2017-003915

特願２０１２－１４８１３７「有機ＥＬ素子用基板および有機ＥＬ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１月２０日出願公開，特開２０１４－　１１０９４〕について，次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は，成り立たない。

【理　由】 第１　手続等の経緯 特願２０１２－１４８１３７号（以下「本件出願」という。）は，平成２４年７月２日に出願された特許出願であって，その手続等の経緯は，概略，以下のとおりである。 平成２８年　５月３０日付け：拒絶理由通知書 平成２８年　７月２７日付け：意見書 平成２８年１２月２２日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） 平成２９年　３月１７日付け：審判請求書 平成２９年　３月１７日付け：手続補正書 第２　補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 平成２９年３月１７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　本件補正の内容 (1) 本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により，請求項１の記載は，次のとおり補正された。なお，下線は当合議体が付したものであり，補正箇所を示す。 「　算術平均粗さが５～１０００ｎｍ，かつ，最大高さが５～１００００ｎｍである凹凸構造を有する基材の凹凸構造側に，一方の面が凹凸構造を包埋し，他方の面が凹凸構造不凹面よりも平滑である凹凸構造を包埋する層が積層された有機ＥＬ素子用基板であって，凹凸構造を包埋する層が，下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を活性エネルギー線を照射して硬化した層である有機ＥＬ素子用基板。 （Ｒ１）ｍ－Ｓｉ－（Ｘ）４－ｍ　　　（１） （ただし，一般式（１）中，Ｒ１ は，水素原子，アルキル基もしくはアリール基，または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し，Ｘは，水酸基または加水分解可能な基を表し，ｍは，１～３の整数を表す。）」 (2) 本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の請求項１の記載は，次のとおりである。 「　凹凸構造を有する基材に，凹凸構造を包埋する層が積層された有機ＥＬ素子用基板であって，凹凸構造を包埋する層が，下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を活性エネルギー線を照射して硬化した層である有機ＥＬ素子用基板。 （Ｒ１）ｍ－Ｓｉ－（Ｘ）４－ｍ　　　（１） （ただし，一般式（１）中，Ｒ１ は，水素原子，アルキル基もしくはアリール基，または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し，Ｘは，水酸基または加水分解可能な基を表し，ｍは，１～３の整数を表す。）」 ２　補正の適否 (1) 新規事項違反 本件補正は，凹凸構造の最大高さを「５～１００００ｎｍ」に補正すること，すなわち凹凸構造の最大高さの下限値を「５ｎｍ」とする補正を含むものである。 しかしながら，本件出願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「出願当初明細書等」という。）に開示された凹凸構造の最大高さの下限値は，【００２９】に記載の「１０ｎｍ」又は「５０ｎｍ」であり，出願当初明細書等には，凹凸構造の最大高さの下限値を，特に「５ｎｍ」と規定する根拠となる記載はない（凹凸構造の最大高さに関する記載は，【００２９】のみである。）。そして，出願当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係においてみても，凹凸構造の最大高さの下限値を「５ｎｍ」と補正することが，新たな技術的事項を導入しないものであるということはできない。 したがって，本件補正は，出願当初明細書等に記載した事項の範囲内でしたものであるということができず，特許法１７条の２第３項の規定に違反してされたものである。 ところで，本件補正は，少なくとも「凹凸構造」を「算術平均粗さが５～１０００ｎｍ，かつ，最大高さが５～１００００ｎｍである」と限定する補正を含む。したがって，特許法１７条の２第５項２号に掲げる事項を目的とする補正ということができる。 そこで，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）が同法同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。 (2) ３６条６項２号違反 本件補正後発明の「凹凸構造を包埋する層」は，「一方の面が凹凸構造を包埋し，他方の面が凹凸構造不凹面よりも平滑である」という構成を具備する。 ここで，「凹凸構造不凹面」という用語は，一般的な用語ではない。また，本件出願の発明の詳細な説明には，「凹凸構造不凹面」という用語は記載されておらず，この用語の意味を明らかにする記載もない。 そうしてみると，本件補正後発明は，「凹凸構造不凹面」という用語が意味する構造において明確であるということができない。 