2021-001701

第１　手続の経緯

本願は、２０１７年　９月２９日（優先権主張　２０１７年　１月３１日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。

２０１９年　６月１８日　　：手続補正書の提出

２０２０年　７月　２日付け：拒絶理由通知書

２０２０年　８月２７日　　：意見書、手続補正書の提出

２０２０年１１月１１日付け：拒絶査定

２０２１年　２月　８日　　：審判請求書、手続補正書の提出

第２　原査定の概要

原査定（２０２０年１１月１１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。

（進歩性）この出願の請求項１～１１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１～４に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

１.特開２０１５－　４６７８８号公報

２.特開２００１－１０２２３５号公報

３.特開２００４－２５３６８４号公報

４.特開２００３－　５９７２２号公報

なお、各請求項に係る発明と各引用文献の対応関係は、以下のとおりである。

・請求項１～４に係る発明ついては、引用文献１～３に記載された発明を引用

・請求項５～１１に係る発明については、引用文献１～４に記載された発明を引用

第３　本願発明

本願の請求項１～１１に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」～「本願発明１１」という。）は、２０２１年　２月　８日の手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。

「　【請求項１】

複数の誘電体層が積層方向に積層されたＬＣ共振器であって、

外部接続端子と、

前記積層方向に直交する特定軸のまわりに巻回されるように形成されたインダクタと、

続きを表示（全39行）

前記インダクタに接続され、キャパシタ導体パターンを含むキャパシタと、

前記インダクタから前記積層方向に伸び、前記インダクタと前記外部接続端子とを接続し、前記インダクタに含まれないビア導体パターンとを備え、

前記インダクタは、前記積層方向に直交する第１方向に伸びる第１柱状導体パターンを含み、

前記積層方向において、前記第１柱状導体パターンの厚みは、前記キャパシタ導体パターンの厚みよりも厚く、

前記第１方向から平面視したときの前記第１柱状導体パターンの面積は、前記積層方向から平面視したときの前記ビア導体パターンの面積以上である、ＬＣ共振器。

【請求項２】

前記第１方向から平面視したとき、前記積層方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向における前記第１柱状導体パターンの第１長さに対する前記積層方向における前記第１柱状導体パターンの第２長さの比は、１以上である、請求項１に記載のＬＣ共振器。

【請求項３】

前記インダクタは、

前記第１方向に伸びる第２柱状導体パターンと、

前記積層方向に伸び、前記第１柱状導体パターンと前記第２柱状導体パターンとを接続する第１接続導体と、

前記積層方向に伸び、前記第１柱状導体パターンと前記キャパシタとを接続する第２接続導体とを含み、

前記第１柱状導体パターン、前記第１接続導体、および前記第２柱状導体パターンは、前記特定軸を巻回するように配置され、

前記第２柱状導体パターンと前記第２接続導体とは、前記キャパシタを介して接続され、

前記ビア導体パターンは、前記第２柱状導体パターンと前記外部接続端子とを接続している、請求項２に記載のＬＣ共振器。

【請求項４】

前記第１方向から平面視したとき、前記第２方向における前記第２柱状導体パターンの第３長さに対する前記積層方向における前記第２柱状導体パターンの第４長さの比は、１以上であり、

前記第１方向から平面視したときの前記第２柱状導体パターンの面積は、前記積層方向から平面視したときの前記ビア導体パターンの面積以上である、請求項３に記載のＬＣ共振器。

【請求項５】

前記第１接続導体の少なくとも一部は、前記積層方向に沿う前記複数の誘電体層の第１側面から外部に露出しており、

前記ＬＣ共振器は、前記第１接続導体の前記複数の誘電体層の外部に露出している部分を覆う第１側面絶縁部をさらに備える、請求項３または請求項４に記載のＬＣ共振器。

【請求項６】

前記第１接続導体は、前記複数の誘電体層の外部において前記第１側面に配置されている、請求項５に記載のＬＣ共振器。

【請求項７】

前記第２接続導体の少なくとも一部は、前記第１側面に平行な前記複数の誘電体層の第２側面から前記複数の誘電体層の外部に露出しており、

前記ＬＣ共振器は、前記第２接続導体の前記複数の誘電体層の外部に露出している部分を覆う第２側面絶縁部をさらに備える、請求項５または請求項６に記載のＬＣ共振器。

【請求項８】

前記第２接続導体は、前記複数の誘電体層の外部において前記第２側面に配置されている、請求項７に記載のＬＣ共振器。

【請求項９】

前記第１柱状導体パターンの少なくとも一部は、前記積層方向に直交する前記複数の誘電体層の特定面から前記複数の誘電体層の外部に露出しており、

前記ＬＣ共振器は、前記第１柱状導体パターンの前記複数の誘電体層の外部に露出している部分を覆う絶縁部をさらに備える、請求項１～請求項８のいずれか１項に記載のＬＣ共振器。

【請求項１０】

前記第１柱状導体パターンは、前記複数の誘電体層の外部において前記特定面に配置されている、請求項９に記載のＬＣ共振器。

【請求項１１】

前記第１柱状導体パターンの前記第１方向における長さは、前記ビア導体パターンの前記積層方向における長さよりも長い、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のＬＣ共振器。」

