2020-000209

第２　原査定の概要

原査定（令和元年９月２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。

１　この出願は、特許請求の範囲の請求項１ないし９の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。

２　この出願の請求項１ないし９に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

＜引用文献等一覧＞

１．特開２００２－１３４６００号公報

２．特開２００５－３４０７６０号公報（周知技術を示す文献）

３．特開２０１３－１０５５４３号公報（周知技術を示す文献）

４．特表２００８－５１６４４１号公報（周知技術を示す文献）

５．特表２００９－５４１９８５号公報（周知技術を示す文献）

第３　当審の拒絶理由の概要

当審拒絶理由の概要は次のとおりである。

この出願は、特許請求の範囲の請求項１ないし１０の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。

第４　本願発明

本願請求項１ないし１０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１０」という。）は、令和３年６月１５日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりの発明である。

「【請求項１】

静電チャック（ＥＳＣ）用のチャッキング回路であって、チャッキング回路は、

ワークピース支持面を有する誘電体本体であって、誘電体本体は、

内部に配置されたチャッキング電極と、

誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極とを含む誘電体本体とを含み、

チャッキング回路は、基板をワークピース支持面に静電チャックするように動作可能であるチャッキング回路。」

なお、本願発明２ないし１０は、本願発明１を減縮した発明である。

第５　引用文献、引用発明等

１　引用文献１について

引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は、当審で付した。以下同じ。）

「【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体産業において使用される静電チャックに関し、特には、温度制御手段を有し、被処理物を吸着する面の均熱性、並びに、チャック力の均一性および強度に優れる静電チャックに関する。」

「【００２０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の静電チャックの一実施形態を模式的に示した縦断面図であり、図２は、図１に示した静電チャックにおけるＡ-Ａ線断面図であり、図３は、図１に示した静電チャックにおけるＢ-Ｂ線断面図であり、図４は、図１に示した静電チャックにおけるＣ-Ｃ線断面図である。

【００２１】この静電チャック１０１では、円板形状のセラミック基板１の表面に、半円弧状部２ａと櫛歯部２ｂとからなるチャック正極静電層２と、同じく半円弧状部３ａと櫛歯部３ｂとからなるチャック負極静電層３とからなる静電電極層が、櫛歯部２ｂと櫛歯部３ｂとを交差させるように対向して形成されており、この静電電極層を含むセラミック基板１上に薄いセラミック誘電体膜４が形成されている。

【００２２】また、このチャック正極静電層２およびチャック負極静電層３には、それぞれ直流電源の＋側と-側とが接続され、直流電圧Ｖ2 が印加されるようになっている。また、この静電チャック１０１上には、シリコンウエハ９が載置され、接地されている。

【００２３】一方、セラミック基板１の内部には、シリコンウエハ９の温度をコントロールするために、図４に示したような平面視同心円形状の抵抗発熱体５が設けられており、抵抗発熱体５の両端には、外部端子ピン６が接続、固定され、電圧Ｖ1が印加されるようになっている。なお、抵抗発熱体５は、セラミック基板の底面に形成されていてもよい。

【００２４】また、抵抗発熱体５と上記静電電極層との間には、抵抗発熱体５から発生した熱を均一に分散し、吸着面１００に温度分布が発生することを防止するために、図３に示したような平面視格子状のＲＦ電極１０が設けられており、このＲＦ電極１０には、交流電圧が印加されるようになっている。また、図１～３には示していないが、このセラミック基板１には、図４に示したように、測温素子を挿入するための有底孔１１とシリコンウエハ９を支持して上下させるリフターピン（図示せず）を挿通するための貫通孔１２とが形成されている。なお、交流電圧は、静電チャック中のＲＦ電極１０と、これと対向するようにウエハ加熱面の上下に形成された電極との間に印加することとなる。

【００２５】そして、チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との間に直流電圧Ｖ2 を印加すると、シリコンウエハ９は、チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との静電的な作用（クーロン力）により、セラミック誘電体膜４に吸着され、固定され、シリコンウエハ９にエッチング等の種々の処理が施される。

【００２６】従来、吸着面１００に温度分布が発生していた。これは、抵抗発熱体５で発生した不均一な熱の流れは、セラミック基板１中を伝搬するに従って拡散を繰り返し、徐々に均一な流れとなるものであったが、近年のセラミック基板１の大口径化に伴って、熱が完全に均一な流れになる前に吸着面１００に到達してしまうからであると考えられる。

