2016-009139

特願２０１１－２４４１０２「半導体装置の故障位置解析方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月２３日出願公開、特開２０１３－１０１００９、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許出願：　平成２３年１１月８日 拒絶査定：　平成２８年３月２５日（送達日：同年同月２９日） 拒絶査定不服審判の請求：　平成２８年６月２１日 手続補正：　平成２８年６月２１日 （以下、「本件補正」という。） 第２　本件補正の適否 １．補正の内容 本件補正は、特許請求の範囲を以下のように補正するものである。 （補正前） 「　【請求項１】 半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光を用いることを特徴とする半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項２】 前記基板の厚さが２０～２００μｍとなるように、前記基板の裏面側を加工して薄板化した後、前記故障位置の解析を行う請求項１記載の半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項３】 故障位置が特定された場合は、その位置の近傍に、前記レーザー光の出力を高めて照射して、マーキングを施す請求項１又は２記載の半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項４】 故障位置が特定された場合は、その位置の近傍に、波長４５５～４７０ｎｍ、又は１４００～２０００ｎｍのレーザー光を照射して、マーキングを施す請求項１又は２記載の半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項５】 故障位置が特定された場合は、その位置の近傍に、前記基板の透過率が２％以下となる波長のレーザー光を照射して、マーキングを施す請求項１又は２記載の半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項６】 検査すべき半導体装置を載置する試料ステージと、前記半導体装置の基板の裏面側からレーザー光を走査しながら照射するレーザー光照射装置と、前記半導体装置のデバイス及び回路に電流を流す通電手段と、前記デバイス及び回路に流れる電流の変化によって抵抗値変化を検出する抵抗値測定手段とを備えた半導体装置の故障位置解析装置において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光照射手段が、波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光を照射できるものであることを特徴とする半導体装置の故障位置解析装置。 【請求項７】 前記半導体装置が、その基板の厚さが２０～２００μｍとなるように、該基板の裏面側を加工して薄板化されたものである請求項６記載の半導体装置の故障位置解析装置。 【請求項８】 特定された故障位置の近傍に、前記レーザー光の出力を高めて照射して、マーキングを施すマーキング手段を更に備える請求項６又は７記載の半導体装置の故障位置解析装置。 【請求項９】 特定された故障位置の近傍に、波長４５５～４７０ｎｍ、又は１４００～２０００ｎｍのレーザー光を照射して、マーキングを施すマーキング手段を更に備える請求項６又は７記載の半導体装置の故障位置解析装置。 【請求項１０】 特定された故障位置の近傍に、前記基板の透過率が２％以下となる波長のレーザー光を照射して、マーキングを施すマーキング手段を更に備える請求項６又は７記載の半導体装置の故障位置解析装置。」 （補正後） 「　【請求項１】 半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光として、波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光を用い、前記基板の厚さが２０～２００μｍとなるように、前記基板の裏面側を加工して薄板化した後、前記故障位置の解析を行うことを特徴とする半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項２】 故障位置が特定された場合は、その位置の近傍に、前記レーザー光の出力を高めて照射して、マーキングを施す請求項１記載の半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項３】 故障位置が特定された場合は、その位置の近傍に、波長４５５～４７０ｎｍ、又は１４００～２０００ｎｍのレーザー光を照射して、マーキングを施す請求項１記載の半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項４】 故障位置が特定された場合は、その位置の近傍に、前記基板の透過率が２％以下となる波長のレーザー光を照射して、マーキングを施す請求項１記載の半導体装置の故障位置解析方法。 