2026-700316

特許第７７５９２１１号発明「磁気ディスク用アルミニウム合金基板及び当該磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスク」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７７５９２１１号の請求項１～４に係る特許を維持する。

理 由 １ 手続の経緯 特許第７７５９２１１号（以下「本件特許」という。）の請求項１～４に係る特許についての出願は、令和３年８月２６日に出願され、令和７年１０月１５日にその特許権の設定登録がされ、同年１０月２３日に特許掲載公報が発行された。 その後、その特許について、令和８年４月１４日に特許異議申立人（以下「申立人」という。）山田友則により特許異議の申立てがされた。 ２ 本件発明 本件特許の請求項１～４に係る発明（以下「本件発明１」～「本件発明４」という。）は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１～４の記載は次のとおりである。 〔本件発明１〕【請求項１】 Ｍｇ：１．００～３．５０ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、ヤング率が６８．７ＧＰａ以上で、密度が２．７２ｇ／ｃｍ３以下で、導電率が３２．０％ＩＡＣＳ以上であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。 〔本件発明２〕【請求項２】 前記アルミニウム合金が、Ｆｅ：１．８０ｍａｓｓ％以下、Ｍｎ：１．８０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉ：３．００ｍａｓｓ％以下、Ｃｕ：０．４０ｍａｓｓ％以下、Ｚｎ：０．７０ｍａｓｓ％以下、Ｃｒ：０．４０ｍａｓｓ％以下、Ｓｉ：０．６０ｍａｓｓ％以下及びＢｅ：０．００２０ｍａｓｓ％以下からなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有する、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。 〔本件発明３〕【請求項３】 前記アルミニウム合金が、Ｓｒ：０．１００ｍａｓｓ％以下、Ｎａ：０．１００ｍａｓｓ％以下及びＰ：０．１００ｍａｓｓ％以下からなる群から選択される１種又は２種以上を更に含有する、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。 〔本件発明４〕【請求項４】 請求項１～３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面に、無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理層と、当該無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理層の上の磁性体層とを有することを特徴とする磁気ディスク。 ３ 特許異議申立理由 特許異議申立理由の概要は、次のとおりである。 本件発明１は、甲第２号証の発明及び甲第４号証の発明、又は甲第２号証の発明及び甲第７号証の発明（甲第５号証の知見に基づく甲第６号証のシミュレーション結果を反映）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 本件発明２～４は、本件発明１の理由に加え、甲第２号証の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 甲第２号証：特開２０２０－８７４８５号公報 甲第４号証：特開昭６３－２５７９１７号公報 甲第５号証：Kent R. Van Horn、「ALMINUM Vol.I. Properties, Physical Metallurgy and Phase Diagrams」、American Society for Metals、第２刷、１９６７年、１７４頁 甲第６号証：シミュレーション結果報告書（甲第５号証に基づく実証結果） 甲第７号証：特開２０１７－１８６５９７号公報 ４ 甲号証について （１）甲第２号証について ア 記載事項 甲第２号証には次の記載がある。