2022-019348

第１ 手続の経緯

本願は、平成３０年４月２４日（優先権主張 平成２９年４月２８日）の出願であって、その手続の経緯は、概略以下のとおりである。

令和４年 ３月１４日付け 拒絶理由通知

令和４年 ５月１７日 意見書・手続補正書 提出

令和４年 ９月 ５日付け 拒絶査定

令和４年１１月３０日 審判請求書・手続補正書 提出

第２ 原査定の概要

原査定（令和４年９月５日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。

（進歩性）この出願の請求項１および４に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明および引用文献２ならびに３に記載された周知技術に基いて、この出願の請求項２ないし４に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明および引用文献２ないし５に記載された周知技術に基いて、この出願の請求項５に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明および引用文献２、３ならびに６に記載された周知技術に基いて、この出願の請求項６および７に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明および引用文献２ないし７に記載された周知技術に基いて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

＜引用文献等一覧＞

１．国際公開第２０１７／０４７０７２号

２．国際公開第２０１６／２０４２０８号（周知技術を示す文献）

３．特開２００３－０３４８２８号公報（周知技術を示す文献）

４．特開２００７－２９４９１８号公報（周知技術を示す文献）

５．特開２０１７－０５９７０８号公報（周知技術を示す文献）

６．特開２００４－２０７６４２号公報（周知技術を示す文献）

７．特開２００５－２１０６２８号公報（周知技術を示す文献）

第３ 本願発明

本願の請求項１ないし７に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明７」という。）は、令和４年１１月３０日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される、以下のとおりの発明である。

「【請求項１】

第１絶縁層と、

前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、

前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、

続きを表示（全52行）

前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、

前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と、を備え、

前記シールド層は、

導電層と、

前記導電層を前記厚み方向に挟む２つのバリア層と、を備え、

前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され、

前記バリア層は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択され、

前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し、

前記第２絶縁層は、前記配線と直接接触し、

前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第２絶縁層と直接接触し、

前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、

前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記導電層と直接接触し、

前記第３絶縁層は、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層と直接接触し、

前記導電層の厚みが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下であり、

前記シールド層は、前記第２絶縁層の厚み方向一方面全体に接触することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。

【請求項２】

前記第２絶縁層および前記第３絶縁層のそれぞれの材料は、ポリイミドであることを特徴とする、請求項１に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項３】

前記バリア層は、チタン、クロム、ニッケル、パラジウムおよびタンタルからなる群から選択される１種の金属であることを特徴とする、請求項２に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項４】

前記配線は、グランド配線を含み、

前記シールド層は、前記バリア層が前記グランド配線と接触することにより、前記グランド配線と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項５】

第１絶縁層と、

前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、

前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、

前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、

前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と、を備え、

前記シールド層は、

導電層と、

前記導電層を前記厚み方向に挟む２つのバリア層と、を備え、

前記厚み方向において、前記配線と前記第２絶縁層との間に配置される第４絶縁層および第２配線をさらに備え、

前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され、

前記バリア層は、周期表第４族～第１０族、かつ、第４周期～第６周期に属する金属から選択され、

前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し、

前記第４絶縁層は、前記配線と直接接触し、

前記第２配線は、前記第４絶縁層と直接接触し、

前記第２絶縁層は、前記２配線と直接接触し、

前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第２配線および前記第２絶縁層と直接接触し、

前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、

前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記第３絶縁層と直接接触し、

前記導電層の厚みが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下であり、

前記シールド層は、前記第２絶縁層の厚み方向一方面全体に接触することを特徴とする、フレキシブル配線回路基板。

【請求項６】

撮像素子を実装するための撮像素子実装基板であることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板。

【請求項７】

請求項１～５のいずれか一項に記載のフレキシブル配線回路基板と、

前記フレキシブル配線回路基板に実装される撮像素子と、を備えることを特徴とする、撮像装置。」

第４ 引用文献

１ 引用文献１および引用発明

（２）引用発明

上記（１）の、特に下線を付加した記載に着目すると、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

「配線回路とのインピーダンスを容易に整合させることができるシールドプリント配線板であって、

絶縁層の上に所定のパターン形状としたレジスト樹脂を載せて、その上に金属層を全面に設け、その後レジスト樹脂を溶剤により除去することによってレジスト樹脂上の金属層をともに除去し、レジスト樹脂上以外に設けた金属層は絶縁層の上に残してシールド層とするので、所望のシールドパターンを少ない工程で容易に作成することができるものであり、

