2021-001491

第２ 本願発明

本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和５年３月１３日に提出された手続補正書（以下、当該手続補正書による補正を「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。

「【請求項１】

銅に対する銀の添加量が０．２ｗｔ％～１５ｗｔ％であり、０．１［ｍｍ］～０．３［ｍｍ］の変位量の場合に荷重が４［ｇｆ］以下である、銅と銀のみ溶解させてなる二元銅銀合金体からなるコンタクトピンであって、

グラフェン又はナノ銀で表面が塗膜処理されているコンタクトピン。」

第３ 当審拒絶理由の概要

当審拒絶理由のうち、本件補正前の請求項１に係る発明に対する理由１（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。

なお、当審拒絶理由には次の三つの理由が含まれている。

（進歩性の欠如）本件補正前の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に日本国内又は外国において発行された、下記の引用文献に記載された発明に基づいて、本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

記

引用文献２ 特開２０１６－１４２６４４号公報（周知技術を示す文献）

引用文献５ 特開２００４－６１２６５号公報

引用文献７ 特開２０１０－２８６２５２号公報（周知技術を示す文献）

引用文献８ 特開２００９－１４４８０号公報

引用文献９ 特開２００２－７１７１４号公報

引用文献１０ 国際公開第２０１６／１０７７５６号（周知技術を示す文献）

引用文献１１ 発表資料「高強度・高導電率銅合金の開発 低濃度のＡｇ添加で世界一の強度・導電率バランスを実現」独立行政法人物質・材料研究機構，平成１７年１２月５日

第４ 引用文献に記載された発明の認定等

１ 引用文献５に記載された事項、引用発明５及び技術常識４の認定

(１) 引用文献５に記載された事項

当審拒絶理由において引用した引用文献５（特開２００４－６１２６５号公報）には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したもので、以下同様である。

ア 【請求項１】

「【請求項１】

比透磁率が１以上１０以下であって、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下である合金材料からなる、電気接点用微細部品。」

イ 段落【０００１】～【０００８】

「【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明は、電気接点用微細部品およびその製造方法に関する。

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【０００２】

【従来の技術】

電気接点用微細部品の一例として、コンタクトプローブがある。コンタクトプローブにおいては、導電性だけでなく、ばね部分の強度が求められるため、ニッケル、コバルト、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金が用いられていた。たとえば、特開平１１－４４７０８号公報では、Ｎｉ－Ｍｎ合金の層と他の金属の層との組み合わせによってコンタクトプローブを形成することが開示されている。特開２００１－１１６７６５では、Ｎｉ－Ｗ合金を母材としてプローブカードピンを形成することが開示されている。特開２００１－３４３３９７では、コンタクトプローブの材料としてニッケルまたはＮｉ－Ｃｏ，Ｎｉ－Ｗ，Ｎｉ－Ｍｎなどのニッケル系合金を用いることが開示されている。なお、ニッケル系合金とは、ニッケルを主成分とする合金のことである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】

一般に、導電体からなる部材に高周波電流を流した場合、その部材の表面近傍にしか電流が流れなくなるという現象が知られており、この現象は「表皮効果」と呼ばれている。この場合、表面近傍の電流が流れる層の厚さを一般的に表皮厚さσｓと表す。

【０００４】

従来、コンタクトプローブをはじめとする電気接点用微細部品の材料として使用されているニッケルやコバルトは、強磁性体であり、比透磁率がきわめて高い。比透磁率が高いということは、高周波信号を流す際の表皮効果を考えた場合、σｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが小さな値となってしまう。ただし、ρは電気抵抗率、ｆは周波数、μは透磁率である。表皮厚さσｓが小さな値になるということは、高周波信号を流す際の抵抗値が大きく上がってしまう。特にコンタクトプローブなどのように高周波信号を流して用いられる電気接点用微細部品においては、高周波信号入力時の抵抗値増大は発熱をもたらすため、問題となる。さらに、抵抗値の増大は、数ＧＨｚというオーダーの高速でパルス信号を連続して入力した場合に、各パルスの波形が鈍くなり、本来別個のパルスであった波形がつながってしまうなどして個々のパルスが区別できなくなるという問題をももたらす。

【０００５】

また、ニッケル、コバルトが強磁性体であることから、これらの材料からなる電気接点用微細部品は磁場にさらされると磁化されやすい。近隣に同様の材料の複数の部品が配置されている場合、磁化されてしまうと近隣に存在するこれら複数の部品同士が凝集してしまう傾向がある。凝集すると、本来の性能を発揮できなくなったり、取扱いが困難になったりする。

【０００６】

本明細書において「電気接点用微細部品」とは、μｍオーダーすなわち１ｍｍ未満の構造物であって、電流を流すために他の何らかの部材に接触させるためのものをいうものとする。大きさだけに関していえば、たとえば、全長が１ｍｍ未満のものは当然、電気接点用微細部品に該当するし、仮に全体が数十ｍｍと大きくとも一部分に１ｍｍ未満の大きさで設計製作された部分を備えていれば、電気接点用微細部品に該当するものとする。

【０００７】

そこで、本発明は、高周波電流に対しても抵抗値が増大しない電気接点用微細部品およびその製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するため、本発明に基づく電気接点用微細部品の一つの局面では、比透磁率が１以上１０以下であって、透磁率をμ、電気抵抗率をρ、周波数をｆとしたときに、１００ｋＨｚ≦ｆ≦１０ＧＨｚの範囲でσｓ＝（ρ／πｆμ）１／２として表される表皮厚さσｓが０．２μｍ以上１ｍｍ以下となるような合金材料からなる。この構成を採用することにより、表皮効果によっても電流が流れる層の厚みが十分あるので、高周波信号を入力しても抵抗値が増大しない電気接点用微細部品とすることができる。」

ウ 段落【００１７】～【００２１】、【図７】

「【００１７】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）

（製造方法）

続きを表示（全13行）

図１～図７を参照して、本発明に基づく実施の形態１における電気接点用微細部品の製造方法について説明する。ここでは、電気接点用微細部品としてコンタクトプローブを製作する例を示す。

【００１８】

まず、図１に示すように、導電性を有する基板２１の上面にレジスト膜２２を形成する。基板２１としては、ＳＵＳ，Ｃｕ，Ａｌなどの金属基板、Ｓｉ基板、ガラス基板などが使用可能である。ただし、Ｓｉ基板、ガラス基板などの場合には、予め基板２１の上面に、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕまたはこれらを組合せた金属をスパッタリングして表面に下地導電層を形成したものを用いる。

【００１９】

ここで、図２に示すように、これから製作しようとするコンタクトプローブの形状を平面的に表現したパターンを有するマスクを用意する。このコンタクトプローブは、長さ１ｍｍのばね部を有し、ばね部の太さは５０μｍである。このマスク３０を用いて、図１に示すように、レジスト膜２２の表面にＸ線２３を照射する。ここでは、Ｘ線リソグラフィを用いた方法を採用しているが、Ｘ線の代りにＵＶ（紫外線）を照射するＵＶリソグラフィを用いてもよい。いずれにせよ、現像後、露光部分２４のレジストを除去する。その結果、図３に示すように、凹部２５を有するパターン枠が形成される。

【００２０】

図４に示すように、電鋳を行ない、凹部２５をＣｕ－Ｎｉ合金からなる金属層２６で埋める。この電鋳は、硫酸銅、硫酸ニッケル、ピロリン酸、その他添加剤を適量混合しためっき液によって行なうことができる。その後、図５に示すように、上面を研削または研磨し、所望の厚みに揃える。

【００２１】

アッシングまたは再照射後の現像によって基板２１上に残っていたレジスト膜２２を除去し、エッチングなどで基板２１を除去する。基板２１を除去するためのエッチングとしては、ウェットエッチング、ドライエッチングの両方が使用可能である。その結果、図６に示すように、金属層２６だけを取出すことによってコンタクトプローブ１００の単体が得られる。コンタクトプローブ１００は、図７に示すような立体形状をしている。」

「【図７】

［図：0001402016000001.jpg］

」

エ 段落【００３８】～【００４２】

「【００３８】

（実施の形態５）

（構成）

本発明に基づく実施の形態５における電気接点用微細部品として、実施の形態１で説明したのと同じ形状のコンタクトプローブを作成した。形状は図７に示したコンタクトプローブ１００と同じであるが、材質は異なり、本実施の形態におけるコンタクトプローブはＣｕ－Ａｇ合金からなる。

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【００３９】

このような材質でコンタクトプローブを得るには、実施の形態１または２で説明した電気接点用微細部品の製造方法において、電鋳の工程の条件を適宜変更すればよい。具体的には、めっき液を実施の形態１または２で示したものに代えて、硫酸銅、メタンスルホン酸銀、ピロリン酸、その他添加剤を適量混合しためっき液とすればよい。また、電鋳の工程での電流の流し方としては、電流密度が１０ｃｍ２当たり５Ａで行なう１秒間の通電と、２秒間の無通電とを１サイクルとして、このサイクルを電鋳生成物が所望の厚さになるまで繰り返して行なう。こうすることによって、結晶の大きさが２０ｎｍ程度になるように金属層を生成させることができる。

【００４０】

こうして得たコンタクトプローブの材料となっている金属の重量構成比はＣｕ：Ａｇ＝９５：５であり、比透磁率はほぼ１であった。また、電気抵抗率ρは１．７×１０-８Ω・ｍであった。