また，本件補正後発明の「凹凸構造」は，「算術平均粗さが５～１０００ｎｍ，かつ，最大高さが５～１００００ｎｍである」とされているが，本件出願の発明の詳細な説明には，測定方法等に関する記載が一切ない。また，表面粗さの値が測定方法に応じて変化することは当業者における技術常識である。 そうしてみると，本件補正後発明の「凹凸構造」の算術平均粗さ及び最大高さの範囲を確定することができないから，この点においても，本件補正後発明は明確であるということできない。 以上のとおり，本件出願の特許請求の範囲の記載は，特許法３６条６項２号に適合するものとはいえないから，本件補正後発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 さらに進んで，本件補正後の請求項１の「最大高さが５～１００００ｎｍ」及び「凹凸構造不凹面」（outotukouzouhuoumen）が，それぞれ，「最大高さが１０～１００００ｎｍ」及び「凹凸構造表面」（outotukouzouhyoumen）の誤記であり，また，表面粗さはＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４の面粗さ計測にしたがい計測されたものであると仮定した上で（このように本件補正後発明を認定し直した上で），本件補正後発明が特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるかについて，以下，検討する。 （当合議体注：本件出願の発明の詳細な説明の【００２８】及び【００２９】では，「算術平均粗さ」及び「最大高さ」を，それぞれ「Ｒａ」及び「Ｒｙ」という，ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４において使用されている記号で表しており，推測の域を出ないとしても，本件補正後発明の表面粗さは，ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４の面粗さ計測にしたがい計測された可能性が最も高いといえる。） (3) 引用例１の記載 本件出願前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１２／０４３８２８号（以下「引用例１」という。）には，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，引用発明の認定に活用した箇所を示す。また，記載に誤記等がある場合は，注記を入れている。ただし，文字の上付き及び下付き，不要なスペースについては，注記なく修正している。 ア　「技術分野 [0001]　本発明は，微細凹凸構造を表面に有するモールド，該モールドを用いた微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法，およびこの製造方法で得られた物品の用途に関する。また，本発明は，虹彩色を発現する積層体および面発光体にも関する。 …（省略）… 背景技術 [0002]　面発光体としては，有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子を利用したものが知られている。 …（省略）… [0004]しかし，この面発光体においては，透明電極，透明基板，外部空気等に入射する光の入射角が，入射元の材料の屈折率と入射先の材料の屈折率によって決まる臨界角以上である光は，発光層と透明電極との界面，透明電極と透明基板との界面，透明基板と外部空気との界面（放射面）等にて全反射し，面発光体の内部に閉じ込められてしまう。そのため，一部の光を外部に取り出すことができず，光の取り出し効率が低いという問題がある。 …（省略）… [0007]　また，この問題を解決する面発光体として，下記のものが提案されている。 （２）透明基材として，凹凸の周期が幅広い分布を有し，かつ凹凸が不規則な方向に延びる微細凹凸構造（すなわち，皺状の微細凹凸構造）が表面に形成されたものを用いた有機ＥＬ素子（非特許文献１）。 …（省略）… 発明の概要 発明が解決しようとする課題 [0014]　本発明は，モールド基材の表面にアンダーコート層および金属薄膜が順に形成され，金属薄膜側の表面に皺状の微細凹凸構造を有するモールドであって，アンダーコート層と金属薄膜との界面の接着性に優れるモールド；該モールドを用いた微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法；および該製造方法で得られた物品の用途を提供する。 [0015]　また，本発明は上記事情に鑑みてなされたもので，光の取り出し効率が高く，広い範囲を均一に照射できる面発光体の提供を目的とする。」 イ　「課題を解決するための手段 [0017]本発明は，以下の態様を有する。 （１）凹凸構造を有するモールドであって，凹凸構造の面粗さＲａと，線粗さＲａ’の最大値Ｒａ’（max）と最小値Ｒａ’（min）とが，下記式（１）を満足するモールド。 ０．１３≦（Ｒａ’（max）－Ｒａ’（min））／Ｒａ≦０．８２　　（１） …（省略）… [0033]＜微細凹凸構造を表面に有するモールド＞ 図１は，本発明の微細凹凸構造を表面に有するモールド（以下，単にモールドとも記す。）の一例を示す断面図である。 モールド１１０は，モールド基材１１２と，モールド基材１１２の表面に形成されたアンダーコート層１１４と，アンダーコート層１１４の表面に形成された金属薄膜１１６とを有する積層体である。」 （当合議体注：図１は以下の図である。） ウ　「[0034]　モールド１１０は，モールド基材１１２の表面に形成された後述するアンダーコート層形成用組成物の硬化物からなるアンダーコート層１１４の表面に，アルミニウムまたはその合金を蒸着し，金属薄膜１１６を形成したものである。 …（省略）… [0038]（微細凹凸構造） アンダーコート層１１４の表面および金属薄膜１１６に形成される皺状の微細凹凸構造は，凹凸の周期が幅広い分布を有し，かつ凹凸が不規則な方向に延びるものである。 …（省略）… [0072]＜微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法＞ 本発明の微細凹凸構造を表面に有する物品（以下，単に物品とも記す。）の製造方法は，本発明のモールドを用い，該モールドの微細凹凸構造が反転した微細凹凸構造を表面に有する物品を得る方法である。該方法としては，例えば，モールドと物品本体との間に活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を挟持し，これに活性エネルギー線を照射して硬化させて，モールドの微細凹凸構造が転写された微細凹凸構造を表面に有する硬化樹脂層を物品本体の表面に形成し，硬化樹脂層が表面に形成された物品本体をモールドから剥離する方法（いわゆる光インプリント法）が挙げられる。 [0073]　光インプリント法による物品の製造方法としては，具体的には，下記の工程（ａ）～（ｄ）を有する方法が挙げられる。 （ａ）図３に示すように，必要に応じて表面が離型剤で処理されたモールド１０の微細凹凸構造側の表面に活性エネルギー線硬化性樹脂組成物２２を塗布する工程。 （ｂ）図３に示すように，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物２２の上に物品本体１２４を重ね，モールド１１０と物品本体１２４との間に活性エネルギー線硬化性樹脂組成物１２２を挟持する工程。 （ｃ）図３に示すように，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物１２２に活性エネルギー線を照射し，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物１２２を硬化させて微細凹凸構造を有する硬化樹脂層１２６を形成する工程。 （ｄ）図３に示すように，物品本体１２４の表面の硬化樹脂層１２６からモールド１１０を離型し，微細凹凸構造を表面に有する物品１２０を得る工程。 …（省略）… [0097]＜面発光体＞ 図４は，本発明の面発光体の一例を示す断面図である。 面発光体１３０は，皺状の微細凹凸構造を表面に有する物品１２０からなる透明基材１３２と，透明基材１３２の微細凹凸構造側の表面に設けられた透明電極１３４と，透明電極１３４と離間して設けられた金属薄膜からなる背面電極１３６と，透明電極１３４と背面電極１３６との間に設けられた発光層１３８とを有するものである。」 （当合議体注：図３は以下の図である。） （当合議体注：図４は以下の図である。） エ　「[0098]　本発明に係る面発光体としては，前記記載の面発光体用光取り出し基板と，該面発光体用光取り出し基板の表面に設けられた透明電極と，該透明電極と離間して設けられた金属薄膜からなる背面電極と，前記透明電極と前記背面電極との間に設けられた発光層とを有する面発光体が好ましい。 …（省略）… [0100]（透明基材） 透明基材１３２は，本発明の物品の製造方法で得られた物品１２０であり，物品本体１２４と，物品本体１２４の表面に形成された皺状の微細凹凸構造を表面に有する硬化樹脂層１２６とを有する積層体である。 [0101]　微細凹凸構造における凸（または凹）の平均周期は，光の取り出し効率を十分に高くすることができる点から，１０～１００００ｎｍが好ましく，２００～５０００ｎｍがより好ましい。 微細凹凸構造における凸（または凹）の算術平均高さ（粗さ）は，透明基材１３２を備えた面発光体１３０の光の取り出し効率を十分に高くすることができる点から，１０～１０００ｎｍが好ましく，５０～７００ｎｍがより好ましい。 …（省略）… [0103]（第１電極） 第１電極１３４は，硬化樹脂層１２６の皺状の微細凹凸構造の表面に形成されるため，硬化樹脂層１２６の皺状の微細凹凸構造とほぼ同じ皺状の微細凹凸構造を有する。 …（省略）… [0106]（第２電極） 第２電極１３６は，発光層１３８の皺状の微細凹凸構造の表面に形成されるため，発光層１３８の皺状の微細凹凸構造とほぼ同じ皺状の微細凹凸構造を有する。 …（省略）… [0110]（発光層） 発光層１３８は，第１電極１３４の皺状の微細凹凸構造の表面に形成されるため，第１電極１３４の皺状の微細凹凸構造とほぼ同じ皺状の微細凹凸構造を有する。 …（省略）… [0120]（作用効果） 以上説明した面発光体１３０にあっては，透明基材１３２が，凹凸の周期が幅広い分布を有し，かつ凹凸が不規則な方向に延びる微細凹凸構造（すなわち，皺状の微細凹凸構造）を表面に有する物品１２０であるため，皺状の微細凹凸構造によって有効に回折または散乱される光の角度，波長に偏りが少ない。そのため，従来の面発光体に比べ，光の取り出し効率が高く，広い範囲を均一に照射できる。 [0121]（他の実施形態） 本発明の面発光体は，図示例の面発光体１３０に限定されない。 …（省略）… [0217]　積層体を有機ＥＬ素子の基材として使用する場合，積層体の凹凸構造を有する表面側に導電性下地層と発光層と透明電極とを順次形成させて有機ＥＬ素子を得る。 本発明の積層体を有する有機ＥＬ素子は，内部に積層体の凹凸構造に起因した回折・散乱構造が形成されているため，光取り出し効率が高まる。 …（省略）… [0226]　（デバイスＧ） 図２１は，本実施形態に係るデバイス（有機ＥＬ素子）４１０の別の構成を示す。このデバイスＧは，基板４１４上に，第１電極４１１，高屈折率膜４１８，有機半導体層４１３及び第２電極４１２がこの順に積層されている（当合議体注：「第１電極４１１，高屈折率膜４１８」の記載は，「高屈折率膜４１８，第１電極４１１」の誤記である。）。デバイスＧの基板４１４，第１電極４１１，有機半導体層４１３及び第２電極４１２は，前記デバイスＣと同様のものが用いられる。デバイスＧは，有機半導体層４１３で生じた光を基板４１４側から放出するボトムエミッション型である。」 （当合議体注：図２１は，以下の図である。） オ　「実施例 [0236]（ＡＦＭ測定） ５ｃｍ□で作製した対象測定範囲を均等に９分割し，その分割範囲に対しそれぞれ任意に３点ずつ，計２７点の測定ポイントについて５０μｍ□及び２００μｍ□の範囲を原子間力顕微鏡（キーエンス社製，ＶＮ－８０１０，カンチレバーＤＦＭ／ＳＳ－Ｍｏｄｅ）にて測定した。 [0237]（面粗さ計測） ５０μｍ□範囲で測定した２７点において，５０μｍ□の範囲の全範囲を解析範囲として，算術平均粗さ，十点平均高さを，ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４の面粗さ計測にしたがい計測し，２７点の平均値の算術平均面粗さＲａ，十点平均高さＲｚを計算する。 …（省略）… [0239]実施例１～１２，及び比較例３，４の平均粒子径／濃度，算術平均粗さＲａ，十点平均高さＲｚ，凹凸平均間隔の平均値Ｓｍ，線粗さＲａ’の最大値Ｒａ’（max）と最小値Ｒａ’（min）及び上記式（１）の値を表Ａ１に示す。 [0240]（表Ａ１） [0241]また，実施例１～１２で用いたベース樹脂，平均粒子径／濃度，アンダーコート液，モールド及び基板の構成を表Ａ２に示す。 [0242]（表Ａ２） …（省略）… [0244]（アンダーコート液作製） …（省略）… （アンダーコート液（a－２）調整） ＜ウレタン（メタ）アクリレート（Ａ）の調製＞ （１）蒸留塔を備え付けた３Ｌの４つ口フラスコにアジピン酸１，６０６ｇとエチレングリコール５８９ｇとプロピレングリコール１５２ｇを仕込み，２００℃で加熱しながら生成する水を留去した。水の流出が無くなり，酸価が１．０以下になった時点を終点とし，ポリエステルジオールを得た。 （２）別途，３Ｌの４つ口フラスコに，トリレンジイソシアネート１７４ｇ，及びジブチル錫ジラウレート０．３ｇを仕込んでウォーターバスで内温が５０℃になるように加熱した。 （３）上記（１）にて合成したポリエステルジオール１，９５０ｇを側管付きの保温滴下ロート（６０℃保温）に仕込んだ。上記（２）で調整したフラスコ内容物を攪拌しつつ，フラスコ内温を５０℃に保ちながら，この滴下ロート内のポリエステルジオールを４時間かけて等速滴下した後，同温度で２時間攪拌して反応させた。 （４）ついで，フラスコ内容物の温度を６０℃に上げ，同温度で１時間攪拌した。２－ヒドロキシエチルアクリレート１１６ｇ，２，６－ジ－ターシャリブチル－４－メチルフェノール０．３ｇ，及びハイドロキノンモノメチルエーテル０．３ｇを均一に混合溶解させた液を別の滴下ロートに仕込んだ。フラスコ内温を７５℃に保ちながら，この滴下ロート内の液を２時間かけて等速滴下した後，同温度で４時間反応させて，ＧＰＣ測定によるポリスチレン換算の数平均分子量が４，６００となるウレタンアクリレート（ＵＡ）を調製した。 表１に示す配合組成（当合議体注：「表１」に対応する配合組成表が見当たらない。）に従って各成分をステンレス容器に計量し，約３０分間，全取り出し体が均一になるまで攪拌してアンダーコート層形成用組成物（a－２）を調製した。 …（省略）… [0245] (活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－１）) １，６－ヘキサンジオールアクリレート(以下Ｃ６ＤＡと記す。)の４５質量部，トリメチロールエタン／アクリル酸／コハク酸（２／４／１）の縮合物(以下ＴＡＳと記す。)の４５質量部，シリコーン（ジ）（メタ）アクリレート（Ｘ－２２－１６０２，信越化学社製）１０質量部を混合し，ベンソイル（当合議体注：「ベンソイル」は「ベンゾイル」の誤記である。）エチルエーテル(以下ＢＥＥと記す。)を３質量部が溶解するまで攪拌し，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－１）を得た。 [0246] (活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）) Ｃ６ＤＡを５０質量部，ＴＡＳを５０質量部，ＢＥＥを３質量部が溶解するまで攪拌し，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）を得た。 …（省略）… [0252]（実施例１） …（省略）… （デバイスＣ評価） 基板（Ｘ－１）を２５ｍｍ□にカットした後，イソプロピルアルコールで煮沸洗浄した後，基板（Ｘ－１）を真空乾燥装置中１００℃で一昼夜乾燥させた。 