【請求項５】 検査すべき半導体装置を載置する試料ステージと、前記半導体装置の基板の裏面側からレーザー光を走査しながら照射するレーザー光照射装置と、前記半導体装置のデバイス及び回路に電流を流す通電手段と、前記デバイス及び回路に流れる電流の変化によって抵抗値変化を検出する抵抗値測定手段とを備えた半導体装置の故障位置解析装置において、前記半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置であり、前記レーザー光照射手段が、波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光を照射できるものであり、前記半導体装置の前記ＮドープＳｉＣ基板の厚さが２０～２００μｍであることを特徴とする半導体装置の故障位置解析装置。 【請求項６】 特定された故障位置の近傍に、前記レーザー光の出力を高めて照射して、マーキングを施すマーキング手段を更に備える請求項５記載の半導体装置の故障位置解析装置。 【請求項７】 特定された故障位置の近傍に、波長４５５～４７０ｎｍ、又は１４００～２０００ｎｍのレーザー光を照射して、マーキングを施すマーキング手段を更に備える請求項５記載の半導体装置の故障位置解析装置。 【請求項８】 特定された故障位置の近傍に、前記基板の透過率が２％以下となる波長のレーザー光を照射して、マーキングを施すマーキング手段を更に備える請求項５記載の半導体装置の故障位置解析装置。」 ２．補正の適否 上記のとおり、本件補正は実質的に、補正前の請求項１及び６を削除し、補正前の請求項２及び７を独立形式として補正後の請求項１及び５に繰上げ、これに伴って補正前の請求項３－５，８－１０をそれぞれ補正後の請求項２－４，６－８に繰り上げるものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。 したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合する。 第３　本願発明 本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合するから、本願の請求項１－８に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１―８に記載された事項により特定されるとおりのものである。（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明８」という。） 第４　原査定の拒絶理由、拒絶査定の概要 （拒絶理由） 「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） ・請求項　１－１０ ・引用文献等　１－４ ・備考 （１）請求項１ 引用文献１には、 半導体装置の基板の裏面側（【００２０】，【００６４】等）から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記半導体装置に応じた前記レーザー光の波長などの条件を適宜選択（【００１９】，【００２６】－【００２８】，【００８１】。「半導体デバイス（ＤＵＴ）２１に応じた最適波長」、「レーザ光の波長やパワーなどの条件を適宜選択する」等）する半導体装置の故障位置解析方法、が記載又は示唆されている。 請求項１に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、引用文献１に記載された発明は、 （相違点）半導体装置が、ＮドープＳｉＣ基板を用いたものであり、波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光を用いることが明らかではない点、 で相違する。 前記相違点について、検討する。 例えば引用文献２（【０００１】－【０００２】，【００２７】）に開示されるように、半導体装置として、ＮドープＳｉＣ基板を用いたものは周知であり、当該半導体装置を解析することに格別の困難性はない。そして、裏面側から照射して解析を行うため、レーザ光の波長を６５０～８１０ｎｍとすることは、設計的事項である（例えば引用文献１【００２６】「最適波長」、【００８１】「パワーデバイス」、「適宜選択」等、引用文献２【００２７】等）。 （２）請求項２ 基板の厚さを薄板化することは当業者ならば容易に想到し得たものである（例えば引用文献１【００２０】「厚さを薄くした方がよい」等、引用文献３【００２５】等、引用文献４【００３５】，【００４０】等）。そして、厚さの設定は設計的事項である。 （３）請求項３－５ 例えば引用文献３（図４）に開示されるように、マーキングを施すことは周知技術であり、格別の困難性はない。そして、レーザ光の波長（例えば引用文献２【００２７】「４６０ｎｍ」，「１０００ｎｍよりも長波長域」等）、出力の設定は設計的事項である。 （４）請求項６－１０ 前記（１）－（３）を参照のこと。 ＜引用文献等一覧＞ １．特開２０１０－１９７０５１号公報 ２．特開２０１１－２２２６０７号公報（周知技術を示す文献） ３．特開２００３－６６１１５号公報（周知技術を示す文献） ４．特表２００９－５０９３３９号公報（周知技術を示す文献）」 （拒絶査定） 「この出願については、平成２７年　７月　８日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。 なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。 備考 ●理由（特許法第２９条第２項）について ・請求項　１－１０ ・引用文献等　１－５ 出願人は、引用文献１－４に対し、課題（引用文献１）及び作用効果が開示されておらず、また、目的が異なる（引用文献２）ものであるので、組合わせる蓋然性がない旨の主張をしている。 しかしながら、引用文献１（【００８１】等）にはパワーデバイス等の半導体装置を検査することが示唆されており、また、この種のパワーデバイス等としてＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置（例えば引用文献２【０００２】－【０００３】等、引用文献５【０００２】、【００１３】、【００１７】等）は周知な装置であることからみて、当該ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置に対して検査を行うことは当業者ならば容易になし得たものである。また、引用文献１（【００２０】、【００２７】－【００２８】、【００８１】等）にも記載又は示唆されているように、検査対象に応じて波長を好適なものとすることは当業者ならば容易になし得たものといえる。そして、本願明細書にも記載されるように数値範囲に臨界的意義はないことからも（【００７９】等）、ＮドープＳｉＣ基板における周知なレーザ光の透過域（例えば引用文献２【００２７】（本願図２における約１０～１５％以上の透過率に対応）、引用文献５【００３８】）から、好適な範囲を設定することは、当業者が適宜なし得る設計的事項である。 ＜引用文献等一覧＞ １.特開２０１０－１９７０５１号公報 ２.特開２０１１－２２２６０７号公報（周知技術を示す文献） ３.特開２００３－６６１１５号公報（周知技術を示す文献） ４.特表２００９－５０９３３９号公報（周知技術を示す文献） ５.特開２００９－１６４４４５号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）」 第５　当審の判断 １　刊行物の記載事項、引用発明 ア　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０－１９７０５１号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「故障解析装置」（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）ないし（ｄ）が図面とともに記載されている。（下線は当審による。以下同様。） （ａ） 「【０００１】 本発明は、故障解析装置に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、半導体素子の微細化、低消費電力化の進展に伴い、半導体集積回路（ＬＳＩ）は高集積度化されている。高集積度化された論理回路や順序回路などを含むシステムＬＳＩやＳｏＣ（System on a chip）では、不良モード及び不良箇所の特定が非常に重要となる。システムＬＳＩやＳｏＣの不良解析には、ＥＭＳ（Emission Micro Scope）、ＯＢＩＲＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change）、ＥＢＡＣ（Electron Beam Absorbed Current）、ＳＤＬ（Soft Defect Localization）、ＥＢテスタ等が多用される。ＯＢＩＲＣＨやＥＢＡＣは被テストデバイスに発生する電流などを観察及び画像化して主に配線系の不良解析に適用される。ＳＤＬは、被テストデバイスにレーザ光を照射して被テストデバイスのＰＡＳＳ／ＦＡＩＬマップの変化をモニタして、主に被テストデバイスのＦＮＣ（Function）マージンの解析に適用される（例えば、特許文献１及び２参照。）。」 （ｂ） 「【００１８】 図２に示すように、不良調査部１１には、半導体デバイス（ＤＵＴ）２１、ＤＵＴステージ２２、プローバ２３、アンプ２４、顕微鏡部２６、光学ステージ２７、及びレーザ発生／光検出部２８が設けられる。 