【００４１】

このコンタクトプローブにおいて、周波数ｆが１００ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の範囲の高周波信号を付与して使用することを想定し、上述のμおよびρを代入してこの材料の表皮厚さσｓを算出すると、ｆ＝１００ｋＨｚのときσｓ＝０．２ｍｍ、ｆ＝１０ＧＨｚのときσｓ＝０．６６μｍとなるので、表皮厚さσｓは、０．６６μｍ以上０．２ｍｍ以下となる。

【００４２】

（作用・効果）

本実施の形態におけるコンタクトプローブにおいても、実施の形態１におけるコンタクトプローブと同様の効果を得ることができる。」

(２) 図７の記載から認定した事項

引用文献５の【図７】の符号「１」の部分はコンタクトプローブ１００の先端部を示していると解されるところ、当該先端部は先細い形状をしているから、引用文献５に記載されたコンタクトプローブはピン状のコンタクトプローブであることが読み取れる。

(３) 引用発明５の認定

前記(１)に摘記した事項及び前記(２)において認定した事項を総合すると、引用文献５には次の発明（以下「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。

＜引用発明５＞

「Ｃｕ－Ａｇ合金からなるコンタクトプローブであって、（【００３８】）

電鋳の工程において、硫酸銅、メタンスルホン酸銀、ピロリン酸、その他添加剤を適量混合したものをめっき液として、電流密度が１０ｃｍ２当たり５Ａで行なう１秒間の通電と、２秒間の無通電とを１サイクルとして、このサイクルを電鋳生成物が所望の厚さになるまで繰り返して行なうことによって、結晶の大きさが２０ｎｍ程度になるように金属層を生成させて製造されるものであり、（【００３９】）

該コンタクトプローブの材料となっている金属の重量構成比はＣｕ：Ａｇ＝９５：５であり、（【００４０】）

かつ、該コンタクトプローブは、ばね部を有し、ピン状である、（【００１９】、【００３８】、前記(２)の認定事項）

コンタクトプローブ。」

(４) 技術常識４の認定

前記(１)イに摘記した引用文献５の記載（段落【０００２】を参照）に例示されるように、次の事項は、本願の優先日前において、当業者にとって技術常識であったと認められる（以下「技術常識４」という。）

［技術常識４］

「コンタクトプローブにおいては、導電性だけでなく、ばね部分の強度が求められること。」

２ 引用文献８に記載された事項、引用発明８及び技術常識２の認定

(１) 引用文献８に記載された事項

当審拒絶理由において引用した引用文献８（特開２００９－１４４８０号公報）には、以下の事項が記載されている。

ア 【請求項１】

「【請求項１】

検査対象物の電気的特性を検査するための検査冶具において、

導電性およびバネ性を有する薄板で形成されるとともに上記検査対象物に接触する対象接触部を先端側に有する電気接触子と、上記電気接触子の後端部が接触する電極と、上記電気接触子が遊びのある状態で配置される配置孔が複数形成される配置部材とを備えることを特徴とする検査冶具。」

イ 段落【０００１】～【０００８】

「【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【０００１】

本発明は、回路基板や電子部品等の電気的特性を検査するための検査冶具に関する。

続きを表示（全23行）

【背景技術】

【０００２】

一般に、回路基板の配線パターンあるいはＩＣ等の集積回路の短絡や断線等の異常を発見するための電気的検査には、検査対象物に接触する電気接触子を備える検査冶具が使用されている。この種の検査冶具では、一般的に、線状に形成された接触ピンが電気接触子として使用されている。また、電気接触子として、板バネを用いた検査冶具も知られている（たとえば、特許文献１および２参照）。

【０００３】

特許文献１および２に記載された電気接触子は、２枚の板体と板体間を繋ぐ帯状物とから構成されている。この電気接触子では、一方の板体の端部が検査対象物に接触し、この一方の板体が検査対象物に接触すると、帯状物が弾性変形する。

【０００４】

【特許文献１】特開２００４－１７０３６０号公報

【特許文献２】特開２００４－１４４６６３号公報

【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

【０００５】

近年、検査対象物となる回路基板の配線パターンの複雑化や集積回路の高集積化等に伴って、電気接触子が接触する検査対象物側の検査用端子の配置ピッチが狭くなってきている。ここで、板バネを電気接触子として用いる検査冶具では、電気接触子である板バネの厚さを薄くすることで、板バネの厚さ方向での電気接触子の配置ピッチを狭くすることが可能になる。そのため、この検査冶具を用いれば、検査対象物の検査用端子の配置ピッチが狭くなっても、検査対象物の適切な電気的検査を行うことが可能になる。

【０００６】

しかしながら、検査用端子の配置ピッチが狭い場合には、電気接触子を精度良く配置しないと、検査対象物の精度の高い電気的検査が困難になる。また、電気接触子の厚さが薄くなると、電気接触子を精度良く配置する組立作業が煩雑となる。

【０００７】

そこで、本発明の課題は、電気接触子の厚さが薄い場合であっても、簡易な組立作業で、電気接触子を精度良く配置することが可能な検査治具を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【０００８】

上記の課題を解決するため、本発明は、検査対象物の電気的特性を検査するための検査冶具において、導電性およびバネ性を有する薄板で形成されるとともに検査対象物に接触する対象接触部を先端側に有する電気接触子と、電気接触子の後端部が接触する電極と、電気接触子が遊びのある状態で配置される配置孔が複数形成される配置部材とを備えることを特徴とする。」

ウ 段落【００１８】～【００２１】、【図３】

「【００１８】

［実施の形態１］

（検査冶具の構成）

図１は、本発明の実施の形態１にかかる検査冶具１を示す正面図である。図２は、図１のＥ－Ｅ方向から検査冶具１を示す図である。図３は、図１に示す検査冶具１の内部構造を説明するための拡大断面図である。図４は、図３のＦ－Ｆ方向から電気接触子２および配置部材４を示す拡大図である。図５は、図３のＧ方向から電気接触子２の先端側幅狭部２ｃを示す拡大図である。なお、図２では、一部の電気接触子２および配置孔４ａにのみ符号を付している。

【００１９】

本形態の検査治具１は、回路基板やＩＣ等の検査対象物（図示省略）の電気的特性を検査して、検査対象物の短絡や断線等の異常を発見するための電気的検査に用いられる。特に、本形態の検査冶具１は、検査対象物に形成される検査用端子の配置ピッチが狭い検査対象物の検査に適している。

【００２０】

この検査治具１は、図１～図３に示すように、検査対象物の検査用端子に接触する先端部２ａを有する複数の電気接触子２（以下、「接触子２」とする。）と、接触子２の後端部２ｂのそれぞれが接触する複数の電極３と、複数の接触子２がそれぞれ１枚ずつ配置される配置孔４ａが複数形成された配置部材４と、電極３を保持する電極保持部材５と、検査冶具１が搭載される検査装置（図示省略）の本体部と検査治具１とを電気的に接続するための配線部６とを備えている。配線部６は、複数の導線７（図３参照）によって構成されている。

【００２１】

接触子２は、導電性およびバネ性を有する薄板で形成されている。たとえば、接触子２は、ニッケル系銅合金等の銅系金属の薄板で形成されている。この接触子２は、非常に薄くかつ非常に小さく形成されている。たとえば、接触子２の厚さ（図３の紙面垂直方向の厚さ）は２０μｍ～５０μｍ程度であり、接触子２の幅（図３の左右方向の幅）は１００μｍ～１５０μｍ程度であり、接触子２の長さ（図３の上下方向の長さ）は１ｍｍ～１．５ｍｍ程度である。」

「【図３】

［図：0001402016000002.jpg］

」

エ 段落【００３３】～【００３５】

「【００３３】

以上のように構成された検査冶具１は、以下のように製造される。

【００３４】

まず、電鋳またはエッチング等によって接触子２を形成する。あるいは、レーザ加工またはワイヤー放電加工で接触子２を形成する。また、ダイシングソー等を用いた切削加工で配置部材４の外形を形成するとともに、ドリル等を用いて配置孔４ａを配置部材４に形成する。同様に、ダイシングソー等を用いた切削加工で電極保持部材５の外形を形成するとともに、ドリル等を用いて導線７の先端側が挿通される貫通孔を電極保持部材５に形成する。また、電極保持部材５に導線７の先端側を接着固定し、電極３を形成する。

【００３５】

その後、図３における上面側から複数の配置孔４ａのそれぞれに接触子２を挿入する。その後、電極３が接触子２の後端部２ｂに接触するように、電極保持部材５を配置部材４に固定して、検査冶具１が完成する。」

オ 段落【００５６】～【００６０】、【図１０】

「【００５６】

［他の実施の形態］

上述した実施の形態１では、先端側幅広部２ｄと後端側幅広部２ｆとは、先端側幅広部２ｄおよび後端側幅広部２ｆよりも幅の狭い帯状部分がその幅方向で直角状に折れ曲がるとともに略ジグザグ状に配置されて形成された連結部２ｊによって連結されている。この他にもたとえば、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す接触子２２、３２のように、先端側幅広部２２ｄ、３２ｄと後端側幅広部２２ｆ、３２ｆとは、先端側幅広部２２ｄ、３２ｄおよび後端側幅広部２２ｆ、３２ｆよりも幅の狭い帯状部分がその幅方向で曲線状に折れ曲がるとともに略ジグザグ状に配置されて形成された連結部２２ｊ、３２ｊによって連結されても良い。この場合には、図１０（Ａ）に示すように、連結部２２ｊの幅が、先端側幅広部２２ｄおよび後端側幅広部２２ｆの幅と同じであっても良いし、図１０（Ｂ）に示すように、連結部３２ｊの幅が、先端側幅広部３２ｄおよび後端側幅広部３２ｆの幅より狭くても良い。