第４　引用文献、引用発明等

１．特開２０１５－　４６７８８号公報（以下、「引用文献１」という。）

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、次の記載がある。（下線は当審が付与した。）

「【０００１】

この発明は、絶縁層を積層した積層体の内部にＬＣ共振回路を構成した高周波部品に関するものである。」

「【００２３】

図１は、第１の実施形態に係る高周波部品１１の等価回路図である。高周波部品１１は、入出力端子Ｐ１，Ｐ２と、キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ１２と、インダクタＬ１，Ｌ２と、からなるバンドパスフィルタを構成している。

【００２４】

インダクタＬ１，Ｌ２は、入出力端子Ｐ１、Ｐ２に接続される第１端ＳＡと、接地端子に接続される第２端ＳＢとを有している。キャパシタＣ１は、インダクタＬ１と並列に接続され、インダクタＬ１とともに共振回路ＬＣ１を構成している。同様に、キャパシタＣ２は、インダクタＬ２と並列に接続され、インダクタＬ２とともに共振回路ＬＣ２を構成している。」

「【００２７】

図２（Ａ）は、第１の実施形態に係る高周波部品１１の斜視図である。高周波部品１１は、直方体状の積層体１２を備えている。

【００２８】

以下の説明では、図２（Ａ）中に示す積層体１２の左手前側の面を正面と称し、積層体１２の右手奥側の面を背面と称し、積層体１２の右手前側の面を右側面と称し、積層体１２の左手奥側の面を左側面と称する。

続きを表示（全44行）

【００２９】

積層体１２は、下面および上面に垂直な方向を積層方向として、複数の絶縁層を積層して構成されている。なお、積層体１２の絶縁層は、例えば、熱可塑性樹脂などの樹脂材や、低温焼結セラミックスなどのセラミック材により構成される。

【００３０】

積層体１２の外面には、入出力端子１３Ａ，１３Ｂと接地端子１３Ｃとが設けられている。入出力端子１３Ａは、図１における入力端子Ｐ１に相当し、積層体１２の上面から左側面を経由して下面まで延びている。入出力端子１３Ｂは、図１における出力端子Ｐ２に相当し、積層体１２の上面から右側面を経由して下面まで延びている。接地端子１３Ｃは、積層体１２の下面に設けられている。

【００３１】

図２（Ｂ）は、第１の実施形態に係る高周波部品１１の透過斜視図である。

【００３２】

積層体１２の内部には、絶縁層の積層方向に直交する方向に延びる線状導体１６１Ａ，１６２Ａ，１６３Ａ，１６４Ａ，１６５Ａ，１６１Ｂ，１６２Ｂ，１６３Ｂ，１６４Ｂ，１６５Ｂと、絶縁層の面方向に広がる平面導体１８Ａ，１８Ｂ，１９とが形成されている。線状導体１６１Ａ～１６５Ａ，１６１Ｂ～１６５Ｂおよび平面導体１８Ａ，１８Ｂ，１９は、例えば、印刷形成された導電ペーストの焼成体や、フォトリソグラフィプロセスによりパターニングされた銅箔などからなる。

【００３３】

また、積層体１２を構成する絶縁層には、各絶縁層を積層方向に貫通する層間接続導体１７１Ａ，１７２Ａ，１７３Ａ，１７４Ａ，１７５Ａ，１７６Ａ，１７１Ｂ，１７２Ｂ，１７３Ｂ，１７４Ｂ，１７５Ｂ，１７６Ｂが形成されている。層間接続導体１７１Ａ～１７６Ａ，１７１Ｂ～１７６Ｂは、例えば、各絶縁層にビアホールを設け、ビアホール内に導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを焼結して形成されている。

【００３４】

そして、積層体１２の内部には、線状導体１６１Ａ～１６５Ａおよび層間接続導体１７１Ａ～１７６Ａからなる横巻インダクタ１４Ａと、線状導体１６１Ｂ～１６５Ｂおよび層間接続導体１７１Ｂ～１７６Ｂからなる横巻インダクタ１４Ｂと、平面導体１８Ａ，１９からなるキャパシタ１５Ａと、平面導体１８Ｂ，１９からなるキャパシタ１５Ｂと、が構成されている。

【００３５】

横巻インダクタ１４Ａは、図１におけるインダクタＬ１に相当し、積層体１２の内部で中心よりも左側面側に配されており、積層体１２の左側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体１２の中心側に位置する第２端ＳＢに掛けて、層間接続導体１７１Ａ、線状導体１６１Ａ、層間接続導体１７２Ａ、線状導体１６２Ａ、層間接続導体１７３Ａ、線状導体１６３Ａ、層間接続導体１７４Ａ、線状導体１６４Ａ、層間接続導体１７５Ａ、線状導体１６５Ａ、および層間接続導体１７６Ａを、この順に接続して構成されている。これにより、横巻インダクタ１４Ａは、積層体１２の積層方向に対して直交する方向、ここでは、積層体１２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸ＣＡを中心に、第１端ＳＡから第２端ＳＢにかけて巻回軸ＣＡに沿って進む右ねじ状（右螺旋状）に設けられている。