【００２７】しかしながら、静電チャック１０１の静電電極と抵抗発熱体５との間にＲＦ電極１０、または、後述するグランド電極を設けることで、吸着面１００の温度を均一な状態にすることができる。この理由は明確ではないが、以下の通りであると考えられる。すなわち、抵抗発熱体５で発生した熱が、ＲＦ電極、グランド電極等に伝搬する。ＲＦ電極およびグランド電極は導電物質なので、熱の伝搬が早く、セラミックに熱が伝搬するよりも早く温度分布が均一化する。均一な温度分布の電極から加熱面に熱が伝達するため、加熱面が均一になると推定している。

【００２８】図３に示したＲＦ電極１０は、上述した通り、抵抗発熱体５と静電電極層との間に設けられており、通常、平面視格子状に形成されている。ＲＦ電極１０の形状はこれに限定されず、例えば、同心円形状、渦巻き状、簀子状等を挙げることができ、また、プラズマを用いたドライエッチング装置に使用される従来公知のＲＦ電極を用いることもできる。また、そのサイズとしては特に限定されず、後述する抵抗発熱体５と同程度のサイズであることが望ましい。抵抗発熱体５から発生した熱を確実に分散させるためである。また、グランド電極を設ける場合も同様である。」

【図１】

【図２】

【図３】

したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

「静電チャックに関しチャック力の均一性および強度に優れる静電チャック１０１であって、

円板形状のセラミック基板１の表面に、半円弧状部２ａと櫛歯部２ｂとからなるチャック正極静電層２と、同じく半円弧状部３ａと櫛歯部３ｂとからなるチャック負極静電層３とからなる静電電極層が、櫛歯部２ｂと櫛歯部３ｂとを交差させるように対向して形成されており、この静電電極層を含むセラミック基板１上に薄いセラミック誘電体膜４が形成され、

セラミック基板１の内部には、シリコンウエハ９の温度をコントロールするために、平面視同心円形状の抵抗発熱体５が設けられており、

抵抗発熱体５と上記静電電極層との間には、平面視格子状のＲＦ電極１０が設けられており、このＲＦ電極１０には、交流電圧が印加されるようになっており、

チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との間に直流電圧Ｖ2 を印加すると、シリコンウエハ９は、チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との静電的な作用（クーロン力）により、セラミック誘電体膜４に吸着され、固定され、シリコンウエハ９にエッチング等の種々の処理が施されることができる、

静電チャック１０１。」

２　引用文献２について

引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、高周波電力により処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより基板に対してエッチング等の処理を施すプラズマ処理装置に関する。」

「【００２８】

図２は、図１のプラズマ処理装置において高周波電流に対する等価回路である。処理容器２はインダクタンス成分とみなすことができるのでインダクタとして表示してある。Ｃ１は上部電極３及び下部電極５間のプラズマを容量成分として記載したものであり、Ｃ２は上部電極３及び処理容器２の壁部の間のプラズマを容量成分として表したものである。

【００２９】

そしてこの実施の形態の狙いは、プラズマのキャパシタンス（Ｃ１）及び下部電極５から処理容器２の上部に至るまでの経路のインダクタンス（Ｌ）をインピーダンス調整部６の容量成分（Ｃ）により相殺させることで、前記経路のインピーダンスをｊ（-１／ωＣ１＋ωＬ-１／ωＣ）として、上部電極３→プラズマ→処理容器２の壁部を含むいわば異常な経路のインピーダンスよりも小さくすることにある。このためインピーダンス調整部６は容量成分を含むものであり、その形態としては例えば図３に示すように容量可変コンデンサ６１を用いる（ａ）、固定容量のコンデンサ６２と容量可変コンデンサ６１とを組み合わせる（ｂ）、固定容量コンデンサ６２を用いる（ｃ）、容量可変コンデンサ６１とインダクタ６３とを組み合わせる（ｄ）、インダクタンスを可変できるインダクタ６４と固定容量コンデンサ６２を用いる（ｅ）など種々の構成を採用することができる。固定容量コンデンサ６２のみを用いた場合でも容量の異なるコンデンサと交換することによりインピーダンス値を調整できる。

