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特許拒絶査定不服審判

2016-013953

GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子

審判番号
2016-013953
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2012-095592外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2016年09月16日
審決日
2018年03月02日
公報発行日
2018年04月27日
結論
原査定取消(特許/登録すべき)
当事者
審判長/審判官
分類
P18 .536-WYF(C30B) / P18 .537-WYF(C30B)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2012- 95592「GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成24年11月15日出願公開、特開2012-224539、請求項の数(17)〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理由

【理 由】 本願は、平成24年 4月19日(パリ条約による優先権主張 2011年 4月19日 (KR)大韓民国)の出願であって、その請求項1~17に係る発明は、平成28年9月16日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1~17に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定及び当審の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。

審決本文(J-PlatPat)

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2016-013953

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