2016-012570

特願２０１３－　１２１６４「モジュール基板及びモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月　７日出願公開、特開２０１４－１４３６４３、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２５年１月２５日の出願であって、平成２８年２月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年３月８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年３月２３日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年４月２８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年５月１７日付けで同年４月２８日の手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、同年８月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後当審において平成２９年８月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１３日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。 第２　平成２８年５月１７日付けの補正の却下の決定及び原査定の概要 １．平成２８年５月１７日付けの補正の却下の決定の概要は以下のとおりである。 平成２８年４月２８日付けの補正は、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるが、当該補正後の本願請求項１－４、６、７、９に係る発明は、引用文献１、２に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであり、独立特許要件を満たさないから、平成２８年４月２８日付けの補正は却下すべきものである。 引用文献等一覧 １．特開２０１３－０１２６９９号公報 ２．特開２００８－１３０６１２号公報 ２．原査定（平成２８年５月１７日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 （進歩性）本願請求項１－４、６、７、９に係る発明は、上記引用文献１、２に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 第３　本願発明 本願の請求項１－９に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」－「本願発明９」という。）は、平成２８年８月１９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１－９に記載された事項により特定される発明であると認められるところ、本願発明１は以下のとおりである。 なお、本願発明１－９は、平成２８年５月１７日付けで却下された同年４月２８日付け手続補正書の手続補正１における特許請求の範囲の請求項１－９に係る発明と同一である。 「【請求項１】 複数の配線層を含む多層配線基板と、 前記多層配線基板に内蔵され、前記配線層と電気的に接続された複数の内蔵デュプレクサと、を備え、 前記複数の内蔵デュプレクサは、バンド１、バンド２、バンド５、バンド８のうち少なくとも２つのバンドに対応するデュプレクサを含み、バンド３、バンド４、バンド７、バンド１３、バンド１７およびバンド２０に対応するデュプレクサをいずれも含まず、 前記複数の配線層のうち、前記多層配線基板の表面に形成された配線層は、バンド３、バンド４、バンド７、バンド１３、バンド１７およびバンド２０のうち少なくとも１つの外付デュプレクサを実装可能な端子部を有し、 