シールド層を備えたシールドプリント配線板のプリント配線板本体部１０は、ベース基材１１と、ベース基材１１の上に設けられたグランド配線１２および信号配線１４と、前記グランド配線１２を覆うと共にグランド配線１２の一部が露出するように開口部１８が設けられた絶縁層１３を有しており、

プリント配線板本体部１０の上には所望のパターン形状のシールド層３１，３２が載せられており、

このシールドプリント配線板を伝送配線として用いる場合、シールド層３１，３２の所望のパターン形状を適切に選択することにより、入出力回路と合わせたインピーダンス不整合によるノイズの漏れ、及び外部からノイズを拾ってしまうことを防ぐことができ、シールドプリント配線板の高周波伝送特性が良好となるものであり、

金属層３０の金属種は銅、銀、金、ニッケルなど種々のものを使用することができ、

金属層３０の厚みは７ｎｍ以上、０．３μｍ以下であることが好ましい

シールドプリント配線板。」

２ 引用文献２ないし７

（１）引用文献２

原査定の拒絶理由において、周知技術を示すものとして引用された引用文献２（国際公開第２０１６／２０４２０８号）には、図面とともに次の事項が記載されている。

ア 「技術分野

[0001] 本発明は、配線基板に実装された部品を被覆する封止樹脂層と、封止樹脂層に積層されたシールド層とを備えるモジュールおよびその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 携帯端末装置などに搭載されるモジュールには、電磁波を遮蔽するためのシールド層が設けられる場合がある。この種のモジュールの中には、配線基板上に実装された部品がモールド樹脂で被覆され、該モールド樹脂の表面を被覆するようにシールド層が設けられるものがある。シールド層は、電磁波のシールドを目的とするＣｕやＡｌ、Ａｇなどの導電膜を有するのが一般的であるが、これらの金属膜は、いずれもモールド樹脂との密着強度が弱く、耐腐食性も十分ではないという課題がある。

続きを表示（全12行）

[0003] そこで、従来では、樹脂との密着性が高く、耐腐食性に優れたシールド層が提案されている。例えば、図５に示すように、特許文献１に記載のモジュール１００は、樹脂基板１０１と、該樹脂基板１０１の上面に積層されたシールド層１０２とを備え、シールド層１０２が、樹脂基板１０１上に成膜された密着膜１０２ａと、該密着膜１０２ａ上に成膜された導電膜１０２ｂと、該導電膜１０２ｂ上に成膜された保護膜１０２ｃの３層構造で形成される。ここで、導電膜１０２ｂは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかで形成される。また、密着膜１０２ａは、樹脂基板１０１との密着強度が導電膜１０２ｂよりも高いＳＵＳで形成される。また、導電膜１０２ｂ上に成膜される保護膜１０２ｃは、導電膜１０２ｂよりも耐腐食性の高いＳＵＳで形成されている。このように、シールド層１０２を３層構造で形成することで、密着強度と耐腐食性等の向上が図られている。

先行技術文献

特許文献

[0004]特許文献１：特開２００７－２４３１２２号公報（段落００１９～００２６、図１等参照）

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0005] しかしながら、従来のシールド層１０２の保護膜１０２ｃを形成するＳＵＳは、その表面においてＣｒが酸素と結合して不動態被膜を形成するため耐腐食性に優れるが、硬度が低く（ビッカース硬度…ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１０ともに２００ＨＶ以下）、シールド形成後の工程（バンプ印刷や測定など）で製品が冶具などに接触する際、シールド膜表面に傷が入りやすい問題がある。そこで、シールド層の耐傷性の向上を図るために、保護膜の硬度の向上が要求されている。

[0006] 本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、密着強度および耐傷性に優れたシールド層を備えるモジュールを提供することを目的とする。」

イ 図１

［図：0001404449000002.jpg］

ウ 「[0019] ＜第１実施形態＞

本発明の第１実施形態にかかるモジュール１について、図１を参照して説明する。なお、図１はモジュール１の断面図である。

[0020] この実施形態にかかるモジュール１は、図１に示すように、配線基板２と、該配線基板２の一方主面に実装された複数の部品３と、配線基板２の上面に設けられ、各部品３を覆う封止樹脂層４と、封止樹脂層４の表面を被覆して設けられたシールド層５とを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。