その後，スパッタリング装置のチャンバ内にセットし，ラインパターンの孔を有するマスク越しにＩＴＯを蒸着し，厚さ：２００ｎｍのＩＴＯ透明電極を形成した。 ＵＶオゾン処理した後，透明電極が形成された面発光体用透明基材を真空蒸着装置のチャンバ内にセットし，有機蒸着チャンバ内の圧力：１０－４Ｐａ，蒸着速度（デポレート）：０．５～２．０Å／ｓｅｃの条件下で，透明電極の上に，正孔注入層のＣｕＰｃ（２０ｎｍ），正孔輸送層のＴＰＤ（４０ｎｍ），発光層のＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（２０ｎｍ），正孔阻止層のＢＣＰ（１０ｎｍ），電子輸送層のＡｌｑ３（３０ｎｍ）を順次蒸着し，透明電極の上に選択的に発光層および他の機能層を形成した。 さらに，蒸着速度（デポレート）：０．０５９Å／ｓｅｃの条件下で金属蒸着チャンバ内の圧力：１０－４Ｐａ，蒸着速度（デポレート）：０．２５Å／ｓｅｃの条件下で電子注入層のフッ化リチウム（０．５ｎｍ），蒸着速度（デポレート）：０．５～４．０Å／ｓｅｃの条件下で背面電極のアルミニウム（１００ｎｍ）を順次蒸着し，２ｍｍ□の発光部を形成した。 ２０ｍｍ□の掘り込みガラスを用い，２ｍｍ□の発光部が掘り込みガラス内に入るように，エポキシ系封止剤（ナガセケムテック社製）で封止を行い，外周をＵＶ照射して硬化させ，有機ＥＬ素子（Ｅ－１）を得た。 …（省略）… [0253]（実施例２） （モールド（ｘ－２）作製） ＰＥＴ樹脂で成型された縦１０ｃｍ，横１０ｃｍ，厚さ１８８μｍの長方形のテストフィルムをアクリル板の代わりに使用し，またアンダーコート層形成用組成物（ａ－１）の代わりに，（ａ－２）を用いる以外は，実施例１と同様の方法で，モールド（ｘ－２），（ｘ´－２）を得た。 …（省略）… （基板（Ｘ－２）作製） ガラス板（コーニング社製，イーグルＸＧ，５ｃｍ□）の表面に，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）を滴下し，その上にモールド（ｘ－２）を被せ，ハンドロールで活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）を押し広げた。モールド（ｘ－２）越しに積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）を硬化させた。ガラス板および凹凸樹脂層からモールド（ｘ－２）を剥離し，基板（Ｘ－２）を得た。基板（Ｘ－２）の表面粗さを測定した。ＡＦＭ測定結果を表Ａ３（当合議体注：「表Ａ３」は「表Ａ１」の誤記である。）に示す。 （基板（Ｘ´－２）作製） 基板（Ｘ－２）の表面上に，高屈ジルコニウム液（ＣＩＫナノテック社製，ＺＲＴ１５ＷＴ％－Ｅ２８）をスピンコーターを用いて塗布し，室温で１５分間静置後，２００℃で１時間ホットプレート上でベーキングを行う操作を２回行い，表面Ｒａが１０ｎｍ以下になるように，１．５μｍ程度の高屈折率膜を形成し，基板（Ｘ´－２）を得た。 （デバイスＧ評価） 基板（Ｘ－１）の代わりに（Ｘ´－２）を使用する以外は実施例１のデバイスＣと同様にして，有機ＥＬ素子（Ｅ－４）を得た。 …（省略）… [0271]［実施例Ｃ１］ 表Ｃ１に示す配合組成に従って各成分をステンレス容器に計量し，約３０分間，全体が均一になるまで攪拌してアンダーコート層形成用組成物を調製した。 …（省略）… [0273]　　（表Ｃ１） [0274]　なお，表Ｃ１中の略号は以下の通りである。 ＵＡ：ウレタンアクリレート ＴＨＦＡ：アクリル酸テトラヒドロフルフリル（大阪有機化学工業株式会社製） ＴＤＩＨＰＡ：トリレンジイソシアネートとアクリル酸２－ヒドロキシプロピルからなるウレタンジアクリレート ＢＮＰ：ベンゾフェノン ＨＣＰＫ：１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン トスパール１３０：シリコーン樹脂微粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製，「トスパール１３０」，平均粒子径３．０μｍ，真比重（２５℃）１．３２，かさ比重０．３６，比表面積２０ｍ２／ｇ） ＰＧＭ：プロピレングリコールモノメチルエーテル …（省略）… 産業上の利用可能性 [0276]　本発明の有機ＥＬ素子は光取り出し効率が高いため，有機ＥＬ素子からなる面発光体等に好適に利用することができる。」 (4) 引用発明 引用例１の[0253]には，実施例２として，「モールド（ｘ－２）」から「基板（Ｘ－２）」を作製し，さらに「基板（Ｘ´－２）」を作製して「有機ＥＬ素子（Ｅ－４）」を得たことが記載されている。 ここで，引用例１の[0253]の記載からみて，実施例２の「基板（Ｘ´－２）」は，「有機ＥＬ素子の基板（Ｘ´－２）」といえる。また，[0245]及び[0246]の記載からみて，「活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）は，１，６－ヘキサンジオールアクリレートを５０質量部，トリメチロールエタン／アクリル酸／コハク酸（２／４／１）の縮合物を５０質量部，ベンゾイルエチルエーテルを３質量部からなる組成物」である。また，[0237]及び[0240]の記載からみて，「ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４の面粗さ計測にしたがい計測した基板（Ｘ－２）の表面の算術平均面粗さＲａ及び十点平均高さＲｚは，それぞれ１２８．