バンド１は、１９２０～１９８０ＭＨｚの送信帯域および２１１０～２１７０ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド２は、１８５０～１９１０ＭＨｚの送信帯域および１９３０～１９９０ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド５は、８２４ＭＨｚ～８４９ＭＨｚの送信帯域および８６９～８９４ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド８は、８８０ＭＨｚ～９１５ＭＨｚの送信帯域および９２５～９６０ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド３は、１７１０～１７８５ＭＨｚの送信帯域および１８０５～１８８０ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド４は、１７１０～１７５５ＭＨｚの送信帯域および２１１０～２１５５ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド７は、２５００～２５７０ＭＨｚの送信帯域および２６２０～２６９０ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド１３は、７７７～７８７ＭＨｚの送信帯域および７４６～７５６ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド１７は、７０４～７１６ＭＨｚの送信帯域および７３４～７４６ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド２０は、８３２～８６２ＭＨｚの送信帯域および７９１～８２１ＭＨｚの受信帯域を有し、 バンド１、バンド２、バンド５およびバンド８は、複数の地域で使用されるバンドであり、 バンド３、バンド４、バンド７、バンド１３、バンド１７およびバンド２０は、特定の地域のみで使用されるバンドであることを特徴とするモジュール基板。」 本願発明２－４及び６－７は、概略、本願発明１を減縮した発明である。 また、本願発明５及び８は、原査定において拒絶理由の対象となっていない発明である。 本願発明９は、請求項１－８のいずれか１項に記載のモジュール基板を備えたモジュールの発明である。 第４　引用文献、引用発明等 １．原査定の拒絶の理由で引用された特開２０１３－０１２６９９号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審において付したものである。）。 （１）「【背景技術】 【０００２】 携帯電話等の通信機器のマルチバンド化が進展している。マルチバンド化に伴い、例えば１台の携帯電話端末には複数のフィルタ、分波器、又はアンプ等の高周波信号に対応した高周波デバイスが搭載されることがある。このような携帯電話端末の小型化のためには、高周波デバイスを集積化した、小型のモジュールが要求されている。 （中略） 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 しかしながら、特許文献１記載の発明では、ＧＮＤ層の開口部を通じて、信号層と外層との間で信号の干渉が生じることがある。特許文献２記載の発明では、多層基板の薄型化と、信号線路における所望の特性インピーダンスの確保との両立が難しい可能性がある。本発明は上記課題に鑑み、信号の干渉を抑制し、かつ薄型化及び所望の特性インピーダンスを得ることが可能な多層基板を提供することを目的とする。」 （２）「【００２０】 実施例の説明の前に、比較例について説明する。比較例１及び比較例２は、金属からなるコアを用いる例である。図１（ａ）は、比較例１に係る多層基板を例示する平面図である。 【００２１】 図１（ａ）に示すように、比較例１に係る多層基板１００Ｒは、コア１１０、導体層１１２～１１８、絶縁層１２０～１２６、及び電子部品１３０を備える。導体層１１２は多層基板１００Ｒの上面に位置する。絶縁層１２０は、導体層１１２の下に設けられている。導体層１１４は、絶縁層１２０の下に設けられている。絶縁層１２２は、導体層１１４の下層に設けられている。コア１１０は、絶縁層１２２の下側に設けられている。コア１１０には孔部１１１が設けられている。電子部品１３０は、孔部１１１に収納されている。なお、電子部品１３０の全体、又は一部が孔部１１１に収納されればよい。つまり、電子部品１３０の少なくとも一部が孔部１１１に収納されればよい。以下同様である。コア１１０の両側（図中の左右側）は例えば空洞、又は絶縁層であるが、奥にはコア１１０が位置する（図中の格子斜線の領域）。絶縁層１２４は、コア１１０の下に設けられている。導体層１１６は、絶縁層１２４の下に設けられている。絶縁層１２６は、導体層１１６の下に設けられている。導体層１１８は、絶縁層１２６の下に設けられ、多層基板１００Ｒの下面に位置する。このように、多層基板１００Ｒは、コア１１０を含む複数の導体層と、複数の絶縁層とが積層された多層基板である。 