【００３６】

また、横巻インダクタ１４Ｂは、図１におけるインダクタＬ２に相当し、積層体１２の内部の中心よりも右側面側に配されており、積層体１２の右側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体１２の中心側に位置する第２端ＳＢに掛けて、層間接続導体１７６Ｂ、線状導体１６５Ｂ、層間接続導体１７５Ｂ、線状導体１６４Ｂ、層間接続導体１７４Ｂ、線状導体１６３Ｂ、層間接続導体１７３Ｂ、線状導体１６２Ｂ、層間接続導体１７２Ｂ、線状導体１６１Ｂ、および層間接続導体１７１Ｂを、この順に接続して構成されている。これにより、横巻インダクタ１４Ｂは、巻回軸ＣＡを中心に、第１端ＳＡから第２端ＳＢにかけて巻回軸ＣＡに沿って進む左ねじ状（左螺旋状）に設けられている。

【００３７】

このように横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂは、は約２＋（３／４）ターン分の層間接続導体と線状導体とを接続して構成されている。横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂの１ターンは、２つの層間接続導体と２つの線状導体とをループ状に接続して構成されるものである。このように、横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂを、少なくとも１ターン分よりも多くの層間接続導体と線状導体とを接続して螺旋状に構成することにより、単一平面内のみで巻回するループ状に構成される場合に比べて、大きなインダクタンスを実現することができ、大きなインダクタンスを実現しても積層体１２の積層方向での寸法が増大することを抑制できる。

【００３８】

図２（Ｃ）は、積層体１２における横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂとキャパシタ１５Ａ，１５Ｂとの配置位置を示す断面図であり、積層体１２の正面および背面と平行な面での積層体１２の断面を示している。

【００３９】

キャパシタ１５Ａは、図１におけるキャパシタＣ１に相当し、第１の平面導体１８Ａと第２の平面導体１９とが絶縁層を介在した状態で対向して形成されている。第１の平面導体１８Ａは、横巻インダクタ１４Ａの下面側の線状導体１６２Ａ，１６４Ａと同一の層に設けられており、このため、積層体１２における絶縁層の積層数が低減されている。そして、第１の平面導体１８Ａは、横巻インダクタ１４Ａの左側面側に位置していて、横巻インダクタ１４Ａの左側面側の第１端ＳＡが接続され、且つ、積層体１２の左側面の入出力端子１３Ａに接続されている。

【００４０】

また、キャパシタ１５Ｂは、図１におけるキャパシタＣ２に相当し、第１の平面導体１８Ｂと第２の平面導体１９とが絶縁層を介在した状態で対向して形成されている。第１の平面導体１８Ｂは、横巻インダクタ１４Ｂの下面側の線状導体１６２Ｂ，１６４Ｂと同一の層に設けられており、このため、積層体１２における絶縁層の積層数が低減されている。そして、第１の平面導体１８Ｂは、横巻インダクタ１４Ｂの右側面側に位置していて、横巻インダクタ１４Ｂの右側面側の第１端ＳＡが接続され、且つ、積層体１２の右側面の入出力端子１３Ｂに接続されている。

【００４１】

第２の平面導体（接地導体）１９は、図示していない層間接続導体を介して積層体１２の下面の接地端子１３Ｃに接続している。接地導体１９は、積層体１２の横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂよりも下面側に設けられており、積層体１２を上面側から視て横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂおよびキャパシタ１５Ａ，１５Ｂの平面導体１８Ａ，１８Ｂに重なっている。このため、高周波部品１１が実装される外部基板側の導体パターンなどが、高周波部品１１の内部の導体パターンに結合して、高周波部品１１のフィルタ特性に影響が及ぶことを防ぐことができる。また、接地導体１９を、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂを構成する第２の平面導体としているため、積層体１２における絶縁層の積層数が低減されている。この接地導体１９には、積層体１２における横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの間の中心付近で、横巻インダクタ１４Ａの右側面側（積層体中心側）の第２端ＳＢと横巻インダクタ１４Ｂの左側面側（積層体中心側）の第２端ＳＢとがそれぞれ接続されている。

【００４２】

また、図１における容量結合用のキャパシタＣ１２は、横巻インダクタ１４Ａの線状導体および層間接続導体と、横巻インダクタ１４Ｂの線状導体および層間接続導体とが、巻回軸ＣＡに沿って対向することで生じる容量により構成されている。

【００４３】

この積層体１２を巻回軸ＣＡに沿って透視した場合に、横巻インダクタ１４Ａの巻回範囲と、横巻インダクタ１４Ｂの巻回範囲とは、互いに重なるように配置されている。なお、各巻回範囲は全面が重なっていても、一部が重なっていてもよい。

