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特許拒絶査定不服審判

2017-012130

シリコン基板における拡散領域の形成方法及び太陽電池

審判番号
2017-012130
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2014-533688外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2017年08月14日
審決日
2018年12月20日
公報発行日
2019年06月28日
結論
請求不成立
当事者
審判長/審判官
分類
P18 .537-WZF(H01L)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2014-533688「シリコン基板における拡散領域の形成方法及び太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成25年 4月 4日国際公開、WO2013/049216、平成26年12月18日国内公表、特表2014-534617〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 本件審判の請求は、成り立たない。

理由

【理 由】 本願は、平成24年 9月26日の出願であって、「シリコン基板における拡散領域の形成方法及び太陽電池」に関するものと認める。 これに対して、平成30年 8月 2日付けで拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。 そして、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

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2017-012130

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