2023-006267

特願２０２１－５６０６５８「フレキシブルプリント配線板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年１０月 ７日国際公開、ＷＯ２０２１／２００６１４、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２１年３月２６日（優先権主張 ２０２０年４月１日（以下、「優先日」という。） 日本国）を国際出願日とする出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。 令和４年 ７月２１日付け：拒絶理由通知書 令和４年１０月３１日 ：意見書、手続補正書の提出 令和５年 ２月１５日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。） 令和５年 ４月１７日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 原査定の概要 原査定（令和５年２月１５日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 （進歩性） 本願請求項１－４に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明、および、引用文献６に記載された技術事項に基づいて、本願請求項５－７に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明、および、引用文献２、６に記載された技術事項に基づいて、または、本願請求項１－３、５－７に係る発明は、以下の引用文献２に記載された発明、および、引用文献６に記載された技術事項に基づいて、本願請求項４、８－１０に係る発明は、以下の引用文献２に記載された発明、および、引用文献３－６に記載された技術事項に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 １．国際公開第２００７／０３９９９２号 ２．特開２０１４－０８２３２０号公報 ３．特開２００６－０５７１７７号公報（周知技術を示す文献） ４．国際公開第２０１６／１０４５３０号（周知技術を示す文献） ５．特表２０１２－５２２８９８号公報（周知技術を示す文献） ６．特開２０１１－１４７２１号公報（周知技術を示す文献） 第３ 本願発明 本願の請求項１ないし１０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１０」という。）は、令和５年４月１７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりのものである。 「【請求項１】 ベースフィルムと、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に設けられる複数本の配線を有する配線層とを備えるフレキシブルプリント配線板であって、 上記配線の平均線幅が３０μｍ以下、平均間隔が３０μｍ以下であり、 上記配線が銅系めっき層を有し、 上記銅系めっき層の電気抵抗率が１．６８×１０－８Ω・ｍより大きく、 上記銅系めっき層における銅結晶粒の平均直径が２μｍ以上１００μｍ以下であり、 上記銅系めっき層が硫黄、窒素及び炭素を含有し、 上記銅系めっき層中の上記硫黄の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記窒素の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記炭素の含有量が０．００１質量％以上０．０１質量％以下であるフレキシブルプリント配線板。 【請求項２】 上記銅系めっき層の電気抵抗率が１．７３×１０－８Ω・ｍ以上２．１０×１０－８Ω・ｍ以下である請求項１に記載のフレキシブルプリント配線板。 【請求項３】 上記銅系めっき層の電気抵抗率が１．７６×１０－８Ω・ｍ以上１．９３×１０－８Ω・ｍ以下である請求項２に記載のフレキシブルプリント配線板。 【請求項４】 上記銅系めっき層が硫黄、窒素及び炭素を含有し、 上記銅系めっき層中の上記硫黄の含有量が０．０００５質量％以上０．００１質量％以下であり、上記窒素の含有量が０．０００５質量％以上０．００１質量％以下であり、上記炭素の含有量が０．００２質量％以上０．００５質量％以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のフレキシブルプリント配線板。 【請求項５】 上記配線が、上記ベースフィルムの上記一方の面に接する第１導電性下地層をさらに含み、 上記銅系めっき層は上記第１導電性下地層の上記ベースフィルムに接する面とは反対の面に設けられ、 上記第１導電性下地層が、上記ベースフィルムの上記一方の面に接する第１層と上記第１層の上記ベースフィルムに接する面とは反対の面に設けられる第２層を含む請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント配線板。 【請求項６】 上記第１層が、ニッケル、クロム、チタン及び銀よりなる群から選択される少なくとも１種を含有する請求項５に記載のフレキシブルプリント配線板。 【請求項７】 上記第２層が、上記第２層において５０質量％以上の銅を含有する請求項５又は請求項６に記載のフレキシブルプリント配線板。 【請求項８】 ベースフィルムと、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に設けられる複数本の配線を有する配線層とを備えるフレキシブルプリント配線板の製造方法であって、 上記配線の平均線幅が３０μｍ以下、平均間隔が３０μｍ以下であり、 上記配線が銅系めっき層を有し、 上記銅系めっき層の電気抵抗率が１．