なお、以降の下線は当審において付されたものである。 「【０００１】 本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートに関する。」 「【００５５】 ［サブストレート］ 本実施形態に係るサブストレートは、前記した本実施形態に係るブランクからなる。そして、本実施形態に係るサブストレートは、本実施形態に係るブランクの端面に切削加工を施し、主面に研削加工を施したものであって、化学組成は、前記したブランクおよびアルミニウム合金板から変化しない、つまり、当該ブランクおよびアルミニウム合金板と同様である。 また、本実施形態に係るサブストレートのヤング率、密度、Ｅ／ρ、耐力などの特性値は、本実施形態に係るブランクから変化しない、つまり、当該ブランクと同様である。よって、本実施形態に係るブランクについて求めた特性値をサブストレートについての特性値とみなすことができるし、本実施形態に係るサブストレートについて求めた特性値をブランクについての特性値とみなすこともできる。」 「【００６０】 （ラボ試作：供試材の準備） Ｎｏ．１－１～１－１２に係る供試材は、表１に示す化学組成のアルミニウム合金を用い、以下の条件に基づいて製造した。 【００６１】 まず、溶湯を３５ｍｍ（厚さ）×１４５ｍｍ（幅）×２５０ｍｍ（長さ）の鋳型に注入してスラブを作製した。そして、得られたスラブの両面（厚さ方向）を其々２ｍｍ面削した。その後、５４０℃で８時間の均質化熱処理を施した。そして、厚さが２．３ｍｍとなるまで熱間圧延（終了温度：約３００℃）を施し、厚さが０．７４ｍｍとなるまで冷間圧延を施した。その後、矯正焼鈍を模した焼鈍（昇温速度：約８０℃／ｈ、焼鈍温度：約３２０℃、保持時間：約３時間）を施して、ブランク（Ｏ調質材）を製造した。 なお、耐力を測定する引張試験片については、前記の冷間圧延板からＪＩＳ５号引張試験片を加工して、前記の矯正焼鈍と同じ焼鈍処理を施して作製した。」 「【００６４】 製造した各供試材について、ヤング率、密度、Ｅ／ρ、耐力、平坦度を、以下のようにして評価した。 【００６５】 （ヤング率） ヤング率は、ＪＩＳ Ｚ ２２８０：１９９３（金属材料の高温ヤング率試験方法）に準拠して、圧延方向を長手方向とする６０ｍｍ×１０ｍｍ×約０．７ｍｍ厚の試験片を作製し、その試験片を用いて、大気雰囲気下、室温で自由共振法により測定した。試験装置としては、日本テクノプラス社製ＪＥ-ＲＴ型を用いた。ヤング率が７１．０ＧＰａ以上のものを「〇」（合格）、７１．０ＧＰａ未満のものを「×」（不合格）と評価した。 【００６６】 （密度） 密度は、ＪＩＳ Ｚ８８０７：２０１２（幾何学的測定による密度及び比重の測定方法）に準拠して、マイクロメータとノギスを使用して体積を測定し、電子天秤を使用して質量を測定し、質量を体積で除し供試材の密度（ｇ／ｃｍ３）を求めた。密度が２．８０ｇ／ｃｍ３以下のものを「〇」（合格）、２．８０ｇ／ｃｍ３を超えるのものを「×」（不合格）と評価した。」 「【００７０】 表１、２に、合金組成、ヤング率、密度、Ｅ／ρ、耐力の評価の結果を示すとともに、表２は、平坦度（詳細には、平坦度の平均値＋３σ）の評価の結果も示す。 なお、表１、２の「Ｆｅ＋Ｍｎ＋Ｎｉ」は、Ｆｅ、ＭｎおよびＮｉの含有量の合計を示す。 【００７１】 【表１】 ［図：0001437445000001.jpg］ 」 イ 甲２発明 上記アから、甲第２号証には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されている。なお、各構成の末尾括弧内に、対応する記載箇所を付した。 〔甲２発明〕 表１に示す化学組成のアルミニウム合金を用いて製造したＮｏ．