特許拒絶査定不服審判
2015-013870
窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板
- 審判番号
- 2015-013870
- 法域
- 特許
- 審判種別
- 拒絶査定不服審判（拒絶査定不服の審決）
- 出願番号
- 特願2011-033451外部サイト（J-PlatPat）へ移動します
- 請求日
- 2015年07月23日
- 審決日
- 2017年12月18日
- 公報発行日
- 2018年02月23日
- 結論
- 原査定取消（特許/登録すべき）
- 分類
- P18 .113-WYF(C30B) / P18 .121-WYF(C30B) / P18 .537-WYF(C30B)
- データ出所
- 審決公報（SGML）
事件の表示
特願２０１１－ ３３４５１「窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年 ９月 １日出願公開、特開２０１１－１６８４８１、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
結論
【結 論】
原査定を取り消す。
本願の発明は、特許すべきものとする。
理由
文字
【理 由】
本願は、平成２３年 ２月１８日（パリ条約による優先権主張 ２０１０年 ２月１９日 （ＫＲ）大韓民国 ２０１０年 ８月２４日 （ＫＲ）大韓民国）の出願であって、その請求項１～４に係る発明は、平成２９年１０月２７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
審決本文（J-PlatPat）
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2015-013870