【００５７】

続きを表示（全11行）

また、図１０（Ｃ）に示す接触子４２のように、先端側幅広部４２ｄと後端側幅広部４２ｆとは、先端側幅広部４２ｄおよび後端側幅広部４２ｆよりも幅の狭い帯状部分が略Ｕ形状に形成された連結部４２ｊによって連結されても良い。

【００５８】

さらに、図１０（Ｄ）、（Ｅ）に示す接触子５２、６２のように、先端側幅広部５２ｄ、６２ｄと後端側幅広部５２ｆ、６２ｆとは、先端側幅広部５２ｄ、６２ｄおよび後端側幅広部５２ｆ、６２ｆよりも幅の狭い２本の帯状部分で構成される連結部５２ｊ、６２ｊによって連結されても良い。この場合には、図１０（Ｄ）に示すように、２本の帯状部分は、接触子５２の幅方向外側に向かって膨らむ曲線状に形成されても良いし、図１０（Ｅ）に示すように、２本の帯状部分は、接触子６２の幅方向内側に向かって窪む曲線状に形成されても良い。

【００５９】

さらにまた、図１０（Ｆ）に示す接触子７２のように、先端側幅広部７２ｄと後端側幅広部７２ｆとは、先端側幅広部７２ｄおよび後端側幅広部７２ｆよりも幅の狭い直線状の帯状部分で構成される連結部７２ｊによって連結されても良い。

【００６０】

上述した実施の形態１では、後端側幅狭部２ｅは、後端側幅広部２ｆの幅方向の略中心位置から後端側に突出するように形成されている。この他にもたとえば、図１０（Ｇ）に示す接触子８２のように、後端側幅狭部８２ｅが、後端側幅広部８２ｆの幅方向端から後端側に突出するように形成されても良い。また、実施の形態１にかかる検査冶具１において、実施の形態２で説明した接触子１２を用いても良いし、実施の形態２にかかる検査冶具において、図１０（Ｇ）に示す接触子８２を用いても良い。」

「【図１０】

［図：0001402016000003.jpg］

」

(２) 引用発明８の認定

前記(１)に摘記した事項を総合すると、引用文献８には次の発明（以下「引用発明８」という。）が記載されていると認められる。

＜引用発明８＞

「検査対象物の電気的特性を検査するための検査治具に備えられる、導電性及びバネ性を有する薄板で形成されるとともに上記検査対象物に接触する対象接触部を先端側に有する電気接触子であって、（【請求項１】）

検査治具は、回路基板や電子部品等の電気的特性を検査するためのものであり、（【０００１】）

電気接触子は、導電性及びバネ性を有する薄板で形成されており、（【００２１】）

かつ、たとえば、ニッケル系銅合金等の銅系金属の薄板で形成されており、（【００２１】）

電鋳又はエッチング等によって形成された、（【００３４】）

電気接触子。」

(３) 技術常識２の認定

前記(１)ウ、オに摘記した事項によれば、電気接触子の厚さ、幅、長さ、形状が、電気接触子がバネ性を有するように構成されている電気接触子が記載されていることが読み取れる。

したがって、次の事項は、本願の優先日前において、当業者にとって技術常識であったと認められる（以下「技術常識２」という。）

［技術常識２］

「導電性を有する電気接触子について、バネ性を有するような厚さ、幅、長さ、形状とすること。」

３ 引用文献９に記載された事項及び引用発明９の認定

(１) 引用文献９に記載された事項

当審拒絶理由において引用した引用文献９（特開２００２－７１７１４号公報）には、以下の事項が記載されている。

ア 【請求項１】～【請求項３】

「【請求項１】 銀原子％が１～２５である銅－銀合金を主材料としたプローブカード用プローブピン。

【請求項２】 引張り強さが１０００～１５００ＭＰａの範囲にあり、かつ、導電率が６０～９０％ＩＡＣＳの範囲にある請求項１に記載のプローブカード用プローブピン。

【請求項３】 ピン表面の一部または全部に、耐食性を向上させるためのメッキ処理を施したことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブカード用プローブピン。」

イ 段落【０００１】～【００１１】、【図１】

「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路のウエハーテストの導通テストに用いられるプローブカードのプローブのように、比較的低い電圧電流で用いるプローブカード用プローブピン（以下「プローブピン」または「ピン」という）の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路のウエハーテストにおけるプローブピンは、主としてアルミバンプ用と金バンプ用に大別できる。アルミバンプ用のプローブピンは、比較的硬いタングステン、レニウムタングステンなどの材料を使用する。また、柔かい金バンプ用に使用するプローブピンには、専らベリリウム銅が多用され、他にパラジウム合金のような柔かい材料が使用されている。

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【０００３】

【発明が解決しようとする課題】プローブピンの一般形状は、例えば図１（ａ）に示すように、ストレート部２とテーパ部３とから成るものを、図１（ｂ）のようにテーパ部３の先端部を折り曲げて屈曲部４としたプローブピン１である。ピンの標準的な寸法は、ストレート部の直径が０．０５～０．２０ｍｍ程度で、ピンの全長は２０～１００ｍｍ程度である。上述のように、金バンプ等にはベリリウム銅製のプローブピンが一般に使用されている。しかし、ベリリウム銅は屈曲強度が低いため、ピン先端の曲げ加工時に図１の屈曲部４において割れや折れが発生する事が多く、歩留りが低くなり製造コストに悪影響を与えてきた。

【０００４】また、ベリリウム銅は２５％ＩＡＣＳと導電率が低く抵抗値が比較的大きいため、プローブカードのように低い電圧電流で用いられる場合でも、ジュール熱による発熱が大きい。従って、高温悪条件下での導通テストになってしまうという問題があり、導通テストの信頼性が低下する問題がある。さらに、熱影響による疲労進行度が速いため、ピンの長寿命化が期待できない。

【０００５】本発明は、上述した従来のプローブピンの問題点を解決し、屈曲強度が大きく、導電率が高いプローブピンを提供することを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のプローブピンは、銀の比率が１～２５原子％である銅－銀合金を使用したものである。これにより、銅－銀合金の性質を有効に生かしたプローブピンとすることができる。すなわち、高い導電率を有すると共に、屈曲強度も十分にある。従って、ジュール熱による発熱を可及的に抑えることができ、また、ピン先端曲げ加工に対しても割れや折れの発生がなく、歩留りを大幅に向上する事が可能となる。また、従来に比べて高電流での導通検査が可能となるため、導通テストの信頼性が大幅に向上する。

【０００７】本発明のプローブピンの材料である銅－銀合金において、銀の含有率が少なすぎると強度が不足し、逆に多すぎると加工性が悪くなる。従って、銀の含有率は１～２５原子％が好適である。

【０００８】また、銅－銀合金の導電率を６０～９０％ＩＡＣＳとし、かつ、引張り強さを１０００～１５００ＭＰａに制御するのが好ましい。銅－銀合金においては、一般に銅の比率が高いほど導電率が高くなり、逆に引張り強さは低下する。すなわち、導電率を９０％ＩＡＣＳより高くすることは可能であるが、反面引張り強さが低下し強度不足となる。反対に、引張り強さを１５００ＭＰａ以上にすることは不可能ではないが、反面導電率が低下し加工性も悪くなる。プローブピン用としてバランスの良い導電性と引張り強さの数値関係は請求項２に記載したとおりである。

【０００９】また、プローブピン表面の一部又は全部に、耐触性向上のためのメッキ処理を施すのが好ましい。これにより、プローブピンの寿命を可及的に延長することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】連続鋳造－細径加工－熱処理を施した銅－銀合金線を使用し、さらに冷間伸線加工により所望の線径に仕上げた後、真直矯正加工－切断－ピン先端の尖頭加工(機械加工)－メッキを行う事により、高強度、高導電率を併せ持つプローブカードピンを製造することができる。

【００１１】ピン表面に施すメッキは、溶融メッキでも電気メッキでもかまわないが、電気メッキの方が好ましい。また、メッキ材質は、例えばニッケル、金などが好適である。また、メッキ厚みは１～５μｍ程度に制御すればよい。」

「【図１】

［図：0001402016000004.jpg］

」

(２) 引用発明９の認定

前記(１)に摘記した事項を総合すると、引用文献９には次の発明（以下「引用発明９」という。）が記載されていると認められる。

＜引用発明９＞

「銀の比率が１～２５原子％である銅－銀合金を使用したプローブピンであって、（【０００６】）

引張り強さが１０００～１５００ＭＰａの範囲にあり、かつ、導電率が６０～９０％ＩＡＣＳの範囲にあり、プローブピン用としてバランスの良い導電性と引張り強さを有し、（【０００８】、【請求項２】）

連続鋳造－細径加工－熱処理を施した銅－銀合金線を使用し、さらに冷間伸線加工により所望の線径に仕上げた後、真直矯正加工－切断－ピン先端の尖頭加工(機械加工)を行うことにより製造することができる、（【００１０】）