１－５又は１－６に係る供試材のブランクの端面に切削加工を施し、主面に研削加工を施した磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートであって、（【０００１】、【００５５】、【００６０】、【００６１】） 前記サブストレートの化学組成は、前記ブランク及びアルミニウム合金板から変化しない、つまり、当該ブランク及びアルミニウム合金板と同様であり、（【００５５】） 前記サブストレートのヤング率、密度などの特性値は、ブランクから変化しない、つまり、当該ブランクと同様であり、ブランクについて求めた特性値をサブストレートについての特性値とみなすことができ、（【００５５】） 前記Ｎｏ．１－５に係る供試材（ブランク）の製造に用いられたアルミニウム合金の化学組成は、Ｍｇ：２．０％、Ｃｒ：０．２１％、Ｓｉ：０．０４％、Ｃｕ：０．００％、Ｆｅ：０．９３％、Ｍｎ：０．０％、Ｎｉ：１．８％、Ｓｒ：０ｐｐｍ、残部がＡｌ及び不可避的不純物であり、（【００６０】、【００６１】、【００７１】【表１】） 前記Ｎｏ．１－５に係る供試材（ブランク）のヤング率は７４．７ＧＰａであり、密度は２．７２ｇ／ｃｍ３であり、（【００７０】、【００７１】【表１】） 前記Ｎｏ．１－６に係る供試材（ブランク）の製造に用いられたアルミニウム合金の化学組成は、Ｍｇ：２．１％、Ｃｒ：０．２１％、Ｓｉ：０．０４％、Ｃｕ：０．００％、Ｆｅ：０．４８％、Ｍｎ：０．５％、Ｎｉ：１．８％、Ｓｒ：９０ｐｐｍ、残部がＡｌ及び不可避的不純物であり、（【００６０】、【００６１】、【００７１】【表１】） 前記Ｎｏ．１－６に係る供試材（ブランク）のヤング率は７３．６ＧＰａであり、密度は２．７２ｇ／ｃｍ３である（【００７０】、【００７１】【表１】） Ｎｏ．１－５又は１－６に係る供試材のブランクから製造された磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート。 （２）甲第４号証について ア 記載事項 甲第４号証には次の記載がある。 「本発明は、コンピュータの外部メモリとして利用されている磁気ディスク用で、高加工性、高強度のＡｌサブストレートの製造方法に関するものである。」（１頁左欄１９行～右欄２行） 「第２表に示す化学成分（ｖｔ％）を有するＡｌ合金を通常の方法により溶製、鋳造し、得られた鋳塊に均熱処理を施した後、熱間圧延を行い、同表に示す最終冷間加工率の冷間圧延を実施し、ディスク素材を得た。 次いで、このディスク素材をブランク打抜きし、同表に示す条件でブランク焼鈍を施した。その後、同表に示すように、研削→Ｄ／Ｔによるサブストレート加工を実施し、その際、一部についてはサブストレート焼鈍を施した。得られたサブストレートは１３０φ×４０φ×１．２７ｔの寸法であった。 このサブストレートについて、強度及び平坦度を調べると共に、金属間化合物のサイズ等を調べた。その結果を第４表に示す。なお、平坦度は、サブストレート加工後、加熱（２５０℃Ｘ４ｈｒ、７０℃Ｘ１０００ｈｒの２種類）を施して経時変化を促進させ、レーザー干渉計により測定し、１０個の平均値で示した。」（３頁右下欄１４行～４頁左上欄１２行） イ 甲４技術 上記アから、甲第４号証には次の技術（以下「甲４技術」という。）が記載されている。 〔甲４技術〕 Ａｌ合金から得られたディスク素材をブランク打抜きし、ブランク焼鈍を施し、その後、研削→Ｄ／Ｔによるサブストレート加工を実施し、その際、一部についてはサブストレート焼鈍を施して得られた磁気ディスク用Ａｌサブストレートについて、 サブストレート加工後、２５０℃Ｘ４ｈｒの加熱を施して経時変化を促進させて、平坦度を測定する技術。 （３）甲第５号証について 甲第５号証には次の記載がある。なお、仮訳として申立人が作成したものを付した。 「 ［図：0001437445000002.jpg］ 」（１６７頁） （仮訳： ［図：0001437445000003.jpg］ ） （４）甲第６号証について 甲第６号証には、本件明細書の表１及び表２についてのシミュレーション計算値が示されており、その内容は以下のとおりである。 「 ［図：0001437445000004.jpg］ 」 「 ［図：0001437445000005.jpg］ 」 「 ［図：0001437445000006.jpg］ 」 「 ［図：0001437445000007.jpg］ 」 「 ［図：0001437445000008.jpg］ 」 「 ［図：0001437445000009.jpg］ 」 「 ［図：0001437445000010.jpg］ 」 「 ［図：0001437445000011.jpg］ ［図：0001437445000012.jpg］ 」 （５）甲第７号証について ア 記載事項 甲第７号証には次の記載がある。 