[0021] 配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成され、上面（本発明の「配線基板の主面」に相当）には、各部品３の実装用の複数のランド電極６が形成される。また、内部には、接地用のグランド電極７や各種配線電極（図示省略）、並びに複数のビア導体（図示省略）が形成されている。ここで、グランド電極７は、配線基板２の端面（側面）から露出するように設けられている。

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[0022] 各ランド電極６、グランド電極７および配線電極は、それぞれＣｕやＡｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各ランド電極６には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。

[0023] 各部品３としては、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体で形成された半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品などが挙げられる。

[0024] 封止樹脂層４は、配線基板２の上面と各部品３とを被覆するように設けられている。この封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。

[0025] シールド層５は、封止樹脂層４の表面に積層された密着層８と、密着層８に積層された導電層９と、導電層９に積層された保護層１０とを有する多層構造で形成され、封止樹脂層４との密着性および耐傷性の向上が図られている。また、シールド層５は、配線基板２の側面に露出したグランド電極７と電気的に接続される。

[0026] 密着層８は、導電層９と封止樹脂層４との密着強度を高めるために設けられたものであり、この実施形態では、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＣｒ、ＴｉＡｌ、ＮｉＡｌ、ＣｒＡｌ、ＣｒＮｉＡｌのうちのいずれかの金属から成る第１密着膜で形成される。また、密着層８は、配線基板２の側面で、当該側面に露出したグランド電極７に電気的に接続される。なお、密着層８の膜厚は、側面などの最薄部で０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。

[0027] 導電層９は、シールド層５の実質的なシールド機能を担う層であり、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属から成る導電膜で形成される。なお、導電層９の膜厚は、側面などの最薄部で０．５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

[0028] 保護層１０は、導電層９が腐食したり、傷が付くのを防止するために設けられたものであり、この実施形態では、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＣｒ、ＴｉＡｌ、ＮｉＡｌ、ＣｒＡｌ、ＣｒＮｉＡｌのうちのいずれかの金属の窒化物、酸化物または酸窒化物から成る保護膜で形成されている。なお、保護層１０の膜厚は、側面などの最薄部で０．０３μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。保護層１０の厚さが０．０３μｍ以上であることにより、導電層９の腐食を、効果的に抑制することができる。また、保護層１０の厚さが１．５μｍ以下であることにより、シールド層が不必要に厚くなるのを回避できる。」

（２）引用文献３

原査定の拒絶理由において、周知技術を示すものとして引用された引用文献３（特開２００３－０３４８２８号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。

「【００３６】尚、基体上に，下地層，Ａｇ合金膜，保護層が交互に積層されていても良い。この際、Ａｇ合金膜と下地層および／または保護層の密着性を向上するために、該膜間にＮｉ，Ｃｒ，Ｎｉ－Ｃｒ合金などの金属層を設けてもよい。」

（３）引用文献４

原査定の拒絶理由において、周知技術を示すものとして引用された引用文献４（特開２００７－２９４９１８号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。

ア 図１

［図：0001404449000003.jpg］

イ 「【００１６】

図１に示すシールドフィルム１は、絶縁層２の片面に金属層３と、接着剤層４とを順次設けてなるものである。

【００１７】

絶縁層２は、カバーフィルム又は絶縁樹脂のコーティング層からなる。

カバーフィルムは、エンジニアリングプラスチックからなる。例えば、ポリプロピレン、架橋ポリエチレン、ポリエステル、ポリベンツイミダゾール、アラミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などが挙げられる。

あまり耐熱性を要求されない場合は、安価なポリエステルフィルムが好ましく、難燃性が要求される場合においては、ポリフェニレンサルファイドフィルム、さらに耐熱性が要求される場合にはアラミドフィルムやポリイミドフィルムが好ましい。

絶縁樹脂は、絶縁性を有する樹脂であればよく、例えば、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化性樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、アクリル変性シリコン樹脂などが挙げられる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、エポキシアクリレート樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、及びそれらのメタクリレート変性品などが挙げられる。なお、硬化形態としては、熱硬化、紫外線硬化、電子線硬化などどれでもよく、硬化するものであればよい。

なお、絶縁層２の厚みは１μｍ～１０μｍ、好ましくは３μｍ～７μｍであることが好ましい。」

（４）引用文献５

原査定の拒絶理由において、周知技術を示すものとして引用された引用文献５（特開２０１７－０５９７０８号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。

