2017-017009

特願２０１３－　８２１７７「セラミック電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１０月３０日出願公開、特開２０１４－２０７２５４〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２５年４月１０日の出願であって、平成２８年１０月２７日付け拒絶理由通知に対して同年１２月１４日付けで手続補正がなされ、平成２９年３月６日付け拒絶理由通知に対して同年４月２８日付けで意見書が提出されたが、同年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。 第２　平成２９年１１月１６日付けの手続補正書についての却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 平成２９年１１月１６日付けの手続補正を却下する。 ［理由］ １．本件補正 平成２９年１１月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１については、本件補正前（平成２８年１２月１４日付け手続補正書参照。）に、 「【請求項１】 内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体と、 前記セラミック素体の上に設けられた外部電極と、 を備え、 前記外部電極は、共材を含む下地電極層と、最外層を構成しているＣｕめっき膜とを有し、 前記Ｃｕめっき膜のＣｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上である、セラミック電子部品。」 とあったものが、 「【請求項１】 内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体と、 前記セラミック素体の上に設けられた外部電極と、 を備え、 前記外部電極は、共材を含む下地電極層と、最外層を構成しているＣｕめっき膜とを有し、 前記Ｃｕめっき膜のＣｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上であり、 前記Ｃｕめっき膜は光沢剤を含有しており、 前記セラミック素体の厚み寸法Ｔ、長さ寸法Ｌ及び幅寸法Ｗが、以下の特定の範囲とされている、セラミック電子部品。 Ｔ≦Ｗ＜Ｌ １／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ ０．０５≦Ｔ≦０．３ｍｍ ０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ ０．３ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍ」 と補正された。 上記補正は、本件補正前の請求項１において、Ｃｕめっき膜が「光沢剤を含有して」いることの限定を付加するとともに、セラミック素体の寸法を限定したものである。 よって、本件補正は、補正前の請求項に記載された発明を特定するために必要な事項の限定を目的にするものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 ２．独立特許要件について そこで、本件補正の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。 ２－１．特許法第３６条第６項第１号違反 （１）本件補正の請求項１において、「Ｃｕめっき膜は光沢剤を含有して」（下線は当審において付与した。）いることが記載されている。しかし、「光沢剤」について、本願明細書の段落【００５８】、【００６６】には「めっき浴」（下線は当審において付与した。）に光沢剤を添加することは記載されているものの、当該「めっき浴」を用いて形成された「Ｃｕめっき膜」に光沢剤が含有されることまで明記されていない。 また、光沢剤が添加されためっき浴を用いてめっき膜を形成した場合に、形成されためっき膜内にめっき浴中の光沢剤が取り込まれ、結果として、めっき膜にも光沢剤が含有されるような現象も一応想定はできるが、本願明細書等の記載を参酌しても、そのような現象が必ず発生するものであることを示すような記載は認められない。 従って、Ｃｕめっき膜に光沢剤を含有させることが明記されておらず、また、光沢剤が添加されためっき浴を用いた場合、形成されためっき膜にも光沢剤が含有されるような現象が、必ず発生するものであるとも認められないから、本件補正の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 よって、本願補正発明は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に既定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ２－２．特許法第３６条第６項第２号違反 （１）本件補正の請求項１において、 「Ｔ≦Ｗ＜Ｌ １／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ」（下線は当審において付与した。） と記載されており、前段の行において、厚み寸法Ｔと幅寸法Ｗとが等しい場合を含んでよい旨を特定している一方、後段の行においては、厚み寸法Ｔが最大でも１／２Ｗであり、厚み寸法Ｔと幅寸法Ｗとが等しい場合を含まない旨の特定がされている。 