プローブピン。」

４ 引用文献２、引用文献７に記載された事項及び技術常識１の認定

(１) 引用文献２に記載された事項

当審拒絶理由において引用した引用文献２（特開２０１６－１４２６４４号公報）には、以下の事項が記載されている。

「【０００１】

本発明は、平板状被検査体の電気的試験を安定的に実現できる電気的接続装置およびポゴピンに関する。

【背景技術】

【０００２】

半導体ウェハに形成された集積回路は、出荷前に、所定の電気的特性を有するか否かの電気的試験（すなわち、集積回路の良否の判定）が実施される。このような試験は、集積回路の電極と試験装置の電気回路とを電気的に接続する電気的接続装置を用いて、１つのウェハの全ての集積回路を、同時に一回で又は複数回に分けて行われる。」

「【００５５】

図５は、本発明の実施形態１である電気的接続装置１のオーバードライブ値に対するポゴピンの弾性力を示している。ここで、オーバードライブ値とは、図４（ａ）に示した弾性圧縮を受けない自由状態から、ポゴピン１００をＸ１方向に押圧した距離のことをいう。」

「【００６４】

そのため、例えば、ポゴピン１００の下端部１０１（他方の端部）を半導体ウェハ２８上のＩＣに、４（ｇｆ）の弾性力で当接させたい場合には、図５に示すように、ポゴピン１００のオーバードライブ値が“１７０”（μｍ）になるように、ステージ機構２２を上方（電気的接続部１６側）へ移動すればよい。」

(２) 引用文献７に記載された事項

当審拒絶理由において引用した引用文献７（特開２０１０－２８６２５２号公報）には、以下の事項が記載されている。

「【０００１】

本発明は、コンタクトプローブの製造方法およびコンタクトプローブに関するものであり、より特定的には、積層構造を有し、層間の密着性の高いコンタクトプローブの製造方法および当該コンタクトプローブに関するものである。

【背景技術】

【０００２】

ＩＣおよびＬＳＩが高密度で実装された電子部品の電気的な検査をするために、多数のコンタクトプローブを配置したプローブカードが使用される。コンタクトプローブは、先端部を電子部品の電極などに接続することにより当該電子部品と電気的に導通する。そして当該コンタクトプローブから電気特性などの各種データを収集する。コンタクトプローブの先端部は尖っており、電極の表面に形成された酸化被膜を破り、電気的な導通を得る。また、検査対象である電子部品の反りおよび電極の高さのばらつきを吸収し、電極との確実な接触を得るため、バネ構造を有する。」

「【００８０】

（測定方法・測定結果について）

まずプローブＡの一方の針部１１（図１２参照）に荷重を加えたところ、４ｇｆの荷重により２００μｍ変形した。このときの最大応力は、計算上１２００ＭＰａであった。このような加重を２０００回繰り返した後において、当該プローブＡに破断や剥離などの損傷は認められなった。しかし、当該プローブＡの一方の針部１１に６ｇｆの荷重を加えると破断した。破断が起こったときに加わっていた最大応力は１８００ＭＰａであった。しかし破断の際に第１の金属層と第２の金属層との間に剥離は生じていなかった。」

(３) 技術常識１の認定

前記(１)に摘記した引用文献２の記載及び前記(２)に摘記した引用文献７の記載に例示されるように、次の事項は、本願の優先日前において、当業者にとって技術常識であったと認められる（以下「技術常識１」という。）。

［技術常識１］

「集積回路の試験装置において、当接させるコンタクトプローブの変位量を０．２ｍｍ程度、コンタクトプローブの荷重を４ｇｆ程度とすること。」

５ 引用文献１０、１２に記載された事項及び周知技術１の認定

(１) 引用文献１０に記載された事項

当審拒絶理由において引用した引用文献１０（国際公開第２０１６／１０７７５６号）には、以下の事項が記載されている。なお、日本語訳は日本語ファミリー文献である特表２０１８－５０８７５３号公報の対応する記載をそのまま採用した。

ア １４頁１８行～１５頁１６行、ＦＩＧ．６Ａ～６Ｃ

「Suitably, the substrate 11 is made of a conductive material adapted to realize contact probes for a testing head for electronic devices.

More particularly, as shown in the figures 6A-6C, the substrate 11 can be made of a monolayer or multilayer conductive material adapted to realize contact probes for a testing head for electronic devices.

For example, the substrate 11 can be a monolayer made of a metal or a metal alloy selected from nickel or an alloy thereof, such as nickel- manganese, nickel-cobalt, nickel-iron, nickel-beryllium alloys or tungsten or an alloy thereof, such as tungsten-copper, tungsten-rhenium, or copper or an alloy thereof, such as copper-beryllium, copper-silver, copper- niobium, or rhodium or an alloy thereof, such as rhodium-ruthenium, or iridium or an alloy thereof or yet made of a semiconductor material, such as silicon.

In particular, that conductive material is selected so as to have electrical resistivity values less than 20 μΩ/cm.

Alternatively, the substrate 11 can be a conductive multilayer and in particular can include at least one central layer or core 11A covered by one or more coating layers, for example a first coating layer 1 1B and a second coating layer 11C, which are adapted to improve the electro- mechanical performances and/ or the hardness performances of the contact probes realized starting from that multilayer substrate 11, as shown in the figures 6B and 6C.

In particular, the core 11A can be made of a metal or a metal alloy selected from the above mentioned ones for a monolayer substrate 11 and can be covered by one or more coating layers made of a conductive material, having high conductivity values, selected from copper, silver, palladium or alloys thereof or made of graphene and/ or of a conductive material, having high hardness values, selected from rhodium, ruthenium nickel-phosphor, nickel-palladium, palladium and alloys thereof, or made of graphene, or yet made of doped or non-doped DLC ("Diamond Like Carbon").」

＜日本語訳＞

「【００７２】

好適には、基材１１は、電子装置用のテストヘッド用のコンタクトプローブを実現するのに適した導電性材料で製造される。

【００７３】

より詳細には、図６（Ａ）～図６（Ｃ）に示すように、基材１１は、電子装置用のテストヘッド用のコンタクトプローブを実現するのに適した単層または多層の導電性材料で作ることができる。

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【００７４】

例えば、基材１１は、ニッケル－マンガン、ニッケル－コバルト、ニッケル－鉄、ニッケル－ベリリウム合金などのニッケルまたはその合金、タングステン－銅、タングステン－レニウムなどのタングステンまたはその合金、銅－ベリリウム、銅－銀、銅－ニオブなどの銅またはその合金、ロジウム－ルテニウムなどのロジウムまたはその合金、イリジウムまたはその合金から選択される金属または金属合金で製造される、あるいはシリコンのような半導体材料で製造される、単層であり得る。

【００７５】

特に、その導電性材料は、２０μΩ／ｃｍ未満の電気抵抗値を有するように選択される。

【００７６】

あるいは、基材１１は、導電性多層であってもよく、特に、例えば、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）に示すように、多層基材１１から始まって実現されるコンタクトプローブの電気－機械的性能および／または硬度性能を改善するように構成された第１の被膜層１１Ｂおよび第２の被膜層１１Ｃの、１つ以上の被膜層で覆われた少なくとも１つの中央層すなわちコア１１Ａを含むことができる。

【００７７】

特に、コア１１Ａは、単層基材１１用に上記のものから選択された金属または金属合金で作ることができ、さらに、銅、銀、パラジウムまたはこれらの合金から選択される、あるいは、グラフェンで製造される、高導電率値を有する導電性材料で製造される、および／またはロジウム、ルテニウムニッケル－リン、ニッケル－パラジウム、パラジウムおよびこれらの合金から選択される、あるいはグラフェンで製造される、あるいはドープされたまたはドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で製造される、高硬度値を有する導電性材料で製造される、１つ以上の被膜層によって被覆することができる。」

「図６Ａ～６Ｃ

［図：0001402016000005.jpg］

」

イ １７頁２３行～１８頁５行

「In a preferred embodiment of the invention, schematically shown in Figures 8A-8D, the processing step includes a coating step of the semi- finished product 15 and therefore of all the contact probes 10 included therein.

In particular, the coating step can provide the realization of a coating film made of a coating material selected from a conductive material and a dielectric material.