【００１９】 半導体デバイス（ＤＵＴ）２１は、ＤＵＴステージ２２上に載置される。被テストデバイスである半導体デバイス（ＤＵＴ）２１とは、システムＬＳＩ、ＳｏＣ（System on a Chip）、メモリＬＳＩなどの高集積化され、多層配線化されたシリコンデバイスである半導体集積回路、シリコン半導体装置、化合物デバイスなどである。 【００２０】 半導体デバイス（ＤＵＴ）２１には、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に走査されるレーザ光が表面或いは裏面に照射される。なお、X方向、Y方向を水平方向とし、Ｚ方向を垂直方向とする。ここでは、半導体デバイス（ＤＵＴ）２１の表面にレーザ光を照射しているが、想定される半導体デバイス（ＤＵＴ）２１の不良モード或いは不良箇所に応じて表面或いは裏面が適宜選択される。半導体デバイス（ＤＵＴ）２１が、例えば、６層以上の金属配線を有するシステムＬＳＩ或いはＳｏＣ（System on a Chip）の場合、ＯＢＩＲＣＨ解析に使用されるレーザ光が厚い金属配線や積層された金属配線を透過しにくいので、半導体デバイス（ＤＵＴ）２１の裏面からレーザ光を照射するのが好ましい。なお、裏面からレーザ光を照射する場合、レーザ光が減衰しないように半導体デバイス（ＤＵＴ）２１のシリコン基板の厚さを薄くした方がよい。 【００２１】 半導体デバイス（ＤＵＴ）２１の表面上に設けられた図示しない端子或いは評価用金属パターンとプローバ２３とは電気的に接続され、一方のプローブ２３側にはアンプ２４が設けられ、他方のプローブ側には定電圧源が設けられる。アンプ２４は、レーザ光照射時に半導体デバイス（ＤＵＴ）２１で発生し、プローブ２３でモニタされた熱起電流を検出して、検出された信号を増幅する。アンプ２４で検出及び増幅された熱起電流は、制御・解析部１２で光加熱抵抗変化画像であるＯＢＩＲＣＨ画像として表示部１３に階調表示される。なお、制御・解析部１２で光加熱抵抗変化画像を取得するための機能を具備したものを撮影手段とする。」 （ｃ） 「【００２６】 レーザ発生／光検出部２８は、光学ステージ２７上に設けられる。レーザ発生／光検出部２８には、レーザ光を発生するレーザ発生部、半導体デバイス（ＤＵＴ）２１の発熱情報（赤外線など）などを高感度に検出するフォトダイオード（例えば、ＩｎＳｂフォトダイオード）或いは高感度ＣＣＤなどが搭載される。レーザ発生／光検出部２８に送付された発熱情報（赤外線など）は、制御・解析部１２でＥＭＳ画像として表示部１３に階調表示される。レーザ発生部には、半導体デバイス（ＤＵＴ）２１に応じた最適波長を発生する複数のレーザが搭載される。ここでは、発熱情報や発光情報を検出する機能を搭載しているが省いてもよい。なお、少なくともレーザ発生部、光学ステージ機能を具備したものをレーザ照射手段とする。 【００２７】 半導体デバイス（ＤＵＴ）２１が、例えばシリコンデバイスであるシステムＬＳＩやＳｏＣの場合、レーザ波長は１０６０ｎｍから１４００ｎｍの波長範囲が選択される。トランジスタ系の不良解析には１０６０ｎｍから１１６０ｎｍの波長範囲が選択され、配線系の不良解析には１３００ｎｍから１４００ｎｍの範囲の波長が選択される。 【００２８】 半導体デバイス（ＤＵＴ）２１が、例えばＧａＡｓ系デバイスの場合、レーザ波長は９００ｎｍから１４００ｎｍの波長範囲が選択される。トランジスタ系の不良解析には９００ｎｍから１０００ｎｍの波長範囲が選択され、配線系の不良解析には１３００ｎｍから１４００ｎｍの範囲の波長が選択される。 【００２９】 なお、ＯＢＩＲＣＨ解析では、金属配線やゲート電極配線部分にレーザ光が照射されると熱抵抗変化（ＯＢＩＲＣＨ効果）による電流減少或いは電流増加が観察することができる。ビア周辺にレーザ光が照射されるとゼーベック効果による電流増加或いは電流減少が観察することができる。金属配線やゲート電極配線部分にレーザ光が照射されるとゼーベック効果による配線での電流増加或いは電流減少が観察することができる。金属と半導体基板が直接接触する箇所（ショットキーダイオード）では、光励起による電流の発生を観察することができる。」 （ｄ） 「【００８０】 本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。 【００８１】 例えば、実施例では、被テストデバイス（ＤＵＴ）がＳｏＣ或いはシステムＬＳＩ（シリコンデバイス）であるが、メモリＬＳＩ（シリコンデバイス）、アナログＩＣ（シリコンデバイス）、アナログデジタルＩＣ（シリコンデバイス）、パワーデバイスなどの半導体デバイス（シリコンデバイス）、或いはＧａＡｓ系化合物デバイスなどにも適用することができる。その場合、不良モード及び基板等を考慮してレーザ光の波長やパワーなどの条件を適宜選択するのが好ましい。」 