したがって、前後の行で記載が矛盾しており、この点において、本件補正の請求項１に係る発明は明確なものではない。 よって、本願補正発明は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に既定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ２－３．予備的見解（特許法第２９条第２項） 上記「２－１．特許法第３６条第６項第１号違反」で示したように、本願補正発明は発明の詳細な説明に記載したものではないと判断されるものの、仮に、光沢剤が添加されためっき浴を用いた場合、形成されためっき膜にも光沢剤が含有されるような現象が必ず発生するものであり、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に既定する要件を満たしているものとして、本願補正発明が、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるのか否かについても判断を示す。 （１）引用例 （１－１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１２－２８４５８号公報（平成２４年２月９日公開。以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審において付与した。） ア．「【００１２】 （第１の実施形態） 以下、本発明の好ましい実施形態について、図１に示すセラミック電子部品１を例に挙げて説明する。但し、セラミック電子部品１は、単なる例示である。本発明は、以下に示すセラミック電子部品１及びその製造方法に何ら限定されない。 【００１３】 図１は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的側面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ－ＩＩＩにおける略図的断面図である。図４は、第１の実施形態に係るセラミック電子部品の一部分を拡大した略図的断面図である。 【００１４】 まず、図１～図４を参照しながら、セラミック電子部品１の構成について説明する。 【００１５】 図１～図３に示すように、セラミック電子部品１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、セラミック電子部品１の機能に応じた適宜のセラミック材料からなる。具体的には、セラミック電子部品１がコンデンサである場合は、セラミック素体１０を誘電体セラミック材料により形成することができる。誘電体セラミック材料の具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。なお、セラミック素体１０には、所望するセラミック電子部品１の特性に応じて、上記セラミック材料を主成分として、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。」 イ．「【００２１】 セラミック素体１０の寸法は、特に限定されないが、セラミック素体１０の厚み寸法をＴ、長さ寸法をＬ、幅寸法をＷとしたときに、セラミック素体１０は、Ｔ≦Ｗ＜Ｌ、１／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ、Ｔ≦０．３ｍｍを満たす薄型のものであることが好ましい。具体的には、０．１ｍｍ≦Ｔ≦０．３ｍｍ、０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ、０．２ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍであることが好ましい。」 ウ．「【００２４】 図３に示すように、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。第１の内部電極１１は、セラミック素体１０の第１の端面１０ｅに露出しており、第１の端面１０ｅから第２の端面１０ｆ側に向かって延びている。第１の内部電極１１は、第２の端面１０ｆ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれには至っていない。一方、第２の内部電極１２も、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。第２の内部電極１２は、図３に示すように、セラミック素体１０の第２の端面１０ｆに露出しており、第２の端面１０ｆから第１の端面１０ｅ側に向かって延びている。第２の内部電極１２は、第１の端面１０ｅ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれには至っていない。第１及び第２の内部電極１１，１２は、幅方向Ｗにおいて同じ位置に形成されている。このため、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック素体１０の長さ方向Ｌにおける中央部において、セラミック層１０ｇを介して、互いに対向している。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック素体１０の長さ方向Ｌにおける両端部においては、厚み方向Ｔに対向していない。」 エ．「【００２８】 図１～図３に示すように、セラミック素体１０の表面の上には、第１及び第２の外部電極１３，１４が形成されている。