「【０００１】 本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクおよび磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートに関する。」 「【0０４６】 次に、本発明の効果を奏する実施例とそうでない比較例を対比して本発明に係るブランクおよびサブストレートについてより詳細に説明する。 表１のＮｏ．１～３３に示す化学組成（質量％）のＡｌ合金を用い、Ｎｏ．１～１５、３０～３３に係るサブストレートを以下のようにして製造した。なお、Ｎｏ．１６～２９は、熱間割れが生じたため、サブストレートを製造できなかった（表２参照）。ここで、表１中の「－」は該当する成分を添加しておらず、検出限界値未満であることを示し、下線は本発明の要件を満たしていないことを示している。また、表１の「Ｆｅ，Ｍｎ，Ｎｉの合計量」および「Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒの合計量」の算出にあたり、「－」で示されている含有量は０質量％として計算を行った。」 「【0０５６】 表２に、Ｎｏ．１～１５、３０～３３に係るサブストレートに対して行った測定結果および評価結果を示す（なお、前記したようにＮｏ．１６～２９に係るサブストレートは熱間割れが生じたため、ヤング率、耐力、表面に形成した無電解Ｎｉ－Ｐめっき膜の平滑性については評価および測定を行わなかった。）。ここで、表２中の下線は本発明の要件を満たしていないことを示している。 【００５７】 【表１】 ［図：0001437445000013.jpg］ 」 「【００５８】 【表２】 ［図：0001437445000014.jpg］ 」 イ 記載技術 上記アから、甲第７号証には次の技術（以下「甲７技術」という。）が記載されているといえる。なお、各構成の末尾括弧内に、対応する記載箇所を付した。 〔甲７技術〕 磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレートとして、（【０００１】） 化学組成を、表１のＮｏ．７に示される Ｍｇ：２．９１％、Ｓｉ：０．０５％、Ｆｅ：０％、Ｍｎ：０％、Ｎｉ：２．８％、Ｃｒ：０％、Ｔｉ：０％、Ｚｒ：１．１％、Ｃｕ：０％、Ｚｎ：０％、残部がＡｌ及び不可避的不純物 とするＡｌ合金を用いて、（【００４６】、【００５７】【表１】） ヤング率の測定結果が７６ＧＰａとなるサブストレート（【００５８】【表２】） を製造する技術。 ５ 当審の判断 （１）本件発明１について 本件発明１と甲２発明を対比する。 甲２発明の「Ｎｏ．１－５又は１－６に係る供試材のブランクから製造された磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート」は、本件発明１の「磁気ディスク用アルミニウム合金基板」に相当する。 甲２発明の、Ｎｏ．１－５及びＮｏ．１－６に係る供試材のブランクから製造された磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート（磁気ディスク用アルミニウム合金基板）は、化学組成が、それぞれＮｏ．１－５及びＮｏ．１－６に係る供試材（ブランク）の製造に用いられたアルミニウム合金と同様であり、Ｍｇ：２．０％及び２．１％、その残部がＡｌ及び不可避的不純物であるから、いずれも本件発明１の「Ｍｇ：１．００～３．５０ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、」に相当する構成を備えるものである。 甲２発明の、Ｎｏ．１－５及びＮｏ．１－６に係る供試材のブランクから製造された磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート（磁気ディスク用アルミニウム合金基板）は、ヤング率、密度などの特性値が当該ブランクと同様であり、ヤング率がそれぞれ７４．