審決検索MVP
← 検索一覧に戻る
特許拒絶査定不服審判

2018-008571

III-Nテンプレートの製造方法およびIII-Nテンプレート

審判番号
2018-008571
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2015-500921外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2018年06月22日
審決日
2020年01月08日
公報発行日
2020年02月28日
結論
原査定取消(特許/登録すべき)
審判長/審判官
分類
P18 .113-WYF(C30B) / P18 .121-WYF(C30B) / P18 .537-WYF(C30B)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2015-500921号「III-Nテンプレートの製造方法およびIII-Nテンプレート」拒絶査定不服審判事件〔平成25年9月26日国際公開、WO2013/139888、平成27年6月11日国内公表、特表2015-516355号、請求項の数(26)〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理由

【理 由】 本願は、2013年(平成25年)3月21日(パリ条約による優先権主張外国庁受理 2012年3月21日(DE)ドイツ連邦共和国、2012年3月21日(DE)ドイツ連邦共和国、2012年3月22日(US)アメリカ合衆国、2012年3月22日(US)アメリカ合衆国)を国際出願日とする出願であって、その請求項1ないし26に係る発明は、令和1年10月30日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1ないし26に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

J-PlatPatの審決検索トップを開きます。番号入力で「審判番号」を選び、下の番号を貼り付けて検索してください。

J-PlatPat 審決検索を開く
2018-008571

番号・当事者・条文・審決分類・商標の称呼が一致(または近い)審決を機械的に集めた候補です。判断内容は各審決の本文でご確認ください。

同じ当事者の審決3件(フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング)
  • 2022-009302拒絶査定不服審判 / 2023-09-25 / 請求不成立結晶格子湾曲のないA-B結晶
    同じ当事者: フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
  • 2021-002430拒絶査定不服審判 / 2022-07-19 / 原査定取消(特許/登録すべき)結晶格子湾曲のないA-B結晶の成長
    同じ当事者: フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
  • 2016-016038拒絶査定不服審判 / 2018-03-27 / 原査定取消(特許/登録すべき)低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム単結晶
    同じ当事者: フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
同じ論点・分野の審決(審決分類)132件(113・C30B、121・C30B、537・C30B)
  • 2024-019616拒絶査定不服審判 / 2026-05-26 / 原査定取消(特許/登録すべき)単結晶炉のホットゾーンヒータ及び単結晶炉
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2024-007294拒絶査定不服審判 / 2026-03-31 / 原査定取消(特許/登録すべき)ダイヤモンド基板及びその製造方法
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2024-005326拒絶査定不服審判 / 2026-03-17 / 請求不成立単結晶シリコンウェーハの製造方法
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2024-008750拒絶査定不服審判 / 2026-03-03 / 原査定取消(特許/登録すべき)炭化ケイ素単結晶ウェハ、結晶及び製造方法、半導体デバイス
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B
  • 2023-019610拒絶査定不服審判 / 2026-01-07 / 原査定取消(特許/登録すべき)亀裂低減に最適な格子面配向を持つSiC結晶基板およびその製造方法
    共通の審決分類: 113・C30B、121・C30B、537・C30B

メモ・タグ(非公開)

あなただけに表示されます。審決本文の公開範囲は変わりません。

メモとタグは Pro の機能です。ログイン/Proでメモを保存