「【００３６】

［絶縁層の表面抵抗値］

本発明の電磁波シールドシートは、絶縁層の表面抵抗値が１×１０５以上であることが好ましい。絶縁層の表面抵抗値が１×１０５Ω／□以上になることで絶縁信頼性がより向上する。

【００３７】

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「黒色樹脂組成物」

続いて、絶縁層を形成するための黒色樹脂組成物を構成する、熱硬化性樹脂（Ａ１）、硬化剤（Ａ２）、および黒色系着色剤等について、それぞれ説明する。

【００３８】

（熱硬化性樹脂（Ａ１））

熱硬化性樹脂（Ａ１）は、加熱による架橋反応に利用できる官能基を複数有する樹脂である。

官能基は、例えば、水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、オキサゾリン基、オキサジン基、アジリジン基、チオール基、イソシアネート基、ブロック化イソシアネート基、シラノール基等が挙げられる。

上記の官能基を有する熱硬化性樹脂（Ａ１）は、例えば、アクリル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ポリエステル樹脂、縮合型ポリエステル樹脂、付加型ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノール系樹脂、アルキド樹脂、アミノ樹脂、ポリ乳酸樹脂、オキサゾリン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの中でも表面抵抗値とインキ耐性の点から、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、付加型ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂が好ましい。

【００３９】

本発明では熱硬化性樹脂（Ａ１）に加え、熱可塑性樹脂を併用できる。

熱可塑性樹脂としては、前記硬化性官能基を有しないポリオレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、スチレン・アクリル系樹脂、ジエン系樹脂、テルペン樹脂、石油樹脂、セルロース系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。

ポリオレフィン系樹脂は、エチレン、プロピレン、α－オレフィン化合物などのホモポリマーまたはコポリマーが好ましい。具体的には、例えば、ポリエチレンプロピレンゴム、オレフィン系熱可塑性エラストマー、α－オレフィンポリマー等が挙げられる。

ビニル系樹脂は、酢酸ビニルなどのビニルエステルの重合により得られるポリマーおよびビニルエステルとエチレンなどのオレフィン化合物とのコポリマーが好ましい。具体的には、例えば、エチレン－酢酸ビニル共重合体、部分ケン化ポリビニルアルコール等が挙げられる。

スチレン・アクリル系樹脂は、スチレンや（メタ）アクリロニトリル、アクリルアミド類、（メタ）アクリル酸エステル、マレイミド類などからなるホモポリマーまたはコポリマーが好ましい。具体的には、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアクリロニトリル、アクリルコポリマー、エチレン－メタクリル酸メチル共重合体等が挙げられる。

ジエン系樹脂は、ブタジエンやイソプレン等の共役ジエン化合物のホモポリマーまたはコポリマーおよびそれらの水素添加物が好ましい。具体的には、例えば、スチレン－ブタジエンゴム、スチレン－イソプレンブロックコポリマー等が挙げられる。テルペン樹脂は、テルペン類からなるポリマーまたはその水素添加物が好ましい。具体的には、例えば、芳香族変性テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、水添テルペン樹脂が挙げられる。

石油系樹脂は、ジシクロペンタジエン型石油樹脂、水添石油樹脂が好ましい。セルロース系樹脂は、セルロースアセテートブチレート樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂は、ビスフェノールＡポリカーボネートが好ましい。ポリイミド系樹脂は、熱可塑性ポリイミド、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミック酸型ポリイミド樹脂が好ましい。」

（５）引用文献６

原査定の拒絶理由において、周知技術を示すものとして引用された引用文献６（特開２００４－２０７６４２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。

ア 図１

［図：0001404449000004.jpg］

イ 「（第１の実施の形態）

図１は、本実施の形態における多層基板の製造方法を示す工程別断面図である。尚、本実施の形態における多層基板は、例えば携帯電話等の電磁波シールドが必要な電子機器等に用いることができる。

【００２３】

図１（ａ）に示すように、１は樹脂フィルム２の片面に貼着された導体箔をエッチングによりパターン形成した導体パターン３及びＧＮＤパターン４を有する片面導体パターンフィルムである。ここで、樹脂フィルム２としては、例えば熱可塑性樹脂であるポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）６５～３５重量％とポリエーテルイミド（ＰＥＩ）３５～６５重量％とからなる厚さ２５～１００μｍの樹脂フィルムを用いることができる。また、導体箔としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌの少なくとも１種を含む低抵抗金属箔が良く、望ましくは安価でマイグレーションの心配のないＣｕ箔が良い。