【００４４】

そして、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとにおいて、それぞれの線状導体や層間接続導体が巻回軸ＣＡに沿って対向する組ごとに、入出力端子１３Ａ，１３Ｂ側から接地導体１９側に向かう方向（図２（Ｂ）中に矢印で示す信号の伝搬方向）が一致している。このように信号の伝搬方向が一致する２つの横巻インダクタが隣接配置されていると、それぞれの巻回範囲に発生する磁束の向きが一致し、互いの磁束が強めあう向きに誘導結合（正結合）することになる。

【００４５】

また、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとは、それぞれの接地導体１９側に接続される第２端ＳＢ同士を積層体１２の中心付近で近接させているので、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとで第１端ＳＡと第２端ＳＢとを近接させる場合よりも、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの間の誘導結合は強くなる。

【００４６】

なお、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの一方が、図２（Ｂ）中に矢印で示す信号の伝搬方向が逆向きになるように巻回されていてもよい。この場合には、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとのそれぞれで、巻回範囲に発生する磁束の向きが逆になるため、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとの間は、互いの磁束が弱めあう向きに誘導結合（負結合）することになる。この場合にも、横巻インダクタ１４Ａと横巻インダクタ１４Ｂとで、接地導体１９側の第２端ＳＢ同士を近接させることで、負結合の結合度を高めることができる。

【００４７】

以上の構成の高周波部品１１においては、共振回路ＬＣ１と共振回路ＬＣ２との間での誘導結合の結合度が高いバンドパスフィルタを構成することができる。そして、層間接続導体を含む横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂを用いて共振回路ＬＣ１，ＬＣ２を構成するために、バンドパスフィルタのフィルタ特性（通過帯域特性）をＱ値の高いものにできる。そして螺旋状の横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂを用いているために、横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂで大きなインダクタンスを実現しても、積層体１２の積層方向の寸法を抑制できる。

【００４８】

また、積層体１２においては、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂの平面導体間に位置する絶縁層（図２（Ｃ）においてドット表示する絶縁層）は、他の絶縁層よりも比誘電率を高いものにしている。すなわち、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂにおいて、２つの平面導体の間の比誘電率を高くしている。このため、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂを構成する平面導体の対向面積を抑制しながらキャパシタンスを大きくすることができ、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂと横巻インダクタ１４Ａ，１４Ｂとの間に発生する寄生容量を抑制できる。」

「【図１】

」

「【図２】

」

また、上記「【００２３】「図１は、第１の実施形態に係る高周波部品１１の等価回路図である。・・・」」、「【００２４】「・・・キャパシタＣ１は、インダクタＬ１と並列に接続され、インダクタＬ１とともに共振回路ＬＣ１を構成している。・・・」」、「【００３５】「横巻インダクタ１４Ａは、図１におけるインダクタＬ１に相当し、・・・」」、「【００３９】「キャパシタ１５Ａは、図１におけるキャパシタＣ１に相当し、・・・」」の記載、及び、【図１】、【図２】の記載より、引用文献１には、「横巻インダクタ１４Ａとキャパシタ１５Ａとで共振回路ＬＣ１を構成している。」との事項が開示されているといえる。

したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。

「絶縁層を積層した積層体の内部にＬＣ共振回路を構成した高周波部品１１であって（【０００１】）、

高周波部品１１は、直方体状の積層体１２を備えており（【００２７】）、

積層体１２は、下面および上面に垂直な方向を積層方向として、複数の絶縁層を積層して構成され（【００２９】）、

積層体１２の外面には、入出力端子１３Ａ，１３Ｂと接地端子１３Ｃとが設けられ（【００３０】）、

続きを表示（全13行）

積層体１２の内部には、絶縁層の積層方向に直交する方向に延びる線状導体１６１Ａ，１６２Ａ，１６３Ａ，１６４Ａ，１６５Ａ，１６１Ｂ，１６２Ｂ，１６３Ｂ，１６４Ｂ，１６５Ｂと、絶縁層の面方向に広がる平面導体１８Ａ，１８Ｂ，１９とが形成され（【００３２】）、

積層体１２を構成する絶縁層には、各絶縁層を積層方向に貫通する層間接続導体１７１Ａ，１７２Ａ，１７３Ａ，１７４Ａ，１７５Ａ，１７６Ａ，１７１Ｂ，１７２Ｂ，１７３Ｂ，１７４Ｂ，１７５Ｂ，１７６Ｂが形成され（【００３３】）、

積層体１２の内部には、線状導体１６１Ａ～１６５Ａおよび層間接続導体１７１Ａ～１７６Ａからなる横巻インダクタ１４Ａと、線状導体１６１Ｂ～１６５Ｂおよび層間接続導体１７１Ｂ～１７６Ｂからなる横巻インダクタ１４Ｂと、平面導体１８Ａ，１９からなるキャパシタ１５Ａと、平面導体１８Ｂ，１９からなるキャパシタ１５Ｂと、が構成され（【００３４】）、

