくとも１つの電気的ｐ－ドーパント、 を含み、 前記電気的ｐ－ドーパントの前記金属カチオンは、 アルカリ金属； アルカリ土類金属、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ； 酸化状態（ＩＩ）または酸化状態（ＩＩＩ）である希土類金属； Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ；および 酸化状態（ＩＶ）以下のＳｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏならびにＷから選択される、ディスプレイデバイス。」 第４ 引用文献及び引用発明 １ 引用文献３の記載事項 原査定の拒絶の理由で引用文献３として引用され、本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である、米国特許出願公開第２０１４／０２６４２９５号明細書（以下、同じく「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、翻訳は当合議体にて行った。また、翻訳文における下線は、当合議体が引用発明の認定及び判断等で活用した箇所を示すものである。 （１）「BACKGROUND [0002] 1.Field [0003] One or more aspects of the present invention relate generally to an organic light emitting diode (OLED) display. More particularly, one or more aspects of the present invention relate to an OLED display including an organic emission layer.」 翻訳文：「背景技術 [0002] １．発明の分野 [0003] 本発明の１つ以上の態様は、一般に、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイに関するものである。より詳細には、本発明の１つ以上の態様は、有機発光層を含む有機発光ダイオードディスプレイに関するものである。」 （２）「[0040] Hereinafter, an internal structure of the OLED display 1000 according to the first example embodiment will be described with reference to FIG. 2 to FIG. 4. [0041] FIG. 2 illustrates the layout of a pixel structure of the OLED display according to the first example embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view of the pixel structure illustrated in FIG. 2, taken along the line III-Ill. [0042] Hereinafter, the entire structure of the wire portion 200 and the organic light emitting element 300 are shown in FIG. 2 and FIG. 3, but the example embodiment is not limited to the structure shown in FIG. 2 and FIG. 3. The structure of the wire portion 200 and the organic light emitting element 300 may be variously modified within a range that can be easily realized by a person skilled in the art. For example, in the accompanying drawings, an OLED display including an active matrix (AM) type organic light emitting element that has a 2Tr-1 Cap structure in which each pixel of a display unit is provided with two thin film transistors (TFTs) and one capacitor is illustrated as a display device, but the present invention is not limited thereto. Thus, the number of thin film transistors, the number of capacitors, and the number of wires of the OLED display is not restrictive. In one embodiment, the pixel represents the minimum unit for displaying an image, and the OLED displays an image using a plurality of pixels. [0043] As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the OLED display 1000 includes a switching thin film transistor 10, a driving thin film transistor 20, a capacitor 80, and an organic light emitting element 300 formed in each pixel. Here, the switching thin film transistor 10, the driving thin film transistor 20, and the capacitor 80 form the wire portion 200. In addition, the wire portion 200 includes gate lines 151 arranged along one direction of the first substrate 100, and further includes data lines 171, and common power lines 172. The data lines 171 and the common power lines 172 cross the gate lines 151 in an insulated manner. Here, one pixel