第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１に電気的に接続されている。第１の外部電極１３は、第１の主面１０ａの上に形成されている第１の部分１３ａと、第２の主面１０ｂの上に形成されている第２の部分１３ｂと、第１の端面１０ｅの上に形成されている第３の部分１３ｃとを備えている。本実施形態では、第１の外部電極１３は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの端部に浅く回り込むように形成されている。具体的には、第１の外部電極１３の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄにおける長さ方向Ｌに沿った長さは、第１の部分１３ａの長さ方向Ｌに沿った長さの半分よりも短い。そして、第１の外部電極１３は、幅方向Ｗに沿って第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄからほとんど突出していない。このようにすることで、セラミック電子部品１の幅方向Ｗ寸法を小さくすることができる。なお、第１の外部電極１３は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに実質的に形成されないようにしてもよい。 【００２９】 一方、第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２に電気的に接続されている。第２の外部電極１４は、第１の主面１０ａの上に形成されている第１の部分１４ａと、第２の主面１０ｂの上に形成されている第２の部分１４ｂと、第２の端面１０ｆの上に形成されている第３の部分１４ｃとを備えている。本実施形態では、第２の外部電極１４は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの長さ方向Ｌの端部に浅く回り込むように形成されている。具体的には、第２の外部電極１４の第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄにおける長さ方向Ｌに沿った長さは、第１の部分１４ａの長さ方向Ｌに沿った長さの半分よりも短い。そして、第２の外部電極１４は、幅方向Ｗに沿って第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄからほとんど突出していない。このようにすることで、セラミック電子部品１の幅方向Ｗ寸法を小さくすることができる。なお、第２の外部電極１４は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに実質的に形成されないようにしてもよい。 【００３０】 なお、第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕなどの金属や、Ａｇ－Ｐｄ合金などの、これらの金属の一種以上を含む合金により形成することができる。 【００３１】 第１及び第２の外部電極１３、１４のそれぞれは、無機結合材を含んでいる。無機結合材は、セラミック素体１０に対する密着強度を高めるための成分である。第１及び第２の外部電極１３、１４がコファイアにより形成される場合は、無機結合材は、共材とも呼ばれ、例えば、セラミック素体１０に含まれるセラミック材料と同種のセラミック材料であってもよい。無機結合材は、例えば、セラミック素体１０に含まれるセラミック材料と主成分が同じセラミック材料であってもよい。また、第１及び第２の外部電極１３、１４がポストファイアにより形成される場合は、無機結合材は、例えば、ガラス成分であってもよい。 【００３２】 第１及び第２の外部電極１３、１４における無機結合材の含有量は、例えば、４０体積％～６０体積％の範囲内であることが好ましい。 【００３３】 また、第１及び第２の外部電極１３，１４の上にめっき層を形成してもよい。めっき層は複数層により形成されていてもよい。めっき層を構成する金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｌ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金を用いることが好ましい。 【００３４】 中でも、セラミック電子部品１を配線基板に埋め込む場合、めっき層の最外層を構成する金属としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、及びＡｌからなる群から選ばれる1種の金属または当該金属を含む合金を用いることが好ましい。埋め込みの際には外部電極１３、１４を狙って配線基板を貫通するレーザー光を照射することがあり、これらの金属はレーザー光を効率よく反射するためである。」 上記アないしエの記載によれば、引用例１には以下の事項が記載されている。 ・上記アによれば、引用例１に記載の発明は、セラミック電子部品に関するものである。 ・上記アによれば、セラミック電子部品は、セラミック素体を備えているものである。 ・上記ウによれば、内部電極は、セラミック素体の端面に露出しているものである。 ・上記エによれば、セラミック素体の表面の上には、外部電極が形成されているものである。 ・上記エによれば、外部電極は、共材を含んでいるものである。 ・上記エによれば、外部電極の上にめっき層を形成してもよく、めっき層を構成する金属としては、Ｃｕを用いることが好ましいものである。