In case of a conductive coating material, it is possible to use a material having high electrical conductivity values, in particular a metal or a metal alloy selected from palladium or alloys thereof, such as nickel-palladium, copper and alloys thereof, such as copper-niobium or copper-silver, rhodium and alloys thereof, silver or gold or alloys thereof or made of graphene, or even made of doped DLC ("Diamond Like Carbon"). Preferably, the conductive coating material is selected from the noble metals group, more preferably gold.」

＜日本語訳＞

「【００９３】

図８（Ａ）～図８（Ｄ）に概略的に示されている本発明の好ましい実施形態では、処理工程は、半製品１５、したがって、そこに含まれる全てのコンタクトプローブ１０を被膜する工程を含む。

【００９４】

特に、被膜工程は、導電性材料および誘電性材料から選択される被膜材料で作られた被膜を実現することができる。

【００９５】

導電性被膜材料の場合には、高導電率値を有する材料、特にパラジウムおよびニッケル－パラジウムなどのパラジウム合金、銅および銅－ニオブまたは銅－銀などの銅合金、ロジウムおよびその合金、並びに銀、金およびそれらの合金から選択される金属または金属合金、グラフェン、またはドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を使用することができる。好ましくは、導電性被膜材料は、貴金属群、より好ましくは金から選択される。」

(２) 引用文献１２に記載された事項

本審決において新たに引用する、本願の優先日前に発行された文献である特開２０１５－１０２５５３号公報（以下「引用文献１２」という。）には、次の記載がある。

「【０００４】

本発明は、優れた導電性および機械強度を有する被覆プローブを提供する。

【課題を解決するための手段】

【０００５】

本発明の被覆プローブは、プローブ本体と、クラッド層とを含む。プローブ本体は端部を有する。クラッド層はプローブ本体の端部の表面を覆い、クラッド層はカーボンナノ材料（carbon nano-material）層を含む。」

「【発明を実施するための形態】

【００１４】

以下の詳細な説明において、説明の目的で、開示される実施形態が十分に理解されるよう、多数の具体的詳細を示す。しかしながら、これら具体的詳細がなくとも、１つまたはそれ以上の実施形態が実施され得ることは明らかである。別の場合では、図面を簡潔にするため、周知の構造および装置は概略的に示される。

【００１５】

図１は、本発明の１つの実施形態に係る被覆されていないプローブの概略的側面図である。図２は、本発明の１つの実施形態に係る被覆されていないプローブの端部の概略的上面図である。図１および図２を参照すると、被覆されていないプローブは、プローブ本体１１０を含み、図２に示すように、プローブ本体１１０は、端部１１０ａを有する。プローブ本体１１０の端部１１０ａは、４つの凸部（protrusion）１１２、１１４、１１６、および１１８を含み、端部１１０ａは、蓮の形状（lotus-shaped）である。しかしながら、本発明はこれに限定されず、プローブ本体１１０の端部１１０ａによりプローブと試験サンプルが接触していればよい。プローブ本体１１０の材料は、例えば、金属、合金、またはこれらの組み合わせである。さらに詳しく説明すると、金属は、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｅ、およびＷからなる群より選ばれる。しかしながら、本発明は、プローブ本体１１０の材料を限定せず、プローブが導電性であればよい。

【００１６】

図３は、本発明の第１実施形態に係る被覆プローブの概略的側面図である。図４は、図３の点線で示した領域Ｒの部分的拡大図である。図３および図４を参照すると、本発明の第１実施形態の被覆プローブ１０は、プローブ本体１１０と、クラッド層１２０とを含む。プローブ本体１１０は、端部１１０ａを有する。クラッド１２０は、プローブ本体１１０の端部１１０ａの表面を覆う。本実施形態において、図４に示すように、クラッド層１２０は、カーボンナノ材料層１２２と、疎水層１２４とを含む。クラッド層１２０の厚さは、例えば、５０ｎｍ～１μｍまたは５０ｎｍ～０．５μｍである。しかしながら、本発明はこれに限定されない。カーボンナノ材料層１２２は、カーボンナノ材料１２２ａと、結合基（linking group）１２２ｂとを含む。以下、図面を参照しながら、本実施形態の被覆プローブ１０について詳しく説明する。

【００１７】

本実施形態において、カーボンナノ材料層１２２のカーボンナノ材料１２２ａは、例えば、カーボンナノカプセル（carbon nano-capsule）、カーボンナノチューブ（carbon nanotube, CNT）、グラフェン（graphene）、ダイヤモンドライクカーボン（diamond likecarbon, DLC）、または類似する材料を含む。カーボンナノカプセルの構造は安定的であり、カーボンナノカプセルは溶媒に分散しやすいため、プローブの導電性を上げ、プローブの摩耗度を減らす観点から見ると、カーボンナノカプセルは、カーボンナノ材料１２２ａに適した選択である。カーボンナノカプセルの粒子サイズは、例えば、１００ｎｍ～１０ｎｍである。しかしながら、本発明はこれに限定されない。本実施形態において、カーボンナノ材料層１２２は、さらに、結合基１２２ｂを含む。結合基１２２ｂは、アミド結合（amide bond）と、メルカプト基（mercapto group）とを含み、カーボンナノ材料１２２ａは、結合基１２２ｂのメルカプト基を介して、プローブ本体１１０の端部１１０ａに結合される。言及すべきこととして、図４において、結合基１２２ｂの‐（ＣＨ2）nにおけるｎは整数であり、１≦ｎ≦４である。しかしながら、本発明はこれに限定されない。

別の実施形態において、カーボンナノ材料１２２ａは、結合基１２２ｂを介さずに、端部１１０ａの表面に直接被覆してもよい。本実施形態の被覆プローブ１０の端部１１０ａの表面は、カーボンナノ材料層１２２を有するため、プローブ本体１１０の端部１１０ａの耐摩耗性を上げ、プローブの導電性を上げることもできる。」

「【図３】

［図：0001402016000006.jpg］

」

(３) 周知技術１の認定

前記(１)に摘記した引用文献１０の記載及び前記(２)に摘記した引用文献１２の記載に例示されるように、次の事項は、本願の優先日前において、当業者にとって周知技術であったと認められる（以下「周知技術１」という。）。

［周知技術１］

「コンタクトプローブの表面にグラフェンの被膜層を設けることにより、導電性を向上させること。」

６ 引用文献１１、１３に記載された事項、引用文献１１技術事項、技術常識３及び周知技術２の認定

(１) 引用文献１１に記載された事項

当審拒絶理由において引用した引用文献１１（発表資料「高強度・高導電率銅合金の開発 低濃度のＡｇ添加で世界一の強度・導電率バランスを実現」独立行政法人物質・材料研究機構，平成１７年１２月５日）には、以下の事項が記載されている。

ア ２頁１～２１行

「研究の背景

銅や銅合金は電気を通す機器の素材として電線・ケーブル、ロボット駆動用ケーブル、整流子片、モーターコイル、マグネットコイル、リードワイヤー、リードフレーム、導電性バネ材（リレー、コネクター）、超電導線の補強材料など多種多様に利用されており、今日では、さらにそれらの電気、電子機器、機械の軽量化、小型化、薄型化が要求されている。これらの要求を実現するためには高強度・高導電率銅合金の開発が不可欠であった。

図１は一般に使用されている銅合金の強度と導電率を示したものである。図から分かるように、強度（引張強さ）と導電率はトレードオフの関係で、高導電率銅合金では強度が低く、高強度銅合金では導電率が低くなる。（開発が望まれている領域は黄色で示した部分）

当機構は１２年前に従来の銅合金よりはるかに強度―導電率バランスが優れた高強度・高導電率Cu-Ag合金を開発した。その特性を従来材と比較して図２(Cu-24wt%Ag合金の例)に示す。この合金はCuに7wt%～45wt%Agを添加することにより初晶CuとCu及びAgの共晶相とを均一且つ微細に晶出させた後、冷間で伸線加工、或いは圧延加工を行うことで初晶及び共晶相をフィラメント状に引き伸ばして強度を向上させ、さらに、加工途中において真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気中で350℃～450℃、1～2hの多段熱処理を施すことにより初晶及び共晶相に固溶しているAg及びCuを析出させて、高強度とともに高導電率を実現している。しかしながら、この場合には7wt%以下のAg添加では強度向上には効果がないとされており、この点で、より少量のAg添加では特性向上が図れないという限界がある。また7wt%以上の多量のAg添加を必須としていることは加工性やコストパフォーマンスの観点から一般汎用分野での利用が制限されるという問題があった。」

イ ２頁３２行～３頁６行

「研究成果の内容

本研究は上記の問題点を解決するべくなされたもので、1～6wt%のAgを含有し、残部がCuからなる合金組成の鋳塊を溶製し、800℃、2ｈの溶体化処理後水焼入れを行い、表面を研削した後、冷間加工を行いその途中で、真空雰囲気又は不活性ガス中で400℃以上550℃未満の温度で再結晶化熱処理を施し、さらに冷間加工をすることにより2wt%Ag の低濃度においても1200MPa、80％IACS以上の従来実現できなかった高強度で高導電率特性を有する銅合金の製造を可能にする。本研究は冷間加工途中で十分再結晶が生じる温度で比較的長時間保持するという、強度を意図した材料を得んとする場合に常識外である熱処理を加えることを特徴の一つとするもので、冷間加工工程中ただ１回の熱処理によって強度はその後の冷間加工度の上昇に伴い急激に向上するとともに、加工度η(但し、η=lnAO/A AO:加工前断面積、A:加工後断面積）が11以上の超強加工域まで中間焼鈍処理なしで加工できるという、従来全く予想出来なかった知見とその確認に基づくものである。」

(２) 引用文献１３に記載された事項

本審決において新たに引用する、本願の優先日前に発行された文献である国際公開第２００７／０４６３７８号（以下「引用文献１３」という。）には、次の記載がある。

「[0001] 本発明は高強度、高導電率を併せ持つＣｕ－Ａｇ合金細線とその製造方法に関するものであり、さらに詳しくは、電子機器の電線・ケーブル、ロボット駆動用ケーブル、小型モーターコイル、小型マグネットコイル、等の導体材料として、さらにはリードワイヤー、導電性バネ材、超電導線の補強材料等として有用な、高強度であって、しかも高い導電率特性を有している新しいＣｕ－Ａｇ合金の細線とその製造方法に関するものである。」