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【００３０】

上記の正常な経路のインピーダンスを小さくするにあたっては、後述の実験例からインピーダンス調整部６のインピーダンス値を種々変えて当該経路を流れる電流値を求め、それが最大値となるように設定すること、つまり正常な経路のインピーダンスが最小になるように設定することが理想であるが、実際には電流の最大値の２％以内であることが好ましく、少なくとも電流の最大値の１０％以内となるように設定することが好ましい。

【００３１】

このような実施の形態の作用効果について述べる。先ずゲートバルブ２４を開いて図示しないロードロック室から図示しない搬送アームにより基板１０を処理容器２内に搬入し、下部電極５内を貫通する図示しない昇降ピンとの間の協同動作により基板１０が下部電極５の上に受け渡される。次いでゲートバルブ２４を閉じ、処理ガス供給部３３から上部電極３を通じて処理容器２内に処理ガスを供給すると共に、真空排気手段２２により真空排気することにより処理容器２内を所定の圧力に維持する。そして高周波電源４から例えば１０ＭＨｚ～３０ＭＨｚ、１０ｋＷの高周波電力を上部電極３及び下部電極５の間に印加することで処理ガスが励起されてプラズマが生成する。処理ガスとしては例えばハロゲンを含むガス例えばハロゲン化合物からなるガス、酸素ガス及びアルゴンガスなどが用いられる。

【００３２】

プラズマの発生により高周波電流が上部電極３→プラズマ→下部電極５→インピーダンス調整部６→処理容器２→マッチングボックス４２→同軸ケーブル４４の外層部４３→接地のいわば正常な経路を流れるが、このとき当該経路のインピーダンス値がほぼ最小値となるように設定されていて、上部電極３→プラズマ→処理容器２→マッチングボックス４２→同軸ケーブル４４の外層部４３→接地経路のインピーダンス値よりも小さくなっているため、上部電極３と処理容器２の壁部との間でプラズマが立ちにくくなっている。この結果上部電極３と下部電極５との間にプラズマが集中し、基板１０上のプラズマは面内均一性の高いものとなる。基板１０の表面はこのプラズマにより例えばエッチング処理が行われるが、プラズマの面内均一性が高いことから、エッチング速度の面内均一性が高く、従って面内で均一なエッチングを行うことができる。また処理容器２の内壁や内部部品の損傷あるいは消耗を抑えることができる。

【００３３】

更に本発明では、図４に示すように処理の種別毎にインピーダンス調整部６における適切な調整値を制御部７の記憶部に例えばテーブルとして記憶しておき、処理の種別を選択したときにその処理に対応する前記適切な調整値をデータ例えばテーブルから読み出し、インピーダンス調整部６のアクチェータ例えば容量可変コンデンサのトリム機構を駆動するモータに制御部７から制御信号を出力するようにしてもよい。この場合の具体例としては、互いに異なるエッチング処理を連続して行う場合において各エッチング処理毎に前記適切な設定値を決めておく例、あるいは連続成膜プロセスを行う場合に各成膜処理毎に前記適切な設定値を決めておく例などが挙げられる。

【００３４】

更にまた本発明では、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、インピーダンス調整部６を複数例えば３個のインピーダンス調整部６Ａ、６Ｂ、６Ｃを設け、これらインピーダンス調整部６Ａ、６Ｂ、６Ｃの一端側を下部電極５における横方向に互いに離れた部位ＰＡ、ＰＢ，ＰＣに夫々接続するようにすることが好ましい。概略的な説明をすると、角型の基板１０を例えば図５（ｂ）の鎖線で示すように３個に分割し、各分割領域毎に処理容器２との間のインピーダンスを適切な値に設定する。この適切な値とは、均一性の高いプラズマが得られる値であり、例えば予め試行錯誤を繰り返すことにより各処理毎に各インピーダンス調整部６Ａ、６Ｂ、６Ｃの適切な値を見つけておく。