上記記載（ａ）ないし（ｄ）から、刊行物１には、 「半導体デバイス（ＤＵＴ）２１には、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に走査されるレーザ光が裏面に照射され（【００２０】参照。）、レーザ光照射時に半導体デバイス（ＤＵＴ）２１で発生し、プローブ２３でモニタされた熱起電流を検出して、光加熱抵抗変化画像であるＯＢＩＲＣＨ画像として階調表示される（【００２１】参照。）故障解析方法において、前記レーザ光は半導体デバイス（ＤＵＴ）２１に応じた最適波長（【００２６】参照。）であり、また不良モード及び基板等を考慮してレーザ光の波長やパワーなどの条件が適宜選択（【００８１】参照。）され、レーザ光が減衰しないように半導体デバイス（ＤＵＴ）２１のシリコン基板の厚さが薄くされ（【００２０】参照。）て故障解析が行われる、故障解析方法。」 の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 イ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１１－２２２６０７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「ＳｉＣ半導体素子の製造方法」（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）ないし（ｃ）が図面とともに記載されている。 （ａ） 「【０００１】 この発明は、ＳｉＣ半導体素子の製造方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 炭化珪素（ＳｉＣ）は珪素（シリコン：Ｓｉ）に比べてバンドギャップが大きく、Ｓｉ半導体よりも高い耐電圧と高い使用温度を有する半導体装置を製作することが可能である。また、半導体自体の抵抗値もＳｉ半導体と比べて小さいことから、半導体動作における接続時の抵抗値（オン抵抗値）の低抵抗化による低損失化が期待されている。 【０００３】 しかし、ＳｉＣ半導体でも更なる低損失化が求められている。ショットキーバリアダイオードの場合、オン抵抗はショットキー電極の接合抵抗、ショットキーバリア界面の抵抗、ＳｉＣエピタキシャル層内の導通抵抗、ＳｉＣ基板の導通抵抗、オーミック電極とＳｉＣ基板の界面接合抵抗、および電極自体の抵抗からなる。このうち比較的大きな値をとるのが、ＳｉＣ基板の抵抗値である。ＳｉＣ基板の抵抗は、基板に対するｎ型不純物のドープ量で決まる値である。通常は窒素がドープされるが、抵抗値を下げるために標準値以上の高濃度にすると、結晶性が低下して、ショットキーバリアダイオードの特性が低下するため、それほど高濃度にすることは出来ない。そこで、基板結晶を薄板化することが検討されている。 【０００４】 例えば特許文献１では、ＳｉＣ基板を研削して厚さを２５０μｍあるいは２００μｍ以下とすることによって、縦型方向の基板結晶の抵抗成分を減らし、動作時のオン抵抗を大きく低減する方法が開示されている。」 （ｂ） 「【００２５】 内部応力層３は、ＳｉＣ基体１１を透過するレーザ光線を内部応力層３を発生させる部分に集光させて形成する。結晶内部に光を集光させるためには、結晶自体がレーザ光に対して透明である必要がある。透明であると光が透過するだけであるが、強度がある値を超えると、多光子吸収が起こって光吸収が発生し、集光部に熱が発生して結晶格子がアモルファス化した、内部応力層３が発生する。この部分は結晶格子が乱れるため膨張するが、周囲の結晶はそのままであるため、膨張応力として結晶内部に閉じ込められた状態で残存する。勿論、このような応力は点状態で発生するが、内部応力層３を多数分布させることによって、面全体に応力が発生する。ＳｉＣ基体１１内部における内部応力層３の３次元的な位置及び分布を調節することによって、ＳｉＣ基体１１の反りをコントロールすることができ、加工変質層２による応力を相殺することができる。 【００２６】 すなわち、本実施の形態のＳｉＣ半導体素子の製造方法は、（ａ）表面側に素子活性領域が形成されたＳｉＣ基体１１（ＳｉＣ基板）を準備する工程と、（ｂ）ＳｉＣ基体１１の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、（ｃ）ＳｉＣ基体１１の表面を平坦面に固定したまま、研削による反りを相殺する応力を付与する内部応力層３を、ＳｉＣ基体１１内部に形成する工程とを備える。これにより、薄板化に伴うＳｉＣ基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することができる。 【００２７】 ＳｉＣは不純物がない状態では、紫外線領域から赤外線領域の５０００ｎｍ程度の波長まで光を透過する。