may be defined by the boundary formed of the gate line 151, the data line 171, and the common power line 172, but is not necessarily limited thereto. [0044] The switching thin film transistor 10 includes a switching semiconductor layer 131, a switching gate electrode 152, a switching source electrode 173, and a switching drain electrode 174. The driving thin film transistor 20 includes a driving semiconductor layer 132, a driving gate electrode 155, a driving source electrode 176, and a driving drain electrode 177. [0045] The switching thin film transistor 10 is used as a switch for selecting a pixel for light emission. The switching gate electrode 152 is connected to the gate line 151. The switching source electrode 173 is connected to the data line 171. The switching drain electrode 174 is separated from the switching source electrode 173 and connected with one capacitor plate 158. [0046] The driving thin film transistor 20 applies driving power to the first electrode 710 in a selected pixel for light emission of the organic emission layer 720 of an organic light emitting element 300. The driving gate electrode 155 is connected with the capacitor plate 158 that is connected with the switching drain electrode 174. The driving source electrode 176 and the other capacitor plate 178 are respectively connected with the common power line 172. The first electrode 710 of the organic light emitting element 300 is extended from the driving drain electrode 177, and the driving drain electrode 177 and the first electrode 710 are connected with each other. [0047] The capacitor 80 includes a pair of capacitor plates 158 and 178, with an interlayer insulating layer 160 interposed therebetween. Here, the interlayer insulating layer 160 is a dielectric material, and capacitance of the capacitor 80 is determined by charges charged in the capacitor 80 and the voltage applied between the two capacitor plates 158 and 178. [0048] With such a structure, the switching thin film transistor 10 is driven by a gate voltage applied to the gate line 151 to transmit a data voltage applied to the data line 171 to the driving thin film transistor 20. A voltage corresponds to a difference between a common voltage applied to the driving thin film transistor 20 from the common power line 172 and a data voltage transmitted from the switching thin film transistor 10 is stored in the capacitor 80, and a current corresponding to the voltage stored in the capacitor 80 flows to the organic light emitting element 30 through the driving thin film transistor 20 such that the organic light emitting element 300 emits light. [0049] The organic light emitting element 300 includes the first electrode 710, an organic emission layer 720 disposed on the first electrode 710, and a second electrode 730 disposed on the organic emission layer 720. [0050] FIG. 4 is a cross-sectional view of main constituent elements in the OLED display according to the first example embodiment. In FIG. 4, main constituent elements corresponding to a first pixel, a second pixel, and a third pixel that neighbor each other are