【００３５】

より模式的な例を挙げると、例えばプラズマが中央で強い場合には、中央部に対応するインピーダンス調整部６Ｂの容量値を大きくして中央部における下部電極５及び処理容器２の間のインピーダンス値を大きくし、かつ周縁部に対応するインピーダンス調整部６Ａ、６Ｂの容量値を小さくし、これによりプラズマの強い部分を中央から周縁側にシフトさせるといった調整を行う。つまりこのような実施の形態では、インピーダンス調整部６Ａ、６Ｂ、６Ｃの並列接続回路のインピーダンス値を含めて既述の正常な経路のインピーダンス値が、上部電極３→プラズマ→処理容器２の壁部の異常な経路のインピーダンス値よりも小さくなるようにインピーダンス調整部６Ａ、６Ｂ、６Ｃの各々のインピーダンス値を設定することが前提となるが、その条件を満足しつつ更に各インピーダンス値を調整することにより基板１０の面方向におけるプラズマの強さをきめ細かく調整することができ、このためサイズの大きい基板を扱う場合には、均一性の高いプラズマを生成する上で極めて有効な技術である。本発明者は、この基板のサイズとして、例えばフラットパネル用の角型基板について、例えば基板の面積が１ｍ2 以上もの大型の基板になると、プラズマを面内で均一性の高い状態とすることが困難であることから、プラズマの分布をきめ細かく調整できるようにすれば、均一性を高めることができ、また局所的な異常放電の発生も抑えられることを把握している。そして特にその高周波電力の合計値が１０ｋＷ以上と大きい場合には、異常放電が起こりやすいことから、複数個のインピーダンス調整部を設ける構成は極めて有効である。

【００３６】

図５に示すように、インピーダンス調整部６Ａ、６Ｂ、６Ｃを設けるにあたっては、前記部位ＰＡ、ＰＢ，ＰＣに対応する位置にて夫々支持部５１の下面から伸びるように保護管５２Ａ～５２Ｃを設けると共に、各保護管５２Ａ～５２Ｃ毎に独立した支持板５３を設け、更に各支持板５３と処理容器２との間に図１に既述したようにベローズ体５４を設けている。

【００３７】

このような下部電極５のインピーダンス調整領域を分割するにあたっては、３分割に限らず例えば縦横に２等分して全体で４分割し、各分割領域毎にインピーダンス調整部を設けるようにしてもよい。」

３　引用文献３について

引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、平行平板型のプラズマ処理装置として構成される基板処理装置に関する。」

「【００２５】

インピーダンス調整回路８は、図３に示すように、伝送路９の入力側と出力側とを繋ぐ伝送ライン３１と、伝送ライン３１に設けられた可変コンデンサ（可変容量）３２と、固定コンデンサ（固定容量）３３とを有する。可変コンデンサ３２はインピーダンス変換および機差の調整に用いられるものであり、そのポジション（容量）は手動で調整される。また、固定コンデンサ３３は、高周波回路を構成する各部材の組みつけ方の微妙な違いにより、高周波の経路ごと、あるいは処理装置ごとにばらつきの発生する容量を微調整するためのものであり、例えば切替タップで切り替え可能に設けられており、必要に応じていずれか一つまたは２つ以上の固定容量を選択することができる。なお、図３では固定コンデンサ３３は３個設けられているが、１個以上であればよい。１個の場合にはオンオフ可能として容量の調整を行うようにすればよい。また、可変コンデンサ３２で微調整可能な場合は可変コンデンサ３２のみでもよい。 」

４　引用文献４について

引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、可変インピーダンスマッチングにおいて使用するためのデバイスに関する。」

「【０００７】

第２の傾向は、組み立てコストを減少させ、フロントエンドの集積構造を可能にするとともに、更なる機能を与えることができるように、構成要素の集積化へと向かっている。これは、通信プロトコルが更に幅広くなって多くなる傾向を考えると特に望ましい。この目的を達成するため、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）の構成要素に関して多くの研究が行われている。これらのＭＥＭＳ構成要素は、可変コンデンサ及びスイッチの両方として使用することができる。それと共に、これらのＭＥＭＳ構成要素は、可変インピーダンスマッチングを可能にするだけでなく、フロントエンド内のバンドスイッチングとインピーダンスマッチングとの統合も可能にする。しかしながら、ＭＥＭＳ構成要素は、高い駆動電圧を必要とするとともに、極端な位置のうちの一つにビーム（梁）が存在しない場合に歪みを与える傾向がある。また、ＭＥＭＳ構成要素の製造及びパッケージングは、ビーム及び適切なパッケージの製造のために必要とされる多数のプロセスステップの結果としてあまり安価ではない。

