2019-016747

特願２０１７－２４４７７７「一体的強磁性材料を有する磁場センサ集積回路」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　８月　２日出願公開、特開２０１８－１１９９５５〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　本願の経緯 本願は、平成２９年１２月２１日にされた特許出願（遡及出願平成２５年２月１３日、パリ条約に基づく優先権主張、外国庁受理２０１２年３月２０日及び２０１３年１月２４日、いずれも米国）である。そして、平成３１年３月４日付けで特許請求の範囲についての補正がされ、令和１年８月１９日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。原査定の謄本の送達日：同月２８日）がされ、これに対して、同年１２月１１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。 第２　本願発明 本願の請求項１～１５に係る発明は、平成３１年３月４日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１～１５に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項６に係る発明（以下「本願発明６」という。）は、次のとおりのものである。 「　【請求項６】 第１の表面及び第２の対向する表面を有するリードフレームと、 磁場感知素子が中に配設された第１の表面と、前記リードフレームの前記第１の表面に取り付けられた第２の対向する表面とを有する半導体ダイと、 前記ダイ及び前記リードフレームの少なくとも一部分を封入する非導電性モールド材料と、 前記非導電性モールド材料に固定された導電性コイルと、 前記非導電性モールド材料の一部分に固定され、前記コイルを封入する、第２のモールド材料と を備える、磁場センサ。」 第３　本願発明６についての原査定の拒絶の理由の概要 本願発明６は、以下に示すとおり、引用文献１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献１には、磁気センサ１０をパッケージする硬質樹脂２３において、磁気センサ１０が配置されている側とは反対側に永久磁石１５を固定すること（［００２７］を参照。）、及び、動作層１２に垂直に磁界を加える手段として永久磁石１５ではなく電磁石２４を用いても良いこと（［００２５］及び図１４を参照。）が記載されており、上記永久磁石１５をモールド樹脂１６により保持すること（［００１２］を参照。）も記載されているから、上記永久磁石１５に代えて上記電磁石２４を採用するに際し、上記電磁石２４のコイルを上記硬質樹脂２３とは別の樹脂に封入させる程度のことは、当業者であれば容易に行い得た事項にすぎない。 引用文献１：特開２００５－３２７８６１号公報 第４　引用文献に記載された発明等 １　引用文献 以下に掲げる引用文献１～７は、いずれも公開日が本願の優先日より前である。また、引用文献１は、原査定の拒絶の理由に引用された文献であり、引用文献２～７は、技術常識を示すために当合議体が新たに引用する文献である。 引用文献１：特開２００５－３２７８６１号公報 引用文献２：実願昭５７－１０９５９８号（実開昭５９－１４３１３号）のマイクロフィルム 引用文献３：実願昭５８－１４３７号（実開昭５９－１０７１１３号）のマイクロフィルム 引用文献４：実願平１－３２７１１号（実開平２－１２５３１１号）のマイクロフィルム 引用文献５：特開昭６１－２０３６０６号公報 引用文献６：特開平１－１９９４１４号公報 引用文献７：特開昭６４－５３４０４号公報 ２　引用文献に記載された発明等 （１）引用文献１ ア　引用文献１には、以下の記載がある。下線は、当合議体が付した（引用文献２～７の下線についても同様である。）。 「【００１２】 以下、本発明の実施の形態について、図面に基づき説明する。 ［実施の形態１］ 図１は、本実施の形態１に係る強磁性微粒子検出装置１の構成を示す断面図で、図２はこの強磁性微粒子検出装置１に用いられる磁気抵抗効果型の磁気センサ１０の構成を示す図である。