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【００２４】

ＧＮＤパターン４としては、導体パターン３と同一の金属を用い、製造工程の短縮ため、ほぼ同時に形成される。ＧＮＤパターン４は、後述するシールドパターンと電気的に接触するが、詳細については後述する。尚、導体パターン３及びＧＮＤパターン４の形成は、導体箔のエッチング以外にも、印刷法を用いて行われても良い。

【００２５】

図１（ａ）の片面導体パターンフィルム１形成工程が完了すると、次に、図１（ｂ）に示すように、樹脂フィルム２側から例えば炭酸ガスレーザを照射して、導体パターン３を底面とする有底孔であるビアホール５を形成し、当該ビアホール５に層間接続材料である導電性ペースト６を充填する充填工程が行われる。

【００２６】

ビアホール５の形成には、炭酸ガスレーザ以外にもＵＶ－ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を用いることが可能である。その他にもドリル加工等により機械的にビアホール５を形成することも可能であるが、小径でかつ導体パターン３を傷つけないように加工することが必要とされるため、レーザによる加工法を選択することが好ましい。

【００２７】

ビアホール５の形成が完了すると、ビアホール５内に層間接続材料である導電性ペースト６を充填する。導電性ペースト６は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ等の金属粒子に有機溶剤を加え、これを混練しペースト化したものである。導電性ペースト６には、その他にも適宜低融点ガラスフリットや有機樹脂、或いは無機フィラーを添加混合しても良い。この、導電性ペースト６は、図示されないスクリーン印刷機やディスペンサ等を用いてビアホール５内に充填される。尚、導体パターン３に対して導電性ペースト６の充填されたビアホール５を形成する例を示したが、ＧＮＤパターン４を底面としたビアホール５を形成し、導電性ペースト６を充填しても良い。

【００２８】

ここで、片面導体パターンフィルム１の形成と平行して、片面導体パターンフィルム１に対して導ＧＮＤパターン４が形成されない片面導体パターンフィルム１ａの形成と、シールドフィルム１０の形成が行われる。

【００２９】

シールドフィルム１０は、静電気或いは電磁波シールドを目的として形成されるものであり、樹脂フィルム２の片面に貼着された導体箔をエッチングによりパターン形成したシールドパターン１１とランドとしての導体パターン１２を有する。また、その大きさは、フィルム１０の平面方向において、多層基板を構成する他の片面導体パターンフィルム１等の略同一である。ここで、樹脂フィルム２としては、片面導体パターンフィルム１，１ａと同一の例えば熱可塑性樹脂であるポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）６５～３５重量％とポリエーテルイミド（ＰＥＩ）３５～６５重量％とからなる厚さ２５～１００μｍの樹脂フィルムを用いることができる。片面導体パターンフィルム１，１ａと同一の熱可塑性樹脂からなると、接着性が向上されるので好ましい。また、導体箔も、片面導体パターンフィルム１，１ａと同一の例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌの少なくとも１種を含む低抵抗金属箔を用いることができる。

【００３０】

さらに、シールドパターン１１及び導体パターン１２を底部として、ビアホール５が形成され、導電性ペースト６が充填される。ビアホール５は、後述する積層工程において、位置決めした際に、ＧＮＤパターン４と接触する位置に形成される。尚、ビアホール５の形成、及び導電性ペースト６の充填は、片面導体パターンフィルム１，１ａにおけるビアホール５の形成、及び導電性ペースト６の充填と同一の工程，及び材料が用いられる。従って、製造工程を短縮できる。

【００３１】

尚、シールドパターン１１は、後述する静電気或いは電磁波シールドすべき部位をシールドするように、樹脂フィルム２の所定の位置にシールドすべき部位に対応したパターンをもつようにエッチングされる。従って、後述する積層工程において、シールドフィルム１０の位置決めを行えば、シールドすべき部位に対してシールドパターン１１が位置決めされることとなるので、位置決めが容易である。ここで、シールドすべき部位に対応したシールドパターン１１とは、シールドすべき部位の形状と略同等の形状か、若しくはシールドすべき形状よりも大きく、シールドすべき形状を完全に覆うことのできる任意の形状を示す。尚、静電気或いは電磁波シールドについては後述する。