６８×１０－８Ω・ｍより大きく、 上記銅系めっき層における銅結晶粒の平均直径が２μｍ以上１００μｍ以下であり、 上記銅系めっき層が硫黄、窒素及び炭素を含有し、 上記銅系めっき層中の上記硫黄の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記窒素の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記炭素の含有量が０．００１質量％以上０．０１質量％以下であり、 上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に導電性下地層を積層する工程と、 上記導電性下地層の表面にレジストパターンを形成する工程と、 めっき液中にて、上記導電性下地層上の上記レジストパターンの開口部に電気めっきすることにより、銅系めっき層を形成する工程と、 上記レジストパターン及び上記導電性下地層における上記銅系めっき層の非積層領域を除去する工程とを備え、 上記めっき液が第１有機化合物、第２有機化合物及び第３有機化合物を含有し、 上記第１有機化合物が３，３’－ジチオビス（１－プロパンスルホン酸）２ナトリウムを含み、 上記第２有機化合物がポリエチレングリコールを含み、 上記第３有機化合物が窒素含有有機化合物を含むフレキシブルプリント配線板の製造方法。 【請求項９】 上記第３有機化合物が、ジアリルアンモニウムと二酸化硫黄との共重合体、ポリビニルイミダゾリウム４級化物、ビニルピロリドンとビニルイミダゾリウム４級化物との共重合体及び４級ポリアミンから選ばれる１種以上である請求項８に記載のフレキシブルプリント配線板の製造方法。 【請求項１０】 上記めっき液中、 上記第１有機化合物の含有量は０．０００１質量％以上１質量％以下であり、 上記第２有機化合物の含有量は０．００４質量％以上５質量％以下であり、 上記第３有機化合物の含有量は０．０００１質量％以上０．５質量％以下である請求項８又は請求項９に記載のフレキシブルプリント配線板の製造方法。」 第４ 引用文献、引用発明等 １ 引用文献１について （１）引用文献１記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審により付与。以下同様。） Ａ 「技術分野 [0001] 本発明は、２層フレキシブル基板に関し、より具体的には、絶縁体フィルム上に銅層を形成した２層フレキシブル基板に関する。 背景技術 [0002] フレキシブル配線板を作製するために用いる基板として、２層フレキシブル基板が注目されている。２層フレキシブル基板は絶縁体フィルム上に接着剤を用いることなく直接銅導体層を設けたもので、基板自体の厚さを薄くすることができる上に、被着させる銅導体層の厚さも任意の厚さに調整することができるという利点を有する。このような２層フレキシブル基板を製造する場合は、絶縁体フィルム上に下地金属層を形成して、その上に電気銅めっきを行うのが一般的である。しかし、このようにして得られた下地金属層にはピンホールが多数発生し、絶縁フィルム露出部が生じ、薄膜の銅導体層を設けた場合は、ピンホールによる露出部分を埋めることができず、銅導体層表面にもピンホールが生じ、配線欠陥を生じる原因となっていた。この問題を解決する方法として、たとえば特許文献１に、絶縁体フィルム上に下地金属層を乾式めっき法により作製し、次に下地金属層上に１次電気銅めっき被膜を形成した後、アル力リ溶液処理を施し、しかる後無電解銅めっき被膜層を被着させ、最後に２次電気銅めっき被膜層を形成する２層フレキシブル基板の製造方法が記載されている。しかしこの方法では工程が複雑となる。」 Ｂ 「発明を実施するための最良の形態 [0008] 本発明の２層フレキシブル基板は、絶縁体フィルム上に銅層を形成したものであるが、絶縁体フィルム上に下地金属層を形成した上に、所定の厚さの銅層を電気めっきにより形成させることが好ましい。 [0009] 本発明の用いる絶縁体フィルムとしては、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノ一ル樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン樹脂等の熱可塑性樹脂、ポリアミド等の縮合ポリマー、等の樹脂の１種または２種以上の混合物からなるフィルムが挙げられる。ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等が好ましく、ポリイミドフィルムが特に好ましい。ポリイミドフィルムとしては、各種ポリイミドフィルム、例えば、カプトン(東レデュボン製）、ユーピレックス (宇部興産製)等が挙げられる。 絶縁体フィルムとしては、厚さ１０～５０μｍのフィルムが好ましい。 [0010] 絶縁体フィルム上には、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｖ等の単独元素または混合系などによる下地金属層層を、蒸着、スパッタ、またはめっき法等の公知の方法により形成させることができる。 下地金属層の厚さは１０～５００ｎｍが好ましい。 [0011] 本発明の２層フレキシブル基板は、これまで述べてきた下地金属層を形成した絶縁体フィルム上に、常法の電気めっきにより銅めっき層を形成したものである。 このときめっき液としては、通常の酸性銅めっき液を使用することができ、硫酸銅水溶液に、塩素、ノニオン系界面活性剤、硫黄系有機化合物を添加剤として混合した水溶液を用いることが好ましく、膜厚３～３０μｍの銅層を形成することが好ましい。」 