illustrated for better understanding and ease of description. [0051] As shown in FIG. 4, the first electrode 710 is provided in plural, and each of the plurality of first electrodes are separated from each other respectively, corresponding to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3 that neighbor each other. [0052] The second electrode 730 is disposed on the first electrode 710, with an interposing organic emission layer 720 therebetween, and the location of the second electrode 730 corresponds to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3. The second electrode 730 is provided to extend over the organic emission layer 720 corresponding to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3. [0053] The first electrode 710 becomes an anode which is a hole injection electrode, and the second electrode 730 becomes a cathode which is an electron injection electrode. [0054] Holes and electrodes are injected into the organic emission layer 720 respectively from the first electrode 710 and the second electrode 730. When an exciton, in which a hole and an electron injected into the organic emission layer 720 are coupled to each other, falls from an excited state to a ground state, light emission occurs. Further, the first electrode 710 and the second electrode 730 may respectively include a single-layered or multi-layered light transmissive conductive material or light reflective conductive material that includes at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum (Al), silver (Ag), or the like. [0055] The organic emission layer 720 is located corresponding to the first pixel PA1, the second pixel PA2, and the third pixel PA3, and includes a hole injection layer HIL, a main emission layer (EL), a first p-type hole transport layer (p-HTL1), a first auxiliary layer (RO), a second auxiliary layer (GO), a third auxiliary layer (BO), and electron transport layer ETL.」 翻訳文：「[0040] 以下、図２ないし図４を参照して説明する第１実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイ1000の内部構造について説明する。 [0041] 図２は、第１実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイの画素構造のレイアウトを示す図である。図３は、図２に示した画素構造の断面図であって、III-III線に沿って切断される。 [0042] 以下、配線部200及び有機発光素子300の全体構造について、図２及び図３に示されているが、実施形態は図２及び図３に示される構造に限定されるものではない。配線部200及び有機発光素子300の構造は、当業者によって容易に実現することができる範囲内で多様に変形できる。例えば、添付図面では、表示部の各ピクセルは２個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、１つの容量素子を備えている２トランジスタ－１キャパシタ構造を有するアクティブマトリクス（ＡＭ）型有機発光素子を含むＯＬＥＤディスプレイが表示装置として示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。これにより、薄膜トランジスタの数、キャパシタの数及び配線の数は限定されない。一実施形態では、画素は画像を表示する最小単位を意味し、ＯＬＥＤディスプレイは、複数の画素によって画像を表示する。 [0043] 図２及び図３に示すように、ＯＬＥＤディスプレイ1000は、スイッチング薄膜トランジスタ10、駆動薄膜トランジスタ20、容量素子80、及び各画素に形成される有機発光素子300とを有する。ここで、スイッチング薄膜トランジスタ10、駆動薄膜トランジスタ20、及び容量素子80は、配線部200を形成する。また、配線部200は、第１基板100の一方向に沿って配置されるゲートライン151を有し、さらに、データライン171及び共通電源ライン172を有する。データライン171及び共通電源ライン172は、絶縁してゲート線151と交差する。ここで、一つの画素はゲートライン151、データライン171、及び共通電源ライン172を境界として定義されるが、必ずしもこれに限定されるものではない。 [0044] スイッチング薄膜トランジスタ10は、スイッチング半導体層131、スイッチングゲート電極152、スイッチングソース電極173、及びスイッチングドレイン電極174を含む。駆動薄膜トランジスター20は、駆動半導体層132、駆動ゲート電極155、駆動ソース電極176、及び駆動ドレイン電極177を有する。 [0045] スイッチング薄膜トランジスタ10は、発光する画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極152はゲートライン151に接続されている。スイッチングソース電極173はデータライン171に接続されている。スイッチングドレイン電極174はスイッチングソース電極173から分離され、いずれか一つの容量素子板158と接続されている。 [0046] 駆動薄膜トランジスタ20は、有機発光素子300の有機発光層720を発光させるための選択された画素の第１電極710に駆動電源を印加する。駆動ゲート電極155はスイッチングドレイン電極174と接続された容量素子板158と接続されている。駆動ソース電極176及び他の一つの容量素子板178はそれぞれ共通電源ライン172と接続されている。有機発光素子300の第１電極710は、ドレイン電極177から延設され、駆動ドレイン電極177と第１電極710とが接続されている。 [0047] 容量素子80は一対の容量素子板158及び178を含む層間絶縁膜160を介して設けられている。ここで、層間絶縁膜160は誘電体であり、容量素子80の静電容量は、容量素子80に充電された電荷と、２枚の容量素子板158及び178間に印加される電圧によって決定される。 [0048] このような構造により、スイッチング薄膜トランジスタ10は、ゲートライン151に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン171に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ20に伝達する。該電圧は、共通電源ライン172から駆動薄膜トランジスタ20に印加される共通電圧との差に相当し、スイッチング薄膜トランジスタ10から伝達されたデータ電圧が容量素子80に蓄積され、容量素子80に蓄えられた電圧に対応する電流が有機発光素子300が光を放出するように、駆動薄膜トランジスタ20を通じて有機発光素子30に流れる。 [0049] 有機発光素子300は、第１電極710、第１電極710上に配置された有機発光層720、及び有機発光層720上に配置された第２電極730とを備えている。 [0050] 図４は、第１実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイの主要構成要素の断面図である。図４において、第１画素と第２画素と隣り合う第３画素に対応する主要な構成要素が、説明の便宜のために図示されている。 [0051] 図４に示すように、第１電極710は複数であり、前記複数の第１電極のそれぞれは、互いに隣接する第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応して互いに分離されている。 [0052] 第２電極730は第１電極710の上に配置され、両者間に介在する有機発光層720と、第２電極730の位置は、第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応する。第２電極730は、第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応する有機発光層720上に延在するように設けられている。 [0053] 第１電極710は正孔注入電極であるアノードとなり、第２電極730は電子注入電極であるカソードとなる。 [0054] 正孔と電子は第１電極710と第２電極730からホールが、それぞれ有機発光層720に注入される。また、有機発光層720に注入された電子とが結合された励起子が励起状態から基底状態に落ちるとき、発光が生じる。また、第１電極710及び第２電極730は、それぞれインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又は同様のものの少なくとも1つを含む単層又は複層の光透過性導電性材料又は光反射性導電物質を含むことができる。 [0055] 有機発光層720は、第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応して配置され、正孔注入層HIL、発光層EL、正孔輸送層p-HTL1、第１補助層RO、第２補助層GO,第３補助層BO、及び電子輸送層ETLを有している。」 （３）「[0073] Hereinafter, an OLED display according to a second example embodiment will be described with reference to FIG. 5. [0074] Hereinafter, only characteristic components distinguished from the first example embodiment will be described in more detail, and the components omitted from the description follow the first example embodiment. [0075] In addition, in the second example embodiment, for convenience of description, like constituent elements will be described by using like reference numerals of the first example embodiment. [0076] FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating main constituent elements in the OLED display according to the second example embodiment. [0077] As shown in FIG. 5, an organic emission layer 720 of an OLED display 1002 according to the second example embodiment is located corresponding to a first pixel PA1, a second pixel PA2, and a third pixel PA3, and includes a hole injection layer HIL, a main emission layer EL, a second p-type hole transport layer p-HTL2, a first auxiliary layer RO, a second auxiliary layer GO, a third auxiliary layer BO, and an electron transport layer ETL. [0078] The second p-type hole transport layer p-HTL2 is provided to extend from between the