横巻インダクタ１４Ａは、積層体１２の内部で中心よりも左側面側に配されており、積層体１２の左側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体１２の中心側に位置する第２端ＳＢに掛けて、層間接続導体１７１Ａ、線状導体１６１Ａ、層間接続導体１７２Ａ、線状導体１６２Ａ、層間接続導体１７３Ａ、線状導体１６３Ａ、層間接続導体１７４Ａ、線状導体１６４Ａ、層間接続導体１７５Ａ、線状導体１６５Ａ、および層間接続導体１７６Ａを、この順に接続して構成され、積層体１２の積層方向に対して直交する方向、ここでは、積層体１２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸ＣＡを中心に、第１端ＳＡから第２端ＳＢにかけて巻回軸ＣＡに沿って進む右ねじ状（右螺旋状）に設けられ（【００３５】）、

キャパシタ１５Ａは、第１の平面導体１８Ａと第２の平面導体１９とが絶縁層を介在した状態で対向して形成され（【００３９】）、

横巻インダクタ１４Ａとキャパシタ１５Ａとで共振回路ＬＣ１を構成しており、

第１の平面導体１８Ａは、横巻インダクタ１４Ａの左側面側に位置していて、横巻インダクタ１４Ａの左側面側の第１端ＳＡが接続され、且つ、積層体１２の左側面の入出力端子１３Ａに接続されており（【００３９】）、

第２の平面導体（接地導体）１９は、層間接続導体を介して積層体１２の下面の接地端子１３Ｃに接続されている（【００４１】）、

高周波部品１１。」

２．特開２００１－１０２２３５号公報（以下、「引用文献２」という。）

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、次の記載がある。（下線は当審が付与した。）

「【００３４】本発明の第２の手段は、コイルを構成する導体の導体アスペクト比（コイル導体の幅／コイル導体の高さ）が１以上であることを特徴とする。」

「【００４１】本発明の第２の手段による平面型磁気素子は、コイルを構成する導体の断面積を大きくすることにより許容電流を大きく取ることが可能である。」

「【００６５】図１２Ａは導体アスペクト比ｈ／ｄ及び溝アスペクト比ｈ／ｂを設定した例の分解斜視図を示し、基板１０上に直接平面コイル４０が形成されている。図１２Ｂは図１２Ａの１２Ｂ?１２Ｂ断面図であり、４２はコイル導体を示す。導体は通常の半導体プロセスでの配線形成で使用されるような製法を用いることで形成できる。配線ピッチには自ずと限界がある。ピッチ幅が狭くなるほど小型化が可能であるが、高い導体アスペクト比化は困難になる。従って、所望の特性に応じて最も適当なピッチ、導体アスペクト比ｈ／ｄを決め、製造することが望ましい。高い導体アスペクト比という点で特に数値を決めるものではないが、概ね１以上、すなわち、線高が線幅以上である高い導体アスペクト比ｈ／ｄの導体からなることが好ましく、また、小型化という観点からは、高い溝アスペクト比ｈ／ｂであることが好ましい。数値的には特に限定されるところはないが、マイクロコイルという観点からは、導体幅、溝距離共に１０μｍ以下程度であることが実質上効果を発揮すると考えられる。」

「【図１２】

」

したがって、上記引用文献２には、

「コイルを構成する導体の導体アスペクト比（コイル導体の幅／コイル導体の高さ）が１以上であり、コイルを構成する導体の断面積を大きくすることにより許容電流を大きく取ることが可能である」（以下、「引用文献２記載技術」という。）

ことが記載されている。

３．特開２００４－２５３６８４号公報（以下、「引用文献３」という。）

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、次の記載がある。（下線は当審が付与した。）

「【００１２】

このような磁気回路が長くなることによるインダクタンスの効率（単位体積当たりのインダクタンス）の低下を防ぐため、コイルの空隙を出来るだけ狭くするとともに、コイルを出来るだけ厚くして、高アスペクトのコイルを形成する場合がある。例えば、数１００ｍＡ以上の電流を流すパワーインダクタでは、前記コイル１１の高さを５０ｎｍ、場合によっては２００ｎｍ以上の高アスペクト比にコイルを形成するようにしている。」

「【００４２】

図１ａは、本実施の形態に係る高密度インダクタの背面側斜視図であり、図１ｂは、図１ａに示す同インダクタのＡＡ断面図であり、図２は、図１ｂにおける要部拡大図である。これらの図に示すように、本実施の形態に係る高密度インダクタ２０は、当該インダクタ２０の中央部分に配置されたコイル２２と、当該コイル２２を封止するためのコア部材とを有している。またインダクタ２０の背面側には一対の接続用端子２４、２６が設けられており、図示しないプリント基板等への表面実装を可能にしている。

【００４３】

ここでコイル２２は、配線層２８をその厚み方向に複数積層させた形態からなり（本実施の形態においては４段）高いアスペクト比を達成するとともに、内径から外径に至るまで一定のピッチになるよう渦巻状に形成されている。なおこのようなコイル２２は半導体等の製造に用いられる薄膜プロセスによって形成することが可能である。以下、前記薄膜プロセスを用いてコイル２２を形成する手順を説明する。」