Ｃ 「実施例 [0022] 次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。 実施例１～２、比較例１～３ 以下のめっき条件で下地金属層を有するポリイミドフィルムに電気めっきを行い、約８μｍの銅被膜を作製した。添加剤及びその添加量は表１記載の通りである。 液容量： 約 ８００ｍｌ アノード：鉛電極 力ソード：ポリイミドフィルムを卷きつけた回転電極 下地金属層を有するポリイミドフィルム： ３７．５μｍ厚のカプトンＥ (デュポン製）上にＮiＣｒを1０ｎｍ＋Ｃｕを２０００Åスパッタ成膜したもの。 電流時間：１３００Ａｓ 電流密度：５→１０→２０→３０Ａ／ｄｍ２と変化（各電流密度で４０秒ずつ保持） 流速： １９０ｒ，p．ｍ． Ｃｕ： ７０ｇ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４：６０ｇ／Ｌ Ｃｌ： ７５ｐｐｍ [0023] 得られた銅ポリイミド２層基板の表面粗さ (Ｒａ)（μｍ) (算術平均粗さ）を ＪＩＳ Ｂ ０６０１に準じて測定し、ポリイミドフィルムから １μｍのところの銅の平均結晶粒径を求め、欠陥の個数、エッチング特性、レジストとの密着性を評価した。 [0024] 平均結晶粒径： 平均結晶粒径は、ＦＩＢより断面を切断した後、ＳＩＭで観察し、ポリイミドから１μｍの高さの部分（１０ｍ幅）の結晶粒径の平均値を求めた。結果は表１に示す。 [0025] 欠陥の個数： 欠陥の個数は、銅層表面１ｄｍ２の欠陥数 (微小な突起またはくぼみの数)を目視にて求めた。尚、結果は表１に示す。 [0026] エッチング特性： エッチング特性は、エッチング率により評価した。エッチング率は、２０μｍピッチのラインを形成し、下記に示す計算式に基づき計算した。 エッチング率＝ｈ／｛（ｂ－ｔ）／２｝（＝ｔａｎθ） ｈ、ｂ、ｔは図１に示すように、ｈ＝エッチングの深さ、ｂ＝基板表面のエッチングの幅、ｔ＝エッチング底面のエッチングの幅を示す。 結果は表１に示す。」 Ｄ 「[図 1] ［図：0001407627000001.jpg］ 」 Ｅ 「[0028] [表 1] ［図：0001407627000002.jpg］ 」 Ｆ 上記Ｃの段落[0022]、[0026]によれば、実施例１～２、比較例１～３として得られた２層フレキシブル基板に、エッチングにより２０μｍピッチのラインを形成することが記載されている。また、ライン（配線）が形成された２層フレキシブル基板はフレキシブル配線板といえる。 してみると、引用文献１には、比較例２として、２層フレキシブル基板に、エッチングにより２０μｍピッチのライン（配線）を形成したフレキシブル配線板が記載されているといえる。 Ｇ 上記Ｂの段落[0008]、Ｃの段落[0022]によれば、比較例２として、ポリイミドフィルム上に下地金属層を形成した上に、約８μｍの厚さの銅層を電気めっきにより形成させた２層フレキシブル基板が記載されている。 Ｈ 上記Ｂの段落[0011]、Ｃの段落[0022]、Ｅの[表 1]によれば、比較例２のめっき液として、硫酸銅水溶液、塩素、ＳＰＳ（ビス（３－スルフォプロピル）ジ－スルフィド２ナトリウム）を３０ｐｐｍ、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を５０ｐｐｍ、ＪＧＢ（ヤーヌス－グリーンＢ（含窒素化合物））を３０ｐｐｍ、混合したものを用いることが記載されている。 また、Ｃの段落[0022]によれば、比較例２におけるめっきは、電流密度を５→１０→２０→３０Ａ／ｄｍ２と変化（各電流密度で４０秒ずつ保持）させて行うことが記載されている。 Ｉ Ｃの段落[0024]、Ｅの[表 1]によれば、比較例２の、ポリイミドから１μｍの高さの部分（１０ｍ幅）の結晶粒径の平均値が、０．９μｍであることが記載されているといえる。 （２）引用発明１ 上記（１）から、引用文献１には、特に比較例２に注目すると、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。 「ポリイミドフィルム上に下地金属層を形成した上に、約８μｍの厚さの銅層を電気めっきにより形成させた２層フレキシブル基板に、２０μｍピッチのライン（配線）をエッチングで形成したフレキシブル配線板において、 銅層の電気めっきは、めっき液として、硫酸銅水溶液、塩素、ＳＰＳ（ビス（３－スルフォプロピル）ジ－スルフィド２ナトリウム）を３０ｐｐｍ、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を５０ｐｐｍ、ＪＧＢ（ヤーヌス－グリーンＢ（含窒素化合物））を３０ｐｐｍ、混合したものを用いて、電流密度を５→１０→２０→３０Ａ／ｄｍ２と変化（各電流密度で４０秒ずつ保持）させて電気めっきを行ったものであって、 ポリイミドから１μｍの高さの部分（１０ｍ幅）の結晶粒径の平均値が、０．９μｍである、 フレキシブル配線板。」 ２ 引用文献２について （１）引用文献２記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、次の事項が記載されている。 Ａ 「【００４１】 （５）フレキシブル配線板 上記２層フレキシブル基板の少なくとも片面に、配線パターンを個別に形成することによりフレキシブル配線板が得られる。また、基板の所定の位置に、層間接続のためのヴィアホールを形成して、各種用途に用いることもできる。 【００４２】 より具体的な配線パターンの形成方法としては、例えば、次の（Ａ）～（Ｃ）がある。 （Ａ）高密度配線パターンを２層フレキシブル基板の少なくとも片面に個別に形成する。 （Ｂ）必要に応じて、その配線層が形成された２層フレキシブル基板に、配線層と２層フレキシブル基板とを貫通するヴィアホールを形成する。 （Ｃ）場合によっては、そのヴィアホール内に、導電性物質を充填してホール内を導電化する。 【００４３】 この配線パターンの形成方法としては、従来公知のセミアディティブ法を使用する。 例えば、少なくとも片面に下地金属層と銅被膜層が順に形成された２層フレキシブル基板を準備して、その銅被膜層表面を化学研磨した上に、ドライフィルムレジストをラミネートして感光性レジスト膜を形成後、露光・現像してパターニングを行い、次いで、得られた回路パターンから露出した通電に使用している下地金属層と銅被膜層からなる金属膜の積層体の上に、電解銅めっきにて銅めっき層を形成する。 さらに、回路パターンを剥離除去した後、フラッシュエッチングで、銅めっき層の周囲に露出した通電用の銅被膜層を溶解除去して、最後に銅めっき層の周囲に露出した下地金属層を溶解除去する。 その後、必要に応じて、配線パターンの表面に、スズなどの金属めっきを施し、ソルダーレジストなどを形成することにより、フレキシブル配線板を得る。」 Ｂ 「【実施例１】 【００５３】 ３５μｍ厚のポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製、商品名「ユーピレックス（登録商標）３５ＳＧＡ」）の片面に、下地金属層として、２０質量％Ｃｒ－Ｎｉ合金ターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、２０質量％Ｃｒ－Ｎｉ合金下地金属層を２０ｎｍの厚さに成膜した。続いて、その上に銅薄膜層として、Ｃｕターゲット（住友金属鉱山株式会社製）を用いた直流スパッタリング法により、２００ｎｍの厚さに成膜した。その後、電気めっきにより、銅めっき被膜層を０．８μｍ積層し、銅薄膜層と合わせた銅被膜層を１μｍとした。 用いた銅めっき液は、温度：２７℃、ｐＨ：１以下の硫酸銅溶液であり、硫黄原子を持つ有機化合物としてＳＰＳ（ＢｉＳ（３－ｓｕｌｆｏｐｒｏｐｙｌ）ｄｉｓｕｌｆｉｄｅ）を８質量ｐｐｍ含有させた。 【００５４】 銅めっき被膜表面から深さ０．４μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を測定したところ、６０質量ｐｐｍであった。 その後、上記中心線平均粗さ（Ｒａ）の測定方法に従って、得られた基板の中心線平均粗さ（Ｒａ）を測定した。結果を表１に示す。 【００５５】 次に、作製した基板に、ドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社製、ＲＹ－３３１５）を積層した後、露光、現像し、配線ピッチが２０μｍ（ライン幅；１０μｍ、スペース幅；１０μｍ）となるように、回路パターンを形成した。レジスト層の剥離は確認されなかった。 【００５６】 次いで、下地金属層と銅被膜層（銅薄膜層及び銅めっき被膜からなる）で構成する金属膜の積層体を通電に使用して、露出した銅めっき被膜の上に、硫酸銅を主成分とする液を用いた電解めっき法により、銅めっき層を形成した。銅めっき層を形成後、濃度４％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて、５０℃の液温で１２０秒間浸漬処理し、銅めっき層の周囲の回路パターンを剥離、除去した。最後に、露出した銅めっき被膜層を、濃度１０％の硫酸＋濃度３０％の過酸化水素溶液を用いてエッチング除去し、更に、濃度１０％の塩酸＋濃度１０％の硫酸溶液で、下地金属層をエッチング除去した。 【００５７】 配線の断面をＳＥＭで観察したところ、配線底部のアンダーカット量比率（Ｗ１－Ｗ２）／２Ｗ１が、後述する比較例に比して小さく、０．０３であった。」 Ｃ 上記Ａの段落【００４１】には、２層フレキシブル基板の少なくとも片面に、配線パターンを個別に形成することにより得られるフレキシブル配線板が記載されている。 Ｄ 上記Ａの段落【００４３】、Ｂの段落【００５３】には、２層フレキシブル基板は、３５μｍ厚のポリイミドフィルムの片面に、下地金属層として、２０質量％Ｃｒ－Ｎｉ合金下地金属層を２０ｎｍの厚さに成膜し、その上に銅薄膜層として、２００ｎｍの厚さに成膜した後、電気めっきにより、銅めっき被膜層を０．８μｍ積層し、銅薄膜層と合わせた銅被膜層を１μｍとして作成することが記載されている。 Ｅ 上記Ａの段落【００４３】、Ｂの段落【００５５】、【００５６】には、フレキシブル配線板は、作成した２層フレキシブル基板に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光、現像し、配線ピッチが２０μｍ（ライン幅；１０μｍ、スペース幅；１０μｍ）となるように、回路パターンを形成し、次いで、下地金属層と銅被膜層（銅薄膜層及び銅めっき被膜からなる）で構成する金属膜の積層体を通電に使用して、露出した銅めっき被膜の上に、硫酸銅を主成分とする液を用いた電解めっき法により、銅めっき層を形成した後、銅めっき層の周囲の回路パターンを剥離、除去し、露出した銅めっき被膜層を、エッチング除去し、更に、下地金属層をエッチング除去したものであることが記載されている。 （２）引用発明２ 上記（１）から、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。 「２層フレキシブル基板の少なくとも片面に、配線パターンを個別に形成することにより得られるフレキシブル配線板において、 ２層フレキシブル基板は、３５μｍ厚のポリイミドフィルムの片面に、下地金属層として、２０質量％Ｃｒ－Ｎｉ合金下地金属層を２０ｎｍの厚さに成膜し、その上に銅薄膜層として、２００ｎｍの厚さに成膜した後、電気めっきにより、銅めっき被膜層を０．