「[0017] 本発明は上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態について説明する。

[0018] まず、Ｃｕ－Ａｇ合金細線の組成の点では、本発明においてＡｇ添加量は１ｗｔ％－１０ｗｔ％の範囲、より好ましくは、２ｗｔ％－６ｗｔ％である。１ｗｔ％Ａｇ未満では高強度が得られない。１０ｗｔ％を超える場合、Ａｇ添加量に対する強度の上昇率に対してのコストパフォーマンスが悪い。合金鋳塊のための溶製は各種の手段で行ってよく、たとえば高周波真空溶解炉や、アルゴンあるいは窒素ガス等の不活性ガスを流しながら、大気圧下での溶解等が可能とされる。そして、本発明の製造方法における冷間加工途中での熱処理は再結晶化を可能とする温度において行われる。特に限定的ではなく、Ａｇ組成や加工度によっても相違するが、一般的には、たとえば、４００℃以上５５０℃未満の温度条件が好適に考慮される。４００℃未満では再結晶が十分に進まず、Ａｇの析出が生じにくく、その後の冷間加工による強度上昇が低い。５５０℃以上では、Ａｇの析出量が少なくなり、強度、導電率ともに低下する傾向にある。

[0019] この熱処理のための時間については、一般的には０．５～５０時間程度が考慮されるが、処理効率、強度ならびに導電率のバランスからは、６時間以上とすることが好ましい。

そして熱処理は、材料表面の酸化を防ぐために、真空もしくは不活性ガス雰囲気下において行う。銅および銀は比較的酸化しにくいので真空度はロータリポンプのみで引ける、１Ｐａ程度でもよい。不活性ガスとしては、たとえばアルゴン（Ａｒ）や、水素ガス５０％＋窒素ガス５０％のような混合ガスで、１０ｃｃ／ｍｉｎ程度の流量があればよい。

[0020] 本発明の製造方法では、このような熱処理を、冷間加工の途中において行う。この熱処理は１回のみでよい。」

「[0027] 以下の例においては、タンマン炉を用い、グラファイト製るつぼ短冊状（１０×１０×３０）の電気銅を溶解（１０８０℃）し、粒状の銀を添加して１２５０℃まで昇温後、グラファイト製鋳型に鋳込むことで合金を溶製して鋳塊としている。

[0028] また伸線のための冷間加工では、鋳塊の表面を１～２ｍｍ研削した後、スエージャー加工、その後のドローベンチでのダイス伸線加工を行っている。

[0029] 図１は従来の製造法（特許文献３）と本発明の製造法で加工したＣｕ－３ｗｔ％Ａｇ合金の強度と加工度ηの関係を示したものである。従来法では、溶製した鋳塊を、まず加工度η＝０．６３（５０％）まで冷間加工を行い、その後８００℃、３ｈの熱処理を施す（熱処理１：大気中、マッフル炉での溶体化処理）。それに伴い強度は４５０ＭＰａから２５０ＭＰａまで低下する。熱処理後、冷間加工をη＝１．１９（７０％）まで行い、再結晶が生じない３５０℃の低温度で３ｈの熱処理を施す（熱処理２：真空熱処理炉（１Ｐａ）での時効、析出処理）。熱処理後の強度は４４１ＭＰａで、熱処理前（４２８ＭＰａ）よりも若干高くなる。２回目の熱処理後加工度η＝３．８８（９７．９％）まで冷間加工を行うことで強度は６４０ＭＰａ程度まで上昇するがその後加工度が増しても、強度は変化しないか或いは低下する。

[0030] 一方、本発明法では、溶製した鋳塊を、加工度η＝０．３７（３０％）まで冷間加工を行い、十分再結晶が生じる温度で比較的長時間保持、すなわち４５０℃の温度で１５ｈの真空熱処理炉（１Ｐａ）での再結晶化熱処理を施す。この熱処理後の強度は４５０ＭＰａから２５０ＭＰａまで低下する。強度は再結晶化熱処理後の冷間加工によって緩やかに上昇するが、加工度η＝４．４５（９８．８％）までは従来法よりも低い。加工度η＝４．４５（９８．８％）以上では、従来法では強度上昇は期待できないが、本発明法では強度が加工度の増加に伴って著しく上昇することがわかる。」

(３) 引用文献１１技術事項の認定

前記(１)イに摘記した事項から、引用文献１１には次の技術事項が記載されていると認められる（以下「引用文献１１技術事項」という。）。

［引用文献１１技術事項］

「導電性バネ材などに利用される、高強度で高導電率特性を有するCu-Ag二元合金であって、1～6wt%のAgを含有するもの。」

(４) 技術常識３の認定

前記(１)アに摘記した引用文献１１の記載に例示されるように、次の事項は、本願の優先日前において、当業者にとって技術常識であったと認められる（以下「技術常識３」という。）。

［技術常識３］

「銅－銀合金において、多量の銀を添加するとコストパフォーマンスの観点から一般汎用分野での利用が制限されること。」

(５) 周知技術２の認定

前記(１)イに摘記した引用文献１１の記載及び前記(２)に摘記した引用文献１３の記載に例示されるように、次の事項は、本願の優先日前において、当業者にとって周知技術であったと認められる（以下「周知技術２」という。）。

［周知技術２］

「銅と銀からなる合金を溶製して製造すること。」

第５ 対比・判断

１ 引用発明５を主引用発明とした場合について

(１) 対比

ア 対比分析

本願発明と引用発明５を対比する。

(ア) 引用発明５の「コンタクトプローブ」はピン状であるから、本願発明の「コンタクトピン」に相当する。

(イ) 引用発明５のコンタクトプローブの材料となっている金属の重量構成比はＣｕ：Ａｇ＝９５：５であるから、Ｃｕに対するＡｇの添加量は、（５／９５）×１００＝約５．３ｗｔ％となり、本願発明の「銅に対する銀の添加量が０．２ｗｔ％～１５ｗｔ％であ[る]」範囲に含まれる。

(ウ) そして、引用発明５のコンタクトプローブの材料は「Ｃｕ－Ａｇ合金からなる」、すなわち、ＣｕとＡｇのみからなっており、本願発明と引用発明５は、コンタクトピン（コンタクトプローブ）の材料が、「銅と銀のみからなる二元銅銀合金体からなる」点で共通する。

(エ) 前記(ア)から(ウ)を踏まえると、本願発明と引用発明５は、「銅に対する銀の添加量が０．２ｗｔ％～１５ｗｔ％であり、銅と銀のみからなる二元銅銀合金体からなるコンタクトピンであ[る]」点で共通する。

イ 一致点及び相違点の認定

前記アの対比分析の検討結果を総合すると、本願発明と引用発明５は、次の一致点において一致し、後記の相違点において相違する。

(ア) 一致点

「銅に対する銀の添加量が０．２ｗｔ％～１５ｗｔ％であり、銅と銀のみからなる二元銅銀合金体からなるコンタクトピン」である点。

(イ) 相違点

ａ 相違点１－１

本願発明においては、コンタクトピンが、「０．１［ｍｍ］～０．３［ｍｍ］の変位量の場合に荷重が４［ｇｆ］以下である」という変位量と荷重の関係を満たしているのに対し、

引用発明５においては、コンタクトプローブがばね部を有するものの、変位量と荷重の関係が具体的には不明である点。

ｂ 相違点１－２

本願発明においては、「銅と銀のみからなる二元銅銀合金体」が銅と銀のみ「溶解させてなる」ものであるのに対し、

引用発明５においては、「銅と銀のみからなる二元銅銀合金体」が、一実施形態においては「電鋳の工程」によって製造されているため、「銅と銀のみ溶解させてなる」ものであるとはいえない点。

ｃ 相違点１－３

本願発明においては、コンタクトピンが「グラフェン又はナノ銀で表面が塗膜処理されている」のに対し、

引用発明５においては、グラフェン又はナノ銀でコンタクトプローブの表面が塗膜処理されているとの構成を有していない点。

(２) 判断

ア 相違点１－１について

(ア) コンタクトピン（コンタクトプローブ）において、どの程度の荷重をかけたときに、どの程度変位するようにするかは、試験装置のサイズや試験対象の特性などから生じる制約に応じて適宜設定されるべき事項にすぎない。

(イ) そして、「集積回路の試験装置において、当接させるコンタクトプローブの変位量を０．２ｍｍ程度、コンタクトプローブの荷重を４ｇｆ程度とすること」は、技術常識である（「技術常識１」を参照）。

さらに、導電性を有する電気接触子（コンタクトプローブ）について、バネ性を有するような厚さ、幅、長さ、形状とすることも技術常識である（「技術常識２」を参照）。

(ウ) そうすると、引用発明５において、コンタクトプローブの厚さ、幅、長さ、形状を、荷重が４［ｇｆ］のときの変位量を０．２ｍｍ程度となるようにすることは当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。

(エ) したがって、「０．１［ｍｍ］～０．３［ｍｍ］の変位量の場合に荷重が４［ｇｆ］以下である」という相違点１－１に係る事項は、格別なものではない。

イ 相違点１－２について

(ア) 「銅と銀からなる合金を溶製して製造すること」は、本願の優先日前において周知技術である（「周知技術２」参照）。

ここで、「溶製工程」は、「溶解させ[る]」工程を有することは明らかである（この点、前記第４の６(２)において摘記した引用文献１３の[0018]の「高周波真空溶解炉」、「大気圧下での溶解」及び[0027]の「電気銅を溶解」を参照。以下同様。）。