【００３２】

ビアホール５への導電性ペースト６の充填が完了すると、図１（ｄ）に示すように、片面導体パターンフィルム１を含む複数の樹脂フィルム２を積層する（本例では６枚）。このとき、６枚の樹脂フィルム２からなる積層体は、上層からシールドフィルム１０、片面導体パターンフィルム１、片面導体パターンフィルム１ｂ、３枚の片面導体パターンフィルム１ａの順で積層されている。尚、多層基板（積層体）の形態（層数及び導体パターン３等の構成）は本実施の形態に限定されるものではない。

【００３３】

図１（ｄ）に示すように積層工程がなされた後、この積層体の上下両面から図示されない加熱プレス機を用いて加熱しつつ加圧し、多層基板を形成する加熱・加圧工程がなされる。このとき、シールドフィルム１０が、他の片面導体パターン等と略同等の大きさを有し

ているので、積層体の表面に均一に加圧されることなり、導体パターン３等の位置ずれを防止できる。本実施の形態では、プレス条件として、２５０～３５０℃の温度に加熱し、１～１０ＭＰａの圧力で加圧した。尚、加熱プレス機と積層体の表面との間には、導体パターン３、及びシールドパターン１１の位置ずれを防ぐために、緩衝効果を有する図示されない緩衝部材を設けても良い。さらに、緩衝部材と積層体との間、及び、緩衝部材と加熱プレス機との間に、夫々の間の離型性を良くする目的でポリイミド等の図示されない離型部材を設けて、加熱・加圧工程を行っても良い。

【００３４】

上述の製造工程を経て、各樹脂フィルム２が熱溶着して一体化すると共に、ビアホール５内の導電性ペースト６により隣接する導体パターン３，１２或いは導電性ペースト６との間で層間接続がなされ、図１（ｅ）に示すように多層基板２０が形成される。

【００３５】

ここで、多層基板２０は、当該基板２０の内部に静電気或いは電磁波シールドすべき部位として、例えば電磁波に弱い導体パターン３ａを有している。そして、この導体パターン３ａに対して、その積層方向における多層基板２０の表面に、シールドフィルム１０のシールドパターン１１が配置されている。

【００３６】

このシールドパターン１１は、導電性ペースト６を介してＧＮＤパターン４と電気的に接続されているので、シールドパターン１１はＧＮＤパターン４と略同電位となっている。従って、多層基板２０が外部から電磁波を受けても、導体パターン３ａが吸収する前に、シールドパターン１１が電磁波ノイズを吸収する。ＧＮＤパターン４に接続されたシールドパターン１１の電位と導体パターン３ａの電位との電位差は電磁波を受ける前後で変化しないので、多層基板２０の導体パターン３ａを含む回路部は通常通り動作することができる。また、シールドパターン１１にて吸収された電磁波を、ＧＮＤパターン４を経て多層基板２０の外部へ逃がすこともできる。

【００３７】

また、図１（ｅ）に示されるように、多層基板２０の表面に配置されたシールドフィルム１０には、その下層に形成されたランドとしての導体パターン３に対応する位置に、当該導体パターン３に導電性ペースト６を介して電気的に接続されるランドとしての導体パターン１２が形成されている。従って、多層基板２０表面のシールドフィルム１０上に、導体パターン１２をランドとしてＩＣ等の電子部品を実装することができる。」

（６）引用文献７

原査定の拒絶理由において、周知技術を示すものとして引用された引用文献７（特開２００５－２１０６２８号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。

ア 図２

［図：0001404449000005.jpg］

イ 「【００１５】

以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。

図２は本発明に係る撮像用半導体搭載用基板の一例の平面図である。撮像用半導体を搭載する為の配線パターン１１が形成された基板１２上に、撮像用半導体に対して光学系レンズ鏡筒の位置合わせを精度良く行う為のガイドとなる樹脂成形部１０が設けられている。」

ウ 図３

［図：0001404449000006.jpg］

エ 図４

［図：0001404449000007.jpg］

オ 「【００１６】

図３は同じく裏面図であり、撮像装置を搭載する部位の基板裏面に水分浸入防止層１３が設けられている。また図４は同じく断面図である。」

カ 図５

［図：0001404449000008.jpg］

カ 「【００１７】

図５は同基板を用いて作製した撮像装置の一例の断面図である。撮像用半導体に対して光学系レンズ鏡筒の位置合わせを精度良く行う為のガイドとなる樹脂成形部１０は、表面にＣｕ等により撮像用半導体を搭載する為の配線パターン１１が形成された基板１２の上に成形される。裏面には撮像用半導体を搭載する部位の反対面側に水分浸入防止層１３が設けられている。この水分浸入防止層は金属で形成されることが好ましい。