３ｎｍ及び７６４．５ｎｍである」。 なお，引用例１の[0244]の記載からは，モールド（ｘ－２）を製造するために必要なアンダーコート層形成用組成物（ａ－２）の正確な組成は判らない（[0244]に記載の「表１」に対応する配合組成表が見当たらない。）。ただし，当業者ならば，[0270]－[0273]の記載（表Ｃ１の配合組成表）を参考にしつつ技術常識に基づいて，同等のモールド（ｘ－２）を製造することができるといえる。 そうしてみると，引用例１には，次の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。 「　ガラス板（コーニング社製，イーグルＸＧ，５ｃｍ□）の表面に，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）を滴下し，その上にモールド（ｘ－２）を被せ，ハンドロールで活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）を押し広げ， モールド（ｘ－２）越しに積算光量：１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し，活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）を硬化させ， ガラス板および凹凸樹脂層からモールド（ｘ－２）を剥離し，基板（Ｘ－２）を得， 基板（Ｘ－２）の表面上に，高屈ジルコニウム液（ＣＩＫナノテック社製，ＺＲＴ１５ＷＴ％－Ｅ２８）をスピンコーターを用いて塗布し，室温で１５分間静置後，２００℃で１時間ホットプレート上でベーキングを行う操作を２回行い，表面Ｒａが１０ｎｍ以下になるように，１．５μｍ程度の高屈折率膜を形成して得た有機ＥＬ素子の基板（Ｘ´－２）であって， 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（Ａ－２）は，１，６－ヘキサンジオールアクリレートを５０質量部，トリメチロールエタン／アクリル酸／コハク酸（２／４／１）の縮合物を５０質量部，ベンゾイルエチルエーテルを３質量部からなる組成物であり， ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４の面粗さ計測にしたがい計測した基板（Ｘ－２）の表面の算術平均面粗さＲａ及び十点平均高さＲｚは，それぞれ１２８．３ｎｍ及び７６４．５ｎｍである， 有機ＥＬ素子の基板（Ｘ´－２）。」 (5) 引用例２の記載 本件出願前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１２／０８６７４８号（以下「引用例２」という。）には，以下の事項が記載されている。 ア　「[0267] …（省略）… 「Ｍ４００」：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（東亞合成（株）製，商品名；アロニックスＭ４００） …（省略）… 「ＤＡＲＯＣＵＲ」：２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－フォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン（株）製，商品名；ＤＡＲＯＣＵＲ　ＴＰＯ） …（省略）… 「ＫＢＭ５０３」：３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製，商品名；信越シリコーン　ＫＢＭ５０３） …（省略）… 「ＩＰＡ」：イソプロパノール（和光純薬工業（株）製，試薬１級） 「トルエン」：トルエン（和光純薬工業（株）製，試薬１級） 「ＺＲＴ－Ｅ２８」：ジルコニアのトルエン分散体（固形分濃度１５％），ＫＢＭ５０３とジルコニア微粒子の合計量中のジルコニア微粒子の割合７７質量％，（ＣＩＫナノテック（株）製，商品名；ＺＲＴ１５ＷＴ％－Ｅ２８） …（省略）… 「ＫＢＭ６０２」：Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン（信越化学工業（株）製，商品名；信越シリコーン　ＫＢＭ６０２） 「ＫＢＭ６０３」：Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製，商品名；信越シリコーン　ＫＢＭ６０３）」 イ　「[0292][表２] 」 ウ　「[0299]　更に，コロナ処理を行った低屈折率膜の表面にＨＲＭ組成物（１）を，１０号バーコーターを用いて塗付し，１００℃で１．５分間および１５０℃で１分間乾燥させてＨＲＭ組成物の塗膜を形成し，空気下で９．６ｋＷの高圧水銀ランプ（出力設定１００％）の下２０ｃｍの位置のところを，４．５ｍ／分の速度で通過させてＨＲＭ組成物の塗膜を硬化させて高屈折率膜が積層された剥離用フィルムを得た。なお，高圧水銀ランプは２灯点灯させた。このときの積算光量は８００ｍＪ／ｃｍ２で，ピーク照度は２６０ｍＷ／ｃｍ２であった。」 (6) 対比 本件補正後発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。 ア　凹凸構造を有する基材 引用発明において，「ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４の面粗さ計測にしたがい計測した基板（Ｘ－２）の表面の算術平均面粗さＲａ及び十点平均高さＲｚは，それぞれ１２８．