８μｍ積層し、銅薄膜層と合わせた銅被膜層を１μｍとして作成したものであって、 フレキシブル配線板は、作成した２層フレキシブル基板に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光、現像し、配線ピッチが２０μｍ（ライン幅；１０μｍ、スペース幅；１０μｍ）となるように、回路パターンを形成し、次いで、下地金属層と銅被膜層（銅薄膜層及び銅めっき被膜からなる）で構成する金属膜の積層体を通電に使用して、露出した銅めっき被膜の上に、硫酸銅を主成分とする液を用いた電解めっき法により、銅めっき層を形成した後、銅めっき層の周囲の回路パターンを剥離、除去し、露出した銅めっき被膜層を、エッチング除去し、更に、下地金属層をエッチング除去したものである、 フレキシブル配線板。」 ３ 引用文献３について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、次の事項が記載されている。 Ａ 「【００３５】 本発明においては、上述したような電気銅めっき浴を用いて基板上に形成されたビアホールをビアフィルめっきする。電気めっき条件としては、従来公知の条件が適用し得るが、陰極電流密度は０．０５～５Ａ／ｄｍ2、特に０．５～３Ａ／ｄｍ2とすることが好ましい。また、撹拌は、一般的に用いられている手法、例えば、エアーレーション、噴流、スキージ等を用いることが可能である。 ・・・中略・・・ 【００４５】 ［実施例１］ シリコンウエハーにエッチングで、開口部を５０μｍ角、深さ１５０μｍ、アスペクト比３．０のビアホールを形成し、そのビア内壁に絶縁層を形成後、めっき下地層としてＣｕの拡散バリア層（ＴｉＮ）、及びめっき開始のシード層（Ｃｕ）を成膜したものに、硫酸銅５水塩２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ、ブライトナーとしてＳＰＳ［ビス－（３－ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド］２ｍｇ／Ｌ、キャリアーとしてＰＥＧ［ポリエチレングリコール（平均分子量７５００）］５００ｍｇ／Ｌ、レベラーとしてビニルピロリドン（ＶＰ）とビニルイミダゾリウムクロライド（ＶＩＣｌ）との共重合物（平均分子量 約６００００（上記式（２）中のｐ＝２０，ｑ＝４００に相当） ＶＰ：ＶＩＣｌ＝５：９５（ｍｏｌ比））５ｍｇ／Ｌを含有する電気銅めっき浴を用い、Ｄｋ＝０．５Ａ／ｄｍ2、めっき時間１８０分の条件でビアフィルめっきを行った。」 ４ 引用文献４について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、次の事項が記載されている。 Ａ 「実施例１ [0048] 実施例１では、電解銅めっき液の組成及び電流密度を一定とした場合における、ワークの被めっき面に対する当該電解銅めっき液の噴流条件別の析出膜厚の変化について確認を行った。この実施例１では、ワークに対して、アルカリ脱脂（５ｍｉｎ×３回）を行った後に酸洗い（１ｍｉｎ×３回）を行い、電気銅めっきを施した。また、電解銅めっき処理を行うに際し、めっき処理温度は、２５℃とし、電流密度は５０Ａ／ｄｍ２とした。 [0049] 実施例１で用いる電解銅めっき液の組成は、以下に示す通りである。また、実施例１で用いるワークは、１０×２０×０．５（ｍｍ）の板状の鋼材とした。 [0050] ＜電解銅めっき液の組成＞ ・硫酸銅５水和物（ＣＵＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）：２５０ｇ／ｌ ・硫酸（Ｈ２ＳＯ４）：５０ｇ／ｌ ・塩化物イオン（ＮａＣｌ）：５０ｍｇ／ｌ ・ポリエチレングリコール（ＰＥＧ２０００）：３０ｍｇ／ｌ ・ビス（３－スルホプロピル）ジスルフィド（ＳＰＳ）：５０ｍｇ／ｌ ・ヤヌスグリーンＢ（ＪＧＢ）：３０ｍｇ／ｌ」 ５ 引用文献５について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には、次の事項が記載されている。 Ａ 「【００４９】 本発明の電気メッキ溶液は、成分を如何なる順序で組み合わせて製造しても良い。無機成分、例えば金属塩、水、電解質、及び任意のハロゲン化物イオンが溶液容器に最初に加えられ、次に有機成分、例えば平滑剤、促進剤、抑制剤、界面活性剤等が加えられることが好ましい。 ・・・中略・・・ 【００５６】 特に好ましい促進剤は以下のものである： －ＳＰＳ：ビス－（３－スルホプロピル）－ジスルフィドジソジウム塩 －ＭＰＳ：３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸、ナトリウム塩。 ・・・中略・・・ 【００５８】 このような促進剤は、典型的には、メッキ溶液の合計質量に対して、約０．１ｐｐｍ～約３０００ｐｐｍの量で使用される。本発明にとって有用な促進剤の特に適切な量は、１～５００ｐｐｍ、及びより特定的には、２～１００ｐｐｍである。 【００５９】 如何なる追加的な抑制剤も、本発明に有利に使用して良い。本発明にとって有用な抑制剤は、ポリマー性材料、特にヘテロ原子置換基及びより特定的には酸素置換基を有するものを含むが、これらに限定されるものではない。抑制剤が、ポリアルキレンオキシドであることが好ましい。適切な抑制剤は、ポリエチレングリコールコポリマー、特に、ポリエチレングリコールポリプロピレングリコールコポリマーを含む。