【００１８】

撮像用半導体３は接着剤等を用いて撮像用半導体を搭載する為の配線パターン１１が形成された基板１２に接着され、またワイヤー４を用いて配線パターン１１に接続される。また、撮像用半導体に対して光学系レンズ鏡筒の位置合わせを精度良く行う為のガイドとなる樹脂成形部１０の上には撮像用半導体保護用のガラス蓋９が接着されている。更に樹脂成形部１０をガイドとして光学系レンズ５が固定された鏡筒６が基板１２上に接着剤等で固定されている。」

キ 図６

［図：0001404449000009.jpg］

ク 「【００２０】

図６は撮像用半導体として、デバイス化されたいわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）１４を用いた場合の本発明の撮像装置の断面図である。撮像用半導体に対して光学系レンズが搭載される鏡筒の位置合わせを精度良く行う為のガイドとなる樹脂成形部１０を基準にして、光学系レンズ５が固定された鏡筒６が、配線パターン１１が形成された基板１２上に接着剤等で固定されている。この場合、撮像用半導体１４はデバイス化されているため、保護用のガラス蓋は用いられていない。」

第５ 対比・判断

１ 本願発明１

（１）対比

本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことが認められる。

ア 引用発明の「ベース基材１１」、「ベース基材１１の上に設けられたグランド配線１２および信号配線１４」、「前記グランド配線１２を覆う」「絶縁層１３」、「プリント配線板本体部１０の上」の「所望のパターン形状のシールド層３１，３２」は、それぞれ、本願発明１の「第１絶縁層」、「前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線」、「前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層」、「前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層」に相当し、引用発明の「シールドプリント配線板」は、本願発明１の「配線回路基板」に対応しているといえる。

したがって、本願発明１と引用発明とは、「第１絶縁層と、

前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、

前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、

前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、

前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と、を備え」る「配線回路基板」である点で共通しているといえる。

しかし、本願発明では、配線回路基板が「フレキシブル」であるのに対して、引用発明では、フレキシブルであるか否か明らかでない点で相違している。

イ 引用発明において、「絶縁層の上に所定のパターン形状としたレジスト樹脂を載せて、その上に金属層を全面に設け、その後レジスト樹脂を溶剤により除去することによってレジスト樹脂上の金属層をともに除去し、レジスト樹脂上以外に設けた金属層は絶縁層の上に残してシールド層とする」ものであり、「金属層３０の金属種は銅、銀、金、ニッケルなど種々のものを使用することができ、金属層３０の厚みは７ｎｍ以上、０．３μｍ以下であることが好ましい」とされている。

ここで、引用発明の「金属層３０」は、「レジスト樹脂上以外に設けた金属層は絶縁層の上に残してシールド層とする」ことにおける「金属層」であるから、本願発明１の「シールド層」が「備え」る「導電層」に相当するといえる。

また、引用発明の「金属層３０の金属種は銅、銀、金、ニッケルなど種々のものを使用することができ」るとされているから、本願発明１と同様に、「前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され」ているといえる。

さらに、引用発明も、接着剤層等を介することなく、「グランド配線１２および信号配線１４」と「ベース基材１１」とが接しているから、本願発明１と同様に、「前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し」ているといえる。

また、引用発明も、接着剤層等を介することなく、「絶縁層１３」と「グランド配線１２および信号配線１４」とが接しているから、本願発明１と同様に、「前記第２絶縁層は、前記配線と直接接触し」ているといえる。

そして、引用発明の「金属層３０の厚みは７ｎｍ以上、０．３μｍ以下であることが好ましい」とされているから、「導電層の厚みが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下であ」る本願発明１と同様の場合を含むといえる。

したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記シールド層は、導電層」「を備え、「前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され、」「前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し、前記第２絶縁層は、前記配線と直接接触し、」「前記導電層の厚みが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下であ」る点で共通しているといえる。

しかし、本願発明１では、シールド層が「前記導電層を前記厚み方向に挟む２つのバリア層」を備え、「前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第２絶縁層と直接接触し、前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記導電層と直接接触し、前記第３絶縁層は、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層と直接接触し」ているのに対し、引用発明では、シールド層がバリア層を備えていない点で相違している。

また、本願発明１では、シールド層が、「前記第２絶縁層の厚み方向一方面全体に接触」しているのに対し、引用発明では、シールド層は、所望のシールドパターンとなっており、面全体に接触していない点で相違している。