７ＧＰａ及び７３．６ＧＰａ、密度が２．７２ｇ／ｃｍ３及び２．７２ｇ／ｃｍ３であるから、いずれも本件発明１の「ヤング率が６８．７ＧＰａ以上で、密度が２．７２ｇ／ｃｍ３以下で、」に相当する構成を備えるものである。 しかしながら、当該磁気ディスク用アルミニウム合金基板が、本件発明１では「導電率が３２．０％ＩＡＣＳ以上である」とされているのに対し、甲２発明では導電率について特定されていない点で、両者は相違する。 以上から、本件発明１と甲２発明との間の一致点及び相違点は、次のとおりである。 〔一致点〕 Ｍｇ：１．００～３．５０ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、ヤング率が６８．７ＧＰａ以上で、密度が２．７２ｇ／ｃｍ３以下であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。 〔相違点〕 当該磁気ディスク用アルミニウム合金基板が、本件発明１では「導電率が３２．０％ＩＡＣＳ以上である」とされているのに対し、甲２発明では導電率について特定されていない点。 上記相違点について検討する。 ア 甲４技術の適用に基づく進歩性について 甲４技術は、磁気ディスク用Ａｌサブストレートの平坦度を測定する際に、経時変化を促進させるために、２５０℃Ｘ４ｈｒの加熱を施すものであり、甲２発明の磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート（磁気ディスク用アルミニウム合金基板）について平坦度を測定するために、当該加熱を施すことが容易に想到しえたとしても、当該加熱を施されたものが「導電率が３２．０％ＩＡＣＳ以上である」といえる根拠は甲４技術自体には存在しない。 次に、本件特許の明細書（以下「本件明細書」という。）の記載を参酌すると、「アルミニウム合金基板の導電率を３２．０％ＩＡＣＳ以上とすることにより、熱伝導率が高くなり、熱処理時に速く所望の温度に到達することができる。その結果、熱処理時のエネルギーを低減でき、省エネ性の向上に繋がる。」（【００５５】）、「上記導電率が３２．０％ＩＡＣＳ未満の場合には、熱伝導率が低くなり、熱処理時において温度が上昇し難くなり、省エネ性が低下する。そのため導電率は３２．０％ＩＡＣＳ以上が好ましく、３３．０％ＩＡＣＳ以上がより好ましい。」（【００５７】）との記載により、アルミニウム合金基板が実現すべき導電率の範囲が示されており、また、「焼鈍時の保持温度を１９０～２６０℃、保持時間を０．１～１０時間の範囲とすることが好ましい。また、焼鈍時の保持温度は、１９０～２４０℃がより好ましく、１９０～２２０℃が更に好ましい。焼鈍時の保持時間は０．５～１０時間がより好ましく、１～１０時間が更に好ましい。このような条件で焼鈍処理を行うことにより固溶Ｍｇ等が析出するため、基板の導電率を上げることができる。」（【００６７】）との記載により、保持温度を１９０～２６０℃、保持時間を最も好ましくは１～１０時間とする焼鈍を行うことにより、固溶Ｍｇ等が析出するため、基板の導電率を上げることができることが示されている。 しかしながら、アルミニウム合金基板の導電率が、合金組成（元素の種類及び含有量）にも依存することは明らかであるところ、アルミニウム合金基板の合金組成及び焼鈍処理の条件（保持温度、保持時間）と、導電率（３２．０％ＩＡＣＳ以上）との関係について定性的に説明した記載は、本件明細書には存在しない。 また、本件明細書の【００８０】【表１】及び【００８８】【表２】には、実施例１～５、７として、導電率の測定結果が３２．０％ＩＡＣＳ以上となった合金組成及び焼鈍処理の条件（保持温度、保持時間）が具体的に示されている。 当該表１及び表２は、以下のとおりである。 「【表１】 ［図：0001437445000015.jpg］ 」 「【表２】 ［図：0001437445000016.jpg］ 」 しかしながら、甲２発明の、磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート（磁気ディスク用アルミニウム合金基板）の化学組成は、「Ｍｇ：２．