【００２２】 コア１１０、及び導体層１１２～１１８は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなる。絶縁層１２０～１２６は、例えばガラスエポキシ樹脂等の樹脂、又は樹脂以外の絶縁体からなる。電子部品１３０は、例えばフィルタ、キャパシタ又はインダクタ等の受動部品でもよいし、トランジスタ等の能動部品でもよい。コア１１０の厚さは、例えば電子部品１３０の厚さ以上である。 【００２３】 導体層１１４は、高周波信号を伝送する信号配線、及び接地配線等を含む。コア１１０及び導体層１１２は、接地配線として利用される。導体層１１６及び導体層１１８は、例えば高周波信号以外の信号を伝送する信号配線、又は接地配線等として利用される。なお、高周波信号とは例えばマイクロ波である。高周波信号は、例えばＷ－ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）方式に対応するＧＨｚ帯の周波数、又はＧＳＭ（登録商標、Global System for Mobile Communications）方式に対応する数百ＭＨｚの周波数を有するＲＦ（Radio Frequency）信号等を含むものである。高周波信号以外の信号とは、例えば数Ｈｚ～数十ＭＨｚ程度の周波数を有する信号、又は直流信号等である。」 （３）「【００４４】 実施例２は、モジュール基板の例である。図５は、実施例２に係る多層基板を例示するブロック図である。 【００４５】 図５に示すように、多層基板２００は、デュプレクサ４０ａ～４０ｆ、フィルタ回路５０、ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）６０、パワーアンプ６４ａ～６４ｃ、及びスイッチ７０～７４を備える。多層基板２００はＲＦモジュール２１０に用いられるモジュール基板である。デュプレクサ４０ａは、受信フィルタ４２、送信フィルタ４４、整合回路４６及び整合回路４８とを含む。受信フィルタ４２が備える平衡出力端子は、整合回路４６と接続されている。送信フィルタ４４が備える不平衡入力端子は、整合回路４８と接続されている。デュプレクサ４０ｂ～４０ｆの各々も、デュプレクサ４０ａと同様の構成を有する。フィルタ回路５０は、フィルタ５２と整合回路５４とを含む。フィルタ５２が備える平衡出力端子は、整合回路５４と接続されている。ＩＣ６０は、ＶＧＡ（Variable Gain Amplifier：可変利得アンプ）６２ａ～６２ｊを含む。ＩＣ６０は、信号の周波数の変換を行う、ダイレクトコンバータとして機能する。 （中略） 【００４９】 アンテナ２０２は、高周波信号等の信号を受信又は送信する。デュプレクサ４０ａ～４０ｆは、例えば異なるバンドに対応している。通信方式及びバンドに応じて、スイッチ７０は、デュプレクサ４０ａ～４０ｆ、フィルタ回路５０、スイッチ７２及びスイッチ７４のいずれかを選択して、アンテナ２０２と接続することができる。スイッチ７２は、デュプレクサ４０ｂ及びデュプレクサ４０ｃ、並びにスイッチ７０のいずれかを選択して、パワーアンプ６４ｂと接続することができる。スイッチ７４は、デュプレクサ４０ｄ～４０ｆ及びスイッチ７０のいずれかを選択して、パワーアンプ６４ｃと接続することができる。 （中略） 【００５２】 次に多層基板の層構造について説明する。図６は、実施例２に係る多層基板を例示する斜視図である。図７（ａ）は、実施例２に係る多層基板を例示する上面図である。図７（ｂ）は、実施例２に係る多層基板を例示する断面図である。なお、図６及び図７（ａ）においては、多層基板２００内部を図示するため、導体層１２に含まれる接地配線１２ｄの一部を取り除き、かつ絶縁層２０～２６を透視した図を示している。また、図７（ｂ）は、図６の矢印の方向から見た断面を図示している。 【００５３】 図６から図７（ｂ）に示すように、多層基板２００は、コア１０、導体層１２～１８、絶縁層２０～２６、電子部品３０、ビア配線３２及びビア配線３４、を備える。導体層１２は、信号配線１２ａ～１２ｃ及び接地配線１２ｄを含む。導体層１４は、信号配線１４ａ、接地配線１４ｂ及び接地配線１４ｃ、並びに信号配線１４ｄ～１４ｇを含む。信号配線１４ａは高周波信号を流すための配線である。信号配線１２ａ～１２ｃ、及び信号配線１４ｄ～１４ｇは、高周波信号以外の信号を流すための配線である。また、導体層１６及び導体層１８も、高周波信号以外の信号を流すための配線を含む。実施例１と同様に、コア１０の信号配線１４ａと対向する領域には凹部１０ａが設けられている。 【００５４】 電子部品３０にはビア配線３２が接続されている。ビア配線３２には信号配線１４ｄが接続されている。