本発明の強磁性微粒子検出装置１は、センサ部１Ａと駆動検出部１Ｂとから成り、センサ部１Ａは、絶縁性の基板１１上に形成された化合物半導体薄膜から成る２個の磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂと、複数の端子電極１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ）と、多数の短絡電極１４とを備えた３端子の磁気抵抗素子から成る磁気センサ１０と、この磁気センサ１０の検出対象物である磁気印刷物２の表面に印刷された強磁性微粒子３側とは反対側に設けられ、感磁部となる磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂに垂直にバイアス磁界を印加するための永久磁石１５と、この永久磁石１５を保持するモールド樹脂１６と、端子電極１３に接続された、磁気センサ１０に電圧を供給したり磁気センサ１０の出力を外部に取出したりするための端子ピン１７と、磁気センサ１０を保護するための金属ケース１８とを備えており、駆動検出部１Ｂは、磁気センサ１０を駆動する駆動回路１９ａと磁気センサ１０からの出力を増幅する増幅回路１９ｂとを備えている。 なお、磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂのような、化合物半導体薄膜から成る磁気抵抗素子を、以下、総称して、動作層１２という。この動作層１２は磁気センサ１０の、感磁部（抵抗値が磁界によって変化する部位）を構成するもので、この動作層１２を構成する化合物半導体薄膜の膜面を感磁部面という。 短絡電極１４は、必要に応じ、磁界検出時の抵抗変化を大きくする（磁界に対する高感度化）目的で設置されもので、図２に示すように、磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂの電流の流れる電流の流れる方向（磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂの延長方向）に直交する方向に形成される。本例のように、短絡電極１４を設置した場合は、短絡電極１４，１４間にある化合物半導体の形状としては、電流に直交する方向の幅Ｗに対し、電流方向の長さＬが小さいこと、すなわち、Ｌ／Ｗを１．０以下とすることが好ましく、０．３以下であれば、更に、磁界での抵抗変化が大きくなるので実用上のメリットが大きくなり好ましい。」 「【００１９】 次に、３端子の磁気抵抗素子から成る磁気センサ１０の作製方法について説明する。 図４及び図５は、磁気センサ１０の作製プロセスフローを示す図で、プロセスとしては、通常のフォトリソグラフィーの技術を用いることができる。 はじめに、図４（ａ）に示すように、絶縁性基板であるＧａＡｓ基板１１上に、動作層１２を構成するためのＩｎＳｂ薄膜１２Ｆを形成する。具体的には、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いて、半絶縁性のＧａＡｓ単結晶基板の（１００）面上に、化合物半導体薄膜としてＳｎドープＩｎＳｂ薄膜１２Ｆをエピタキシャル成長させる。 次に、図４（ｂ）に示すように、ＩｎＳｂのメサエッチング用のフォトマスクを用いて、動作層１２のパターンを露光・現像した後に、ＩｎＳｂ薄膜１２Ｆを塩酸・過酸化水素系のエッチング液で所望の形状にメサエッチングして、前２個の磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂを形成する。 その後、図５（ａ）に示すように、磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂ上に、複数の短絡電極１４を形成し、更に、図５（ｂ）に示すように、窒化シリコン薄膜から成る絶縁層１１Ｂを、プラズマＣＶＤ法により形成する。そして、図５（ｃ）に示すように、端子電極１３部分のみの窒化シリコン膜を反応性イオンエッチング装置を用いて除去した後、端子電極１３を形成する。 このようにして、ＳｎドープＩｎＳｂ薄膜から成る磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂを動作層１２とし、端子電極１３を３個を有し、端子電極１３，１３間に複数の短絡電極１４を有する高磁界感度の磁気センサ１０を、フォトリソグラフィーを応用した微細加工プロセスの応用により、１枚のウエーハ上に多数製作することができる。 なお、本例では、後述するモールドによる化合物半導体薄膜へ応力緩和のため、図５（ｄ）に示すように、更に、磁気センサ１０の動作層１２上（実際には、絶縁層１１Ｂ上）に、上記部位を覆うように、柔らかいシリコン樹脂層から成る軟質樹脂層２０を形成するようにしている。 【００２０】 その後、ウエーハから、ダイシングにより個別の磁気センサ１０を切離す。