second emission layer GE and the hole injection layer HIL corresponding to the second pixel PA2 to between the third emission layer BE and the hole injection layer HIL corresponding to the third pixel PA3. Since the second p-type hole transport layer p-HTL2 is p-type doped, a current can easily flow to the second emission layer GE and the third emission layer BE through the second p-type hole transport layer p-HTL2 from the first electrode 710 so that holes can be smoothly transported to the second emission layer GE and the third emission layer BE. [0079] The second p-type hole transport layer p-HTL2 is provided to extended only from between the second emission layer GE and the hole injection layer HIL corresponding to the second pixel PA2 to between the third emission layer BE and the hole injection layer HIL corresponding to the third pixel PA3, and is not provided in the first pixel PA1. [0080] As described, in the OLED display 1002 according to the second example embodiment, the p-type doped second p-type hole transport layer p-HTL2 is only extended from between the second emission layer GE and the hole injection layer HIL corresponding to the second pixel PA2 to between the third emission layer BE and the hole injection layer HIL corresponding to the third pixel PA3, and thus, when the organic light emitting element 300 is not driven by the wire portion 200 and thus displays a black image, an undesired micro current flows not to the first emission layer RE corresponding to the first pixel PA1 from the first electrode 710 but to the second p-type hole transport layer p-HTL2 through the wire portion 200 so that the first emission layer RE can be suppressed from emitting light due to the micro current. [0081] In addition, in the OLED display 1002 according to the second example embodiment, although the micro current flows to the second p-type hole transport layer p-HTL2, the third emission layer BE has smaller electric resistance than the second emission layer GE so that the micro current moves to the portion of the second p-type hole transport layer p-HTL2 corresponding to the third pixel PA3 from the portion of the second p-type hole transport layer p-HTL2 corresponding to the second pixel PA2. As the micro current flows to the portion of the second p-type hole transport layer p-HTL2 located between the third emission layer BE and the hole injection layer HIL, the second emission layer GE that corresponds to the second pixel PA2 can be suppressed from emitting light due to the micro current. [0082] Further, in the OLED display 1002 according to the second example embodiment, although the micro current flows to the portion of the second p-type hole transport layer p-HTL2 disposed between the third emission layer BE and the hole injection layer HIL that corresponds to the third pixel PA3, the third emission layer BE includes a blue fluorescent material having lower light emission efficiency than the green phosphorescent material so that light emission of the third emission layer BE due to the micro current flown to the portion of the second p-type hole transport layer p-HTL2 disposed between the third emission layer BE and the hole injection layer HIL that corresponds to the third pixel PA3 can be reduced or minimized. [0083] That is, the main emission layer EL of the OLED display 1002 can be prevented from emitting light due to the undesired micro current through the wire portion 200.」 