３ｎｍ及び７６４．５ｎｍである」。 そうしてみると，引用発明の「基板（Ｘ－２）」は，その表面に凹凸構造を有するものである。また，「基材」は，通常，「製品や加工品の基となる材料。」（広辞苑６版）を意味するが，本件補正後発明において，「基材」が「基板」の意味で用いられていることは明らかである。 したがって，引用発明の「基板（Ｘ－２）」は，本件補正後発明の「凹凸構造を有する基材」に相当する。 ところで，本件補正後発明の「算術平均粗さ」及び「最大高さ」は，前記「第２」［理由］２(2)で述べたとおり明確であるとはいえないけれども，一応，ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４の面粗さ計測にしたがい計測したＲａ及びＲｙと推認することができる。 そうしてみると，引用発明の「基板（Ｘ－２）」は，本件補正後発明の「凹凸構造を有する基材」における，「算術平均粗さが５～１０００ｎｍ，かつ，最大高さが１０～１００００ｎｍである」という要件を満たす。 （当合議体注：Ｒｙ及びＲｚの定義上，ＲｙはＲｚの１－５倍の範囲となる。したがって，引用発明のＲｙは，７６４．５～３８２２．５ｎｍの範囲にあることが判るから，本件補正後発明の最大高さの要件を満たす。） イ　凹凸構造を包埋する層 引用発明の「高屈折率膜」は，「基板（Ｘ－２）の表面上に」「表面Ｒａが１０ｎｍ以下になるように」形成した，「１．５μｍ程度」のものである。 そうしてみると，引用発明の「高屈折率膜」は，基板（Ｘ－２）の表面側に，一方の面が基板（Ｘ－２）の表面の凹凸構造を包埋し，他方の面が凹凸構造表面よりも平滑である凹凸構造を包埋する層ということができる。 したがって，引用発明の「高屈折率膜」は，本件補正後発明の「凹凸構造を包埋する層」に相当する。また，引用発明の「高屈折率膜」は，本件補正後発明の「凹凸構造を包埋する層」の，「凹凸構造を有する基材の凹凸構造側に，一方の面が凹凸構造を包埋し，他方の面が凹凸構造表面よりも平滑である」という要件を満たすものである。 ウ　硬化した層 引用発明の「高屈折率膜」は，「基板（Ｘ－２）の表面上に，高屈ジルコニウム液（ＣＩＫナノテック社製，ＺＲＴ１５ＷＴ％－Ｅ２８）をスピンコーターを用いて塗布し，室温で１５分間静置後，２００℃で１時間ホットプレート上でベーキングを行う操作を２回行い」形成されたものである。ここで，引用発明の「高屈ジルコニウム液（ＣＩＫナノテック社製，ＺＲＴ１５ＷＴ％－Ｅ２８）」は，引用例２の[0267]の記載（前記(5)ア）からみて，シランカップリング剤「ＫＢＭ５０３」（３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）で表面処理されたジルコニア微粒子と理解される。 したがって，引用発明の「高屈折率膜」と本件補正後発明の「凹凸構造を包埋する層」は，「一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を」「硬化した層」の点で共通する。 （当合議体注：ＫＢＭ５０３は，一般式（１）において，Ｒ１を「３－メタクリロキシプロピル基」，Ｘを「メトキシ基」，ｍ＝１としたオルガノシラン化合物である。） エ　有機ＥＬ素子用基板 引用発明の「基板（Ｘ´－２）」は，「基板（Ｘ－２）の表面上に」，「高屈折率膜を形成して得た有機ＥＬ素子の基板」であるから，有機ＥＬ素子用基板ということができる。また，上記ア及びイで述べたとおりである。 したがって，引用発明の「基板（Ｘ´－２）」は，本件補正後発明の「有機ＥＬ素子用基板」に相当する。また，引用発明の「基板（Ｘ´－２）」は，本件補正後発明の「有機ＥＬ素子用基板」の「算術平均粗さが５～１０００ｎｍ，かつ，最大高さが１０～１００００ｎｍである凹凸構造を有する基材の凹凸構造側に，一方の面が凹凸構造を包埋し，他方の面が凹凸構造不凹面よりも平滑である凹凸構造を包埋する層が積層された」という要件を満たすものである。 (7) 一致点及び相違点 ア　一致点 本件補正後発明と引用発明は，次の構成で一致する。 「　算術平均粗さが５～１０００ｎｍ，かつ，最大高さが１０～１００００ｎｍである凹凸構造を有する基材の凹凸構造側に，一方の面が凹凸構造を包埋し，他方の面が凹凸構造表面よりも平滑である凹凸構造を包埋する層が積層された有機ＥＬ素子用基板であって，凹凸構造を包埋する層が，下記一般式（１）で表されるオルガノシラン化合物で表面処理された無機酸化物微粒子を硬化した層である有機ＥＬ素子用基板。 （Ｒ１）ｍ－Ｓｉ－（Ｘ）４－ｍ　　　（１） （ただし，一般式（１）中，Ｒ１ は，水素原子，アルキル基もしくはアリール基，または不飽和結合を有する置換基で置換されたアルキル基もしくはアリール基を表し，Ｘは，水酸基または加水分解可能な基を表し，ｍは，１～３の整数を表す。）」 イ　相違点 本件補正後発明と引用発明は，次の点で相違する。 （相違点） 「凹凸構造を包埋する層」が，本件補正後発明は，「活性エネルギー線を照射して」硬化した層であるのに対して，引用発明は，「２００℃で１時間ホットプレート上でベーキングを行う」ことにより硬化した（熱硬化した）層である点。 (8) 判断 シランカップリング剤「ＫＢＭ５０３」のようなオルガノシラン化合物は，活性エネルギー線（紫外線）を照射して硬化させることも可能なように設計された化合物である。