（２）一致点・相違点

本願発明１と、引用発明とは、以下アの点で一致し、以下イの点で相違する。

ア 一致点

「第１絶縁層と、

前記第１絶縁層の厚み方向一方側に配置される配線と、

前記配線の厚み方向一方側に配置される第２絶縁層と、

前記第２絶縁層の厚み方向一方側に配置されるシールド層と、

続きを表示（全12行）

前記シールド層の厚み方向一方側に配置される第３絶縁層と、を備え、

前記シールド層は、

導電層、を備え、

前記導電層は、周期表第１１族、かつ、第４周期および第５周期に属する金属から選択され、

前記配線は、前記第１絶縁層と直接接触し、

前記第２絶縁層は、前記配線と直接接触し、

前記導電層の厚みが、０．０５μｍ以上、０．３μｍ以下である、

配線回路基板。」

イ 相違点

（ア）＜相違点１＞

本願発明では、配線回路基板が「フレキシブル」であるのに対して、引用発明では、フレキシブルであるか否か明らかでない点。

（イ）＜相違点２＞

本願発明１では、シールド層が「前記導電層を前記厚み方向に挟む２つのバリア層」を備え、「前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層は、前記第２絶縁層と直接接触し、前記導電層は、前記導電層に対して前記厚み方向の他方側に位置するバリア層と直接接触し、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層は、前記導電層と直接接触し、前記第３絶縁層は、前記導電層に対して前記厚み方向の一方側に位置するバリア層と直接接触し」ているのに対し、引用発明では、シールド層がバリア層を備えていない点。

（ウ）＜相違点３＞

本願発明１では、シールド層が、「前記第２絶縁層の厚み方向一方面全体に接触」しているのに対し、引用発明では、シールド層は、所望のシールドパターンとなっており、面全体に接触していない点。

（３）相違点についての判断

事案に鑑みて、まず、＜相違点３＞について検討する。

引用発明では、「シールドプリント配線板を伝送配線として用いる場合、シールド層３１，３２の所望のパターン形状を適切に選択することにより、入出力回路と合わせたインピーダンス不整合によるノイズの漏れ、及び外部からノイズを拾ってしまうことを防ぐことができ、シールドプリント配線板の高周波伝送特性が良好となるものであ」るから、引用発明において、本願発明１の＜相違点３＞に係る「前記シールド層は、前記第２絶縁層の厚み方向一方面全体に接触する」という構成と同様に、シールド層を絶縁層１３（第２絶縁層）の全体に接触する構成に変更することは、「配線回路とのインピーダンスを容易に整合させることができる」という引用発明の解決すべき課題と相反することになるから、引用文献２ないし７の記載事項にかかわらず、本願発明１の＜相違点３＞に係る構成への変更に阻害事由があるといえる。

したがって、引用発明および引用文献２ないし７の記載事項に基づいて、当業者は本願発明１の＜相違点３＞に係る構成を容易に想到することができない。

（４）小括

したがって、本願発明１は、その他の＜相違点１＞および＜相違点２＞について検討するまでもなく、引用発明および引用文献２ないし７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。

２ 本願発明２ないし４

本願発明２ないし４は、いずれも、本願発明１を減縮したものであって、本願発明１と同一の構成を備えるものであるから、上記１で述べた本願発明１と同じ理由により、引用発明および引用文献２ないし７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。

３ 本願発明５

本願発明５は、本願発明１の全ての構成に、「第２配線」および「第４絶縁層」を加えて、多層化したものであって、本願発明１と同一の構成を備えるものであるから、上記１で述べた本願発明１と同じ理由により、引用発明および引用文献２ないし７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。

４ 本願発明６および７

本願発明６は、本願発明１あるいは本願発明５の構成を全て備えたフレキシブル配線回路基板の発明であり、本願発明７は、本願発明１あるいは本願発明５の構成を全て備えたフレキシブル配線回路基板を備えた撮像装置の発明であるから、上記１で述べた本願発明１、あるいは、上記３で述べた本願発明５と同じ理由により、引用発明および引用文献２ないし７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。

第６ 原査定について

上記第５の１ないし４で述べたように、本願発明１ないし７はいずれも、引用発明、および、引用文献２ないし７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえないから、原査定の拒絶の理由（進歩性）は、解消している。

よって、原査定の理由は、維持することはできない。

第７ むすび

以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。