ＳｉＣ基体１１はｎ型で導電率を高めるために窒素がドープされているが、この状態では１０００ｎｍよりも長波長域の赤外光は透過しない。また、可視光領域にも４６０ｎｍをピークとして大きな光吸収を行うので、改質のためのレーザ光の透過域は５００ｎｍから１０００ｎｍが適当である。」 （ｃ） 「【００２９】 例えば、ＹＡＧレーザを用いてレーザ照射を行う。２倍波（２ω）波長５３２ｎｍ、周波数を３０ｋＨｚ、パルス幅を４０ｎｓ、照射点でのパルスエネルギー密度を約１０ＧＷ／ｃｍ2として、研削面（加工変質層２）から１５０μｍ内部に、２００μｍ間隔のドットで表面と平行な直線状に内部応力層３を形成する。形成位置の深さ調節は、表面に焦点を合わせた後、屈折率から計算した深さに焦点位置をずらすことによって行う。レーザの入射面の表面状態は、平面度が１μｍ以内、Ｒａが１ｎｍ以下であることが望ましい。これは、表面でレーザ光が散乱してパワーが変動することを防ぐためである。内部応力層３のドットラインを後工程で素子を分離するためのダイシングライン４（図１０）に沿って形成すると、分離後の素子には内部応力層３が残存せず、素子特性に影響を及ぼさない。なお、内部応力層３は、パルス波のレーザ光によって深さ方向に１点のみの分布で形成されるため、最終の分離工程までは割れを生じさせない。」 上記記載（ａ）ないし（ｃ）から、刊行物２には、 「ＳｉＣ半導体素子の製造方法に関し（【０００１】参照。）、結晶内部に光を集光させるために、結晶自体がレーザ光に対して透明である必要があり（【００２５】参照。）、ＳｉＣ基体１１に窒素がドープされている状態では１０００ｎｍよりも長波長域の赤外光は透過せず、可視光領域にも４６０ｎｍをピークとして大きな光吸収を行うので、改質のためのレーザ光の透過域は５００ｎｍから１０００ｎｍが適当である（【００２７】参照。）、 ＳｉＣ半導体素子の製造方法。」 の技術事項（以下、「周知技術」という。）が記載されている。 ウ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３－６６１１５号公報（以下、「刊行物３」という。）には、「半導体装置の故障解析方法および故障解析装置」（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）が図面とともに記載されている。 （ａ） 「【００２５】まず、図２（ａ）に示すように、本実施形態において、半導体装置１は半導体基板裏面２と半導体基板表面３とを備えた半導体基板４の半導体基板表面３側に搭載されている。次に、図２（ｂ）に示すように、半導体装置１の半導体基板４を紙やすりや研磨機により数１００μｍの厚さになるまで裏面から研磨し、さらに研磨材を用いて鏡面研磨を施す。」 エ　原査定の拒絶の理由に引用された特表２００９－５０９３３９号公報（以下、「刊行物４」という。）には、「炭化ケイ素パワーデバイスを有する半導体ウェハを処理する方法」（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）ないし（ｂ）が図面とともに記載されている。 （ａ） 「【００３５】 デバイス１１０には例えば、ＳｉＣショットキーダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＢＪＴ、ＰｉＮダイオード、ｎチャネルＩＧＢＴ、サイリスタおよび／または縦型ＪＦＥＴなどの炭化ケイ素ベースのパワー半導体デバイスを含めることができる。デバイス１１０はさらに、ｐ型基板上の炭化ケイ素ベースのＧＴＯおよびｎチャネルＩＧＢＴを含むことができる。デバイス１１０は他のタイプのデバイスを含むことができ、したがって、上記のデバイスのリストは限定を意図したものではない。」 （ｂ） 「【００４０】 本発明に基づくいくつかの実施形態では、ウェハ１００が、厚さ約１５０ミクロン未満まで薄くされる。本発明に基づく他の実施形態では、ウェハ１００が、厚さ約１２０ミクロン未満まで薄くされる。本発明に基づく他の実施形態では、ウェハ１００が、厚さ約８０ミクロンないし約１００ミクロン、あるいはそれよりも薄い厚さまで薄くされる。本発明に基づくいくつかの実施形態では、ウェハ１００が、インフィード研削盤またはクリープフィード研削盤を使用して薄くされる。」 オ　原査定において、周知技術を示す文献として新たに引用された特開２００９－１６４４４５号公報（以下、「刊行物５」という。）には、「エッチング処理方法および炭化珪素半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関し、次の事項（ａ）ないし（ｅ）が図面とともに記載されている。 （ａ） 「【０００１】 本発明は、エッチング処理方法および炭化珪素（ＳｉＣ）半導体装置の製造方法に関し、特に、ＳｉＣ基板を用いた高耐圧・大電力用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のエッチング処理方法およびその製造方法に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 パワーデバイスとしてシリコン（Ｓｉ）を用いたＭＯＳＦＥＴが広く用いられているが、更なるデバイスの高耐圧化や大電流化は、Ｓｉの物性限界により困難になってきた。そこで、Ｓｉに替わる新しい基板材料として、ワイドバンドギャップ半導体の１つであるＳｉＣが注目されるようになってきた。ＳｉＣは、絶縁破壊強度がＳｉに比べ一桁大きく、耐圧に優れているだけでなく、オン抵抗も小さく、低損失なパワーデバイスが実現できる。熱伝導率もＳｉに比べ約３倍大きく、大電力用のパワーデバイスの基板材料に適している。」 （ｂ） 「【００１３】 ＜実施の形態１＞ 本実施の形態では、本発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を用いて、図１に示すＭＯＳＦＥＴ５０を形成する。このＭＯＳＦＥＴ５０は、ｎ－型エピ（エピタキシャル）層５２と、ｐ型ベース領域５３と、ｎ＋型ソース領域５４と、ｎ－型チャネルエピ層５５と、ゲート絶縁膜５６と、ゲート電極５７と、層間絶縁膜５８と、ソース電極５９と、ドレイン電極６０とを備える。」 （ｃ） 「【００１７】 本実施の形態では、ｎ＋型ＳｉＣ基板５１、ｎ－型エピ層５２、ｎ－型チャネルエピ層５５は、全て炭化珪素からなる。そこで、以下、本実施の形態では、これらからなる炭化珪素基板を、ＳｉＣ基板２と記述する。また、後に反応性プラズマでエッチング処理されるｎ－型チャネルエピ層５５の表面をＳｉＣ基板２の表面と記述することもあり、それと反対側のｎ＋型ＳｉＣ基板５１の表面をＳｉＣ基板２の裏面と記述することもある。また、ｎ－型チャネルエピ層５５をエッチング処理することを、ＳｉＣ基板２をエッチング処理すると記述することもある。」 （ｄ） 「【００３４】 このように、本実施の形態に係るエッチング処理方法では、ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、上述のエッチング処理を停止する。」 （ｅ） 「【００３８】 また、本実施の形態では、レーザ光１４の波長は、６３３ｎｍであるものとした。これにより、レーザ光１４は、ＳｉＣ基板２を透過することができる。なお、レーザ光１４の波長は、６３３ｎｍに限ったものではなく、ＳｉＣ基板２を透過可能な３７０ｎｍ以上４４０ｎｍ以下、もしくは４８０ｎｍ以上であれば、上述と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態では、レーザ光発生装置８からのレーザ光１４として、一般的なＨｅ－Ｎｅレーザを用いたが、その他のレーザ光源、例えば、Ａｒイオンレーザやダイオードレーザであってもよい」 ２　対比 本願発明１と引用発明とを対比する。 まず、引用発明における「半導体デバイス（ＤＵＴ）２１には、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に走査されるレーザ光が裏面に照射され、レーザ光照射時に半導体デバイス（ＤＵＴ）２１で発生し、プローブ２３でモニタされた熱起電流を検出して、光加熱抵抗変化画像であるＯＢＩＲＣＨ画像として階調表示される故障解析方法」は、本願発明１の「半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法」に相当する。 また、本願発明１において「波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光を用い」るとされている点は、「ＮドープＳｉＣ基板の透過スペクトルに基づいて、照射するレーザー光の波長を種々選択」（本願明細書【００４７】）されたことによるものであるから、引用発明において「前記レーザ光は半導体デバイス（ＤＵＴ）２１に応じた最適波長であり、また不良モード及び基板等を考慮してレーザ光の波長やパワーなどの条件が適宜選択され」ることと、本願発明１において「前記レーザー光として、波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光を用い」ることとは、「前記レーザー光として、基板に応じた波長のレーザー光を用い」る点で共通するといえる。 次に、本願発明１において「前記基板の厚さが２０～２００μｍとなるように、前記基板の裏面側を加工して薄板化した後、前記故障位置の解析を行う」とされている点は、「基板の厚さが２０μｍ未満では、破損しやすくなるため、取り扱い性が悪くなる。