翻訳文：「[0073] 以下、図５を参照して、第２実施形態に係る有機電界発光表示装置について説明する。 [0074] 以下、第１実施形態と区別される特徴的な構成部についてのみ詳細に説明し、記述から省かれた構成要素は、実施の形態１に従う。 [0075] また、第２実施形態では、説明の便宜上、第１実施形態の同様の参照番号を用いて説明する構成要素と同様である。 [0076] 図５は、第２実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイの主要構成を示す断面図である。 [0077] 図５に示すように、第２実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイ1002の有機発光層720は、第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応して配置され、正孔注入層HIL、主発光層EL、第２p型正孔輸送層p-HTL2、第１補助層RO、第２補助層GO、第３補助層Bo、及び電子輸送層ETLを有している。 [0078] 第２p型正孔輸送層p-HTL2は、第２画素PA2に対応する第２発光層GE及び正孔注入層の間から第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間まで延在するように設けられている。第２p型正孔輸送層p-HTL2はp型にドープされるので、正孔は第２発光層GE及び第３発光層BEに円滑に輸送することができて、第１電極710から第２p型正孔輸送層HTL2を介して第２発光層GE及び第３発光層BEに容易に電流が流れるようにできる。 [0079] 第２p型正孔輸送層p-HTL2は、第２画素PA2に対応する第２発光層GE及び正孔注入層HILとの間から第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間まで延在するようにのみ設けられ、第１画素PA1には設けられていない。 [0080] このように、第２実施例に係るＯＬＥＤディスプレイ1002では、p型にドープされた第２正孔輸送層p-HTL2は、第２画素PA2に対応する第２発光層GE及び正孔注入層HILとの間から第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間まで延在され、これにより、有機発光素子300が配線部200によって駆動されないでブラック画像を表示する場合、望まれない微小電流は、第１画素PA1に対応する第１発光層REではなく配線部200を介して第２p型正孔輸送層p-HTL2に流れて、第１発光層REは微小電流のために発光を抑圧されるようにできるのである。 [0081] また、第２実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイ1002において、第２p型正孔輸送層HTL2の一部に微小電流が流れるものの、第３発光層BEは、第２発光層GEよりも電気抵抗が小さくて、微小電流は、第２画素PA2に対応する第２p型正孔輸送層HTL2の部分から第３画素PA3に対応する第２p型正孔輸送層p-HTL2の部分に変位する。微小電流が第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間に配置された第２p型正孔輸送層p-HTL2の部位に流れるとき、第２画素PA2に対応する第２発光層GEは、微小電流による発光を抑制することができる。 [0082] また、第２実施形態に係るＯＬＥＤディスプレイ1002において、第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び第２p型正孔輸送層p-HTL2の間に配置された第２正孔注入層HILの一部に流れる微小電流が流れるものの、第３発光層BEは、緑色蛍光体材料よりも低い発光効率の青色蛍光体材料を有していて、第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間に配置された第２p型正孔輸送層p-HTL2の一部に流れる微小電流による第３発光層BEの発光を低減又は最少化することができる。 [0083] つまり、ＯＬＥＤディスプレイ1002の主発光層ELは、配線部200を介して望ましくない電流に起因する発光を抑制することができる。」 （４）図２ ［図：0001408440000001.jpg］ （５）図３ ［図：0001408440000002.jpg］ （６）図４ ［図：0001408440000003.jpg］ （７）図５ ［図：0001408440000004.jpg］ ２ 引用発明 引用文献３の[0075]には、「第２実施形態では、説明の便宜上、第１実施形態の同様の参照番号を用いて説明する構成要素と同様である。」と記載されているところ、第２実施形態のＯＬＥＤディスプレイ1002は、第１実施形態のＯＬＥＤディスプレイ1000と、有機発光層720におけるｐ型正孔輸送層の配置が異なるものであって、その余の構成は共通するものである。そうすると、第２実施形態のＯＬＥＤディスプレイ1002は、第１実施形態のＯＬＥＤディスプレイ1000における第１電極710、第２電極730及び有機発光層720の構成と同様の配置であるといえる。 また、図５より、第２実施形態のＯＬＥＤディスプレイ1002において、有機発光層720は、第１電極710と第２電極730と両者に接するように配置され、また、第２発光層GE及び第３発光層BEは、第２p型正孔輸送層p-HTL2と電子輸送層ETLとの間に設けられていることが、看取できる。 