また、コア１０、接地配線１４ｂ及び接地配線１２ｄは、ビア配線３４を介して互いに接続されている。コア１０、接地配線１４ｃ及び接地配線１２ｄは、ビア配線３４を介して互いに接続されている。ビア配線３４は、例えば絶縁層２０及び／又は絶縁層２２を、積層方向に貫通している。 【００５５】 実施例２によれば、実施例１と同様に、信号の干渉を抑制し、かつ薄型化及び所望の特性インピーダンスの確保が可能な多層基板２００を実現することができる。図６～図７（ｂ）に示したような多層基板２００の構成は、例えば図５中におけるデュプレクサ４０ａ～４０ｆ及びフィルタ回路５０とＩＣ６０との間に適用されることが好ましい。言い換えれば、コア１０、信号配線１４ａ、接地配線１２ｄ、接地配線１４ｂ及び接地配線１４ｃ等により形成されるストリップラインが、デュプレクサ４０ａ～４０ｆ及びフィルタ回路５０とＩＣ６０との間を接続することが好ましい。なお、デュプレクサ４０ａ～４０ｆ及びフィルタ回路５０とＩＣ６０との間は、平衡信号または不平衡信号により接続される。不平衡信号による接続の場合、図６に示されるように信号配線１４ａは一本でよい。平衡信号の場合は、信号配線１４ａの隣に接地配線を介さず別の信号配線が設けられ、伝送線路は２本１組の差動ストリップライン構造となる。これにより、高周波信号の損失を効果的に低減することができる。またストリップラインは、例えばアンテナ２０２とスイッチ７０との間、スイッチ７０とデュプレクサ４０ａ～４０ｆ及びフィルタ回路５０との間、又はデュプレクサ４０ａ～４０ｆ及びフィルタ回路５０とパワーアンプ６４ａ～６４ｃとの間を接続してもよい。アンテナ２０２において送受信する高周波信号の周波数が変換されない領域、すなわちアンテナ２０２とＩＣ６０との間に、多層基板２００の構成を適用することで、高周波信号の損失を効果的に低減することができる。 【００５６】 多層基板が備えるフィルタ又はデュプレクサは、例えば１つでもよい。ただし、図５のように、複数のデュプレクサ又はフィルタを備えるＲＦモジュールでは、配線が長くなる。配線が長くなることにより、信号の損失、特に高周波信号の損失は増大する可能性がある。従って、多層基板２００が、複数のデュプレクサ又はフィルタを備えるＲＦモジュールのモジュール基板として用いられ、コア１０、信号配線１４ａ、接地配線１２ｄ、接地配線１４ｂ及び接地配線１４ｃ等により形成されるストリップラインが、複数のデュプレクサ又はフィルタと接続されていることが好ましい。これにより、特に効果的に高周波信号の損失を低減することができる。なお、ＲＦモジュール以外のモジュール、又は高周波信号を用いる電子装置等に多層基板を適用してもよい。」 （４）図５及び図７は、以下のとおりである。 図５ 図７ 上記（１）～（４）及び当業者の技術常識を考慮すると、 ア　上記段落４５及び段落５３の記載によれば、多層基板２００は、デュプレクサ４０ａ～４０ｆ、フィルタ回路５０、ＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）６０、パワーアンプ６４ａ～６４ｃ、及びスイッチ７０～７４を備える。また、多層基板２００はＲＦモジュール２１０に用いられるモジュール基板であり、コア１０、導体層１２～１８、絶縁層２０～２６、電子部品３０、ビア配線３２及びビア配線３４、を備える。ここで、導体層１２は、高周波信号以外の信号を流すための配線である信号配線１２ａ～１２ｃ及び接地配線１２ｄを含み、導体層１４は、高周波信号を流すための配線である信号配線１４ａ及び高周波信号以外の信号を流すための配線である信号配線１４ｄ～１４ｇを含む。また、導体層１６及び導体層１８は、いずれも高周波信号以外の信号を流すための配線である。 そして、段落５４～５６の記載、図５及び図７によれば、多層基板２００の構成は、例えば図５中におけるデュプレクサ４０ａ～４０ｆ及びフィルタ回路５０とＩＣ６０との間に適用され、デュプレクサ４０ａ～４０ｆ及びフィルタ回路５０とＩＣ６０との間は、コア１０、信号配線１４ａ、接地配線１２ｄ、接地配線１４ｂ及び接地配線１４ｃ等により形成されるストリップラインによって接続され、信号配線１４ｄは、ビア配線３２を介して電子部品３０に接続される。ここで、図７（ｂ）を参照すれば、導体層１２及び１８は、多層基板２００の表面に形成された導体層であるといえ、また、電子部品３０は、コア１０の孔部１１に収納されているということができる。 