【非特許文献１】ガルトら（Ｇａｌｔ ｅｔ ａｌ．）の論文「電圧-同調可能キャパシタのマイクロ波同調品質及び電力取り扱い：半導体バラクタに対するＢａ１-ＸＳｒＸＴｉＯ３膜（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｔｕｎｉｎｇ ｑｕａｌｉｔｙ ａｎｄ ｐｏｗｅｒ ｈａｎｄｌｉｎｇ ｏｆ ｖｏｌｔａｇｅ-ｔｕｎａｂｌｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ：ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｖａｒａｃｔｏｒｓ ｖｅｒｓｕｓ Ｂａ１-ＸＳｒＸＴｉＯ３ ｆｉｌｍｓ）」（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．４９３（１９９８），３４１-３４６頁）」

５　引用文献５について

引用文献５には、図面とともに次の事項が記載されている。

「【発明が解決しようとする課題】

【０００５】

受動構成部品のさらなる集積のための開発の途上で、さらなる改良に達するために、パワーアンプ・アセンブリを大幅に修正する必要があることが判明した。このことが本発明の目的である。」

「【００１７】

相互接続部１２０及びボンドパッド９５に加えて、受動素子１１１～１１３が受動ＩＣ１００の第１面１０１上に規定される。これらのボンドパッドの一部は、担体基板１５０へのボンドワイヤ９０を設けられ、他のボンドパッドは、受動ＩＣ１００上に組み付けられた電気デバイス５０へのハンダボール９２を設けられている。その代わりに、例えばボンドワイヤ、ＴＡＢホイル等の他の接続部を、任意の電気デバイス５０と受動ＩＣ１００との間に設けることができる。電気デバイス５０の例は、パワーアンプ、電力制御集積回路、スイッチ、バルク弾性波フィルタのようなバンドパスフィルタ、及びインピーダンスマッチング・ネットワーク（回路網）、特にＭＥＭＳ素子またはバラクタの形態の可変コンデンサを有するインピーダンスマッチング・ネットワークである。パワーアンプをフリップチップ技術でプラットフォームデバイス１００に取り付ければ、特に電力消散のためになる。このことは、熱放散に適し、そしてパワーアンプとプラットフォームデバイスとの間の低抵抗の接続を保証することが判明している。後者の場合は、バンプのアレイを単一接点のプラットフォームデバイスへの結合に利用することができる。有利なことに、ビア上バンプとも称する垂直相互接続部の上方のバンプがバンプのアレイの一部である場合に、このビア上バンプを垂直相互接続部上に組み付けることができることが判明している。孤立したバンプを垂直相互接続部上に取り付けることは、相互接続の機械的な弱さにより勧められない。このことは特に、何らかの材料を完全に充填されていないウェットエッチングしたビアの場合である。」

第６　対比・判断

１　本願発明１について

（１）対比

本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。

ア　引用発明の「シリコンウエハ９」は、本願発明１の「ワークピース」に相当する。

そして、引用発明の「シリコンウエハ９」は「セラミック誘電体膜４」に吸着され、固定されるのであるから、この「セラミック誘電体膜４」の「シリコンウエハ９」を吸着し、固定する面は、本願発明１の「ワークピース支持面」に相当する。

イ　引用発明は、「チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との間に直流電圧Ｖ2 を印加すると、シリコンウエハ９は、チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との静電的な作用（クーロン力）により、セラミック誘電体膜４に吸着され、固定され」るのであるから、この「チャック正極静電層２」と「チャック負極静電層３」は、本願発明１の「チャッキング電極」に相当する。

そして、引用発明は、「円板形状のセラミック基板１の表面に、半円弧状部２ａと櫛歯部２ｂとからなるチャック正極静電層２と、同じく半円弧状部３ａと櫛歯部３ｂとからなるチャック負極静電層３とからなる静電電極層が、櫛歯部２ｂと櫛歯部３ｂとを交差させるように対向して形成されており、この静電電極層を含むセラミック基板１上に薄いセラミック誘電体膜４が形成され」ているのであるから、「チャック正極静電層２」と「チャック負極静電層３」は、「円板形状のセラミック基板１」と「円板形状のセラミック基板１」上に形成された薄い「セラミック誘電体膜４」に囲まれているといえる。

加えて、引用発明の「円板形状のセラミック基板１」と「セラミック誘電体膜４」は、誘電体であることは明らかであるから、引用発明の「円板形状のセラミック基板１」と「セラミック誘電体膜４」からなる誘電体は、本願発明１の「誘電体本体」に相当する。

そうすると、引用発明の「チャック正極静電層２」と「チャック負極静電層３」が「円板形状のセラミック基板１」と「円板形状のセラミック基板１」上に形成された「セラミック誘電体膜４」に囲まれていることは、本願発明１の「チャッキング電極」が「誘電体本体の内部に配置され」ることに相当する。