したがって，硬化方法として，活性エネルギー線硬化とするか，熱硬化とするかは，当業者が適宜選択しうる事項に過ぎず，引用例２においても，「ＣＩＫナノテック社製，ＺＲＴ１５ＷＴ％－Ｅ２８」を用いた膜を活性ネルギー線を照射して硬化する実施例が記載されている（[0292]及び[0299]（上記(5)イ参照。）。 そうしてみると，引用発明における「スピンコーターを用いて塗布し，室温で１５分間静置後，２００℃で１時間ホットプレート上でベーキングを行う操作を２回行い」という製造工程を，活性エネルギー線を照射して硬化する製造工程に変更することは，例えば，製造時間の短縮を検討する当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項にすぎない。 (9) 審判請求人の主張について 審判請求人は，審判請求書（（２）拒絶査定の理由に対する反論）において，本願発明の課題は，高精細な微小凹凸構造に対し高屈折材料層を温和な条件で形成することに加えて，平坦化された有機ＥＬ素子用基板を得ることにあるのに対して，引用例１では光取出し側が平坦化されておらず，かかる課題は解決に到らない旨，主張している。 確かに，引用例１には，図４のように，光取出し側が平坦化されていない有機ＥＬ素子用基板が開示されている。しかしながら，引用例１には，引用発明のように（図でいえば，図２１のように）光取り出し側が平坦化されている有機ＥＬ素子用基板も開示されている。したがって，引用例１に図４のような態様が開示されているとしても，引用発明に接した当業者ならば，少なくとも，基板（Ｘ－２）の表面よりも平滑な表面の高屈折率膜を形成するといえる。 なお，本件出願の発明の詳細な説明の【００１０】には，発明の効果として，概略，以下の事項が記載されている。 ア　本発明の有機ＥＬ素子用基板によれば，高精細な微小凹凸構造を有する有機ＥＬ素子用基板を得ることができ，また，高精細な微小凹凸構造が５００ｎｍ以上の厚みの膜で平坦化された有機ＥＬ素子用基板を得ることができる。 イ　本発明の有機ＥＬ素子用基板によれば，２００℃以下の温和なプロセスで有機ＥＬ素子用基板を製造することができる。 ウ　本発明の有機ＥＬ素子用基板を用いれば，有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。 エ　本発明の有機ＥＬ素子は，発光効率が高い。 オ　本発明の有機ＥＬ素子は，表示装置の画素としての用途だけではなく，照明器具の発光素子としても用いることができる。 しかしながら，上記ア及びウ－オの効果は，引用発明も奏する効果である。また，上記イの効果も，引用発明が奏する効果である（当合議体注：引用発明のベーキング温度は２００℃である。）。仮に，「２００℃以下の温和なプロセス」を「活性エネルギー線を照射して硬化するプロセス」と解しても，そのような効果は，前記(8)で述べたように創意工夫してなる引用発明の効果にすぎない。 したがって，審判請求人の主張は，採用できない。 (10) 小括 本件補正後発明は，本件出願の出願前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３　まとめ 本件補正は，特許法１７条の２第３項の規定に違反してされたものであり，又は同法同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって，前記［補正の却下の決定の結論］に記載したとおり決定する。 第３　本願発明について １　本願発明 本件補正は却下されたので，本件出願の請求項１－請求項６に係る発明は，願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１－請求項６に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明は，前記「第２」［理由］１(2)に記載したとおりのものである（以下「本願発明」という。）。 ２　原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は，概略，本願発明は，本件出願の出願前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。 ３　引用例１の記載等 引用例１の記載及び引用発明，並びに，引用例２の記載は，前記「第２」［理由］２(3)－(5)に記載したとおりである。 ４　対比及び判断 本願発明は，前記「第２」［理由］２において検討した本件補正後発明から，[1]凹凸構造が「算術平均粗さが５～１０００ｎｍ，かつ，最大高さが１０～１００００ｎｍである」という発明特定事項，[2]凹凸構造を包埋する層が「一方の面が凹凸構造を包埋し，他方の面が凹凸構造不凹面よりも平滑である」という発明特定事項，[3]凹凸構造を有する基材に対して凹凸構造を包埋する層が積層される側が「凹凸構造側」であるという発明特定事項を除いたものである。 そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正後発明が，前記「第２」［理由］２(6)－(9)に記載したとおり，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。 第４　むすび 以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本件出願は拒絶されるべきものである。 よって，結論のとおり審決する。