適切な抑制剤のエチレンオキシドとプロピレンオキシドの配列は、ブロック、交互、傾斜（勾配）、又はランダムであって良い。ポリアルキレングリコールは、更なるアルキレンオキシド形成ブロック、例えばブチレンオキシドを含んでも良い。好ましくは、適切な抑制剤の平均分子量は、約２０００ｇ／モルを超える。適切なポリアルキレングリコールの出発分子は、アルキルアルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ｎ－ブタノール、及びこれらに類似するもの、アリールアルコール、例えばフェノール、及びビスフェノール、アルカリルアルコール、例えばベンジルアルコール、ポリオール開始剤、例えばグリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリチリトール、ソルビトール、炭水化物、例えばサッカロース、及びこれらに類似するもの、アミン、及びオリゴアミン、例えばアルキルアミン、アリールアミン、例えばアニリン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、及びこれらに類似するもの、アミド、ラクタム、複素環式アミン、例えばイミダゾール及びカルボン酸であっても良い。任意に、ポリアルキレングリコール抑制剤がイオン基、例えばサルフェート、スルホネート、アンモニウム、及びこれらに類似するものによって官能化されても良い。 【００６０】 抑制剤が使用される場合、これらは、典型的には、溶液の質量に対して、約１～約１００００ｐｐｍの範囲、好ましくは約５～約１００００ｐｐｍの範囲の量で存在する。 【００６１】 本発明に従う金属メッキ溶液中に、平滑剤を有利に使用することができる。ここで、「平滑剤」と「レベラー」は同意語として使用される。 【００６２】 適切な平滑剤は、１種以上のポリエチレンイミン、及びこれらの誘導体、四級化ポリエチレンイミン、ポリグリシン、ポリ（アリルアミン）、ポリアニリン、ポリウレア、ポリアクリルアミド、ポリ（メラミン－コ－ホルムアルデヒド）、アミンとエピクロロヒロリンの反応生成物、アミン、エピクロロヒドリン、及びポリアルキレンオキシドの反応生成物、アミンと、ポリエポキシド、ポリビニルピリジン、ポリビニルイミダゾール、ポリビニルピロリドン、又はこれらのコポリマーの反応生成物、ニグロシン、ペンタメチル－パラ－ロザニリンヒドロハライド、ヘキサメチル－パラロザニリンヒドロハライド、トリアルカノールアミン、及びその誘導体、又は式Ｎ－Ｒ－Ｓ（但し、Ｒが、置換されたアルキル、無置換のアルキル、置換されたアリール、又は無置換のアリールである）の官能基を含む化合物を含むが、これらに限定されるものではない。代表例では、アルキル基は、（Ｃ１～Ｃ６）アルキル、及び好ましくは（Ｃ１～Ｃ４）アルキルである。通常、アリール基は、（Ｃ６～Ｃ２０）アリール、好ましくは（Ｃ６～Ｃ１０）アリールを含む。このようなアリール基は、更に、ヘテロ原子、例えば硫黄、窒素、及び酸素を含む。アリール基が、フェニル、又はナフチルであることが好ましい。式Ｎ－Ｒ－Ｓの官能基を含む化合物が一般に知られており、一般に市販されており、及び更に精製することなく使用しても良い。 ・・・中略・・・ 【００８７】 通常、電気メッキ溶液内の平滑剤の合計量は、メッキ溶液の合計量に対して、０．５ｐｐｍ～１００００ｐｐｍである。本発明に従う平滑剤は、メッキ溶液の合計量に対して、典型的には、約０．１ｐｐｍ～約１０００ｐｐｍの合計量で使用され、及びより典型的には、１～１００ｐｐｍの合計量で使用されるが、これよりも多い量、又は少ない量も使用して良い。本発明に従う電気メッキ溶液は、１種以上の任意の添加剤を含んでも良い。このような任意の添加剤は、促進剤、抑制剤、界面活性剤、及びこれらに類似するものを含むが、これらに限定されるものではない。このような抑制剤、及び促進剤は、この技術分野では公知である。抑制剤及び／又は促進剤の使用する種類と量は、この技術分野の当業者にとって明確である。」 ６ 引用文献６について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６には、次の事項が記載されている。 Ａ 「【００３１】 また、熱処理後の銅層における銅の平均結晶粒径は、銅層のビッカース硬度並びに屈折時における常温下での動的再結晶の発現の観点から、２μｍ以上であることが好ましい。銅層における銅の平均結晶粒径は、フレキシブル性銅張積層板をサブトラクティブ法でフレキシブル配線基板に加工する際にエッチングで形成される配線の形状にも影響するため、１２μｍ以下とすることが好ましく、２μｍ～９μｍの範囲が更に好ましい。尚、銅の結晶粒径は、ＳＥＭのＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）により測定することができる。」 第５ 対比・判断 １ 引用文献１を主引例とする場合 （１）本願発明１について Ａ 対比 本願発明１と引用発明１とを対比する。 ア 引用発明１の「ポリイミドフィルム」は、本願発明１の「ベースフィルム」に相当する。 引用発明１の「フレキシブル配線板」は、「ポリイミドフィルム上に下地金属層を形成した上に、約８μｍの厚さの銅層を電気めっきにより形成させた２層フレキシブル基板に、２０μｍピッチのライン（配線）をエッチングで形成した」ものである。 したがって、引用発明１の「ライン（配線）」は、本願発明１の「配線」に相当し、後記の点で相違するものの、引用発明１の「フレキシブル配線板」は、本願発明１の「ベースフィルムと、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に設けられる複数本の配線を有する配線層とを備えるフレキシブルプリント配線板」に対応するものである。 