ウ　また、引用発明の「ＲＦ電極１０」は、「セラミック基板１」の内部に設けられた「抵抗発熱体５」と、「チャック正極静電層２」と「チャック負極静電層３」とからなる静電電極層の間に設けられているから、「円板形状のセラミック基板１」と「セラミック誘電体膜４」からなる誘電体内に配置されているといえる。

そうすると、引用発明の「ＲＦ電極１０」と、本願発明１の「誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極」とは、「誘電体本体内に配置された電極」である点で共通する。

エ　そして、引用発明の「静電チャック１０１」は、「静電チャック１０１」を形成する「円板形状のセラミック基板１」と「セラミック誘電体膜４」からなる誘電体の内部に上記「チャック正極静電層２」、「チャック負極静電層３」、「抵抗発熱体５」、「平面視格子状のＲＦ電極１０」を含んでおり、これらの内部に含まれる電極や発熱体により回路が形成されているといえる。

加えて、引用発明の「静電チャック１０１」は、「チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との間に直流電圧Ｖ2 を印加すると、シリコンウエハ９は、チャック正極静電層２とチャック負極静電層３との静電的な作用（クーロン力）により、セラミック誘電体膜４に吸着され、固定され」るのであるから、このことは、本願発明１の「基板をワークピース支持面に静電チャックするように動作」することに相当する。

そうすると、引用発明の「静電チャック１０１」は、本願発明１の「静電チャック（ＥＳＣ）用のチャッキング回路」に対応する。

オ　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。

［一致点］

「静電チャック（ＥＳＣ）用のチャッキング回路であって、チャッキング回路は、

ワークピース支持面を有する誘電体本体であって、誘電体本体は、

内部に配置されたチャッキング電極と、

誘電体本体内に配置された電極を含む誘電体本体とを含み、

チャッキング回路は、基板をワークピース支持面に静電チャックするように動作可能であるチャッキング回路。」

［相違点１］

本願発明１は、「誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極」を有するのに対して、引用発明の「ＲＦ電極１０」は、交流電流が印加されるものであり、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であることや、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるとの特定はされていない点。

（２）判断

上記相違点１について検討する。

引用文献２ないし５には、相違点１に係る「誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極」は記載されておらず、また、この構成が本願優先日前において周知の構成であるともいえない。

そうすると、本願発明１は、当業者であっても引用発明、引用文献２ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

２　本願発明２ないし１０について

本願発明２ないし１０も、本願発明１の「誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極」と同一の構成を含むものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用発明、引用文献２ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。

第７　原査定についての判断

１　理由１（特許法第３６条第６項第２号）について、

原査定では、補正前の請求項１に記載された「チャッキング回路」の構成が明確でないとしたが、令和３年６月１５日付けの補正において、補正後の請求項１には

「静電チャック（ＥＳＣ）用のチャッキング回路であって、チャッキング回路は、

ワークピース支持面を有する誘電体本体であって、誘電体本体は、

内部に配置されたチャッキング電極と、

誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極とを含む誘電体本体とを含み、

チャッキング回路は、基板をワークピース支持面に静電チャックするように動作可能であるチャッキング回路」

と記載されており、「チャッキング回路」の構成は明確となったことから、原査定の理由１を維持することはできない。

２　理由２（特許法第２９条第２項）について

原査定では、補正前の請求項１ないし９に係る発明は、上記引用文献１ないし５に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとした。

しかしながら、上記第６の１（２）で検討したように、令和３年６月１５日付けの補正において、特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された発明は、「誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極」という事項を有するものとなっており、当業者であっても、原査定において引用された引用文献１ないし５に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由２を維持することはできない。

第８　当審拒絶理由について

当審では、補正前の請求項１の「誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極」は、発明の詳細な説明に記載されていないとの拒絶の理由を通知しているが、令和３年６月１５日付けの補正により「誘電体本体内に配置されたピクセル電極であって、ピクセル電極は、浮いた状態と、コンデンサを介して接地された状態との間で切り換え可能であり、ピクセル電極は、接地された状態のときにグランドまでの電圧制御可変コンデンサ回路に電気的に結合されるピクセル電極」と補正された結果、この拒絶の理由は解消した。

第９　むすび

以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。

他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。