そうしてみると、引用文献３には、第２実施形態として、次の「ＯＬＥＤディスプレイ1002」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「第１電極710は複数であり、前記複数の第１電極のそれぞれは、互いに隣接する第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応して互いに分離され、 第２電極730は第１電極710の上に配置され、両者に接するように配置された有機発光層720と、第２電極730の位置は、第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応し、第２電極730は、第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3に対応する有機発光層720上に延在するように設けられ、 第１電極710は正孔注入電極であるアノードとなり、第２電極730は電子注入電極であるカソードとなり、 有機発光層720は、正孔注入層HIL、主発光層EL、第２p型正孔輸送層p-HTL2、第１補助層RO、第２補助層GO、第３補助層Bo、及び電子輸送層ETLを有していて、第２発光層GE及び第３発光層BEは、第２p型正孔輸送層p-HTL2と電子輸送層ETLとの間に設けられており、 第２p型正孔輸送層p-HTL2は、第２画素PA2に対応する第２発光層GE及び正孔注入層HILとの間から第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間まで延在するようにのみ設けられ、第１画素PA1には設けられていない、 ＯＬＥＤディスプレイ1002。」 第５ 対比及び判断 １ 対比 本願発明と引用発明とを対比する。 （１）陽極及び陰極 引用発明の「第１電極710」及び「第２電極730」は、それぞれ、「正孔注入電極であるアノード」及び「電子注入電極であるカソード」となるものである。 そうしてみると、引用発明の「第１電極710」及び「第２電極730」は、それぞれ、本願発明の「陽極」及び「陰極」に相当する。 （２）第１の電子輸送層、第１の正孔輸送層及び発光層 引用発明の「有機発光層720」は、「正孔注入層HIL、主発光層EL、第２p型正孔輸送層p-HTL2、第１補助層RO、第２補助層GO、第３補助層Bo、及び電子輸送層ETLを有していて、第２発光層GE及び第３発光層BEは、第２p型正孔輸送層p-HTL2と電子輸送層ETLとの間に設けられて」いる。 上記構成からみて、引用発明の「電子輸送層ETL」、「第２p型正孔輸送層p-HTL2」及び「第２発光層GE及び第３発光層BE」は、それぞれ、本願発明の「第１の電子輸送層」、「第１の正孔輸送層」及び「発光層」に相当する。 （３）有機層の積層体 引用発明の「第２電極730は第１電極710の上に配置され」ているところ、「有機発光層720」は、この「両者に接するように配置された」ものである。 上記構成及び上記（２４）の各層の積層順序からみて、引用発明の「有機発光層720」は、本願発明の「有機層の積層体」に相当する。また、引用発明の「有機発光層720」は、本願発明の「有機層の積層体」の「前記陰極と前記陽極との間に、前記陰極と前記陽極とに接するように配置され」、「第１の電子輸送層、第１の正孔輸送層、および当該第１の正孔輸送層と当該第１の電子輸送層との間に設けられた第１の発光層を含む」との要件を満たす。 （４）ＯＬＥＤ画素 引用発明は、「第１電極710は複数であり、前記複数の第１電極のそれぞれは、互いに隣接する第１画素PA1、第２画素PA2、及び第３画素PA3に対応して互いに分離され、 第２電極730は第１電極710の上に配置され、両者に接するように配置された有機発光層720と、第２電極730の位置は、第１画素PA1と、第２画素PA2と、第３画素PA3に対応し、第２電極730は、第１画素PA1、第２画素PA2、及び第３画素PA3に対応する有機発光層720上に延在するように設けられ」、「第２p型正孔輸送層p-HTL2は、第２画素PA2に対応する第２発光層GE及び正孔注入層HILとの間から第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間まで延在するようにのみ設けられ、第１画素PA1には設けられていない」との構成を具備する。 上記構成からみて、引用発明の「第２画素PA2及び第３画素PA3」は、少なくとも２つの画素を形成しており、「第１電極710」、「第２電極730」及び「有機発光層720」を含むといえる。 そうしてみると、引用発明の「第２画素PA2及び第３画素PA3」は、本願発明の「ＯＬＥＤ画素」に相当する。また、引用発明の「第２画素PA2及び第３画素PA3」は、本願発明の「ＯＬＥＤ画素」の、「少なくとも２つのＯＬＥＤ画素を含む複数の」及び「陽極、陰極、および有機層の積層体を含み」との要件を満たす。 （５）共通する正孔輸送層 引用発明の「第２p型正孔輸送層p-HTL2」は、「第２画素PA2に対応する第２発光層GE及び正孔注入層HILとの間から第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間まで延在するようにのみ設けられ、第１画素PA1には設けられていない」。 上記構成からみて、引用発明の「第２画素PA2」及び「第３画素PA3」において、「第２p型正孔輸送層p-HTL2」は、「第２画素PA2」及び「第３画素PA3」に共有される共通の正孔輸送層として、「有機発光層720」に設けられているといえる。 そうしてみると、引用発明の「第２p型正孔輸送層p-HTL2」は、本願発明の「第１の正孔輸送層」の「前記複数のＯＬＥＤ画素において」「前記複数のＯＬＥＤ画素によって共有される共通の正孔輸送層として、前記有機層の積層体に設けられ」との要件を満たす。 （６）ディスプレイデバイス 上記（１）ないし（５）を総合すると、引用発明の「ＯＬＥＤディスプレイ1002」は、本願発明の「ディスプレイデバイス」に相当する。 また、引用発明の「ＯＬＥＤディスプレイ1002」は、「第２画素PA2及び第３画素PA3」を含むといえる。 そうしてみると、引用発明の「ＯＬＥＤディスプレイ1002」は、本願発明の「ディスプレイデバイス」の「ＯＬＥＤ画素を含む」との要件を満たす。 ２ 一致点・相違点 （１）一致点 以上の対比結果を踏まえると、本願発明と引用発明は、以下の点で一致する。 「 少なくとも２つのＯＬＥＤ画素を含む複数のＯＬＥＤ画素であって、前記ＯＬＥＤ画素は、陽極、陰極、および有機層の積層体を含み、前記有機層の積層体は、前記陰極と前記陽極との間に、前記陰極と前記陽極とに接するように配置され、前記有機層の積層体は、第１の電子輸送層、第１の正孔輸送層、および当該第１の正孔輸送層と当該第１の電子輸送層との間に設けられた第１の発光層を含む、ＯＬＥＤ画素を含むディスプレイデバイスであって、 ここで、前記複数のＯＬＥＤ画素において、前記第１の正孔輸送層は、前記複数のＯＬＥＤ画素によって共有される共通の正孔輸送層として、前記有機層の積層体に設けられる、ディスプレイデバイス。」 （２）相違点 本願発明と引用発明は、以下の点で一応相違するか、相違する。 ＜相違点１＞ 本願発明は、「前記複数のＯＬＥＤ画素の画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を含む」のに対して、引用発明は、この点が一応明らかでない点。 ＜相違点２＞ 「第１の正孔輸送層」について、本願発明は、「（ｉ）共有結合原子からなる、少なくとも１つの第１の正孔輸送マトリックス化合物、 （ｉｉ）金属塩、および金属カチオンならびに少なくとも５つの共有結合原子からなる少なくとも１つのアニオンおよび／または少なくとも５つの共有結合原子からなる少なくとも１つのアニオン性配位子を含む電気的に中性の金属錯体から選択される少なくとも１つの電気的ｐ－ドーパント、 を含み、 前記電気的ｐ－ドーパントの前記金属カチオンは、 アルカリ金属； アルカリ土類金属、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ； 酸化状態（ＩＩ）または酸化状態（ＩＩＩ）である希土類金属； Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ；および 酸化状態（ＩＶ）以下のＳｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏならびにＷから選択される」のに対して、引用発明の「第２p型正孔輸送層p-HTL2」は具体的な構成が明らかでない点。 ３ 相違点についての判断 上記相違点について検討する。 （１）相違点１について 引用文献３において、複数の画素によって画像を表示することが記載されており（[0042]）、また、[0041]～[0049]及び図２～３には、各画素に形成されるスイッチング素子も記載されている。これらの記載から、引用文献３の第２実施形態のＯＬＥＤディスプレイ1002においても、各画素に形成されるスイッチング素子を含むものであることは、明らかである。 そうしてみると、引用発明は、第１画素PA1、第２画素PA2及び第３画素PA3の各画素を別々に駆動するように構成された駆動回路を含むといえる。 したがって、上記相違点１は、実質的な差異ではない。 仮に、相違するとしても、当業者にとって単なる周知技術の付加にすぎない。 （２）相違点２について ＯＬＥＤディスプレイにおける正孔輸送層の材料として、上記相違点２に係る第１の正孔輸送マトリックス化合物及び電気的ｐ－ドーパントの組み合わせのうち、例えば、少なくとも１個のトリアリールアミン構造部分を有する正孔輸送マトリックス化合物、金属塩又は金属錯体からなる電気的ｐ－ドーパント（例えば、金属塩については、特開平１１－２５１０６７号公報（特許請求の範囲、実施例１）、引用文献４の【００１４】及び引用文献５の【０００７】等、金属錯体については、引用文献４の特許請求の範囲の請求項２、【００１７】及び実施例１～２のニッケル錯体及び引用文献５の特許請求の範囲、【０００２】、【００１２】及び【００７４】～【００９３】に記載された「Ｓｎ」錯体等）は本件優先日当時の周知技術である。 そして、引用文献３の[0078]には、「第２p型正孔輸送層p-HTL2は、第２画素PA2に対応する第２発光層GE及び正孔注入層の間から第３画素PA3に対応する第３発光層BE及び正孔注入層HILとの間まで延在するように設けられている。第２p型正孔輸送層p-HTL2はp型にドープされるので、正孔は第２発光層GE及び第３発光層BEに円滑に輸送することができて、第１電極710から第２p型正孔輸送層HTL2を介して第２発光層GE及び第３発光層BEに容易に電流が流れるようにできる。」と記載されている。 そうすると、引用発明の「第２p型正孔輸送層p-HTL2」として、第１電極710から第２p型正孔輸送層HTL2を介して第２発光層GE及び第３発光層BEに容易に電流が流れるようにするために、上記周知技術を心得た当業者にとって、正孔輸送層として、上記相違点２に係る共有結合原子からなる正孔マトリックス化合物及び電気的ｐ－ドーパントのうちのいずれかとすることは、適宜選択可能な設計事項にすぎない。なお、本願発明の効果については後記４で述べるとおりである。 したがって、引用発明の「第２p型正孔輸送層p-HTL2」に上記周知技術を適用して上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 ４ 効果についての検討 本件明細書の【００３７】の記載から、本願発明の「共通の正孔輸送層」の導電率の範囲は、ディスプレイの電気的クロストークと動作電圧の問題の折り合いを表す範囲と認識されているところ、本件明細書の【００３９】～【００５０】には発明の効果が記載されていて、特に、【００４７】及び【００４９】には、それぞれ、「第２の様式でドープされた材料および／または層の極めて低い導電率にもかかわらず、特に正孔輸送層または正孔注入層としてそのような材料および／または層を含むデバイスが、優れた正孔注入に対応する電気的挙動を依然として示すことを見出した。」及び「さらに、著者らによってなされた最近の研究は、提示された金属塩および／または金属錯体でドープされた材料および／または層が特にｐ－ドーピング作用の上記の第２の様式に従って提供された材料において、好ましい熱安定性を示し得るという示唆を提供した。」と記載されている。 しかしながら、本願発明の「第１の正孔輸送マトリックス化合物」と「電気的ｐ－ドーパント」とは、多種多様な組み合わせを包含しており、上記効果が奏されることが具体的に確認されているといえるのは、そのうちのごく一部の組み合わせにすぎない。すなわち、本願発明において、「第１の正孔輸送マトリックス化合物」は、「共有結合原子からなる」ものであり、本願発明の「電気的ｐ－ドーパント」は、「金属塩、および金属カチオンならびに少なくとも５つの共有結合原子からなる少なくとも１つのアニオンおよび／または少なくとも５つの共有結合原子からなる少なくとも１つのアニオン性配位子を含む電気的に中性の金属錯体から選択される」と特定されるにとどまるから、金属錯体の金属カチオンは多種多様な金属から選択されるものであり、特に、金属塩については具体的な金属種が特定されていない。 そうしてみると、本件明細書に記載された効果は、本願発明の多種多様な第１の正孔輸送層においてまで確認されるものとはいえない。 したがって、本願発明の効果は、本願発明の構成のすべてにおいて確認されるものではないことは明らかであるから、これを参酌することはできない。 ５ 審判請求人の主張について 審判請求人は、令和４年９月１２日提出の審判請求書において、「本願発明における錯体が、酸素との接触を厳重に回避した場合、非常に低い導電率を示す（画素間のクロストークを回避するのに役立つ）が、優れた正孔注入に対応する電気的挙動を依然として示すことを見出しました（本願出願当初明細書〔００４７〕）。さらに、前記錯体は、好ましい熱安定性を示します（本願出願当初明細書〔００４９〕）。」（以下「主張１」という。）、「しかしながら、本発明の効果、特に、ＯＬＥＤディスプレイデバイスの画素間のクロストークを回避するためのドーパントを提供するという効果は、引用文献５に開示も示唆もされていません。引用文献３および４においても、ＯＬＥＤディスプレイデバイスの画素間のクロストークを回避するためのドーパントを提供するという効果は、開示も示唆もされていません。」（以下「主張２」という。）と主張している。 しかしながら、主張１及び２については、上記４で述べたとおりであって、本願発明の効果は、本願発明の構成のすべてにおいて確認されるものではないから採用できない。 したがって、審判請求人の主張は、いずれも採用することができない。 第６ むすび 以上のとおり、本願発明は、引用文献３に記載された発明及び周知技術に基づいて，本件優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。