基板の厚さが２００μｍを超えると、レーザー光の強さによっては、透過光量が不足して、効果的に加熱できなくなる可能性がある」（本願明細書【００４９】）ことに対応したものであるから、引用発明において「レーザ光が減衰しないように半導体デバイス（ＤＵＴ）２１のシリコン基板の厚さが薄くされて故障解析が行われる」点と、本願発明１において「前記基板の厚さが２０～２００μｍとなるように、前記基板の裏面側を加工して薄板化した後、前記故障位置の解析を行う」点とは、「前記基板の厚さが透過光量が不足しない厚さとなるように、前記基板の裏面側を加工して薄板化した後、前記故障位置の解析を行う」点で共通する。 してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 （一致点） 「半導体装置の基板の裏面側から、該基板の表面側のデバイス及び回路に、レーザー光を走査しながら照射して加熱すると共に、前記デバイス及び回路に電流を流し、電流の変化によって抵抗値変化を検出して、故障位置を解析する半導体装置の故障位置解析方法において、前記レーザー光として、基板に応じた波長のレーザー光を用い、前記基板の厚さが透過光量が不足しない厚さとなるように、前記基板の裏面側を加工して薄板化した後、前記故障位置の解析を行うことを特徴とする半導体装置の故障位置解析方法。」 （相違点） 相違点１：本願発明１は、対象とする半導体装置が、「ＮドープＳｉＣ基板を用いた半導体装置」であるのに対し、引用発明においては、該半導体装置は対象とされていない点。 相違点２：本願発明１は、用いられるレーザー光が「波長６５０～８１０ｎｍのレーザー光」であるのに対し、引用発明においては、そのような波長範囲の特定はなされていない点。 相違点３：本願発明１は、対象とする基板の厚さが「２０～２００μｍとなるように」前記基板の裏面側を加工して薄板化しているのに対し、引用発明においては、そのような厚さ範囲の特定はなされていない点。 ３　判断 本願発明１の内容に鑑みて、上記相違点１及び相違点２についてまとめて検討する。 周知技術（上記「１　刊行物の記載事項、引用発明」イ）は、 「ＳｉＣ半導体素子の製造方法に関し、結晶内部に光を集光させるために、結晶自体がレーザ光に対して透明である必要があり、ＳｉＣ基体１１に窒素がドープされている状態では１０００ｎｍよりも長波長域の赤外光は透過せず、可視光領域にも４６０ｎｍをピークとして大きな光吸収を行うので、改質のためのレーザ光の透過域は５００ｎｍから１０００ｎｍが適当である、ＳｉＣ半導体素子の製造方法。」 であって、これは上記相違点２に対し、ＳｉＣ基体１１に窒素がドープされている状態でレーザ光の透過域を「５００ｎｍから１０００ｎｍが適当である」とするものであり、上記相違点２の「波長６５０～８１０ｎｍ」という数値範囲を包含するものである。 しかしながら、周知技術は半導体素子の製造方法に関するものであって、具体的には、レーザ照射により、ＳｉＣ基板内部に応力層を形成することを目的としたものであるから、主にシリコンデバイスやＧａＡｓ系デバイスを対象にした故障解析に関する引用発明とは、適切とされるレーザ光の透過率は異なるものであると考えられること、また、刊行物２においては、 「【００２７】 ・・・ＳｉＣ基体１１はｎ型で導電率を高めるために窒素がドープされているが、この状態では１０００ｎｍよりも長波長域の赤外光は透過しない。また、可視光領域にも４６０ｎｍをピークとして大きな光吸収を行うので、改質のためのレーザ光の透過域は５００ｎｍから１０００ｎｍが適当である。」 として、「１０００ｎｍよりも長波長域」及び「４６０ｎｍをピーク」とする「大きな光吸収」については説明されているものの、本願の図２に示されている、おおよそ５００ｎｍから６５０ｎｍの間に存在する光吸収については言及されておらず、刊行物２の実施例において採用されているレーザー光の波長も、本願明細書の比較例１に用いられた５３２ｎｍである（刊行物２の【００２９】）こと、を考慮すると、該周知技術の波長範囲を、ＳｉＣについて例示すらない引用発明に直ちに適用することはできず、ましてその数値を「波長６５０～８１０ｎｍ」という（５３２ｎｍを除く）値に限定することは、当業者が容易に想到し得たものであるとは言えない。また、刊行物３ないし５にも上記相違点２に相当する技術事項の記載はない。 したがって、本願発明１は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、本願発明５は本願発明１を装置発明としたものであり、本願発明２ないし４及び６ないし８は、それぞれ本願発明１または５を引用して、本願発明１または５をさらに限定した発明であるから、同様の理由により、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 第６　むすび 以上のとおり、本願の請求項１－８に係る発明は、いずれも、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではないから、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。