こうして製作した磁気センサ１０のチップを、リードフレーム２１を利用して、ボンデングパッケージした。すなわち、リードフレームのアイランド上に磁気センサ１０のチップを、ダイボンダーを用いダイボンドした。次いで、金ワイヤー２２により３個の端子電極１３とリード間を、ワイヤーボンダーを用いワイヤーボンドした。次いで、トランスファーモールド法によりエポキシ樹脂などの硬質樹脂２３によりパッケージし、次に、タイバーカット、リードカットにより、及びリードのフォーミングを行い、図６に示すような、硬質樹脂２３によりモールドされた磁気センサ１０を作製する。そして、このボンデングパッケージを永久磁石１５とともに金属ケース１８内に収納した後、モールド樹脂１６にてモールドすることにより、図１に示すような、本発明の強磁性微粒子検出装置１のセンサ部１Ａを製作する。最後に、センサ部１Ａの端子ピン１７と、駆動検出部１Ｂとを接続して強磁性微粒子検出装置１を組上げる。なお、金属ケース１８に代えて、樹脂ケースを用いても良い。 また、より高感度の磁気パターンを検出するためには、金属ケース１８の先端部の厚さは、０．０１～０．１５ｍｍの範囲が実用上からは好ましい。特に、０．１０～０．１５ｍｍの範囲は、実用上の堅牢さと磁気パターンへの近接性を阻害しないので、磁気パターンの高感度検出が可能であり良く使われる範囲である。」 「【００２３】 次に、磁気パターンの検出原理について説明する。 本例では、図１２に示すように、３端子の磁気センサ１０を用いて、強磁性微粒子３を含んだ磁気インクで磁気印刷物２に印刷された磁気パターンを検出する。なお、磁気センサ１０の磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂは、永久磁石１５により形成される一様なバイアス磁界中に配置されており、かつ、磁気抵抗素子１２ａと磁気抵抗素子１２ｂとは、図１０に示したように、直列接続されるとともに定電圧電源１９Ｅに接続されている。なお、本例においては、強磁性微粒子３を、永久磁石１５からの磁界を集磁する軟磁性体から成る微粒子とした。 （中略） 【００２５】 なお、実施の形態１では、化合物半導体薄膜から成る動作層１２に垂直に磁界を加える手段として永久磁石１５を用いたが、これに限るものではなく、図１４に示すように、電磁石２４を用いてもよい。 また、上記例では、センサ部１Ａと駆動検出部１Ｂとを別個に作製したが、金属ケース１８内に駆動検出部１Ｂを収納して、センサ部１Ａと駆動検出部１Ｂとを一体化しても良い。 （中略） 【００２７】 ［実施の形態２］ 実施の形態１では、硬質樹脂２３によりによりパッケージした磁気センサ１０の裏面側に、モールド樹脂１６により保持された永久磁石１５を配置したが、図１７に示すように、硬質樹脂２３の磁気センサ１０が配置されている側とは反対側に、永久磁石１５を接着剤等により固定するようにすれば、磁気センサ１０と永久磁石１５とが一体化された磁気センサ１０Ｍを有する強磁性微粒子検出装置を構成することができる。 このとき、図１８に示すように、リードフレーム２５Ｆを、動作層１２を構成する化合物半導体薄膜の面に対して垂直方向に折り曲げるようにして円筒形の金属ケース１８に収納すれば、センサ部を容易に円柱状とすることができる。なお、リードフレーム２５Ｆは上記のように折り曲げられているので、金属ケース１８に接触することはない。」 「【図１】 」 「【図４】 【図５】 【図６】 」 「【図１４】 」 「【図１７】 」 イ　引用文献１に記載された発明 （ア）【００２０】、【図６】、【図１７】の記載から、「硬質樹脂２３」は、「絶縁性基板１１」の全体及び「リードフレーム２１（又は２５Ｆ）」の少なくとも一部分をパッケージしていることは明らかである。 （イ）【００２７】、【図１７】には、「硬質樹脂２３」に「永久磁石１５」を接着剤等により固定することが記載されているが、【００２５】のように、「永久磁石１５」の代わりに「電磁石２４」を用いる場合、当該「電磁石２４」も「硬質樹脂２３」に接着剤等により固定するものと認められる。 