(イ)ａ ここで、電気鋳造法（電鋳）により製造された合金（合金めっき）であっても、通常の鋳造法により製造された合金（鋳造合金）であっても、「合金」であることに違いはない。

ｂ そして、引用発明５で「電鋳」を採用しているのは、マスクのパターンにより所定形状のコンタクトプローブを得るためであると解されるところ、所定形状のコンタクトプローブを得る方法としては、型を使う電鋳に限らず、エッチングやレーザ加工などもよく知られており（必要であれば、前記第４の２(１)エで摘記した引用文献８の段落【００３４】参照）、引用発明５において合金の製造方法として型を使う電鋳に限らず、合金の製法として一般的な溶製とエッチングやレーザ加工を組み合わせて用いる手法を採用し得ることは当業者には明らかなことである。

ｃ よって、引用発明５において、「電鋳の工程」により製造する代わりに前記周知技術２を採用し、引用発明５のコンタクトプローブを溶製して製造された銅と銀からなる合金体とすること、すなわち、銅と銀のみ溶解させてなる二元合金体からなるコンタクトプローブとすることは、当業者であれば適宜なし得た設計事項にすぎない。

ウ 相違点１－３について

(ア) 引用文献５の段落【０００２】において、「コンタクトプローブにおいては、導電性だけでなく、ばね部分の強度が求められる」と記載されるように、引用発明５が高導電性のコンタクトプローブを得ることを自明の設計指針としていることは、明白である。

(イ) ここで、グラフェンは、機械的、電気的、光学的などさまざまな側面で優れた性質を有し、特に電気的には非常に伝導特性が良い物質であることは電気電子材料を扱う技術分野で広く知られた技術常識であるところ（必要であれば、「日比野，“グラフェン研究への取り組み”，ＮＴＴ技術ジャーナル，一般社団法人電気通信協会，２０１３年６月，vol.25 No.6，p.6-8」を参照）、コンタクトプローブの技術分野においても「コンタクトプローブの表面にグラフェンの被膜層を設けることにより、導電性を向上させること」は、本願の優先日前において周知技術である（「周知技術１」参照）。

(ウ) してみれば、引用発明５において、高導電性のコンタクトプローブを得るという自明の設計指針に従って、前記周知技術１を採用し、コンタクトプローブの表面にグラフェンの被膜層を設けること、すなわち、グラフェンで表面が塗膜処理されているように構成することは、当業者であれば適宜なし得たことである。

エ 総合評価

前記アからウにおいて検討したとおり、引用発明５において前記相違点１－１から相違点１－３に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。

そして、前記相違点１－１から相違点１－３を総合的に勘案しても、本願発明の奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測困難で、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。

したがって、本願発明は、引用発明５、周知技術１、２及び技術常識１、２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

(３) 請求人の主張について

２ 引用発明８を主引用発明とした場合について

(１) 対比

ア 対比分析

本願発明と引用発明８を対比する。

(ア) 引用発明８の「電気接触子」は、回路基板や電子部品等の電気的特性を検査するための検査治具に備えられ、検査対象物に接触する対象接触部を先端側に有するものであるから、本願発明の「コンタクトピン」に相当する。

(イ) 引用発明８の「電気接触子」は、ニッケル系銅合金等の銅系金属の薄板で形成されているから、前記(ア)を踏まえると、本願発明と引用発明８は、「銅系金属からなるコンタクトピン」である点で共通する。

イ 一致点及び相違点の認定

前記アの対比分析の検討結果を総合すると、本願発明と引用発明８は、次の一致点において一致し、後記の相違点において相違する。

(ア) 一致点

「銅系金属からなるコンタクトピン」である点。

(イ) 相違点

ａ 相違点２－１

本願発明においては、コンタクトピンが、「０．１［ｍｍ］～０．３［ｍｍ］の変位量の場合に荷重が４［ｇｆ］以下である」という変位量と荷重の関係を満たしているのに対し、

引用発明８においては、電気接触子は、導電性及びバネ性を有する薄板で形成されているが、変位量と荷重の関係が具体的には不明である点。

ｂ 相違点２－２

本願発明においては、コンタクトピンが、「銅に対する銀の添加量が０．２ｗｔ％～１５ｗｔ％であり」、かつ「銅と銀のみ溶解させてなる二元銅銀合金体からな」るのに対し、

引用発明８においては、電気接触子が、ニッケル系銅合金等の銅系金属から形成されているが、銅と銀のみを所定の割合で溶解させて二元銅銀合金体とするとの構成を有していない点。

ｃ 相違点２－３

本願発明においては、コンタクトピンが、「グラフェン又はナノ銀で表面が塗膜処理されている」のに対し、

引用発明８においては、電気接触子が、グラフェン又はナノ銀でその表面が塗膜処理されているとの構成を有していない点。

(２) 判断

ア 相違点２－１について

(ア) コンタクトピン（電気接触子）において、どの程度の荷重をかけたときに、どの程度変位するようにするかは、試験装置のサイズや試験対象の特性などから生じる制約に応じて適宜設定されるべき事項にすぎない。

(イ) そして、「集積回路の試験装置において、当接させるコンタクトプローブの変位量を０．２ｍｍ程度、コンタクトプローブの荷重を４ｇｆ程度とすること」は、技術常識である（「技術常識１」を参照）。

さらに、「導電性を有する電気接触子について、バネ性を有するような厚さ、幅、長さ、形状とすること」も技術常識である（「技術常識２」を参照）。

(ウ) そうすると、引用発明８において、電気接触子の厚さ、幅、長さ、形状を、荷重が４［ｇｆ］のときの変位量を０．２ｍｍ程度となるようにすることは当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。

(エ) したがって、「０．１［ｍｍ］～０．３［ｍｍ］の変位量の場合に荷重が４［ｇｆ］以下である」という相違点２－１に係る事項は、格別なものではない。

イ 相違点２－２について

(ア) 銅に対する銀の添加量について

ａ 二元銅銀合金体及び銅に対する銀の添加量の数値範囲の意義

本願の明細書の段落【００２０】に「銅に対する銀の添加量は０．２ｗｔ％－１５ｗｔ％の範囲、好ましくは、０．３ｗｔ％－１０ｗｔ％の範囲、より好ましくは０．５ｗｔ％－６ｗｔ％の範囲としている。これは、銅銀合金板の製造コストの低廉化を考慮すると、銀の添加量は相対的に少ない方が好ましいといえるが、０．５ｗｔ％銀未満という少なさでは、コンタクトピン１０００に要求される強度が得ることができないことによる。」と記載されているように、本願発明の銅に対する銀の添加量の上限値は製造コストの低廉化を目的に定めたものであり、その下限値は要求される強度を得ることを目的に定めたものである。

また、明細書の段落【００２６】には、銅に対する銀の添加量が増加するにつれて、引張強度は増加し、導電率は減少する傾向にあることが、段落【００２７】には銅銀合金を用いた導電性部材の用途に応じて、適宜、銅に対する銀の添加量を決定することが記載されている。

ｂ ここで、「コンタクトプローブにおいては、導電性だけでなく、ばね部分の強度が求められること」は、技術常識である（「技術常識４」を参照）。

そして、当該技術常識４を考慮すると、引用発明８においても、高強度、高導電性の電気接触子を得ることを自明の設計指針としていることは明白である。

ｃ 一方、引用文献１１には、導電性バネ材などに利用される、高強度で高導電率特性を有するCu-Ag二元合金であって、1～6wt%のAgを含有するものが記載されている（引用文献１１技術事項を参照）。

なお、「Cu-Ag二元合金」において「1～6wt%のAg」が含まれているから、Cuに対するAgの添加量は1.01～6.383wt%となる。

ｄ よって、引用発明８において、前記ｂにおいて説示した自明の設計指針に従って、導電性及びばね部分の強度に優れた電気接触子を得るために、銅系金属として、引用文献１１技術事項である高強度で高導電率特性を有する公知の材料を採用することは当業者が容易に想到し得たことである。

そして、前記ａのように、銅に対する銀の添加量の数値範囲を定めることにより得られる効果は、引用文献１１の開示に照らして格別なものとは認められない。

(イ) 「溶解させてなる」点について

ａ 「銅と銀からなる合金を溶製して製造すること」は、本願の優先日前において周知技術である（「周知技術２」参照）。

ｂ そして、引用発明８の「電気接触子」は「電鋳またはエッチング等によって形成された」ものであるところ、「エッチング」による形成の場合は、合金の製法として一般的な溶製と組み合わせて用いる手法を採用し得ることは明らかである。よって、引用発明８において、前記周知技術２を踏まえ、製造工程において溶製を採用することは、当業者であれば適宜なし得た設計事項にすぎない。

(ウ) 小括

以上、前記(ア)及び(イ)を踏まえると、相違点２－２に係る構成は、引用発明８、引用文献１１技術事項、周知技術２及び技術常識４に基づいて、当業者であれば適宜なし得る設計事項にすぎない。

ウ 相違点２－３について

(ア) 前記イ(ア)ｂにおいて説示したとおり、引用発明８は、高導電性の電気接触子を得ることを自明の設計指針としている。

(イ) ここで、グラフェンは、機械的、電気的、光学的などさまざまな側面で優れた性質を有し、特に電気的には非常に伝導特性が良い物質であることは電気電子材料を扱う技術分野で広く知られた技術常識であるところ（前記１(２)ウ(イ)参照）、電気接触子の技術分野においても「コンタクトプローブの表面にグラフェンの被膜層を設けることにより、導電性を向上させること」は、本願の優先日前において周知技術である（「周知技術１」参照）。