「【図１ａ】

」

「【図１ｂ】

」

したがって、引用文献３には、

「インダクタンスの効率（単位体積当たりのインダクタンス）の低下を防ぐため、コイルの空隙を出来るだけ狭くするとともに、コイルを出来るだけ厚くして、高アスペクトのコイルを形成する」（以下、「引用文献３記載技術」という。）

ことが記載されている。

４．特開２００３－　５９７２２号公報（以下、「引用文献４」という。）

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、次の記載がある。（下線は当審が付与した。）

「【００１４】［第１実施形態、図１～図１０］図１に示すように、積層型インダクタ１１は、直線状のコイル用導体パターン１３ａ～１３ｇを上面に設けた絶縁体シート１２ａと、直線状のコイル用導体パターン１４ａ～１４ｆを下面に設けた絶縁体シート１２ｅと、複数の半円形スルーホール１５を縁部に設けた絶縁体シート１２ｂ～１２ｄ等にて構成されている。

【００１５】コイル用導体パターン１３ａ～１３ｇ，１４ａ～１４ｆは、スクリーン印刷、スパッタリング、蒸着、フォトリソグラフィ等の方法により形成されている。コイル用導体パターン１３ａ～１３ｇ，１４ａ～１４ｆの材料としては、Ａｇ，Ａｇ?Ｐｄ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉなどが使用される。絶縁体シート１２ａ～１２ｅの材料としては、フェライト等の磁性体材料やセラミック等の誘電体材料、ガラス等の絶縁体材料を、結合剤などと一緒に混練し、シート状に成形したものである。

【００１６】スルーホール１５は、絶縁体シート１２ａ～１２ｅにレーザ加工やパンチング加工などにより、予めスルーホール用孔を形成した後、そのスルーホール用孔に導電性ペーストを充填することにより形成される。これらのスルーホール１５は、絶縁体シート１２ａ～１２ｅの積み重ね方向に連接され、それぞれ柱状接続導体１５Ａ（図２参照）を構成する。

【００１７】コイル用導体パターン１３ａ～１３ｇは、後述の積層体１６（図２参照）の上面に配置される。コイル用導体パターン１４ａ～１４ｆは、積層体１６の下面に配置される。上面に配置されたコイル用導体パターン１３ａ～１３ｇはそれぞれ、絶縁体シート１２ａ～１２ｅの縁部に設けたスルーホール１５からなる柱状接続導体１５Ａを介して順次下面に配置されたコイル用導体パターン１４ａ～１４ｆに電気的に直列に接続され、螺旋状コイルＬを構成する。螺旋状コイルＬは、その軸方向が絶縁体シート１２ａ～１２ｅの積み重ね方向に対して垂直であり、かつ、後述の入出力電極１８，１９（図４参照）に対して垂直である。言い換えると、螺旋状コイルＬの軸方向は、インダクタ１１の実装面に対して平行である。

【００１８】以上の絶縁体シート１２ａ～１２ｅは積み重ねられた後、一体的に焼成され、図２に示すように、積層体１６とされる。積層体１６の上面及び下面にはそれぞれコイル用導体パターン１３ａ～１３ｇ，１４ａ～１４ｆが露出し、積層体１６の両側面にはそれぞれ柱状接続導体１５Ａが全て露出している。

【００１９】次に、図３に示すように、積層体１６の両端面を残して、上面、下面及び両側面を１～５μｍ程度の絶縁保護膜１７で被覆する。絶縁保護膜１７の材料としては、樹脂やセラミックペースト等が用いられる。樹脂の場合には、エポキシやポリイミド等の高分子樹脂を、塗布、浸漬、印刷、スプレー等の方法によりコイル用導体パターン１３ａ～１３ｇ等の露出面に付与し、適温にて硬化させる。例えば、浸漬法で形成した場合には、絶縁保護膜１７の厚みは５０～１００μｍ程度になる。セラミックペーストの場合にも、ガラス等のセラミックペーストを、同様の方法によりコイル用導体パターン１３ａ～１３ｇ等の露出面に付与し、焼成させる。

【００２０】なお、絶縁保護膜１７は、積層体１６の全表面を被覆するように形成してもよい。ただし、この場合には、積層体１６の両端面のコーナ部を面取りし、コイル用導体パターン１３ａ，１３ｇの端部を露出させる必要がある。コーナ部の面取りは機械切削加工によって行ってもよいが、バレル研磨加工を用いると、積層体１６の両端面以外のコーナ部の面取りも同時に行うことができるので、製造コストが低減する。」

「【図１】

」

「【図２】

」

「【図３】

」

したがって、引用文献４には、

「積層型インダクタ１１は、直線状のコイル用導体パターン１３ａ～１３ｇを上面に設けた絶縁体シート１２ａと、直線状のコイル用導体パターン１４ａ～１４ｆを下面に設けた絶縁体シート１２ｅと、複数の半円形スルーホール１５を縁部に設けた絶縁体シート１２ｂ～１２ｄ等にて構成され、