そして、セラミック電子部品を配線層に埋め込む場合、めっき層の最外層を構成する金属としてＣｕを用いることが好ましいものである。 ・上記イによれば、セラミック素体の寸法は、セラミック素体の厚み寸法をＴ、長さ寸法をＬ、幅寸法をＷとしたときに、Ｔ≦Ｗ＜Ｌ、１／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ、Ｔ≦０．３ｍｍを満たす薄型のものであることが好ましく、具体的には、０．１ｍｍ≦Ｔ≦０．３ｍｍ、０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ、０．２ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍであることが好ましいものである。 そうすると、「セラミック電子部品」に着目し、上記摘示事項を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「内部電極が端面に露出しているセラミック素体と、 セラミック素体の表面の上に形成されている外部電極と を備え、 外部電極は共材を含んでいるものであり、外部電極の上にめっき層を形成し、めっき層の最外層を構成する金属としてＣｕを用いるものであり、 セラミック素体の厚み寸法をＴ、長さ寸法をＬ、幅寸法をＷとしたときに、Ｔ≦Ｗ＜Ｌ、１／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ、Ｔ≦０．３ｍｍを満たす薄型のものであることが好ましく、具体的には、０．１ｍｍ≦Ｔ≦０．３ｍｍ、０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ、０．２ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍであることが好ましいものである、 セラミック電子部品。」 （１－２）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６－３３９５３６号公報（平成１８年１２月１４日公開。以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審において付与した。） オ．「【００１５】 本願発明（請求項１）の電子部品は、電子部品本体と、電子部品本体の表面に形成された外部電極とを備えた電子部品において、外部電極が、Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層と、Ｃｕ焼き付け電極層上に形成されたＣｕめっき層であって、４００℃以上の温度条件下で熱処理を行うことにより再結晶化処理が施されたＣｕめっき層と、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層上に形成された、少なくとも１層の上層側めっき層とを備えており、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層は組織が緻密であることから、めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したり、外部環境の湿気が内部に浸入したりすることを防止することが可能な、信頼性の高い電子部品を得ることが可能になる。」 カ．「【００２１】 図１は本願発明の一実施例（実施例１）にかかる電子部品の製造方法により製造した電子部品（この実施例では積層セラミックコンデンサ）の構成を示す断面図である。 【００２２】 この積層セラミックコンデンサは、図１に示すように、複数の内部電極（例えばＮｉ電極）１がセラミック層２を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面３ａ，３ｂに引き出されたセラミック素子（電子部品本体）４に、内部電極１と導通するように一対の外部電極５ａ，５ｂが配設された構造を有している。 【００２３】 そして、この実施例の積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極５ａ，５ｂは、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂと、はんだ食われを防止するためのＮｉめっき層８ａ，８ｂ、Ｎｉめっき層８ａ，８ｂ上に形成された、はんだ濡れ性を良好にするためのＳｎめっき層９ａ，９ｂとを備えた４層構造を有している。」 キ．「【００３０】 ［信頼性試験（ＰＣＢＴ試験）］ 信頼性試験（ＰＣＢＴ試験）については、それぞれ、試料（積層セラミックコンデンサ）７２個を、ＳｎＺｎＢｉはんだを用いて基板に実装した後、はんだを再溶融させて積層セラミックコンデンサを基板から取り外し、１２５℃／９５％Ｒｈ／定格電圧／７２ｈｒの条件でＰＣＢＴ試験に供した。そして、初期値に比べ、絶縁抵抗値の低下が観察されたものを不良としてカウントした。」 ク．「　　【表１】 」 上記オないしクの記載によれば、引用例２には以下の事項が記載されている。 ・上記オ、カの記載によれば、引用例２に記載の発明は、積層セラミックコンデンサである電子部品に関するものである。 ・上記オの記載によれば、電子部品の外部電極がＣｕめっき層を有するものである。 ・上記オの記載によれば、Ｃｕめっき層を４００℃以上の温度条件化で熱処理を行うことにより、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層は、外部環境の湿気が内部に浸入したりすることを防止することが可能なものである。 ・上記クの記載によれば、Ｃｕめっき層を４００℃以上の温度条件化で熱処理した場合、Ｃｕめっき層の粒子の平均粒径が３．０μｍ以上となるものである。 ・上記キ、クの記載によれば、１２５℃／９５％Ｒｈ／定格電圧／７２ｈｒの条件で信頼性試験を行い、初期値に比べ、絶縁抵抗値の低下が観察されたものを不良としてカウントした結果、Ｃｕめっき層の粒子の平均粒径が０．５μｍ、１．０μｍの場合は、試料のすべてにおいて不良の発生が認められる一方で、４００℃以上の温度条件化で熱処理を行うことにより得られるＣｕめっき層の粒子の平均粒径が３．０μｍ以上となる試料においては、信頼性試験における不良発生割合が低下するものである。 そうすると、上記摘示事項を総合勘案すると、引用例２には、 「電子部品である積層セラミックコンデンサにおいて、 湿気が内部に浸入することで絶縁抵抗値の低下が発生することを防止するために、 外部電極が有するＣｕめっき層の粒子の平均粒径を３μｍ以上とする」という技術的事項が記載されている。 （１－３）新たに引用する特表２００２－５０６４８８号公報（平成１４年２月２６日公表。以下「引用例３」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審において付与した。） ケ．「普通の銅めっき用電解液は、電解液に高導電度を与えるために高い硫酸濃度(約１Ｍ)を含んでいる。高い導電度は、従来の銅電気めっきセルのセル構成によってもたらされる堆積の厚みの不均一性を減少させるために必要である。しかしながら、本発明（セル構成を含む）はより均一な電流分布を提供する。この状況では、抵抗性基体効果が高度に導電性の電解液によって増幅されるので、高い酸濃度は堆積の均一性にとって有害である。更に、高度に導電性の電解液は高い反転電流密度をもたらして不均一性を促進するので、周期的な反転サイクル中の溶解ステップの電解液導電度は比較的低くする必要がある。また酸または塩基のような支持電解質の存在は、前述したように良品質のめっきには不可欠のイオン物質移動速度を引き下げることになる。また、共通イオン効果が排除されるために、硫酸濃度が低い程硫酸銅濃度は高くなる。更に、特に可溶性銅陽極の場合、低めの酸濃度は有害な腐食及び材料安定性の問題を最小にする。従って、本発明は酸を有していないか、または極めて低い酸濃度を有する電気めっき溶液を企図している。好ましくは、硫酸濃度は０（存在せず）乃至0.2Ｍの範囲内にある。更に、純粋な、または比較的純粋な銅陽極をこの配列に使用することができる。 ・・・（中略）・・・ レベラーは、堆積物の厚みの均一性を改善する。光沢剤は、結晶構造の均一性を高めることによって堆積物表面の反射率を改善する。グレンリファイナーは、堆積させるより小さい粒子を発生させる。レベラー、光沢剤、及びグレンリファイナーは、本発明により提供される低酸・高銅電解液に対して特別に調合し、最適化することができる。」（第３２ページ第２２行目－第３４ページ第１０行目） 上記ケの記載によれば、引用例３には、「銅めっき用電解液に結晶構造の均一性を高める光沢剤を調合する」という技術事項が記載されている。 （１－４）新たに引用する特開２０１０－１５９４７８号公報（平成２２年７月２２日公開。以下「引用例４」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審において付与した。） コ．「【００２７】 ＜本発明に用いる酸性銅めっき浴組成物＞ 既に説明するように、本発明に用いる酸性銅めっき浴組成物は、（Ａ）銅イオン成分、（Ｂ）有機酸及び／叉は無機酸成分、（Ｃ）塩素イオン成分、（Ｄ）有機ポリマー成分、（Ｅ）ブライトナー成分、及び（Ｆ）めっき用レベリング剤であるジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと（メタ）アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体成分で構成されていることが特徴である。」 サ．「【００４０】 また、この（Ｅ）ブライトナー成分は、めっき層の結晶配列を均一化する作用を有している。本発明においては、例えば、メルカプトアルキルスルホン酸塩、有機ジスルフィド化合物及びジチオカルバミン酸誘導体などを挙げることができる。」 上記コ、サの記載によれば、引用例４には、「銅めっき浴に、めっき層の結晶配列を均一化する作用を有しているブライトナー成分を加える」という技術事項が記載されている。 （２）対比 本願補正発明と引用発明とを対比する。 ・引用発明の「内部電極が端面に露出しているセラミック素体」は、本願補正発明の「内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体」に相当する。 ・引用発明の「外部電極」はセラミック素体の表面の上に形成されるものであり、共材を含んで成るものであるから、本願補正発明の「共材を含む下地電極層」に相当する。また、引用発明の外部電極の上に形成された「めっき層」であって、「最外層を構成する金属としてＣｕを用い」たものは、本願補正発明の「最外層を構成しているＣｕめっき膜」に相当する。したがって、引用発明の「外部電極」と、「最外層を構成する金属としてＣｕを用い」た「めっき層」を合わせたものが、本願補正発明の「外部電極」に相当する。 ・本願補正発明の「Ｃｕめっき膜」は、「Ｃｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上」であるのに対して、引用発明の「めっき層」は、Ｃｕを用いてはいるものの、「Ｃｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上」である旨の特定がされていない点で相違している。 ・本願補正発明の「Ｃｕめっき膜」は、「光沢剤を含有」するのに対して、引用発明の「めっき層」は、Ｃｕを用いてはいるものの、「光沢剤を含有」する旨の特定がされていない点で相違している。 ・引用発明のセラミック素体は、厚み寸法をＴ、長さ寸法をＬ、幅寸法をＷとしたときに、「Ｔ≦Ｗ＜Ｌ」、「１／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ」、Ｔ≦０．３ｍｍを満たす薄型のものであることが好ましく、具体的には、「０．１ｍｍ≦Ｔ≦０．３ｍｍ」、「０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ」、「０．２ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍ」であることが好ましいものであるから、引用発明の「Ｔ≦Ｗ＜Ｌ」、「１／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ」、「０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ」については本願補正発明と同一であるとともに、引用発明の「０．１ｍｍ≦Ｔ≦０．３ｍｍ」、「０．２ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍ」については、本願補正発明の「０．０５≦Ｔ≦０．３ｍｍ」、「０．３ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍ」に含まれるものであって、特に「０．１≦Ｔ≦０．３ｍｍ」、「０．３ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍ」の範囲で一致するものである。 ・引用発明の「セラミック電子部品」は、本願補正発明の「セラミック電子部品」に相当する。 よって、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 ＜一致点＞ 「内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体と、 前記セラミック素体の上に設けられた外部電極と、 を備え、 前記外部電極は、共材を含む下地電極層と、最外層を構成しているＣｕめっき膜とを有し、 前記セラミック素体の厚み寸法Ｔ、長さ寸法Ｌ及び幅寸法Ｗが、以下の特定の範囲とされている、セラミック電子部品。 Ｔ≦Ｗ＜Ｌ １／５Ｗ≦Ｔ≦１／２Ｗ ０．１≦Ｔ≦０．３ｍｍ ０．４ｍｍ≦Ｌ≦１ｍｍ ０．３ｍｍ≦Ｗ≦０．５ｍｍ」 ＜相違点１＞ 本願補正発明の「Ｃｕめっき膜」は、「Ｃｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上」であるのに対して、引用発明の「めっき層」は、Ｃｕを用いてはいるものの、「Ｃｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上」である旨の特定がされていない点。 ＜相違点２＞ 本願補正発明の「Ｃｕめっき膜」は、「光沢剤を含有」するのに対して、引用発明の「めっき層」は、Ｃｕを用いてはいるものの、「光沢剤を含有」する旨の特定がされていない点。 （３）判断 上記各相違点について検討する。 ＜相違点１＞について 引用例２に記載の技術事項は、電子部品である積層セラミックコンデンサにおいて、湿気が内部に浸入することで絶縁抵抗値の低下が発生することを防止するために、外部電極が有するＣｕめっき層の粒子の平均粒径を３μｍ以上とするものである。そうすると、引用例２には、直接明記されていないものの、イオンマイグレーションによるショート不良の発生が防止できる技術が記載されているといえる。 そして、引用例２の「積層セラミックコンデンサ」もセラミック電子部品であるといえるから、引用発明と引用例２に記載の技術事項は、いずれもセラミック電子部品という共通した技術分野に属するものであり、また、信頼性を向上させるという共通した課題（引用例１の段落【０００７】、引用例２の段落【００１１】を参照）を有するものであるから、引用発明におけるめっき層を、引用例２に記載の技術事項を適用して相違点１の構成にすることは、当業者であれば容易になし得たことである。 ＜相違点２＞について 引用例３、引用例４に記載されているように、銅めっきに用いるめっき浴に光沢剤（ブライトナー）を含有させることは、当該技術分野において周知技術であり、同じく銅めっきにより形成される引用発明のめっき層についても、光沢剤を含有するめっき浴を用いてめっきすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。 よって、引用発明のめっき層において、引用例３及び引用例４に記載された周知のめっき方法を採用し、相違点２の構成にすることは当業者であれば容易になし得たことである。 したがって、本願補正発明は、引用発明、引用例２に記載された技術事項、及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１ないし４から当業者が予測できる範囲のものである。 （４）むすび 以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３．本件補正についてのむすび したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　本願発明について １．本願発明 上記のとおり、平成２９年１１月１６日付けの手続補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２８年１２月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 「【請求項１】 内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体と、 前記セラミック素体の上に設けられた外部電極と、 を備え、 前記外部電極は、共材を含む下地電極層と、最外層を構成しているＣｕめっき膜とを有し、 前記Ｃｕめっき膜のＣｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上である、セラミック電子部品。」 ２．引用例 （１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２－１００８７５号公報（平成１４年４月５日公開。以下「引用例５」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審において付与した。） シ．「【０００１】 【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板に関するのもである。」 ス．「【００２９】チップコンデンサ２０は、図９（Ａ）に示すように第１電極２１と第２電極２２と、該第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、該誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１及び第２電極２２は、銅メタライズからなる金属層２６に、半田等の被覆層２８が被されている。本実施形態では、第１電極２１及び第２電極２２にめっきからなるバイアホール４６で接続を取る。第１実施形態のプリント配線板では、図９（Ｂ）に示すように、チップコンデンサ２０の第１電極２１および第２電極２２の上面の被覆層２８から金属層２６を露出させている。このため、図６に示すように、第１、第２電極２１，２２とめっきからなるバイアホール４６との接続性が高くなり、また、接続抵抗を低減することができる。 【００３０】更に、チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と樹脂からなる接着層４０との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層４０の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。」 セ．「【００７６】次に、第２改変例に係るプリント配線板について、図１０及び図１１を参照して説明する。この第２改変例の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、上述した第１実施形態では、チップコンデンサ２０の電極２１，２２の被覆を一部剥いで金属層２６の表面を露出させた。これに対して、第２改変例では、チップコンデンサ２０は、図１１（Ａ）に示すように金属層２６の被覆を完全に剥いだ後、図１１（Ｂ）に示すように、金属層２６の表面に銅めっき膜２９を被覆してある。めっき膜の被覆は、電解めっき、無電解めっきなどのめっきで形成されている。そして、図１０に示すように銅めっき膜２９を被覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきよりなるバイアホール４６で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、第１実施形態の図２（Ｂ）に示す接続層４０に非貫通孔４３を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバイアホール４６との接続不良が発生することがある。一方、第２改変例では、銅めっき膜２９によって第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上に被覆された接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホール４６を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができる。」 上記シないしセの記載によれば、引用例５には以下の事項が記載されている。 ・上記シによれば、引用例５に記載の発明は、コンデンサを内蔵するプリント配線板に関するものである。 ・上記スによれば、チップコンデンサは、第１電極と第２電極と、該第１、第２電極に挟まれた誘電体とから成るものである。 ・上記スによれば、誘電体には、第１電極側に接続された第１導電膜と、第２電極側に接続された第２導電膜とが複数枚対向配置されているものである。 ・上記スによれば、誘電体はセラミックから成るものである。 ・上記スによれば、チップコンデンサの電極は、銅メタライズからなる金属層に半田等の被覆層が被覆されるものである一方、上記セによれば、第２改変例として、金属層の被覆を完全に剥いだ後、金属層の表面に銅めっき膜を被覆したものが記載されている。 そうすると、「チップコンデンサ（コンデンサ）」に着目し、上記摘示事項を総合勘案すると、引用例５には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。 「第１電極と第２電極と、該第１、第２電極に挟まれた誘電体とから成るチップコンデンサであって、 誘電体はセラミックから成るものであるとともに、第１電極側に接続された第１導電膜と、第２電極側に接続された第２導電膜とが複数枚対向配置されているものであり、 電極は、銅メタライズからなる金属層と、金属層の表面に被覆された銅めっき膜を有するものである、 チップコンデンサ。」 （２）原査定の拒絶の理由で引用された引用例１、引用例２及びその記載事項は、上記「第２　２－３．（１－１）、（１－２）」に記載したとおりである。 ３．対比 本願発明と引用発明２とを対比する。 ・引用発明２の「第１導電膜、第２導電膜」は、本願発明の「内部電極」に相当する。また、第１導電膜、第２導電膜は誘電体に配置され、それぞれ第１電極と第２電極に接続されていることから、第１導電膜、第２導電膜の端部は、誘電体の表面に露出しているものと認められる。したがって、引用発明２の「セラミックから成る誘電体」は、本願発明の「内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体」に相当する。 ・引用発明２の誘電体は第１、第２電極に挟まれたものであるから、第１、第２電極は誘電体の上に設けられているものといえる。したがって、引用発明２の「第１、第２電極」は、本願発明の「セラミック素体の上に設けられた外部電極」に相当する。 ・引用発明２の第１、第２電極は、銅メタライズからなる金属層と、金属層の表面に被覆された銅めっき膜を有するものであり、「金属層」、「銅めっき膜」は、本願発明の「下地電極層」、「最外層を構成しているＣｕめっき膜」にそれぞれ相当する。 ・本願発明の「下地電極層」は、「共材を含む」ものであるのに対して、引用発明２の「金属層」は、その旨の特定がされていない点で本願発明と相違する。 ・本願発明の「Ｃｕめっき膜」は、「光沢剤を含有」するのに対して、引用発明２の「銅めっき膜」は、「光沢剤を含有」する旨の特定がされていない点で本願発明と相違する。 ・引用発明２の「チップコンデンサ」は、「セラミックから成る誘電体」から成るものであるから、本願発明の「セラミック電子部品」に相当する。 よって、本願発明と引用発明２とは、以下の点で一致ないし相違する。 ＜一致点＞ 「内部電極の端部が表面に露出しているセラミック素体と、 前記セラミック素体の上に設けられた外部電極と、 を備え、 前記外部電極は、下地電極層と、最外層を構成しているＣｕめっき膜とを有する、 セラミック電子部品。」 ＜相違点１＞ 本願発明の「下地電極層」は、「共材を含む」ものであるのに対して、引用発明２の「金属層」は、その旨の特定がされていない点。 ＜相違点２＞ 本願補正発明の「Ｃｕめっき膜」は、「Ｃｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上」であるのに対して、引用発明２の「銅めっき膜」は、「Ｃｕ結晶粒の平均結晶粒径が２μｍ以上」である旨の特定がされていない点。 ４．判断 上記各相違点について検討する。 ＜相違点１＞について 引用例１には、セラミック電子部品の外部電極として、共材を含む外部電極が記載されており、共材により外部電極のセラミック素体に対する密着強度を高めるという作用効果を奏するもの（引用例１の段落【００３１】参照）である。 そして、引用発明２と引用例１に記載の発明は、いずれもセラミック電子部品という共通した技術分野に属するものであり、当該技術分野において、外部電極とセラミック素体との密着強度を高めることは一般的な技術課題であることから、引用発明２における金属層を、引用例１に記載の技術事項を適用して相違点１の構成にすることは、当業者であれば容易になし得たことである。 ＜相違点２＞について 引用例２に記載の技術事項は、電子部品である積層セラミックコンデンサにおいて、湿気が内部に浸入することで絶縁抵抗値の低下が発生することを防止するために、外部電極が有するＣｕめっき層の粒子の平均粒径を３μｍ以上とするものである。そうすると、引用例２には、直接明記されていないものの、イオンマイグレーションによるショート不良の発生が防止できる技術が記載されているといえる。 そして、引用例２の「積層セラミックコンデンサ」もセラミック電子部品であるといえるから、引用発明２と引用例２に記載の技術事項は、いずれもセラミック電子部品という共通した技術分野に属するものであり、また、信頼性を向上させるという共通した課題（引用例５の段落【０００７】、引用例２の段落【００１１】を参照）を有するものであるから、引用発明２におけるめっき膜を、引用例２に記載の技術事項を適用して相違点１の構成にすることは、当業者であれば容易になし得たことである。 したがって、本願発明は、引用発明２、引用例１および２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 そして、本願発明の作用効果も、引用例１、２、５から当業者が予測できる範囲のものである。 ５．むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。