そうすると、引用文献１には、「信号配線１２ａ～１２ｃを含む導体層１２、信号配線１４ａ及び信号配線１４ｄ～１４ｇを含む導体層１４、高周波信号以外の信号を流すための配線である導体層１６及び導体層１８、コア１０並びに絶縁層２０～２６」と、「高周波信号を流すための配線である信号配線１４ａと接続された複数のデュプレクサ４０ａ～４０ｆ」と、「コア１０の孔部１１に収納され、高周波信号以外の信号を流すための配線である信号配線１４ｄと接続された電子部品３０」とを備え、「高周波信号以外の信号を流すための配線である信号配線１２ａ～１２ｃ及び接地配線１２ｄを含む導体層１２並びに高周波信号以外の信号を流すための配線である導体層１８は、多層基板２００の表面に形成された導体層である」、「ＲＦモジュールに用いられるモジュール基板」が記載されているといえる。 イ　上記段落４９の記載によれば、デュプレクサ４０ａ～４０ｆは、異なるバンドに対応しており、通信方式及びバンドに応じて、デュプレクサ４０ａ～４０ｆのいずれかが選択される。また、上記段落２３の記載によれば、高周波信号は、例えばＷ－ＣＤＭＡ方式に対応するＧＨｚ帯の周波数、又はＧＳＭ方式に対応する数百ＭＨｚの周波数を有するＲＦ信号等を含む。 そうすると、「デュプレクサ４０ａ～４０ｆは、異なるバンドに対応しており」、「高周波信号は、Ｗ－ＣＤＭＡ方式又はＧＳＭ方式の周波数帯域のＲＦ信号を含」むといえる。 以上を総合すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。 「信号配線１２ａ～１２ｃを含む導体層１２、信号配線１４ａ及び信号配線１４ｄ～１４ｇを含む導体層１４、高周波信号以外の信号を流すための配線である導体層１６及び導体層１８、コア１０並びに絶縁層２０～２６と、 高周波信号を流すための配線である前記信号配線１４ａと接続された複数のデュプレクサ４０ａ～４０ｆと、 コア１０の孔部１１に収納され、高周波信号以外の信号を流すための配線である前記信号配線１４ｄと接続された電子部品３０と、を備え、 前記複数のデュプレクサ４０ａ～４０ｆは、異なるバンドに対応しており、 高周波信号は、Ｗ－ＣＤＭＡ方式又はＧＳＭ方式の周波数帯域のＲＦ信号を含み、 高周波信号以外の信号を流すための配線である信号配線１２ａ～１２ｃ及び接地配線１２ｄを含む導体層１２並びに前記高周波信号以外の信号を流すための配線である導体層１８は、多層基板２００の表面に形成された導体層である、 ＲＦモジュールに用いられるモジュール基板。」 ２．原査定の拒絶の理由で引用された特開２００８－１３０６１２号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審において付したものである。）。 （１）「【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 ここで、電子部品を内蔵した多層基板に関しては、その内蔵電子部品を変更することが実質的に不可能であるため、例えば接続される外部回路が異なる場合には、同一基板にて対応できず、基板の汎用性が低いという問題がある。」 （２）「【００３５】 ただし、本実施形態による電子部品内蔵型多層基板２０ａは、図１１（ａ），（ｂ）に示した多層基板２０とは異なり、第１センサ１～第３センサ３にそれぞれ接続される電子部品群１０ａ～１０ｃ，１１ａ～１１ｃ，１２ａ～１２ｃの中の少なくとも１つの電子部品、より具体的には、コネクタ４の端子ＰＩＮ１～ＰＩＮ３に直接接続された各々の電子部品１０ａ，１１ａ，１２ａが、多層基板２０ａの表面あるいは裏面に実装されるように、構成されている。これにより、それぞれの第１センサ１～第３センサ３に対応して、多層基板２０ａの表面又は裏面に実装される少なくとも１つの電子部品１０ａ，１１ａ，１２ａを確保することができる。 【００３６】 従って、接続される第１センサ１～第３センサ３の少なくとも１つが、特性の異なるものに変更された場合に、その変更された第１センサ１～第３センサ３に対応する、表面又は裏面に実装された電子部品１０ａ，１１ａ，１２ａだけを容易に変更することができる。例えば、第１センサ１～第３センサ３の少なくとも１つが、特性の異なるものに変更された場合に、それに対応するように、フィルタ回路における時定数を変更したり、増幅回路における増幅度を変更したりすることが容易になしえる。この結果、異なる特性を持つセンサの入力処理を、同一の電子部品内蔵型多層基板２０ａを用いて行うことができるようになるので、その電子部品内蔵型多層基板２０ａを汎用的に使用できるようになる。」 （３）「【００８２】 例えば、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、電子部品１１ｂがコネクタ４に直接接続されていたとしても、信号線から分岐して接続され、外部回路の変更に対応して、その電子部品１１ｂを変更する必要がない場合には、多層基板２０ｇの内部に内蔵しても良い。」 上記（１）～（３）によれば、引用文献２には次の技術が記載されているといえる。 「接続される外部回路が変更された場合に、それに対応する電子部品を変更する必要がない場合には、当該電子部品を多層基板に内蔵し、変更する必要がある場合には、表面あるいは裏面に実装する技術。」 第５　対比・判断 １．本願発明１について （１）対比 ア　引用発明は、「ＲＦモジュールに用いられるモジュール基板」であるから、本願発明１にいう「モジュール基板」に対応する。 イ　引用発明の導体層１２～１８は、それぞれ信号配線を含む導体層であるから、「複数の配線層」ということができ、引用発明では、導体層１２～１８、コア１０及び絶縁層２０～２６によって多層配線基板を構成しているから、引用発明の導体層１２～１８、コア１０及び絶縁層２０～２６は、本願発明１の「複数の配線層を含む多層配線基板」に相当する。 ウ　引用発明の「複数のデュプレクサ４０ａ～４０ｆ」は、多層配線基板に内蔵されたものかどうかは明らかでなく、また、どのバンドに対応するデュプレクサであるかも明らかではないものの、「前記配線層と電気的に接続された複数のデュプレクサ」といえる点で本願発明１と共通する。 エ　引用発明の導体層１２及び１８は、高周波信号以外の信号を流すための配線又は接地配線であるから、本願発明１のような外付デュプレクサを実装可能な端子部は有していないものの、「前記多層配線基板の表面に形成された配線層」といえる点で本願発明１と共通する。 したがって、本願発明１と引用発明との一致点・相違点は、次のとおりである。 ［一致点］ 複数の配線層を含む多層配線基板と、 前記配線層と電気的に接続された複数のデュプレクサと、を備え、 前記複数の配線層は、前記多層配線基板の表面に形成された配線層を含む、ことを特徴とするモジュール基板。 ［相違点］ 「複数のデュプレクサ」が、本願発明１では、「前記多層配線基板に内蔵され」た「複数の内蔵デュプレクサ」であって、「バンド１、バンド２、バンド５、バンド８のうち少なくとも２つのバンドに対応するデュプレクサを含み、バンド３、バンド４、バンド７、バンド１３、バンド１７およびバンド２０に対応するデュプレクサをいずれも含まず」、 「前記多層配線基板の表面に形成された配線層」が、本願発明１では、「バンド３、バンド４、バンド７、バンド１３、バンド１７およびバンド２０のうち少なくとも１つの外付デュプレクサを実装可能な端子部を有し」、 本願発明１では、「バンド１は、１９２０～１９８０ＭＨｚの送信帯域および２１１０～２１７０ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド２は、１８５０～１９１０ＭＨｚの送信帯域および１９３０～１９９０ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド５は、８２４ＭＨｚ～８４９ＭＨｚの送信帯域および８６９～８９４ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド８は、８８０ＭＨｚ～９１５ＭＨｚの送信帯域および９２５～９６０ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド３は、１７１０～１７８５ＭＨｚの送信帯域および１８０５～１８８０ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド４は、１７１０～１７５５ＭＨｚの送信帯域および２１１０～２１５５ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド７は、２５００～２５７０ＭＨｚの送信帯域および２６２０～２６９０ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド１３は、７７７～７８７ＭＨｚの送信帯域および７４６～７５６ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド１７は、７０４～７１６ＭＨｚの送信帯域および７３４～７４６ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド２０は、８３２～８６２ＭＨｚの送信帯域および７９１～８２１ＭＨｚの受信帯域を有し、バンド１、バンド２、バンド５およびバンド８は、複数の地域で使用されるバンドであり、バンド３、バンド４、バンド７、バンド１３、バンド１７およびバンド２０は、特定の地域のみで使用されるバンドである」のに対し、 引用発明では、そのような特定事項を有するか明らかでない点。 （２）相違点についての判断 本願明細書の段落４には、本願発明１の課題に関し、次の記載がある。 「移動体通信では、使用される周波数の規格が国ごとに異なる場合がある。このため、複数のデュプレクサを備えたモジュールにおいて、小型化のためにデュプレクサを多層配線基板に内蔵する場合、国ごとに搭載すべきデュプレクサが異なることから、電子部品の内蔵工程を国ごとに分けて行う必要がある。このため、製造プロセスが複雑化し、製造コストが増大してしまうという課題があった。」 そして、本願発明１は、上記課題を解決するために、上記相違点に係る構成を採用して、複数の地域で使用されるバンドに対応するデュプレクサについては、多層配線基板に内蔵される内蔵デュプレクサとするとともに、特定の地域のみで使用されるバンドに対応するデュプレクサについては、内蔵せず、多層配線基板の表面に形成された配線層に外付デュプレクサを実装可能な端子部を有する構成としたものである。 一方、引用文献１の段落２及び段落５の記載によれば、引用発明は、通信機器のマルチバンド化に伴い、携帯電話端末に複数のフィルタ、分波器、又はアンプ等の高周波信号に対応した高周波デバイスを集積化してモジュールとする際に、「信号の干渉を抑制し、かつ薄型化及び所望の特性インピーダンスを得ることが可能な多層基板を提供すること」を課題としたものであって、引用文献１には本願発明１の上記課題について記載も示唆もなく、また、上記課題が当該技術分野において周知又は自明の課題であったともいえないから、引用発明において、上記相違点に係る構成を採用する動機付けがあったとはいえない。 また、引用文献２に記載された技術は、接続される外部回路が変更された場合に、それに対応する電子部品を変更する必要があるか否かで、多層基板に内蔵するか否かを決定するものであって、引用発明に当該技術を適用できたとしても、上記相違点に係る構成には至らないことが明らかである。 したがって、本願発明１は、当業者が引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。 ２．本願発明２－９について 本願発明２－４、６及び７は、本願発明１をさらに限定したものであるから、上記１（２）で判断したのと同様の理由により、当業者が引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。 また、原査定において拒絶理由の対象となっていない本願発明５及び８も、当業者が引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。 そして、本願発明９は、請求項１－８のいずれか１項に記載のモジュール基板を備えたモジュールの発明であるから、同様に、当業者が引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。 第６　原査定について 審判請求時の補正により、本願発明１－４、６、７、９は、上記第５の１．に示した相違点に係る構成を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１、２に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 したがって、原査定の理由を維持することはできない。 第７　当審拒絶理由について 当審が平成２９年８月２５日付けで通知した拒絶の理由は、平成２８年３月８日付け手続補正による明細書の段落８に係る補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項と関係のない新たな技術的事項を導入するものであって、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないというものである。 これに対し、平成２９年９月１３日付けの手続補正において、「上記構成において、前記複数の内蔵デュプレクサは、バンド１及びバンド５、バンド１及びバンド８、バンド２及びバンド５、バンド２及びバンド８のうち、いずれかの組み合わせに対応するデュプレクサを含む構成とすることができる。」（段落８）と補正された結果、この拒絶の理由は解消した。 第８　むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。