０％、Ｃｒ：０．２１％、Ｓｉ：０．０４％、Ｃｕ：０．００％、Ｆｅ：０．９３％、Ｍｎ：０．０％、Ｎｉ：１．８％、Ｓｒ：０ｐｐｍ、残部がＡｌ及び不可避的不純物」（Ｎｏ．１－５）又は「Ｍｇ：２．１％、Ｃｒ：０．２１％、Ｓｉ：０．０４％、Ｃｕ：０．００％、Ｆｅ：０．４８％、Ｍｎ：０．５％、Ｎｉ：１．８％、Ｓｒ：９０ｐｐｍ、残部がＡｌ及び不可避的不純物」（Ｎｏ．１－６）であり、上記実施例１～５、７はいずれも上記化学組成と同様の合金組成（元素の種類及び含有量）と解されうるものではない。したがって、甲２発明の磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート（磁気ディスク用アルミニウム合金基板）に２５０℃Ｘ４ｈｒの加熱を施したとしても、「導電率が３２．０％ＩＡＣＳ以上である」ことを上記実施例との関係から合理的に推認することはできない。 よって、本件発明１は、甲２発明及び甲４技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 甲７技術（甲第５号証の知見に基づく甲第６号証のシミュレーション結果を反映）の適用に基づく進歩性について 甲７技術は、Ａｌ合金の化学組成を「Ｍｇ：２．９１％、Ｓｉ：０．０５％、Ｆｅ：０％、Ｍｎ：０％、Ｎｉ：２．８％、Ｃｒ：０％、Ｔｉ：０％、Ｚｒ：１．１％、Ｃｕ：０％、Ｚｎ：０％、残部がＡｌ及び不可避的不純物」とするものであるが、当該化学組成は、甲２発明の「Ｍｇ：２．０％、Ｃｒ：０．２１％、Ｓｉ：０．０４％、Ｃｕ：０．００％、Ｆｅ：０．９３％、Ｍｎ：０．０％、Ｎｉ：１．８％、Ｓｒ：０ｐｐｍ、残部がＡｌ及び不可避的不純物」（Ｎｏ．１－５）又は「Ｍｇ：２．１％、Ｃｒ：０．２１％、Ｓｉ：０．０４％、Ｃｕ：０．００％、Ｆｅ：０．４８％、Ｍｎ：０．５％、Ｎｉ：１．８％、Ｓｒ：９０ｐｐｍ、残部がＡｌ及び不可避的不純物」（Ｎｏ．１－６）と同様の組成（元素の種類及び含有量）と解されうるものではないから、たとえ甲７技術に甲第５号証の知見に基づく甲第６号証のシミュレーション結果を反映したとしても、甲２発明の磁気ディスク用アルミニウム合金サブストレート（磁気ディスク用アルミニウム合金基板）について「導電率が３２．０％ＩＡＣＳ以上である」ことを甲７技術との関係から合理的に推認することはできない。 なお、申立人は、異議申立書において、甲７技術の適用について 「・また一方で、甲７発明の［００５７］表１のＮｏ．７の化学組成に関し、甲第６号証と同一手法でシミュレーションした導電率の理論値は、上述したように３４％ＩＡＣＳであった。したがって、この甲７発明のＮｏ．７の導電率を、本件明細書の測定方法（段落００８６）で測定しても、本件特許発明１のＥ要素（導電率が３２．Ｏ％ＩＡＣＳ以上）を充足することは合理的に予測可能といえる。 ・よって甲第１号証の特許庁審査官に認定の通り、甲２発明の［００７１］表１のＮｏ．１－６の例は、本件発明と組成がほぼ同じであることから、導電率が３２．Ｏ％ＩＡＣＳ以上とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。」 との主張を行っているが、上記判断のとおり、甲７技術のＡｌ合金の化学組成は、甲２発明と同様ではないから、甲７技術について算出された導電率の理論値は、甲２発明の導電率を合理的に推認するための根拠とすることはできない。 以上から、本件発明１は、甲２発明及び甲７技術（甲第５号証の知見に基づく甲第６号証のシミュレーション結果を反映）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）本件発明２～４について 本件発明２～４は、上記相違点に係る本件発明１の構成を備えるものであるから、上記（１）と同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、本件発明１～４に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１～４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。