イ 引用発明１では、「２０μｍピッチのライン（配線）をエッチングで形成」するものであって、通常であれば、配線の幅を１０μｍ、配線の間隔を１０μｍで形成されているものと認められる。 してみると、引用発明１は、本願発明１の「上記配線の平均線幅が３０μｍ以下、平均間隔が３０μｍ以下であ」るという構成を備えているものといえる。 ウ 引用発明１の「銅層」の「ライン（配線）」は、「電気めっきにより形成さ」れた「銅層」を「エッチング」して形成したものであるから、銅系のめっき層を有していることは明らかである。 したがって、引用発明１は、本願発明１の「上記配線が銅系めっき層を有」するという構成を備えるものである。 エ 引用発明１の「ライン（配線）」が形成される「電気めっきにより形成さ」れた「銅層」は、「硫酸銅水溶液、塩素、ＳＰＳ（ビス（３－スルフォプロピル）ジ－スルファイド２ナトリウム）を３０ｐｐｍ、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）を５０ｐｐｍ、ＪＧＢ（ヤーヌスグリーンＢ（含窒素化合物））を３０ｐｐｍ、混合した」「めっき液」を用いるものである。 ここで、「ＳＰＳ」は硫黄を含み、「ＪＧＢ」は窒素化合物であり、「ＳＰＳ」、「ＰＥＧ」、「ＪＧＢ」は炭素を含むものであるから、引用発明１の「銅層」には、微量かもしれないが、硫黄、窒素及び炭素が含有するものと認められる。 してみると、引用発明１は、本願発明１の「上記銅系めっき層が硫黄、窒素及び炭素を含有」するという構成を備えるものである。 したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 〈一致点〉 「 ベースフィルムと、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に設けられる複数本の配線を有する配線層とを備えるフレキシブルプリント配線板であって、 上記配線の平均線幅が３０μｍ以下、平均間隔が３０μｍ以下であり、 上記配線が銅系めっき層を有し、 上記銅系めっき層が硫黄、窒素及び炭素を含有する、 フレキシブルプリント配線板。」 〈相違点１〉 本願発明１では、 「上記銅系めっき層の電気抵抗率が１．６８×１０－８Ω・ｍより大きく、 上記銅系めっき層における銅結晶粒の平均直径が２μｍ以上１００μｍ以下であ」るのに対して、 引用発明１では、「銅層」についてその旨の特定がされていない点。 〈相違点２〉 本願発明１では、 「上記銅系めっき層中の上記硫黄の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記窒素の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記炭素の含有量が０．００１質量％以上０．０１質量％以下である」るのに対して、 引用発明１では、「銅層」についてその旨の特定がされていない点。 Ｂ 相違点についての判断 「銅系めっき層」について相互に関連する、上記相違点１及び相違点２について、まとめて検討する。 引用文献３～５には、めっき液に、ＳＰＳ、ＰＥＧ、窒素化合物を混合することは記載されているが、このめっき液でめっきされためっき層中に硫黄、窒素、炭素がどの程度含有されるかは記載されておらず、また、含有されることで電気抵抗が大きくなることに関しても記載されていない。また、引用文献６にも、この点は記載されていない。 さらに、通常であれば、抵抗は小さいほうがよいものであり、引用発明１において、「銅層」の抵抗を通常の純銅の抵抗値より大きくする理由が認められない。 また、銅系めっき層中に硫黄の含有量を０．０００１質量％以上０．００５質量％以下とし、窒素の含有量を０．０００１質量％以上０．００５質量％以下とし、炭素の含有量を０．００１質量％以上０．０１質量％以下とすることで、銅系めっき層の電気抵抗率が１．６８×１０－８Ω・ｍより大きくなることが周知の技術であったとも認められない。 したがって、本願発明１は、当業者であっても引用文献１に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 （２）本願発明２ないし７について 本願発明２ないし７は、本願発明１に従属する発明であって、本願発明１と同じ構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用文献１に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本願発明８について 本願発明８は、本願発明１に対応する「方法」の発明であり、本願発明１とカテゴリ表現が異なるだけの発明である。したがって、本願発明８は、本願発明１の構成に対応する構成を実質的に備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４）本願発明９、１０について 本願発明９、１０は、本願発明８に従属する発明であって、本願発明１の構成に対応する構成を実質的に備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用文献１に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２ 引用文献２を主引例とする場合 （１）本願発明１について Ａ 対比 本願発明１と引用発明２とを対比する。 ア 引用発明２の「ポリイミドフィルム」は、本願発明１の「ベースフィルム」に相当する。 