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特許拒絶査定不服審判

2017-001016

半導体装置の製造方法、積層型半導体装置の製造方法、及び封止後積層型半導体装置の製造方法

審判番号
2017-001016
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2013-181919外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2017年01月24日
審決日
2018年06月25日
公報発行日
2018年08月31日
結論
原査定取消(特許/登録すべき)
当事者
審判長/審判官
分類
P18 .121-WYF(H01L) / P18 .537-WYF(H01L)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2013-181919「半導体装置の製造方法、積層型半導体装置の製造方法、及び封止後積層型半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成27年 3月16日出願公開、特開2015- 50365、請求項の数(6)〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理由

【理 由】 本願は、平成25年 9月 3日の出願であって、その請求項1ないし6に係る発明は、特許請求の範囲の請求項1ないし6に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

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2017-001016

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