上面に配置されたコイル用導体パターン１３ａ～１３ｇはそれぞれ、絶縁体シート１２ａ～１２ｅの縁部に設けたスルーホール１５からなる柱状接続導体１５Ａを介して順次下面に配置されたコイル用導体パターン１４ａ～１４ｆに電気的に直列に接続され、螺旋状コイルＬを構成し、

絶縁体シート１２ａ～１２ｅは積み重ねられた後、一体的に焼成され、図２に示すように、積層体１６とされ、

積層体１６の両端面を残して、上面、下面及び両側面を１～５μｍ程度の絶縁保護膜１７で被覆する」（以下、「引用文献４記載技術」という。）

ことが記載されている。

第５　対比・判断

１．本願発明１について

（１）対比

本願発明１と引用発明１とを対比すると、次のことがいえる。

（ア）『複数の誘電体層が積層方向に積層されたＬＣ共振器であって、』について

引用発明１は、「絶縁層を積層した積層体の内部にＬＣ共振回路を構成した高周波部品１１」であり、前記ＬＣ共振回路の少なくとも１つは、横巻インダクタ１４Ａとキャパシタ１５Ａとで構成される共振回路ＬＣ１のことであり、当該「高周波部品１１」は、共振器としての機能を備えているのであるから「ＬＣ共振器」と称し得るものである。

そして、引用発明１の「キャパシタ１５Ａは、第１の平面導体１８Ａと第２の平面導体１９とが絶縁層を介在した状態で対向して形成され（【００３９】）、」との事項や引用文献１の「また、積層体１２においては、キャパシタ１５Ａ，１５Ｂの平面導体間に位置する絶縁層（図２（Ｃ）においてドット表示する絶縁層）は、他の絶縁層よりも比誘電率を高いものにしている。」（【００４８】）との記載事項を踏まえると、引用発明１及び引用文献１でいう「絶縁層」は、技術的に「誘電層」と言い換えることのできるものである。

してみると、引用発明１の「高周波部品１１」は、本願発明１でいう『複数の誘電体層が積層方向に積層されたＬＣ共振器』といえるものである。

（イ）『外部接続端子と、』について

引用発明１の「入出力端子１３Ａ，１３Ｂ」及び「接地端子１３Ｃ」は、「高周波部品１１」と外部とをつなぐ接続端子であるから、本願発明１でいう『外部接続端子』に相当する。

（ウ）『前記積層方向に直交する特定軸のまわりに巻回されるように形成されたインダクタと、』について

引用発明１の「横巻インダクタ１４Ａ」は、「積層体１２の内部で中心よりも左側面側に配されており、積層体１２の左側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体１２の中心側に位置する第２端ＳＢに掛けて、層間接続導体１７１Ａ、線状導体１６１Ａ、層間接続導体１７２Ａ、線状導体１６２Ａ、層間接続導体１７３Ａ、線状導体１６３Ａ、層間接続導体１７４Ａ、線状導体１６４Ａ、層間接続導体１７５Ａ、線状導体１６５Ａ、および層間接続導体１７６Ａを、この順に接続して構成され、積層体１２の積層方向に対して直交する方向、ここでは、積層体１２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸ＣＡを中心に、第１端ＳＡから第２端ＳＢにかけて巻回軸ＣＡに沿って進む右ねじ状（右螺旋状）に設けられ」るものであり、前記「積層体１２の積層方向に対して直交する方向、ここでは、積層体１２の左側面と右側面との間を結ぶ方向に延びる巻回軸ＣＡ」は、本願発明１でいう『前記積層方向に直交する特定軸』に対応するものである。

してみると、引用発明１の「横巻インダクタ１４Ａ」は、本願発明１でいう『前記積層方向に直交する特定軸のまわりに巻回されるように形成されたインダクタ』に相当する。

（エ）『前記インダクタに接続され、キャパシタ導体パターンを含むキャパシタと、』について

引用発明１の「キャパシタ１５Ａ」は、「第１の平面導体１８Ａと第２の平面導体１９とが絶縁層を介在した状態で対向して形成され」るのであるから、「第１の平面導体１８Ａ」及び「第２の平面導体１９」は、本願発明１でいう『キャパシタ導体パターン』に対応するものである。

そして、「キャパシタ１５Ａ」を形成している「第１の平面導体１８Ａ」は、「横巻インダクタ１４Ａの左側面側の第１端ＳＡ」に接続されるのであるから、前記「キャパシタ１５Ａ」は、「横巻インダクタ１４Ａ」に接続されているといえる。

してみると、引用発明１の「キャパシタ１５Ａ」は、本願発明１でいう『前記インダクタに接続され、キャパシタ導体パターンを含むキャパシタ』に相当する。

（オ）『前記インダクタから前記積層方向に伸び、前記インダクタと前記外部接続端子とを接続し、前記インダクタに含まれないビア導体パターンとを備え、』について

引用発明１の「第２の平面導体（接地導体）１９」は、「層間接続導体を介して積層体１２の下面の接地端子１３Ｃに接続されている」のであるから、当該「層間接続導体」は、本願発明１でいう『前記インダクタに含まれないビア導体パターン』に対応するものといえる。