引用発明２の「フレキシブル配線板」は、「３５μｍ厚のポリイミドフィルム」からなる「２層フレキシブル基板に、ドライフィルムレジストを積層した後、露光、現像し、配線ピッチが２０μｍ（ライン幅；１０μｍ、スペース幅；１０μｍ）となるように、回路パターンを形成し、次いで、下地金属層と銅被膜層（銅薄膜層及び銅めっき被膜からなる）で構成する金属膜の積層体を通電に使用して、露出した銅めっき被膜の上に、硫酸銅を主成分とする液を用いた電解めっき法により、銅めっき層を形成した後、銅めっき層の周囲の回路パターンを剥離、除去し、露出した銅めっき被膜層を、エッチング除去し、更に、下地金属層をエッチング除去したものである」ものであって、「ポリイミドフィルム」の少なくとも一方の面に「回路パターン」に対応する「配線」を有する配線層を備えているといえる。 したがって、引用発明２の「配線」は、本願発明１の「配線」に相当し、後記の点で相違するものの、引用発明２の「フレキシブル配線板」は、本願発明１の「ベースフィルムと、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に設けられる複数本の配線を有する配線層とを備えるフレキシブルプリント配線板」に対応するものである。 イ 引用発明２では、「配線ピッチが２０μｍ（ライン幅；１０μｍ、スペース幅；１０μｍ）」で「配線」を形成するものであるから、引用発明２は、本願発明１の「上記配線の平均線幅が３０μｍ以下、平均間隔が３０μｍ以下であ」るという構成を備えるものである。 ウ 引用発明２の「配線」は、「電解めっき法」により形成された「銅めっき層」であるから、引用発明２の「銅めっき層」は、本願発明１の「銅系めっき層」に相当し、引用発明２は、本願発明１の「上記配線が銅系めっき層を有」するという構成を備えるものである。 したがって、本願発明１と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 〈一致点〉 「 ベースフィルムと、上記ベースフィルムの少なくとも一方の面に設けられる複数本の配線を有する配線層とを備えるフレキシブルプリント配線板であって、 上記配線の平均線幅が３０μｍ以下、平均間隔が３０μｍ以下であり、 上記配線が銅系めっき層を有する、 フレキシブルプリント配線板。」 〈相違点３〉 本願発明１では、 「上記銅系めっき層の電気抵抗率が１．６８×１０－８Ω・ｍより大きく、 上記銅系めっき層における銅結晶粒の平均直径が２μｍ以上１００μｍ以下であ」るのに対して、 引用発明２では、「銅めっき層」についてその旨の特定がされていない点。 〈相違点４〉 本願発明１では、 「上記銅系めっき層が硫黄、窒素及び炭素を含有し、 上記銅系めっき層中の上記硫黄の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記窒素の含有量が０．０００１質量％以上０．００５質量％以下であり、上記炭素の含有量が０．００１質量％以上０．０１質量％以下である」るのに対して、 引用発明２では、「銅めっき層」についてその旨の特定がされていない点。 Ｂ 相違点についての判断 「銅系めっき層」について相互に関連する、上記相違点３及び相違点４について、まとめて検討する。 引用文献３～５には、めっき液に、ＳＰＳ、ＰＥＧ、窒素化合物を混合することは記載されているが、このめっき液でめっきされためっき層中に硫黄、窒素、炭素がどの程度含有されるかは記載されておらず、また、含有されることで電気抵抗が大きくなることに関しても記載されていない。また、引用文献６にも、この点は記載されていない。 さらに、通常であれば、抵抗は小さいほうがよいものであり、引用発明２において、「銅めっき層」の抵抗を通常の純銅の抵抗値より大きくする理由が認められない。 また、銅系めっき層中に硫黄の含有量を０．０００１質量％以上０．００５質量％以下とし、窒素の含有量を０．０００１質量％以上０．００５質量％以下とし、炭素の含有量を０．００１質量％以上０．０１質量％以下とすることで、銅系めっき層の電気抵抗率が１．６８×１０－８Ω・ｍより大きくなることが周知の技術であったとも認められない。 したがって、本願発明１は、当業者であっても引用文献２に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。 （２）本願発明２ないし７について 本願発明２ないし７は、本願発明１に従属する発明であって、本願発明１と同じ構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用文献２に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本願発明８について 本願発明８は、本願発明１に対応する「方法」の発明であり、本願発明１とカテゴリ表現が異なるだけの発明である。したがって、本願発明８は、本願発明１の構成に対応する構成を実質的に備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用文献２に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４）本願発明９、１０について 本願発明９、１０は、本願発明８に従属する発明であって、本願発明１の構成に対応する構成を実質的に備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても引用文献２に記載された発明、および引用文献３～６に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 第６ むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。