(ウ) してみれば、引用発明８において、高導電性の電気接触子を得るという自明の設計指針に従って、前記周知技術１を採用し、電気接触子の表面にグラフェンの被膜層を設けること、すなわち、グラフェンで表面が塗膜処理されているように構成することは、当業者であれば適宜なし得たことである。

エ 総合評価

前記アからウにおいて検討したとおり、引用発明８において前記相違点２－１から相違点２－３に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。

そして、前記相違点２－１から相違点２－３を総合的に勘案しても、本願発明の奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測困難で、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。

したがって、本願発明は、引用発明８、引用文献１１技術事項、周知技術１、２及び技術常識１、２、４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

(３) 請求人の主張について

３ 引用発明９を主引用発明とした場合について

(１) 対比

ア 対比分析

本願発明と引用発明９を対比する。

(ア) 引用発明９の「プローブピン」は、本願発明の「コンタクトピン」に相当する。

(イ) 引用発明９の「プローブピン」は、「銀の比率が１～２５原子％である銅－銀合金を使用した」ものであるから、前記ａを踏まえると、本願発明と引用発明９は、「銅と銀のみからなる二元銅銀合金体からなるコンタクトピン」である点で共通する。

イ 一致点及び相違点の認定

前記アの対比分析の検討結果を総合すると、本願発明と引用発明９は、次の一致点において一致し、後記の相違点において相違する。

(ア) 一致点

「銅と銀のみからなる二元銅銀合金体からなるコンタクトピン。」

(イ) 相違点

ａ 相違点３－１

本願発明においては、コンタクトピンが、「０．１［ｍｍ］～０．３［ｍｍ］の変位量の場合に荷重が４［ｇｆ］以下である」という変位量と荷重の関係を満たしているのに対し、

引用発明９においては、プローブピンの変位量と荷重の関係が具体的には不明である点。

ｂ 相違点３－２

本願発明においては、コンタクトピンが、「銅に対する銀の添加量が０．２ｗｔ％～１５ｗｔ％であり」、「銅と銀のみ溶解させてなる二元銅銀合金体からな」るのに対し、

引用発明９においては、プローブピンが、銀の比率が１～２５原子％である銅－銀合金を使用したもの、すなわち、銅に対する銀の添加量が、１．７１５ｗｔ％～５６．５８３ｗｔ％である銅銀合金体であり、その下限値は「０．２ｗｔ％～１５ｗｔ％」の範囲内にあるものの、その上限値は上記範囲外にあり、

また、銅と銀のみからなる二元銅銀合金体が、銅と銀のみ溶解させてなるものかどうか明らかではない点。

ｃ 相違点３－３

本願発明においては、コンタクトピンが、「グラフェン又はナノ銀で表面が塗膜処理されている」のに対し、

引用発明９においては、プローブピンの表面がグラフェン又はナノ銀で塗膜処理されているとの構成を有していない点。

(２) 判断

ア 相違点３－１について

(ア) 引用文献９に記載された発明は、集積回路のウエハーテストの導通テストに用いられるプローブピンであり（【０００１】参照。）、バネ性が必要であることは自明の課題であるところ、プローブピンにおいて、どの程度の荷重をかけたときに、どの程度変位するようにするかは、試験装置のサイズや試験対象の特性などから生じる制約に応じて適宜設定されるべき事項にすぎない。

(イ) そして、「集積回路の試験装置において、当接させるコンタクトプローブの変位量を０．２ｍｍ程度、コンタクトプローブの荷重を４ｇｆ程度とすること」は、技術常識である（「技術常識１」を参照）。

さらに、「導電性を有する電気接触子について、バネ性を有するような厚さ、幅、長さ、形状とすること」も技術常識である（「技術常識２」を参照）。

(ウ) そうすると、引用発明９においては、電気接触子の厚さ、幅、長さ、形状を、荷重が４［ｇｆ］のときの変位量を０．２ｍｍ程度となるようにすることは当業者が適宜なし得た設計事項にすぎない。

(エ) したがって、「０．１［ｍｍ］～０．３［ｍｍ］の変位量の場合に荷重が４［ｇｆ］以下である」という相違点３－１に係る事項は、格別なものではない。

イ 相違点３－２について

(ア) 銅に対する銀の添加量の上限値について

ａ 本願発明の銅に対する銀の添加量の上限値は、明細書の段落【００２０】に「銅に対する銀の添加量は０．２ｗｔ％－１５ｗｔ％の範囲、好ましくは、０．３ｗｔ％－１０ｗｔ％の範囲、より好ましくは０．５ｗｔ％－６ｗｔ％の範囲としている。これは、銅銀合金板の製造コストの低廉化を考慮すると、銀の添加量は相対的に少ない方が好ましいといえるが、０．５ｗｔ％銀未満という少なさでは、コンタクトピン１０００に要求される強度が得ることができないことによる。」と記載されているように、製造コストの低廉化を目的に定めたものである。

また、明細書の段落【００２６】には、銅に対する銀の添加量が増加するにつれて、引張強度は増加し、導電率は減少する傾向にあることが記載されており、段落【００２７】には銅銀合金体を用いた導電性部材の用途に応じて、適宜、銅に対する銀の添加量を決定すればよいことが記載されている。

ｂ ここで、「銅－銀合金において、多量の銀を添加するとコストパフォーマンスの観点から一般汎用分野での利用が制限されること」は技術常識である（「技術常識３」を参照）。

ｃ そして、引用文献９の段落【０００８】には、銅－銀合金において、銅の比率が高いほど導電率が高くなり、逆に引張り強さは低下することが記載されている。当該記載及び前記技術常識３を踏まえると、引用発明９において、コスト及び導電率を考慮に入れた上で、銀の添加量について所定の上限値を定めること、また、具体的な上限値として銅に対する銀の添加量を１５ｗｔ％と定めることは当業者が適宜なすべき設計事項にすぎない。

(イ) 「溶解させてなる」点について

ａ 引用発明９の「プローブピン」は、「連続鋳造－細径加工－熱処理を施した銅－銀合金線を使用」しているところ、「連続鋳造」は、溶解工程を含む通常の鋳造法による製造を前提としていることは明らかである。

そうすると、引用発明９の「プローブピン」も、「銅と銀のみ溶解させてなる二元合金体からなる」ものであるといえるから、銅と銀のみを「溶解させて」二元銅銀合金体とすることは、実質的な相違点ではない。

ｂ 仮に引用発明９が溶解工程を含む通常の鋳造法による製造を前提としていないとして検討しても、以下の(ａ)及び(ｂ)に説示するとおり、銅と銀のみ溶解させてなる二元合金体からなるコンタクトプローブとして形成することは、当業者であれば適宜なし得た設計事項にすぎないというべきである。

(ａ) 「銅と銀からなる合金を溶製して製造すること」は、本願の優先日前において周知技術である（「周知技術２」参照）。

(ｂ) よって、引用発明９において、前記周知技術２を踏まえ、引用発明９のプローブピンの製造工程において溶製工程を採用すること、すなわち、銅と銀のみ溶解させてなる二元合金体からなるコンタクトプローブとして形成することは、当業者であれば適宜なし得た設計事項にすぎない。

(ウ) 小括

以上、前記(ア)及び(イ)を踏まえると、相違点３－２に係る構成は、引用発明９、周知技術２、技術常識３に基づいて、当業者であれば適宜なし得る設計事項にすぎない。

ウ 相違点３－３について

(ア) 引用発明９は、「引張り強さが１０００～１５００ＭＰａの範囲にあり、かつ、導電率が６０～９０％ＩＡＣＳの範囲にあり、プローブピン用としてバランスの良い導電性と引張り強さを有し」と特定されており、さらに、引用文献９の段落【０００５】に「屈曲強度が大きく、導電率が高いプローブピンを提供することを課題とする」と記載されていることを踏まえると、引用発明９が高導電性のプローブピンを得ることを自明の設計指針としていることは、明白である。

(イ) ここで、グラフェンは、機械的、電気的、光学的などさまざまな側面で優れた性質を有し、特に電気的には非常に伝導特性が良い物質であることは電気電子材料を扱う技術分野で広く知られた技術常識であるところ（前記１(２)ウ(イ)参照）、プローブピンの技術分野においても「コンタクトプローブの表面にグラフェンの被膜層を設けることにより、導電性を向上させること」は、本願の優先日前において周知技術である（「周知技術１」参照）。

(ウ) してみれば、引用発明９において、高導電性のプローブピンを得るという自明の設計指針に従って、前記周知技術１を採用し、プローブピンの表面にグラフェンの被膜層を設けること、すなわち、グラフェンで表面が塗膜処理されているように構成することは、当業者であれば適宜なし得たことである。

エ 総合評価

前記アからウにおいて検討したとおり、引用発明９において前記相違点３－１から相違点３－３に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。

そして、前記相違点３－１から相違点３－３を総合的に勘案しても、本願発明の奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測困難で、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。

したがって、本願発明は、引用発明９、周知技術１、２及び技術常識１～３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

(３) 請求人の主張について

第６ むすび

以上のとおり、本願発明は、引用発明５、引用発明８又は引用発明９のいずれを主たる引用発明としても、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。

よって、結論のとおり審決する。