してみると、本願発明１と引用発明１とは、『前記インダクタに含まれないビア導体パターン』を備えるという点で共通する。

（カ）『前記インダクタは、前記積層方向に直交する第１方向に伸びる第１柱状導体パターンを含み、』について

引用発明１の「横巻インダクタ１４Ａ」は、「積層体１２の左側面側に位置する第１端ＳＡから、積層体１２の中心側に位置する第２端ＳＢに掛けて、層間接続導体１７１Ａ、線状導体１６１Ａ、層間接続導体１７２Ａ、線状導体１６２Ａ、層間接続導体１７３Ａ、線状導体１６３Ａ、層間接続導体１７４Ａ、線状導体１６４Ａ、層間接続導体１７５Ａ、線状導体１６５Ａ、および層間接続導体１７６Ａを、この順に接続して構成され」るものであり、引用文献１の【図２】（ｂ）の記載を参酌すると、前記「線状導体１６１Ａ，１６２Ａ，１６３Ａ，１６４Ａ，１６５Ａ」の長軸方向は、絶縁層の積層方向に直交する方向に延びていることが見て取れる。

そうすると、前記「長軸方向」は、本願発明１でいう『前記積層方向に直交する第１方向』に対応するものといえるから、引用発明１の「横巻インダクタ１４Ａ」は、本願発明１の「前記インダクタは、前記積層方向に直交する第１方向に伸びる第１導体パターンを含み、」との構成を備えているといえる。

してみると、本願発明１と引用発明１とは、『前記インダクタは、前記積層方向に直交する第１方向に伸びる第１導体パターンを含み、』という点で共通する。

したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点がある。

（一致点）

「複数の誘電体層が積層方向に積層されたＬＣ共振器であって、

外部接続端子と、

前記積層方向に直交する特定軸のまわりに巻回されるように形成されたインダクタと、

前記インダクタに接続され、キャパシタ導体パターンを含むキャパシタと、

前記インダクタに含まれないビア導体パターンとを備え、

前記インダクタは、前記積層方向に直交する第１方向に伸びる第１導体パターンを含む

ＬＣ共振器。」

（相違点）

（相違点１）本願発明１の「ビア導体パターン」が、『前記インダクタから前記積層方向に伸び、前記インダクタと前記外部接続端子とを接続』しているのに対し、引用発明１の「ビア導体パターン」は、「キャパシタ１５Ａ」を構成する「第２の平面導体（接地導体）１９」から積層方向に伸び、「外部接続端子（接地端子１３Ｃ）」と接続している点。

（相違点２）本願発明１においては、「インダクタ」を構成している導体パターンが『柱状』であるのに対し、引用発明１においては、「横巻インダクタ１４Ａ」の一部を構成している「導体１６１Ａ，１６２Ａ，１６３Ａ，１６４Ａ，１６５Ａ」が「線状」である点。

（相違点３）本願発明１は、『第１柱状導体パターン』について『前記積層方向において、前記第１柱状導体パターンの厚みは、前記キャパシタ導体パターンの厚みよりも厚く』との事項を特定しているのに対し、引用発明１は、「線状導体１６１Ａ，１６２Ａ，１６３Ａ，１６４Ａ，１６５Ａ」についてかかる事項が特定されていない点。

（相違点４）本願発明１は、『第１柱状導体パターン』について、『前記第１方向から平面視したときの前記第１柱状導体パターンの面積は、前記積層方向から平面視したときの前記ビア導体パターンの面積以上である』との事項を特定しているのに対し、引用発明１は、「線状導体１６１Ａ，１６２Ａ，１６３Ａ，１６４Ａ，１６５Ａ」についてかかる事項が特定されていない点。

（２）相違点についての判断

事案に鑑みて、上記相違点４について検討する。

本願発明１は、『第1柱状導体パターン』について、『前記第１方向から平面視したときの前記第１柱状導体パターンの面積は、前記積層方向から平面視したときの前記ビア導体パターンの面積以上である』との事項を特定し、そのように構成を特定することによって、「ＬＣ共振器のＱ値の低下を抑制することができる。」（【００４０】）との効果を奏するものである。

しかしながら、引用文献１～３には、上記相違点４で言及した構成に関して記載も示唆もされておらず、また、そのような構成が当業者にとって周知であるとの合理的な証拠及び理由もない。

したがって、上記他の相違点１～３について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２、３記載技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。

なお、引用文献４にも、上記相違点４で言及した構成に関して記載も示唆もされていない。

２．本願発明２～４について

本願発明２～４は、請求項１を直接的又は間接的に引用するものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２、３記載技術に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

３．本願発明５～１１について

本願発明５～１１は、請求項１を直接的又は間接的に引用するものであり、そして、上記相違点４の検討で言及したように、引用文献４にも上記相違点４で言及した構成に関して記載も示唆もされていないから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２～４記載技術に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。

第６　原査定について

本願発明１～１１は、前述のとおり、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１～４に基づいて、容易に発明をすることができたものとはいえない。

したがって、原査定の理由を維持することはできない。

第７　むすび

以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。