上記（ア）、（イ）を踏まえつつ、前記アの記載をまとめると、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「磁気センサ１０を備えた強磁性微粒子検出装置１であって（【００１２】、【図１】）、 磁気センサ１０の作製方法は、はじめに、絶縁性基板であるＧａＡｓ基板１１上に、動作層１２を構成するためのＩｎＳｂ薄膜１２Ｆを形成し、その後、メサエッチングすることで磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂを形成し、磁気抵抗素子１２ａ，１２ｂ上に、複数の短絡電極１４を形成し、更に、窒化シリコン薄膜から成る絶縁層１１Ｂを形成し、端子電極１３部分のみの窒化シリコン膜を反応性イオンエッチング装置を用いて除去した後、端子電極１３を形成し、更に、磁気センサ１０の動作層１２上（実際には、絶縁層１１Ｂ上）に、上記部位を覆うように、柔らかいシリコン樹脂層から成る軟質樹脂層２０を形成し（【００１９】、【図４】）、 その後、ダイシングにより切離すことにより作製された個別の磁気センサ１０のチップを、リードフレーム２１（又は２５Ｆ）上にダイボンドし、次いで、トランスファーモールド法によりエポキシ樹脂などの硬質樹脂２３により、絶縁性基板１１の全体及びリードフレーム２１（又は２５Ｆ）の一部分をパッケージすることで、モールドされた磁気センサ１０を作製し（【００２０】、【図６】）、 前記硬質樹脂２３の磁気センサ１０が配置されている側とは反対側に、永久磁石１５を接着剤等により固定するようにし、磁気センサ１０と永久磁石１５とが一体化され（【００２７】、【図１７】）、 上記永久磁石１５に代えて電磁石２４を用いてもよく、このとき上記電磁石２４は、前記硬質樹脂２３の磁気センサ１０が配置されている側とは反対側に、接着剤等により固定され（【００２５】、【００２７】、【図１４】）、 電磁石２４により、当該磁気センサ１０の磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂに垂直にバイアス磁界を印加し、磁気センサ１０を用いて強磁性微粒子３を含んだ磁気インクで磁気印刷物２に印刷された磁気パターンを検出する（【００１２】、【００２３】、【００２５】）、 強磁性微粒子検出装置１。」 （２）引用文献２ ア　引用文献２には、以下の記載がある。 （第４頁第３行～第１５行） 「第4図中、20はツバ20a、20bおよび巻回部20Cを有するフェライト材等の非導電性の磁性材からなるドラム形状のコア、21はリード部21a、21b(第6図参照）を有するコイル線輪、22、23は凹部22a、23aを有し、リード部21a、21bとそれぞれ電気的に接続しかつ折曲して外部端子22b、23bを形成する銅、黄銅等からなる金属板、24はエポキシ樹脂等の合成樹脂にフェライト等の磁性材粉末を混入した封止材であり、この封止材を用いて前記コア20、コイル線輪21および金属板22の一部をモールド成型して封止する。」 （第４図） 「 」 イ　前記アの記載をまとめると、引用文献２には次の事項が記載されている。 「コイル線輪21を、エポキシ樹脂等の合成樹脂にフェライト等の磁性材粉末を混入した封止材24で封止する。」 （３）引用文献３ ア　引用文献３には、以下の記載がある。 （第３頁第１５行～第１８行） 「このコイルでは、スパイラル巻回部１が樹脂モールド４に埋付け配置され、また端部電極２、３を樹脂モールド４の左右湯麺に呈出配置することにより構成されている。」 （第３図） 「 」 イ　前記アの記載をまとめると、引用文献３には次の事項が記載されている。 「空心コイルのスパイラル巻回部１を、樹脂モールド４に埋付け配置する。」 （４）引用文献４ ア　引用文献４には、以下の記載がある。 （第５頁第１５行～第６頁第５行） 「このように、コイル(1)をキャピティ(12)内の所定位置に配置した状態で金型(21)と金型(22)を合致させ、ランナー(15)及ひ各ゲート(I7)を通じてキャピティ(12)内に磁性樹脂の注入、すなわち射出成型を行う。その後、金型(21)及び(22)を分離し、キャビティ(12)内から成型体をとり出せば、第1図にその断面図を示すように、軟磁性樹脂(3)内にコイル(1)と磁石(2)とが埋込まれて両者が一体化されるか、コイル(1)と軟磁性体(21)とが埋込まれて両者が一体化されたモールドコイルが得られる。」 （第１図） 「 」 イ　前記アの記載をまとめると、引用文献４には次の事項が記載されている。 「コイル1を、軟磁性樹脂3内に埋め込むこと。」 （５）引用文献５ ア　引用文献５には、以下の記載がある。 （第２頁左下欄第１８行～第２０行） 「３は巻線、４は外装成形体であり、金属板端子２の外部回路接続部６を残して全体を覆う様にモールドしている。」 （第３頁右上欄第１行～第１４行） 「以上の説明から明らかなように、本発明によるチップィンダクタは同一平面上で相対する一対の金属板端子上に巻線を施したドラムコアを、この中心軸が金属板端子面に対して垂直で、かつ前記金属板端子間にまたがる様に配置して固定し、前記金属板端子のドラムコア固定部位より幅狭の突出部を設け、この突出部先端に巻線端を電気的接続し、前記金属板端子の外部回路への接続部を残して全体を外装樹脂成形体で覆う様に構成する事により、チップインダクタをプリント基板に実装した後にプリント基板から伝わって来る超音波振動を含むあらゆる機械的振動に対しィンダクタの致命的欠点である断線を発生しないという非常に大きな効果が得られる。」 （第１図） 「 」 イ　前記アの記載をまとめると、引用文献５には次の事項が記載されている。 「巻線３を外装樹脂成形体４で覆うこと。」 （６）引用文献６ ア　引用文献６には、以下の記載がある。 （第２頁左下欄第１４行～右下欄第３行） 「上述のように本発明は、空芯コイルの上下面に耐熱性フィルムのつばを固着したコイル素体を樹脂で封止した構造とすることによって、従来ドラムコアの製造上からくる小形，薄形化に対する制約を無くし、又、従来ドラムコアに占められていた体積分を省略すると共に、ドラムコアに代るコイルの熱に対する保護手段として耐熱性フィルムのつばを用いたことにより、信頼性が高く、巻線形でかつC,Rのチップ部品に匹敵する小形，薄形のインダククンス素子が提供できる。」 （第３頁左下欄第１０行～第１４行） 「その後、空心コイル１のリード部（図示せず）を金属板端子４ａ、４ｂに各々電気的に接合し、コイル素体５及び金属板端子４ａ、４ｂの一部を樹脂３で封止すると第１図に示したインダクタンス素子が得られる。」 （第１図） 「 」 イ　前記アの記載をまとめると、引用文献６には次の事項が記載されている。 「コイル素体５を樹脂３で封止すること。」 （７）引用文献７ ア　引用文献７には、以下の記載がある。 （第２頁左下欄第１４行～第１６行） 「この巻線コイル２を外部端子３、４となる金属板端子に取付けた後、コイル全体をプラスチックフェライト１で覆うように一体成型する。」 （第１図） 「 」 イ　前記アの記載をまとめると、引用文献７には次の事項が記載されている。 「巻線コイル２全体を、フェライト微粉末を高充填したプラスチックフェライト１で覆うように一体成形すること。」 第５　対比 本願発明６と引用発明を対比すると、以下のとおりである。 １　引用発明の「リードフレーム２５Ｆ」は、本願発明６の「リードフレーム」に相当する。また、引用発明において、「リードフレーム２５Ｆ」上に「磁気センサ１０」のチップをダイボンドしており、当該チップをダイボンドする表面は、本願発明６の「リードフレーム」の「第１の表面」に相当し、「リードフレーム２５Ｆ」におけるチップをダイボンドする表面と反対側の表面は、「リードフレーム」の「第２の対向する表面」に相当する。 ２　引用発明の「磁気センサ１０のチップ」は、本願発明６の「半導体ダイ」に相当する。 また、引用発明の「磁気センサ１０のチップ」は、「絶縁性基板１１」上に「磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂ」を形成し、「磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂ」上に「絶縁層１１Ｂ」を形成した後、「絶縁層１１Ｂ」の「端子電極１３」部分のみを除去した後に「端子電極１３」を形成し、更に「絶縁層１１Ｂ」上に当該部位を覆うように「軟質樹脂層２０」を形成することにより、「作製」されている。すなわち、引用発明の「磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂ」は、（【図５】（ｄ）の断面図に示されるように）「磁気センサ１０のチップ」を構成する「絶縁層１１Ｂ」、「端子電極１３」、「軟質樹脂層２０」の内部に形成されている。ここで、引用発明の「磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂ」は、本願発明６の「磁場感知素子」に相当し、引用発明の「磁気センサ１０のチップ」のうち「端子電極１３」、「軟質樹脂層２０」が形成された面は、本願発明６の「第１の表面」に相当するから、引用発明において、「磁気抵抗素子１２ａ、１２ｂ」が「端子電極１３」及び「軟質樹脂層２０」が形成された面の内部に形成されていることは、本願発明６において、「磁場感知素子」が「半導体ダイ」の「第１表面」の「中に配設され」ていることに相当する。 また、引用発明において、「磁気センサ１０のチップ」のうち「絶縁性基板１１」が存在する側の面は、「リードフレーム２５Ｆ」上に「ダイボンド」することにより取り付けられており、「磁気センサ１０のチップ」の上記の面は、本願発明６における「半導体ダイ」の「リードフレームの第１の表面に取り付けられた第２の対向する表面」に相当する。 ３　引用発明の「硬質樹脂２３」は、「エポキシ樹脂など」であるから、非導電性材料である考えるのが通常であり、「絶縁性基板１１」及び「リードフレーム２５Ｆ」の少なくとも一部分をパッケージしており、本願発明６の「前記ダイ及び前記リードフレームの少なくとも一部分を封入する非導電性モールド材料」に相当する。 ４　引用発明の「電磁石２４」はコイルを含むことは明らかであり、そのコイルは、本願発明６の「導電性コイル」に相当する。また、「電磁石２４」は、「硬質樹脂２３」に接着剤等により「固定」されているから、「電磁石２４」に含まれるコイルも、「硬質樹脂２３」に「固定」されることとなる。よって、本願発明６の「導電性コイル」と、引用発明のコイルは、「非導電性モールド材料」に「固定」されるという点で共通している。 ５　引用発明の「強磁性微粒子検出装置１」は、本願発明６の「磁場センサ」に相当する。 第６　一致点及び相違点 前記第５の対比の結果をまとめると、本願発明６と引用発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 １　一致点 「第１の表面及び第２の対向する表面を有するリードフレームと、 磁場感知素子が中に配設された第１の表面と、前記リードフレームの前記第１の表面に 取り付けられた第２の対向する表面とを有する半導体ダイと、 前記ダイ及び前記リードフレームの少なくとも一部分を封入する非導電性モールド材料と、 前記非導電性モールド材料に固定された導電性コイルと、 を備える、磁場センサ。」 ２　相違点 本願発明６は、「非導電性モールド材料の一部分に固定され、前記コイルを封入する第２のモールド材料」を備えるのに対して、引用発明は、そのような構成を備えているか否か不明である点。 第７　判断 引用文献２～７に示されるように、コイルを樹脂モールド材料に封入して各種用途に用いることは、当業者にとって技術常識であるから、引用発明における「電磁石２４」のコイルについても、モールド樹脂で封入するようにすることは、上記技術常識を踏まえて当業者が適宜なし得た設計変更にすぎない。また、電磁石２４のコイルが硬質樹脂２３に隣接して固定されている場合には、コイルを封入するモールド樹脂も硬質樹脂２３に隣接することとなり、同様に硬質樹脂２３に固定されることは、磁石と一体化されたセンサとするにあたって設計上自然な構成であり、当業者が適宜行い得た事項である。 ３　まとめ 以上のとおりであるから、本願発明６は、引用発明及び引用文献２～７に記載された技術常識に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第８　審判請求人の主張について 審判請求人は、審判請求書において「引用文献１にはまた、コイル（電磁石２４）を永久磁石の代わりに用いることができることが記載されている（例えば、段落［００２５］参照）。審査官が指摘するように電磁石の集積化が容易なのであれば、センサの小型化の利点について認識を示している引用文献１には、必ず、そのような指摘や教示がされているはずである。換言すれば、図６又は１５の樹脂２３内に電磁石を設けることが容易なのであれば、引用文献１にはそのように開示されるはずである。しかし、引用文献１には、電磁石２４が樹脂２３内に、又はケース１８内に、又は他の方法でどのように集積化され得るかについて何らの記載も説明もされていない。」と主張している。 しかし、引用文献１の【００２５】の「永久磁石１５」の代わりに「電磁石２４を用いてもよい」という記載に接した当業者であれば、コイルを小型に形成すること自体は技術常識である（例えば、引用文献６の「コイル素体」は、「C,Rのチップ部品に匹敵する小形」化が実現されている）ことを考えれば、引用文献１においても、強磁性微粒子検出装置１として、永久磁石１５を、同じ位置、大きさの電磁石２４（コイル）に置き換えたものを読み取ることは可能である。 よって、出願人の主張する「電磁石の集積化」は、引用文献１の記載から読み取れる事項であって相違点とはならず、上記主張は妥当なものと認められない。 第９　むすび 本願発明６は、引用発明及び引用文献２～７に記載された技術常識に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。よって、他の請求項に係る発明ついて検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 したがって、結論のとおり審決する。